JP2000323383A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び製造装置

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JP2000323383A
JP2000323383A JP11128050A JP12805099A JP2000323383A JP 2000323383 A JP2000323383 A JP 2000323383A JP 11128050 A JP11128050 A JP 11128050A JP 12805099 A JP12805099 A JP 12805099A JP 2000323383 A JP2000323383 A JP 2000323383A
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wafers
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Katsumi Nirasawa
克己 韮沢
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NEC Yamagata Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パイロットウエーハを用いてのアライメント
補正を行うことなく、重ね合わせ誤差が少なく、しかも
短時間の処理で最適なアライメント補正による露光を行
うことを可能にした半導体装置の製造方法及び製造装置
を提供する。 【解決手段】 露光、現像処理されたウエーハでの重ね
合わせ誤差を測定し(S105)、測定した重ね合わせ
誤差からアライメント補正値を算出し(S107)、算
出されたアライメント補正値に基づいて、次に露光、現
像処理するウエーハでのアライメント補正を行う製造方
法において、前記算出されたアライメント補正値を少な
くとも露光した際の条件と共に蓄積しておき(S10
8)、当該蓄積したアライメント補正値のうち、次に露
光、現像処理するウエーハの処理条件と共通する条件の
アライメント補正値に基づいて前記次のウエーハの露光
時のアライメント補正を行う(S101,S102,S
103)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に投影露光装置などの露光装置でのアライ
メント補正の方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、数1
0回のフォトリソグラフィー工程が行われそれに続いて
エッチング工程やドーピング工程が行われてウエーハ内
に所望の回路が作り込まれる。前記フォトリソグラフィ
ー工程においては、パターン露光工程を行う都度、ウエ
ーハ上に下地パターンと共に形成されてあるアライメン
トマークを用いて位置決め(ウェーハアライメント)を
行った後に露光機(ステッパー)にて露光を行い、これ
により当該露光パターンと下地パターンとの重ね合わせ
ズレの発生を抑制している。ここで、ウエーハアライメ
ントは通常レジストが感光しないように露光光波長より
長い波長を用いて行われる。そのために、露光光とアラ
イメントに用いられる波長の光とでは、同じステッパー
のレンズ系を用いても、レジスト膜や半導体基板上のS
iO2 膜などでの結像位置が異なり重ね合わせ誤差が発
生する。さらに、アライメントマークに上に半導体製造
工程で数層から十数層の成膜やエッチングが行われるこ
とにより、アライメント断面形状が非対称になる。アラ
イメントマークの断面形状が非対称になると、アライメ
ント信号も非対称になるため、アライメントマークの位
置が真の位置からずれて観測されてしまう。
【0003】このようなアライメントセンサーでの計測
の誤差を解消するために、パイロットウエーハを用いて
アライメントセンサーの計測誤差の補正を行う技術が提
案されている。図4は、この補正を行うための製造装置
(システム構成)を示している。ステッパー102と現
像機103とを一体化したステッパーインライン現像機
101を制御しているマシーンコントローラー(以下、
M/C)104と、露光・現像後の重ね合わせ誤差を測
定する重ね合わせ計測機105と、パイロットウエーハ
の重ね合わせ誤差を測定するパイロット用重ね合わせ計
測機108と、測定した重ね合わせ誤差を送信するター
ミナルサーバ109と、前記パイロットウエーハの重ね
合わせ計測結果を受信して補正値を算出するパイロット
補正サーバー110とから成る。これらはローカルエリ
アネットワーク100(以下、LAN)で結ばれてお
