JP2000323086A - 集束イオンビーム装置 - Google Patents
集束イオンビーム装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス供給コントロール用バルブ上へガス化材
料が付着するのを防止する。 【解決手段】 ガス供給コントロール用バルブ９の中に
加熱用ヒータ１２を設ける。ターゲット３上に昇華した
ガス化材料を供給する時には、ガス供給コントロール用
バルブ９を反ターゲット方向に移動させガス化材料収納
部６とガス導入管７との間を連通した状態する。ガス化
材料の供給をストップする時にはガス供給コントロール
用バルブ９をターゲット方向に移動させガス化材料収納
部６とガス導入管７との間を遮断した状態する。何れの
場合においても、バルブ９は継続して加熱用ヒータ１２
により直接加熱されている。従って、昇華したガス化材
料の一部が前記バルブ９に衝突しても、バルブは加熱さ
れている状態にあるので、該昇華したガス化材料が該バ
ルブ表面に付着することはない。
料が付着するのを防止する。 【解決手段】 ガス供給コントロール用バルブ９の中に
加熱用ヒータ１２を設ける。ターゲット３上に昇華した
ガス化材料を供給する時には、ガス供給コントロール用
バルブ９を反ターゲット方向に移動させガス化材料収納
部６とガス導入管７との間を連通した状態する。ガス化
材料の供給をストップする時にはガス供給コントロール
用バルブ９をターゲット方向に移動させガス化材料収納
部６とガス導入管７との間を遮断した状態する。何れの
場合においても、バルブ９は継続して加熱用ヒータ１２
により直接加熱されている。従って、昇華したガス化材
料の一部が前記バルブ９に衝突しても、バルブは加熱さ
れている状態にあるので、該昇華したガス化材料が該バ
ルブ表面に付着することはない。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、ターゲットチャンバー
内にガスを供給する機構を備えた集束イオンビーム装置
に関する。
内にガスを供給する機構を備えた集束イオンビーム装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン源からのイオンビームをターゲッ
ト上で集束して照射する集束イオンビーム装置の中に、
ターゲットのエッチングやデポジション等を行う為に、
ターゲットのイオンビーム照射点に適宜なガスを吹き付
ける為のガス導入機構を備えたものがある。
ト上で集束して照射する集束イオンビーム装置の中に、
ターゲットのエッチングやデポジション等を行う為に、
ターゲットのイオンビーム照射点に適宜なガスを吹き付
ける為のガス導入機構を備えたものがある。
【０００３】図１，２はこの様なガス導入機構を備えた
集束イオンビーム装置の概略を示したものである。図中
１は集束イオンビーム光学系鏡筒で、内部には、イオン
源、イオン源からのイオンビームをターゲット上で集束
させるための集束レンズ、該イオンビームのターゲット
上での照射位置をコントロールするための偏向器、該イ
オンビームのターゲツト方向への照射／非照射（オン／
オフ）を行うためのブランキング機構等が設けられてい
る。
集束イオンビーム装置の概略を示したものである。図中
１は集束イオンビーム光学系鏡筒で、内部には、イオン
源、イオン源からのイオンビームをターゲット上で集束
させるための集束レンズ、該イオンビームのターゲット
上での照射位置をコントロールするための偏向器、該イ
オンビームのターゲツト方向への照射／非照射（オン／
オフ）を行うためのブランキング機構等が設けられてい
る。
【０００４】図中２は前記集束イオンビーム光学系１を
載置しているターゲットチャンバーで、内部に、ターゲ
ット３を載置したステージ４及びガス導入機構５が設け
られている。
載置しているターゲットチャンバーで、内部に、ターゲ
ット３を載置したステージ４及びガス導入機構５が設け
られている。
【０００５】該ガス導入機構５はチャンバー２の上部壁
に取り付けられ、二重管構造になっており、外側の管が
ガス化するための材料（ガス化材料と称す）を収納する
ためのガス化材料収納部６に成っており、内側の管、即
ち、中心軸Ｏ上の管がガス導入管７となっている。この
