JP2000323455A - アッシング装置 - Google Patents
アッシング装置Info
- Publication number
- JP2000323455A JP2000323455A JP11126735A JP12673599A JP2000323455A JP 2000323455 A JP2000323455 A JP 2000323455A JP 11126735 A JP11126735 A JP 11126735A JP 12673599 A JP12673599 A JP 12673599A JP 2000323455 A JP2000323455 A JP 2000323455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- ashing
- valve
- gas
- process chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ヒータステージの回転を止めると、ガス流れの
影響により均一性が劣化してしまう欠点を解消する。 【解決手段】密閉された処理室にプロセスガスを供給
し、処理室内を一定圧力にし、一定時間後に排気を行
う、この一連のガス供給と排気を繰り返し行なう。
影響により均一性が劣化してしまう欠点を解消する。 【解決手段】密閉された処理室にプロセスガスを供給
し、処理室内を一定圧力にし、一定時間後に排気を行
う、この一連のガス供給と排気を繰り返し行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はオゾン系アッシング
方法および装置に係り、特にアッシング処理を均一化す
る方法および装置に関する。
方法および装置に係り、特にアッシング処理を均一化す
る方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩ製造技術における微細パターン
の形成もしくは微細領域へのイオン注入は、一般に露光
および現像によって形成した有機高分子のレジストをマ
スクに用い、半導体ウェハ上の下地膜もしくは半導体ウ
ェハに対して上記の加工を行うことでなされる。マスク
として用いられたレジストは、エッチングやイオン注入
等の加工を経た後、完全に除去される必要がある。この
様なレジストマスクを除去する装置にアッシング装置が
ある。
の形成もしくは微細領域へのイオン注入は、一般に露光
および現像によって形成した有機高分子のレジストをマ
スクに用い、半導体ウェハ上の下地膜もしくは半導体ウ
ェハに対して上記の加工を行うことでなされる。マスク
として用いられたレジストは、エッチングやイオン注入
等の加工を経た後、完全に除去される必要がある。この
様なレジストマスクを除去する装置にアッシング装置が
ある。
【０００３】アッシング装置の内、オゾンアッシング装
置あるいはＵＶオゾンアッシング装置のようなオゾン系
アッシング装置は、原料ガスであるオゾンの熱分解ある
いは２５４nmの紫外線吸収によって酸素ラジカルを生成
させ、この酸素ラジカルとレジストとの反応で、レジス
トを揮発除去する装置であり、一般に大気圧下で上記処
理がなされる。
置あるいはＵＶオゾンアッシング装置のようなオゾン系
アッシング装置は、原料ガスであるオゾンの熱分解ある
いは２５４nmの紫外線吸収によって酸素ラジカルを生成
させ、この酸素ラジカルとレジストとの反応で、レジス
トを揮発除去する装置であり、一般に大気圧下で上記処
理がなされる。
【０００４】ここで、上記酸素ラジカルの寿命は、大気
圧下での反応であるため数nsecと非常に短い。従って十
分なアッシング速度を得るために、図１に示すガス導入
プレート１とウェハを設置するステージとの間隙（以
下、ギャップと略す）を数mmと狭くし、プロセスガス２
の流速を高め、生成した酸素ラジカルをすみやかにレジ
スト表面に供給している。さらに、ステージを回転する
ことで処理の面内均一性を高めている。
圧下での反応であるため数nsecと非常に短い。従って十
分なアッシング速度を得るために、図１に示すガス導入
プレート１とウェハを設置するステージとの間隙（以
下、ギャップと略す）を数mmと狭くし、プロセスガス２
の流速を高め、生成した酸素ラジカルをすみやかにレジ
スト表面に供給している。さらに、ステージを回転する
ことで処理の面内均一性を高めている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】オゾン系アッシング装
置で均一性を向上するには、ステージの回転が有効であ
る。しかし、ステージの回転を止めた時のウェハ面内の
アッシング速度分布は、ガス流れの影響が非常に大き
い。
置で均一性を向上するには、ステージの回転が有効であ
る。しかし、ステージの回転を止めた時のウェハ面内の
アッシング速度分布は、ガス流れの影響が非常に大き
い。
【０００６】本発明の目的は、ステージを回転しなくと
もガス流れの影響がない、均一な処理ができるアッシン
グ処理方法および装置を提供することにある。
もガス流れの影響がない、均一な処理ができるアッシン
グ処理方法および装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、オゾン
系アッシング装置においてプロセスガスの流れの影響を
なくすため、密閉された処理室にプロセスガスを供給
し、処理室内を一定圧力にし、一定時間後に排気を行
う、この一連のガス供給・定圧保持・排気を繰り返し行
なうことを特徴とする。
