JP2000315919A - Mixer circuit - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低電源電圧下でも利得を低減させることなく
安定に動作するミキサー回路を実現する。
【解決手段】 第1の入力信号(IN1)を片側入力と
し、この第1の入力信号を受けるトランジスタ(Q5)
とバイアス電圧(Bias)を受けるバイポーラトラン
ジスタ(Q6)と、第2の入力信号(IN2+,IN2
−)を差動増幅する差動対(10,20)の間にバラン
(Mm)を接続する。バランにより、入力信号に応じた
電流を第1のポートに生じさせ、この第1のポートと逆
相の電流を第2のポートに生じさせて、互いに相補な差
動電流(iA,iB)を生成して差動対の動作電流とす
る。
(57) [Problem] To realize a mixer circuit that operates stably without reducing gain even under a low power supply voltage. A transistor (Q5) receives a first input signal (IN1) as one-sided input and receives the first input signal.
And a bipolar transistor (Q6) receiving a bias voltage (Bias) and second input signals (IN2 +, IN2).
A balun (Mm) is connected between the differential pair (10, 20) for differentially amplifying-). By the balun, a current corresponding to the input signal is generated in the first port, and a current having a phase opposite to that of the first port is generated in the second port to generate differential currents (iA, iB) complementary to each other. Generated as the operating current of the differential pair.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ミキサー回路に
関し、特に、入力信号を平衡変調するミキサー回路に関
し、より特定的には、ギルバートセル型ミキサー回路に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mixer circuit, and more particularly, to a mixer circuit for performing balanced modulation of an input signal, and more particularly to a Gilbert cell type mixer circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】図6は、従来のギルバートセル型ミキサ
ー回路の構成を示す図である。図6において、ミキサー
回路は、共通ノードAと共通ノードCの間に接続されか
つその制御電極ノード(ベース)に入力信号V1+を受
けるNPNバイポーラトランジスタT1と、共通ノード
Bと共通ノードCの間に接続されかつその制御電極ノー
ドに補の第1の入力信号V1−を受けるNPNバイポー
ラトランジスタT2と、出力ノードO1と共通ノードA
の間に接続されかつその制御電極ノードに第2の入力信
号V2+を受けるNPNバイポーラトランジスタT3
と、第2の出力ノードO2と共通ノードAの間に接続さ
れかつその制御電極ノードに補の第2の入力信号V2−
を受けるNPNバイポーラトランジスタT4と、出力ノ
ードO1と共通ノードBの間に接続されかつその制御電
極ノードに補の第2の入力信号V2−を受けるNPNバ
イポーラトランジスタT5と、出力ノードO2と共通ノ
ードBの間に接続されかつその制御電極ノードに第2の
入力信号V2+を受けるNPNバイポーラトランジスタ
T6と、共通ノードCと接地ノードの間に接続される定
電流源ISを含む。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a conventional Gilbert cell type mixer circuit. In FIG. 6, a mixer circuit is connected between a common node A and a common node C and has an NPN bipolar transistor T1 receiving an input signal V1 + at a control electrode node (base) thereof, and a common circuit between a common node B and a common node C. An NPN bipolar transistor T2 connected and receiving a complementary first input signal V1- at its control electrode node, an output node O1 and a common node A
Bipolar transistor T3 connected between the control electrode node and receiving a second input signal V2 + at its control electrode node.
And a second input signal V2- connected between the second output node O2 and the common node A and connected to its control electrode node.
NPN bipolar transistor T4 connected between output node O1 and common node B and receiving a second input signal V2-supplied to its control electrode node and output node O2 and common node B And an NPN bipolar transistor T6 which receives the second input signal V2 + at its control electrode node, and a constant current source IS connected between the common node C and the ground node.
【0003】バイポーラトランジスタT1およびT2
は、それぞれのエミッタが共通ノードCに接続され、エ
ミッタ差動対回路を構成する。バイポーラトランジスタ
T3およびT4はそれぞれのエミッタが共通ノードAに
接続され、エミッタ差動対回路を構成し、またバイポー
ラトランジスタT5およびT6がそれぞれのエミッタが
共通ノードBに接続され、エミッタ差動対回路を構成す
る。バイポーラトランジスタT3およびT5のコレクタ
が出力ノードO1に接続され、バイポーラトランジスタ
T4およびT6のコレクタが出力ノードO2に接続され
る。出力ノードO1およびO2には、差動電流i1およ
びi2が流れる。これらの出力ノードO1およびO2
は、通常、負荷素子を介して電源ノードに結合される。[0003] Bipolar transistors T1 and T2
Have their emitters connected to a common node C to form an emitter differential pair circuit. Bipolar transistors T3 and T4 have respective emitters connected to common node A to form an emitter differential pair circuit, and bipolar transistors T5 and T6 have respective emitters connected to common node B to form an emitter differential pair circuit. Constitute. The collectors of bipolar transistors T3 and T5 are connected to output node O1, and the collectors of bipolar transistors T4 and T6 are connected to output node O2. Differential currents i1 and i2 flow through output nodes O1 and O2. These output nodes O1 and O2
Is typically coupled to a power supply node via a load element.
【0004】入力信号V1(V1+,V1−)およびV
2(V2+,V2−)は、それぞれ相補信号対の形で入
力され、かつそれぞれ異なる周波数f1およびf2を有
する電圧信号である。入力信号V1の等価的な振幅は、
(V1+)−(V1−)で与えられ、入力信号V2の等
価的な振幅は、(V2+)−(V2−)で与えられる。
周波数f1の入力信号V1が、バイポーラトランジスタ
T1およびT2で構成されるエミッタ差動対回路によっ
て差動増幅され、その差動増幅結果が、バイポーラトラ
ンジスタT1およびT2のコレクタ電流という形で出力
される。The input signals V1 (V1 +, V1-) and V1
2 (V2 +, V2-) are voltage signals input in the form of complementary signal pairs and having different frequencies f1 and f2, respectively. The equivalent amplitude of the input signal V1 is
It is given by (V1 +)-(V1-), and the equivalent amplitude of the input signal V2 is given by (V2 +)-(V2-).
An input signal V1 of frequency f1 is differentially amplified by an emitter differential pair circuit composed of bipolar transistors T1 and T2, and the differential amplification result is output in the form of collector currents of bipolar transistors T1 and T2.
【0005】バイポーラトランジスタT1およびT2の
それぞれのコレクタ電流が、バイポーラトランジスタT
3およびT4で構成されるエミッタ差動対回路およびバ
イポーラトランジスタT5およびT6で構成されるエミ
ッタ差動対回路それぞれに対する動作電流となり、これ
らの差動対回路の駆動電流量を決定する。以下、この図
6に示すミキサー回路の動作を、式を用いて説明する。The collector current of each of bipolar transistors T1 and T2 is equal to that of bipolar transistor T1.
An operating current is supplied to each of the emitter differential pair circuit composed of the transistors 3 and T4 and the emitter differential pair circuit composed of the bipolar transistors T5 and T6, and the drive current of these differential pair circuits is determined. Hereinafter, the operation of the mixer circuit shown in FIG. 6 will be described using equations.
【0006】バイポーラトランジスタT1およびT2の
それぞれのコレクタ電流ic1およびic2は、次式で
表わされる。The collector currents ic1 and ic2 of the bipolar transistors T1 and T2 are expressed by the following equations.
【0007】 ic1=2・IEE/(1+exp(−V1/VT)) …(1) ic2=2・IEE/(1+exp(V1/VT)) …(2) ただし、VTは、熱電圧であり、k・T/qで表わされ
る。kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電荷を示
す。Ic1 = 2 · IEEE / (1 + exp (−V1 / VT)) (1) ic2 = 2 · IEEE / (1 + exp (V1 / VT)) (2) where VT is a thermal voltage, It is represented by k · T / q. k indicates Boltzmann's constant, T indicates absolute temperature, and q indicates electric charge.
【0008】V1=(V1+)−(V1−) 上述の式は、差動増幅回路におけるエミッタ電流とベー
ス電圧との関係から、各エミッタ電流を求め、求められ
たエミッタ電流からコレクタ電流を求めることにより上
述の関係式が得られる。V1 = (V1 +)-(V1-) In the above equation, each emitter current is obtained from the relationship between the emitter current and the base voltage in the differential amplifier circuit, and the collector current is obtained from the obtained emitter current. Gives the above relational expression.
【0009】同様の解析から、トランジスタT3、T
4、T5およびT6それぞれのコレクタ電流ic3、i
c4、ic5、およびic6は次式で表わされる。[0009] From the same analysis, the transistors T3, T3
4, collector currents ic3, i of T5 and T6 respectively
c4, ic5, and ic6 are represented by the following equations.
【0010】 ic3=ic1/(1+exp(−V2/VT)) …(3) ic4=ic1/(1+exp(V2/VT)) …(4) ic5=ic2/(1+exp(V2/VT)) …(5) ic6=ic2/(1+exp(−V2/VT)) …(6) ただし、V2=(V2+)−(V2−) 式(3)から(6)に対し式(1)および(2)を代入
することにより、コレクタ電流ic3、ic4、ic
5、およびic6と入力電圧V1およびV2との関係は
次式で与えられる。Ic3 = ic1 / (1 + exp (−V2 / VT)) (3) ic4 = ic1 / (1 + exp (V2 / VT)) (4) ic5 = ic2 / (1 + exp (V2 / VT)) (( 5) ic6 = ic2 / (1 + exp (−V2 / VT)) (6) where V2 = (V2 +) − (V2-) Equations (1) and (2) are applied to equations (3) to (6). By substituting, the collector currents ic3, ic4, ic
5 and ic6 and the input voltages V1 and V2 are given by the following equations.
【0011】 ic3=2・IEE/(1+exp(−V1/VT))(1+exp(−V1 /VT)) …(7) ic4=2・IEE/(1+exp(−V1/VT))(1+exp(V2/ VT)) …(8) ic5=2・IEE/(1+exp(V1/VT))(1+exp(V2/V T)) …(9) ic6=2・IEE/(1+exp(V1/VT))(1+exp(−V2/ VT)) …(10) 上式(7)−(10)を使用することにより、出力ノー
ドO1およびO2からの差動出力電流i1−i2は、次
式で表わされる。Ic3 = 2 · IEEE / (1 + exp (−V1 / VT)) (1 + exp (−V1 / VT)) (7) ic4 = 2 · IEEE / (1 + exp (−V1 / VT)) (1 + exp (V2) / VT)) (8) ic5 = 2 · IEEE / (1 + exp (V1 / VT)) (1 + exp (V2 / VT)) (9) ic6 = 2 · IEEE / (1 + exp (V1 / VT)) ( 1 + exp (-V2 / VT)) (10) By using the above equations (7)-(10), the differential output current i1-i2 from the output nodes O1 and O2 is represented by the following equation.
【0012】 i1−i2=ic3+ic5−(ic6+ic4) =2・IEE(tanh(V1/2・VT))(tanh(V2/2・VT) ) …(11) 関数tanh xは、次式のように級数展開することが
できる。I1-i2 = ic3 + ic5- (ic6 + ic4) = 2 · IEEE (tanh (V1 / 2 · VT)) (tanh (V2 / 2 · VT)) (11) The function tanh x is expressed by the following equation. The series can be expanded.
【0013】 tanh x=x−x3 /3 …(12) 上式(12)において、xが1より十分小さい場合に
は、次の近似式が得られる。[0013] tanh x = x-x 3/ 3 ... (12) above formula (12), if x is sufficiently smaller than 1, the following approximation formula is obtained.
【0014】 tanh x〜x …(13) したがって、差動入力信号(入力電圧)V1およびV2
と差動出力信号(出力電流)i1およびi2との関係
は、次式で表わされる。Tanh x〜x (13) Therefore, differential input signals (input voltages) V1 and V2
And the differential output signals (output currents) i1 and i2 are expressed by the following equations.
