JP2000319775A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JP2000319775A JP2000319775A JP11126913A JP12691399A JP2000319775A JP 2000319775 A JP2000319775 A JP 2000319775A JP 11126913 A JP11126913 A JP 11126913A JP 12691399 A JP12691399 A JP 12691399A JP 2000319775 A JP2000319775 A JP 2000319775A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 利用効率に優れた複雑な形状のＩＴＯスパッ
タリングタ−ゲットを簡便に、かつ低コストで製造す
る。 【解決手段】 酸化インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）を含
有する粉末を型充填して一軸加圧成形し、ついで再加圧
用の型を用いて更に一軸加圧成形した後、焼成すること
によりスパッタリングタ−ゲットを得る。
タリングタ−ゲットを簡便に、かつ低コストで製造す
る。 【解決手段】 酸化インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）を含
有する粉末を型充填して一軸加圧成形し、ついで再加圧
用の型を用いて更に一軸加圧成形した後、焼成すること
によりスパッタリングタ−ゲットを得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＥＬディスプレイ、液晶
ディスプレイ、面発熱体、タッチパネルなどに用いられ
る透明導電膜をスパッタリング法で形成する際に使用さ
れるスパッタリングタ−ゲットに関するものである。
ディスプレイ、面発熱体、タッチパネルなどに用いられ
る透明導電膜をスパッタリング法で形成する際に使用さ
れるスパッタリングタ−ゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶を中心とする表示デバイスの発展に
伴い透明導電膜の需要が増加しているなか、液晶の透明
導電膜は低抵抗、高透明性という点で酸化インジウム−
酸化錫（以下、ＩＴＯという）膜が広く用いられてい
る。
伴い透明導電膜の需要が増加しているなか、液晶の透明
導電膜は低抵抗、高透明性という点で酸化インジウム−
酸化錫（以下、ＩＴＯという）膜が広く用いられてい
る。
【０００３】ＩＴＯ透明導電膜の形成方法としては、成
膜コントロ−ルの容易さという点からスパッタリング法
が主流となっており、なかでも磁界によりスパッタリン
グ中のプラズマをターゲット表面の一部に集中させて成
膜速度を大きくするマグネトロンスパッタリング法が広
く適用されている。
膜コントロ−ルの容易さという点からスパッタリング法
が主流となっており、なかでも磁界によりスパッタリン
グ中のプラズマをターゲット表面の一部に集中させて成
膜速度を大きくするマグネトロンスパッタリング法が広
く適用されている。
【０００４】マグネトロンスパッタリング法は、ターゲ
ットの周囲に設置された一組の磁石により形成される磁
界を用いてプラズマをターゲット表面の一部に集中させ
ることが可能なため、高い成膜速度が得られるものの、
従来の平板形状タ−ゲットではその一部にプラズマが集
中する結果、ターゲット表面にはエロ−ジョン領域と呼
ばれる偏磨耗部が形成される。そのため、従来のプレー
ナーターゲットではその利用効率がたかだか２０数％に
過ぎないという問題点があった。
ットの周囲に設置された一組の磁石により形成される磁
界を用いてプラズマをターゲット表面の一部に集中させ
ることが可能なため、高い成膜速度が得られるものの、
従来の平板形状タ−ゲットではその一部にプラズマが集
中する結果、ターゲット表面にはエロ−ジョン領域と呼
ばれる偏磨耗部が形成される。そのため、従来のプレー
ナーターゲットではその利用効率がたかだか２０数％に
過ぎないという問題点があった。
【０００５】このようなターゲットの偏磨耗による利用
効率の低下を解消する方法として、図２または図３に示
すようにターゲットのエロ−ジョン領域にあたる部分の
ターゲット厚さをその周囲よりも厚くして全体としてタ
ーゲットを均一に消費させることにより利用効率を向上
させたスパッタリングターゲットが知られており、かか
