JP2000323024A - 画像表示装置の製造方法 - Google Patents
画像表示装置の製造方法Info
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- JP2000323024A JP2000323024A JP11131727A JP13172799A JP2000323024A JP 2000323024 A JP2000323024 A JP 2000323024A JP 11131727 A JP11131727 A JP 11131727A JP 13172799 A JP13172799 A JP 13172799A JP 2000323024 A JP2000323024 A JP 2000323024A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電電極とガラス成分を含むリブとの密着性
を改善する。 【解決手段】 基板の一主面上に互いに略平行な複数の
放電電極を形成し、これら放電電極上にガラス成分を含
むリブを形成することでプラズマセルを形成する。この
とき、放電電極上に酸化物からなる薄膜を形成し、この
上にガラス成分を含むリブを形成する。酸化物からなる
薄膜は、例えば蒸着法により形成する。ガラス成分を含
むリブは、サンドブラスト法によりパターニングする。
を改善する。 【解決手段】 基板の一主面上に互いに略平行な複数の
放電電極を形成し、これら放電電極上にガラス成分を含
むリブを形成することでプラズマセルを形成する。この
とき、放電電極上に酸化物からなる薄膜を形成し、この
上にガラス成分を含むリブを形成する。酸化物からなる
薄膜は、例えば蒸着法により形成する。ガラス成分を含
むリブは、サンドブラスト法によりパターニングする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
て画像表示を行う画像表示装置(例えば、いわゆるプラ
ズマアドレス表示装置やプラズマディスプレイ等)の製
造方法に関するものである。
て画像表示を行う画像表示装置(例えば、いわゆるプラ
ズマアドレス表示装置やプラズマディスプレイ等)の製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば液晶方式のディスプレイを高解像
度化及び高コントラスト化するための手法としては、各
表示画素毎にトランジスタ等の能動素子を設け、これを
駆動する方法、いわゆるアクティブマトリクスアドレス
方式がある。
度化及び高コントラスト化するための手法としては、各
表示画素毎にトランジスタ等の能動素子を設け、これを
駆動する方法、いわゆるアクティブマトリクスアドレス
方式がある。
【0003】しかしながら、この場合、薄膜トランジス
タの如き半導体素子を多数設ける必要があることから、
特にディスプレイを大面積化したときに歩留まりの問題
が懸念され、どうしてもコスト高になるという問題が生
じる。
タの如き半導体素子を多数設ける必要があることから、
特にディスプレイを大面積化したときに歩留まりの問題
が懸念され、どうしてもコスト高になるという問題が生
じる。
【0004】そこで、この問題を解決する手段として、
能動素子としてMOSトランジスタや薄膜トランジスタ
等の半導体素子ではなく放電プラズマを利用する方法が
提案されている。
能動素子としてMOSトランジスタや薄膜トランジスタ
等の半導体素子ではなく放電プラズマを利用する方法が
提案されている。
【0005】この放電プラズマを利用して液晶を駆動す
る画像表示装置(以下、プラズマアドレス表示装置と称
する。)は、電気光学材料層である液晶層と、プラズマ
の放電がなされるプラズマセルとが、ガラス等からなる
誘電体薄板を介して隣接配置されてなるものである。
る画像表示装置(以下、プラズマアドレス表示装置と称
する。)は、電気光学材料層である液晶層と、プラズマ
の放電がなされるプラズマセルとが、ガラス等からなる
誘電体薄板を介して隣接配置されてなるものである。
【0006】上記プラズマアドレス表示装置において
は、プラズマセルが隔壁によりライン状のプラズマ室に
分割されており、プラズマ放電が行われるプラズマ室を
順次切り替え走査するとともに、液晶層を挟んで対向す
る透明電極にこれと同期して信号電圧を印加することに
より、液晶層が駆動される。
は、プラズマセルが隔壁によりライン状のプラズマ室に
分割されており、プラズマ放電が行われるプラズマ室を