【0015】 i1−i2〜2・IEE・(V1/2・VT)(V2/2・VT) …(14) すなわち、差動出力電流i1−i2は、差動入力電圧V
1およびV2の乗算により与えられる。したがって、こ
の図6に示すミキサー回路は、実質的に、差動入力信号
V1およびV2の乗算を行ない、その乗算結果を差動電
流i1−i2として出力する。差動入力信号V1および
V2がそれぞれ異なる周波数f1およびf2を有する場
合、周波数成分の乗算が行なわれるため、これらの2つ
の信号V1およびV2の周波数の和|f1+f2|また
は差|f1−f2|の周波数成分の信号が出力される。I1−i2−2 · IEEE · (V1 / 2 · VT) (V2 / 2 · VT) (14) That is, the differential output current i1-i2 is the differential input voltage V
It is given by the multiplication of 1 and V2. Therefore, the mixer circuit shown in FIG. 6 substantially multiplies differential input signals V1 and V2, and outputs the multiplied result as differential current i1-i2. When the differential input signals V1 and V2 have different frequencies f1 and f2, respectively, the multiplication of the frequency components is performed, so that the sum | f1 + f2 | or the difference | f1-f2 | of the frequencies of these two signals V1 and V2 is obtained. A frequency component signal is output.
【0016】すなわち、このミキサー回路は、入力信号
V1およびV2を混合する平衡変調動作を行なってい
る。このようなミキサー回路は、映像信号処理回路にお
いて、局部発振回路からの局部発振信号と高周波映像信
号とを混合して、中間周波数の映像信号を生成する回路
などにおいて利用されている。That is, the mixer circuit performs a balanced modulation operation for mixing the input signals V1 and V2. Such a mixer circuit is used in a video signal processing circuit in which a local oscillation signal from a local oscillation circuit is mixed with a high-frequency video signal to generate an intermediate frequency video signal.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】図6に示すミキサー回
路においては、出力ノードO1およびO2と接地ノード
の間に、定電流源IS、バイポーラトランジスタT1お
よびT2で構成される差動段DFI、およびバイポーラ
トランジスタT3、T4、T5およびT6を含む差動段
DF2が順次接続される。このミキサー回路を動作させ
るためには、定電流源ISを構成するトランジスタ(通
常、バイアス電圧をその制御電極ノードに受けるトラン
ジスタ)をオン状態とするための電圧、および差動段D
F1のトランジスタT1およびT2を動作させるための
電圧(これらのバイポーラトランジスタT1およびT2
のコレクタ電圧はそれぞれのエミッタ電圧よりも高くす
る必要がある)、および差動段DF2に含まれるトラン
ジスタT3〜T6を動作させるために、出力ノードO1
およびO2と共通ノードAおよびBの間に印加されるコ
レクタ−エミッタ電圧をそれぞれ与える必要がある。し
たがって、これらの3段の回路部分を安定に動作させる
ために、出力ノードO1およびO2の電圧レベルの下限
を低くすることができない。In the mixer circuit shown in FIG. 6, between the output nodes O1 and O2 and the ground node, a constant current source IS, a differential stage DFI composed of bipolar transistors T1 and T2, and A differential stage DF2 including bipolar transistors T3, T4, T5 and T6 is sequentially connected. In order to operate the mixer circuit, a voltage for turning on a transistor constituting the constant current source IS (generally, a transistor receiving a bias voltage at its control electrode node) and a differential stage D
A voltage for operating the transistors T1 and T2 of F1 (these bipolar transistors T1 and T2
Must be higher than the respective emitter voltages), and the output node O1 for operating the transistors T3 to T6 included in the differential stage DF2.
And a collector-emitter voltage applied between O2 and common nodes A and B, respectively. Therefore, the lower limit of the voltage level of output nodes O1 and O2 cannot be reduced in order to stably operate these three-stage circuit portions.
【0018】一方において、小振幅信号を伝達して高速
動作させかつ消費電流を低減するために、電源電圧を低
くする低電源電圧化が一般に図られている。したがっ
て、このような低電源電圧下において、安定にミキサー
回路を動作させて、平衡変調を行なうことが困難になる
という問題が生じる。On the other hand, in order to transmit a small-amplitude signal to operate at high speed and reduce current consumption, a power supply voltage is generally reduced to lower the power supply voltage. Therefore, there is a problem that it becomes difficult to operate the mixer circuit stably and perform balanced modulation under such a low power supply voltage.
【0019】それゆえ、この発明の目的は、変換利得の
低下を抑制しつつ低電源電圧下で安定に動作するミキサ
ー回路を提供することである。An object of the present invention is to provide a mixer circuit that operates stably under a low power supply voltage while suppressing a decrease in conversion gain.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】請求項1に係るミキサー
回路は、第1の信号出力ノードと第1の共通ノードの間
に接続されかつその制御電極ノードが第2の入力信号を
受ける第1の入力ノードに接続する第1のトランジスタ
と、第2の信号出力ノードと第1の共通ノードの間に接
続されかつその制御電極ノードが第2の入力信号に対す
る比較基準信号を受ける第2の入力ノードに接続される
第2のトランジスタと、第1の信号出力ノードと第2の
共通ノードの間に接続されかつその制御電極ノードが第
2の入力ノードに接続する第3のトランジスタと、第2
の信号出力ノードと第2の共通ノードの間に接続され、
かつその制御電極ノードが第1の入力ノードに接続する
第4のトランジスタと、第1の共通ノードと第1の内部
ノードの間に接続される第1のポートと、第2の共通ノ
ードと第2の内部ノードの間に接続される第2のポート
とを有し、第1のポートを流れる電流の位相が反転した
電流を第2のポートに生じさせるバラン素子と、第1の
内部ノードに結合されかつその制御電極ノードに第1の
入力信号を受ける第5のトランジスタと、第2の内部ノ
ードに結合されかつその制御電極ノードに第1の入力信
号の比較基準信号を受ける第6のトランジスタを備え
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a mixer circuit comprising a first circuit connected between a first signal output node and a first common node and having a control electrode node receiving a second input signal. And a second input connected between the second signal output node and the first common node and having its control electrode node receiving a comparison reference signal for the second input signal. A second transistor connected to the node, a third transistor connected between the first signal output node and the second common node and having a control electrode node connected to the second input node,
Connected between the signal output node and the second common node,
And a fourth transistor having its control electrode node connected to the first input node; a first port connected between the first common node and the first internal node; A balun element having a second port connected between the two internal nodes, the balun element generating a current having a phase inverted from that of the current flowing through the first port in the second port, and a balun element connected to the first internal node. A fifth transistor coupled and receiving a first input signal at its control electrode node; and a sixth transistor coupled to a second internal node and receiving a reference signal of the first input signal at its control electrode node. Is provided.
【0021】請求項2に係るミキサー回路は、第1の信
号出力ノードと第1の共通ノードの間に接続されかつそ
の制御電極ノードが第2の入力信号を受ける第1の入力
ノードに接続する第1のトランジスタと、第2の信号出
力ノードと第1の共通ノードの間に接続されかつその制
御電極ノードが第2の入力信号に対する比較基準信号を
受ける第2の入力ノードに接続する第2のトランジスタ
と、第1の信号出力ノードと第2の共通ノードの間に接
続されかつその制御電極ノードが第2の入力ノードに接
続する第3のトランジスタと、第2の信号出力ノードと
第2の共通ノードの間に接続されかつその制御電極ノー
ドが第1の入力ノードに接続する第4のトランジスタ
と、第1の共通ノードと第1の内部ノードの間に接続さ
れかつその制御電極ノードに第1の入力信号を受ける第
5のトランジスタと、第2の共通ノードと第2の内部ノ
ードの間に接続され、かつその制御電極ノードに第1の
入力信号の比較基準信号を受ける第6のトランジスタ
と、第1および第2の内部ノードと固定電位を受けるノ
ードの間に結合されるバラン素子を含む。このバラン素
子は、第1の内部ノードに結合される第1のポートと、
第2の内部ノードに結合される第2のポートとを有し、
第1のポートを流れる電流と位相が反転した電流を第2
のポートに生じさせる特性を備える。A mixer circuit according to a second aspect is connected between a first signal output node and a first common node, and has its control electrode node connected to a first input node receiving a second input signal. A second transistor connected between the first transistor and the second signal output node and the first common node and having a control electrode node connected to a second input node receiving a reference signal for comparison with the second input signal; , A third transistor connected between the first signal output node and the second common node and having a control electrode node connected to the second input node, a second signal output node and a second And a control electrode connected between the first common node and a first internal node and having a control electrode connected between the common node and the control electrode connected to the first input node. A fifth transistor receiving a first input signal at a node; a fifth transistor connected between a second common node and a second internal node; and receiving at its control electrode node a comparison reference signal of the first input signal. A sixth transistor includes a balun element coupled between the first and second internal nodes and a node receiving a fixed potential. The balun element has a first port coupled to a first internal node,
A second port coupled to a second internal node;
The current whose phase is inverted with respect to the current flowing through the first port is
It has a characteristic to be generated in the port.
【0022】請求項3に係るミキサー回路は、第1の信
号出力ノードと第1の共通ノードの間に接続されかつそ
の制御電極ノードが第2の入力信号を受ける第1の入力
ノードに接続する第1のトランジスタと、第2の信号出
力ノードと第1の共通ノードの間に接続され、かつその
制御電極ノードが第2の入力信号に対する比較基準信号
を受ける第2の入力ノードに接続する第2のトランジス
タと、第1の信号出力ノードと第2の共通ノードの間に
接続されかつその制御電極ノードが第2の入力ノードに
接続する第3のトランジスタと、第2の信号出力ノード
と第2の共通ノードの間に接続されかつその制御電極ノ
ードが第1の入力ノードに接続する第4のトランジスタ
と、第1の共通ノードと第1の内部ノードの間に結合さ
れる第1のポートと、第2の共通ノードと第2の内部ノ
ードの間に結合される第2のポートとを有し、第1のポ
ートを介して流れる電流の位相が反転した電流を第2の
ポートに流れさせるバラン素子と、第1および第2の内
部ノードにそれぞれ結合される電流源を備える。第1の
入力信号がバラン素子の第1のポートの第1の共通ノー
ドに電気的に接続するノードまたは第2の内部ノードに
電気的に接続するノードの一方に与えられる。According to a third aspect of the present invention, a mixer circuit is connected between a first signal output node and a first common node, and has its control electrode node connected to a first input node receiving a second input signal. A first transistor is connected between a second signal output node and a first common node, and has a control electrode node connected to a second input node receiving a reference signal for comparison with a second input signal. A second transistor, a third transistor connected between the first signal output node and the second common node, and having a control electrode node connected to the second input node, a second signal output node and a second transistor. A fourth transistor connected between the two common nodes and having its control electrode node connected to the first input node, and a first port coupled between the first common node and the first internal node , A second port coupled between the second common node and the second internal node, and causing a current having a phase inverted from that of the current flowing through the first port to flow to the second port. A balun element and current sources respectively coupled to the first and second internal nodes. A first input signal is provided to one of a node electrically connected to a first common node of the first port of the balun element and a node electrically connected to a second internal node.
