JP2000323743A - フォトダイオードアレイ - Google Patents
フォトダイオードアレイInfo
- Publication number
- JP2000323743A JP2000323743A JP11129933A JP12993399A JP2000323743A JP 2000323743 A JP2000323743 A JP 2000323743A JP 11129933 A JP11129933 A JP 11129933A JP 12993399 A JP12993399 A JP 12993399A JP 2000323743 A JP2000323743 A JP 2000323743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- photodiodes
- electrodes
- light receiving
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/811—Interconnections
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
ドアレイを実現する。 【解決手段】 フォトダイオードアレイにおいて、アレ
イ状に配置された複数のフォトダイオードと、これらの
フォトダイオードの受光面の両端に接続されフォトダイ
オードで発生した電流を取り出す複数の電極とを設け
る。
Description
アレイに関し、特にリニアリティの改善が可能なフォト
ダイオードアレイに関する。
と基板側のn型領域とをPN接合することにより形成さ
れ、受光面から入射された光により発生した電流がカソ
ードからアノードに向けて流れる。
の一例を示す構成断面図である。図4において、1は基
板側のn層、2は受光面側のp層、3は絶縁膜、4は正
電極(アノード)、5は負電極(カソード)、100は
入射光である。
形成され、n層1の反対側には負電極5が形成され、p
層2が形成された受光面側には絶縁膜3が形成される。
そして、絶縁膜3の一部をエッチング等により除去して
p層2に接続する正電極4が形成される。
ドの動作を説明する。受光面から入射された入射光10
0によってフォトダイオード内で発生した電子はn層1
中に蓄積され、一方、正孔はp層2中に蓄積される。こ
のため、n層1は負に、p層2は正に帯電し、n層1及
びp層2の間に外部回路を接続すればn層1及びp層2
からは電子及び正孔がそれぞれ反対側の層に向かって流
れることになる。
中で発生した電子はフォトダイオード内の電界によって
n層1側に加速されてn層1に蓄積される。同様に、図
4中”HL01”に示すn層1中で発生した正孔はp層
2側に加速されて蓄積される。
イ状に配置して形成したものがフォトダイオードアレイ
であり、図5はこのような従来のフォトダイオードアレ
イの一例を示す平面図である。
6eはフォトダイオードアレイを構成する各フォトダイ
オード、7a,7b,7c,7d及び7eはフォトダイ
オード6a〜6eから発生した電流を取り出す電極であ
る。
光面が向くように基板(図示せず。)上でアレイ状に配
置され、電極7a〜7eはフォトダイオード6a〜6e
の受光面の一端にそれぞれ接続される。
る。フォトダイオード6a〜6eの受光面に光が入射す
ると前述のように受光面側と反対側との間で電流が発生
し、発生した電流は電極7a〜7eを介して外部に取り
出される。
オード6a〜6e内で発生した正孔が電極7a〜7eを
介して取り出されることになる。
来例では入射光の入射位置によって取り出される電流の
値が異なる場合がある。例えば、図5中”P001”に
示す部分に入射光が入射した場合には、図5中”P00
1”に示す部分から電極7eまでの距離は図5中”P0
02”に示す部分に入射光が入射した場合と比較して長
くなる。
る電圧降下が生じて、外部に取り出される電流値が変わ
ってしまう。言い換えれば、入射光の入射位置によって
リニアリティが悪化してしまうと言った問題点があっ
た。特に、図5中”P001”に示す部分に入射した入
射光によって大きな電流が発生した場合には発生する電
圧降下がさらに大きくなるのでリニアリティの悪化が増
大してしまう。
るために一般的にフォトダイオードに対して逆バイアス
のバイアス電圧を印加している。但し、バイアス電圧を
印加することは周波数特性やリニアリティの改善に役立
つものの暗電流が増加してノイズの増加を生じると共に
フォトダイオードを破損してしまう危険性もあると言っ
た問題点があった。従って本発明が解決しようとする課
題は、リニアリティの改善が可能なフォトダイオードア
レイを実現することにある。
るために、本発明のうち請求項1記載の発明は、フォト
ダイオードアレイにおいて、アレイ状に配置された複数
のフォトダイオードと、これらのフォトダイオードの受
光面の両端に接続され前記フォトダイオードで発生した
電流を取り出す複数の電極とを備えたことにより、入射
光の入射位置による電極までの距離が短くなり、リニア
リティの悪化を低減することが可能になる。
明であるフォトダイオードアレイにおいて、前記電極
が、前記フォトダイオードの受光面の一端に接続される
と共に前記フォトダイオードと隣接するフォトダイオー
ドの受光面との間に電極を配線して前記フォトダイオー
ドの受光面の他端に接続されることにより、入射光の入
射位置による電極までの距離が短くなり、リニアリティ
の悪化を低減することが可能になる。
明であるフォトダイオードアレイにおいて、前記電極
が、前記フォトダイオードの受光面の一端及び他端に接
続される2つの電極と、前記フォトダイオードと隣接す
るフォトダイオードの受光面との間に配線され前記2つ
の電極を接続する透明電極とから構成されることによ
り、入射光の入射位置による電極までの距離が短くな
り、リニアリティの悪化を低減することが可能になる。
また、フォトダイオード間に配線される電極を透明電極
にすることにより、フォトダイオード部分の受光面積を
大きくすることが可能になる。
明であるフォトダイオードアレイにおいて、前記透明電
極が、インジウム・スズ酸化物であることにより、入射