り、また前記M/C104と重ね合わせ計測機105は
工場側HOST201と工場LAN200に結ばれてい
る。
【0004】図5は、図4の製造装置でのアライメント
補正の手順を示すフローチャートである。ウエーハは通
常キャリアに収容されて露光装置に搬入される。通常、
キャリアには25枚程度のウエーハが収容されており、
1キャリアで1ロットが組まれる。枚葉式の装置では、
通常キャリアの1番下からウエーハを取り出し、処理が
終わった後に同一キャリアにウエーハを戻す場合には取
り出した位置にウエーハが戻され、別のキャリアにウエ
ーハを収納する場合にはキャリアの上から順番につめて
いく。まず、ステップS201において、ロットの最初
のウエーハをホストから指示のあったスロットから取り
出し、パイロットウエーハとしてステッパー102にロ
ードする。続いて、ステップS202では、ステッパー
102によりアライメントマークにより補正を行うこと
なく位置あわせを行い、ステップアンドリピート方式に
て露光を行う。次に、ステップS203において現像を
行い、ステップS204において重ね合わせ誤差の測定
をパイロット用重ね合わせ計測機108で行う。このス
テップS204における重ね合わせ誤差の測定は、下地
にあらかじめノギスを形成しておき、現像後のフォトレ
ジストパターンとノギスを比較することによって行う。
【0005】次に、ステップS205において、パイロ
ット用重ね合わせ計測機108からパイロット補正サー
バー109へ、先のステップS204において求めた重
ね合わせ誤差結果をネットワークを介して送信される。
次いで、ステップS205において送信された重ね合わ
せ誤差に基づいて、パイロット補正サーバー110はア
ライメント補正値を算出する。ステップS206におい
て、パイロット補正サーバー110はM/C104へ算
出した補正値を送信する。M/C104は送信された補
正値を用いてアライメント補正を行いながら、残りのウ
エーハに対して露光を行い、さらに現像を行う(ステッ
プS207)。なお、前記パイロットウエーハは、先の
ステップS207で残りウエーハに露光している間にレ
ジスト剥離をおこない(ステップS210)、次いでレ
ジストが再塗布される(ステップS211)。ステップ
S211で再塗布されたウエーハはステッパーインライ
ン現像機101へ戻り(ステップS208)、ロットの
最終ウエーハとして露光される(ステップS209)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このようなパイロット
ウエーハによるアライメント補正を行った場合でも、ロ
ット内のプロセスバラツキは正規分布に近いので、パイ
ロットウエーハとして選択したウエーハがロット中のプ
ロセスバラツキ分布の端のウエーハである可能性がある
ため、必ずしも重ね合わせ誤差を零、又は零に近い領域
に補正することは難しい。例えば、ロット内ウエーハを
アライメント補正なしで露光した場合のプロセスバラツ
キによるアライメント誤差が、平均値0μm,標準偏差
σ=0.088μmの正規分布である場合、アライメン
ト補正値は0μmが最適であるが、プロセスバラツキの
ためパイロットウエーハのアライメント誤差が±0.0
5μmに入らない確率は0.62となる。すなわち62
%の確率で0.05μm以上の重ね合わせ誤差をパイロ
ットウエーハを用いてアライメント補正を行うことによ
り発生させてしまうことになる。また、従来のアライメ
ント補正方法ではパイロットウエーハを露光、現像する
ことで行っていたため、パイロットウエーハでのアライ
メント誤差を測定するまでの工程数が多く、アライメン
ト誤差を得るのに長時間を要しているという問題もあ
る。
【0007】本発明の目的は、パイロットウエーハを用
いることなく、重ね合わせ誤差が少なく、しかも短時間
の処理で最適なアライメント補正値を用いた露光を行う
ことを可能にした半導体装置の製造方法及び製造装置を
提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、露
光、現像処理されたウエーハでの重ね合わせ誤差を測定
し、測定した重ね合わせ誤差からアライメント補正値を
算出し、算出されたアライメント補正値に基づいて、次
に露光、現像処理するウエーハでのアライメント補正を
行うに際し、前記算出されたアライメント補正値を少な
くとも露光した際の条件と共に蓄積しておき、当該蓄積
したアライメント補正値のうち、次に露光、現像処理す
るウエーハの処理条件と共通する条件のアライメント補
正値に基づいて前記次のウエーハの露光時のアライメン
ト補正を行うことを特徴とする。ここで、前記露光の際
の条件として、製造する製品名、処理する工程名、ロッ