順次切り替え走査するとともに、液晶層を挟んで対向す
る透明電極にこれと同期して信号電圧を印加することに
より、液晶層が駆動される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のプラ
ズマアドレス表示装置や,いわゆるプラズマディスプレ
イ等、プラズマを利用して画像表示を行う画像表示装置
においては、放電空間を確保するため、また隣接する放
電チャンネルへの放電漏れを防ぐ目的で、放電電極上に
リブを立て、これを隔壁としてプラズマセルを構成する
必要がある。
ズマアドレス表示装置や,いわゆるプラズマディスプレ
イ等、プラズマを利用して画像表示を行う画像表示装置
においては、放電空間を確保するため、また隣接する放
電チャンネルへの放電漏れを防ぐ目的で、放電電極上に
リブを立て、これを隔壁としてプラズマセルを構成する
必要がある。
【0008】このとき、リブ材料としては、ガラス成分
(SiO2 、Al2O3、Ba2O3等)に熱膨張係数調整
のためのセラミックス粒子を混合した混合物等が用いら
れる。
(SiO2 、Al2O3、Ba2O3等)に熱膨張係数調整
のためのセラミックス粒子を混合した混合物等が用いら
れる。
【0009】そして、リブの形成法としては、印刷法や
サンドブラスト法等が採用されるが、いずれにせよリブ
ペースト材料(上記のガラス成分、セラミックス粒子に
有機バインダ、溶剤を加えたもの。)を所定のリブ形状
に仕上げた後、600℃程度の焼成工程を経て固定す
る。
サンドブラスト法等が採用されるが、いずれにせよリブ
ペースト材料(上記のガラス成分、セラミックス粒子に
有機バインダ、溶剤を加えたもの。)を所定のリブ形状
に仕上げた後、600℃程度の焼成工程を経て固定す
る。
【0010】問題はこのとき発生する。リブ材の放電電
極からの剥離である。元来、ガラスと金属材料は接合し
難いとされており、上記製造工程においては、焼成工程
で界面剥離が一層助長される。これはガラスと金属の熱
膨張係数が大きく異なることによる。
極からの剥離である。元来、ガラスと金属材料は接合し
難いとされており、上記製造工程においては、焼成工程
で界面剥離が一層助長される。これはガラスと金属の熱
膨張係数が大きく異なることによる。
【0011】本発明は、このような不都合を解消するこ
とを目的として提案されたものであり、放電電極とガラ
ス成分を含むリブとの密着性を大幅に改善し、信頼性の
高い画像表示装置を製造し得る製造方法を提供すること
を目的とする。
とを目的として提案されたものであり、放電電極とガラ
ス成分を含むリブとの密着性を大幅に改善し、信頼性の
高い画像表示装置を製造し得る製造方法を提供すること
を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために、基板の一主面上に互いに略平行な複数
の放電電極を形成し、これら放電電極上にガラス成分を
含むリブを形成することでプラズマセルを形成する画像
表示装置の製造方法において、上記放電電極上に酸化物
からなる薄膜を形成し、この上にガラス成分を含むリブ
を形成することを特徴とする。
達成するために、基板の一主面上に互いに略平行な複数
の放電電極を形成し、これら放電電極上にガラス成分を
含むリブを形成することでプラズマセルを形成する画像
表示装置の製造方法において、上記放電電極上に酸化物
からなる薄膜を形成し、この上にガラス成分を含むリブ
を形成することを特徴とする。
【0013】酸化物からなる薄膜は、蒸着法やスパッタ
リング法等により放電電極上に堆積形成され、物理的結
合により金属材料(放電電極)と強固に結合する。ま
た、酸化物からなる薄膜は、ガラス成分との親和性が良
好で、リブとも強固に結合する。したがって、上記酸化
物薄膜を介在させることで、放電電極とリブとの密着性
が改善され、剥離の問題が解消される。
リング法等により放電電極上に堆積形成され、物理的結
合により金属材料(放電電極)と強固に結合する。ま
た、酸化物からなる薄膜は、ガラス成分との親和性が良
好で、リブとも強固に結合する。したがって、上記酸化
物薄膜を介在させることで、放電電極とリブとの密着性
が改善され、剥離の問題が解消される。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した画像表示
装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説
明する。
装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説