ガス導入管そのまま前記二重管構造の部材からターゲッ
ト側に延びており、先端部がノズル状になっている。前
記ガス化材料収納部６とガス導入管７とは上部空間部８
で繋がっており、この空間部に、中心軸Ｏに沿って移動
するガス供給コントロール用バルブ９が設けられてい
る。１０は該バルブの移動を制御するアクチュエータで
ある。前記二重管構造部材及びガス導入管が延びた単管
部の外側には加熱用ヒータ１１が設けられている。
に取り付けられ、二重管構造になっており、外側の管が
ガス化するための材料（ガス化材料と称す）を収納する
ためのガス化材料収納部６に成っており、内側の管、即
ち、中心軸Ｏ上の管がガス導入管７となっている。この
ガス導入管そのまま前記二重管構造の部材からターゲッ
ト側に延びており、先端部がノズル状になっている。前
記ガス化材料収納部６とガス導入管７とは上部空間部８
で繋がっており、この空間部に、中心軸Ｏに沿って移動
するガス供給コントロール用バルブ９が設けられてい
る。１０は該バルブの移動を制御するアクチュエータで
ある。前記二重管構造部材及びガス導入管が延びた単管
部の外側には加熱用ヒータ１１が設けられている。
【０００６】この様な集束イオンビーム装置において、
例えば、デポジションを行う場合、外部からの指令に基
づいてアクチュエータ１０を作動させ、ガス供給コント
ロール用バルブ９をターゲット方向に移動させガス化材
料収納部６とガス導入管７との間を遮断した状態（図
１）にしておき、排気手段（図示せず）によりターゲッ
トチャンバー２内を所定の真空度にした後、加熱用ヒー
タ１１をオンの状態にしてガス化材料収納部６に収容さ
れたガス化材料（例えば、デポジション等の場合には、
有機金属）を加熱し昇華（ガス化）させる。この時、外
部からの指令に基づいてアクチュエータ１０を作動さ
せ、前記ガス供給コントロール用バルブ９を反ターゲッ
ト方向に移動させガス化材料収納部６とガス導入管７と
の間を連通した状態（図２）する。この結果、前記収納
部６で昇華したガス化材料はガス導入管７を通り、その
先端のノズル部からターゲット３上に向け吹き出され
る。このガス化材料の材料上への噴射と共に、集束イオ
ンビーム光学系鏡筒１のイオン源（図示せず）からの集
束イオンビームをターゲット上の所定の位置に照射する
ことにより、その位置にガス化材料が堆積する。尚、ガ
ス化材料収納部６からガス導入管７へのガス化材料供給
をストップさせる時には、アクチュエータ１０を作動さ
せ、ガス供給コントロール用バルブ９をターゲット方向
に移動させガス化材料収納部６とガス導入管７との間を
遮断した状態（図１）にする。
例えば、デポジションを行う場合、外部からの指令に基
づいてアクチュエータ１０を作動させ、ガス供給コント
ロール用バルブ９をターゲット方向に移動させガス化材
料収納部６とガス導入管７との間を遮断した状態（図
１）にしておき、排気手段（図示せず）によりターゲッ
トチャンバー２内を所定の真空度にした後、加熱用ヒー
タ１１をオンの状態にしてガス化材料収納部６に収容さ
れたガス化材料（例えば、デポジション等の場合には、
有機金属）を加熱し昇華（ガス化）させる。この時、外
部からの指令に基づいてアクチュエータ１０を作動さ
せ、前記ガス供給コントロール用バルブ９を反ターゲッ
ト方向に移動させガス化材料収納部６とガス導入管７と
の間を連通した状態（図２）する。この結果、前記収納
部６で昇華したガス化材料はガス導入管７を通り、その
先端のノズル部からターゲット３上に向け吹き出され
る。このガス化材料の材料上への噴射と共に、集束イオ
ンビーム光学系鏡筒１のイオン源（図示せず）からの集
束イオンビームをターゲット上の所定の位置に照射する
ことにより、その位置にガス化材料が堆積する。尚、ガ
ス化材料収納部６からガス導入管７へのガス化材料供給
をストップさせる時には、アクチュエータ１０を作動さ
せ、ガス供給コントロール用バルブ９をターゲット方向
に移動させガス化材料収納部６とガス導入管７との間を
遮断した状態（図１）にする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この様な装置におい
て、上記した様に、前記ガス化材料収納部６からガス導