【0023】請求項4に係るミキサー回路は、第1の信
号出力ノードと第1の共通ノードの間に接続されかつそ
の制御電極ノードが第2の入力信号を受ける第1の入力
ノードに接続する第1のトランジスタと、第2の出力ノ
ードと第1の共通ノードの間に接続されかつその制御電
極ノードが第2の入力信号に対する比較基準信号を受け
る第2の入力ノードに接続する第2のトランジスタと、
第1の信号出力ノードと第2の共通ノードの間に接続さ
れかつその制御電極ノードが第2の入力ノードに接続す
る第3のトランジスタと、第2の信号出力ノードと第2
の共通ノードの間に接続されかつその制御電極ノードが
第1の入力ノードに接続する第4のトランジスタと、第
1の共通ノードと第1の内部ノードの間に接続されかつ
その制御電極ノードに一定の電圧レベルのバイアス電圧
を受ける第5のトランジスタと、第2の共通ノードと第
2の内部ノードの間に接続されかつそのゲートにバイア
ス電圧を受ける第6のトランジスタと、第1の内部ノー
ドに結合される第1のポートと第2の内部ノードに結合
される第2のポートとを有し、第1のポートを流れる電
流の位相が反転した電流を第2のポートに生じさせるバ
ラン素子とを備える。According to a fourth aspect of the present invention, the mixer circuit is connected between the first signal output node and the first common node, and has its control electrode node connected to the first input node receiving the second input signal. A first transistor connected to a second output node connected between the second output node and the first common node and having a control electrode node connected to a second input node receiving a reference signal for comparison with the second input signal; Transistors and
A third transistor connected between the first signal output node and the second common node and having its control electrode node connected to the second input node;
A fourth transistor connected between the common node and a control electrode node connected to the first input node; and a fourth transistor connected between the first common node and the first internal node and connected to the control electrode node. A fifth transistor receiving a bias voltage of a constant voltage level, a sixth transistor connected between the second common node and the second internal node and receiving a bias voltage at its gate, and a first internal node Element having a first port coupled to the first port and a second port coupled to the second internal node, and causing the second port to generate a current in which the phase of the current flowing through the first port is inverted at the second port And
【0024】第1の入力信号がバラン素子の第1のポー
トの第1の内部ノードに電気的に接続するノードまたは
固定電位ノードに電気的に接続するノードの一方に与え
られる。A first input signal is applied to one of a node electrically connected to the first internal node of the first port of the balun element and a node electrically connected to the fixed potential node.
【0025】請求項5のミキサー回路は、請求項1また
は2の第1の入力信号の比較基準信号が一定のバイアス
電圧である。In the mixer circuit according to the fifth aspect, the comparison reference signal of the first input signal according to the first or second aspect is a constant bias voltage.
【0026】請求項6のミキサー回路は、請求項1から
4のいずれかの第2の入力信号の比較基準信号は第2の
入力信号と相補な入力信号または一定のバイアス電圧で
ある。According to a sixth aspect of the present invention, the comparison reference signal of the second input signal according to any one of the first to fourth aspects is an input signal complementary to the second input signal or a constant bias voltage.
【0027】請求項7に係るミキサー回路は、第1の入
力信号を増幅する第1の差動段と、第2の入力信号を互
いに相補的に差動増幅する第1および第2の差動回路を
有する第2の差動段とが信号出力ノードと固定電位を受
けるノードの間に結合されるギルバートセル型ミキサー
回路において、第1の差動段と第2の差動段の間または
第1の差動段と固定電位を受ける固定電位ノードの間に
バランを接続する。このバランは、第1のポートと第2
のポートを有し、第1のポートを流れる電流の位相反転
電流を第2のポートに流れさせる特性を有し、この第1
のポートに第1の入力信号に応じた電流を生じさせ、こ
れにより、第2の差動段の第1および第2の差動回路の
電流源ノードに相補電流を生じさせるようにしたもので
ある。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a mixer circuit comprising: a first differential stage for amplifying a first input signal; and a first and a second differential stage for differentially amplifying a second input signal in a mutually complementary manner. In a Gilbert cell type mixer circuit in which a second differential stage having a circuit is coupled between a signal output node and a node receiving a fixed potential, between the first differential stage and the second differential stage or the second differential stage. A balun is connected between one differential stage and a fixed potential node receiving a fixed potential. This balun is connected to the first port and the second port.
And has a characteristic of causing a phase inversion current of a current flowing through the first port to flow to the second port.
A current corresponding to the first input signal at the port of the second differential stage, thereby generating a complementary current at the current source nodes of the first and second differential circuits of the second differential stage. is there.
【0028】バラン素子を用いて第1の入力信号に応じ
た相補電流を生成することにより、第1の入力信号を相
補信号としてエミッタ差動対により差動増幅する必要が
なく、このエミッタ差動増幅における電流源となる定電
流源が不要となる。これにより、ミキサー回路において
定電流源を動作させるための電圧差が不要となり、ミキ
サー回路の電源電圧をその分低くすることができ、変換
利得の低下を抑制しつつ低電源電圧下で安定に動作させ
ることができる。By using the balun element to generate a complementary current corresponding to the first input signal, there is no need to differentially amplify the first input signal as a complementary signal using an emitter differential pair. The need for a constant current source, which is a current source in amplification, is eliminated. This eliminates the need for a voltage difference for operating the constant current source in the mixer circuit, which allows the power supply voltage of the mixer circuit to be reduced accordingly, and operates stably at a low power supply voltage while suppressing a decrease in conversion gain. Can be done.
【0029】[0029]
【発明の実施の形態】[実施の形態1]図1は、この発
明の実施の形態1に従うミキサー回路の構成を示す図で
ある。図1において、ミキサー回路は、入力ノード2a
および2bに与えられる相補入力信号INT2+および
INT2−を差動増幅し、該差動増幅結果に従って出力
ノード3aおよび3bを駆動するためのエミッタ差動対
回路10と、このエミッタ差動対回路と相補的に差動増
幅動作を行ない、入力信号IN2+およびIN2−に従
って出力ノード3aおよび3bを駆動するためのエミッ
タ差動対20と、入力ノード1に与えられる入力信号I
N1とバイアス電圧Biasとを差動増幅するためのエ
ミッタ差動対30と、エミッタ差動対10および20の
エミッタ共通ノード(電流源ノード)とエミッタ差動対
30の間に接続されるバランMmを含む。[First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a mixer circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the mixer circuit includes an input node 2a
Differential pair circuit 10 for differentially amplifying complementary input signals INT2 + and INT2- applied to output nodes 2a and 2b, and driving output nodes 3a and 3b in accordance with the result of the differential amplification, and complementary to this emitter differential pair circuit. Differential amplifier 20 for performing differential amplification operation and driving output nodes 3a and 3b according to input signals IN2 + and IN2-, and input signal I applied to input node 1.
Emitter differential pair 30 for differentially amplifying N1 and bias voltage Bias, and balun Mm connected between emitter common node (current source node) of emitter differential pairs 10 and 20 and emitter differential pair 30 including.
【0030】エミッタ差動対10は、出力ノード3aと
エミッタ共通ノードAの間に接続されかつその制御電極
ノード(ベース)が入力信号IN2+を受ける入力ノー
ド2aに接続されるNPNバイポーラトランジスタQ1
と、出力ノード3bとエミッタ共通ノードAの間に接続
されかつその制御電極ノードが補の入力信号IN2−を
受ける入力ノード2bに接続するNPNバイポーラトラ
ンジスタQ2を含む。このエミッタ差動対10は、エミ
ッタ共通ノードAを介して放電される電流量に応じて、
相補な入力信号IN2+およびIN2−を差動増幅し、
その差動増幅結果に応じた電流差(差動電流)を出力ノ
ード3aおよび3bに生成する。Emitter differential pair 10 is connected between output node 3a and common emitter node A, and has a control electrode node (base) connected to input node 2a receiving input signal IN2 +.
And an NPN bipolar transistor Q2 connected between output node 3b and emitter common node A and having its control electrode node connected to input node 2b receiving complementary input signal IN2-. The emitter differential pair 10 has a function according to the amount of current discharged through the common emitter node A.
Differentially amplify the complementary input signals IN2 + and IN2-,
A current difference (differential current) corresponding to the result of the differential amplification is generated at output nodes 3a and 3b.
【0031】エミッタ差動対20は、出力ノード3aと
エミッタ共通ノードBの間に接続されかつその制御電極
ノードが入力ノード2bに接続されるNPNバイポーラ
トランジスタQ3と、出力ノード3bとエミッタ共通ノ
ードBの間に接続されかつその制御電極ノードが入力ノ
ード2aに接続されるNPNバイポーラトランジスタQ
4を含む。このエミッタ差動対20は、相補入力信号I
N2+およびIN2−を、エミッタ差動対10と相補的
な態様で差動増幅する。Emitter differential pair 20 is connected between output node 3a and common emitter node B and has an NPN bipolar transistor Q3 whose control electrode node is connected to input node 2b, output node 3b and common emitter node B. Bipolar transistor Q having its control electrode node connected to input node 2a.
4 inclusive. This emitter differential pair 20 has a complementary input signal I
N2 + and IN2- are differentially amplified in a manner complementary to the emitter differential pair 10.
【0032】バイポーラトランジスタQ1およびQ3の
コレクタが出力ノード3aに接続されており、バイポー
ラトランジスタQ2およびQ4のコレクタが出力ノード
3bに接続されている。エミッタ共通ノードAおよびB
には、後に詳細に説明するように、差動電流が流れる。
したがって、出力ノード3aおよび3bの放電電流量が
エミッタ共通ノードAおよびBを介して放電可能な電流
量に応じて決定される。The collectors of bipolar transistors Q1 and Q3 are connected to output node 3a, and the collectors of bipolar transistors Q2 and Q4 are connected to output node 3b. Emitter common nodes A and B
, A differential current flows as described in detail later.
Therefore, the amount of discharge current of output nodes 3a and 3b is determined according to the amount of current that can be discharged via common emitter nodes A and B.
【0033】エミッタ差動対30は、第1の内部ノード
4aと固定電位である接地電位を受ける接地ノードの間
に接続されかつその制御電極ノードが入力信号IN1を
受ける入力ノード1に接続されるNPNバイポーラトラ
ンジスタQ5と、内部ノード4bと接地ノードの間に接
続されかつその制御電極ノードにバイアス電圧Bias
を受けるNPNバイポーラトランジスタQ6を含む。こ
のエミッタ差動対30は、バイポーラトランジスタQ5
およびQ6のエミッタが共通接続されており、入力信号
IN1およびバイアス電圧Biasの電圧差に応じて内
部ノード4aおよび4bを駆動する。Emitter differential pair 30 is connected between first internal node 4a and a ground node receiving a fixed ground potential, and its control electrode node is connected to input node 1 receiving input signal IN1. NPN bipolar transistor Q5, connected between internal node 4b and the ground node, and having its control electrode node connected to bias voltage Bias
Receiving NPN bipolar transistor Q6. The emitter differential pair 30 includes a bipolar transistor Q5
And Q6 have their emitters connected in common, and drive internal nodes 4a and 4b according to the voltage difference between input signal IN1 and bias voltage Bias.
【0034】バラン(相互インダクタンス)Mmは、エ
ミッタ共通ノードAと内部ノード4aの間に接続される
第1のポートMmaと、エミッタ共通ノードBと内部ノ
ード4bの間に接続される第2のポートMmbを含む。
バランMmは、一般に、平行2線のような平衡線路と同
軸線のような不平衡線路とを接続するときにインピーダ
ンス整合用のために用いられている。このバランMm
は、第1のポートMmaおよびMmb各々が、らせん回
路(インダクタンス)を含み、この第1のポートMma
を流れる電流と位相の逆転した(逆相の:位相が180
度ずれた)電流を第2のポートMmbに生成する。した
がって、このバランMmは、内部ノード4a上の電圧の
極性を反転した電圧を内部ノード4bに生成する。ここ
で、入力信号IN1およびIN2+およびIN2−は、
小振幅信号であり、各信号のバイアス点を基準として、
その極性を考える。次に、この図1に示すミキサー回路
の動作について説明する。The balun (mutual inductance) Mm is connected to a first port Mma connected between the common emitter node A and the internal node 4a and a second port Mma connected between the common emitter node B and the internal node 4b. Mmb.
The balun Mm is generally used for impedance matching when connecting a balanced line such as two parallel lines and an unbalanced line such as a coaxial line. This balun Mm
Indicates that each of the first ports Mma and Mmb includes a spiral circuit (inductance), and the first port Mma
Phase of the current flowing through
A current (deviation) is generated at the second port Mmb. Therefore, balun Mm generates a voltage at internal node 4b in which the polarity of the voltage on internal node 4a is inverted. Here, the input signals IN1 and IN2 + and IN2- are
It is a small amplitude signal, based on the bias point of each signal,
Consider its polarity. Next, the operation of the mixer circuit shown in FIG. 1 will be described.