明する。
【0015】なお、ここではプラズマアドレス表示装置
におけるリブ形成を例にして説明するが、先ず、対称と
なるプラズマアドレス表示装置の構成について説明す
る。
におけるリブ形成を例にして説明するが、先ず、対称と
なるプラズマアドレス表示装置の構成について説明す
る。
【0016】プラズマアドレス表示装置は、図1及び図
2に示すように、電気光学表示セル1と、プラズマセル
2と、それら両者の間に介在する誘電シート3とを積層
した、いわゆるフラットパネル構造を有する。
2に示すように、電気光学表示セル1と、プラズマセル
2と、それら両者の間に介在する誘電シート3とを積層
した、いわゆるフラットパネル構造を有する。
【0017】誘電シート3には、薄板ガラス等が使用さ
れ、それ自身、キャパシタとして機能する。したがっ
て、電気光学表示セル1とプラズマセル2との電気的結
合を十分に確保し、且つ電荷の二次元的な広がりを抑制
するために、この誘電シート3は、なるべく薄い方がよ
い。具体的には、例えば50μm程度の厚さの薄板ガラ
スが使用される。
れ、それ自身、キャパシタとして機能する。したがっ
て、電気光学表示セル1とプラズマセル2との電気的結
合を十分に確保し、且つ電荷の二次元的な広がりを抑制
するために、この誘電シート3は、なるべく薄い方がよ
い。具体的には、例えば50μm程度の厚さの薄板ガラ
スが使用される。
【0018】上記電気光学表示セル1は、上記誘電シー
ト3の上にスペーサ6によって所定の間隙を保持した状
態でガラス基板(上側基板)4を接合することにより形
成される。
ト3の上にスペーサ6によって所定の間隙を保持した状
態でガラス基板(上側基板)4を接合することにより形
成される。
【0019】そして、この誘電シート3と上側基板4の
間の間隙には、電気光学材料としての液晶材料が充填さ
れ、液晶層7が形成される。なお、電気光学材料として
は、液晶以外のものを使用することもできる。
間の間隙には、電気光学材料としての液晶材料が充填さ
れ、液晶層7が形成される。なお、電気光学材料として
は、液晶以外のものを使用することもできる。
【0020】ここで、上側基板4と誘電シート3の間の
間隙の寸法は、例えば4〜10μmとされ、表示面全面
に亘ってほぼ均一に保たれている。
間隙の寸法は、例えば4〜10μmとされ、表示面全面
に亘ってほぼ均一に保たれている。
【0021】また、上記上側基板4の誘電シート3との
対向面には、透明導電材料からなり、例えば行方向に延
びる複数本のデータ電極5が所定の間隔を保持して列方
向に並列に配列されている。
対向面には、透明導電材料からなり、例えば行方向に延
びる複数本のデータ電極5が所定の間隔を保持して列方
向に並列に配列されている。
【0022】一方、プラズマセル2は、上記誘電シート
3と、この下方に配されるガラス基板(下側基板)8と
で構成されている。
3と、この下方に配されるガラス基板(下側基板)8と
で構成されている。
【0023】下側基板8の誘電シート3との対向面に
は、上記データ電極5と直交する方向、すなわち列方向
に延びる複数のアノード電極9A及びカソード電極9K
が、交互に所定の間隔を保持して並列に配列されてお
り、放電電極群を構成している。
は、上記データ電極5と直交する方向、すなわち列方向
に延びる複数のアノード電極9A及びカソード電極9K
が、交互に所定の間隔を保持して並列に配列されてお
り、放電電極群を構成している。
【0024】また、各アノード電極9A、カソード電極
9Kの上面中央部には、電極に沿って延在するように、
所定幅のリブ10が形成されている。そして、各リブ1
0の頂部は、誘電シート3の下面に当接され、下側基板
8と誘電シート3間の間隙がほぼ一定に保たれている。
9Kの上面中央部には、電極に沿って延在するように、
所定幅のリブ10が形成されている。そして、各リブ1
0の頂部は、誘電シート3の下面に当接され、下側基板
8と誘電シート3間の間隙がほぼ一定に保たれている。
【0025】さらに、上記誘電シート3は、外周縁部に
おいて、低融点ガラス等を使用したフリットシール11
により、上記下側基板8に対して気密的に接合されてお
り、プラズマセル2が密閉空間として構成されている。
この密閉空間には、例えばヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、あるいはこれらの混合気体等、イオン化可能なガス
が封入されている。
おいて、低融点ガラス等を使用したフリットシール11
