JP2000323620A

JP2000323620A - 半導体搭載用基板とその製造方法及び半導体チップの実装方法

Info

Publication number: JP2000323620A
Application number: JP11130654A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Hozumi; 猛八月朔日; Hidetaka Hara; 英貴原; Hitoshi Aoki; 仁青木; Kensuke Nakamura; 謙介中村
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 1999-05-11
Filing date: 1999-05-11
Publication date: 2000-11-24

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体チップとの低い電気的抵抗及び強い機
械的接続の機能を有する半導体搭載用基板を、低コスト
で製造提供し、さらに、容易で生産性に優れた半導体チ
ップの実装方法を提供する。【解決手段】半導体チップを搭載する側の面に、加熱
によって軟化し接着性を発現する熱硬化性絶縁樹脂層１
６を形成すると共に、その表面の、半導体チップの電極
と配線基板１１の導体配線１２とを接続する部位に、独
立した導体端子１８が形成されており、半導体チップの
実装時には、熱硬化性絶縁樹脂層１６が加熱軟化され、
導体端子１８が押圧されて樹脂層中に埋没貫通し、半導
体チップの電極と導体配線１２とが接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップをフ
リップチップ接続により搭載する半導体搭載用基板、及
びその製造方法、さらには半導体チップの実装方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型
化かつ多ピン化が進んできている。

【０００３】半導体パッケージはその小型化に伴って、
従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケー
ジでは、小型化に限界がきているため、最近では回路基
板上にチップを実装したものとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
ＧｒｉｄＡｒｒａｙ）やＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｃａ
ｌｅＰａｃｋａｇｅ）と言った、エリア実装型の新し
いパッケージ方式が提案されている。これらの半導体パ
ッケージにおいて、半導体チップの電極と従来型半導体
パッケージのリードフレームの機能とを有する、半導体
搭載用基板と呼ばれるプラスチックやセラミックス等各
種絶縁材料と、導体配線で構成される基板の端子との電
気的接続方法として、ワイヤーボンディング方式やＴＡ
Ｂ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）
方式、さらにはＦＣ（ＦｒｉｐＣｈｉｐ）方式などが
知られているが、最近では、半導体パッケージの小型化
に有利な、ＦＣ接続方式を用いたＢＧＡやＣＳＰの構造
が盛んに提案されている。

【０００４】このＦＣ接続方式は一般に、半導体チップ
の電極にあらかじめ、電気メッキ法により接続用バンプ
を形成しておき、このバンプと基板上の端子を位置合わ
せして、熱圧着により接続するが、半導体チップの電極
にバンプを形成する工程が複雑で、バンプ製造コストが
掛かり、また、バンプ接続部分の耐湿信頼性を得るた
め、チップと基板との間隙に、アンダーフィルと呼ばれ
る絶縁樹脂を充填してバンプ接続部分を封止する必要が
あり、このアンダーフィルを充填し硬化させる工程が必
要となるため、製造工程が複雑で製造コストが高くなる
問題がある。

【０００５】そこで、アンダーフィルに代わり、半導体
チップと基板を電気的に接続しかつ機械的に接着する接
続材料として、異方導電シートを使用する方法が着目さ
れ検討されている。この異方導電シートには接着性が付
与されており、通常では、先に基板上に異方導電シート
を貼り合わせてから、半導体チップを搭載し、電気的接
続と機械的接続を同時に行なう。このような異方導電シ
ート方式は、半導体パッケージの小型化や低コスト化に
有効な手段として益々注目されてきており、以下のよう
な異方導電シートが提案されている。

【０００６】図３は、従来より提案されている、異方導
電シートによる半導体チップ実装法の代表例を示す断面
図である。異方導電シート３３は、熱可塑性や熱硬化性
の樹脂中に、導電性の微粒子３５を分散させたものであ
る。熱圧着時に樹脂が流動して、接続端子である半導体
チップ３１の電極３４と半導体搭載用基板３２の導体配
線との間に挟まれた、導電性の微粒子３５によって厚さ
方向の電気的接続を得るもので、液晶ディスプレイパネ
ルとＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇ
ｅ）の電気的接続などに使用されている。このような構
造の異方導電シートは、樹脂に導電性微粒子を分散させ
ると言う比較的簡単な工程で製造できることと、基板に
貼り合わせる際の位置合わせが比較的ラフに行えること
を特徴としている。しかしながら、電気的接続を、半導
体チップの電極と基板の端子との間に確率的に存在する
導電性微粒子によって得ているため、狭ピッチになるに
従い、導電性微粒子をより微小にし、より多く分散させ
ることが必要になる。これによって微粒子密度が高まる
結果、微粒子間距離が狭まり電気的絶縁性が低下する問
題と、微粒子と電極及び端子との接続面積が小さくなり
接続抵抗が上昇する問題、さらには微粒子コストの上昇
の問題などが生じる。

