JP2000316830A - 磁気共鳴イメージング方法及びそれを用いた磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents
磁気共鳴イメージング方法及びそれを用いた磁気共鳴イメージング装置Info
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- JP2000316830A JP2000316830A JP11129290A JP12929099A JP2000316830A JP 2000316830 A JP2000316830 A JP 2000316830A JP 11129290 A JP11129290 A JP 11129290A JP 12929099 A JP12929099 A JP 12929099A JP 2000316830 A JP2000316830 A JP 2000316830A
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】検体内の交差する二つの断面を高時間分解能
で、かつ二つの断面の交差する領域を高空間分解能で撮
像可能なMRI装置を実現する。 【解決手段】RFパルス101とスライス傾斜磁場20
1を印加して第1スライス110を励起し、位相エンコ
ード傾斜磁場301及び読み出し傾斜磁場401,40
2を印加して信号501を計測する。次に、RFパルス
102とスライス傾斜磁場201へ直交するスライス傾
斜磁場303を同時に印加し第2スライス120を励起
し、位相エンコード傾斜磁場203及び読み出し傾斜磁
場404,405を印加し信号502を計測する。その
後、交差領域の横断面の一方にスライスエンコード傾斜
磁場205、もう一方に位相エンコード傾斜磁場305
を印加し、読み出し傾斜磁場407を印加しつつスピン
エコー信号503を計測する。以上を繰り返し実行し、
各エコー信号501,502,503毎に画像再構成を
行い、第1スライスの像、第2スライスの画像と交差領
域の画像とを合成して表示する。
で、かつ二つの断面の交差する領域を高空間分解能で撮
像可能なMRI装置を実現する。 【解決手段】RFパルス101とスライス傾斜磁場20
1を印加して第1スライス110を励起し、位相エンコ
ード傾斜磁場301及び読み出し傾斜磁場401,40
2を印加して信号501を計測する。次に、RFパルス
102とスライス傾斜磁場201へ直交するスライス傾
斜磁場303を同時に印加し第2スライス120を励起
し、位相エンコード傾斜磁場203及び読み出し傾斜磁
場404,405を印加し信号502を計測する。その
後、交差領域の横断面の一方にスライスエンコード傾斜
磁場205、もう一方に位相エンコード傾斜磁場305
を印加し、読み出し傾斜磁場407を印加しつつスピン
エコー信号503を計測する。以上を繰り返し実行し、
各エコー信号501,502,503毎に画像再構成を
行い、第1スライスの像、第2スライスの画像と交差領
域の画像とを合成して表示する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気共鳴イメージン
グ方法及び磁気共鳴イメージング装置(以下、MRI装
置という)に係り、特に映像ガイド下で治療を行うため
に体内へ挿入したカテーテルの先端位置の把握およびカ
テーテルの治療部位への誘導に好適な画像を取得し表示
する技術に関するものである。
グ方法及び磁気共鳴イメージング装置(以下、MRI装
置という)に係り、特に映像ガイド下で治療を行うため
に体内へ挿入したカテーテルの先端位置の把握およびカ
テーテルの治療部位への誘導に好適な画像を取得し表示
する技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、インターベンショナル・ラジオロ
ジー(InterventionalRagiology:IVR)と称する画像を
観察しながらカテーテルや穿刺針を患者の体内へ挿入し
て治療を行うことが普及してきている。IVRなる言葉
の由来は文字通り放射線、主としてX線画像を利用して
行われることからきている。IVRはカテーテル等を治
療部位へ導く間、連続的または頻繁にX線を放射してX
線透視像をモニタへ表示し観察することが必要となるた
め、患者のX線被曝及び医師のX線被曝が多くなるとい
う問題があった。
ジー(InterventionalRagiology:IVR)と称する画像を
観察しながらカテーテルや穿刺針を患者の体内へ挿入し
て治療を行うことが普及してきている。IVRなる言葉
の由来は文字通り放射線、主としてX線画像を利用して
行われることからきている。IVRはカテーテル等を治
療部位へ導く間、連続的または頻繁にX線を放射してX
線透視像をモニタへ表示し観察することが必要となるた
め、患者のX線被曝及び医師のX線被曝が多くなるとい
う問題があった。
【0003】一方、MRI装置は当初、撮像時間が非常
に長く、IVRに使用できるものではなかったが、各種
の高速撮像法の開発が著しく進み、近年、MRI装置を
IVRへ適用する試みがなされている。このMRI装置
を用いた画像観察下の治療法はインターベンショナルM
RI(以下、IVMRという)の様な呼ばれ方をしてい
る。
に長く、IVRに使用できるものではなかったが、各種
の高速撮像法の開発が著しく進み、近年、MRI装置を
IVRへ適用する試みがなされている。このMRI装置
を用いた画像観察下の治療法はインターベンショナルM
RI(以下、IVMRという)の様な呼ばれ方をしてい
る。
【0004】ところで、カテーテルを患者の体内で誘導
する場合、カテーテルは血管内を治療部位まで導かれる
が、血管は体内で曲がりくねっており、また分岐を繰り
返しているため、カテーテルの先端を血管内で進めるに
は、1方向から撮影した画像だけでは観察が困難であ
る。このため、IVRまたはIVMRには2方向から撮
影した画像が必要で、かつそれらの2方向の画像に同時
にカテーテルの先端が撮像されていることが望まれる。
そして、2方向から撮影された画像は時間的に接近して
いれば接近しているほど好ましい。すなわち、画像の時
間分解能が大きい程好ましい。
する場合、カテーテルは血管内を治療部位まで導かれる
が、血管は体内で曲がりくねっており、また分岐を繰り
返しているため、カテーテルの先端を血管内で進めるに
は、1方向から撮影した画像だけでは観察が困難であ
る。このため、IVRまたはIVMRには2方向から撮
影した画像が必要で、かつそれらの2方向の画像に同時
にカテーテルの先端が撮像されていることが望まれる。
そして、2方向から撮影された画像は時間的に接近して
いれば接近しているほど好ましい。すなわち、画像の時
間分解能が大きい程好ましい。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】MRI装置にマルチス
ライス撮像法がある。これは、例えば核スピンの励起と
信号計測を2つのスライスについて交互に行うものであ
る。このマルチスライス撮像法において2つのスライス
が交差するようにスライス選択をすることができる。
ライス撮像法がある。これは、例えば核スピンの励起と
信号計測を2つのスライスについて交互に行うものであ
る。このマルチスライス撮像法において2つのスライス
が交差するようにスライス選択をすることができる。
【0006】しかし、励起された核スピンは再度定常状
態になるまでに励起角度に応じた所定の時間を必要とす
る。このため、2つの交差するスライスの励起間隔を短
くすると、先に励起されたスライス内の核スピンが定常
状態へ戻る前にもう一つのスライスが励起されることと