により、上記下側基板8に対して気密的に接合されてお
り、プラズマセル2が密閉空間として構成されている。
この密閉空間には、例えばヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、あるいはこれらの混合気体等、イオン化可能なガス
が封入されている。
【0026】上述のプラズマアドレス表示装置において
は、下側基板8と誘電シート3の間隙に、各リブ10で
分離された複数の放電チャンネル(空間)12が行方向
に並列に形成される。この放電チャンネル12は、デー
タ電極5と直交するものである。
は、下側基板8と誘電シート3の間隙に、各リブ10で
分離された複数の放電チャンネル(空間)12が行方向
に並列に形成される。この放電チャンネル12は、デー
タ電極5と直交するものである。
【0027】したがって、各データ電極5は列駆動単位
となるとともに、各放電チャンネル12は行駆動単位と
なり、図3に示すように、両者の交差部がそれぞれ画素
13に対応している。
となるとともに、各放電チャンネル12は行駆動単位と
なり、図3に示すように、両者の交差部がそれぞれ画素
13に対応している。
【0028】以上の構成のプラズマアドレス表示装置に
おいて、所定の放電チャンネル12に対応するアノード
電極9Aとカソード電極9Kの間に駆動電圧が印加され
ると、この放電チャンネル12内において封入されたガ
スがイオン化されてプラズマ放電が起こり、アノード電
位に維持される。
おいて、所定の放電チャンネル12に対応するアノード
電極9Aとカソード電極9Kの間に駆動電圧が印加され
ると、この放電チャンネル12内において封入されたガ
スがイオン化されてプラズマ放電が起こり、アノード電
位に維持される。
【0029】この状態でデータ電極5にデータ電圧が印
加されると、上記プラズマ放電が発生した放電チャンネ
ル12に対応して、列方向に並ぶ複数の画素13に対応
した液晶層7にデータ電圧が書き込まれる。
加されると、上記プラズマ放電が発生した放電チャンネ
ル12に対応して、列方向に並ぶ複数の画素13に対応
した液晶層7にデータ電圧が書き込まれる。
【0030】プラズマ放電が終了すると、放電チャンネ
ル12は浮遊電位となり、各画素13に対応した液晶層
7に書き込まれたデータ電圧は、次の書き込み期間(例
えば1フィールド後あるいは1フレーム後)まで保持さ
れる。この場合、放電チャンネル12はサンプリングス
イッチとして機能し、各画素13の液晶層7はサンプリ
ングキャパシタとして機能する。
ル12は浮遊電位となり、各画素13に対応した液晶層
7に書き込まれたデータ電圧は、次の書き込み期間(例
えば1フィールド後あるいは1フレーム後)まで保持さ
れる。この場合、放電チャンネル12はサンプリングス
イッチとして機能し、各画素13の液晶層7はサンプリ
ングキャパシタとして機能する。
【0031】上記液晶層7に書き込まれたデータ電圧に
よって液晶が動作し、画素単位で表示が行われる。した
がって、プラズマ放電を発生させる放電チャンネル12
を順次走査するとともに、各データ電極5にこれに同期
してデータ電圧を印加することで、アクティブマトリク
スアドレッシング方式と同様に液晶層7が駆動され、二
次元画像の表示を行うことができる。
よって液晶が動作し、画素単位で表示が行われる。した
がって、プラズマ放電を発生させる放電チャンネル12
を順次走査するとともに、各データ電極5にこれに同期
してデータ電圧を印加することで、アクティブマトリク
スアドレッシング方式と同様に液晶層7が駆動され、二
次元画像の表示を行うことができる。
【0032】以上がプラズマアドレス表示装置の基本的
な構成であるが、このプラズマアドレス表示装置を製造
するに際しては、アノード電極9A上にリブ10を形成
する必要がある。
な構成であるが、このプラズマアドレス表示装置を製造
するに際しては、アノード電極9A上にリブ10を形成
する必要がある。
【0033】本発明では、このリブ10を形成するに先
だってアノード電極9A上に酸化物の薄膜を形成し、し
かる後にリブ10を形成する。以下、このリブ10の形
成工程について説明する。
だってアノード電極9A上に酸化物の薄膜を形成し、し
かる後にリブ10を形成する。以下、このリブ10の形
成工程について説明する。
【0034】リブ10を形成しプラズマセルを構成する
に際しては、先ず、図4に示すように、下側基板8上に
放電電極であるアノード電極9A及びカソード電極9K
を形成し、この上に酸化物薄膜14を形成する。