光の入射位置による電極までの距離が短くなり、リニア
リティの悪化を低減することが可能になる。また、フォ
トダイオード間に配線される電極を透明電極にすること
により、フォトダイオード部分の受光面積を大きくする
ことが可能になる。
項3記載の発明であるフォトダイオードアレイにおい
て、前記電極の引き出し方向が前記フォトダイオードの
受光面の一方向であることにより、入射光の入射位置に
よる電極までの距離が短くなり、リニアリティの悪化を
低減することが可能になる。
項3記載の発明であるフォトダイオードアレイにおい
て、前記電極の引き出し方向が前記フォトダイオードの
受光面の両方向であることにより、入射光の入射位置に
よる電極までの距離が短くなり、リニアリティの悪化を
低減することが可能になる。また、電極の配線領域が確
保されて電極の配線が容易になる。
明であるフォトダイオードアレイにおいて、前記電極を
前記フォトダイオードの受光面の両方向から交互に引き
出すことにより、入射光の入射位置による電極までの距
離が短くなり、リニアリティの悪化を低減することが可
能になる。また、電極の配線領域が確保されて電極の配
線が容易になる。
明であるフォトダイオードアレイにおいて、前記電極を
前記フォトダイオードの受光面の一方向から2つ引き出
す毎に前記フォトダイオードの受光面の他方から1つ引
き出すことにより、入射光の入射位置による電極までの
距離が短くなり、リニアリティの悪化を低減することが
可能になる。また、電極の配線領域が確保されて電極の
配線が容易になる。
説明する。図1は本発明に係るフォトダイオードアレイ
の一実施例を示す平面図である。
8eはフォトダイオードアレイを構成する各フォトダイ
オード、9a,9b,9c,9d及び9eはフォトダイ
オード8a〜8eの受光面の両端から発生した電流を取
り出す電極である。
光面が向くように基板(図示せず。)上でアレイ状に配
置され、電極9a〜9eはフォトダイオード8a〜8e
の受光面の一端にそれぞれ接続されると共にフォトダイ
オード8a〜8eの受光面のそれぞれ間に電極を配線し
てフォトダイオード8a〜8eの受光面の他端にも接続
される。
面の両端に接続された電極9a〜9eは基板上で図面下
方向にさらに配線されて外部に引き出される。
る。フォトダイオード8a〜8eの受光面の両端から電
流を取り出す構成としたので、入射光の入射位置による
電極9a〜9eまでの距離が従来例と比較して短くな
り、その間に存在する抵抗成分による影響が低減され
る。言い換えれば、リニアリティの悪化を低減すること
が可能になる。
入射光が入射した場合には、電極9eまでの距離は図1
中”ED01”に示す接続部分までの距離となる。一
方、図1中”P102”に示す部分に入射光が入射した
場合には、電極9eまでの距離は図1中”ED02”に
示す接続部分までの距離となる。すなわち、図1中”P
101”及び”P102”に示す部分に入射光が入射し
た場合であっても電極9eまでの距離は同じになる。
までの距離が最大になる、言い換えれば、図1中”P1
03”に示すようなフォトダイオードの中心部分に入射
光が入射した場合であっても電極9eまでの距離は図5
に示す従来例と比べて”1/2程度”になり、最悪でも
リニアリティの悪化が”1/2程度”低減されることに
なる。
受光面の両端から電流を取り出す構成としたことによ
り、入射光の入射位置による電極9a〜9eまでの距離
が短くなり、リニアリティの悪化を低減することが可能
になる。
eの引き出し方向が受光面の一方向(図面下方向。)の
みであったが、両方向から引き出しても構わない。図2
はこのような電極の引き出し方向を変えた本発明に係る
フォトダイオードアレイの第2の実施例を示す平面図で
ある。
を付してあり,10a,10b,10c,10d及び1
0eはフォトダイオード8a〜8eの受光面の両端から
発生した電流を取り出す電極である。
面が向くように基板(図示せず。)上でアレイ状に配置
され、電極10a〜10eはフォトダイオード8a〜8
eの受光面の一端にそれぞれ接続されると共にフォトダ
イオード8a〜8eの受光面の間に電極を配線してフォ
トダイオード8a〜8eの受光面の他端にも接続され
る。
8eの受光面の両端に接続された電極10a,10c及
び10eは基板上で図面下方向に、一方、フォトダイオ
ード8b及び8dの受光面の両端に接続された電極10
b及び10dは基板上で図面上方向にさらに配線されて
外部に引き出される。
る。但し、基本的な動作は図1に示す実施例と同様であ
り、異なる点は、電極の引き出し方向を交互にすること
により、フォトダイオードが高密度に配列されて電流信
号を外部に引き出す電極の配線領域確保が難しい場合等
に電極の配線が容易になる点である。
方向を交互に(1つおき)に変えていたが、勿論これに
限定される訳ではなく、両方向から任意の数の電極をそ
れぞれ引き出しても構わない。例えば、2つおき、3つ
おき…と言ったように規則的に引き出し方向を振り分け
てもよく、不規則的に両方向から電極を引き出しても構
わない。
イオードの受光面の両方向から行うことにより、電極の
配線領域が確保されて電極の配線が容易になる。
確保するためにフォトダイオード間に配線される電極を
透明電極としても構わない。図3はこのような一部に透
明電極を用いた本発明に係るフォトダイオードアレイの
第3の実施例を示す平面図である。
1d及び11eはフォトダイオードアレイを構成する各
フォトダイオード、12a,12b,12c,12d,
12e,14a,14b,14c,14d及び14eは
フォトダイオード11a〜11eの受光面の両端から発
生した電流を取り出す電極、13a,13b,13c,
13d及び13eはフォトダイオード間に配線された透
明電極である。
受光面が向くように基板(図示せず。)上でアレイ状に
配置され、電極12a〜12eはフォトダイオード11
a〜11eの受光面の一端に、電極14a〜14eはフ
ォトダイオード11a〜11eの受光面の他端にそれぞ
れ接続される。
フォトダイオードの間に配線された透明電極13aによ
って互いに接続され、電極12b及び電極14bとの間
はフォトダイオードの間に配線された透明電極13bに
