JP2000323729A - 可変容量回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路で構成する従来の可変容量回
路は、温度補償型水晶発振器に搭載すれば位相ノイズ特
性が悪化し、電圧制御型水晶発振器に搭載すれば応答性
が悪い。 【解決手段】 第１の電極の第２導電形の低濃度の拡散
領域９内の第１導電形の高濃度の拡散領域３１により、
応答速度の遅い少数キャリアの発生の代わりに、高濃度
の拡散領域３１の多数キャリアを低濃度の拡散領域９の
少数キャリアとして注入する機構を実現し、可変容量回
路の高速化を達成することで、位相ノイズ特性の悪化も
防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
搭載用の可変容量回路の構成にかんするものである。

【０００２】

【従来の技術】水晶発振回路に可変容量回路を接続し、
発振周波数を可変にしたものを、電圧制御型水晶発振回
路と称する。

【０００３】このような電圧制御型水晶発振回路を搭載
し、水晶振動子の温度特性を打ち消すための温度補償信
号を可変容量回路の制御電圧として使用するものは、間
接補償方式の温度補償型水晶発振器と呼ばれる。

【０００４】また、外部からの入力電圧を可変容量回路
の制御電圧として使用するものは、電圧制御型水晶発振
器と呼ばれる。

【０００５】このような用途の可変容量回路は、少なく
とも１つの可変容量素子を使用して構成され、従来の構
成の１つの例を図４に示す。

【０００６】図４に示すように、直流信号遮断用の固定
容量１と、可変容量３とを直列に接続し、可変容量３の
他端子を、電源などの任意の電位に接続する。

【０００７】そして、固定容量１と可変容量３との接続
点に、入力抵抗５を接続する。可変容量３の制御信号
は、この入力抵抗５を介して印加される。

【０００８】入力抵抗５は交流信号を遮断する役目を果
たすものであり、もし制御信号を発生する回路の出力イ
ンピーダンスが充分高ければ、入力抵抗５を省略する場
合もある。

【０００９】また、可変容量３の接続先は、一方の端子
を電源に接続した固定容量の他方の端子の場合もある。

【００１０】ところで、最近の携帯電話機などの携帯用
通信機器の小型化や軽量化の進展は著しいものがあり、
それに搭載される部品に対する小型化や軽量化の要求も
きわめて大きくなっている。温度補償型水晶発振器など
は携帯電話機搭載部品の中でも寸法が大きい部類であ
り、とくにその要求が厳しい。

【００１１】そこで、温度補償型水晶発振器などの小型
化や軽量化を図るために、水晶振動子以外の回路部品
を、１チップの半導体集積回路に搭載するという試みが
なされている。

【００１２】図４に示すような可変容量回路を半導体集
積回路に搭載する場合は、可変容量３は可変容量ダイオ
ードやＭＯＳ型コンデンサなどで構成し、固定容量１は
２層の多結晶シリコン膜などで構成するのが一般的であ
る。

【００１３】このうち可変容量ダイオードは、ｐｎ接合
を順方向にバイアスしてはならないので、２つの電極の
電位関係に制約ができ、ＭＯＳ型コンデンサに比べて容
量変化率の点で不利である。そこで、周波数可変幅が広
く、温度補償範囲の拡大が可能なＭＯＳ型コンデンサの
搭載が有利である。

【００１４】このようにして構成した可変容量回路の１
つの例を図５に示す。

【００１５】図５は、可変容量回路を搭載する半導体集
積回路の断面図を示すものである。ただし図５において
は、金属配線膜や保護膜などは、図示を省略している。

【００１６】図５に示すように、第１導電形の半導体基
板７の表面に、第１の電極の第２導電形の低濃度の拡散
領域９と、第１の電極の第２導電形の高濃度の拡散領域
１１と、ゲート絶縁膜１３と、第２の電極１５とからな
るＭＯＳ型コンデンサを、図４に示す可変容量３として
構成する。