【０００７】また最近では、図４に示されるような例が
提案されている。半導体チップにバンプを形成すること
なく、半導体チップと基板が電気的に接続しかつ機械的
に接着された半導体搭載基板である。表面に接着層４６
を有する樹脂フィルム４３にドリルやレーザによって微
小な貫通穴を明け、その後メッキや導電性ペースト印刷
などの方法により、貫通穴内部を導電体４５で充填した
構造を有する。熱圧着時に接着層４６が流動し、半導体
チップ４１と半導体搭載用基板３２を接着すると共に、
接続端子である半導体チップ４１の電極４４と半導体搭
載用基板の導体配線４７との間に挟まれた部位の導電体
４５によって、電気的接続を得るものである。このよう
な構造は、半導体チップの電極および基板の端子と導電
体が相対して配列されるので、電気的接続性に優れ、か
つ隣接する導電体部分における電気的絶縁性にも優れる
ことを特徴としている。

【０００８】しかしながら、高位置精度での微小な穴あ
け加工が要求されるため、レーザによる穴明け加工が必
要となり、レーザの欠点である低生産性及び高ランニン
グコストにより製造コストが高くなる問題がある。ま
た、微小穴への導電体形成は通常メッキで行なわれる
が、穴径が小さくなるほど均一なメッキが難しく、導電
体の高さにバラツキを生じ易く、接続時に電気的接続が
出来ないといった品質低下の問題がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のメッ
キバンプや異方導電シートにより、半導体チップと基板
とを電気的かつ機械的に接続する方法が有する、上記の
ような種々の問題点に鑑み、鋭意研究をした結果なされ
たものであり、半導体チップとの低い電気的抵抗及び強
い機械的接続の機能を有する半導体搭載用基板を、低コ
ストで製造提供することができ、さらに、容易で生産性
に優れた半導体チップの実装方法を提供することを目的
とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、半導体チ
ップを搭載するための半導体搭載用配線基板であって、
半導体チップを搭載する側の面に、加熱によって軟化し
接着性を発現する熱硬化性絶縁樹脂層を形成すると共
に、該熱硬化性絶縁樹脂層表面の、半導体チップの電極
と配線基板の導体配線とを接続する部位に、独立した導
体端子が形成されており、かつ前記熱硬化性絶縁樹脂層
の加熱軟化時における溶融粘度が、２００〜２００００
ポイズの範囲であることを特徴とする半導体搭載用基板
である。

【００１１】また本発明の第２は、導体配線を形成した
配線基板の半導体チップを搭載する側の面に、銅箔と加
熱によって軟化し接着性を発現する熱硬化性絶縁樹脂層
から成る２層シートを、加熱加圧して貼り合わせる工程
と、前記２層シートの銅箔をエッチングして導体端子を
形成する工程とからなることを特徴とする、前記半導体
搭載用基板の製造方法である。

【００１２】さらに、本発明の第３は、前記半導体搭載
用基板の導体端子と、半導体チップの電極とを対向させ
て位置合わせする工程と、半導体チップを裏面から加熱
しながら前記半導体搭載用基板に平行に押し付け、半導
体チップの電極を導体端子に接続させると共に、導体端
子を熱硬化性絶縁樹脂層に垂直に埋没貫通させ、導体端
子を配線基板の導体配線に接続させ、同時に半導体チッ
プを配線基板に接着させる工程と、からなることを特徴
とする半導体チップの実装方法である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明を詳細
に説明する。図１は、本発明の半導体搭載用基板を得る
ための、代表的な製造方法を示す断面図である。