【0035】今、バランMmが結合係数1の理想的なバ
ランであるとする。この場合、バランMmは、大きさが
同じで位相が逆転した(符号が逆の)電流を生成するた
め、エミッタ共通ノードAおよびBを流れる電流成分i
AおよびiBは次式で与えられる。Assume that the balun Mm is an ideal balun having a coupling coefficient of 1. In this case, the balun Mm generates a current having the same magnitude and a reversed phase (the sign is reversed), so that the current component i flowing through the common emitter nodes A and B is generated.
A and iB are given by the following equations.
【0036】iA=IEE+K・iIN1 iB=IEE−K・iIN1 ここで、Kは、バイポーラトランジスタQ5の電流増幅
率を示し、IEEは、バイアス電圧Biasによるバイ
アス電流を示し、iIN1は、入力信号IN1の電流成
分である。すなわちバイポーラトランジスタQ5が、こ
の入力信号IN1の電流成分iIN1をベース電流とし
て受けて電流増幅動作を行なって、K・iIN1のコレ
クタ電流を内部ノード4aに生成する。バランMmがこ
のコレクタ電流の逆相電流をノード4bに生成する。IA = IEE + K.iIN1 iB = IEE-K.iIN1 Here, K indicates a current amplification factor of the bipolar transistor Q5, IEEE indicates a bias current by the bias voltage Bias, and iIN1 indicates a bias current of the input signal IN1. It is a current component. In other words, bipolar transistor Q5 receives current component iIN1 of input signal IN1 as a base current and performs a current amplification operation to generate a collector current of K · iIN1 at internal node 4a. The balun Mm generates a reverse-phase current of the collector current at the node 4b.
【0037】入力信号IN1およびIN2(IN2+お
よびIN2−)は、それぞれが周波数f1およびf2の
信号である。エミッタ共通ノードAを流れる電流成分i
Aを動作電流として、エミッタ差動対10が、相補入力
信号IN2+およびIN2−を差動増幅し、またエミッ
タ差動対20が、エミッタ共通ノードBを流れる電流成
分iBを動作電流として相補入力信号IN2+およびI
N2−を差動増幅する。バランMmにより、電流成分i
AおよびiBは、バイアス電流IEEを基準として互い
に相補な電流であり、エミッタ共通ノードAおよびBに
は、差動電流が流れる。すなわち、エミッタ共通ノード
AおよびBにおいて、相補入力信号が得られる。したが
って、このバランMmにより生成された差動入力電流に
より、入力電流振幅を2倍とすることができ、エミッタ
差動対10および20において次式で示されるミキサー
動作を実行する。The input signals IN1 and IN2 (IN2 + and IN2-) are signals having frequencies f1 and f2, respectively. Current component i flowing through common emitter node A
A as an operating current, the emitter differential pair 10 differentially amplifies the complementary input signals IN2 + and IN2-, and the emitter differential pair 20 generates a complementary input signal using the current component iB flowing through the common emitter node B as the operating current. IN2 + and I
N2- is differentially amplified. By the balun Mm, the current component i
A and iB are currents complementary to each other based on the bias current IEE, and a differential current flows through the common emitter nodes A and B. That is, complementary input signals are obtained at common emitter nodes A and B. Therefore, the input current amplitude can be doubled by the differential input current generated by the balun Mm, and the mixer operation represented by the following equation is executed in the emitter differential pairs 10 and 20.
【0038】 iC1=(IEE+K・iIN1)/(1+exp(−VIN2/VT)) …(15) iC2=(IEE+K・iIN1)/(1+exp(+VIN2/VT)) …(16) iC3=(IEE−K・iIN1)/(1+exp(VIN2/VT)) …(17) iC4=(IEE−K・iIN1)/(1+exp(−VIN2/VT)) …(18)IC1 = (IEEE + K · iIN1) / (1 + exp (−VIN2 / VT)) (15) iC2 = (IEEE + K · iIN1) / (1 + exp (+ VIN2 / VT)) (16) iC3 = (IEEE-K) IN1) / (1 + exp (VIN2 / VT)) (17) iC4 = (IEEE-KiIN1) / (1 + exp (-VIN2 / VT)) (18)
【0039】[0039]
【数1】 (Equation 1)
【0040】ここで、VIN2=(IN2+)−(IN
2−)であり、入力信号IN2の差動信号の電圧振幅を
示す、ic1、ic2、ic3、およびic4は、バイ
ポーラトランジスタQ1、Q2、Q3およびQ4のそれ
ぞれのコレクタ電流を示す。Here, VIN2 = (IN2 +)-(IN
Ic1, ic2, ic3 and ic4, which are 2-) and indicate the voltage amplitude of the differential signal of the input signal IN2, indicate the respective collector currents of the bipolar transistors Q1, Q2, Q3 and Q4.
【0041】式(19)において、前述の近似式(1
3)を利用することにより、次式が得られる。In equation (19), the above-described approximation equation (1)
By using 3), the following equation is obtained.
【0042】 (OUT+)−(OUT−)〜2・K・iIN1・(VIN2/2・VT) …(20) すなわち、出力ノード3aおよび3bに流れる差動電流
(OUT+)−(OUT−)は、入力信号IN1および
IN2の乗算に比例している。(OUT +) − (OUT−) 〜2 · K · iIN1 · (VIN2 / 2 · VT) (20) That is, the differential current (OUT +) − (OUT−) flowing through the output nodes 3a and 3b is , Input signals IN1 and IN2.
【0043】バランMmを用いてエミッタ共通ノードA
およびBに差動電流iAおよびiBを生成することによ
り、式(20)において係数2が得られ、変換利得の低
下を抑制することができる。このバランMmを用いない
場合、電流iAが入力信号IN1に従って変化し、一方
電流iBは、一定のバイアス電流となるため、式(2
0)における係数2がなくなり、変換利得が低下する。
また、バランMmは、いわゆるらせん回路網などの相互
インダクタであり、単なるインダクタンスで構成されて
おり、インピーダンス成分による電圧降下は、ほぼ無視
でき、安定動作するための必要最小限の動作電圧領域は
実質的に存在しない。Emitter common node A using balun Mm
By generating the differential currents iA and iB in B and B, a coefficient of 2 is obtained in equation (20), and a decrease in conversion gain can be suppressed. When the balun Mm is not used, the current iA changes according to the input signal IN1, and the current iB becomes a constant bias current.
The coefficient 2 in 0) disappears, and the conversion gain decreases.
Further, the balun Mm is a mutual inductor such as a so-called spiral network, and is composed of a simple inductance. The voltage drop due to the impedance component can be almost ignored, and the minimum required operating voltage region for stable operation is substantially equivalent. Does not exist.
【0044】この図1に示すミキサー回路は、図6に示
す従来のギルバートセル型ミキサー回路の構成と異な
り、定電流源が不要となり、この定電流源を安定動作さ
せるための電圧を、エミッタ差動対30と接地ノードの
間に確保する必要がなく、このミキサー回路を動作させ
るための電源電圧を低くしても安定に動作させることが
できる。この定電流源が不要とできるのは、エミッタ差
動対30において入力信号IN1とバイアス電圧Bia
sとを比較して、バランMmにより、差動電流を生成し
ており、差動入力信号IN1+およびIN1−により差
動電流を生成することが要求されないためである。The mixer circuit shown in FIG. 1 differs from the configuration of the conventional Gilbert cell type mixer circuit shown in FIG. 6 in that a constant current source is not required. There is no need to secure between the moving pair 30 and the ground node, and stable operation can be achieved even when the power supply voltage for operating this mixer circuit is reduced. The reason why this constant current source is unnecessary is that the input signal IN1 and the bias voltage Bia
This is because a differential current is generated by the balun Mm as compared with the differential signal s, and it is not required to generate a differential current by the differential input signals IN1 + and IN1-.
【0045】以上のように、この発明の実施の形態1に
従えば、出力ノードを駆動する差動段と第1の入力信号
を受ける差動段の間に相補電流(差動電流)を生成する
バランを挿入しているため、定電流源が不要となり、ま
た変換効率の低下を抑制しつつ、低電源電圧下で安定に
ミキシング動作を行なうミキサー回路を得ることができ
る。As described above, according to the first embodiment of the present invention, a complementary current (differential current) is generated between the differential stage driving the output node and the differential stage receiving the first input signal. Since a balun is inserted, a constant current source is not required, and a mixer circuit that stably performs a mixing operation under a low power supply voltage while suppressing a decrease in conversion efficiency can be obtained.
【0046】[実施の形態2]図2は、この発明の実施
の形態2に従うミキサー回路の構成を示す図である。こ
の図2に示すミキサー回路においては、図1の構成と、
バランMmおよびエミッタ差動対30の位置が交換され
る。すなわち、エミッタ差動対30において、バイポー
ラトランジスタQ5は、コレクタがエミッタ差動対10
のエミッタ共通ノードAに接続され、エミッタが内部ノ
ード5aに接続され、その制御電極ノードが入力信号I
N1を受ける入力ノード1に接続される。バイポーラト
ランジスタQ6は、コレクタがエミッタ差動対20のエ
ミッタ共通ノードBに接続され、エミッタが内部ノード
5bに接続され、その制御電極ノードにバイアス電圧B
iasを受ける。[Second Embodiment] FIG. 2 shows a structure of a mixer circuit according to a second embodiment of the present invention. In the mixer circuit shown in FIG. 2, the configuration shown in FIG.
The positions of the balun Mm and the emitter differential pair 30 are exchanged. That is, in the emitter differential pair 30, the bipolar transistor Q5 has the collector connected to the emitter differential pair 10
, The emitter is connected to the internal node 5a, and the control electrode node is connected to the input signal I.
Connected to input node 1 receiving N1. Bipolar transistor Q6 has a collector connected to common emitter node B of emitter differential pair 20, an emitter connected to internal node 5b, and a bias voltage B
Receive ias.
【0047】バランMmは、内部ノード5aと接地ノー
ドの間に結合される第1のポートMmaと内部ノード5
bと接地ノードの間に結合される第2のポートMmbを
含む。バランMmは、第1のポートMmaを流れる電流
と逆相の電流を第2のポートMmbに生成し、内部ノー
ド5aの電圧の極性の反転した電圧の信号を内部ノード
5bに生成する。Balun Mm is connected between a first port Mma coupled between internal node 5a and the ground node and internal node 5m.
b and a second port Mmb coupled between ground and the ground node. The balun Mm generates a current having a phase opposite to that of the current flowing through the first port Mma at the second port Mmb, and generates a signal at the internal node 5b having a voltage obtained by inverting the polarity of the voltage at the internal node 5a.
【0048】バイポーラトランジスタQ5の制御電極ノ
ードに与えられる入力信号IN1の電圧レベルが、バイ
アス電圧Biasよりも高くなると、このバイポーラト
ランジスタQ5を介して流れる電流が増加し、応じてバ
ランMmの第1のポートMmaを介して流れる電流が増
加する。この第1のポートMmaの逆相の電流(位相が
180°ずれた電流)が第2のポートMmbに流れ、バ
イポーラトランジスタQ6を介して流れる電流を低減す
る。When the voltage level of input signal IN1 applied to the control electrode node of bipolar transistor Q5 becomes higher than bias voltage Bias, the current flowing through bipolar transistor Q5 increases, and accordingly, the first current of balun Mm increases. The current flowing through the port Mma increases. The current having a phase opposite to that of the first port Mma (a current having a phase shifted by 180 °) flows to the second port Mmb, and the current flowing through the bipolar transistor Q6 is reduced.