【００１７】またさらに、フィールド酸化膜１７上に、
第４の電極１９と、層間絶縁膜２１と、第３の電極２３
とからなるコンデンサを、図４に示す固定容量１として
構成する。

【００１８】さらに、フィールド酸化膜１７の上に、適
度な濃度の不純物を含む多結晶シリコン膜からなる入力
抵抗５を構成する。

【００１９】第２の電極１５と第４の電極１９と入力抵
抗５とは、金属配線膜などで接続されるが、煩雑になる
のを避けるために、図５では電気回路的な結線として示
している。

【００２０】なお、第２の電極１５と第４の電極１９と
入力抵抗５とは、同一の多結晶シリコン膜を出発材料と
し、不純物の種類や濃度を変更するだけでそれぞれを形
成することもある。あるいは、第３の電極２３と入力抵
抗５とを、同一の多結晶シリコン膜から形成する場合も
ある。

【００２１】あるいはまた、第２の電極１５や第４の電
極１９などを、高融点金属ポリサイド膜などで形成する
こともある。

【００２２】いずれの場合であっても、図４に示す可変
容量回路を、発振回路などとともに１チップの半導体集
積回路に搭載することは困難ではない。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１チッ
プの半導体集積回路に搭載した可変容量回路を用いて構
成した温度補償型水晶発振器は、位相ノイズ特性が悪い
という課題がある。

【００２４】またさらに、１チップの半導体集積回路に
搭載した可変容量回路を用いて構成した電圧制御型水晶
発振器は、信号に対する周波数変化の応答が悪いという
課題がある。

【００２５】〔発明の目的〕本発明の目的は、半導体集
積回路に搭載しても位相ノイズ特性の悪化がなく、応答
性も良好な可変容量回路を提供することである。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明による可変容量回路の構成は、下記の通りと
する。

【００２７】すなわち、本発明による可変容量回路の構
成は、第１導電形の半導体基板表面の第２導電形の低濃
度の拡散領域と、この拡散領域内の第２導電形の高濃度
の拡散領域とからなる第１の電極と、第１の電極の低濃
度部分に絶縁膜を挟んで対向し、金属膜または高濃度の
不純物を含む半導体膜からなる第２の電極とを備えるＭ
ＯＳ型コンデンサを可変容量素子とし、第１の電極の第
２導電形の低濃度の拡散領域内に第１導電形の高濃度の
拡散領域を有することを特徴とする。

【００２８】そして、この可変容量回路において、第２
導電形の低濃度の拡散領域内の第１導電形の高濃度の拡
散領域は、第２導電形の高濃度の拡散領域から離れてい
ることを特徴とする。

【００２９】さらにまた、この可変容量回路において、
第２導電形の低濃度の拡散領域内の第１導電形の高濃度
の拡散領域は、第２導電形の低濃度の拡散領域表面の中
央付近にあることを特徴とする。

【００３０】〔作用〕ＭＯＳ型コンデンサの容量値が可
変となるためには、第２の電極からの電界により、半導
体基板側の第１の電極表面の空乏層幅が変化することが
必要であり、金属配線との接続部分以外の不純物濃度は
低くなければならない。したがって、第１の電極の大部
分は抵抗が高くなっている。

【００３１】また、第１の電極には、外部周波数制御信
号などの任意の信号を与えることがあるので、電源電位
である周囲の半導体基板から電気的に分離する必要があ
り、通常はｐｎ接合による素子分離が採用されている。
したがって、第１の電極と周囲の半導体基板との間に
は、接合容量が存在する。

【００３２】このような接合容量や電極抵抗を考慮すれ
ば、図５に示す従来の可変容量回路の実際上の回路図
は、図６に示すようなものである。

【００３３】図６に示すように、可変容量３と任意の電
位との間に電極抵抗２９が接続し、可変容量３と電源と
の間に接合容量２７が接続している。

【００３４】接合容量２７の接続先の電源は、水晶発振
回路の影響を受けて脈動しており、その電位の揺らぎが
接合容量２７を通して可変容量３の第１の電極に伝達す
る。電極抵抗２９があるため、この電位の揺らぎを抑え
ることができず、第１の電極の電位も脈動する。