【００１４】まず、配線基板１１と２層シート１７とを
用意する（ａ）。配線基板１１は、少なくとも絶縁樹脂
１３と、半導体チップの電極を接続するための接続端子
と、実装用基板の端子に接続するための接続端子とを含
む導体配線１２から成り、必要に応じて表面にソルダー
レジスト１４を形成してあっても良い。また、導体配線
１２の表面には、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｓｎ
などの金属及びこれらの合金の被膜を、無電解メッキも
しくは電解メッキにより設けてあっても良い。ポリイミ
ド樹脂やポリエステル樹脂等を絶縁層としたフレキシブ
ル配線基板や、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等を絶縁
層としたリジット配線基板、さらには、Ａl₂Ｏ₃やＡlＮ
等のセラミックスを絶縁層としたセラミックス配線基板
を用いることができる。

【００１５】２層シート１７は、銅箔１５と熱硬化性絶
縁樹脂層１６の２層からなり、銅箔１５の表面に、熱硬
化性絶縁樹脂ワニスを、後述の導体端子１８と導体配線
１２とに挟まれる部位の熱硬化性絶縁樹脂層１６の厚さ
が、導体端子１８の厚さに後述の表面処理１９の厚さを
加えた厚さの、０.７〜１.５倍の範囲に入るように塗布
量を調整し、均一に塗布した後、乾燥して得ることがで
きる。上記の導体端子１８と導体配線１２とに挟まれる
部位の熱硬化性絶縁樹脂層１６の厚さが、導体端子１８
の厚さに表面処理１９の厚さを加えた厚さの０.７倍よ
り小さいと、半導体チップの実装時に導体端子１８が柱
となって、半導体チップと熱硬化性絶縁樹脂層１６の間
に間隙ができて、半導体チップを接着することができ
ず、電気的信頼性が落ち易く、また１.５倍より大きい
と、導体端子１８が熱硬化性絶縁樹脂層１６を貫通でき
ず、導通が得られないといった問題を生じ易くなる。

【００１６】熱硬化性絶縁樹脂層１６に用いる樹脂とし
ては、具体的には、エポキシ系樹脂、マレイミド系樹
脂、フッ素系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂
などの樹脂を、１種または複数種混合して用いることが
できる。また、シート形成能に優れた熱可塑性樹脂を混
合して用いても良い。例えば、ポリアミド系樹脂、ポリ
エステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂、
ポリスチレン系樹脂、合成ゴム系樹脂などである。

【００１７】熱硬化性絶縁樹脂層の樹脂に用いる硬化剤
としては、具体的にエポキシ樹脂の例を挙げると、潜伏
性硬化剤である、ジシアンジアミド、イミダゾール化合
物、有機酸ヒドラジド、ジアミノマレオニトリル、メラ
ミン誘導体、アミンイミド化合物、芳香族ジアゾニウム
塩、ジアリルヨードニウム塩、トリアリルスルホニウム
塩、トリアリルセレニウム塩、ケチミン化合物等を、１
種または複数種混合して用いることができる。これらの
接着性を有する樹脂に、着色料や、無機充填材、各種の
カップリング剤などを添加しても良い。

【００１８】次ぎに、導体配線１２を形成した配線基板
１１の、半導体チップを搭載する側の面に、２層シート
１７を加熱加圧してラミネートする（ｂ）。

【００１９】続いて、銅箔１５及びソルダーレジスト１
４の両面に、感光性レジスト膜を形成し、パターン露
光、レジスト現像、銅エッチング、及び感光性レジスト
剥離の各工程を経て、導体端子１８を形成する（ｃ）。
ここで、ソルダーレジスト１４の面に形成する感光性レ
ジストは、導体配線１２をエッチング液から保護する目
的で施されるものである。このエッチング法による導体
端子の形成は、メッキ法にあるような導体の高さのばら
つきをなくし、導通抵抗を低くかつ安定させる目的にか
なうものである。

【００２０】最後に、導体端子１８に表面処理１９を施
す（ｄ）。これは銅の酸化を防止し、電気的接続性能を
高めるために成されるもので、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ、Ｉｎなどの金属及び合金を無電解メッキする
方法や、Ｐｂ−Ｓｎ合金であればフローソルダー法で行
なうこともできる。以上のようにして、本発明の半導体
搭載用基板が得られる。