【0049】したがって、この場合においても、このバ
ランMmにより、バイポーラトランジスタQ5およびQ
6のエミッタ電流の制御を通して、これらのバイポーラ
トランジスタQ5およびQ6のコレクタ電流すなわちエ
ミッタ共通ノードAおよびBに流れる電流iAおよびi
Bを、バイアス電圧Biasによるバイアス電流IEE
を基準とする差動電流とすることができる。バイポーラ
トランジスタQ5およびQ6のベース電流が、コレクタ
電流およびエミッタ電流に比べて無視できる程度(コレ
クタ電流とエミッタ電流とがほぼ等しい)とすると、先
の電流iAおよびiBと同様の大きさの差動電流がエミ
ッタ共通ノードAおよびBに流れ、したがって、図1に
示す実施の形態1のミキサー回路と同様の動作が、この
図2に示すミキサー回路においても行なわれ、出力電流
OUT+およびOUT−の差が、入力信号IN1および
IN2の乗算に比例する。Therefore, also in this case, bipolar transistors Q5 and Q5 are formed by balun Mm.
6, the collector currents of bipolar transistors Q5 and Q6, that is, currents iA and i flowing through common emitter nodes A and B, respectively.
B is a bias current IEEE by the bias voltage Bias.
Can be used as a differential current. Assuming that the base currents of bipolar transistors Q5 and Q6 are negligible compared to the collector current and the emitter current (collector current and emitter current are substantially equal), differential currents of the same magnitude as the above currents iA and iB Flows through emitter common nodes A and B, and therefore, the same operation as the mixer circuit of the first embodiment shown in FIG. 1 is performed also in mixer circuit shown in FIG. 2, and the difference between output currents OUT + and OUT- is reduced. , Is proportional to the multiplication of the input signals IN1 and IN2.
【0050】この図2に示すミキサー回路においては、
バランMmの第1ポートMmaおよび第2ポートMmb
が、それぞれ、バイポーラトランジスタQ5およびQ6
のエミッタに接続されている。これらのポートMmaお
よびMmbは、らせん回路であり、インダクタンスを有
している。したがって、これらの第1および第2のポー
トMmaおよびMmbは、バイポーラトランジスタQ5
およびQ6にエミッタ負帰還を与えるインダクタンス素
子として機能し(高周波領域でインピーダンスが高くな
る)、このバイポーラトランジスタQ5およびQ6の高
周波領域における電力利得を低減し、その応答特性の線
形性を改善し、入力信号IN1に比例する差動電流iA
およびiBを正確に生成することができる。In the mixer circuit shown in FIG.
First port Mma and second port Mmb of balun Mm
Are the bipolar transistors Q5 and Q6, respectively.
Connected to the emitter. These ports Mma and Mmb are spiral circuits and have inductance. Therefore, these first and second ports Mma and Mmb are connected to bipolar transistor Q5.
Function as an inductance element for giving emitter negative feedback to Q6 and Q6 (impedance increases in a high-frequency region), reduce power gain in the high-frequency region of bipolar transistors Q5 and Q6, improve the linearity of their response characteristics, Differential current iA proportional to signal IN1
And iB can be generated accurately.
【0051】[実施の形態3]図3(A)は、この発明
の実施の形態3に従うミキサー回路の構成を示す図であ
る。この図3(A)に示すミキサー回路においては、エ
ミッタが接地されるバイポーラトランジスタQ5および
Q6の制御電極ノードへは、共通にバイアス電圧Bia
sが与えられる。[Third Embodiment] FIG. 3A shows a structure of a mixer circuit according to a third embodiment of the present invention. In the mixer circuit shown in FIG. 3A, a bias voltage Bia is commonly applied to control electrode nodes of bipolar transistors Q5 and Q6 whose emitters are grounded.
s is given.
【0052】バランMmは、第1のポートMmaが、エ
ミッタ差動対10のエミッタ共通ノードAに電気的に接
続する内部ノード6aとバイポーラトランジスタQ5の
コレクタに電気的に接続する内部ノード7aの間に接続
され、第2のポートMmbが、エミッタ差動対20のエ
ミッタ共通ノードBに電気的に接続する内部ノード6b
とバイポーラトランジスタQ6のコレクタに電気的に接
続する内部ノード7bの間に接続される。「電気的に接
続する」は、電流が流れるように接続されることを示
し、抵抗などが介挿されてもよいことを示す。The balun Mm is connected between an internal node 6a where the first port Mma is electrically connected to the common emitter node A of the emitter differential pair 10 and an internal node 7a which is electrically connected to the collector of the bipolar transistor Q5. Internal port 6b electrically connected to the common emitter node B of the differential emitter pair 20.
And an internal node 7b electrically connected to the collector of bipolar transistor Q6. “Electrically connect” indicates that the connection is made so that a current flows, and indicates that a resistor or the like may be inserted.
【0053】エミッタ差動対10および20は、図1お
よび図20に示す構成と同じであり、それぞれ、エミッ
タが共通接続されるバイポーラトランジスタQ1および
Q2ならびに、エミッタが共通接続されるバイポーラト
ランジスタQ2およびQ4を含む。Emitter differential pairs 10 and 20 have the same structure as those shown in FIGS. 1 and 20, respectively. Bipolar transistors Q1 and Q2 whose emitters are commonly connected and bipolar transistors Q2 and Q2 whose emitters are commonly connected are respectively provided. Q4 is included.
【0054】この図3(A)に示す構成においては、入
力ノード1に与えられる入力信号IN1が、内部ノード
6aに与えられる。したがって、バイポーラトランジス
タQ5の制御電極ノードへ入力信号IN1が与えられる
のではなく、バランMmの第1のポートMmaに入力信
号IN1が与えられる。In the structure shown in FIG. 3A, input signal IN1 applied to input node 1 is applied to internal node 6a. Therefore, input signal IN1 is not supplied to the control electrode node of bipolar transistor Q5, but is supplied to first port Mma of balun Mm.
【0055】この図3(A)に示すミキサー回路におい
ては、バイポーラトランジスタQ5およびQ6は、バイ
アス電圧Biasによりバイアス電流を流す。入力信号
IN1がハイレベルのときには、内部ノード6aの電圧
レベルが上昇し、第1のポートMmaを介して電流が流
れ内部ノード7aの電圧レベルも上昇する。これによ
り、バイポーラトランジスタQ5のコレクタ電位が上昇
し、そのコレクタ電流が増加する。一方、第2のポート
Mmbは、この第1のポートMmaによる電流増加と逆
に、内部ノード6bおよび7bの電圧レベルが低下し、
バイポーラトランジスタQ6を介して流れる電流が減少
する。したがって、エミッタ共通ノードAおよびBに流
れる電流成分iAおよびiBは、入力信号IN1に応じ
た差動電流となる。したがって、この図3(A)におい
ても、同様、入力信号IN1とIN2のミキシング動作
を先の実施の形態1および2に示すミキサー回路と同様
に行なうことができる。In the mixer circuit shown in FIG. 3A, bipolar transistors Q5 and Q6 allow a bias current to flow according to bias voltage Bias. When input signal IN1 is at a high level, the voltage level of internal node 6a rises, a current flows through first port Mma, and the voltage level of internal node 7a also rises. Thereby, the collector potential of bipolar transistor Q5 increases, and the collector current increases. On the other hand, the voltage level of internal nodes 6b and 7b decreases in second port Mmb, contrary to the current increase by first port Mma,
The current flowing through bipolar transistor Q6 decreases. Therefore, current components iA and iB flowing through emitter common nodes A and B become differential currents according to input signal IN1. Therefore, also in FIG. 3A, the mixing operation of input signals IN1 and IN2 can be performed similarly to the mixer circuits shown in the first and second embodiments.
【0056】なお、ここで内部ノード6aの電圧レベル
がハイレベルとなったとき、すなわち入力信号IN1が
ハイレベルのとき、この入力信号IN1のハイレベル
は、入力信号IN2+およびIN2−のローレベルより
も電圧レベルが低くなるようにバイアスがかけられてい
る。したがって、内部ノード6aがハイレベルとなって
も、バイポーラトランジスタQ1およびQ2は導通状態
を維持し、相補入力信号IN2+およびIN2−に応じ
た電流を出力ノード3aおよび3bから引き抜く。これ
は、ノード6bにおける電圧レベルについても同様であ
る。Here, when the voltage level of internal node 6a attains a high level, that is, when input signal IN1 is at a high level, the high level of input signal IN1 is lower than the low levels of input signals IN2 + and IN2-. Are also biased to lower voltage levels. Therefore, even when internal node 6a attains a high level, bipolar transistors Q1 and Q2 maintain a conductive state, and draw currents corresponding to complementary input signals IN2 + and IN2- from output nodes 3a and 3b. This is the same for the voltage level at node 6b.
【0057】また、内部ノード6aが入力信号IN1に
よりハイレベルとなった場合、この入力ノード1から電
流が第1のポートMmaに流れるが、この場合、第1の
ポートMmaには、入力ノード1から交流的に電流が流
れるだけである。したがって、直接内部ノード6aに入
力信号IN1が与えられても、入力信号IN1の電圧レ
ベルは変化せず、正確なミキシング動作が実現される。When the internal node 6a goes high due to the input signal IN1, a current flows from the input node 1 to the first port Mma. In this case, the first node Mma is connected to the input node 1 Only the current flows from the AC. Therefore, even if input signal IN1 is directly applied to internal node 6a, the voltage level of input signal IN1 does not change, and an accurate mixing operation is realized.
【0058】また、この図3(A)に示す構成において
は、直接内部ノード6aに入力信号IN1が与えられて
おり、バイポーラトランジスタQ5による増幅動作は行
なわれていない。したがって、先の式(20)における
バイポーラトランジスタQ5の増幅係数Kが1となり、
このトランジスタQ5の増幅動作による出力信号の非線
形性を低減することができ、このミキサー回路全体とし
ての入力信号に対する出力信号の線形応答特性が改善さ
れる。In the structure shown in FIG. 3A, input signal IN1 is directly applied to internal node 6a, and the amplifying operation by bipolar transistor Q5 is not performed. Therefore, the amplification coefficient K of the bipolar transistor Q5 in the above equation (20) becomes 1, and
The nonlinearity of the output signal due to the amplifying operation of the transistor Q5 can be reduced, and the linear response characteristic of the output signal to the input signal of the entire mixer circuit can be improved.
【0059】[変更例]図3(B)は、この発明の実施
の形態3に従うミキサー回路の変更例を示す図である。
この図3(B)に示すミキサー回路においては、入力信
号IN1は、入力ノード1を介して内部ノード7aに与
えられる。他の構成は図3(A)に示す構成と同じであ
り、同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。[Modification] FIG. 3B shows a modification of the mixer circuit according to the third embodiment of the present invention.
In the mixer circuit shown in FIG. 3B, input signal IN1 is applied to internal node 7a via input node 1. Other configurations are the same as those shown in FIG. 3A, and are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【0060】この図3(B)に示す構成においても、入
力信号IN1がハイレベルとなると、バイポーラトラン
ジスタQ5のコレクタ電位が上昇し、バランMmの第1
のポートMmaを介して流れる電流が増加する。この電
流増加に応答して、この第1のポートMmaの電流と逆
相の電流が第2のポートMmbに流れるため、第2のポ
ートMmbの電流が低減され、内部ノード6bおよび7
bの電圧レベルが低下し、応じてバイポーラトランジス
タQ6のコレクタ電流が減少する。したがって、この構
成においても、エミッタ共通ノードAおよびBにおける
電流iAおよびiBは、入力信号IN1に応じた差動電
流となり、ミキシング動作を行なうことができる。この
図3(B)に示すミキサー回路を用いても、図3(A)
に示すミキサー回路と同様の動作を実現することができ
る。Also in the configuration shown in FIG. 3B, when input signal IN1 attains a high level, the collector potential of bipolar transistor Q5 rises, and the first balun Mm has the first potential.