よって互いに接続される。
ダイオードの間に配線された透明電極13cによって互
いに接続され、電極12d及び電極14dとの間はフォ
トダイオードの間に配線された透明電極13dによって
互いに接続され、電極12e及び電極14eとの間はフ
ォトダイオードの間に配線された透明電極13eによっ
て互いに接続される。
及び11eの受光面の一端に接続された電極12a,1
2c及び12eは基板上で図面下方向に、一方、フォト
ダイオード11b及び11dの受光面の一端に接続され
た電極12b及び12dは基板上で図面上方向にさらに
配線されて外部に引き出される。
る。但し、基本的な動作は図1に示す実施例と同様であ
り、異なる点は、フォトダイオード間に配線される電極
を透明としたことにより、この透明電極とフォトダイオ
ードとが交差しても良くなるので、フォトダイオード部
分の受光面積を図1及び図2に示す実施例と比較して大
きくすることが可能になる点である。
る電極を透明電極にすることにより、フォトダイオード
部分の受光面積を大きくすることが可能になる。
説明の簡単のために5つのフォトダイオードを例示して
いるが勿論この数の限定されるものではなく任意の個数
のフォトダイオードを用いるフォトダイオードアレイに
適用することができる。
接続するフォトダイオードの左隣に隣接するフォトダイ
オードとの間に受光面の他端との接続を行う電極を配線
しているが、勿論右隣に隣接するフォトダイオードとの
間に受光面の他端との接続を行う電極を配線しても構わ
ない。
に交互に引き出す例を示しているが勿論一方向のみに引
き出しても良く、2つおきに両方向に引き出したり、不
規則的に両方向から電極を引き出しても構わない。
本発明によれば次のような効果がある。請求項1,2及
び請求項5の発明によれば、フォトダイオードの受光面
の両端から電流を取り出す構成としたことにより、入射
光の入射位置による電極までの距離が短くなり、リニア
リティの悪化を低減することが可能になる。
ば、フォトダイオード間に配線される電極を透明電極に
することにより、フォトダイオード部分の受光面積を大
きくすることが可能になる。
ば、電極の引き出し方向をフォトダイオードの受光面の
両方向から行うことにより、電極の配線領域が確保され
て電極の配線が容易になる。
例を示す平面図である。
実施例を示す平面図である。
実施例を示す平面図である。
図である。
面図である。
d,8e,11a,11b,11c,11d,11e
フォトダイオード 7a,7b,7c,7d,7e,9a,9b,9c,9
d,9e,10a,10b,10c,10d,10e,
12a,12b,12c,12d,12e,14a,1
4b,14c,14d,14e 電極 13a,13b,13c,13d,13e 透明電極
Claims (8)
- 【請求項1】フォトダイオードアレイにおいて、 アレイ状に配置された複数のフォトダイオードと、 これらのフォトダイオードの受光面の両端に接続され前
記フォトダイオードで発生した電流を取り出す複数の電
極とを備えたことを特徴とするフォトダイオードアレ
イ。 - 【請求項2】前記電極が、 前記フォトダイオードの受光面の一端に接続されると共
に前記フォトダイオードと隣接するフォトダイオードの
受光面との間に電極を配線して前記フォトダイオードの
受光面の他端に接続されることを特徴とする請求項1記
載のフォトダイオードアレイ。 - 【請求項3】前記電極が、 前記フォトダイオードの受光面の一端及び他端に接続さ
れる2つの電極と、 前記フォトダイオードと隣接するフォトダイオードの受
光面との間に配線され前記2つの電極を接続する透明電
極とから構成されることを特徴とする請求項1記載のフ
ォトダイオードアレイ。 - 【請求項4】前記透明電極が、 インジウム・スズ酸化物であることを特徴とする請求項
3記載のフォトダイオードアレイ。 - 【請求項5】前記電極の引き出し方向が前記フォトダイ
オードの受光面の一方向であることを特徴とする請求項
2及び請求項3記載のフォトダイオードアレイ。 - 【請求項6】前記電極の引き出し方向が前記フォトダイ
オードの受光面の両方向であることを特徴とする請求項
2及び請求項3記載のフォトダイオードアレイ。 - 【請求項7】前記電極を前記フォトダイオードの受光面
の両方向から交互に引き出すことを特徴とする請求項6
記載のフォトダイオードアレイ。 - 【請求項8】前記電極を前記フォトダイオードの受光面
の一方向から2つ引き出す毎に前記フォトダイオードの
受光面の他方から1つ引き出すことを特徴とする請求項
6記載のフォトダイオードアレイ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12993399A JP4165785B2 (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | フォトダイオードアレイ |
| US09/560,758 US6552325B1 (en) | 1999-05-11 | 2000-04-28 | Photo diode array |
| EP10173659A EP2249388A3 (en) | 1999-05-11 | 2000-05-04 | Photo diode array |
| EP00109551A EP1052697B1 (en) | 1999-05-11 | 2000-05-04 | Photo diode array |
| CA002308100A CA2308100C (en) | 1999-05-11 | 2000-05-10 | Photo diode array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12993399A JP4165785B2 (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | フォトダイオードアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323743A true JP2000323743A (ja) | 2000-11-24 |