【００３５】この第１の電極の電位の脈動が、電源の脈
動に同調しているならば、水晶発振周波数以外の周波数
成分が存在しないので、水晶発振周波数に変調を与える
ことはない。

【００３６】しかし、従来の可変容量３においては、第
１の電極の電位の脈動が水晶発振周波数に追随できない
ため、第１の電極には水晶発振周波数とは異なる周波数
成分の揺らぎが重畳してしまう。

【００３７】ＭＯＳ型コンデンサの容量値は、第１の電
極と第２の電極との電位差で決まるから、この電位の揺
らぎによって水晶発振周波数とは異なる周波数成分の容
量値の揺らぎが発生し、これが水晶発振周波数に変調を
与える。この変調が位相ノイズ特性の悪化として観測さ
れるのである。

【００３８】そこで、位相ノイズ特性の悪化を防止する
ためには、接合容量２７や電極抵抗２９が存在しないよ
うな構成にするか、あるいは接合容量２７や電極抵抗２
９が存在したとしても影響がないような工夫を設けるか
である。前者の方法は物理的に困難なので、本発明では
後者の方法を採用している。

【００３９】本発明の最大の特徴は、第１の電極の第２
導電形の低濃度の拡散領域内に、第１導電形の高濃度の
拡散領域を設けることである。

【００４０】第１の電極の電位の揺らぎは、別の視点で
見れば、多数キャリアの発生と少数キャリアの発生とを
交互に促進する動作である。

【００４１】多数キャリアは、文字通り多数存在するの
で、外乱への応答が速い。このため、多数キャリアの発
生を促す外乱には瞬時に応答することができる。

【００４２】一方、少数キャリアの発生の速さは、結晶
欠陥密度などに依存するが、多数キャリアに比べて桁違
いに遅く、通常は１ｋＨｚ以上の信号には応答できな
い。このため、１０ＭＨｚ帯の水晶発振周波数の外乱に
は追随できず、第１の電極の電位の揺らぎに遅い周波数
成分が重畳してしまうのである。

【００４３】そこで、あらかじめ少数キャリアの貯蔵庫
を設けておき、外乱が来たときにはこの貯蔵庫から少数
キャリアを注入することにする。

【００４４】このような機構により、実質的に少数キャ
リアの発生が高速になり、外乱に追随できるようにする
ことができる。この貯蔵庫に相当するものが、すなわち
第１導電形の高濃度の拡散領域である。

【００４５】第１導電形の高濃度の拡散領域において
は、第１導電形の多数キャリアが多数存在し、これが第
１の電極の第２導電形の低濃度の拡散領域に少数キャリ
アとして注入される。

【００４６】この注入機構は、ＭＯＳトランジスタの動
作と全く同じであり、１０ＭＨｚ帯の外乱よりもはるか
に高速であるから、第１の電極の電位の揺らぎの周波数
は、水晶発振周波数に一致する。このため他の周波数成
分が存在しなくなり、位相ノイズの悪化が防止できる。

【００４７】そして、第１導電形の高濃度の拡散領域
は、位相ノイズの悪化を防止するだけでなく、容量値を
変更しようとする信号に対しての応答速度の高速化も果
たしている。

【００４８】ところで、半導体基板と、第１の電極の低
濃度の拡散領域と、反対導電形の高濃度の拡散領域と
は、構造上は接合型のバイポーラトランジスタと同じで
ある。したがって、可変容量としての動作が阻害されな
いようにするためには、これらがバイポーラトランジス
タとして動作しないようにしなければならない。