The current flowing through the port Mma increases. In response to this current increase, a current having a phase opposite to that of the current at the first port Mma flows through the second port Mmb, so that the current at the second port Mmb is reduced and the internal nodes 6b and 7
The voltage level of b decreases, and the collector current of bipolar transistor Q6 decreases accordingly. Therefore, also in this configuration, currents iA and iB at common emitter nodes A and B become differential currents according to input signal IN1, and a mixing operation can be performed. Even if the mixer circuit shown in FIG.
The same operation as the mixer circuit shown in FIG.
【0061】以上のように、この発明の実施の形態3に
従えば、入力信号をバイポーラトランジスタの制御電極
ノードへ与えるのではなく、直接、バランのポートに接
続するノードへ与えているため、バイポーラトランジス
タによる入力信号の増幅動作がなくなり、出力差動電流
に対するバイポーラトランジスタの電流増幅率Kを1と
でき、その入力信号に対する応答の非線形性を低減する
ことができ、応じて、入力信号IN1およびIN2に対
する出力電流の応答の非線形性を低減することができ、
入出力応答特性における線形性の優れたミキサー回路を
実現することができる。As described above, according to the third embodiment of the present invention, the input signal is not directly applied to the control electrode node of the bipolar transistor, but is applied directly to the node connected to the balun port. The operation of amplifying the input signal by the transistor is eliminated, the current gain K of the bipolar transistor with respect to the output differential current can be set to 1, and the non-linearity of the response to the input signal can be reduced. Accordingly, the input signals IN1 and IN2 Nonlinearity of the output current response to
A mixer circuit having excellent linearity in input / output response characteristics can be realized.
【0062】また、この実施の形態3においても、入力
信号を差動増幅するための定電流源は不要であり、単に
バランの第1および第2のポートを流れる電流にバイア
スを与えるためにバイポーラトランジスタQ5およびQ
6が設けられているだけであり、出力ノード3aおよび
3bと接地ノードの間に2段の差動段が接続されている
だけであり、低電源電圧下においても、これらの2段の
差動段のバイポーラトランジスタQ1〜Q6を、安定に
動作させることができ、低電源電圧下でも安定に動作す
るミキサー回路を得ることができる。Also in the third embodiment, a constant current source for differentially amplifying an input signal is unnecessary, and a bipolar current is simply applied to bias a current flowing through the first and second ports of the balun. Transistors Q5 and Q
6 and only two differential stages are connected between the output nodes 3a and 3b and the ground node. Even under a low power supply voltage, these two differential stages are provided. The bipolar transistors Q1 to Q6 in the stages can be operated stably, and a mixer circuit that operates stably even under a low power supply voltage can be obtained.
【0063】[実施の形態4]図4(A)は、この発明
の実施の形態4に従うミキサー回路の構成を示す図であ
る。この図4(A)に示すミキサー回路は、図3(A)
に示すミキサー回路と、バランMmおよびバイポーラト
ランジスタ8aおよび8bの位置が交換される。すなわ
ち、バランMmは、第1のポートMmaが、バイポーラ
トランジスタQ5のエミッタに接続する内部ノード8a
と固定電位源(接地ノード)に電気的に接続する内部ノ
ード9aの間に接続され、第2のポートMmbが、バイ
ポーラトランジスタQ6のエミッタに接続する内部ノー
ド8bと固定電位源(接地ノード)に電気的に接続する
内部ノード9bの間に接続される。内部ノード8aが入
力ノード1を介して入力信号IN1を受ける。他の構成
は、図3(A)に示す構成と同じであり、対応する部分
には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。[Fourth Embodiment] FIG. 4A shows a structure of a mixer circuit according to a fourth embodiment of the present invention. The mixer circuit shown in FIG.
And the positions of the balun Mm and the bipolar transistors 8a and 8b are exchanged. That is, the balun Mm is connected to the internal node 8a whose first port Mma is connected to the emitter of the bipolar transistor Q5.
And an internal node 9a electrically connected to a fixed potential source (ground node), and a second port Mmb is connected to internal node 8b connected to the emitter of bipolar transistor Q6 and a fixed potential source (ground node). It is connected between the internal nodes 9b that are electrically connected. Internal node 8a receives input signal IN1 via input node 1. Other configurations are the same as those shown in FIG. 3A, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof will not be repeated.
【0064】この図4(A)に示すミキサー回路におい
ても、入力ノード1に与えられる入力信号IN1がハイ
レベルとなると、第1のポートMmaを介して流れる電
流を増加させて内部ノード8aをハイレベルにするため
に、バイポーラトランジスタQ5を介して流れる電流が
増加する。一方、第2のポートMmbは、この第1のポ
ートMmaと位相の180°ずれた電流を流すため、第
1のポートMmaの電流増加により電流量が小さくな
り、内部ノード8bの電圧レベルを低下させる。したが
って、バイポーラトランジスタQ6を介して流れる電流
が減少する。これにより、エミッタ差動対10のエミッ
タ共通ノードAを流れる電流iAが増加し、一方差動対
20のエミッタ共通ノードBを流れる電流iBが減少
し、これらの電流iAおよびiBは、相補電流となる。
ここで、入力信号IN1の電圧レベルは、バイアス電圧
Biasよりも十分に低い。In the mixer circuit shown in FIG. 4A as well, when input signal IN1 applied to input node 1 attains a high level, the current flowing through first port Mma is increased to set internal node 8a high. In order to attain the level, the current flowing through the bipolar transistor Q5 increases. On the other hand, since the second port Mmb flows a current 180 ° out of phase with the first port Mma, the current amount decreases due to the increase in the current of the first port Mma, and the voltage level of the internal node 8b decreases. Let it. Therefore, the current flowing through bipolar transistor Q6 decreases. As a result, the current iA flowing through the common emitter node A of the emitter differential pair 10 increases, while the current iB flowing through the common emitter node B of the differential pair 20 decreases, and these currents iA and iB become complementary currents. Become.
Here, the voltage level of the input signal IN1 is sufficiently lower than the bias voltage Bias.
【0065】上述の動作は、バイアス電圧Biasの電
圧レベルが、入力信号IN1のハイレベルよりも十分高
く設定された場合に生じる。入力信号IN1およびIN
2が、入力信号IN1の電圧レベルが入力信号IN2の
電圧レベルを超えないようにバイアスがかけられている
(図3(A)参照)のと同様、バイアス電圧Bias
を、入力信号IN1に対する入力信号IN2の電圧レベ
ルを高くするためのバイアス電圧と考えればよい。The above operation occurs when the voltage level of the bias voltage Bias is set sufficiently higher than the high level of the input signal IN1. Input signals IN1 and IN
2 is biased so that the voltage level of the input signal IN1 does not exceed the voltage level of the input signal IN2 (see FIG. 3A).
Can be considered as a bias voltage for increasing the voltage level of the input signal IN2 with respect to the input signal IN1.
【0066】この図4(A)に示すミキサー回路におい
ては、入力信号IN1は、入力信号IN2+およびIN
2−と、トランジスタ2段、すなわち、バイポーラトラ
ンジスタQ5およびQ6とバイポーラトランジスタQ
1,Q2,Q3およびQ4の各PN接合により分離され
ており、入力信号IN1およびIN2(IN2+,IN
2−)のアイソレーションを十分に確保することがで
き、これらの入力信号にクロストークが生じるのを防止
することができ、正確なミキシング動作を行なうことが
できる。In the mixer circuit shown in FIG. 4A, the input signal IN1 is divided into the input signals IN2 + and IN2 +.
2-, and two transistor stages, ie, bipolar transistors Q5 and Q6 and bipolar transistor Q
1, Q2, Q3 and Q4 are separated by PN junctions, and input signals IN1 and IN2 (IN2 +, IN2 +
2-) The isolation can be sufficiently secured, crosstalk can be prevented from occurring in these input signals, and an accurate mixing operation can be performed.
【0067】[変更例]図4(B)は、この発明の実施
の形態4の変更例の構成を示す図である。この図4
(B)に示すミキサー回路においては、内部ノード9a
が入力信号IN1を受ける入力ノード1に結合され、か
つ抵抗素子Rを介して接地ノードに結合される。この抵
抗素子Rは、内部ノード9aと接地ノードを電気的に接
続する機能を有する負荷素子であればよい。他の構成
は、図4(A)に示す構成と同じであり対応する部分に
は同一参照番号を付す。[Modification] FIG. 4B shows a structure of a modification of the fourth embodiment of the present invention. This figure 4
In the mixer circuit shown in FIG.
Are coupled to input node 1 receiving input signal IN1 and to ground node via resistance element R. The resistance element R may be a load element having a function of electrically connecting the internal node 9a and the ground node. The other configuration is the same as the configuration shown in FIG. 4A, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals.
【0068】この図4(B)に示す構成においても、入
力信号IN1を入力ノード1を介して内部ノード9aに
与えることにより、内部ノード8aの電圧レベルが内部
ノード9aの電圧レベルに応じて変化し、応じて、バイ
ポーラトランジスタQ5を介して流れる電流が変化す
る。一方バランMmの相互インダクタンス動作により、
内部ノード8bの電圧レベルが逆方向に変化し、バイポ
ーラトランジスタQ6を介して流れる電流が変化する。
入力信号IN1に応じて、バイアス電圧Biasにより
決定されるバイアス電流IEEを中心として、互いに相
補な電流iAおよびiBが、エミッタ共通ノードAおよ
びBに流れる。たとえば、入力信号IN1がハイレベル
のとき、内部ノード9aの電圧レベルをハイレベルとす
るために、第1のポートMmaを流れる電流が増加し、
応じてバイポーラトランジスタQ5を介して流れる電流
が増加する。In the structure shown in FIG. 4B, by applying input signal IN1 to internal node 9a via input node 1, the voltage level of internal node 8a changes according to the voltage level of internal node 9a. Accordingly, the current flowing through bipolar transistor Q5 changes. On the other hand, due to the mutual inductance operation of the balun Mm,
The voltage level of internal node 8b changes in the reverse direction, and the current flowing through bipolar transistor Q6 changes.
In response to the input signal IN1, mutually complementary currents iA and iB flow through the common emitter nodes A and B around the bias current IEE determined by the bias voltage Bias. For example, when the input signal IN1 is at a high level, the current flowing through the first port Mma increases to set the voltage level of the internal node 9a to a high level,
Accordingly, the current flowing through bipolar transistor Q5 increases.
【0069】負荷素子Rを内部ノード9aと接地ノード
の間に接続することにより、この入力信号IN1が接地
電圧レベルに固定されるのを防止することができる。入
力信号IN1は、周波数f1を有する交流信号であるた
め、その周波数帯域に応じて十分大きな抵抗値を有する
インダクタンス素子が負荷素子Rとして用いられてもよ
い。By connecting load element R between internal node 9a and the ground node, input signal IN1 can be prevented from being fixed to the ground voltage level. Since the input signal IN1 is an AC signal having the frequency f1, an inductance element having a sufficiently large resistance value according to the frequency band may be used as the load element R.
【0070】バランMmにおいては、第1のポートMm
aを介して流れる電流と逆相の電流が第2のポートMm
bを介して流れ、その電流量に応じてバイポーラトラン
ジスタQ6を流れる電流量が決定される。したがって、
内部ノード9bは、接地ノードに結合されてもよい。し
かしながら、回路動作の対称性から、内部ノード9bと
接地ノードの間に、この負荷素子Rと同じ特性を有する
負荷素子が接続されてもよい。In the balun Mm, the first port Mm
a through the second port Mm.
b, the amount of current flowing through the bipolar transistor Q6 is determined according to the amount of current. Therefore,
Internal node 9b may be coupled to a ground node. However, due to the symmetry of the circuit operation, a load element having the same characteristics as the load element R may be connected between the internal node 9b and the ground node.