に際しては、先ず、図4に示すように、下側基板8上に
放電電極であるアノード電極9A及びカソード電極9K
を形成し、この上に酸化物薄膜14を形成する。
【0035】上記酸化物薄膜14は、例えば放電電極形
成時にSiO2 、Al2O3等の酸化物を蒸着法やスパッ
タ法等の比較的入射エネルギーの高い方法で連続的に形
成することができる。あるいは、放電電極形成後に、数
十〜数μmのオーダーで酸化物を成膜することによって
も形成することができる。連続で成膜した場合には、イ
オンミリング法等により必要な部分にのみ酸化物薄膜を
残す。
成時にSiO2 、Al2O3等の酸化物を蒸着法やスパッ
タ法等の比較的入射エネルギーの高い方法で連続的に形
成することができる。あるいは、放電電極形成後に、数
十〜数μmのオーダーで酸化物を成膜することによって
も形成することができる。連続で成膜した場合には、イ
オンミリング法等により必要な部分にのみ酸化物薄膜を
残す。
【0036】次いで、この上にリブを形成するが、ここ
ではサンドブラスト法を例にしてリブの形成方法を説明
する。
ではサンドブラスト法を例にしてリブの形成方法を説明
する。
【0037】サンドブラスト法でリブを形成する場合、
図5に示すように、上記酸化物薄膜14が形成された放
電電極(アノード電極9A及びカソード電極9K)を覆
って全面にリブ材料15を塗布形成する。
図5に示すように、上記酸化物薄膜14が形成された放
電電極(アノード電極9A及びカソード電極9K)を覆
って全面にリブ材料15を塗布形成する。
【0038】このリブ材料15は、印刷法、ロールコー
ト法等を用いて全面に均一に塗布し、乾燥させる。
ト法等を用いて全面に均一に塗布し、乾燥させる。
【0039】次に、図6に示すように、最終的にリブを
形成する部分に耐サンドブラスト性のある保護膜16を
形成する。通常は、フォトリソグラフィー法を用い、フ
ォトレジストを選択露光することにより、所定の形状に
パターニングされた保護膜16を形成する。
形成する部分に耐サンドブラスト性のある保護膜16を
形成する。通常は、フォトリソグラフィー法を用い、フ
ォトレジストを選択露光することにより、所定の形状に
パターニングされた保護膜16を形成する。
【0040】さらに、サンドブラストにより不要部分の
リブ材料を取り除き、図7に示すように、所定の形状に
パターニングされたリブ10を形成する。
リブ材料を取り除き、図7に示すように、所定の形状に
パターニングされたリブ10を形成する。
【0041】サンドブラストは、SiO2、Al2O3、
CaCO3等の砥粒を吹き付けることによりリブ材料の
不要部分を取り除く技術であり、このときの条件を適当
に選ぶことにより、下側基板8の表面や放電電極表面に
残存する余分な酸化物薄膜14も取り除く。
CaCO3等の砥粒を吹き付けることによりリブ材料の
不要部分を取り除く技術であり、このときの条件を適当
に選ぶことにより、下側基板8の表面や放電電極表面に
残存する余分な酸化物薄膜14も取り除く。
【0042】最後に、保護膜16を剥離し、焼成工程を
経てリブ10をアノード電極9A上に固定する。
経てリブ10をアノード電極9A上に固定する。
【0043】以上の工程により形成されたリブ10は、
酸化物薄膜14を介して形成されることにより、アノー
ド電極9Aに対する密着性が大幅に改善される。したが
って、この技術をサンドブラスト法でリブ形成するプロ
セスに適用すると、サンドブラスト時の砥粒によるガラ
スダメージを防止、改善することができる。
酸化物薄膜14を介して形成されることにより、アノー
ド電極9Aに対する密着性が大幅に改善される。したが
って、この技術をサンドブラスト法でリブ形成するプロ
セスに適用すると、サンドブラスト時の砥粒によるガラ
スダメージを防止、改善することができる。
【0044】以上、本発明を適用した具体的な実施形態
について説明してきたが、本発明がこの例に限定される
ものでなく、種々の変更が可能であることは言うまでも
ない。
について説明してきたが、本発明がこの例に限定される
ものでなく、種々の変更が可能であることは言うまでも
ない。
【0045】例えば、上述の例では、プラズマアドレス
表示装置のプラズマセルの形成に応用したが、プラズマ
ディスプレイのプラズマセルの形成等にも応用すること
が可能である。
表示装置のプラズマセルの形成に応用したが、プラズマ
ディスプレイのプラズマセルの形成等にも応用すること
が可能である。
【0046】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、放電電極とガラス成分を含むリブの間に
酸化物薄膜を介在させているので、これら放電電極とリ
ブの密着性を大幅に改善することができる。したがっ
て、信頼性の高い画像表示装置の製造が可能である。
明においては、放電電極とガラス成分を含むリブの間に
酸化物薄膜を介在させているので、これら放電電極とリ
ブの密着性を大幅に改善することができる。したがっ
て、信頼性の高い画像表示装置の製造が可能である。
【0047】また、この技術をサンドブラスト法でリブ
形成するプロセスに適用することにより、サンドブラス
ト時の砥粒によるガラスダメージを防止、改善すること
ができ、この点でも画像表示装置の信頼性を高めること
ができる。
形成するプロセスに適用することにより、サンドブラス
ト時の砥粒によるガラスダメージを防止、改善すること
ができ、この点でも画像表示装置の信頼性を高めること
ができる。
【図1】プラズマアドレス表示装置の構成例を一部切り
欠いて示す概略斜視図である。
欠いて示す概略斜視図である。
【図2】プラズマアドレス表示装置の構成例を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図3】データ電極、放電電極、放電チャンネルの配列
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図4】放電電極及び酸化物薄膜形成工程を示す要部概
略断面図である。
略断面図である。
【図5】リブ材料塗布工程を示す要部概略断面図であ
る。
る。
【図6】保護膜形成工程を示す要部概略断面図である。
【図7】リブ形成工程を示す要部概略断面図である。
1 電気光学表示セル、2 プラズマセル、3 誘電シ
ート、4 上側基板、5データ電極、7 液晶層、8
下側基板、9 放電電極、9A アノード電極、9B
カソード電極、10 リブ、14 酸化物薄膜、15
リブ材料
ート、4 上側基板、5データ電極、7 液晶層、8
下側基板、9 放電電極、9A アノード電極、9B
カソード電極、10 リブ、14 酸化物薄膜、15
リブ材料
Claims (3)
- 【請求項1】 基板の一主面上に互いに略平行な複数の
放電電極を形成し、これら放電電極上にガラス成分を含
むリブを形成することでプラズマセルを形成する画像表
示装置の製造方法において、 上記放電電極上に酸化物からなる薄膜を形成し、この上
にガラス成分を含むリブを形成することを特徴とする画
像表示装置の製造方法。 - 【請求項2】 上記酸化物からなる薄膜を蒸着法により
形成することを特徴とする請求項1記載の画像表示装置
の製造方法。 - 【請求項3】 上記ガラス成分を含むリブをサンドブラ
スト法によりパターニングすることを特徴とする請求項
1記載の画像表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131727A JP2000323024A (ja) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | 画像表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131727A JP2000323024A (ja) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | 画像表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323024A true JP2000323024A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=15064798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11131727A Withdrawn JP2000323024A (ja) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | 画像表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323024A (ja) |
-
1999
- 1999-05-12 JP JP11131727A patent/JP2000323024A/ja not_active Withdrawn
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