系アッシング装置においてプロセスガスの流れの影響を
なくすため、密閉された処理室にプロセスガスを供給
し、処理室内を一定圧力にし、一定時間後に排気を行
う、この一連のガス供給・定圧保持・排気を繰り返し行
なうことを特徴とする。
【０００８】また、本発明のアッシング装置は、プロセ
スガスの処理室への供給手段と処理室を介さず排気する
手段を有し、かつ処理室内のプロセスガスの排気を止め
る手段を有することを特徴とする。また、上記装置にお
いて、プロセスガスの供給が、処理室および排気への選
択が任意に制御可能であり、かつプロセスガスの排気の
有無が任意に制御可能であることを特徴とする。
スガスの処理室への供給手段と処理室を介さず排気する
手段を有し、かつ処理室内のプロセスガスの排気を止め
る手段を有することを特徴とする。また、上記装置にお
いて、プロセスガスの供給が、処理室および排気への選
択が任意に制御可能であり、かつプロセスガスの排気の
有無が任意に制御可能であることを特徴とする。
【０００９】本発明のプロセスガスの供給方法および排
気方法を用いることにより、ステージの回転を用いずに
高均一性のアッシング分布を得ることができる。
気方法を用いることにより、ステージの回転を用いずに
高均一性のアッシング分布を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】（実施例１）図２は本発明の高均
一性を実現できるガス供給と排気方法を実施するオゾン
系アッシング装置の構成例である。
一性を実現できるガス供給と排気方法を実施するオゾン
系アッシング装置の構成例である。
【００１１】処理室内には、ウェハ３を加熱する手段と
してヒータステージ４が設置されている。ステージ４と
対向して合成石英窓５を介して２５４nm付近の波長が照
射可能なＵＶランプ６が設置されている。処理室にはオ
ゾン発生器７により生成されたオゾンを含むプロセスガ
スが三方弁８を介して、ステージの外周部に設置された
ノズルから供給される。三方弁８の一方は排気部に接続
されている。処理室に供給されたプロセスガスはバルブ
９を介して排気部から排気される。処理室内の圧力をモ
ニタおよび制御する目的でマノメータ１０が取り付けて
ある。
してヒータステージ４が設置されている。ステージ４と
対向して合成石英窓５を介して２５４nm付近の波長が照
射可能なＵＶランプ６が設置されている。処理室にはオ
ゾン発生器７により生成されたオゾンを含むプロセスガ
スが三方弁８を介して、ステージの外周部に設置された
ノズルから供給される。三方弁８の一方は排気部に接続
されている。処理室に供給されたプロセスガスはバルブ
９を介して排気部から排気される。処理室内の圧力をモ
ニタおよび制御する目的でマノメータ１０が取り付けて
ある。
【００１２】三方弁８により処理室にプロセスガスを供
給する際には、バルブ９は閉となる。マノメータ１０の
示す圧力が所望の値となると、三方弁８は排気へと切り
替わり、かつバルブ９は閉じたままとする。これにより
処理室は定圧に保持される。設定により一定の時間が経
過したのち、バルブ９を開き、処理室内の排気を行な
う。処理室内の圧力が設定した値となったら、再びバル
ブ９を閉じ、三方弁８を処理室へのガス供給に切り替
え、上記定圧での処理を行なう。この一連の処理シーケ
ンスを繰り返してアッシング処理を行なう。
給する際には、バルブ９は閉となる。マノメータ１０の
示す圧力が所望の値となると、三方弁８は排気へと切り
替わり、かつバルブ９は閉じたままとする。これにより
処理室は定圧に保持される。設定により一定の時間が経
過したのち、バルブ９を開き、処理室内の排気を行な
う。処理室内の圧力が設定した値となったら、再びバル
ブ９を閉じ、三方弁８を処理室へのガス供給に切り替
え、上記定圧での処理を行なう。この一連の処理シーケ
ンスを繰り返してアッシング処理を行なう。
【００１３】（実施例２）図３は本発明の高均一性を実
現できるガス供給と排気手段を有するオゾン系アッシン
グ装置の他の構成例である。
現できるガス供給と排気手段を有するオゾン系アッシン
グ装置の他の構成例である。
【００１４】処理室内には、ウェハ３を加熱する手段と
してするヒータステージ４が設置されている。処理室に
はオゾン発生器７により生成されたオゾンを含むプロセ
スガスが、三方弁８を介してステージ４の外周部に設置
されたシャワープレート１１から供給される。三方弁８
の一方は排気部に接続されている。処理室に供給された
プロセスガスはバルブ９を介して排気される。処理室内
の圧力をモニタおよび制御する目的でマノメータ１０が
取り付けてある。
してするヒータステージ４が設置されている。処理室に
はオゾン発生器７により生成されたオゾンを含むプロセ
スガスが、三方弁８を介してステージ４の外周部に設置
されたシャワープレート１１から供給される。三方弁８
の一方は排気部に接続されている。処理室に供給された
プロセスガスはバルブ９を介して排気される。処理室内
の圧力をモニタおよび制御する目的でマノメータ１０が
取り付けてある。
【００１５】三方弁８により処理室にプロセスガスを供
給する際には、バルブ９は閉となる。マノメータ１０の
示す圧力が所望の値となると、三方弁８は排気へと切り
替わり、かつバルブ９は閉じたままとする。設定により
一定の時間が経過したのち、バルブ９を開き、処理室内
の排気を行なう。処理室内の圧力が設定した値となった
ら、再びバルブ９を閉じ、三方弁８を処理室へのガス供
給に切り替える。この一連の処理シーケンスを繰り返
し、アッシング処理を行なう。