トナンバー、ステッパー処理号機をデータとして前記ア
ライメント補正値に対応させて蓄積することが好まし
い。
【0009】また、本発明の製造装置は、ウエーハに対
して露光を行う露光機と、前記露光機を制御するコント
ローラと、露光されかつ現像された前記ウエーハの重ね
合わせ誤差を計測する重ね合わせ計測機と、前記重ね合
わせ計測機で計測された重ね合わせ誤差から算出したア
ライメント補正値を蓄積するサーバーとを備え、前記サ
ーバは少なくともウエーハを露光する際の条件に対応さ
せて前記アライメント補正値を蓄積し、かつ前記コント
ローラからの補正値の問い合わせに対して、当該露光対
象となるウエーハを露光する際の条件に対応したアライ
メント補正値を前記コントローラに送信するよう構成し
たことを特徴とする。
【0010】すなわち、本発明者が過去のパイロットウ
エーハによるアライメント補正の統計について検討を行
ったところ、製品(半導体装置)の製品名(種類)、露
光対象となる処理工程の種類、ロットナンバー、ステッ
パー処理号機等の処理条件の違う露光処理について、そ
れぞれ固有の重ね合わせ誤差が発生することが確認され
た。これは、例えば、半導体装置の種類の場合には、種
類の違いによって素子配列が異なると露光するパターン
が異なるため重ね合わせ誤差は異なる値となるが、同じ
種類で素子配列が同一または類似の露光パターンでは重
ね合わせ誤差がほぼ一定の値となる。同様に、対象とな
る処理工程、ロットナンバー、ステッパ処理号機が同一
の場合には、ほぼ一定の重ね合わせ誤差が発生すること
が確認された。そこで、本発明では、半導体装置の種
類、処理工程の種類、ロットナンバー、ステッパー処理
号機等の、処理条件毎にアライメント補正の補正値を求
め、かつこれを蓄積しておき、処理対象となるウエーハ
に対する処理条件を対比し、一致ないし共通する処理条
件のアライメント補正値を選択することで、パイロット
ウエーハを用いることなく、しかも重ね合わせ誤差の少
ないアライメント補正を実現することが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図1を参照して説明する。図1は、本発明方法でのフ
ォトリソグラフィー工程、特にアライメント補正を実施
するための製造装置(システム構成)を示している。図
4に示した従来システムと同様に、ステッパー102と
現像機103を一体化したステッパーインライン現像機
101を制御しているM/C104と、露光・現像後の
重ね合わせ誤差を測定する重ね合わせ計測機105とを
有している。これらM/C104と重ね合わせ計測機1
05は、従来同様に工場LAN200を介して工場側H
OST201と結ばれている。また、従来のターミナル
サーバに代えて、ここでは前記重ね合わせ計測機105
を制御して、計測結果を送信するための計測機コントロ
ーラ106と、前記重ね合わせ計測機105での重ね合
わせ計測結果を蓄積し補正値を算出するパイロット補正
サーバー(以下、PLSサーバー)107とを備えてい
る。前記M/C104、計測機コントローラ106、P
LSサーバー107はLAN100で結ばれている。
【0012】以上のシステムにおける半導体製造装置の
製造方法、特にフォトリソグラフィー工程を図2のフロ
ーチャートを参照して説明する。先ず、M/C104は
ステッパー処理前にPLSサーバー107へアライメン
ト補正値問合せを行う(S101)。このとき、M/C
104は処理対象のウエーハに係わるステッパー処理号
機、製品名、工程名、ロットナンバー、ステッパー処理
日時等のデータをPLSサーバー107へ送信する。P
LSサーバー107はこのデータに対応するアライメン
ト補正値を出力し、M/C104はこれを受信する(S
102)。なお、このときにはPLSサーバー107に
は、各データに対応して仮のアライメント補正値を蓄積
しておく。この仮のアライメント補正値は、例えば、図
4に示した従来方法で得られたデータを利用してもよ
い。
【0013】そして、M/C104は、受信したアライ
メント補正値に基づいて所定のロットのウエーハに露
光、現像を実行する(S103,S104)。しかる上
で、露光、現像処理されたロットを重ね合わせ計測機1
05にて、指定されたウエーハ枚数に対して、指定され
た測定ポイントを計測し、この計測から重ね合わせ誤差
を計測する(S105)。そして、重ね合わせ計測機1
05は計測した重ね合わせ誤差を、そのときのステッパ
ー処理号機,製品名,工程名,ロットNo,ステッパー
処理日時等のデータと共にLAN100で結ばれたPL
Sサーバー107へ送信する(S106)。PLSサー
バー107は受信された重ね合わせ誤差を前記データと