【００２１】次に、本発明の半導体搭載用基板に半導体
チップを実装する方法について述べる。図２は、その代
表的な例を示す図である。

【００２２】まず、本発明による半導体搭載用基板２２
を、ボンディング装置の基板受け台２４の所定の位置に
置く。次いで、チップ吸着機構を有した加熱加圧ツール
２３に、半導体チップ２１を吸着固定し、半導体搭載用
基板２２と半導体チップ２１に予め形成されてある位置
決めマークを、画像認識装置により読み取り、導体端子
２５と電極２６を対向させ正確に位置合わせする。位置
合わせと同時に、半導体チップ２１を、加熱加圧ツール
２３を介して、熱硬化性絶縁樹脂層２７の溶融粘度が、
２００〜２００００ポイズになる温度（５０〜２００
℃）に加熱する（ａ）。必要であれば基板受け台２４に
ヒーターを内蔵させ、半導体搭載用基板２２の方も加熱
して、熱硬化性絶縁樹脂層２７を予め軟化させておいて
もよい。

【００２３】熱硬化性絶縁樹脂層２７の軟化溶融粘度が
２００ポイズを下回ると、絶縁樹脂のフローにより、導
体端子２５が所望する位置からずれてしまったり、熱硬
化性絶縁樹脂層２７の厚みが不均一になったりする。逆
に、軟化溶融粘度が２００００ポイズを上回ると、加熱
加圧ツール２３の所定圧では、導体端子２５を熱硬化性
絶縁樹脂層２７に埋没貫通させることが困難となり、導
体端子２５と電極２６との接続不良につながる。導体端
子２５と電極２６の材質の組み合わせによっては、より
高い接続性を得るために、超音波を併用することも可能
である。

【００２４】次いで、加熱加圧ツール２３を降下させ、
半導体チップ２１を半導体搭載用基板２２に対して平行
に押し付ける。導体端子２５と電極２６が接触した時点
で、一旦加熱加圧ツール２３の降下を止め、半導体チッ
プ２１の熱が導体端子２５を介して熱硬化性絶縁樹脂層
２７に伝達され、熱硬化性絶縁樹脂層２７の温度が所望
する温度及び溶融粘度になったところで、１〜３０kgf
／cm²での加圧を開始する。それによって、導体端子２
５が熱硬化性絶縁樹脂層２７に垂直に埋没貫通し、その
底部が半導体搭載用基板２２の接続端子である導体配線
２８に接続される。さらに加圧状態のまま、熱硬化性絶
縁樹脂層２７が熱硬化する温度に加熱して、所定の時間
だけ維持することで、半導体チップ２１と半導体搭載用
基板２２は熱硬化性絶縁樹脂層２７によって固着される
（ｂ）。さらにこのとき、超音波を併用すると、導体端
子２５と電極２６が合金接続され、機械的強度はさらに
増す。

【００２５】このとき用いる熱硬化性絶縁樹脂層２７
は、室温では固形であり、軟化溶融温度まで加熱すれば
導体端子２５を埋没貫通させることができ、さらに高温
に加熱することにより、熱硬化すると同時に半導体チッ
プ２１と半導体搭載用基板２２を接着できるものであ
る。熱硬化性絶縁樹脂層２７の熱硬化しない軟化溶融温
度は、５０℃から２００℃の範囲のものが良い。５０℃
より低い軟化溶融温度の熱硬化性絶縁樹脂では、シート
表面にタックが生じ、作業性が著しく低下する。また、
２００℃を越える軟化溶融温度の熱硬化性絶縁樹脂にお
いては、導体端子が熱硬化性絶縁樹脂層を貫通し、導体
間を接触させ電気的導通をはかる際、貫通する前に熱硬
化が進行する可能性があり、接続不良を起こす。一方、
熱硬化開始温度は、上記の軟化溶融温度より１０℃以上
高いことが重要となる。これ以下の温度差であると温度
制御が難しく、前記同様な接続不良につながる。以上の
ようにして、半導体チップ２１は半導体搭載用基板２２
に電気的かつ機械的に実装される（ｃ）。