【0071】以上のように、この発明の実施の形態4に
従えば、バイアス電圧を受けるバイポーラトランジスタ
と接地ノードの間にバランを接続し、このバランのポー
トに入力信号を与えるように構成したため、第1および
第2の入力信号の間に挿入されるトランジスタの数が増
加し、入力信号のアイソレーションが改善され、クロス
トークが生じるのを防止することができ、正確なミキシ
ング動作を行なうことができる。As described above, according to the fourth embodiment of the present invention, a balun is connected between a bipolar transistor receiving a bias voltage and a ground node, and an input signal is applied to a port of the balun. The number of transistors inserted between the first and second input signals increases, the input signal isolation is improved, crosstalk can be prevented, and accurate mixing operation can be performed. it can.
【0072】また、入力信号IN1により、バイポーラ
トランジスタQ5およびQ6を流れる電流量が調整され
ており、バイポーラトランジスタQ5およびQ6におけ
るトランジスタの増幅動作は用いられていない。したが
って、差動電流の入力信号に対する非線形応答性が低減
され、線形性の優れたミキサー回路を実現することがで
き、広い周波数帯域にわたって安定にミキシング動作を
行なうことができる。The amount of current flowing through bipolar transistors Q5 and Q6 is adjusted by input signal IN1, and the amplifying operation of the transistors in bipolar transistors Q5 and Q6 is not used. Therefore, the non-linear response to the input signal of the differential current is reduced, a mixer circuit having excellent linearity can be realized, and the mixing operation can be stably performed over a wide frequency band.
【0073】[実施の形態5]図5は、この発明の実施
の形態5に従うミキサー回路の構成を示す図である。こ
の図5に示すミキサー回路は、図1に示すミキサー回路
のバイポーラトランジスタQ1〜Q6それぞれを、Nチ
ャネルMOSトランジスタ(金属−絶縁膜−半導体電界
効果トランジスタ)M1−M6で置換えたものと等価で
ある。[Fifth Embodiment] FIG. 5 shows a structure of a mixer circuit according to a fifth embodiment of the present invention. The mixer circuit shown in FIG. 5 is equivalent to the mixer circuit shown in FIG. 1 in which each of bipolar transistors Q1 to Q6 is replaced with an N-channel MOS transistor (metal-insulating film-semiconductor field effect transistor) M1-M6. .
【0074】MOSトランジスタは、そのゲート−ソー
ス間電圧によってドレイン電流が決定される電圧駆動型
トランジスタである。MOSトランジスタM5のゲート
に与えられる入力信号IN1がハイレベルとなると、M
OSトランジスタM5のコンダクタンスが大きくなり、
バランMmの第1ポートMmaを介して流れる電流が増
加し、一方、第2ポートMmbを介して流れる電流が低
下する。これにより、MOSトランジスタM1およびM
2で構成される差動対に対する動作電流iAおよびMO
SトランジスタM3およびM4で構成される差動対に対
する動作電流iBが差動電流となる(バイアス電流に関
して対称な電流レベルとなる)。A MOS transistor is a voltage-driven transistor whose drain current is determined by its gate-source voltage. When the input signal IN1 applied to the gate of the MOS transistor M5 goes high, M
The conductance of the OS transistor M5 increases,
The current flowing through the first port Mma of the balun Mm increases, while the current flowing through the second port Mmb decreases. Thereby, MOS transistors M1 and M1
Operating current iA and MO for differential pair composed of
The operating current iB for the differential pair constituted by the S transistors M3 and M4 becomes the differential current (the current level becomes symmetric with respect to the bias current).
【0075】MOSトランジスタM1およびM2はソー
スが共通ノードAに接続されており、MOSトランジス
タM3およびM4は、それぞれのソースが共通ノードB
に接続されている。入力ノード2aおよび2bに与えら
れる相補入力信号IN2+およびIN2−が、これらの
差動対により差動増幅されて、出力ノード3aおよび3
bに電流OUT+およびOUT−が生成される。MOS transistors M1 and M2 have their sources connected to common node A, and MOS transistors M3 and M4 have their sources connected to common node B.
It is connected to the. Complementary input signals IN2 + and IN2- applied to input nodes 2a and 2b are differentially amplified by these differential pairs to provide output nodes 3a and 3b.
Currents OUT + and OUT- are generated at b.
【0076】この図5に示すように、バイポーラトラン
ジスタに代えてMOSトランジスタを用いた場合におい
ても、MOSトランジスタが電圧駆動であることを除い
て、バイポーラトランジスタを用いた場合と同様の動作
が行なわれ、出力電流OUT+およびOUT−の差は、
入力信号IN1およびIN2の乗算結果に比例する。M
OSトランジスタM1〜M6が飽和領域で動作している
場合、そのドレイン電流はゲート−ソース間電圧の二乗
に比例する。ただし、MOSトランジスタM1〜M6
が、しきい値電圧を同じとし、そのしきい値電圧は低電
源電圧化のために十分小さくされる。As shown in FIG. 5, even when a MOS transistor is used instead of a bipolar transistor, the same operation as that using a bipolar transistor is performed, except that the MOS transistor is driven by voltage. , The difference between the output currents OUT + and OUT− is
It is proportional to the result of multiplication of the input signals IN1 and IN2. M
When the OS transistors M1 to M6 operate in the saturation region, the drain current is proportional to the square of the gate-source voltage. However, MOS transistors M1 to M6
However, the threshold voltage is the same, and the threshold voltage is made sufficiently small to reduce the power supply voltage.
【0077】MOSトランジスタを用いた場合、バイポ
ーラトランジスタに比べて、占有面積が小さくまた製造
工程数も少なく安価に製造できるため、安価でコンパク
トなミキサー回路を実現することができる。When a MOS transistor is used, an occupied area is small, the number of manufacturing steps is small, and the device can be manufactured inexpensively as compared with a bipolar transistor. Therefore, an inexpensive and compact mixer circuit can be realized.
【0078】[他の適用例]なお、図5に示す第5の実
施の形態においては図1に示すミキサー回路のバイポー
ラトランジスタQ1〜Q6を、MOSトランジスタM1
〜M6で置換している。しかしながら、図2から図4
(B)に示すミキサー回路においてもバイポーラトラン
ジスタをMOSトランジスタで置換することは可能であ
る。[Other Application Examples] In the fifth embodiment shown in FIG. 5, the bipolar transistors Q1 to Q6 of the mixer circuit shown in FIG.
~ M6. However, FIGS.
In the mixer circuit shown in (B), the bipolar transistor can be replaced with a MOS transistor.
【0079】また、バイポーラトランジスタおよびMO
Sトランジスタに代えて、たとえばガリウム・砒素を利
用するMESFET(金属−半導体電界効果トランジス
タ)などの絶縁ゲート型電界効果トランジスタが用いら
れてもよい。Further, the bipolar transistor and the MO
Instead of the S transistor, an insulated gate type field effect transistor such as a MESFET (metal-semiconductor field effect transistor) using gallium arsenide may be used.
【0080】なお、第2の入力信号I2は互いに相補な
入力信号I2+およびI2−でなく、一方が一定のバイ
アス電圧であってもよい。The second input signal I2 is not necessarily the input signals I2 + and I2- which are complementary to each other, but one of the second input signal I2 may be a constant bias voltage.
【0081】[0081]
【発明の効果】請求項1に係る発明に従えば、第1の入
力信号を増幅するトランジスタとバイアス電圧を制御電
極ノードに受けるトランジスタとからなる第1の差動段
と相補な第2の入力信号を差動増幅する第2の差動段と
の間にバランを設けたため、第1の入力信号を差動増幅
するための定電流源が不要となり、低電源電圧下で安定
に第1および第2の入力信号のミキシングを行なうこと
ができる。According to the first aspect of the present invention, the second input complementary to the first differential stage comprising the transistor for amplifying the first input signal and the transistor receiving the bias voltage at the control electrode node. Since a balun is provided between the first input signal and the second differential stage for differentially amplifying the signal, a constant current source for differentially amplifying the first input signal is not required, and the first and second signals are stably provided under a low power supply voltage. Mixing of the second input signal can be performed.
【0082】請求項2に係る発明に従えば、第1の入力
信号を制御電極ノードに受けるトランジスタおよびバイ
アス電圧を制御電極ノードに受けるトランジスタと接地
ノードの間にバランを設け、このバランにより入力信号
に応じた相補電流を生成して第2の入力信号を差動増幅
する差動段へ動作電流として与えているため、低電源電
圧駆動が可能となるとともに、バランに含まれるインダ
クタンスを、負帰還素子として作用させることができ、
出力信号の線形性を改善することができる。According to the second aspect of the present invention, a balun is provided between the transistor receiving the first input signal at the control electrode node and the transistor receiving the bias voltage at the control electrode node, and the ground node, and the balun provides the input signal. Is generated and supplied as an operating current to the differential stage for differentially amplifying the second input signal, thereby enabling low power supply voltage driving and reducing the inductance included in the balun by negative feedback. Can act as an element,
The linearity of the output signal can be improved.
【0083】請求項3に係る発明に従えば、バイアス電
圧を制御電極ノードに受けるトランジスタと、第2の相
補入力信号を差動増幅する差動段との間にバラン回路を
設け、このバランの第1のポートのノードの一方に入力
信号を直接印加するように構成しているため、この入力
信号のトランジスタによる増幅がなくなり、出力信号の
入力信号に対する応答の線形性が改善される。According to the third aspect of the present invention, a balun circuit is provided between a transistor receiving a bias voltage at the control electrode node and a differential stage for differentially amplifying the second complementary input signal. Since the input signal is directly applied to one of the nodes of the first port, amplification of the input signal by the transistor is eliminated, and the linearity of the response of the output signal to the input signal is improved.
【0084】請求項4に係る発明に従えば、バイアス電
圧を制御電極ノードに受けるトランジスタと電位ノード
の間にバラン回路を設け、このバランの一方のポートの
ノードに入力信号を与えるように構成しているため、第
1および第2の入力信号の間に、バイアス電圧を制御電
極ノードに受けるトランジスタと第2の入力信号を受け
る制御電極に受けるトランジスタが介挿されて、第1お
よび第2の入力信号のアイソレーションが改善される。According to the invention of claim 4, a balun circuit is provided between the transistor receiving the bias voltage at the control electrode node and the potential node, and an input signal is supplied to the node of one port of the balun. Therefore, a transistor receiving a bias voltage at the control electrode node and a transistor receiving the control electrode receiving the second input signal are interposed between the first and second input signals, and the first and second input signals are interposed. The input signal isolation is improved.
【0085】請求項5に係る発明に従えば、第1の入力
信号は、非相補信号であり、差動信号を生成する必要が
なく、また差動増幅の必要もない。According to the fifth aspect of the present invention, the first input signal is a non-complementary signal, and does not need to generate a differential signal and does not require differential amplification.
【0086】請求項6に係る発明に従えば、第2の入力
信号は、相補信号として入力されても非相補信号として
入力されても、同様の効果が得られ、汎用性が高くな
る。According to the sixth aspect of the invention, the same effect can be obtained and the versatility can be improved whether the second input signal is input as a complementary signal or a non-complementary signal.
【0087】請求項7に係る発明に従えば、ギルバート
セル型ミキサー回路において、片側入力の入力信号に従
ってバランを用いて相補差動電流を生成して第2の差動
段の動作電流としているため、第1の入力信号を差動増
幅するための定電流源が不要となり、低電源電圧下で安
定に動作させるミキサー回路を得ることができる。According to the seventh aspect of the present invention, in the Gilbert cell type mixer circuit, a complementary differential current is generated using a balun in accordance with an input signal of one side input, and is used as an operating current of the second differential stage. In addition, a constant current source for differentially amplifying the first input signal becomes unnecessary, and a mixer circuit that operates stably under a low power supply voltage can be obtained.
【図1】 この発明の実施の形態1に従うミキサー回路
の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a mixer circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 この発明の実施の形態2に従うミキサー回路
の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a mixer circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図3】 (A)および(B)は、この発明の実施の形
態3に従うミキサー回路の構成を示す図である。FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a configuration of a mixer circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図4】 (A)および(B)は、この発明の実施の形
態4に従うミキサー回路の構成を示す図である。FIGS. 4A and 4B are diagrams showing a configuration of a mixer circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図5】 この発明の実施の形態5に従うミキサー回路
の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a mixer circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
【図6】 従来のミキサー回路の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a conventional mixer circuit.
【符号の説明】 Q1〜Q6 バイポーラトランジスタ、M1〜M6 M
OSトランジスタ、1,2a,2b 入力ノード、3
a,3b 出力ノード、A,B エミッタ共通ノード、
5a〜9a,5b〜9b 内部ノード、Mm バラン、
Mma 第1ポート、Mmb 第2ポート。[Explanation of Signs] Q1 to Q6 bipolar transistors, M1 to M6 M
OS transistor, 1, 2a, 2b input node, 3
a, 3b output node, A, B emitter common node,
5a-9a, 5b-9b internal node, Mm balun,
Mma first port, Mmb second port.
Claims (7)
ドの間に接続され、かつその制御電極ノードが第2の入
力信号を受ける第1の入力ノードに接続される第1のト
ランジスタ、 第2の信号出力ノードと前記第1の共通ノードの間に接
続され、かつその制御電極ノードが前記第2の入力信号
に対する比較基準信号を受ける第2の入力ノードに接続
される第2のトランジスタ、 前記第1の信号出力ノードと第2の共通ノードの間に接
続されかつその制御電極ノードが前記第2の入力ノード
に接続される第3のトランジスタ、 前記第2の信号出力ノードと前記第2の共通ノードの間
に接続されかつその制御電極ノードが前記第1の入力ノ
ードに接続される第4のトランジスタ、 第1の導通ノードと、第1の入力信号を受ける制御電極
ノードとを少なくとも有する第5のトランジスタ、 第1の導通ノードと、前記第1の入力信号に対する比較
基準信号を受ける制御電極ノードとを少なくとも有する
第6のトランジスタ、および前記第1の共通ノードと前
記第5のトランジスタの第1の導通ノードの間に接続さ
れる第1のポートと前記第2の共通ノードと前記第6の
トランジスタの第1の導通ノードの間に接続される第2
のポートとを有し、前記第1のポートを流れる電流の位
相を反転した電流を前記第2のポートに生じさせるバラ
ン素子を備える、ミキサー回路。A first transistor connected between a first signal output node and a first common node and having a control electrode node connected to a first input node receiving a second input signal; A second transistor connected between a second signal output node and the first common node and having a control electrode node connected to a second input node for receiving a reference signal for comparison with the second input signal; A third transistor connected between the first signal output node and a second common node and having a control electrode node connected to the second input node; and a second transistor connected to the second signal output node and the second transistor. A fourth transistor connected between two common nodes and having a control electrode node connected to the first input node, a first conduction node, and a control electrode node receiving a first input signal. A sixth transistor having at least a fifth transistor, a first conductive node, and a control electrode node receiving a comparison reference signal for the first input signal; and a sixth transistor having at least a first common node and the fifth transistor. A first port connected between a first conduction node of the transistor and a second port connected between the second common node and a first conduction node of the sixth transistor;
And a balun element that causes the second port to generate a current obtained by inverting the phase of the current flowing through the first port.
ドの間に接続されかつその制御電極ノードが第2の入力
信号を受ける第1の入力ノードに接続される第1のトラ
ンジスタ、 第2の信号出力ノードと前記第1の共通ノードの間に接
続されかつその制御電極ノードが前記第2の入力信号に
対する比較基準信号を受ける第2の入力ノードに接続さ
れる第2のトランジスタ、 前記第1の信号出力ノードと第2の共通ノードの間に接
続されかつそのゲートが前記第2の入力ノードに接続さ
れる第3のトランジスタ、 前記第2の信号出力ノードと前記第2の共通ノードの間
に接続されかつその制御電極ノードが前記第1の入力ノ
ードに接続される第4のトランジスタ、 前記第1の共通ノードと第1の内部ノードの間に接続さ
れかつその制御電極ノードに第1の入力信号を受ける第
5のトランジスタ、 前記第2の共通ノードと第2の内部ノードの間に接続さ
れかつその制御電極ノードに前記第1の入力信号に対す
る比較基準信号を受ける第6のトランジスタ、および前
記第1の内部ノードに結合される第1のポートと、前記
第2の内部ノードに結合される第2のポートとを有し、
前記第1のポートを流れる電流の位相を反転した電流を
前記第2のポートに生じさせるバラン素子を備える、ミ
キサー回路。2. A first transistor connected between a first signal output node and a first common node and having a control electrode node connected to a first input node receiving a second input signal. A second transistor connected between a second signal output node and the first common node and having a control electrode node connected to a second input node receiving a comparison reference signal for the second input signal; A third transistor connected between a first signal output node and a second common node and having a gate connected to the second input node; the second signal output node and the second common node And a control electrode node connected between the first common node and a first internal node and having its control electrode node connected to the first input node. A fifth transistor receiving a first input signal at a node thereof, a fifth transistor connected between the second common node and a second internal node, and receiving at its control electrode node a comparison reference signal for the first input signal; 6 transistors, a first port coupled to the first internal node, and a second port coupled to the second internal node;
A mixer circuit, comprising: a balun element that generates a current in which the phase of a current flowing through the first port is inverted in the second port.
ドの間に接続されかつその制御電極ノードが第2の入力
信号を受ける第1の入力ノードに接続される第1のトラ
ンジスタ、 第2の信号出力ノードと前記第1の共通ノードの間に接
続されかつその制御電極ノードが前記第2の入力信号に
対する比較基準信号を受ける第2の入力ノードに接続さ
れる第2のトランジスタ、 前記第1の信号出力ノードと第2の共通ノードの間に接
続されかつその制御電極ノードが前記第2の入力ノード
に接続される第3のトランジスタ、 前記第2の信号出力ノードと前記第2の共通ノードの間
に接続されかつその制御電極ノードが前記第1の入力ノ
ードに接続される第4のトランジスタ、 前記第1の共通ノードと第1の内部ノードの間に結合さ
れる第1のポートと、前記第2の共通ノードと第2の内
部ノードの間に結合される第2のポートとを有し、前記
第1のポートを流れる電流と位相が反転した電流を第2
のポートに生じさせるバラン素子、 前記第1および第2の内部ノードにそれぞれ結合される
電流源を備え、 第1の入力信号が前記バラン素子の前記第1の共通ノー
ドに電気的に接続されるノードおよび前記第1の内部ノ
ードに電気的に接続するノードの一方に与えられる、ミ
キサー回路。A first transistor connected between the first signal output node and the first common node and having a control electrode node connected to a first input node receiving a second input signal; A second transistor connected between a second signal output node and the first common node and having a control electrode node connected to a second input node receiving a comparison reference signal for the second input signal; A third transistor connected between a first signal output node and a second common node and having a control electrode node connected to the second input node, the second signal output node and the second transistor A fourth transistor connected between a common node and a control electrode node connected to the first input node; a first transistor coupled between the first common node and a first internal node; And bets, the second and a common node and a second port that is coupled between the second internal node, the current of the first current flowing through the ports and the phase is inverted second
And a current source respectively coupled to the first and second internal nodes, wherein a first input signal is electrically connected to the first common node of the balun element. A mixer circuit provided to one of a node and a node electrically connected to the first internal node.
ドの間に接続されかつその制御電極ノードが第2の入力
信号を受ける第1の入力ノードに接続される第1のトラ
ンジスタ、 第2の信号出力ノードと前記第1の共通ノードの間に接
続されかつその制御電極ノードが前記第2の入力信号に
対する比較基準信号を受ける第2の入力ノードに接続す
る第2のトランジスタ、 前記第1の信号出力ノードと第2の共通ノードの間に接
続されかつその制御電極ノードが前記第2の入力ノード
に接続する第3のトランジスタ、 前記第2の信号出力ノードと前記第2の共通ノードの間
に接続されかつその制御電極ノードが前記第1の入力ノ
ードに接続する第4のトランジスタ、 前記第1の共通ノードと第1の内部ノードの間に接続さ
れ、かつその制御電極ノードに一定の電圧レベルのバイ
アス電圧を受ける第5のトランジスタ、 前記第2の共通ノードと第2の内部ノードの間に接続さ
れかつその制御電極ノードに前記バイアス電圧を受ける
第6のトランジスタ、および前記第1の内部ノードに結
合される第1のポートと、前記第2の内部ノードに結合
される第2のポートとを有し、前記第1のポートを流れ
る電流の位相を反転した電流を第2のポートに生じさせ
るバラン素子を備え、 第1の入力信号が前記バラン素子の第1のポートの前記
第1の内部ノードに電気的に接続するノードおよび前記
固定電位ノードに電気的に接続するノードの一方に与え
られる、ミキサー回路。A first transistor connected between the first signal output node and the first common node and having a control electrode node connected to a first input node receiving a second input signal; A second transistor connected between the second signal output node and the first common node and having a control electrode node connected to a second input node receiving a reference signal for comparison with the second input signal; A third transistor connected between one signal output node and a second common node and having a control electrode node connected to the second input node; the second signal output node and the second common node A fourth transistor connected between the first common node and a first internal node and having its control electrode node connected to the first input node; A fifth transistor receiving a bias voltage of a constant voltage level at a node, a sixth transistor connected between the second common node and a second internal node and receiving the bias voltage at its control electrode node, and A first port coupled to the first internal node; and a second port coupled to the second internal node, wherein a current obtained by inverting a phase of a current flowing through the first port is provided. A balun element to be generated at a second port, wherein a first input signal is electrically connected to the node electrically connected to the first internal node of the first port of the balun element and to the fixed potential node Mixer circuit, which is provided to one of the nodes that
号は、一定の電圧レベルのバイアス電圧である、請求項
1または2記載のミキサー回路。5. The mixer circuit according to claim 1, wherein the signal used as a reference for comparing the first input signal is a bias voltage having a constant voltage level.
号は、前記第2の入力信号と相補な入力信号および一定
のバイアス電圧のいずれか一方である、請求項1〜4の
いずれかに記載のミキサー回路。6. The signal according to claim 1, wherein the comparison reference signal for the second input signal is one of an input signal complementary to the second input signal and a fixed bias voltage. Mixer circuit.
差動段と、第2の入力信号を互いに相補的に差動増幅す
る第1および第2の差動回路を有する第2の差動段とが
信号出力ノードと固定電位源との間に結合されるギルバ
ートセル型ミキサー回路において、 前記第1の差動段と前記第2の差動段の間または前記第
1の差動段と前記固定電位が与えられる固定電位ノード
との間に、第1のポートと第2のポートとを有し、前記
第1のポートを流れる電流の位相を反転した電流を第2
のポートに流れさせる特性を有するバランを配置し、前
記バランにより、前記第1の入力信号の電圧レベルに応
じた相補電流を前記第2の差動段の前記第1および第2
の差動回路の電流源ノードに生じさせるようにしたこと
を特徴とする、ミキサー回路。7. A second differential circuit comprising: a first differential stage for amplifying a first input signal; and first and second differential circuits for differentially amplifying a second input signal in a mutually complementary manner. A Gilbert cell type mixer circuit in which the differential stage is coupled between a signal output node and a fixed potential source, wherein the first differential stage and the second differential stage or the first differential stage A first port and a second port are provided between an operating stage and a fixed potential node to which the fixed potential is applied, and a current obtained by inverting a phase of a current flowing through the first port is supplied to a second port.
And a balun having a characteristic of causing the first and second ports of the second differential stage to supply a complementary current according to the voltage level of the first input signal.
Wherein the current is generated at a current source node of the differential circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11123904A JP2000315919A (en) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | Mixer circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP11123904A JP2000315919A (en) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | Mixer circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2000315919A true JP2000315919A (en) | 2000-11-14 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11123904A Withdrawn JP2000315919A (en) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | Mixer circuit |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2000315919A (en) |
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-
1999
- 1999-04-30 JP JP11123904A patent/JP2000315919A/en not_active Withdrawn
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