る形状のスパッタリングタ−ゲットを製造する方法とし
ては、鋳込み成形法および射出成形法（例えば、特開平
１−２９０７６４号公報）などを例示することができ
る。これらの方法では焼成するだけで、ほぼ所望の形状
の焼結体となる成形体を製造することができるが、乾燥
工程や脱脂工程などにより製造に長時間を要した。ま
た、一旦、平板形状のタ−ゲットを成形あるいは焼成し
た後、機械加工を行う方法も考えられるが、加工ロスお
よび加工費の増加も予想されることから製造上のメリッ
トは見出せない。
効率の低下を解消する方法として、図２または図３に示
すようにターゲットのエロ−ジョン領域にあたる部分の
ターゲット厚さをその周囲よりも厚くして全体としてタ
ーゲットを均一に消費させることにより利用効率を向上
させたスパッタリングターゲットが知られており、かか
る形状のスパッタリングタ−ゲットを製造する方法とし
ては、鋳込み成形法および射出成形法（例えば、特開平
１−２９０７６４号公報）などを例示することができ
る。これらの方法では焼成するだけで、ほぼ所望の形状
の焼結体となる成形体を製造することができるが、乾燥
工程や脱脂工程などにより製造に長時間を要した。ま
た、一旦、平板形状のタ−ゲットを成形あるいは焼成し
た後、機械加工を行う方法も考えられるが、加工ロスお
よび加工費の増加も予想されることから製造上のメリッ
トは見出せない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、セラ
ミックスの成形法として最も一般的で、簡便、低コスト
な一軸加圧成形法を用いて、従来、鋳込成形や射出成形
によって得ていた利用効率に優れた形状のＩＴＯスパッ
タリングタ−ゲットを製造することにある。
ミックスの成形法として最も一般的で、簡便、低コスト
な一軸加圧成形法を用いて、従来、鋳込成形や射出成形
によって得ていた利用効率に優れた形状のＩＴＯスパッ
タリングタ−ゲットを製造することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記課題を
解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成するに
至った。
解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成するに
至った。
【０００８】すなわち本発明は、インジウム、錫および
酸素から実質的になるスパッタリングタ−ゲットの製造
方法において、酸化インジウム−酸化錫を含有する粉末
を型充填して一軸加圧成形し、ついで再加圧用の型を用
いて更に一軸加圧成形した後、焼成することを特徴とす
るスパッタリングタ−ゲットの製造方法に関する。
酸素から実質的になるスパッタリングタ−ゲットの製造
方法において、酸化インジウム−酸化錫を含有する粉末
を型充填して一軸加圧成形し、ついで再加圧用の型を用
いて更に一軸加圧成形した後、焼成することを特徴とす
るスパッタリングタ−ゲットの製造方法に関する。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１０】本発明の方法によって得られるタ−ゲット
形状としては例えば、図２に示すようなプレーナーター
ゲット上のエロ−ジョン形成領域のターゲット厚さを、
その偏磨耗の割合に応じて厚くしたもの（図２はターゲ
ットのスパッタ面に垂直な面で切断した断面図を示
す）、あるいは図３に示すように、ターゲットをエロ−
ジョン領域のみに形成させた環状のターゲットを例示す
ることができる。これら上述したようなターゲットのエ
ロージョン領域の範囲およびその偏磨耗の割合は、使用
済のプレーナーターゲットの表面形状を測定することに
より決定することができる。この際、少なくとも全ター
ゲット重量の８０％以上が上記エロージョン領域内に存
在するようにその形状を設計することが好ましい。
形状としては例えば、図２に示すようなプレーナーター
ゲット上のエロ−ジョン形成領域のターゲット厚さを、
その偏磨耗の割合に応じて厚くしたもの（図２はターゲ
ットのスパッタ面に垂直な面で切断した断面図を示
す）、あるいは図３に示すように、ターゲットをエロ−
ジョン領域のみに形成させた環状のターゲットを例示す
ることができる。これら上述したようなターゲットのエ
ロージョン領域の範囲およびその偏磨耗の割合は、使用
済のプレーナーターゲットの表面形状を測定することに
より決定することができる。この際、少なくとも全ター