入管７へ昇華したガス化材料を供給する場合には、バル
ブ９を反ターゲット方向に移動させ、空間部８中に位置
させることによりガス化材料収納部６とガス導入管７と
の間を連通した状態（図２）にし、該ガス化材料の供給
をストップさせる場合には、バルブ９をターゲット方向
に移動させ、ガス化材料収納部６の開口とガス導入管７
の開口をバルブで完全に塞ぐことによりガス化材料収納
部６とガス導入管７との間を遮断した状態（図１）にし
ている。又、上記した様に、ガス化材料収納部６は加熱
用ヒータ１１によって加熱される構造に成っている。従
って、昇華したガス化材料のガス導入管７への供給をス
トップさせる場合にはバルブ９がガス化材料収納部６壁
部の一部に接触するために、ガス化材料収納部６壁部を
介して加熱用ヒータ１１によってバルブ９は加熱され
る。
て、上記した様に、前記ガス化材料収納部６からガス導
入管７へ昇華したガス化材料を供給する場合には、バル
ブ９を反ターゲット方向に移動させ、空間部８中に位置
させることによりガス化材料収納部６とガス導入管７と
の間を連通した状態（図２）にし、該ガス化材料の供給
をストップさせる場合には、バルブ９をターゲット方向
に移動させ、ガス化材料収納部６の開口とガス導入管７
の開口をバルブで完全に塞ぐことによりガス化材料収納
部６とガス導入管７との間を遮断した状態（図１）にし
ている。又、上記した様に、ガス化材料収納部６は加熱
用ヒータ１１によって加熱される構造に成っている。従
って、昇華したガス化材料のガス導入管７への供給をス
トップさせる場合にはバルブ９がガス化材料収納部６壁
部の一部に接触するために、ガス化材料収納部６壁部を
介して加熱用ヒータ１１によってバルブ９は加熱され
る。
【０００８】しかし、昇華したガス化材料をガス導入管
７への供給する場合にはバルブ９が何れの部分にも接触
せずに空間部８中に位置させるようにしているので、バ
ルブ９は加熱されずに冷えてしまう。その為に、昇華し
たガス化材料の内、冷えたバルブ９に衝突したものの一
部が該バルブに付着し、該バルブ表面で固まってしま
う。この結果、バルブ９が作動しなくなることがある。
７への供給する場合にはバルブ９が何れの部分にも接触
せずに空間部８中に位置させるようにしているので、バ
ルブ９は加熱されずに冷えてしまう。その為に、昇華し
たガス化材料の内、冷えたバルブ９に衝突したものの一
部が該バルブに付着し、該バルブ表面で固まってしま
う。この結果、バルブ９が作動しなくなることがある。
【０００９】本発明は、この様な問題点を解決する為に
なされたもので、新規な集束イオンビーム装置を提供す
ることを目的とするものである。
なされたもので、新規な集束イオンビーム装置を提供す
ることを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の集束イオンビー
ム装置は、ステージ上に載置されたターゲットに集束イ
オンビームを照射するためのイオンビーム照射系と、タ
ーゲット上のイオンビーム照射箇所にガスを吹き付ける
ためのガス導入機構を備えた集束イオンビーム装置であ
って、前記ガス導入機構は、ガス化材料収納部，該収納
部でガス化したガスを前記ターゲット上に導くためのガ
ス導入管，前記ガス化材料収納部から前記ガス導入管へ
のガスの供給をコントロールするバルブ，及び前記ガス
化材料を加熱するための加熱手段を備えており、前記バ
ルブを加熱するための加熱手段を設けたことを特徴とす
る。
ム装置は、ステージ上に載置されたターゲットに集束イ
オンビームを照射するためのイオンビーム照射系と、タ
ーゲット上のイオンビーム照射箇所にガスを吹き付ける
ためのガス導入機構を備えた集束イオンビーム装置であ
って、前記ガス導入機構は、ガス化材料収納部，該収納
部でガス化したガスを前記ターゲット上に導くためのガ
ス導入管，前記ガス化材料収納部から前記ガス導入管へ
のガスの供給をコントロールするバルブ，及び前記ガス
化材料を加熱するための加熱手段を備えており、前記バ
ルブを加熱するための加熱手段を設けたことを特徴とす
る。
【００１１】又、本発明の集束イオンビーム装置は、バ
ルブに加熱ヒータを内蔵させたことを特徴とする。又、
本発明の集束イオンビーム装置は、ステージ上に載置さ