給する際には、バルブ９は閉となる。マノメータ１０の
示す圧力が所望の値となると、三方弁８は排気へと切り
替わり、かつバルブ９は閉じたままとする。設定により
一定の時間が経過したのち、バルブ９を開き、処理室内
の排気を行なう。処理室内の圧力が設定した値となった
ら、再びバルブ９を閉じ、三方弁８を処理室へのガス供
給に切り替える。この一連の処理シーケンスを繰り返
し、アッシング処理を行なう。
【００１６】
【発明の効果】本発明のオゾン系アッシング装置の構成
とガス供給および排気方法を用いることにより高均一性
のアッシング処理が可能となる。
とガス供給および排気方法を用いることにより高均一性
のアッシング処理が可能となる。
【図１】アッシング装置のギャップ部の断面図。
【図２】本発明の一実施例のオゾン系アッシング装置の
断面図。
断面図。
【図３】本発明の他の実施例のオゾン系アッシング装置
の断面図。
の断面図。
１…ガス導入プレート、２…プロセスガス、３…ウェ
ハ、４…ヒータステージ、５…合成石英窓、６…ＵＶラ
ンプ、７…オゾン発生器、８…三方弁、９…バルブ、１
０…マノメータ、１１…シャワープレート。
ハ、４…ヒータステージ、５…合成石英窓、６…ＵＶラ
ンプ、７…オゾン発生器、８…三方弁、９…バルブ、１
０…マノメータ、１１…シャワープレート。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 HA30 LA06 5F004 AA01 BA19 BB05 BB26 BB28 BC07 BD01 DA27 5F046 MA19
Claims (3)
- 【請求項１】オゾンを用いたレジスト膜のアッシング方
法において、被処理物が置かれた処理室に、プロセスガ
スを供給する工程、処理室内を一定圧力に保持する工
程、一定時間後に上記プロセスガスを排気する工程から
なる、一連のガス供給・定圧保持・排気の工程を繰り返
し行なうことを特徴とするアッシング方法。 - 【請求項２】プロセスガスに酸素、およびオゾンを含む
アッシング装置において、処理室への供給手段と処理室
を介さず排気する手段を有し、かつ処理室内のプロセス
ガスの排気を止める手段を有することを特徴とするアッ
シング装置。 - 【請求項３】請求項２記載のアッシング装置において、
プロセスガスの供給が、処理室および排気への選択が任
意に制御可能であり、かつプロセスガスの排気の有無が
任意に制御可能であることを特徴とするアッシング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126735A JP2000323455A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | アッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126735A JP2000323455A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | アッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323455A true JP2000323455A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14942607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126735A Pending JP2000323455A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | アッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323455A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004241642A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008294170A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Meidensha Corp | レジスト除去方法及びその装置 |
| WO2015083435A1 (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | ウシオ電機株式会社 | アッシング方法およびアッシング装置 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP11126735A patent/JP2000323455A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004241642A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008294170A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Meidensha Corp | レジスト除去方法及びその装置 |
| WO2015083435A1 (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | ウシオ電機株式会社 | アッシング方法およびアッシング装置 |
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