ゲット重量の８０％以上が上記エロージョン領域内に存
在するようにその形状を設計することが好ましい。
【００１１】本発明において用いられるＩＴＯ粉末は、
市販の酸化インジウム粉末および酸化錫粉末からなる混
合粉、あるいは共沈法などの方法によって得られるＩＴ
Ｏ粉末を適宜用いることができる。この際、全粉末中の
酸化インジウムの含有量は、７０重量％以上であること
が望ましい。さらに、酸化スズの含有量としては、３〜
１５重量％がより望ましい。また、使用する粉末の平均
粒径は５０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは１０
μｍ以下である。更に、スパッタ後に得られる透明導電
膜の導電性、光透過性を向上させるために上記粉末に必
要に応じて第三成分を添加してもなんら差し支えない。
市販の酸化インジウム粉末および酸化錫粉末からなる混
合粉、あるいは共沈法などの方法によって得られるＩＴ
Ｏ粉末を適宜用いることができる。この際、全粉末中の
酸化インジウムの含有量は、７０重量％以上であること
が望ましい。さらに、酸化スズの含有量としては、３〜
１５重量％がより望ましい。また、使用する粉末の平均
粒径は５０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは１０
μｍ以下である。更に、スパッタ後に得られる透明導電
膜の導電性、光透過性を向上させるために上記粉末に必
要に応じて第三成分を添加してもなんら差し支えない。
【００１２】さらに、粉末には流動性向上などのために
顆粒化を行ったり、成形体の割れ防止および強度や密度
向上などのために結合剤、滑剤などの添加を行ってもか
まわない。結合剤、滑剤などの添加を行った場合には、
成形後それらを取り除くための脱脂工程を加えることが
望ましい。
顆粒化を行ったり、成形体の割れ防止および強度や密度
向上などのために結合剤、滑剤などの添加を行ってもか
まわない。結合剤、滑剤などの添加を行った場合には、
成形後それらを取り除くための脱脂工程を加えることが
望ましい。
【００１３】このように調製したＩＴＯ粉末を続いて成
形するが、本発明においては粉末を型に充填する際およ
び加圧する際、それぞれに最適な形状のパンチで順次一
軸加圧成形することを特徴としている。これは得ようと
するスパッタリングタ−ゲット形状が部位によって厚さ
が異なることに起因し、焼成後に所定の形状となる密度
の均一な成形体を得るために、それぞれの部位によって
必要とする粉末量、および所定加圧圧力までのパンチス
トロ−クが異なっていることに対応するためである。薄
い部位では必要な粉末量も少なくストロ−クも短いのに
対し、厚い部分では必要とする粉末量も多くストロ−ク
も長い。一般的な一軸加圧成形法の場合、粉末充填時も
加圧時も同一パンチで行うために、厚い部分の粉末量不
足あるいはストロ−ク不足が生じ、成形体に密度の不均
一を招き、このような場合焼成しても、その焼結体に寸
法不良、変形や割れが起こる（具体的には、厚い部分が
低密度となって、そってしまう）。これに対し、本発明
では粉末充填時と加圧時にそれぞれに最適な形状のパン
チを順次使用することによって、粉末に最適充填量およ
び最適加圧ストロ−クを与え、焼成後に所定の形状とな
る密度の均一な成形体を得ることができる。
形するが、本発明においては粉末を型に充填する際およ
び加圧する際、それぞれに最適な形状のパンチで順次一
軸加圧成形することを特徴としている。これは得ようと
するスパッタリングタ−ゲット形状が部位によって厚さ
が異なることに起因し、焼成後に所定の形状となる密度
の均一な成形体を得るために、それぞれの部位によって
必要とする粉末量、および所定加圧圧力までのパンチス
トロ−クが異なっていることに対応するためである。薄
い部位では必要な粉末量も少なくストロ−クも短いのに
対し、厚い部分では必要とする粉末量も多くストロ−ク
も長い。一般的な一軸加圧成形法の場合、粉末充填時も
加圧時も同一パンチで行うために、厚い部分の粉末量不
足あるいはストロ−ク不足が生じ、成形体に密度の不均
一を招き、このような場合焼成しても、その焼結体に寸
法不良、変形や割れが起こる（具体的には、厚い部分が
低密度となって、そってしまう）。これに対し、本発明
では粉末充填時と加圧時にそれぞれに最適な形状のパン
チを順次使用することによって、粉末に最適充填量およ
び最適加圧ストロ−クを与え、焼成後に所定の形状とな
る密度の均一な成形体を得ることができる。