れたターゲットに集束イオンビームを照射するためのイ
オンビーム照射系と、ターゲット上のイオンビーム照射
箇所にガスを吹き付けるためのガス導入機構を備えた集
束イオンビーム装置であって、前記ガス導入機構は、ガ
ス化材料収納部，該収納部でガス化したガスを前記ター
ゲット上に導くためのガス導入管，前記ガス化材料収納
部と前記ガス導入管とを繋ぐ空間内での移動に基づいて
前記ガス化材料収納部から前記ガス導入管へのガスの供
給をコントロールするバルブ、及び前記ガス化材料収納
部を加熱するための加熱手段を備えており、前記空間内
でのバルブの移動に基づく前記ガス化材料収納部から前
記ガス導入管へのガスの供給時及び非供給時において前
記バルブは前記ガス化材料収納部の一部若しくは該ガス
化材料収納部に繋がった前記空間部を囲っている容器の
一部に接するように成したことを特徴とする。
ルブに加熱ヒータを内蔵させたことを特徴とする。又、
本発明の集束イオンビーム装置は、ステージ上に載置さ
れたターゲットに集束イオンビームを照射するためのイ
オンビーム照射系と、ターゲット上のイオンビーム照射
箇所にガスを吹き付けるためのガス導入機構を備えた集
束イオンビーム装置であって、前記ガス導入機構は、ガ
ス化材料収納部，該収納部でガス化したガスを前記ター
ゲット上に導くためのガス導入管，前記ガス化材料収納
部と前記ガス導入管とを繋ぐ空間内での移動に基づいて
前記ガス化材料収納部から前記ガス導入管へのガスの供
給をコントロールするバルブ、及び前記ガス化材料収納
部を加熱するための加熱手段を備えており、前記空間内
でのバルブの移動に基づく前記ガス化材料収納部から前
記ガス導入管へのガスの供給時及び非供給時において前
記バルブは前記ガス化材料収納部の一部若しくは該ガス
化材料収納部に繋がった前記空間部を囲っている容器の
一部に接するように成したことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１３】図３，図４は本発明の集束イオンビーム装
置の１概略例を示したもので、図中前記図１，図２と同
一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
置の１概略例を示したもので、図中前記図１，図２と同
一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
【００１４】図３，４に示す構成が図１，２に示す構成
と異なるところは、ガス供給コントロール用バルブ９の
構造にある。図３，４では、該バルブ９中に加熱用ヒー
タ１２が設けられている。即ち、ガス供給コントロール
用バルブ９が加熱用ヒータ１２により加熱される構造に
なっている。
と異なるところは、ガス供給コントロール用バルブ９の
構造にある。図３，４では、該バルブ９中に加熱用ヒー
タ１２が設けられている。即ち、ガス供給コントロール
用バルブ９が加熱用ヒータ１２により加熱される構造に
なっている。
【００１５】この様な構造の集束イオンビーム装置にお
いて、例えば、デポジションを行う場合、外部からの指
令に基づいてアクチュエータ１０を作動させ、ガス供給
コントロール用バルブ９をターゲット方向に移動させガ
ス化材料収納部６とガス導入管７との間を遮断した状態
（図３）にしておき、排気手段（図示せず）によりター
ゲットチャンバー２内を所定の真空度にした後、加熱用
ヒータ１１，１２をオンの状態にしてガス化材料収納部
６に収容されたガス化材料（例えば、デポジション等の
場合には、有機金属）を加熱し昇華（ガス化）させると
同時に、前記ガス供給コントロール用バルブ９を加熱す
る。従って、該バルブ９は加熱用ヒータ１２により直接
加熱されると同時に、ガス化材料収納部６の壁部を介し
て加熱用ヒータ１１によって加熱される。
いて、例えば、デポジションを行う場合、外部からの指
令に基づいてアクチュエータ１０を作動させ、ガス供給
コントロール用バルブ９をターゲット方向に移動させガ
ス化材料収納部６とガス導入管７との間を遮断した状態
（図３）にしておき、排気手段（図示せず）によりター
ゲットチャンバー２内を所定の真空度にした後、加熱用
ヒータ１１，１２をオンの状態にしてガス化材料収納部
６に収容されたガス化材料（例えば、デポジション等の