【００４９】バイポーラトランジスタとして動作しない
ようにする方法としては、種々考えられるが、最も簡単
な方法は、エミッタとなる反対導電形の高濃度の拡散領
域をフローティングにすること、あるいは反対導電形の
高濃度の拡散領域を第１の電極の低濃度の拡散領域の中
央付近に設けてベース厚を厚くすること、あるいはその
両方を組み合わせることである。

【００５０】

【発明の実施の形態】以下、図面を使用して本発明の可
変容量回路における最適な実施形態を説明する。まず本
発明の第１の実施の形態を説明する。

【００５１】図１は、本発明の第１の実施の形態におけ
る可変容量回路の構成を示す半導体集積回路の断面図を
示している。ただし、この断面図において、煩雑になる
のを避けるために、金属配線膜や保護膜などは図示を省
略している。

【００５２】〔第１の実施の形態の説明：図１〕図１の
断面図に示すように、第１導電形の半導体基板７の表面
に、第１の電極の第２導電形の低濃度の拡散領域９と、
第１の電極の第２導電形の高濃度の拡散領域１１と、第
１導電形の高濃度の拡散領域３１と、ゲート絶縁膜１３
と、第２の電極１５とからなるＭＯＳ型コンデンサを構
成する。このＭＯＳ型コンデンサが、図４に示す可変容
量３である。

【００５３】また、フィールド酸化膜１７の上に、第４
の電極１９と、層間絶縁膜２１と、第３の電極２３とか
らなるコンデンサを構成する。このコンデンサが、図４
に示す固定容量１である。

【００５４】さらに、フィールド酸化膜１７の上に、適
度な不純物を含む多結晶シリコン膜からなる入力抵抗１
１を構成する。

【００５５】第２の電極１５と第４の電極１９と入力抵
抗１１とは、金属配線膜などで接続されるが、図１では
電気回路的な結線として示している。また、保護膜など
の記載も省略している。

【００５６】図１に示すように、第１の電極は第２導電
形であるから、第１導電形の半導体基板７との間に接合
容量が存在する。

【００５７】第１導電形の半導体基板７は電源に接続さ
れ、本来は一定電位に保たれる。

【００５８】しかし、１０ＭＨｚ帯の水晶発振回路は電
流の脈動が大きく、半導体集積回路の金属配線程度で
は、その脈動に伴う電位の変動を抑えるだけの力がない
ので、電源電圧もかなり脈動してしまう。

【００５９】そのため、第１導電形の半導体基板７の電
位は、水晶発振回路の動作中はつねに脈動している状態
になる。

【００６０】この第１導電形の半導体基板７の電位の脈
動は、接合容量を介して第１の電極に伝達する。

【００６１】第１の電極の大部分は、第２導電形の低濃
度の拡散領域９であるから抵抗が高く、伝達された脈動
を抑える力はない。したがって、第１の電極の第２導電
形の低濃度の拡散領域９の電位も脈動する。

【００６２】この電位の脈動を別の視点で見れば、多数
キャリアと少数キャリアの発生・再結合を交互に促進し
ようとする動作である。

【００６３】多数キャリアは文字通り多数存在するか
ら、発生を促す外乱に対して瞬時に応答する。

【００６４】一方、半導体集積回路が正常に動作するレ
ベルの結晶欠陥密度であれば、第２導電形の低濃度の拡
散領域９内での少数キャリアの発生は遅く、通常は１ｋ
Ｈｚ以上の速さの外乱には追随できない。

【００６５】したがって、このままでは第１の電極の電
位の揺らぎに遅れが生じ、水晶発振周波数とは異なる周
波数成分の揺らぎが重畳してしまうことになる。従来技
術における位相ノイズの悪化は、この事が原因である。

【００６６】そこで本発明においては、図１に示すよう
に、第２導電形の低濃度の拡散領域９内に、第１導電形
の高濃度の拡散領域３１を設けている。

【００６７】この第１導電形の高濃度の拡散領域３１内
には、第１導電形の多数キャリアが多数存在し、第２導
電形の低濃度の拡散領域９に少数キャリアの発生を促す
外乱が来たときには、この第１導電形の多数キャリア
が、第１導電形の高濃度の拡散領域３１から、第２導電
形の低濃度の拡散領域９に少数キャリアとして注入され
る。

【００６８】この注入機構は、ＭＯＳトランジスタのチ
ャネルの形成動作と同じであり、ひじょうに高速であ
る。したがって、１０ＭＨｚ帯の外乱には楽々追随する
から、第１の電極の電位の揺らぎに遅れが生じることは
ない。

【００６９】このため、第１の電極の電位の揺らぎは電
源の揺らぎに同調するので、水晶発振周波数と異なる周
波数成分は存在しない。

【００７０】したがって、本発明のように、第２導電形
の低濃度の拡散領域９内に第１導電形の高濃度の拡散領
域３１を設けることにより、位相ノイズの悪化を防止す
ることができる。

【００７１】またそれのみならず、可変容量の容量値を
変更しようとする信号に対しての応答も高速になる。

【００７２】ところで、第１導電形の高濃度の拡散領域
３１は第２導電形の低濃度の拡散領域９に接し、第２導
電形の低濃度の拡散領域９は第１導電形の半導体基板７
に接しているから、これらは接合型のバイポーラトラン
ジスタ構造をしている。

【００７３】この構造が電気的にバイポーラトランジス
タとして動作してしまうと、可変容量として動作できな
くなるので、バイポーラトランジスタとして動作するこ
とを防止する必要がある。

【００７４】その防止策の第１は、エミッタとなる第１
導電形の高濃度の拡散領域３１をフローティングにする
方法である。

【００７５】バイポーラトランジスタを動作させるため
には、エミッタとベースとが順方向となるようにバイア
スする必要があるが、エミッタをフローティングにすれ
ば順方向にバイアスすることが不可能になるため、バイ
ポーラトランジスタとしては動作できない。

【００７６】そして、第１導電形の高濃度の拡散領域３
１は、第１の電極の電位の揺らぎに相当する数だけの多
数キャリアを貯蔵しておけば済むから、ある程度の容積
があれば、フローティングでも充分である。したがっ
て、第１導電形の高濃度の拡散領域３１の本来の役目を
損なうことなく、バイポーラトランジスタとしての動作
を防止することができる。

【００７７】ところで、第１導電形の高濃度の拡散領域
３１が、第１の電極の第２導電形の高濃度の拡散領域１
１と接すると、高濃度同士のｐｎ接合となってしまい、
逆方向耐圧が低くなってしまう。

【００７８】その場合は、第１導電形の高濃度の拡散領
域３１と第１の電極の第２導電形の高濃度の拡散領域１
１とがほとんど短絡状態となるので、第１導電形の高濃
度の拡散領域３１をフローティングにしたことにならな
い。

【００７９】そこで、第１導電形の高濃度の拡散領域３
１は、第１の電極の第２導電形の高濃度の拡散領域１１
から分離して形成する必要がある。これが本発明の第２
の特徴である。

【００８０】さて、バイポーラトランジスタ動作の防止
策の第２は、ベース厚をできるだけ厚くすることであ
る。

【００８１】ベース厚とは、すなわち第１導電形の高濃
度の拡散領域３１と第１導電形の半導体基板７との距離
であるから、これを大きくすることである。

【００８２】そのためには、第１導電形の高濃度の拡散
領域３１を、第２導電形の低濃度の拡散領域９表面の中
央付近に配置することである。これが本発明の第３の特
徴である。

【００８３】つぎに、本発明の第２の実施の形態を説明
する。図２は、本発明の第２の実施の形態における可変
容量回路の構成を示す断面図を示している。ただし、こ
の断面図において、煩雑になるのを避けるために、金属
配線膜や保護膜などは図示を省略している。