| JP4165785B2 JP4165785B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=15022023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12993399A Expired - Fee Related JP4165785B2 (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | フォトダイオードアレイ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6552325B1 (ja) |
| EP (2) | EP2249388A3 (ja) |
| JP (1) | JP4165785B2 (ja) |
| CA (1) | CA2308100C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12451664B2 (en) | 2019-12-20 | 2025-10-21 | Nichia Corporation | Light-receiving element and light-emitting device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7702904B2 (en) | 2002-11-15 | 2010-04-20 | Nec Corporation | Key management system and multicast delivery system using the same |
| WO2007033610A1 (en) * | 2005-09-26 | 2007-03-29 | Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Photo-detectors and optical devices incorporating same |
| JP5271104B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2013-08-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | リニアイメージセンサ |
| JP5091886B2 (ja) | 2009-02-13 | 2012-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | イメージセンサ |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3688520T2 (de) * | 1985-12-27 | 1993-09-23 | Toshiba Kawasaki Kk | Festkoerperbildsensor mit amorpher, halbleitender, photoleitender zellenmatrix. |
| US4972254A (en) * | 1987-02-24 | 1990-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensors for reproducing high definition images |
| JPH03159168A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Nippon Steel Corp | 完全密着型イメージセンサ |
| JPH03171667A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-25 | Sharp Corp | 密着型イメージセンサ |
| US5254848A (en) * | 1991-06-21 | 1993-10-19 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor and method of reading data out of the same having load capacitors being respectively continuously connected to common signal lines |
| JP2687831B2 (ja) * | 1992-12-04 | 1997-12-08 | 日本電気株式会社 | 受光半導体装置、その製造方法およびそれを用いた光結合装置 |
| US5397920A (en) * | 1994-03-24 | 1995-03-14 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Light transmissive, electrically-conductive, oxide film and methods of production |
| FR2726691B1 (fr) * | 1994-11-08 | 1997-01-24 | Thomson Csf | Photodetecteur de grande dimension et procede de realisation d'un tel photodetecteur |
| US5821567A (en) * | 1995-12-13 | 1998-10-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array |
| US5838054A (en) * | 1996-12-23 | 1998-11-17 | General Electric Company | Contact pads for radiation imagers |
| JP3697827B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2005-09-21 | 株式会社島津製作所 | フラット・パネル形センサ |
-
1999