場合には、有機金属）を加熱し昇華（ガス化）させると
同時に、前記ガス供給コントロール用バルブ９を加熱す
る。従って、該バルブ９は加熱用ヒータ１２により直接
加熱されると同時に、ガス化材料収納部６の壁部を介し
て加熱用ヒータ１１によって加熱される。
【００１６】次に、外部からの指令に基づいてアクチュ
エータ１０を作動させ、前記ガス供給コントロール用バ
ルブ９を反ターゲット方向に移動させガス化材料収納部
６とガス導入管７との間を連通した状態（図４）する。
この結果、前記収納部６で昇華したガス化材料はガス導
入管７を通り、その先端のノズル部からターゲット３上
に向け吹き出される。このガス化材料の材料上への噴射
と共に、集束イオンビーム光学系鏡筒１のイオン源（図
示せず）からの集束イオンビームをターゲット上の所定
の位置に照射することにより、その位置にガス化材料が
堆積する。この際、前記バルブ９は継続して加熱用ヒー
タ１２により直接加熱されている。従って、昇華したガ
ス化材料の一部が前記バルブ９に衝突しても、バルブは
加熱されている状態にあるので、該昇華したガス化材料
が該バルブ表面に付着することはない。尚、ガス化材料
収納部６からガス導入管７へのガス化材料供給をストッ
プさせる時には、アクチュエータ１０を作動させ、ガス
供給コントロール用バルブ９をターゲット方向に移動さ
せガス化材料収納部６とガス導入管７との間を遮断した
状態（図３）にする。
エータ１０を作動させ、前記ガス供給コントロール用バ
ルブ９を反ターゲット方向に移動させガス化材料収納部
６とガス導入管７との間を連通した状態（図４）する。
この結果、前記収納部６で昇華したガス化材料はガス導
入管７を通り、その先端のノズル部からターゲット３上
に向け吹き出される。このガス化材料の材料上への噴射
と共に、集束イオンビーム光学系鏡筒１のイオン源（図
示せず）からの集束イオンビームをターゲット上の所定
の位置に照射することにより、その位置にガス化材料が
堆積する。この際、前記バルブ９は継続して加熱用ヒー
タ１２により直接加熱されている。従って、昇華したガ
ス化材料の一部が前記バルブ９に衝突しても、バルブは
加熱されている状態にあるので、該昇華したガス化材料
が該バルブ表面に付着することはない。尚、ガス化材料
収納部６からガス導入管７へのガス化材料供給をストッ
プさせる時には、アクチュエータ１０を作動させ、ガス
供給コントロール用バルブ９をターゲット方向に移動さ
せガス化材料収納部６とガス導入管７との間を遮断した
状態（図３）にする。
【００１７】図５，図６は本発明の集束イオンビーム装
置の他の１概略例を示したもので、図中前記図１，図２
と同一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
置の他の１概略例を示したもので、図中前記図１，図２
と同一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
【００１８】図５，６に示す構成が図１，２に示す構成
と異なるところは、ガス供給コントロール用バルブの構
造にある。図５，６において、ガス供給コントロール用
バルブ９´の光軸Ｏ方向の寸法が、ガス化材料収納部６
とガス導入管７との間を連通させた状態の時に該バルブ
がガス化材料収納部６に繋がった空間８を形成している
容器壁の一部に接触する程度の厚さに成る様に該バルブ
を作成している。
と異なるところは、ガス供給コントロール用バルブの構
造にある。図５，６において、ガス供給コントロール用
バルブ９´の光軸Ｏ方向の寸法が、ガス化材料収納部６
とガス導入管７との間を連通させた状態の時に該バルブ
がガス化材料収納部６に繋がった空間８を形成している
容器壁の一部に接触する程度の厚さに成る様に該バルブ
を作成している。
【００１９】この様な構造の集束イオンビーム装置にお
いて、例えば、デポジションを行う場合、外部からの指
令に基づいてアクチュエータ１０を作動させ、ガス供給
コントロール用バルブ９´をターゲット方向に移動させ
ガス化材料収納部６とガス導入管７との間を遮断した状
態（図５）にしておき、排気手段（図示せず）によりタ
ーゲットチャンバー２内を所定の真空度にした後、加熱
用ヒータ１１をオンの状態にしてガス化材料収納部６に