【００１４】本発明における一軸加圧成形法に用いる型
の簡単な設計手順としては 適当な加圧成形用型を用い、成形しようとする圧力
で一軸加圧成形を行い、使用する粉末の加圧前／加圧後
の加圧方向の寸法比（以後、圧縮比という）を測定す
る。
の簡単な設計手順としては 適当な加圧成形用型を用い、成形しようとする圧力
で一軸加圧成形を行い、使用する粉末の加圧前／加圧後
の加圧方向の寸法比（以後、圧縮比という）を測定す
る。
【００１５】 で得られた成形体を焼成し、その焼
結体の寸法を測定し、加圧方向および加圧方向に垂直な
方向の収縮率を算出する。
結体の寸法を測定し、加圧方向および加圧方向に垂直な
方向の収縮率を算出する。
【００１６】 目的とする焼結体形状とで求めた収
縮率とから成形体の形状を決定する。 型の内部形状を成形体形状の加圧方向に投影した面
形状とする。
縮率とから成形体の形状を決定する。 型の内部形状を成形体形状の加圧方向に投影した面
形状とする。
【００１７】 成形体各部位の厚さと圧縮比とから必
要粉末充填高さ（粉末量に相当する）を算出し、それに
対応する粉末充填用パンチの成形体に接する面の形状を
定める。成形体の厚い部位に対してパンチ面は凹んだ形
状となり、その深さは成形体の厚い部位と薄い部位の粉
末充填高さの差とする。
要粉末充填高さ（粉末量に相当する）を算出し、それに
対応する粉末充填用パンチの成形体に接する面の形状を
定める。成形体の厚い部位に対してパンチ面は凹んだ形
状となり、その深さは成形体の厚い部位と薄い部位の粉
末充填高さの差とする。
【００１８】 成形体各部位の厚さに対応する加圧用
パンチの成形体に接する面の形状を定める。成形体の厚
い部位に対してパンチ面は凹んだ形状となり、その深さ
は成形体の厚い部位と薄い部位の寸法の差とする。
パンチの成形体に接する面の形状を定める。成形体の厚
い部位に対してパンチ面は凹んだ形状となり、その深さ
は成形体の厚い部位と薄い部位の寸法の差とする。
【００１９】 型およびパンチの外寸等は型材の強
度、最大粉末充填高さなどから定める。となる。ここに
おいてパンチストロ−クの成形体部位による差は、粉末
充填用パンチと加圧用パンチの凹み深さの差に相当す
る。
度、最大粉末充填高さなどから定める。となる。ここに
おいてパンチストロ−クの成形体部位による差は、粉末
充填用パンチと加圧用パンチの凹み深さの差に相当す
る。
【００２０】具体的な方法としては図１（ａ）〜（ｄ）
に示すように、型１に粉末充填用パンチ３をセットし、
粉末２を充填した（図１（ａ））後、型１を粉末充填用
パンチ３に対して上方に若干持ち上げ、パンチ４をセッ
トする。そして上下方向に第１回目の一軸加圧を実施す
る（図１（ｂ））。第１回目の一軸加圧の圧力として
は、次に実施する第２回目の一軸加圧圧力の２／３以
下、具体的には３３３ｋｇｆ／ｃｍ2以下とすることが
望ましい。また、加圧保持時間としては３０〜１８０秒
であることが望ましい。
に示すように、型１に粉末充填用パンチ３をセットし、
粉末２を充填した（図１（ａ））後、型１を粉末充填用
パンチ３に対して上方に若干持ち上げ、パンチ４をセッ
トする。そして上下方向に第１回目の一軸加圧を実施す
る（図１（ｂ））。第１回目の一軸加圧の圧力として
は、次に実施する第２回目の一軸加圧圧力の２／３以
下、具体的には３３３ｋｇｆ／ｃｍ2以下とすることが
望ましい。また、加圧保持時間としては３０〜１８０秒
であることが望ましい。
【００２１】第１回目の一軸加圧が終了した後、型１お
よびパンチ３、４を上下逆さまにし、型１から粉末充填
用パンチ３を抜き、かわりに成形体加圧用パンチ５を入
れてから（図１（ｃ））、上下方向に第２回目の一軸加
圧を実施する（図１（ｄ））。第２回目の一軸加圧の圧
力としては１００ｋｇｆ／ｃｍ2以上が望ましく、プレ
ス型の磨耗を抑制し、成形体自体にラミネーションクラ
ックが発生するのを防止するためは、１５０〜５００ｋ
ｇｆ／ｃｍ2がより好ましい。また、加圧保持時間とし
ては３０〜１８０秒であることが望ましい。
よびパンチ３、４を上下逆さまにし、型１から粉末充填
用パンチ３を抜き、かわりに成形体加圧用パンチ５を入
れてから（図１（ｃ））、上下方向に第２回目の一軸加
圧を実施する（図１（ｄ））。第２回目の一軸加圧の圧
力としては１００ｋｇｆ／ｃｍ2以上が望ましく、プレ
ス型の磨耗を抑制し、成形体自体にラミネーションクラ
ックが発生するのを防止するためは、１５０〜５００ｋ
ｇｆ／ｃｍ2がより好ましい。また、加圧保持時間とし
ては３０〜１８０秒であることが望ましい。
【００２２】第２回目の一軸加圧終了後は、型１を押し
下げて成形体を取り出せばよい。
下げて成形体を取り出せばよい。
【００２３】本発明の加圧成形法によって得られた成形
体に対し、冷間静水圧加圧（ＣＩＰ）処理によって成形
体を緻密化することは高密度の焼結体を得るための有効
な手段であり、本発明においては必要に応じて第２回目
の一軸加圧成形時の圧力以上、好ましくは１０００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2以上、さらに好ましくは１５００〜５０００
ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力にてＣＩＰを１回以上行うことが
望ましい。
体に対し、冷間静水圧加圧（ＣＩＰ）処理によって成形
体を緻密化することは高密度の焼結体を得るための有効
な手段であり、本発明においては必要に応じて第２回目
の一軸加圧成形時の圧力以上、好ましくは１０００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2以上、さらに好ましくは１５００〜５０００
ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力にてＣＩＰを１回以上行うことが
望ましい。
【００２４】得られた成形体の焼成は、１２００℃以
上、好ましくは１３００〜１５５０℃で１時間以上、さ
らに好ましくは、十分な焼結密度上昇効果を得るため、
２〜１０時間行う。この際の焼結炉の雰囲気としては、
酸化性雰囲気が好ましい。
上、好ましくは１３００〜１５５０℃で１時間以上、さ
らに好ましくは、十分な焼結密度上昇効果を得るため、
２〜１０時間行う。この際の焼結炉の雰囲気としては、
酸化性雰囲気が好ましい。
【００２５】尚、本発明においてエロ−ジョンエリアと
は、平板タ−ゲットを用いてスパッタリングを行ったと
きに、タ−ゲットにおけるスパッタ率が５％以上の部分
とする。
は、平板タ−ゲットを用いてスパッタリングを行ったと
きに、タ−ゲットにおけるスパッタ率が５％以上の部分
とする。
【００２６】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２７】実施例１ 平均粒径２μｍの酸化インジウムおよび平均粒径１μｍ
の酸化錫粉末を、酸化インジウムが９０重量％で酸化錫
が１０重量％となるように混合し、得られた粉末を３０
×３０ｍｍサイズの型を用いて３００ｋｇｆ／ｃｍ2の
圧力で１５０秒間一軸加圧成形し、成形体を得た。この
時の加圧方向の粉末圧縮比は２．１７であった。この成
形体を酸素気流中、１５００℃で５時間焼成し焼結体を
得た。この焼結体の加圧方向の収縮率は１７．９％、加
圧方向に垂直な方向の収縮率は１９．７％であった。
の酸化錫粉末を、酸化インジウムが９０重量％で酸化錫
が１０重量％となるように混合し、得られた粉末を３０
×３０ｍｍサイズの型を用いて３００ｋｇｆ／ｃｍ2の
圧力で１５０秒間一軸加圧成形し、成形体を得た。この
時の加圧方向の粉末圧縮比は２．１７であった。この成
形体を酸素気流中、１５００℃で５時間焼成し焼結体を
得た。この焼結体の加圧方向の収縮率は１７．９％、加
圧方向に垂直な方向の収縮率は１９．７％であった。
【００２８】得ようとするタ−ゲットの形状が図２
（ａ）にその断面形状を示すような薄い部位が３．０ｍ
ｍ、厚い部位が９．０ｍｍであり、外径２００ｍｍの円
盤状とすると、上記の結果から必要とする成形体の厚み
は、薄い部位が３．７ｍｍ（＝３．０／（１−０．１７
９））、厚い部位は１１．０ｍｍ（＝９．０／（１−
０．１７９））と収縮率から算出された。さらに、それ
らの成形体の厚さに対応する粉末充填高さは薄い部位で
は８．０ｍｍ（＝３．７×２．１７）、厚い部位で２
３．９ｍｍ（＝１１×２．１７）と圧縮比から算出さ
れ、厚い部位は薄い部位に比べて１５．９ｍｍ（＝２
３．９−８．０）、粉末が厚く充填されなければならな
い。
（ａ）にその断面形状を示すような薄い部位が３．０ｍ
ｍ、厚い部位が９．０ｍｍであり、外径２００ｍｍの円
盤状とすると、上記の結果から必要とする成形体の厚み
は、薄い部位が３．７ｍｍ（＝３．０／（１−０．１７
９））、厚い部位は１１．０ｍｍ（＝９．０／（１−
０．１７９））と収縮率から算出された。さらに、それ
らの成形体の厚さに対応する粉末充填高さは薄い部位で
は８．０ｍｍ（＝３．７×２．１７）、厚い部位で２
３．９ｍｍ（＝１１×２．１７）と圧縮比から算出さ
れ、厚い部位は薄い部位に比べて１５．９ｍｍ（＝２
３．９−８．０）、粉末が厚く充填されなければならな
い。
【００２９】このことから粉末充填用パンチでの成形体
の厚い部位に対応した凹みの深さは１５．９ｍｍとな
る。これに対して加圧用パンチでは、成形体厚さの差で
ある７．３ｍｍ（＝１１．０−３．７）が成形体の厚い
部位に対応した凹みの深さとなった。また、加圧方向に
対して垂直な成形体寸法は、収縮率から外径２５０ｍｍ
（＝２００／（１−０．１９７））とした。
の厚い部位に対応した凹みの深さは１５．９ｍｍとな
る。これに対して加圧用パンチでは、成形体厚さの差で
ある７．３ｍｍ（＝１１．０−３．７）が成形体の厚い
部位に対応した凹みの深さとなった。また、加圧方向に
対して垂直な成形体寸法は、収縮率から外径２５０ｍｍ
（＝２００／（１−０．１９７））とした。
【００３０】上記の要領で設計した型を用い、平均粒径
２μｍの酸化インジウムおよび平均粒径１μｍの酸化錫
粉末を、酸化インジウムが９０重量％で酸化錫が１０重
量％となるように混合して得られた粉末を使用して、図
１に示した方法で成形を実施した。型は粉末充填用パン
チに対して、成形体の薄い部位で８．０ｍｍの粉末充填
高さとなるようにセットし、粉末を充填した。粉末充填
用パンチでの加圧圧力は４０ｋｇｆ／ｃｍ2とし、加圧
用パンチでの加圧圧力は３００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。
また、加圧保持力は、いずれの加圧においても１５０秒
とした。得られた成形体を３０００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧
力で６０秒間ＣＩＰ処理した後、この成形体を酸素気流
中、１５００℃で５時間焼成した。この焼結体は、ほぼ
所望の形状であり、密度は６．０５ｇ／ｃｍ3であっ
た。
２μｍの酸化インジウムおよび平均粒径１μｍの酸化錫
粉末を、酸化インジウムが９０重量％で酸化錫が１０重
量％となるように混合して得られた粉末を使用して、図
１に示した方法で成形を実施した。型は粉末充填用パン
チに対して、成形体の薄い部位で８．０ｍｍの粉末充填
高さとなるようにセットし、粉末を充填した。粉末充填
用パンチでの加圧圧力は４０ｋｇｆ／ｃｍ2とし、加圧
用パンチでの加圧圧力は３００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。
また、加圧保持力は、いずれの加圧においても１５０秒
とした。得られた成形体を３０００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧
力で６０秒間ＣＩＰ処理した後、この成形体を酸素気流
中、１５００℃で５時間焼成した。この焼結体は、ほぼ
所望の形状であり、密度は６．０５ｇ／ｃｍ3であっ
た。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の方法によれ
ば従来の鋳込成形や射出成形に比べて簡便、低コストに
複雑な形状のＩＴＯスパッタリングタ−ゲットを製造す
ることができる。従って、タ−ゲットの製造コストを低
減できるため、タ−ゲットのプライスダウン、成膜した
透明導電膜の単位面積当たりの単価を下げることも可能
となる。
ば従来の鋳込成形や射出成形に比べて簡便、低コストに
複雑な形状のＩＴＯスパッタリングタ−ゲットを製造す
ることができる。従って、タ−ゲットの製造コストを低
減できるため、タ−ゲットのプライスダウン、成膜した
透明導電膜の単位面積当たりの単価を下げることも可能
となる。
【図１】 本発明における一軸加圧成形法の手順の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 本発明のＩＴＯタ−ゲットの断面形状の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 本発明のＩＴＯタ−ゲットの形状の一例を示
す図である。
す図である。
１ ： 型 ２ ： 粉末 ３ ： 粉末充填用パンチ ４ ： パンチ ５ ： 成形体加圧用パンチ
Claims (4)
- 【請求項１】 インジウム、錫および酸素から実質的に
なるスパッタリングタ−ゲットの製造方法において、酸
化インジウム−酸化錫を含有する粉末を型充填して一軸
加圧成形し、ついで成形体再加圧用の型を用いて更に一
軸加圧成形した後、焼成することを特徴とするスパッタ
リングタ−ゲットの製造方法。 - 【請求項２】 インジウム、錫および酸素から実質的に
なるスパッタリングタ−ゲットの製造方法において、酸
化インジウム−酸化錫を含有する粉末を、粉末が接する
部分が凸凹状になっている粉末充填用パンチ３と型１と
の間に形成された空間に充填し、さらにパンチ４をセッ
トして一軸加圧成形し、ついで、粉末充填用パンチ３を
抜き、かわりに粉末が接する部分が凸凹状になっている
成形体再加圧用パンチ５を挿入して一軸加圧成形した
後、焼成することを特徴とするスパッタリングタ−ゲッ
トの製造方法。 - 【請求項３】 タ−ゲット全重量の８０重量％以上が、
スパッタリング時のエロージョンエリア（平板ターゲッ
トを用いてスパッタリングを行ったときに、ターゲット
におけるスパッタリング率が５％以上の部分）内に存在
するような形状であることを特徴とする、請求項１また
は請求項２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 スパッタリングタ−ゲットの形状が、エ
ロージョンエリアに相当する部分の肉厚が非エロージョ
ンエリアに相当する部分の肉厚より厚くなっている平板
状であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１
項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126913A JP2000319775A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126913A JP2000319775A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000319775A true JP2000319775A (ja) | 2000-11-21 |
Family
ID=14947001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126913A Pending JP2000319775A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000319775A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006241595A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-09-14 | Tosoh Corp | 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法 |
| KR101222969B1 (ko) * | 2006-05-02 | 2013-01-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조방법과 이를 이용한 스퍼터링장치 및 방법 |
| JP2013091322A (ja) * | 2005-02-01 | 2013-05-16 | Tosoh Corp | 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP11126913A patent/JP2000319775A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006241595A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-09-14 | Tosoh Corp | 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法 |
| JP2013091322A (ja) * | 2005-02-01 | 2013-05-16 | Tosoh Corp | 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法 |
| KR101222969B1 (ko) * | 2006-05-02 | 2013-01-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조방법과 이를 이용한 스퍼터링장치 및 방법 |
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