【００８４】〔第２の実施の形態の説明：図２〕図２の
断面図に示すように、第１導電形の半導体基板７の表面
に、第１の電極の第２導電形の低濃度の拡散領域９と、
第１の電極の第２導電形の高濃度の拡散領域１１と、第
１導電形の高濃度の拡散領域３１と、ゲート絶縁膜１３
と、第２の電極１５とからなるＭＯＳ型コンデンサを構
成する。このＭＯＳ型コンデンサが、図４に示す可変容
量３である。

【００８５】また、フィールド酸化膜１７の上に、第４
の電極１９と、層間絶縁膜２１と、第３の電極２３とか
らなるコンデンサを構成する。このコンデンサが、図４
に示す固定容量１である。

【００８６】さらに、フィールド酸化膜１７の上に、適
度な不純物を含む多結晶シリコン膜からなる入力抵抗１
１を構成する。

【００８７】第２の電極１５と第４の電極１９と入力抵
抗１１とは、金属配線膜などで接続されるが、図２では
電気回路的な結線として示している。また、保護膜など
の記載も省略している。

【００８８】図２に示す第２の実施の形態と、図１に示
す第１の実施の形態との差異は、第１導電形の高濃度の
拡散領域３１の上部に、第２の電極１５が存在するかし
ないかである。

【００８９】電気的な動作および効果はどちらも同じで
あるが、両者は製造方法に違いがある。

【００９０】半導体集積回路の製造方法においては、第
１の電極の第２導電形の高濃度の拡散領域１１などのよ
うな高濃度の拡散領域は、ＭＯＳトランジスタのソース
・ドレインの形成と同時に行うのが一般的であり、通常
は第２の電極１５を形成した後、イオン注入と熱処理と
により形成される。

【００９１】そこで、図２に示すように、第２の電極１
５の中央付近を除去しておけば、第１導電形の高濃度の
拡散領域３１もまた、第２の電極１５を形成した後に形
成することができる。

【００９２】つまり、図２に示す第２の実施の形態で
は、通常の半導体集積回路の製造方法を変更することな
しに、第１導電形の高濃度の拡散領域３１を形成するこ
とができ、製造コストの増加を防ぐことができる。

【００９３】図２に示す第２の実施の形態においても、
第１導電形の高濃度の拡散領域３１を、第２導電形の低
濃度の拡散領域９表面の中央付近に配置し、また第２導
電形の高濃度の拡散領域１１から分離して配置すること
は、バイポーラトランジスタとしての動作を防止するた
めに必要である。

【００９４】つぎに、本発明の第３の実施の形態を説明
する。図３は、本発明の第３の実施の形態における可変
容量回路の構成を示す断面図を示している。ただし、こ
の断面図において、煩雑になるのを避けるために、金属
配線膜や保護膜などは図示を省略している。

【００９５】〔第３の実施の形態の説明：図３〕図３の
ブロック図に示すように、第１導電形の半導体基板７の
表面に、第１の電極の第２導電形の低濃度の拡散領域９
と、第１の電極の第２導電形の高濃度の拡散領域１１
と、第１導電形の高濃度の拡散領域３１と、ゲート絶縁
膜１３と、第２の電極１５とからなるＭＯＳ型コンデン
サを構成する。このＭＯＳ型コンデンサが、図４に示す
可変容量３である。

【００９６】また、第２の電極１５の上に、層間絶縁膜
２１と、第３の電極２３とからなるコンデンサを構成す
る。このコンデンサが、図４に示す固定容量１である。

【００９７】さらに、フィールド酸化膜１７の上に、適
度な不純物を含む多結晶シリコン膜からなる入力抵抗１
１を構成する。

【００９８】第２の電極１５と入力抵抗１１とは、金属
配線膜などで接続されるが、図３においは、電気回路的
な結線として示している。また、保護膜などの記載も省
略している。

【００９９】図３に示す第３の実施の形態は、図１ある
いは図２に示すように、固定容量１をフィールド酸化膜
１７上に形成したときに、第４の電極１９と半導体基板
７との間の寄生容量によって、容量変化率が低下するこ
とを避けるための工夫をしたものであり、第２の電極１
５の上に固定容量１を重ねて形成している。

【０１００】このようなスタック構造の場合でも、第１
導電形の高濃度の拡散領域３１から第２導電形の低濃度
の拡散領域９への少数キャリア注入による、第１の電極
の電位の揺らぎを電源の揺らぎに同調させる効果に変化
はない。

【０１０１】以上のように実施の形態に基づき本発明を
具体的に説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
の変更が可能である。

【０１０２】たとえば、図３に示す第３の実施の形態で
は、第１導電形の高濃度の拡散領域３１の上部に第２の
電極１５および第３の電極２３が存在しているが、図２
に示す第２の実施の形態と同様に、第１導電形の高濃度
の拡散領域３１の上部からこれらの電極を除去してもよ
い。

【０１０３】

【発明の効果】以上のように、可変容量の半導体基板側
の電極内に、少数キャリアの貯蔵庫となる反対導電形の
拡散領域を設けることにより、この電極の電位の脈動が
電源の脈動に同調できるようにして、水晶発振周波数以
外の周波数成分をなくし、位相ノイズ特性の悪化を防止
することができる。

【０１０４】また、可変容量の容量値を変更しようとす
る信号に対する応答の高速化も実現できる。

【０１０５】したがって、特性を損なうことなしに、半
導体集積回路によって温度補償型水晶発振器および電圧
制御型水晶発振器の小型化を実現することができ、その
効果はひじょうに大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における可変容量回
路の構成を示す断面図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態における可変容量回
路の構成を示す断面図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態における可変容量回
路の構成を示す断面図である。

【図４】従来技術における可変容量回路の構成を示す回
路図である。

【図５】従来技術における可変容量回路の構成を示す断
面図である。

【図６】従来技術における可変容量回路の実際上の回路
図である。

【符号の説明】

７：第１導電形の半導体基板 ９：第１の電極の第２導電形の低濃度の拡散領域 １１：第１の電極の第２導電形の高濃度の拡散領域 １３：ゲート絶縁膜 １５：第２の電極 ３１：第１導電形の高濃度の拡散領域

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電形の半導体基板表面の第２導電
   形の低濃度の拡散領域とこの拡散領域内の第２導電形の
   高濃度の拡散領域とからなる第１の電極と、 第１の電極の低濃度部分に絶縁膜を挟んで対向し、金属
   膜または高濃度の不純物を含む半導体膜からなる第２の
   電極とを備えるＭＯＳ型コンデンサを可変容量素子と
   し、 第１の電極の第２導電形の低濃度の拡散領域内に、第１
   導電形の高濃度の拡散領域を有することを特徴とする可
   変容量回路。
2. 【請求項２】 第１導電形の半導体基板表面の第２導電
   形の低濃度の拡散領域とこの拡散領域内の第２導電形の
   高濃度の拡散領域とからなる第１の電極と、 第１の電極の低濃度部分に絶縁膜を挟んで対向し、金属
   膜または高濃度の不純物を含む半導体膜からなる第２の
   電極とを備えるＭＯＳ型コンデンサを可変容量素子と
   し、 第１の電極の第２導電形の低濃度の拡散領域内に、第１
   導電形の高濃度の拡散領域を有し、 第２導電形の低濃度の拡散領域内の第１導電形の高濃度
   の拡散領域は、第２導電形の高濃度の拡散領域から離れ
   ていることを特徴とする可変容量回路。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の可変容量回路におい
   て、 第２導電形の低濃度の拡散領域内の第１導電形の高濃度
   の拡散領域は、第２導電形の低濃度の拡散領域表面の中
   央付近にあることを特徴とする可変容量回路。