なる。このとき、2つのスライスにて交差領域と非交差
領域とで励起間隔に差が生ずる。つまり、非交差領域で
は励起間隔が長く、交差領域では励起間隔が短くなる。
態になるまでに励起角度に応じた所定の時間を必要とす
る。このため、2つの交差するスライスの励起間隔を短
くすると、先に励起されたスライス内の核スピンが定常
状態へ戻る前にもう一つのスライスが励起されることと
なる。このとき、2つのスライスにて交差領域と非交差
領域とで励起間隔に差が生ずる。つまり、非交差領域で
は励起間隔が長く、交差領域では励起間隔が短くなる。
【0007】励起間隔が、励起された核スピンの縦緩和
時間より短くなると、縦磁化の緩和が不十分となり、計
測信号が低下する。この現象が交差領域に生ずると、交
差領域では本来良好な画像が欲しいのに逆に画質の劣下
をもたらすこととなる。
時間より短くなると、縦磁化の緩和が不十分となり、計
測信号が低下する。この現象が交差領域に生ずると、交
差領域では本来良好な画像が欲しいのに逆に画質の劣下
をもたらすこととなる。
【0008】本発明は、カテーテルの先端が位置する2
つの画像の交差領域を良好な画質で表示できるMRI装
置を提供することを目的とする。
つの画像の交差領域を良好な画質で表示できるMRI装
置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、第1の励起パルスによって被検体内の所定
位置の第1の断面を励起して第1のエコー信号を計測
し、このエコー信号の計測後第2の励起パルスによって
前記被検体内の所定位置の第1の断面に交差する第2の
断面を励起して第2のエコー信号を計測し、この第2の
エコー信号の計測後前記第1及び第2の断面の交差領域
を3次元領域と見なして前記第1及び第2の励起パルス
によって生ずる第3のエコー信号を計測するとともに、
前記3つのエコー信号の計測終了後第1の断面の画像と
前記交差領域の画像とを、及び前記第2の断面の画像と
前記交差領域の画像とを合成して表示することを特徴と
する。
するために、第1の励起パルスによって被検体内の所定
位置の第1の断面を励起して第1のエコー信号を計測
し、このエコー信号の計測後第2の励起パルスによって
前記被検体内の所定位置の第1の断面に交差する第2の
断面を励起して第2のエコー信号を計測し、この第2の
エコー信号の計測後前記第1及び第2の断面の交差領域
を3次元領域と見なして前記第1及び第2の励起パルス
によって生ずる第3のエコー信号を計測するとともに、
前記3つのエコー信号の計測終了後第1の断面の画像と
前記交差領域の画像とを、及び前記第2の断面の画像と
前記交差領域の画像とを合成して表示することを特徴と
する。
【0010】また、本発明は上記目的を達成するため
に、被検体に静磁場を与える静磁場発生手段と、前記静
磁場に傾斜磁場を与える傾斜磁場発生手段と、前記被検
体へ核磁気共鳴現象を起こさせる高周波パルスを発生す
る手段と、前記被検体から生ずる核磁気共鳴信号を検出
する検出系と、前記検出された核磁気共鳴信号を用いて
画像を生成する手段と、前記画像を表示する手段と、前
記高周波パルス発生手段と前記傾斜磁場発生手段と前記
検出系と前記画像生成手段とを制御する制御装置とを有
した磁気共鳴イメージング装置において、前記制御装置
は、前記高周波パルス発生手段と前記傾斜磁場発生手段
とを制御し、互いに交差する2つのスライスを順次選択
励記して各スライスからのエコー信号を計測するととも
に、前記2つの励起核スピンによって前記2つのスライ
スの交差領域から生ずるエコー信号を前起2つのスライ
スからのエコー信号とは別個に計測し、前記画像生成手
段によって前記3つのエコー信号を用いて前記2つのス
ライス画像を生成し、生成された2つのスライス画像を
前記画像表示手段に表示するようにしたものである。
に、被検体に静磁場を与える静磁場発生手段と、前記静
磁場に傾斜磁場を与える傾斜磁場発生手段と、前記被検
体へ核磁気共鳴現象を起こさせる高周波パルスを発生す
る手段と、前記被検体から生ずる核磁気共鳴信号を検出
する検出系と、前記検出された核磁気共鳴信号を用いて
画像を生成する手段と、前記画像を表示する手段と、前
記高周波パルス発生手段と前記傾斜磁場発生手段と前記
検出系と前記画像生成手段とを制御する制御装置とを有
した磁気共鳴イメージング装置において、前記制御装置
は、前記高周波パルス発生手段と前記傾斜磁場発生手段
とを制御し、互いに交差する2つのスライスを順次選択
励記して各スライスからのエコー信号を計測するととも
に、前記2つの励起核スピンによって前記2つのスライ
スの交差領域から生ずるエコー信号を前起2つのスライ
スからのエコー信号とは別個に計測し、前記画像生成手
段によって前記3つのエコー信号を用いて前記2つのス
ライス画像を生成し、生成された2つのスライス画像を
前記画像表示手段に表示するようにしたものである。
【0011】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面を
用いて説明する。図4は本発明を実施するMRI装置の
全体構成を示すブロック図である。図4において、2は
静磁場発生磁石、8は中央処理装置(以下、CPUと記
す。)、3は傾斜磁場発生系、4はシーケンサ、5は送
信系、6は受信系、7は信号処理系である。
用いて説明する。図4は本発明を実施するMRI装置の
全体構成を示すブロック図である。図4において、2は
静磁場発生磁石、8は中央処理装置(以下、CPUと記
す。)、3は傾斜磁場発生系、4はシーケンサ、5は送
信系、6は受信系、7は信号処理系である。
【0012】静磁場発生磁石2は、被検体1を収容し得
る空間の所定領域に、所定方向、例えば、被検体1の体
軸方向、または体軸と直交する方向へ強く均一な静磁場
を発生させるもので、前記空間を取り囲むように、永久
磁石、または超伝導磁石のような方式の磁石を配置して
なる。
る空間の所定領域に、所定方向、例えば、被検体1の体
軸方向、または体軸と直交する方向へ強く均一な静磁場
を発生させるもので、前記空間を取り囲むように、永久
磁石、または超伝導磁石のような方式の磁石を配置して
なる。
【0013】送信系5は、高周波発振器(シンセサイザ
ー)11と、変調器12と、高周波増幅器13と、送信
用高周波コイル14aとから成り、CPU8およびシー
ケンサ4の指令によりシンセサイザー11から出力され
た高周波パルス信号を変調器12で振幅変調し、変調さ
れた信号を高周波増幅器13で増幅し、増幅された高周
波パルスを被検体1に接近して配置された送信用高周波
コイル14aヘ供給し、送信用高周波コイル14aから
電磁波を被検体1へ照射するものである。
ー)11と、変調器12と、高周波増幅器13と、送信
用高周波コイル14aとから成り、CPU8およびシー
ケンサ4の指令によりシンセサイザー11から出力され
た高周波パルス信号を変調器12で振幅変調し、変調さ
れた信号を高周波増幅器13で増幅し、増幅された高周
波パルスを被検体1に接近して配置された送信用高周波
コイル14aヘ供給し、送信用高周波コイル14aから
電磁波を被検体1へ照射するものである。
【0014】傾斜磁場発生系3は、直交する3軸方向、
即ちX,Y,Zの3軸方向へ傾斜磁場を発生する傾斜磁
場コイル9と、各方向の傾斜磁場コイルを駆動する傾斜
磁場電源10とから成り、CPU8の指令により各傾斜
磁場コイルに対応した傾斜磁場電源を駆動し、発生した
傾斜磁場を静磁場へ重畳してイメージングに必要な勾配
磁場を発生するものである。
即ちX,Y,Zの3軸方向へ傾斜磁場を発生する傾斜磁
場コイル9と、各方向の傾斜磁場コイルを駆動する傾斜
磁場電源10とから成り、CPU8の指令により各傾斜