収容されたガス化材料（例えば、デポジション等の場合
には、有機金属）を加熱し昇華（ガス化）させる。この
時、前記ガス供給コントロール用バルブ９´は、前記ガ
ス化材料収納部６の壁部を介して前記加熱用ヒータ１１
により加熱される。
いて、例えば、デポジションを行う場合、外部からの指
令に基づいてアクチュエータ１０を作動させ、ガス供給
コントロール用バルブ９´をターゲット方向に移動させ
ガス化材料収納部６とガス導入管７との間を遮断した状
態（図５）にしておき、排気手段（図示せず）によりタ
ーゲットチャンバー２内を所定の真空度にした後、加熱
用ヒータ１１をオンの状態にしてガス化材料収納部６に
収容されたガス化材料（例えば、デポジション等の場合
には、有機金属）を加熱し昇華（ガス化）させる。この
時、前記ガス供給コントロール用バルブ９´は、前記ガ
ス化材料収納部６の壁部を介して前記加熱用ヒータ１１
により加熱される。
【００２０】次に、外部からの指令に基づいてアクチュ
エータ１０を作動させ、前記ガス供給コントロール用バ
ルブ９´を所定のストローク分だけ反ターゲット方向に
移動させガス化材料収納部６とガス導入管７との間を連
通した状態（図６）する。この状態においては、前記バ
ルブ９´がガス化材料収納部６に繋がった空間８を形成
している容器壁の一部に接触している。この結果、前記
収納部６で昇華したガス化材料はガス導入管７を通り、
その先端のノズル部からターゲット３上に向け吹き出さ
れる。この際、前記バルブ９はガス化材料収納部６の壁
部及び該ガス化材料収納部６に繋がった空間８を形成し
ている容器壁の一部を介して加熱用ヒータ１１により加
熱されている。従って、昇華したガス化材料の一部が前
記バルブ９´に衝突しても、該バルブ９´は加熱されて
いる状態にあるので、該昇華したガス化材料が該バルブ
表面に付着することはない。尚、ガス化材料収納部６か
らガス導入管７へのガス化材料供給をストップさせる時
には、アクチュエータ１０を作動させ、ガス供給コント
ロール用バルブ９´をターゲット方向に移動させガス化
材料収納部６とガス導入管７との間を遮断した状態（図
５）にする尚、前記例では、ガス導入機構がチャンバー
内に設けられる集束イオンビーム装置を示したが、ガス
導入管の一部はチャンバー内に設けられるが、ガス化材
料が収納されるガス化収納容器や、該ガス化収納容器で
ガス化したガス化材料をチャンバー内のガス導入管に導
く管や、チャンバー内へのガス化したガス化材料の導入
をコントロールするバルブ等がチャンバー外に設けられ
た構成のガス導入機構にも、本発明が応用可能であるこ
とは当然のことである。
エータ１０を作動させ、前記ガス供給コントロール用バ
ルブ９´を所定のストローク分だけ反ターゲット方向に
移動させガス化材料収納部６とガス導入管７との間を連
通した状態（図６）する。この状態においては、前記バ
ルブ９´がガス化材料収納部６に繋がった空間８を形成
している容器壁の一部に接触している。この結果、前記
収納部６で昇華したガス化材料はガス導入管７を通り、
その先端のノズル部からターゲット３上に向け吹き出さ
れる。この際、前記バルブ９はガス化材料収納部６の壁
部及び該ガス化材料収納部６に繋がった空間８を形成し
ている容器壁の一部を介して加熱用ヒータ１１により加
熱されている。従って、昇華したガス化材料の一部が前
記バルブ９´に衝突しても、該バルブ９´は加熱されて
いる状態にあるので、該昇華したガス化材料が該バルブ
表面に付着することはない。尚、ガス化材料収納部６か
らガス導入管７へのガス化材料供給をストップさせる時
には、アクチュエータ１０を作動させ、ガス供給コント
ロール用バルブ９´をターゲット方向に移動させガス化
材料収納部６とガス導入管７との間を遮断した状態（図
５）にする尚、前記例では、ガス導入機構がチャンバー
内に設けられる集束イオンビーム装置を示したが、ガス
導入管の一部はチャンバー内に設けられるが、ガス化材
料が収納されるガス化収納容器や、該ガス化収納容器で
ガス化したガス化材料をチャンバー内のガス導入管に導
く管や、チャンバー内へのガス化したガス化材料の導入
をコントロールするバルブ等がチャンバー外に設けられ
た構成のガス導入機構にも、本発明が応用可能であるこ