共に蓄積し、かつこれまでに蓄積された重ね合わせ誤差
とデータから、各データ毎に各重ね合わせ誤差を平均化
する等して、各データ毎のアライメント補正値を算出し
(S107)、これを蓄積する(S108)。なお、前
記ステップS101〜S107を複数ロットにわたって
繰り返すことで、PLSサーバー107に蓄積されるデ
ータ数が増加され、アライメント補正値の信頼性が次第
に向上する。
【0014】このように、アライメント補正値の信頼性
を向上しながら、再度、ステップS101において、次
のロットに対してM/C104はステッパー処理前にP
LSサーバー107へアライメント補正値問合せを行う
(S101)と、PLSサーバー107は、当該ロット
でのステッパー処理号機,製品名,工程名,ロットNo
等のデータに対応するアライメント補正値のうちから、
過去に処理された同一条件、すなわち同一データのロッ
トの重ね合わせ誤差の結果から算出したアライメント補
正値をM/C104へ送信する(S102)。そして、
M/C104はPLSサーバー107から受信したアラ
イメント補正値を反映させてステッパーインライン現像
機101での露光,現像を行う(S103,S10
4)。この露光・現像終了後、露光・現像されたウエー
ハは重ね合わせ計測機105にて重ね合わせ計測され、
計測結果はデータ蓄積のためにLAN100を介して、
PLSサーバー107へ送信されることは前記したとお
りであり、これによりPLSサーバー107に蓄積され
るアライメント補正値を更新し、その信頼性がさらに高
められることになる。
【0015】このように、以前に処理された複数ロット
の重ね合わせ誤差のデータとアライメント補正値に基づ
いて、PLSサーバー107に蓄積されているアライメ
ント補正値を更新しながら、現在の処理対象のロットと
同一処理条件(ステッパー処理号機、製品名、工程名、
ロットNo等)のアライメント補正値を採用して露光時
でのアライメント補正を行う。前記したように、本発明
者の検討によれば、同じデータの処理条件では、重ね合
わせ誤差が近い値となることが確認されているため、過
去の同一データでの処理のアライメント補正値を採用す
ることで、プロセスバラツキ分布の中央付近のアライメ
ント補正値を適切に行う可能性が従来に比べ、非常に高
くなり、その結果、パイロットウエーハを用いなくと
も、重ね合わせ誤差の少ないアライメント補正を実現す
ることが可能となる。
【0016】なお、適切な補正値を算出するために複数
のデータを蓄積するが、蓄積するデータ数nは、以下の
通り設定可能である。 (1)製品名、工程名、ステッパー処理号機が同一のロ
ットデータ数nで規定する。この場合、ロット処理され
ない期間が長くなると過去の古いデータが補正値算出デ
ータとして適用される。 (2)製品名、工程名、ステッパー処理号機が同一のロ
ットデータのステッパー処理日時で規定する。この場合
(1)の短所はカバーできるが、ロット処理されない期
間が長くなると補正値算出データ数が少なくなり、適切
な補正値が算出されない可能性がある。
【0017】ここで、前記ステップS105において、
指定された計測枚数、計測点数を計測して重ね合わせ誤
差を測定する方法について説明する。図3はその説明図
であり、蓄積データ数を5ロット(ロット内測定枚数1
枚、ウエーハ内内測定ショット数5ショット、ショット
内測定5点)とし、その測定ポイントを示している。ま
ず、各々のロット(この場合、各ロットウエーハ1枚)
の計測結果より、位置のシフト成分(X,Y各々)、ウ
エーハの伸び(ウエーハスケーリング)、ウエーハの回
転成分(ウエーハローテーション)、ショット配列の直
交度(オーソゴナリティー)、ショットの倍率成分(シ
ョットスケーリング)、ショットの回転成分(ショット
ローテーション)に分解し、それぞれの項目について平
均値を計算する。
【0018】各成分については次のように求められる。
ここで、I=1〜5である。 (a)シフト成分(μm) X:SI 3 /5 Y:SI 3 /5 (b)ウエーハスケーリング(ppm) WX:(S4 3 −S2 3 )×106 /Lx WY:(S1 3 −S5 3 )×106 /Ly (c)ウエーハローテーション(ppm) (S1 3 −S5 3 +S2 3 −S4 3 )×106
/(Lx +Ly ) (d)オーソゴナリティー(ppm) (S1 3 −S5 3 −S2 3 +S4 3 )×106
/(Lx +Ly ) (e)ショットスケーリング(ppm) SX:((SI 4 −SI 2 )×106 /Sx )/5 SY:((SI 1 −SI 5 )×106 /Sy )/5 (f)ショットローテーション(ppm) ((SI 1 −SI 5 +SI 2 −SI 4 )×10
6 /(Sx +Sy ))/5
【0019】(a)〜(f)で求められた各成分値を、
各々5ロット算出し、最終的に5ロットの平均値を算出
する。計算された結果は、M/Cより補正値問合せがあ
るまで保存される。また、重ね合わせ計測結果が報告さ
れる度に、補正値の計算が自動で行われ更新されなが
ら、蓄積される。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、以前に処
理されたウエーハと同じ処理条件で得られるアライメン
ト補正値を蓄積し、次に処理するウエーハの処理条件に
照らして共通する処理条件でのアライメント補正値を用
いてアライメント補正を行なうので、統計的にプロセス
バラツキ分布の中央付近のアライメント補正値での補正
を行うことが可能となる。これにより、重ね合わせ誤差
が少ない露光が実現できるとともに、パイロットウエー
ハを用いてのアライメント補正が不要となり、露光作業
の高速化、ステッパー稼動率の向上が実現できるという
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法を実施するためのシステム構
成図である。
【図2】本発明の製造方法の手順を示すフローチャート
である。
【図3】ウエーハ計測点を説明するための図である。
【図4】従来の製造方法を実施するシステム構成図であ
る。
【図5】従来の製造方法の手順を示すフローチャートで
ある。
【符号の説明】
100 LAN 101 ステッパーインライン現像機 102 ステッパー 103 現像機 104 マシーンコントローラ 105 重ね合わせ計測機 106 計測機コントローラー 107 補正値サーバー(PLSサーバー) 200 工場LAN 201 HOST

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光、現像処理されたウエーハでの重ね
    合わせ誤差を測定し、測定した重ね合わせ誤差からアラ
    イメント補正値を算出し、算出されたアライメント補正
    値に基づいて、次に露光、現像処理するウエーハでのア
    ライメント補正を行う半導体装置の製造方法において、
    前記算出されたアライメント補正値を少なくとも露光し
    た際の条件と共に蓄積しておき、当該蓄積したアライメ
    ント補正値のうち、次に露光、現像処理するウエーハの
    処理条件と共通する条件のアライメント補正値に基づい
    て前記次のウエーハの露光時のアライメント補正を行う
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記露光の際の条件として、製造する製
    品名、処理する工程名、ロットナンバー、ステッパー処
    理号機をデータとして前記アライメント補正値に対応さ
    せて蓄積することを特徴とする請求項1に記載の半導体
    装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記蓄積されるアライメント補正値は、
    複数のウエーハに対する露光、現像、及び重ね合わせ誤
    差の計測の繰り返しに伴って順次更新されることを特徴
    とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 前記アライメント補正値の算出は、位置
    のシフト成分、ウエーハの伸び、ショット配列の直交
    度、ショット倍率、及びショットローテーションについ
    て行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに
    記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 ウエーハに対して露光を行うステッパー
    と、前記ステッパーを制御するコントローラと、露光さ
    れかつ現像された前記ウエーハの重ね合わせ誤差を計測
    する重ね合わせ計測機と、前記重ね合わせ計測機で計測
    された重ね合わせ誤差から算出したアライメント補正値
    を蓄積するサーバーとを備え、前記サーバは少なくとも
    ウエーハを露光する際の条件と基に前記アライメント補
    正値を蓄積し、かつ前記コントローラからの補正値の問
    い合わせに対して、当該露光対象となるウエーハを露光
    する際の条件に対応したアライメント補正値を前記コン
    トローラに送信するよう構成したことを特徴とする半導
    体装置の製造装置。
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