磁場コイルに対応した傾斜磁場電源を駆動し、発生した
傾斜磁場を静磁場へ重畳してイメージングに必要な勾配
磁場を発生するものである。
【0015】受信系6は、受信用高周波コイル14b
と、増幅器15と、直交位相検波器16と、A/D変換
器17とから成り、送信系5の高周波コイル14aから
照射された電磁波によって被検体内から生ずる核スピン
の挙動信号(電磁波、NMR信号という。)を被検体1
に近接して配置した受信用高周波コイル14bで検出
し、その検出信号を増幅器15で増幅した後、直交位相
検波器16へ入力し、直交位相検波器16でシンセサイ
ザー11の出力に基いて直交検波を行い、sin成分、
cos成分の2系統の信号に分離し、それらをA/D変
換器17へ入力し、A/D変換器17でCPU8および
シーケンサ4の指令に基いてサンプリングしてディジタ
ル信号に変換して信号処理系7へ出力するものである。
と、増幅器15と、直交位相検波器16と、A/D変換
器17とから成り、送信系5の高周波コイル14aから
照射された電磁波によって被検体内から生ずる核スピン
の挙動信号(電磁波、NMR信号という。)を被検体1
に近接して配置した受信用高周波コイル14bで検出
し、その検出信号を増幅器15で増幅した後、直交位相
検波器16へ入力し、直交位相検波器16でシンセサイ
ザー11の出力に基いて直交検波を行い、sin成分、
cos成分の2系統の信号に分離し、それらをA/D変
換器17へ入力し、A/D変換器17でCPU8および
シーケンサ4の指令に基いてサンプリングしてディジタ
ル信号に変換して信号処理系7へ出力するものである。
【0016】そして、信号処理系7は、CPU8と、磁
気ディスク装置18や磁気テープ装置19等の記録装置
と、CRT等のディスプレイ装置20とから成り、前記
CPU8において受信系6から入力した信号に対し、フ
ーリエ変換、補正係数計算、画像再構成等の処理を行
い、被検体1のスライス面内の原子核密度分布を示す画
像、例えば、水素原子核(プロトン)密度分布像や、核
スピンの緩和時間を示すT1強調像やT2強調像等の画像
をディスプレイ装置20へ表示するとともに、パルスシ
ーケンスの様な制御ソフトウェアや画像データを記録装
置へ記録するものである。MRI装置はその他に操作卓
(図示省略)を備え、そこにキーボード(図示省略)が
配置されている。
気ディスク装置18や磁気テープ装置19等の記録装置
と、CRT等のディスプレイ装置20とから成り、前記
CPU8において受信系6から入力した信号に対し、フ
ーリエ変換、補正係数計算、画像再構成等の処理を行
い、被検体1のスライス面内の原子核密度分布を示す画
像、例えば、水素原子核(プロトン)密度分布像や、核
スピンの緩和時間を示すT1強調像やT2強調像等の画像
をディスプレイ装置20へ表示するとともに、パルスシ
ーケンスの様な制御ソフトウェアや画像データを記録装
置へ記録するものである。MRI装置はその他に操作卓
(図示省略)を備え、そこにキーボード(図示省略)が
配置されている。
【0017】次に、本発明による被検体の撮影方法及び
画像の表示方法を説明する。図2は本発明の撮影方法の
概念を説明する図面である。図2において、100は被
検体でこの図1では直方体で示してあるが、現実には生
体である。110は第1の撮像スライス(以下、第1ス
ライスという)、120は第2の撮像スライス(以下、
第2スライスという)であり、これらは互いに交差して
設定されるため、中央部に交差領域130が生ずる。M
RI装置では、励起された核スピンが定常状態に戻るま
でに所定の時間(緩和時間という)が必要なため、第1
スライス110とそれに交差する第2スライス120を
緩和時間より短い時間間隔で励起すると、交差領域13
0内の核スピンが第1スライス110の撮像のために励
起された後、定常状態へ戻る前に第2スライス120の
撮像のための励起を受けることとなる。このため、交差
領域130内の核スピンは過励起状態となり、そこから
の信号強度が交差していない領域からの信号と比較して
低下する。
画像の表示方法を説明する。図2は本発明の撮影方法の
概念を説明する図面である。図2において、100は被
検体でこの図1では直方体で示してあるが、現実には生
体である。110は第1の撮像スライス(以下、第1ス
ライスという)、120は第2の撮像スライス(以下、
第2スライスという)であり、これらは互いに交差して
設定されるため、中央部に交差領域130が生ずる。M
RI装置では、励起された核スピンが定常状態に戻るま
でに所定の時間(緩和時間という)が必要なため、第1
スライス110とそれに交差する第2スライス120を
緩和時間より短い時間間隔で励起すると、交差領域13
0内の核スピンが第1スライス110の撮像のために励
起された後、定常状態へ戻る前に第2スライス120の
撮像のための励起を受けることとなる。このため、交差
領域130内の核スピンは過励起状態となり、そこから
の信号強度が交差していない領域からの信号と比較して
低下する。
【0018】交差領域からの信号強度が弱い場合には、
第1スライス110の画像の中央部に位置する交差領域
部130の画像、及び第2スライス120の画像の中央
部に位置する交差領域130の画像は濃度が薄くなり、
診断をすることが困難なものとなる。本発明は交差領域
130を第1スライス110及び第2スライス120の
撮像のための励起の影響を受けないように、別個に交差
領域130のみ信号計測することによって問題の解決を
計るものである。具体的には、交差領域130を3次元
領域と見なして信号計測し、この3次元領域からの計測
データを画像とし、第1スライス110、第2スライス
120の画像に合成して使用することを特徴としてい
る。
第1スライス110の画像の中央部に位置する交差領域
部130の画像、及び第2スライス120の画像の中央
部に位置する交差領域130の画像は濃度が薄くなり、
診断をすることが困難なものとなる。本発明は交差領域
130を第1スライス110及び第2スライス120の
撮像のための励起の影響を受けないように、別個に交差
領域130のみ信号計測することによって問題の解決を
計るものである。具体的には、交差領域130を3次元
領域と見なして信号計測し、この3次元領域からの計測
データを画像とし、第1スライス110、第2スライス
120の画像に合成して使用することを特徴としてい
る。
【0019】以下、この詳細な説明を図1のパルスシー
ケンス図を参照しながら説明する。図1は基本的にはグ
ラジェントエコー法による2スライス撮影法に交差領域
の3次元計測を加えたものである。図1において、RF
は被検体内の核スピンを励起する高周波パルス(以下、
RFパルスという)を照射するタイミングと、核スピン
の励起角度と、RFパルスの周波数を示している。Gs1
は前述の直交する3軸方向の第1の方向に印加される傾
斜磁場の印加タイミングとその印加量を、Gs2は前記傾
斜磁場Gs1と直交する第2の方向の傾斜磁場の印加タイ
ミングとその印加量を、そしてGs3はGs1,Gs2のそれ
ぞれに直交する第3の方向の傾斜磁場の印加タイミング
と印加量とを示している。この例では、Gs1とGs2は各
々スライス選択用と位相エンコード用に、そしてGs3は
リードアウト用(周波数エンコード用)に用いている。
Sは計測するNMR信号の出現を示している。また、図
の下方に記したτは交差領域130から発生するNMR
信号の説明のための時間を、TRはシーケンスの繰り返
し時間を示している。
ケンス図を参照しながら説明する。図1は基本的にはグ
ラジェントエコー法による2スライス撮影法に交差領域
の3次元計測を加えたものである。図1において、RF
は被検体内の核スピンを励起する高周波パルス(以下、
RFパルスという)を照射するタイミングと、核スピン
の励起角度と、RFパルスの周波数を示している。Gs1
は前述の直交する3軸方向の第1の方向に印加される傾
斜磁場の印加タイミングとその印加量を、Gs2は前記傾
斜磁場Gs1と直交する第2の方向の傾斜磁場の印加タイ
ミングとその印加量を、そしてGs3はGs1,Gs2のそれ
ぞれに直交する第3の方向の傾斜磁場の印加タイミング
と印加量とを示している。この例では、Gs1とGs2は各
々スライス選択用と位相エンコード用に、そしてGs3は
リードアウト用(周波数エンコード用)に用いている。
Sは計測するNMR信号の出現を示している。また、図
の下方に記したτは交差領域130から発生するNMR
信号の説明のための時間を、TRはシーケンスの繰り返
し時間を示している。
【0020】次に、撮影方法を図1及び図2を用いて説
明する。撮影の開始に際して、操作者は図1に示す交差
した2つのスライス110及び120を設定する。スラ
イス110と120の設定は、パルスシーケンス図1に
おけるRFパルスの周波数fと傾斜磁場コイルの印加方
向の選択により行われる。本実施の形態では、2つのス
ライス110と120は直交して設定された例を示して
いるが、第1スライス110の選択はRFパルスの周波
数をf1(周波数帯域は第1スライスの厚みに対応す
る)、用いるスライス選択用傾斜磁場方向をGs1方向と
し、第2スライス120の選択はRFパルスの周波数を
f2(周波数帯域は第2スライスの厚みに対応する)、
用いるスライス選択用傾斜磁場方向をGs1に直交したG
s2方向としている。また、第1スライス110、第2ス
ライス120の核スピンの励起角度α0は任意に設定で
きるが、パルスシーケンスの繰り返し時間TRを短縮し
て、画像の時間分解能をどれ位にするかで適度な角度を
選定するのが良い。例えば、TRを20〜30msとし
た場合には、α0を20°程度の設定する。
明する。撮影の開始に際して、操作者は図1に示す交差
した2つのスライス110及び120を設定する。スラ
イス110と120の設定は、パルスシーケンス図1に
おけるRFパルスの周波数fと傾斜磁場コイルの印加方
向の選択により行われる。本実施の形態では、2つのス
ライス110と120は直交して設定された例を示して
いるが、第1スライス110の選択はRFパルスの周波
数をf1(周波数帯域は第1スライスの厚みに対応す
る)、用いるスライス選択用傾斜磁場方向をGs1方向と
し、第2スライス120の選択はRFパルスの周波数を
f2(周波数帯域は第2スライスの厚みに対応する)、
用いるスライス選択用傾斜磁場方向をGs1に直交したG
s2方向としている。また、第1スライス110、第2ス
ライス120の核スピンの励起角度α0は任意に設定で
きるが、パルスシーケンスの繰り返し時間TRを短縮し
て、画像の時間分解能をどれ位にするかで適度な角度を
選定するのが良い。例えば、TRを20〜30msとし
た場合には、α0を20°程度の設定する。
【0021】このように設定されたパルスシーケンス図
1を時間の経過とともに説明する。パルスシーケンスが
起動されると、先ず初めに、シーケンサ4から送信系5
及び傾斜磁場電源10に対し、周波数がf1で第1スラ
イス110の厚みに対応した周波数帯域を有したRFパ
ルス101が送信用高周波コイル14aから被検体に照
射されるようにするとともにGs1方向に傾斜磁場201
が印加されるように傾斜磁場コイル9の選択とその傾斜
磁場コイルヘ電流が供給されるように制御が行われ
る。。そして、Gs1方向へ傾斜磁場201が印加された
状態で周波数f1のRFパルス101が印加されると、
被検体内の第1スライス110内の核スピンが励起され
る。このとき励起される核スピンの励起角度は総和的に
20°である。総和的に20°というのは、励起角度が
全ての核スピンについて同じではなく、中には20°よ
り小さいものや、20°より大きく90°励起されるも
のも含まれていて、それらの総和が20°であることを
示している。そして、傾斜磁場Gs1の極性を201に対
して反転し、201の印加量の1/2の印加量の傾斜磁
場202を印加する。これによって、スライス方向にお
ける核スピンの位相を合わせる。
1を時間の経過とともに説明する。パルスシーケンスが
起動されると、先ず初めに、シーケンサ4から送信系5
及び傾斜磁場電源10に対し、周波数がf1で第1スラ
イス110の厚みに対応した周波数帯域を有したRFパ
ルス101が送信用高周波コイル14aから被検体に照
射されるようにするとともにGs1方向に傾斜磁場201
が印加されるように傾斜磁場コイル9の選択とその傾斜
磁場コイルヘ電流が供給されるように制御が行われ
る。。そして、Gs1方向へ傾斜磁場201が印加された
状態で周波数f1のRFパルス101が印加されると、
被検体内の第1スライス110内の核スピンが励起され
る。このとき励起される核スピンの励起角度は総和的に
20°である。総和的に20°というのは、励起角度が
全ての核スピンについて同じではなく、中には20°よ
り小さいものや、20°より大きく90°励起されるも
のも含まれていて、それらの総和が20°であることを
示している。そして、傾斜磁場Gs1の極性を201に対
して反転し、201の印加量の1/2の印加量の傾斜磁
場202を印加する。これによって、スライス方向にお
ける核スピンの位相を合わせる。
【0022】この後、Gs2方向の傾斜磁場301を所定
量だけ印加して励起された第1スライス110内の核ス
ピンへ位置に応じた位相情報を付与する。また、Gs3方
向(読み出し方向)に所定量の傾斜磁場401を印加し
てGs3方向に対し前記励起された核スピンの位相拡散を
行う。
量だけ印加して励起された第1スライス110内の核ス
ピンへ位置に応じた位相情報を付与する。また、Gs3方
向(読み出し方向)に所定量の傾斜磁場401を印加し
てGs3方向に対し前記励起された核スピンの位相拡散を
行う。
【0023】次に、Gs3方向の傾斜磁場の極性を反転す
る。すると、Gs3402の印加によって拡散していた第
1スライス110内の全ての核スピンの整相(これをリ
フェイズという)がなされ、NMR信号が観測される。
そして、傾斜磁場Gs3402の印加とともにシーケンサ
4は受信系6を動作させて、受信用高周波コイル14b
で核スピンの回転による誘導電流をNMR信号501と
して検出する。検出されるNMR信号はGs3402の印
加開始後その印加量がGS3401の印加量と等量に成っ
た時点でピーク値となる。読み出し用傾斜磁場Gs340
2は、Gs3401の2倍の印加量となった時刻に印加終
了となる。以上の手順は、一般的にグラジェントエコー
法によるNMR信号計測法として広く知られているもの
である。
る。すると、Gs3402の印加によって拡散していた第
1スライス110内の全ての核スピンの整相(これをリ
フェイズという)がなされ、NMR信号が観測される。
そして、傾斜磁場Gs3402の印加とともにシーケンサ
4は受信系6を動作させて、受信用高周波コイル14b
で核スピンの回転による誘導電流をNMR信号501と
して検出する。検出されるNMR信号はGs3402の印
加開始後その印加量がGS3401の印加量と等量に成っ
た時点でピーク値となる。読み出し用傾斜磁場Gs340
2は、Gs3401の2倍の印加量となった時刻に印加終
了となる。以上の手順は、一般的にグラジェントエコー
法によるNMR信号計測法として広く知られているもの
である。
【0024】第1スライス110のNMR信号501の
計測が終了したところで第2スライスのNMR信号の計
測の準備がシーケンス上で次のように行われる。位相エ
ンコード傾斜磁場Gs2の極性を反転してGs2301の印
加量と同一の量を印加する。これにより第1スライス1
10内の核スピンに印加されていた位相エンコード量を
相殺(位相エンコード量をゼロに戻すことを意味す
る。)する。すなわち、Gs2方向への位相合わせをす
る。また、NMR信号の計測期間の終了後、Gs3方向傾
斜磁場はGs3402よりかなりの差を有すレベルまで上
げて所定時間印加する。これにより、第1スライス11
0内の核スピンのGs3方向への位相拡散を行う。このG
s3403の印加を行うのは、第2スライスの計測中に第
1スライス110の励起スピンによるアーチファクトを
生ずる信号が計測されないようにするためである。
計測が終了したところで第2スライスのNMR信号の計
測の準備がシーケンス上で次のように行われる。位相エ
ンコード傾斜磁場Gs2の極性を反転してGs2301の印
加量と同一の量を印加する。これにより第1スライス1
10内の核スピンに印加されていた位相エンコード量を
相殺(位相エンコード量をゼロに戻すことを意味す
る。)する。すなわち、Gs2方向への位相合わせをす
る。また、NMR信号の計測期間の終了後、Gs3方向傾
斜磁場はGs3402よりかなりの差を有すレベルまで上
げて所定時間印加する。これにより、第1スライス11
0内の核スピンのGs3方向への位相拡散を行う。このG
s3403の印加を行うのは、第2スライスの計測中に第
1スライス110の励起スピンによるアーチファクトを
生ずる信号が計測されないようにするためである。
【0025】次に第2スライス120の撮影のための励
起が行われる。第2スライス120は第1スライス11
0に直交しているので、スライス選択用傾斜磁場として
傾斜磁場Gs1と直交した傾斜磁場Gs2を用いる。第2ス
ライス120の励起は傾斜磁場Gs2303の印加の下
に、第2スライス120の位置と厚みに応じた周波数f
2と周波数帯域を有したRFパルス102を印加するこ
とで行われ、それらの印加のタイミングは第1スライス
110の励起からτ時間の経過後である。RFパルス1
02は第2スライス120内の核スピンを任意の角度だ
け倒すことでも良いが、この実施例では第1スライス1
10の励起と同一の20°パルスとして印加する。RF
パルス102は20°RFパルスとして印加するが、こ
れも総和的なものである。そして、このRFパルス10
2は第2スライス120と交差する第1スライス110
内の励起された核スピンにも作用し、中にはその核スピ
ンを180°励起することが生ずる。本実施例はこの現
象を利用している。
起が行われる。第2スライス120は第1スライス11
0に直交しているので、スライス選択用傾斜磁場として
傾斜磁場Gs1と直交した傾斜磁場Gs2を用いる。第2ス
ライス120の励起は傾斜磁場Gs2303の印加の下
に、第2スライス120の位置と厚みに応じた周波数f
2と周波数帯域を有したRFパルス102を印加するこ
とで行われ、それらの印加のタイミングは第1スライス
110の励起からτ時間の経過後である。RFパルス1
02は第2スライス120内の核スピンを任意の角度だ
け倒すことでも良いが、この実施例では第1スライス1
10の励起と同一の20°パルスとして印加する。RF
パルス102は20°RFパルスとして印加するが、こ
れも総和的なものである。そして、このRFパルス10
2は第2スライス120と交差する第1スライス110
内の励起された核スピンにも作用し、中にはその核スピ
ンを180°励起することが生ずる。本実施例はこの現
象を利用している。
【0026】第2スライス120内の核スピンの励起が
完了した時点で傾斜磁場Gs2の極性を反転してGs230
3の印加量の1/2の量のGs2304を印加して、第2
スライス120の厚み方向に対して核スピンの位相合わ
せを行う。そして、第2スライス120の位相エンコー
ド傾斜磁場Gs1203を所定量印加するとともに、読み
出し方向傾斜磁場Gs3 404を所定量印加する。この
Gs3404は励起された核スピンの読み出し方向への位
相拡散を行う。Gs3404の印加終了後、その極性を反
転しGs3405として印加され、その印加期間中にNM
R信号502の計測が行われる。このNMR信号502
の計測は第1スライス110のNMR信号501の計測
と同様にグラジェントエコー法計測であり、計測される
NMR信号502は第1スライス110と第2スライス
120の交差領域を含めた第2スライスからのNMR信
号となり、交差領域からの信号と交差領域を除いた第2
スライスからの信号とは強度がやや異なったものとな
る。
完了した時点で傾斜磁場Gs2の極性を反転してGs230
3の印加量の1/2の量のGs2304を印加して、第2
スライス120の厚み方向に対して核スピンの位相合わ
せを行う。そして、第2スライス120の位相エンコー
ド傾斜磁場Gs1203を所定量印加するとともに、読み
出し方向傾斜磁場Gs3 404を所定量印加する。この
Gs3404は励起された核スピンの読み出し方向への位
相拡散を行う。Gs3404の印加終了後、その極性を反
転しGs3405として印加され、その印加期間中にNM
R信号502の計測が行われる。このNMR信号502
の計測は第1スライス110のNMR信号501の計測
と同様にグラジェントエコー法計測であり、計測される
NMR信号502は第1スライス110と第2スライス
120の交差領域を含めた第2スライスからのNMR信
号となり、交差領域からの信号と交差領域を除いた第2
スライスからの信号とは強度がやや異なったものとな
る。
【0027】そして、RFパルス102の印加によるN
MR信号の計測完了後、位相エンコード傾斜磁場Gs1の
極性を反転したGs1204を印加して、励起核スピンの
位相エンコードを相殺する。傾斜磁場Gs3はNMR信号
502の計測完了後、さらに傾斜磁場Gs3406,Gs3
407として印加し続けられるとともに、Gs3406の
印加時は傾斜磁場Gs1205と傾斜磁場Gs2305とが
同時に印加される。これらの傾斜磁場のうち、Gs340
6はGs3403と同じ役目をし、Gs3407はNMR信
号(これはスピンエコー信号である。)503の発生の
ためのものであ。したがって傾斜磁場Gs3の印加を時間
経過で見たときに、〔Gs3(401)+Gs3(402)
+Gs3(403)〕と〔Gs3(404)+Gs3(40
5)+Gs3(406)+Gs3(407)/2〕とが等し
くなるように印加されなければならない。また、傾斜磁
場Gs1205は交差領域130から発生するスピンエコ
ー信号503へ付与する位相エンコードのための、そし
て傾斜磁場Gs2305は交差領域130内の核スピンへ
スライスエンコードを付与するためのものである。な
お、NMR信号503がスピンエコー信号として発生す
るり理由は、前にも述べたように、第1スライス110
の励起RFパルス101により90°励起される核スピ
ンがあり、そして第2スライス120の励起RFパルス
102がその核スピンを更に180°励起することを含
むことによるもので、スピンエコー信号503のピーク
値はRFパルス101の印加期間の中央から2τ時間の
経過後の時刻に発生する。
MR信号の計測完了後、位相エンコード傾斜磁場Gs1の
極性を反転したGs1204を印加して、励起核スピンの
位相エンコードを相殺する。傾斜磁場Gs3はNMR信号
502の計測完了後、さらに傾斜磁場Gs3406,Gs3
407として印加し続けられるとともに、Gs3406の
印加時は傾斜磁場Gs1205と傾斜磁場Gs2305とが
同時に印加される。これらの傾斜磁場のうち、Gs340
6はGs3403と同じ役目をし、Gs3407はNMR信
号(これはスピンエコー信号である。)503の発生の
ためのものであ。したがって傾斜磁場Gs3の印加を時間
経過で見たときに、〔Gs3(401)+Gs3(402)
+Gs3(403)〕と〔Gs3(404)+Gs3(40
5)+Gs3(406)+Gs3(407)/2〕とが等し
くなるように印加されなければならない。また、傾斜磁
場Gs1205は交差領域130から発生するスピンエコ
ー信号503へ付与する位相エンコードのための、そし
て傾斜磁場Gs2305は交差領域130内の核スピンへ
スライスエンコードを付与するためのものである。な
お、NMR信号503がスピンエコー信号として発生す
るり理由は、前にも述べたように、第1スライス110
の励起RFパルス101により90°励起される核スピ
ンがあり、そして第2スライス120の励起RFパルス
102がその核スピンを更に180°励起することを含
むことによるもので、スピンエコー信号503のピーク
値はRFパルス101の印加期間の中央から2τ時間の
経過後の時刻に発生する。
【0028】そして、スピンエコー信号503の計測が
終了した時点で、読み出し傾斜磁場Gs3407の印加は
終了する。これらの傾斜磁場の印加により、第1スライ
ス110と第2スライス120との交差領域を3次元計
測する。
終了した時点で、読み出し傾斜磁場Gs3407の印加は
終了する。これらの傾斜磁場の印加により、第1スライ
ス110と第2スライス120との交差領域を3次元計
測する。
【0029】そして、以上のパルスシーケンスを実行し
て計測されたNMR信号501,502,及び503
は、それぞれ別個のメモリ(これは、通常、k空間と呼
ばれる記憶アドレスを有している)へ記憶される。
て計測されたNMR信号501,502,及び503
は、それぞれ別個のメモリ(これは、通常、k空間と呼
ばれる記憶アドレスを有している)へ記憶される。
【0030】次に、傾斜磁場Gs3407の印加終了後、
所定の待ち時間をおいて、すなわち、RFパルス101
の印加からTR時間の経過後にRFパルス101を再び
印加して、以上のパルスシーケンスが繰り返して実行さ
れる。この繰り返しに際して、第1スライス110の位
相エンコード傾斜磁場とそれを相殺する傾斜磁場、及び
第2スライス120の位相エンコード傾斜磁場とそれを
相殺する傾斜磁場はパルスシーケンの繰り返し毎にステ
ップ状にその強度を変化させるとともに、交差領域13
0の位相エンコード傾斜磁場とスライスエンコード傾斜
磁場は位相エンコードの各ステップ毎にスライスエンコ
ードを全ステップ変化させるようなやり方で双方の傾斜
磁場を変化させる。
所定の待ち時間をおいて、すなわち、RFパルス101
の印加からTR時間の経過後にRFパルス101を再び
印加して、以上のパルスシーケンスが繰り返して実行さ
れる。この繰り返しに際して、第1スライス110の位
相エンコード傾斜磁場とそれを相殺する傾斜磁場、及び
第2スライス120の位相エンコード傾斜磁場とそれを
相殺する傾斜磁場はパルスシーケンの繰り返し毎にステ
ップ状にその強度を変化させるとともに、交差領域13
0の位相エンコード傾斜磁場とスライスエンコード傾斜
磁場は位相エンコードの各ステップ毎にスライスエンコ
ードを全ステップ変化させるようなやり方で双方の傾斜
磁場を変化させる。
【0031】そして、第1スライス110及び第2スラ
イス120の位相エンコード傾斜磁場は撮影視野の大き
さによってその強度が設定されるとともに、所望とする
画像の空間分解能と時間分解能とによってそのステップ
数が設定される。例えば、位相エンコード傾斜磁場は6
4,128,256程度が良い。また、読み出し傾斜磁
場も撮影視野の大きさに応じてその強度が設定され、信
号計測のサンプリング数は所望とする空間分解能に応じ
て64,128,256のように設定される。
イス120の位相エンコード傾斜磁場は撮影視野の大き
さによってその強度が設定されるとともに、所望とする
画像の空間分解能と時間分解能とによってそのステップ
数が設定される。例えば、位相エンコード傾斜磁場は6
4,128,256程度が良い。また、読み出し傾斜磁
場も撮影視野の大きさに応じてその強度が設定され、信
号計測のサンプリング数は所望とする空間分解能に応じ
て64,128,256のように設定される。
【0032】次に、交差領域130の計測に対する位相
エンコード傾斜磁場とスライスエンコード傾斜磁場の設
定について説明する。交差領域130は、第1スライス
110のスライス厚と第2スライス120のスライス厚
とを横断面の辺とし、2つのスライスの読み出し方向を
長さとする柱状体である。これの3次元計測は、第1ス
ライス110の位相エンコード方向をスライスエンコー
ド方向に、また第2スライス120の位相エンコード方
向を同じく位相エンコード方向にして行う。図1に示す
パルスシーケンスは第1スライス110又は第2スライ
ス120の位相エンコードステップだけ繰り返して行わ
れるので、交差領域130の位相エンコードステップ数
とスライスエンコードステップ数との積がそれに等しく
なるように設定する。例えば2つのスライス110及び
120の位相エンコードステップが64であれば交差領
域130の位相エンコードステップ数とスライスエンコ
ードステップ数の積を64に、また128であれば12
8に設定する。例えば一例として、交差領域130の位
相エンコードステップ数とスライスエンコードステップ
数の積が64の場合には、位相エンコードステップ数を
8とし、スライスエンコードステップ数を8とする。こ
の場合、第1スライス110と第2スライス120のス
ライス厚が例えば10mmのときには、交差領域130
の画像の位相方向の空間分解能は1.25mm(10/
8mm)となる。したがって、第1スライス110と第
2スライス120の撮像視野(FOV)を例えば、16
0×160(mm)とし、それらの画像計測の画素数を
64×64とした場合は非交差領域の空間分解能は約
2.5×2.5(mm)であるので、交差領域130の
位相エンコード方向の空間分解能は2倍に向上したこと
になる。
エンコード傾斜磁場とスライスエンコード傾斜磁場の設
定について説明する。交差領域130は、第1スライス
110のスライス厚と第2スライス120のスライス厚
とを横断面の辺とし、2つのスライスの読み出し方向を
長さとする柱状体である。これの3次元計測は、第1ス
ライス110の位相エンコード方向をスライスエンコー
ド方向に、また第2スライス120の位相エンコード方
向を同じく位相エンコード方向にして行う。図1に示す
パルスシーケンスは第1スライス110又は第2スライ
ス120の位相エンコードステップだけ繰り返して行わ
れるので、交差領域130の位相エンコードステップ数
とスライスエンコードステップ数との積がそれに等しく
なるように設定する。例えば2つのスライス110及び
120の位相エンコードステップが64であれば交差領
域130の位相エンコードステップ数とスライスエンコ
ードステップ数の積を64に、また128であれば12
8に設定する。例えば一例として、交差領域130の位
相エンコードステップ数とスライスエンコードステップ
数の積が64の場合には、位相エンコードステップ数を
8とし、スライスエンコードステップ数を8とする。こ
の場合、第1スライス110と第2スライス120のス
ライス厚が例えば10mmのときには、交差領域130
の画像の位相方向の空間分解能は1.25mm(10/
8mm)となる。したがって、第1スライス110と第
2スライス120の撮像視野(FOV)を例えば、16
0×160(mm)とし、それらの画像計測の画素数を
64×64とした場合は非交差領域の空間分解能は約
2.5×2.5(mm)であるので、交差領域130の
位相エンコード方向の空間分解能は2倍に向上したこと
になる。
【0033】交差領域130を読み出し方向にも空間分
解能を向上する場合には、読み出し方向の傾斜磁場Gs3
の強度を変えずに、サンプリング数を増加することが必
要である。例えば、第1スライス110と第2スライス
120の読み出し方向のサンプリング数を64とした場
合には、交差領域130の計測においてはサンプリング
数を128にする。これにより、例えば第1スライス1
10と第2スライス120の読み出し方向のFOVを1
60mmとしたときには、交差領域130の読み出し方
向の空間分解能を前記位相エンコード方向の1.25m
mと同じ値にすることができる。なお、交差領域130
の計測についてのサンプリング数と位相エンコードステ
ップ数の組合せは様々な組合せが考えられるが、空間分
解能を高め過ぎるとS/Nが低下するので、交差領域の
空間分解能は非交差領域の2倍程度に抑えるのが望まし
いと考えられるが、非交差領域の空間分解能を低くし
て、画像の時間分解能を高めることに主眼をおいて撮像
する場合にはその限りではない。
解能を向上する場合には、読み出し方向の傾斜磁場Gs3
の強度を変えずに、サンプリング数を増加することが必
要である。例えば、第1スライス110と第2スライス
120の読み出し方向のサンプリング数を64とした場
合には、交差領域130の計測においてはサンプリング
数を128にする。これにより、例えば第1スライス1
10と第2スライス120の読み出し方向のFOVを1
60mmとしたときには、交差領域130の読み出し方
向の空間分解能を前記位相エンコード方向の1.25m
mと同じ値にすることができる。なお、交差領域130
の計測についてのサンプリング数と位相エンコードステ
ップ数の組合せは様々な組合せが考えられるが、空間分
解能を高め過ぎるとS/Nが低下するので、交差領域の
空間分解能は非交差領域の2倍程度に抑えるのが望まし
いと考えられるが、非交差領域の空間分解能を低くし
て、画像の時間分解能を高めることに主眼をおいて撮像
する場合にはその限りではない。
【0034】次に、以上の計測データを画像化する手法
について説明する。先ず、第1スライス110及び第2
スライス120については、各メモリに記憶された計測
データを2次元フーリエ変換し、各スライスの画像再構
成を行う。これは通常のMRI装置における画像再構成手
法として公知であるので、詳細な説明は省略する。これ
らの画像は交差領域130の画像と合成するために一時
記憶しておく。
について説明する。先ず、第1スライス110及び第2
スライス120については、各メモリに記憶された計測
データを2次元フーリエ変換し、各スライスの画像再構
成を行う。これは通常のMRI装置における画像再構成手
法として公知であるので、詳細な説明は省略する。これ
らの画像は交差領域130の画像と合成するために一時
記憶しておく。
【0035】次に、交差領域130の画像化について説
明する。交差領域130の計測データは3次元計測デー
タであるので、これらを第1スライス110及び第2ス
ライス120のスライスに沿った画像とする必要があ
る。交差領域130の計測データについて第1スライス
110に沿った画像化を行うには、3次元データを2次
元データへ変換した後に2次元フーリエ変換する必要が
ある。3次元データを2次元データ化する手法として
は、(1)単純に第1スライス110のスライス厚方向
に3次元データを積算(絶対値又は複素数で)する、
(2)第1スライスのスライス厚方向に3次元データの
加算平均をとる、(3)MIP(Maximum In
tensity Projection:最大値投影)
処理を行う、等の種々の方法を採用することができる。
このような方法によって2次元化した交差領域130の
計測データを2次元フーリエ変換することにより、交差
領域130を第1スライス110に沿った画像とする。
そして、この画像を一時記憶する。
明する。交差領域130の計測データは3次元計測デー
タであるので、これらを第1スライス110及び第2ス
ライス120のスライスに沿った画像とする必要があ
る。交差領域130の計測データについて第1スライス
110に沿った画像化を行うには、3次元データを2次
元データへ変換した後に2次元フーリエ変換する必要が
ある。3次元データを2次元データ化する手法として
は、(1)単純に第1スライス110のスライス厚方向
に3次元データを積算(絶対値又は複素数で)する、
(2)第1スライスのスライス厚方向に3次元データの
加算平均をとる、(3)MIP(Maximum In
tensity Projection:最大値投影)
処理を行う、等の種々の方法を採用することができる。
このような方法によって2次元化した交差領域130の
計測データを2次元フーリエ変換することにより、交差
領域130を第1スライス110に沿った画像とする。
そして、この画像を一時記憶する。
【0036】以上と同じようにして、交差領域130の
計測データを第2スライス120のスライス厚方向に2
次元化し同様に画像再構成する。そしてこの画像も一時
記憶する。
計測データを第2スライス120のスライス厚方向に2
次元化し同様に画像再構成する。そしてこの画像も一時
記憶する。
【0037】このようにして得られた4つの画像を次の
ように合成してディスプレイ装置28へ表示する。すな
わち、最初に第1スライス110の画像と交差領域13
0の第1スライス110に沿った画像を合成して図3に
示すような画像を形成して表示する。次に第2スライス
120の画像と第2スライス120に沿った交差領域1
30の合成画像を表示する。このような表示処理を撮像
終了毎に順次行う。画像の合成は、スライス画像へ交差
領域の画像を重畳するか又は加算して表示する方法、ま
たはスライス画像へ交差領域の画像をはめ込んで表示す
る方法を採用することで可能である。なお二つの合成画
像を表示器の画面へ並べて同時に観察できるようにする
ことも既に公知となっている技術により容易に可能であ
る。
ように合成してディスプレイ装置28へ表示する。すな
わち、最初に第1スライス110の画像と交差領域13
0の第1スライス110に沿った画像を合成して図3に
示すような画像を形成して表示する。次に第2スライス
120の画像と第2スライス120に沿った交差領域1
30の合成画像を表示する。このような表示処理を撮像
終了毎に順次行う。画像の合成は、スライス画像へ交差
領域の画像を重畳するか又は加算して表示する方法、ま
たはスライス画像へ交差領域の画像をはめ込んで表示す
る方法を採用することで可能である。なお二つの合成画
像を表示器の画面へ並べて同時に観察できるようにする
ことも既に公知となっている技術により容易に可能であ
る。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来技術に比較して、被検体内の交差する二つの断面を高
時間分解能で表示することができ、かつ交差領域は高空
間分解能を有するとともに交差する二つの断面と同じ時
間分解能を維持して画像表示することができるので、カ
テーテルや穿刺針を用いた画像観察下の治療において、
被検体内におけるカテーテルや穿刺針の先端をその交差
領域で画像化することにより、それらを2方向から明瞭
に表示することができる。
来技術に比較して、被検体内の交差する二つの断面を高
時間分解能で表示することができ、かつ交差領域は高空
間分解能を有するとともに交差する二つの断面と同じ時
間分解能を維持して画像表示することができるので、カ
テーテルや穿刺針を用いた画像観察下の治療において、
被検体内におけるカテーテルや穿刺針の先端をその交差
領域で画像化することにより、それらを2方向から明瞭
に表示することができる。
【図1】本発明のパルスシーケンス図。
【図2】本発明の交差2断面の画像形成の概念を示す
図。
図。
【図3】本発明で得られる画像の特徴を説明する図。
【図4】本発明を実施するMRI装置の構成を示すブロ
ック図。
ック図。
【符号の説明】 101〜103…RFパルス 110…第1スライス 120…第2スライス 130…交差領域 201〜205…第1の方向の傾斜磁場 301〜305…第2の方向の傾斜磁場 401〜407…読み出し方向傾斜磁場 501,502…グラジェントエコー信号 503…スピンエコー信号
Claims (2)
- 【請求項1】 第1の励起パルスによって被検体内の所
定位置の第1の断面を励起して第1のエコー信号を計測
し、このエコー信号の計測後第2の励起パルスによって
前記被検体内の所定位置の第1の断面に交差する第2の
断面を励起して第2のエコー信号を計測し、この第2の
エコー信号の計測後前記第1及び第2の断面の交差領域
を3次元領域と見なして前記第1及び第2の励起パルス
によって生ずる第3のエコー信号を計測するとともに、
前記3つのエコー信号の計測終了後第1の断面の画像と
前記交差領域の画像とを、及び前記第2の断面の画像と
前記交差領域の画像とを合成して表示することを特徴と
する磁気共鳴イメージング方法。 - 【請求項2】 被検体に静磁場を与える静磁場発生手段
と、前記静磁場に傾斜磁場を与える傾斜磁場発生手段
と、前記被検体へ核磁気共鳴現象を起こさせる高周波パ
ルスを発生する手段と、前記被検体から生ずる核磁気共
鳴信号を検出する検出系と、前記検出された核磁気共鳴
信号を用いて画像を生成する手段と、前記画像を表示す
る手段と、前記高周波パルス発生手段と前記傾斜磁場発
生手段と前記検出系と前記画像生成手段とを制御する制
御装置とを有した磁気共鳴イメージング装置において、
前記制御装置は、前記高周波パルス発生手段と前記傾斜
磁場発生手段とを制御し、互いに交差する2つのスライ
スを順次選択励記して各スライスからのエコー信号を計
測するとともに、前記2つのスライスの励起によって前
記2つのスライスの交差領域から生ずるエコー信号を前
記2つのスライスからのエコー信号とは別個に計測し、
前記画像生成手段によって前記3つのエコー信号を用い
て前記2つのスライス画像を生成し、生成された2つの
スライス画像を前記画像表示手段に表示することを特徴
とする磁気共鳴イメージング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11129290A JP2000316830A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 磁気共鳴イメージング方法及びそれを用いた磁気共鳴イメージング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11129290A JP2000316830A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 磁気共鳴イメージング方法及びそれを用いた磁気共鳴イメージング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000316830A true JP2000316830A (ja) | 2000-11-21 |
Family
ID=15005931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11129290A Pending JP2000316830A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 磁気共鳴イメージング方法及びそれを用いた磁気共鳴イメージング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000316830A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6961608B2 (en) | 2000-06-05 | 2005-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interventional MR imaging with detection and display of device position |
| JP2008537492A (ja) * | 2005-02-03 | 2008-09-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Mrマルチスライス定常状態自由歳差運動イメージング |
| JP2011045627A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 磁気共鳴イメージング装置およびプログラム |
| JP2011168995A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Yasuda Engineering Kk | 推進シールド工法におけるシールド掘進機の掘進方向制御装置 |
| KR101916359B1 (ko) | 2012-04-05 | 2018-11-07 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 자기 공명 시스템을 제어하기 위한 방법 및 제어 디바이스 |
-
1999
- 1999-05-10 JP JP11129290A patent/JP2000316830A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6961608B2 (en) | 2000-06-05 | 2005-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interventional MR imaging with detection and display of device position |
| US7920911B2 (en) | 2000-06-05 | 2011-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interventional MR imaging with detection and display of device position |
| JP2008537492A (ja) * | 2005-02-03 | 2008-09-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Mrマルチスライス定常状態自由歳差運動イメージング |
| JP2011045627A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 磁気共鳴イメージング装置およびプログラム |
| JP2011168995A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Yasuda Engineering Kk | 推進シールド工法におけるシールド掘進機の掘進方向制御装置 |
| KR101916359B1 (ko) | 2012-04-05 | 2018-11-07 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 자기 공명 시스템을 제어하기 위한 방법 및 제어 디바이스 |
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