【００２６】

【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。

【００２７】実施例１厚さ１８μmの圧延銅箔（FX-BSH-35，三井金属鉱業(株)
製）に、エポキシ系樹脂ワニスを塗工、乾燥させ、銅箔
と厚さ４０μmの熱硬化性絶縁樹脂層からなる２層シー
トを得た。この２層シートを、ポリイミド樹脂を絶縁層
としたフレキシブル配線基板の、半導体チップを搭載す
る側の面にラミネートした。得られた基材に対して、ド
ライフィルムラミネート、露光、現像、銅箔エッチン
グ、ドライフィルム剥離の各工程を経て、直径１００μ
mの円柱状の導体端子が形成された半導体搭載用基板を
製造した。この時、導体端子と導体配線間の熱硬化性絶
縁樹脂層の厚さは、導体端子の０.７倍であった。

【００２８】得られた半導体搭載用基板をボンディング
装置の基板受け台におき、半導体チップを吸着固定した
上側ツールとの位置合わせの後、基板受け台と上側ツー
ルを８０℃に加熱した。この温度において、上記熱硬化
性絶縁樹脂層の溶融粘度は２０００ポイズであり、熱硬
化反応は起こっていなかった。その後の１０kgf／cm²の
圧力での圧着により、導体端子は上記の熱硬化性絶縁樹
脂層を垂直に埋没貫通し、フレキシブル配線基板の配線
導体と接触した。さらにその後、加圧を続けた状態で、
ボンディング装置の基板受け台と上側ツールの温度を１
８０℃で１分間保持し、半導体搭載用基板と半導体チッ
プを固着させた。導通抵抗は、２ｍΩ／導体端子１個で
あり、−５０／１２５℃、５００サイクル中で導通抵抗
値の変化はほとんどみられなかった。

【００２９】実施例２厚さ７０μmの電解銅箔（VLP，三井金属鉱業(株)製）
に、エポキシ系樹脂ワニスを塗工、乾燥させ、銅箔と厚
さ８０μmの熱硬化性絶縁樹脂層からなる２層シートを
得た。この２層シートを、ポリイミド樹脂を絶縁層とし
たフレキシブル配線基板の、半導体チップを搭載する側
の面にラミネートした。なお、フレキシブル配線基板の
導体配線における、導体端子と接合する箇所には、予め
６Ｓｎ／４Ｐｂはんだを、５μmの厚みでコートしてお
いた。得られた基材に対して、ドライフィルムラミネー
ト、露光、現像、銅箔エッチング、ドライフィルム剥離
の各工程を経て、直径１００μmの円柱状の導体端子が
形成された半導体搭載用基板を製造した。さらに、導体
端子の露出した表面に、無電解６Ｓｎ／４Ｐｂはんだメ
ッキ処理を施した。この時、導体端子と導体配線間の熱
硬化性絶縁樹脂層の厚さは、導体端子の０.８倍であっ
た。

【００３０】得られた半導体搭載用基板をボンディング
装置の基板受け台におき、半導体チップを吸着固定した
上側ツールとの位置合わせの後、基板受け台と上側ツー
ルを１５０℃に加熱した。この温度において、上記熱硬
化性絶縁樹脂層の溶融粘度は９００ポイズであり、熱硬
化反応は起こっていなかった。その後の１２kgf／cm²の
圧力での圧着により、導体端子は上記の熱硬化性絶縁樹
脂層を垂直に埋没貫通し、フレキシブル配線基板の配線
導体と接触した。さらにその後、加圧を続けた状態で、
ボンディング装置の基板受け台と上側ツールの温度を、
２００℃で１分間保持し、半導体搭載用基板と半導体チ
ップを固着させた。さらに、２６０℃に加熱することに
より、導体配線と導体端子の間をはんだによりろう付け
し、接合を強化した。導通抵抗は、４ｍΩ／導体端子１
個であり、−５０／１２５℃、１０００サイクル中で導
通抵抗値の変化はほとんどみられなかった。

【００３１】比較例１エポキシ系樹脂ワニスに、Ａｕ／Ｎｉ／樹脂コア（粒径
約５μm）からなる導電性微粒子を、３ｗｔ％撹拌混合
しフィルム成形して、異方導電シートを作製した。この
異方導電シートを実施例で用いたものと同じフレキシブ
ル配線板の、半導体チップを搭載する側の面に、７０
℃，５kgf／cm²の条件で仮圧着した。このようにして作
製した異方導電シート付半導体搭載用基板を、ボンディ
ング装置の基板受け台におき、Ａｕスタッドバンプ付半
導体チップを吸着固定した、上側ツールとの位置合わせ
の後、前記の異方導電シート付半導体搭載用基板とＡｕ
スタッドバンプ付半導体チップとを、１７０℃，２０kg
f／cm²の条件で圧着し、固着させた。半導体搭載用基板
の導体配線と半導体チップのバウプが、導電性微粒子を
介して接触した。

