JP2000321455A - ポリイミド光導波路の製造方法 - Google Patents
ポリイミド光導波路の製造方法Info
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 任意な基板上に形成できるポリイミド光導波
路の製造方法を提供する。 【解決手段】 任意の基板とリッジ型導波路との間を上
部クラッドとして基板と同程度の耐熱性を有し、コアよ
りも低屈折率の接着剤を用いて貼り合わせて作製する埋
め込み型ポリイミド光導波路の製造方法。レーザダイオ
ードやフォトディテクタなどのハンダ実装と同時に接着
剤である上部クラッド層を熱処理することにより、一括
リフローで電気・光混載配線板作製する製造方法。
路の製造方法を提供する。 【解決手段】 任意の基板とリッジ型導波路との間を上
部クラッドとして基板と同程度の耐熱性を有し、コアよ
りも低屈折率の接着剤を用いて貼り合わせて作製する埋
め込み型ポリイミド光導波路の製造方法。レーザダイオ
ードやフォトディテクタなどのハンダ実装と同時に接着
剤である上部クラッド層を熱処理することにより、一括
リフローで電気・光混載配線板作製する製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する分野】本発明はポリイミド光導波路に関
し、特に任意な基板上に作製する製造方法に関する。
し、特に任意な基板上に作製する製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】低損失光ファイバの開発による光通信シ
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。またこれら光部品を高密度に実装する光配
線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。一般
に、光導波路には、光損失が小さい、製造が容易、
コアとクラッドの屈折率差を制御できる等の条件が要
求される。これまでに低損失な光導波路としては石英系
が主に検討されている。光ファイバで実証済みのように
石英は光透過性が極めて良好であるため導波路にした場
合も波長が1.3μmにおいて0.1dB/cm以下の
低光損失化が達成されている。また、ポリメチルメタク
リレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリカ
ーボネイト(PC)、ポリイミド等のプラスチック系光
導波路の場合も水素の重水素化やフッ素化などにより透
明性を向上させ、波長が1.3μmにおいて0.1〜
0.5dB/cmの低光損失化が達成されている。ハン
ダ耐熱性及び高耐湿性を有する高分子材料の中で高透明
性のものは主にフッ素化ポリイミド系であり、石英系及
びフッ素化ポリイミド光導波路を作製する場合熱処理温
度が高温であることから使用できる基板が限られるとい
う欠点があった。そのため電気・光混載配線板を作製す
る場合、ポリイミド/セラミック電気配線板など高価な
基板を使用することになる。また、レーザダイオードや
フォトダイオードは、ポリイミドフィルム導波路を紫外
線硬化あるいは熱処理により接着した後リフロー工程に
より半田実装されるため、工程数も多く歩留まりも悪く
なるという問題がある。
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。またこれら光部品を高密度に実装する光配
線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。一般
に、光導波路には、光損失が小さい、製造が容易、
コアとクラッドの屈折率差を制御できる等の条件が要
求される。これまでに低損失な光導波路としては石英系
が主に検討されている。光ファイバで実証済みのように
石英は光透過性が極めて良好であるため導波路にした場
合も波長が1.3μmにおいて0.1dB/cm以下の
低光損失化が達成されている。また、ポリメチルメタク
リレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリカ
ーボネイト(PC)、ポリイミド等のプラスチック系光
導波路の場合も水素の重水素化やフッ素化などにより透
明性を向上させ、波長が1.3μmにおいて0.1〜
0.5dB/cmの低光損失化が達成されている。ハン
ダ耐熱性及び高耐湿性を有する高分子材料の中で高透明
性のものは主にフッ素化ポリイミド系であり、石英系及
びフッ素化ポリイミド光導波路を作製する場合熱処理温
度が高温であることから使用できる基板が限られるとい
う欠点があった。そのため電気・光混載配線板を作製す
る場合、ポリイミド/セラミック電気配線板など高価な
基板を使用することになる。また、レーザダイオードや
フォトダイオードは、ポリイミドフィルム導波路を紫外
線硬化あるいは熱処理により接着した後リフロー工程に
より半田実装されるため、工程数も多く歩留まりも悪く
なるという問題がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情をか
んがみなされたものであり、任意の基板上にポリイミド
光導波路を作製する製造方法を提供することにある。
んがみなされたものであり、任意の基板上にポリイミド
光導波路を作製する製造方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第1の発明はポリイミド光導波路の製造方法に関
する発明であって、任意の基板とリッジ型導波路との間
を上部クラッドとして基板と同程度の耐熱性を有し、コ
アよりも低屈折率の接着剤を用いて貼り合わせて作製す
ることを特徴とする。本発明の第2の発明はリッジ型ポ
リイミド光導波路をレーザダイオードやフォトディテク
タなどのハンダ実装と同時に接着剤である上部クラッド
層を熱処理することにより、一括リフローで電気・光混
載配線板作製することを特徴とする。前記のような状況
をかんがみ、本発明者らは鋭意検討を行った結果、任意
の基板とリッジ型導波路との間を上部クラッドとして基
板と同程度の耐熱性を有し、コアよりも低屈折率の接着
剤を用いて貼り合わせることにより、前記目的を達成で
きることを見い出し、本発明を完成するに至った。
発明の第1の発明はポリイミド光導波路の製造方法に関
する発明であって、任意の基板とリッジ型導波路との間
を上部クラッドとして基板と同程度の耐熱性を有し、コ
アよりも低屈折率の接着剤を用いて貼り合わせて作製す
ることを特徴とする。本発明の第2の発明はリッジ型ポ
リイミド光導波路をレーザダイオードやフォトディテク
タなどのハンダ実装と同時に接着剤である上部クラッド
層を熱処理することにより、一括リフローで電気・光混
載配線板作製することを特徴とする。前記のような状況
をかんがみ、本発明者らは鋭意検討を行った結果、任意
の基板とリッジ型導波路との間を上部クラッドとして基
板と同程度の耐熱性を有し、コアよりも低屈折率の接着
剤を用いて貼り合わせることにより、前記目的を達成で
きることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【0005】本発明に用いる接着剤は、クラッドである
ため透明性は要求されず、形成したい基板の耐熱温度程
度を有し、かつコア層よりも低屈折率のすべての接着
剤、ワニス樹脂等が使用できる。本発明によれば、シリ
コンウェハなどの基板上に通常のドライエッチングを用
いた方法でリッジ型光導波路フィルムを作製する。その
後、その上に上部クラッド接着層となる接着剤をスピン
コートなどの方法でコートし、任意基板上に貼り合わ
せ、熱処理を施す。これで本発明の第1の発明が説明で
きるが、第2の発明は接着剤をハンダリフロー工程で熱
処理することにより実現できる。
ため透明性は要求されず、形成したい基板の耐熱温度程
度を有し、かつコア層よりも低屈折率のすべての接着
剤、ワニス樹脂等が使用できる。本発明によれば、シリ
コンウェハなどの基板上に通常のドライエッチングを用
いた方法でリッジ型光導波路フィルムを作製する。その
後、その上に上部クラッド接着層となる接着剤をスピン
コートなどの方法でコートし、任意基板上に貼り合わ
せ、熱処理を施す。これで本発明の第1の発明が説明で
きるが、第2の発明は接着剤をハンダリフロー工程で熱
処理することにより実現できる。
【0006】本発明のポリイミド光導波路製造方法を図
1を参照しつつ説明する。符号1はシリコンなどの仮基
板、符号2は下部クラッド層、符号3はコア層、符号4
は上部クラッド層、符号5は形成する任意基板を意味す
る。通常のドライエッチングを用いた方法でリッジ型ポ
リイミド光導波路を作製する。その後、その上に上部ク
ラッド層を塗布し、任意の基板上に貼り合わせる。熱処
理を施すことにより接着剤を硬化させ固定する。最後に
仮基板を剥離する。このようにして任意の基板上にポリ
イミド光導波路を作製できる。
1を参照しつつ説明する。符号1はシリコンなどの仮基
板、符号2は下部クラッド層、符号3はコア層、符号4
は上部クラッド層、符号5は形成する任意基板を意味す
る。通常のドライエッチングを用いた方法でリッジ型ポ
リイミド光導波路を作製する。その後、その上に上部ク
ラッド層を塗布し、任意の基板上に貼り合わせる。熱処
理を施すことにより接着剤を硬化させ固定する。最後に
仮基板を剥離する。このようにして任意の基板上にポリ
イミド光導波路を作製できる。
【0007】
【実施例】以下実施例を用いて本発明を詳しく説明す
る。なお、本発明はこれらの実施例のみに限定されるの
ではなく、材料の組み合わせ、導波路形状等を変えるこ
とにより多種多様なポリイミド光導波路を作製できる
が、本実施例では代表的なフッ素化ポリイミド光導波路
の作製例を示す。
る。なお、本発明はこれらの実施例のみに限定されるの
ではなく、材料の組み合わせ、導波路形状等を変えるこ
とにより多種多様なポリイミド光導波路を作製できる
が、本実施例では代表的なフッ素化ポリイミド光導波路
の作製例を示す。
【0008】実施例1 屈折率1.52である2,2−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(6F
DA)と2,2−ビス(トリフルオロメチル)−4,
4' −ジアミノビフェニル(TFDB)のポリイミドを
下部クラッドに、屈折率1.57の6FDAと4, 4'
−オキシジアニリン(ODA)のポリイミドをコアにし
たリッジ型光導波路を通常のドライエッチングを用いた
手法でシリコンウェハ上に作製した。その上に、上部ク
ラッドとして屈折率1.52、ガラス転移温度約120
℃のエポキシ樹脂接着剤をスピンコートにより塗布し
た。その後ガラス転移温度約120℃であるFR−4ガ
ラスエポキシプリント配線板上に貼り合わせ、150℃
で熱処理した。その後、シリコンウェハを剥離しフィル
ム光導波路とした。このようにして、FR−4ガラスエ
ポキシプリント配線板上にフッ素化ポリイミド光導波路
が得られた。
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(6F
DA)と2,2−ビス(トリフルオロメチル)−4,
4' −ジアミノビフェニル(TFDB)のポリイミドを
下部クラッドに、屈折率1.57の6FDAと4, 4'
−オキシジアニリン(ODA)のポリイミドをコアにし
たリッジ型光導波路を通常のドライエッチングを用いた
手法でシリコンウェハ上に作製した。その上に、上部ク
ラッドとして屈折率1.52、ガラス転移温度約120
℃のエポキシ樹脂接着剤をスピンコートにより塗布し
た。その後ガラス転移温度約120℃であるFR−4ガ
ラスエポキシプリント配線板上に貼り合わせ、150℃
で熱処理した。その後、シリコンウェハを剥離しフィル
ム光導波路とした。このようにして、FR−4ガラスエ
ポキシプリント配線板上にフッ素化ポリイミド光導波路
が得られた。
【0009】実施例2 実施例1と同様に屈折率1.52である6FDA/TF
DBポリイミドを下部クラッドに、屈折率1.57の6
FDA/ODAポリイミドをコアにしたリッジ型光導波
路を通常のドライエッチングを用いた手法でシリコンウ
ェハ上に作製した。ダイシングソーにより所望の形状に
そのリッジ型光導波路を切断し、シリコンウェハから剥
離した。そのフィルム光導波路上に、上部クラッドとし
て屈折率1.52、ガラス転移温度約150℃のエポキ
シ樹脂ワニスをスピンコートにより塗布した。その後F
R−4ガラスエポキシプリント配線板上に貼り合わた。
次に、フォトディテクタをFR−4ガラスエポキシプリ
ント配線板上ハンダボールによってマウントした。その
後該ポリイミド光導波路、フォトディテクタ積載配線板
通常のハンダリフロー工程を行った。このようにして、
FR−4ガラスエポキシプリント配線板上にフッ素化ポ
リイミド光導波路かつフォトディテクタが一括で積載さ
れた。また、エポキシ樹脂の屈折率がリフロー工程後と
通常熱処理で変わらないことが確認された。
DBポリイミドを下部クラッドに、屈折率1.57の6
FDA/ODAポリイミドをコアにしたリッジ型光導波
路を通常のドライエッチングを用いた手法でシリコンウ
ェハ上に作製した。ダイシングソーにより所望の形状に
そのリッジ型光導波路を切断し、シリコンウェハから剥
離した。そのフィルム光導波路上に、上部クラッドとし
て屈折率1.52、ガラス転移温度約150℃のエポキ
シ樹脂ワニスをスピンコートにより塗布した。その後F
R−4ガラスエポキシプリント配線板上に貼り合わた。
次に、フォトディテクタをFR−4ガラスエポキシプリ
ント配線板上ハンダボールによってマウントした。その
後該ポリイミド光導波路、フォトディテクタ積載配線板
通常のハンダリフロー工程を行った。このようにして、
FR−4ガラスエポキシプリント配線板上にフッ素化ポ
リイミド光導波路かつフォトディテクタが一括で積載さ
れた。また、エポキシ樹脂の屈折率がリフロー工程後と
通常熱処理で変わらないことが確認された。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のポリイミ
ド光導波路製造方法を用いることにより任意の基板上に
ポリイミド光導波路を作製できる。
ド光導波路製造方法を用いることにより任意の基板上に
ポリイミド光導波路を作製できる。
【図1】本発明のポリイミド光導波路作製工程を示す図
である。
である。
1:仮基板 2:下部クラッド層 3:コア層 4:上部クラッド層 5:光導波路を形成する任意基板
Claims (2)
- 【請求項1】 任意の基板とリッジ型導波路との間を上
部クラッドとして基板と同程度の耐熱性を有し、コアよ
りも低屈折率な接着剤を用いて貼り合わせて作製するこ
とを特徴とする埋め込み型ポリイミド光導波路の製造方
法。 - 【請求項2】 リッジ型ポリイミド光導波路をレーザダ
イオードやフォトディテクタなどのハンダ実装と同時に
接着剤である上部クラッド層を熱処理することにより、
一括リフローで電気・光混載配線板を作製することを特
徴とする請求項1記載の埋め込み型ポリイミド光導波路
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12576499A JP2000321455A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | ポリイミド光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12576499A JP2000321455A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | ポリイミド光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000321455A true JP2000321455A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14918256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12576499A Pending JP2000321455A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | ポリイミド光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000321455A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003227950A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Omron Corp | 光学素子およびその製造方法 |
| WO2003100486A1 (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Material for substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly and substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly |
| KR100438273B1 (ko) * | 2001-08-22 | 2004-07-02 | 엘지전자 주식회사 | 광픽업에 있어서 포토다이오드 집적회로의 고정구조 및 그고정방법 |
| WO2004111710A1 (ja) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 電気光学変調素子 |
| KR100809669B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2008-03-05 | 주식회사 케이티 | 레이저 국부 가열을 이용한 광전모듈의 수동정렬 접속방법 |
| CN100380178C (zh) * | 2003-06-10 | 2008-04-09 | 日本电信电话株式会社 | 电光学调制元件 |
-
1999
- 1999-05-06 JP JP12576499A patent/JP2000321455A/ja active Pending
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