とは当然のことである。
【図１】 従来の集束イオンビーム装置の１概略例を示
している。
している。
【図２】 従来の集束イオンビーム装置の１概略例を示
している。
している。
【図３】 本発明の集束イオンビーム装置の１概略例を
示している。
示している。
【図４】 本発明の集束イオンビーム装置の１概略例を
示している。
示している。
【図５】 本発明の集束イオンビーム装置の他の１概略
例を示している。
例を示している。
【図６】 本発明の集束イオンビーム装置の他の１概略
例を示している。
例を示している。
１…集束イオンビーム光学鏡筒 ２…ターゲットチャンバー ３…ターゲット ４…ステージ ５…ガス導入機構 ６…ガス化材料収納部 ７…ガス導入管 ８…空間部 ９，９´…ガス供給コントロール用バルブ １０…アクチュエータ １１，１２…加熱用ヒータ
Claims (3)
- 【請求項１】 ステージ上に載置されたターゲットに集
束イオンビームを照射するためのイオンビーム照射系
と、ターゲット上のイオンビーム照射箇所にガスを吹き
付けるためのガス導入機構を備えた集束イオンビーム装
置であって、前記ガス導入機構は、ガス化材料収納部，
該収納部でガス化したガスを前記ターゲット上に導くた
めのガス導入管，前記ガス化材料収納部から前記ガス導
入管へのガスの供給をコントロールするバルブ，及び前
記ガス化材料を加熱するための加熱手段を備えており、
前記バルブを加熱するための加熱手段を設けた集束イオ
ンビーム装置。 - 【請求項２】 前記バルブに加熱ヒータを内蔵させたこ
とを特徴とする請求項１記載の集束イオンビーム装置。 - 【請求項３】 ステージ上に載置されたターゲットに集
束イオンビームを照射するためのイオンビーム照射系
と、ターゲット上のイオンビーム照射箇所にガスを吹き
付けるためのガス導入機構を備えた集束イオンビーム装
置であって、前記ガス導入機構は、ガス化材料収納部，
該収納部でガス化したガスを前記ターゲット上に導くた
めのガス導入管，前記ガス化材料収納部と前記ガス導入
管とを繋ぐ空間内での移動に基づいて前記ガス化材料収
納部から前記ガス導入管へのガスの供給をコントロール
するバルブ、及び前記ガス化材料収納部を加熱するため
の加熱手段を備えており、前記空間内でのバルブの移動
に基づく前記ガス化材料収納部から前記ガス導入管への
ガスの供給時及び非供給時において前記バルブは前記ガ
ス化材料収納部の一部若しくは該ガス化材料収納部に繋
がった前記空間部を囲っている容器の一部に接するよう
に成した集束イオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11133570A JP2000323086A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 集束イオンビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11133570A JP2000323086A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 集束イオンビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323086A true JP2000323086A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=15107907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11133570A Withdrawn JP2000323086A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 集束イオンビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323086A (ja) |
-
1999
- 1999-05-14 JP JP11133570A patent/JP2000323086A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060801 |