【００３２】実施例１，２、および比較例１における、
半導体チップ実装後の評価結果を、まとめて表１に示し
た。この結果から、本発明の半導体搭載用基板を用いる
ことにより、従来の異方導電シートを用いる実装方法に
比較して、端子１個あたりの導通抵抗や、ＴＣ試験（温
度サイクル試験）における抵抗値の上昇が大幅に低減さ
れ、ＴＣ試験における断線不良の発生は殆どなくなり、
本発明の半導体搭載用基板が極めて優れたものであるこ
とが分かる。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体チップとの電気的及び機械的接続の機能に優れた
半導体搭載用基板を、低コストで製造提供することがで
き、さらに、容易で生産性に優れた実装方法をも提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体搭載用基板の、代表的な
製造方法を示す断面図である。

【図２】本発明による半導体搭載用基板を用いた実装
方法の、代表的な例を示す断面図である。

【図３】従来の導電性微粒子を分散した異方導電シー
トを用いた、半導体チップ実装方法の代表例を示す断面
図である。

【図４】従来の貫通穴に導電体を充填した樹脂フィル
ムを用いた、半導体チップ実装方法の代表例を示す断面
図である。

【符号の説明】

１１配線基板１２，２８，３６，４７導体配線１３絶縁樹脂１４ソルダーレジスト１５銅箔１６，２７熱硬化性絶縁樹脂層１７２層シート１８，２５導体端子１９表面処理２１，３１，４１半導体チップ２２，３２，４２半導体搭載用基板２３加熱加圧ツール２４基板受け台２６，３４，４４電極３３導電性微粒子を分散した異方
導電シート３５導電性微粒子４３貫通穴を導電体で充填した樹
脂フィルム４５導電体４６接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中村謙介東京都品川区東品川２丁目５番８号住友ベークライト株式会社内Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 BB20 CC01 CD04 5F044 KK02 KK03 KK04 KK07 KK13 KK17 KK18 KK19 KK21 PP16 PP17 PP19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップを搭載するための半導体搭
載用配線基板であって、半導体チップを搭載する側の面
に、加熱によって軟化し接着性を発現する熱硬化性絶縁
樹脂層を形成すると共に、該熱硬化性絶縁樹脂層表面
の、半導体チップの電極と配線基板の導体配線とを接続
する部位に、独立した導体端子が形成されており、かつ
前記熱硬化性絶縁樹脂層の加熱軟化時における溶融粘度
が、２００〜２００００ポイズの範囲であることを特徴
とする半導体搭載用基板。
【請求項２】導体端子の厚さが、その直下に形成され
た熱硬化性絶縁樹脂層の厚さの、０.７〜１.５倍の範囲
であることを特徴とする、請求項１記載の半導体搭載用
基板。
【請求項３】導体配線を形成した配線基板の半導体チ
ップを搭載する側の面に、銅箔と加熱によって軟化し接
着性を発現する熱硬化性絶縁樹脂層から成る２層シート
を、加熱加圧して貼り合わせる工程と、前記２層シート
の銅箔をエッチングして導体端子を形成する工程とから
なることを特徴とする、請求項１または請求項２記載の
半導体搭載用基板の製造方法。
【請求項４】請求項１記載の半導体搭載用基板の導体
端子と、半導体チップの電極とを対向させて位置合わせ
する工程と、半導体チップを裏面から加熱しながら前記
半導体搭載用基板に平行に押し付け、半導体チップの電
極を導体端子に接続させると共に、導体端子を熱硬化性
絶縁樹脂層に垂直に埋没貫通させ、導体端子を配線基板
の導体配線に接続させて、同時に半導体チップを配線基
板に接着させる工程と、からなることを特徴とする半導
体チップの実装方法。
【請求項５】半導体チップを裏面から加熱しながら、
導体端子を熱硬化性絶縁樹脂層に垂直に埋没貫通させる
際における、該熱硬化性絶縁樹脂の溶融粘度が、２００
〜２００００ポイズの範囲であることを特徴とする、請
求項４記載の半導体チップの実装方法。