- 1999-05-11 JP JP12993399A patent/JP4165785B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-28 US US09/560,758 patent/US6552325B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-04 EP EP10173659A patent/EP2249388A3/en not_active Withdrawn
- 2000-05-04 EP EP00109551A patent/EP1052697B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-10 CA CA002308100A patent/CA2308100C/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12451664B2 (en) | 2019-12-20 | 2025-10-21 | Nichia Corporation | Light-receiving element and light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1052697A3 (en) | 2004-03-24 |
| EP2249388A2 (en) | 2010-11-10 |
| EP1052697A2 (en) | 2000-11-15 |
| CA2308100A1 (en) | 2000-11-11 |
| EP2249388A3 (en) | 2012-08-22 |
| JP4165785B2 (ja) | 2008-10-15 |
| US20030085341A1 (en) | 2003-05-08 |
| EP1052697B1 (en) | 2011-07-13 |
| CA2308100C (en) | 2004-11-02 |
| US6552325B1 (en) | 2003-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4841834B2 (ja) | ホトダイオードアレイ | |
| TW571448B (en) | Light-emitting diode array | |
| DK1026721T3 (da) | Array af feltemissionselektronkilder og fremgangsmåde til fremstilling deraf | |
| TW202218143A (zh) | 微型發光二極體顯示器 | |
| JP2000323743A (ja) | フォトダイオードアレイ | |
| JP3797748B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP6979929B2 (ja) | 光検出器 | |
| WO2023068264A1 (ja) | 光半導体素子 | |
| JP2010098239A (ja) | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 | |
| JP2882354B2 (ja) | 受光素子内蔵集積回路装置 | |
| JP4352573B2 (ja) | 自己走査型発光素子アレイ | |
| JP2001320075A (ja) | フォトダイオード | |
| JP2609608B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3763683B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2995359B2 (ja) | 半導体光検出器およびその製造方法 | |
| JP3967083B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH11340496A (ja) | pin型半導体受光素子 | |
| JP2656274B2 (ja) | 光非線形素子 | |
| JPH0117266B2 (ja) | ||
| KR101760009B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
| JPH09186355A (ja) | 受光素子 | |
| JPH0799337A (ja) | 受光素子 | |
| JPS5880866A (ja) | 双方向半導体スイツチ | |
| JP2007059511A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03290979A (ja) | フォトダイオード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060803 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060928 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061107 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061128 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070109 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080627 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080725 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130808 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140808 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |