JP2000323814A - Manufacturing method of wiring board - Google Patents
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Landscapes
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は,絶縁物層と導体層
とを積層してなる配線板に関する。さらに詳細には,絶
縁物層上に触媒作用を利用して導体のめっき層を形成
し,この導体層をパターン加工してさらにその上にめっ
きを施す配線板の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board formed by laminating an insulator layer and a conductor layer. More particularly, the present invention relates to a method for manufacturing a wiring board in which a conductor plating layer is formed on an insulator layer by utilizing a catalytic action, and the conductor layer is patterned and further plated thereon.
【0002】[0002]
【従来の技術】配線板の製造過程の一環として,層間絶
縁層として用いる絶縁物層上に導体層を形成する場合が
ある。この場合には,絶縁物層上にまず無電解めっきで
導体の薄層を形成し,その後その上にめっき速度の速い
電気めっきで必要な厚さの導体層を形成するのが普通で
ある。絶縁物に対し直接に電気めっきを施すことはでき
ないからである。ここで,一般的に層間絶縁物として用
いられる樹脂類には無電解めっき反応を引き起こす触媒
活性がないので,あらかじめ触媒粒子を付着させてから
無電解めっきを行う。形成された導体層は,パターン加
工が施された上でさらにその上層に別のめっきが施され
る。ボンディング性や外観を向上させるためである。2. Description of the Related Art As a part of a manufacturing process of a wiring board, a conductor layer may be formed on an insulating layer used as an interlayer insulating layer. In this case, it is common to first form a thin layer of a conductor by electroless plating on the insulator layer, and then form a conductor layer of a required thickness on the insulator layer by electroplating at a high plating rate. This is because it is not possible to apply electroplating directly to an insulator. Here, since resins generally used as interlayer insulators do not have a catalytic activity to cause an electroless plating reaction, electroless plating is performed after catalyst particles are attached in advance. The formed conductor layer is subjected to pattern processing, and another plating is further applied to the upper layer. This is for improving bonding properties and appearance.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前述の従
来のプロセスには,次のような問題点があった。すなわ
ち,めっきにより形成した導体層をパターン加工する
と,部分的に層間絶縁層が再び露出することになる。こ
のとき,層間絶縁層の表面に付着している触媒粒子も露
出する。よって,その後別のめっきを施す際にこの触媒
粒子が作用するため,導体パターン上のみならず層間絶
縁層上にもめっきが形成されてしまう。このためパター
ン間がショートしてしまい,これを避けるためには再度
同じパターン加工をしなければならい。However, the above-mentioned conventional process has the following problems. That is, when the conductor layer formed by plating is patterned, the interlayer insulating layer is partially exposed again. At this time, the catalyst particles adhering to the surface of the interlayer insulating layer are also exposed. Therefore, since the catalyst particles act when another plating is performed thereafter, plating is formed not only on the conductor pattern but also on the interlayer insulating layer. For this reason, the patterns are short-circuited. To avoid this, the same pattern processing must be performed again.
【0004】ここで,触媒粒子は一般的にパラジウム等
の貴金属の微粉末であり,酸化性の溶液で溶解すれば除
去できることは公知である。よって,導体層のパターン
加工後に,触媒粒子を除去することは可能である。しか
し,この方法により触媒粒子を除去すると,その後の別
のめっきが導体パターン上に付かなくなってしまうので
ある。Here, it is known that the catalyst particles are generally fine powders of a noble metal such as palladium and can be removed by dissolving them with an oxidizing solution. Therefore, it is possible to remove the catalyst particles after patterning the conductor layer. However, when the catalyst particles are removed by this method, another plating thereafter cannot be applied to the conductor pattern.
【0005】なお,上記において,層間絶縁層上に導体
層をめっきし,続けて後のめっきまで行ってからパター
ン加工を行えば問題はないように見える。しかし一般的
には,最初のめっき工程とその後の別のめっき工程との
間には,ソルダーレジスト形成等の別の工程が行われ
る。ソルダーレジストの形成は,導体層のパターン加工
後に行う必要がある。このため,そのような手段は採用
できない場合が多い。In the above, it seems that there is no problem if the pattern processing is performed after plating the conductor layer on the interlayer insulating layer and then performing the subsequent plating. However, generally, another step such as solder resist formation is performed between the first plating step and another subsequent plating step. The formation of the solder resist needs to be performed after the patterning of the conductor layer. For this reason, such means cannot be often adopted.
【0006】本発明は,前述の従来技術が有する問題点
の解決を目的としてなされたものである。すなわちその
課題とするところは,めっき層をパターン加工して露出
した絶縁物層上の触媒粒子を,後のめっき工程に支障を
来すことなく除去するようにした配線板の製造方法を提
供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art. That is, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board in which catalyst particles on an insulating layer exposed by patterning a plating layer are removed without disturbing a subsequent plating step. It is in.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】この課題の解決のために
なされた本発明は,絶縁物層に触媒粒子を付着させ
(1),触媒粒子の触媒作用により絶縁物層上にめっき
層を形成し(2),その後そのめっき層を部分的に除去
する(3)過程を含む配線板の製造方法であって,
(3)の工程により絶縁物層上に露出した触媒粒子を酸
化性溶液で溶解して除去し(4),その直後にエッチン
グ処理を施して(4)の際にめっき層の表面に生じた生
成物を除去し(5),その後めっき層の表面にさらにめ
っきを施す(6)過程を含んでいる。According to the present invention, a catalyst layer is attached to an insulating layer, and a plating layer is formed on the insulating layer by the catalytic action of the catalyst particles. (2) a method of manufacturing a wiring board including a step (3) of partially removing the plating layer thereafter.
The catalyst particles exposed on the insulator layer in the step (3) are dissolved and removed with an oxidizing solution (4), and immediately thereafter, an etching treatment is performed to form on the surface of the plating layer in the step (4). The method includes a step of removing the product (5) and thereafter further plating the surface of the plating layer (6).
【0008】この製造方法では,表面の大部分が絶縁物
層である板状物を出発材料とする。まず絶縁物層に触媒
粒子が付着させられ(1),その触媒作用により絶縁物
層上にめっき層が形成される(2)。このめっき層の形
成は,通常,最初に無電解めっきを用い,その後電気め
っきを用いてなされる。ただし,めっき層の全厚を無電
解めっきで形成してもよい。このめっき層は部分的に除
去され(3),残った部分がパターン層となる。すなわ
ちパターン加工される。In this manufacturing method, a starting material is a plate-like material whose surface is mostly an insulating layer. First, catalyst particles are attached to the insulator layer (1), and a plating layer is formed on the insulator layer by the catalytic action (2). This plating layer is usually formed by first using electroless plating and then using electroplating. However, the entire thickness of the plating layer may be formed by electroless plating. This plating layer is partially removed (3), and the remaining portion becomes a pattern layer. That is, pattern processing is performed.
【0009】パターン加工によりめっき層が除去された
箇所では,絶縁物層が露出している。その表面には,
(1)で付着させられた触媒粒子が存在している。その
触媒粒子は,酸化性溶液で溶解して除去される(4)。
その際,必然的にパターン層の表面が酸化性溶液の作用
により変性して,めっき活性のない被膜が生成する。こ
れをそのままにしておくと,後の(6)のめっき工程の
際の支障となる。そこで(4)の後直ちにエッチング処
理を施してその生成物を除去する(5)。これによりパ
ターン層の表面が本来のめっき活性のある状態となる。
よって,その後さらにめっきを行うと(6),パターン
層の表面に新たにめっき層が形成される。このとき絶縁
物層の表面には,(4)で触媒粒子が除去されているた
め,新たなめっき層が形成されることはない。このよう
にして意図どおりの配線板が製造される。[0009] The insulating layer is exposed where the plating layer has been removed by patterning. On its surface,
There are catalyst particles deposited in (1). The catalyst particles are dissolved and removed with an oxidizing solution (4).
At that time, the surface of the pattern layer is inevitably modified by the action of the oxidizing solution, and a film having no plating activity is generated. If this is left as it is, it will hinder the later plating process (6). Therefore, immediately after (4), an etching process is performed to remove the product (5). As a result, the surface of the pattern layer is brought into a state having the original plating activity.
Therefore, when further plating is performed thereafter (6), a new plating layer is formed on the surface of the pattern layer. At this time, no new plating layer is formed on the surface of the insulating layer since the catalyst particles have been removed in (4). In this way, the intended wiring board is manufactured.
【0010】ここにおいて,パターン層の表面生成物の
除去のためのエッチング処理(5)は,触媒粒子の除去
(4)の後直ちに行わなければならない。この「直ち
に」とは,ソルダーレジスト層の形成などの他の工程を
差し挟むことなく,という意味である。この種の工程を
経てからではパターン層の表面生成物の除去が著しく困
難になるからである。この種の工程である程度の熱履歴
が加わるためであると考えられる。また,パターン層の
表面生成物は,パターン層そのものと異なり,後のめっ
き工程(6)を無電解めっきで行う場合の触媒活性を有
しない。このことを上記ではめっき活性がないと称して
いる。Here, the etching treatment (5) for removing the surface products of the pattern layer must be performed immediately after the removal of the catalyst particles (4). The term “immediately” means that other steps such as formation of a solder resist layer are not interposed. This is because it is extremely difficult to remove the surface products of the pattern layer after passing through this kind of process. This is considered to be because a certain degree of heat history is added in this type of process. Further, unlike the pattern layer itself, the surface product of the pattern layer has no catalytic activity when the subsequent plating step (6) is performed by electroless plating. This is referred to above as having no plating activity.
【0011】本発明の配線板の製造方法の典型例では,
触媒粒子がパラジウム粒子であり,(2)におけるめっ
き層が銅めっき層であり,(4)における酸化性溶液が
シアンイオンと水酸化物イオンとを含む溶液である。す
なわちこの場合には,パラジウム粒子は無電解銅めっき
に対する触媒活性を有している。よって,(2)のめっ
き層の形成を,無電解銅めっきにより行うことができ
る。あるいは,無電解銅めっきと電気銅めっきとの組み
合わせにより行うことができる。一方,パラジウムは,
後のめっき工程(6)を無電解めっきで行う場合の触媒
活性をも有しているので,パターン加工(3)により露
出した部分からは除去する必要がある。パラジウムは,
シアンイオンと水酸化物イオンとを含む溶液中ではシア
ノ錯体を形成して溶解する。よって,パターン加工によ
り露出した絶縁物層上のパラジウム粒子を除去すること
ができる(4)。In a typical example of the method for manufacturing a wiring board according to the present invention,
The catalyst particles are palladium particles, the plating layer in (2) is a copper plating layer, and the oxidizing solution in (4) is a solution containing cyan ions and hydroxide ions. That is, in this case, the palladium particles have catalytic activity for electroless copper plating. Therefore, the plating layer (2) can be formed by electroless copper plating. Alternatively, it can be performed by a combination of electroless copper plating and electrolytic copper plating. On the other hand, palladium
Since it also has catalytic activity when the subsequent plating step (6) is performed by electroless plating, it must be removed from the portion exposed by pattern processing (3). Palladium is
In a solution containing a cyanide ion and a hydroxide ion, a cyano complex is formed and dissolved. Therefore, the palladium particles on the insulating layer exposed by the pattern processing can be removed (4).
【0012】ただしその際,銅のパターン層の表面に酸
化銅を主成分とする生成物が形成されてしまう。この生
成物は後のめっき工程(6)でのめっき活性がないの
で,そのままでは支障がある。特に,この生成物を除去
しないままで他の工程を行うと,その熱履歴により当該
生成物の除去が著しく困難になってしまう。そこで,直
ちに硫酸と過酸化水素とを含む溶液を用いてエッチング
処理を行う(5)と,この生成物を除去することができ
る。これによりパターン層の表面は,金属性の銅とな
る。銅は,後のめっき工程(6)でのめっき活性を有し
ているので,銅のパターン層の上に新たにめっき層が形
成される。ここで,パターン層以外の絶縁物層上には,
めっき層が形成されない。その部分では(4)でパラジ
ウム粒子が除去されており,めっき活性を有するものが
ないからである。However, at that time, a product mainly composed of copper oxide is formed on the surface of the copper pattern layer. Since this product has no plating activity in the later plating step (6), there is a problem if it is used as it is. In particular, if another step is performed without removing this product, the removal of the product becomes extremely difficult due to its heat history. Therefore, if an etching treatment is immediately performed using a solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide (5), this product can be removed. Thus, the surface of the pattern layer becomes metallic copper. Since copper has a plating activity in a later plating step (6), a new plating layer is formed on the copper pattern layer. Here, on the insulating layer other than the pattern layer,
No plating layer is formed. This is because the palladium particles are removed in that part in (4) and there is no plating active.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下,本発明を具体化した実施の
形態について,図面を参照しつつ詳細に説明する。本実
施の形態では,図1に示す構造を有する配線板1を製造
する。なお,図1には片面側しか示されていないが,裏
面側もほぼ同様の構造である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the present embodiment, a wiring board 1 having the structure shown in FIG. 1 is manufactured. Although only one side is shown in FIG. 1, the back side has almost the same structure.
【0014】図1に示す配線板1は,コア絶縁層2と,
その表面に部分的に設けられた内層パターン3(裏面も
ほぼ同様)と,内層パターン3を覆う層間絶縁層4
(同)と,その表面に部分的に設けられた外層パターン
5(同)と,外層パターン5を部分的に覆うソルダレジ
スト層9とを有している。そして,内層パターン3と外
層パターン5との導通をとるビアホール6(同)や,内
層パターン3を裏面側と導通させるスルーホール7が,
所々に設けられている。コア絶縁層2と層間絶縁層4と
ソルダレジスト層9とはいずれも,樹脂性の絶縁物で構
成されている。内層パターン3は,銅箔をパターン加工
したものである。外層パターン5は,めっきにより形成
された銅の層である。さらに,外層パターン5のうちソ
ルダレジスト層9に覆われていない部分は,ニッケル/
金めっき層10で覆われている。本実施の形態では,概
略,図2に示す工程フローにより,図1の配線板1を製
造する。A wiring board 1 shown in FIG.
An inner layer pattern 3 partially provided on the surface (substantially the same also on the back surface) and an interlayer insulating layer 4 covering the inner layer pattern 3
(The same), an outer layer pattern 5 (the same) provided partially on the surface thereof, and a solder resist layer 9 partially covering the outer layer pattern 5. Then, a via hole 6 (same as above) for establishing conduction between the inner layer pattern 3 and the outer layer pattern 5 and a through hole 7 for conducting the inner layer pattern 3 with the back surface side are provided.
It is provided in some places. The core insulating layer 2, the interlayer insulating layer 4, and the solder resist layer 9 are all made of a resinous insulator. The inner layer pattern 3 is obtained by patterning a copper foil. The outer layer pattern 5 is a copper layer formed by plating. Further, the portion of the outer layer pattern 5 that is not covered with the solder resist layer 9 is made of nickel / metal alloy.
It is covered with a gold plating layer 10. In the present embodiment, the wiring board 1 of FIG. 1 is manufactured according to the process flow schematically shown in FIG.
【0015】(#1,前工程)まず,図3に示す状態の
基板を製造する。図3の基板は,図1の配線板1におけ
る外層パターン5を形成する前の状態のものである。原
材料から図3の基板を得るまでの過程は公知技術の組み
合わせなので詳細な説明は避け,概略を述べるに留め
る。(# 1, Previous Step) First, a substrate in a state shown in FIG. 3 is manufactured. The substrate in FIG. 3 is in a state before the outer layer pattern 5 in the wiring board 1 in FIG. 1 is formed. The process of obtaining the substrate shown in FIG. 3 from the raw materials is a combination of known techniques, so that detailed description is omitted and only an outline is given.
【0016】すなわち,両面銅貼り樹脂板(例えば,日
立製の商品名「MCL−E679,12D」等)をコア
基板としてこれに穴開け,パネルめっき,およびプラグ
埋めによりスルーホール7を形成する。そして,表裏の
銅箔にパターン加工を施す。この段階で,図3の基板に
おけるコア絶縁層2および内層パターン3が形成された
こととなる。次いで,両面にドライフィルム(例えば,
デュポン製の商品名「Vialux7081」等)をラ
ミネートし,これを露光し現像する。すると,ビアホー
ル6の箇所に穴があいた層間絶縁層4がビルドアップさ
れる。かくして,図3に示す状態の基板が得られる。な
お,図1中の外層パターン5から裏面の外層パターンに
至るスルーホールを形成する場合には,そのための貫通
穴をこの時点で開けておく。そして,後の工程のために
粗化やデスミアを行う。That is, a through-hole 7 is formed by drilling a hole in a double-sided copper-clad resin plate (for example, “MCL-E679, 12D” manufactured by Hitachi, etc.) as a core substrate, panel plating, and plug filling. Then, pattern processing is performed on the front and back copper foils. At this stage, the core insulating layer 2 and the inner layer pattern 3 in the substrate of FIG. 3 have been formed. Then, dry film on both sides (for example,
DuPont product name “Vialux7081” or the like) is laminated, exposed, and developed. Then, the interlayer insulating layer 4 having a hole at the position of the via hole 6 is built up. Thus, the substrate shown in FIG. 3 is obtained. When a through hole is formed from the outer layer pattern 5 in FIG. 1 to the outer layer pattern on the back surface, a through hole for this is formed at this time. Then, roughening or desmearing is performed for a later step.
【0017】(#2,触媒付与)次に,触媒粒子を付与
する。続く#3のめっき工程でのめっき活性を層間絶縁
層4に持たせるためである。すなわち,塩化パラジウム
と有機酸とを含有する触媒溶液(アトテック製)に図3
の基板を浸漬して,全体にパラジウムの触媒粒子を付着
させる。これにより,模式的には図4に示すように,表
面全体にパラジウムの触媒粒子8がまぶされた状態とな
る。なお図4は,触媒粒子8を単に模式的に示すもので
あり,触媒粒子8の実際のサイズや分布密度を示唆する
ものではない。(# 2, Catalyst Application) Next, catalyst particles are applied. This is because the interlayer insulating layer 4 has plating activity in the subsequent plating step # 3. That is, a catalyst solution (manufactured by Atotech) containing palladium chloride and an organic acid was added to FIG.
The substrate is immersed, and the catalyst particles of palladium are adhered to the whole. Thereby, as shown in FIG. 4, the palladium catalyst particles 8 are spread over the entire surface. FIG. 4 merely shows the catalyst particles 8 schematically, and does not suggest the actual size or distribution density of the catalyst particles 8.
【0018】(#3,銅めっき)次に,全面に銅めっき
を施す。ここで形成する銅めっき層は,パターン加工し
て外層パターン5とするためのものである。このため,
まず無電解銅めっきを行い,次いで電気銅めっきを行
う。最初に無電解銅めっきを行うのは,いきなり電気銅
めっきを行ったのでは導電性のない層間絶縁層4上にめ
っき層が形成されないからである。無電解銅めっきのめ
っき液は,EDTA,硫酸銅,ホルムアルデヒド,水酸
化ナトリウム等を主成分とするものを用いればよい。無
電解銅めっきによれば,前の#2で付着させられた触媒
粒子8の作用により,層間絶縁層4の表面を含めて全面
に銅めっき層が形成される。(# 3, Copper Plating) Next, copper plating is applied to the entire surface. The copper plating layer formed here is used to form the outer layer pattern 5 by pattern processing. For this reason,
First, electroless copper plating is performed, and then electrolytic copper plating is performed. The reason why the electroless copper plating is performed first is that the plating layer is not formed on the non-conductive interlayer insulating layer 4 if the electrolytic copper plating is performed immediately. As a plating solution for electroless copper plating, a plating solution containing EDTA, copper sulfate, formaldehyde, sodium hydroxide, or the like as a main component may be used. According to the electroless copper plating, a copper plating layer is formed on the entire surface including the surface of the interlayer insulating layer 4 by the action of the catalyst particles 8 attached in the previous step # 2.
【0019】無電解銅めっきにより1〜4μm程度の厚
さの銅めっき層を形成したら,水洗および乾燥後,めっ
き速度の速い電気銅めっきによりさらに銅めっき層を形
成する。このときには,層間絶縁層4が銅めっき層で覆
われているので,層間絶縁層4がある箇所の上にも電気
めっきが施される。電気銅めっきのめっき液は,硫酸お
よび硫酸銅を主成分とし,これに例えばアトテックジャ
パン製の商品名「カパラシドGL」のような添加剤を加
えたものを用いればよい。これにより,無電解銅めっき
のめっき層と合わせて20μm程度の銅めっき層が形成
されるようにする。かくして,図5に示すように,全体
が銅めっき層51で覆われた状態の基板が得られる。な
お上記から明らかなように,図5の銅めっき層51は,
厳密には,無電解銅めっきによる下層と電気銅めっきに
よる上層との2層構造である。After forming a copper plating layer having a thickness of about 1 to 4 μm by electroless copper plating, after washing with water and drying, a further copper plating layer is formed by electrolytic copper plating at a high plating rate. At this time, since the interlayer insulating layer 4 is covered with the copper plating layer, the portion where the interlayer insulating layer 4 exists is also subjected to electroplating. The plating solution for the electrolytic copper plating may be a plating solution containing sulfuric acid and copper sulfate as main components, and an additive such as, for example, trade name “Kapalaside GL” manufactured by Atotech Japan. Thereby, a copper plating layer of about 20 μm is formed together with the plating layer of the electroless copper plating. Thus, as shown in FIG. 5, a substrate in a state where the whole is covered with the copper plating layer 51 is obtained. As is clear from the above, the copper plating layer 51 of FIG.
Strictly speaking, it has a two-layer structure of a lower layer formed by electroless copper plating and an upper layer formed by electrolytic copper plating.
【0020】(#4,パターニング)次に,銅めっき層
51にパターン加工を施す。このパターン加工は,フォ
トエッチングにより行う。このため,ドライフィルム状
のエッチングレジストを貼付し,これを露光し現像した
上で銅めっき層51をエッチングする。これにより,図
6に示すように,銅めっき層51がパターン加工施され
て外層パターン5となった状態が得られる。この状態で
は,銅めっき層51が部分的に除去されている。その箇
所では,層間絶縁層4が露出している。そしてその箇所
では,先の#2で付着させた触媒粒子8も露出してい
る。パラジウムは銅よりもイオン化傾向がさらに小さ
く,銅めっき層51を溶解させるためのエッチングでは
溶解しないからである。(# 4, Patterning) Next, the copper plating layer 51 is subjected to pattern processing. This pattern processing is performed by photoetching. For this purpose, a dry film-shaped etching resist is applied, and is exposed and developed, and then the copper plating layer 51 is etched. As a result, as shown in FIG. 6, a state is obtained in which the copper plating layer 51 is subjected to pattern processing to form the outer layer pattern 5. In this state, the copper plating layer 51 has been partially removed. At that point, the interlayer insulating layer 4 is exposed. Then, at that location, the catalyst particles 8 attached in # 2 above are also exposed. This is because palladium has a smaller ionization tendency than copper and is not dissolved by etching for dissolving the copper plating layer 51.
【0021】(#5,触媒除去)そこで,露出した触媒
粒子8を除去する。触媒粒子8を放置しておくと,後の
#8の工程で,外層パターン5上ばかりでなく層間絶縁
層4上にもめっき層が生成するという害をなすからであ
る。ここでは,シアン化カリウムを主成分とし,さらに
水酸化ナトリウムを含有する処理溶液を用いて触媒粒子
8を除去する。この処理溶液中では,パラジウムがシア
ノ錯体となって溶解するのである。具体的には,図6の
状態の基板を,常温の当該処理溶液に1分間ディップ
し,水洗し,乾燥させることなく再び常温の処理溶液に
1分間ディップし,水洗する。これにより,露出してい
る触媒粒子8が除去され,図7の状態が得られる。図7
の状態では,層間絶縁層4が露出している箇所にはもは
や触媒粒子8は残存していない。(# 5, Catalyst Removal) Then, the exposed catalyst particles 8 are removed. This is because if the catalyst particles 8 are left untreated, a plating layer is formed not only on the outer layer pattern 5 but also on the interlayer insulating layer 4 in the step # 8. Here, the catalyst particles 8 are removed using a treatment solution containing potassium cyanide as a main component and further containing sodium hydroxide. In this treatment solution, palladium dissolves as a cyano complex. Specifically, the substrate in the state shown in FIG. 6 is dipped in the processing solution at room temperature for 1 minute, washed with water, dipped again in the processing solution at room temperature for 1 minute without drying, and washed with water. As a result, the exposed catalyst particles 8 are removed, and the state shown in FIG. 7 is obtained. FIG.
In the state (1), the catalyst particles 8 no longer remain at the portion where the interlayer insulating layer 4 is exposed.
【0022】なお,図7の状態でも,外層パターン5が
残っている箇所では依然として層間絶縁層4と外層パタ
ーン5との間に触媒粒子8が存在している。しかしこれ
は今後表に露出することがないので,#8その他の後工
程で害をなすことはない。よって,以後の説明ではこれ
を無視する。In the state shown in FIG. 7, the catalyst particles 8 still exist between the interlayer insulating layer 4 and the outer layer pattern 5 where the outer layer pattern 5 remains. However, this will not be exposed in the table in the future, so it will not harm in # 8 and other subsequent processes. Therefore, this is ignored in the following description.
【0023】また,図7の状態では,外層パターン5は
溶解こそしていないものの,その表皮に皮膜52が形成
されている。皮膜52は,外層パターン5が#5の処理
溶液と反応して生成したものであり,その厚さは0.0
1μm程度である。皮膜52は,酸化銅を主成分とする
難溶性の被膜であり,導電性も無電解めっきの触媒活性
もない。In the state shown in FIG. 7, although the outer layer pattern 5 has not been dissolved, the film 52 is formed on the skin. The film 52 is formed by reacting the outer layer pattern 5 with the processing solution of # 5, and has a thickness of 0.0
It is about 1 μm. The film 52 is a poorly soluble film containing copper oxide as a main component and has neither conductivity nor catalytic activity of electroless plating.
【0024】(#6,ソフトエッチ)そこで,皮膜52
を除去する。皮膜52を放置しておくと,後の#8の工
程で,めっき層が生成しないという害をなすからであ
る。ここでは,硫酸と過酸化水素とを主成分とする処理
溶液(あるいは,メック製の商品名「MEC etch
BOND CZ−8100」のような市販のソフトエッ
チング液でもよい)で皮膜52をソフトエッチングして
除去する。具体的には,図7の状態の基板を,#5の最
後の水洗の後,ドライヤ等で乾燥させることなく直ち
に,40℃の当該処理溶液にディップする。皮膜52
は,一旦乾燥するとさらに難溶化する傾向があるからで
ある。これにより,皮膜52が溶解して除去される。皮
膜52が除去されたら,基板を引き上げ,水洗し乾燥さ
せる。(# 6, Soft Etch) Then, the film 52
Is removed. This is because if the film 52 is left untreated, the plating layer will not be formed in the subsequent step # 8. Here, a treatment solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide as main components (or a MEC product name “MEC etch”) is used.
The coating 52 may be soft-etched with a commercially available soft-etching solution such as BOND CZ-8100). Specifically, the substrate in the state shown in FIG. 7 is immediately dipped in the processing solution at 40 ° C. without being dried with a drier or the like after the last water washing of # 5. Film 52
This is because once dried, there is a tendency to become more insoluble. Thereby, the film 52 is dissolved and removed. After the film 52 is removed, the substrate is pulled up, washed with water and dried.
【0025】これにより,外層パターン5の表面は金属
性の銅となる。この状態を図8に示す。図8の状態での
外層パターン5は,図6の状態での外層パターン5より
も,#5および#6の処理の結果として厚さが2μm程
度減少している。なお,#6では,基板を処理溶液にデ
ィップする代わりに,基板に処理溶液をスプレーしても
よい。As a result, the surface of the outer layer pattern 5 becomes metallic copper. This state is shown in FIG. The thickness of the outer layer pattern 5 in the state of FIG. 8 is reduced by about 2 μm as compared with the outer layer pattern 5 in the state of FIG. 6 as a result of the processes of # 5 and # 6. In # 6, instead of dipping the substrate in the processing solution, the processing solution may be sprayed on the substrate.
【0026】(#7,ソルダレジスト形成)次に,ソル
ダレジストの形成を行う。このため,図8の状態の基板
に感光性樹脂材を塗布し乾燥させ,露光および現像し,
さらに熱硬化させてソルダレジストを形成する。このた
めの感光性樹脂材としては,タムラ製の商品名「C6G
2」等の市販品が使用できる。ソルダレジストを形成し
た状態では,図9に示すように,外層パターン5が部分
的にソルダレジスト9に覆われている。それ以外の部分
の外層パターン5は露出している。(# 7, Solder Resist Formation) Next, a solder resist is formed. For this purpose, a photosensitive resin material is applied to the substrate in the state shown in FIG. 8, dried, exposed and developed, and
Further, it is thermally cured to form a solder resist. As a photosensitive resin material for this purpose, Tamura's product name “C6G
Commercial products such as "2" can be used. When the solder resist is formed, the outer layer pattern 5 is partially covered with the solder resist 9, as shown in FIG. The other part of the outer layer pattern 5 is exposed.
【0027】もし,前出のソフトエッチング(#6)よ
り先にソルダレジスト9の形成をしてしまうと,皮膜5
2が著しく難溶化し,容易なことでは除去できなくなっ
てしまう。ソルダレジスト9の形成の際に熱履歴がかか
るからである。よって,その後にソフトエッチングをし
ても皮膜52を除去できず,後の#8の工程で,めっき
層が生成しないこととなってしまう。本実施の形態で
は,ソフトエッチング(#6)により皮膜52を除去し
てからソルダレジスト9の形成を行うので,そのような
ことはない。If the solder resist 9 is formed prior to the above-mentioned soft etching (# 6), the film 5
2 becomes extremely insoluble and cannot be removed easily. This is because heat history is applied when the solder resist 9 is formed. Therefore, even if soft etching is performed thereafter, the film 52 cannot be removed, and the plating layer will not be formed in the subsequent step # 8. In the present embodiment, since the solder resist 9 is formed after the film 52 is removed by soft etching (# 6), such a case does not occur.
【0028】(#8,ニッケル/金めっき)次に,ニッ
ケル/金めっきを行う。外層パターン5の表面のボンデ
ィング性や外観を改善するためである。まず,硫酸ニッ
ケル,クエン酸,次亜リン酸ナトリウム,ホウ酸,界面
活性剤を含有するめっき液を用いて無電解めっきにより
ニッケルめっき層を形成する。次に,シアン化金カリウ
ム,塩化アンモニウム,クエン酸ナトリウム,次亜リン
酸ナトリウムを含有するめっき液を用いて無電解めっき
により金めっき層を形成する。これにより,外層パター
ン5のうちソルダレジスト9に覆われていない部分にニ
ッケル/金めっき層10が生成し,図1の状態が得られ
る。(# 8, Nickel / Gold Plating) Next, nickel / gold plating is performed. This is for improving the bonding property and appearance of the surface of the outer layer pattern 5. First, a nickel plating layer is formed by electroless plating using a plating solution containing nickel sulfate, citric acid, sodium hypophosphite, boric acid, and a surfactant. Next, a gold plating layer is formed by electroless plating using a plating solution containing potassium gold cyanide, ammonium chloride, sodium citrate, and sodium hypophosphite. As a result, a nickel / gold plating layer 10 is formed in a portion of the outer layer pattern 5 that is not covered with the solder resist 9, and the state shown in FIG. 1 is obtained.
【0029】もし,#5の触媒除去がなされていない
と,外層パターン5以外の部分の層間絶縁層4が露出し
ている箇所にもニッケル/金めっき層が生成してしま
い,パターン間の短絡が生じる。本実施の形態では,#
5で層間絶縁層4上から触媒粒子8を除去しているの
で,そのようなことはない。If the catalyst of # 5 is not removed, a nickel / gold plating layer is also formed in a portion other than the outer layer pattern 5 where the interlayer insulating layer 4 is exposed, and a short circuit between the patterns occurs. Occurs. In the present embodiment, #
This is not the case because the catalyst particles 8 are removed from the interlayer insulating layer 4 at 5.
【0030】また,もし#6のソフトエッチが#5の触
媒除去の直後になされていないと,外層パターン5のう
ちソルダレジスト9に覆われていない部分にもニッケル
/金めっき層10が生成しない。このため,後のボンデ
ィング不良等の不具合が生じてしまう。本実施の形態で
は,#5の触媒除去の直後に#6のソフトエッチを行
い,外層パターン5の表面の皮膜52を除去してからそ
の後の工程を行うようにしているので,そのようなこと
はない。If the soft etching of # 6 is not performed immediately after the removal of the catalyst of # 5, the nickel / gold plating layer 10 is not formed even on the portion of the outer layer pattern 5 which is not covered with the solder resist 9. . For this reason, problems such as a bonding failure later occur. In the present embodiment, the soft etching of # 6 is performed immediately after the removal of the catalyst of # 5 to remove the film 52 on the surface of the outer layer pattern 5, and then the subsequent steps are performed. There is no.
【0031】以上詳細に説明したように本実施の形態で
は,外層パターン5たる銅めっき層51をパターン加工
して層間絶縁層4とともに触媒粒子8が露出したとき
に,シアン化カリウムを主成分とする処理溶液で露出し
た触媒粒子8を除去するようにしている。そしてその直
後にソフトエッチングを行い,外層パターン5の表面に
生じた皮膜52を除去するようにしている。このため,
ニッケル/金めっきを施す時点では,露出している層間
絶縁層4上には触媒粒子8が存在しておらず,かつ,外
層パターン5の表面は金属性の銅である。よって,パタ
ーン間の層間絶縁層4上にニッケル/金めっき層が生成
してしまうことがなく,かつ,外層パターン5のうちソ
ルダレジストに覆われていない部分には確実にニッケル
/金めっき層10が生成する。かくして,外層パターン
5間の短絡もなく,ニッケル/金めっきの不良もない配
線板1が製造される。As described above in detail, in the present embodiment, when the catalyst particles 8 are exposed together with the interlayer insulating layer 4 by patterning the copper plating layer 51 as the outer layer pattern 5, the treatment mainly comprising potassium cyanide is performed. The catalyst particles 8 exposed by the solution are removed. Immediately thereafter, soft etching is performed to remove the film 52 formed on the surface of the outer layer pattern 5. For this reason,
At the time of nickel / gold plating, the catalyst particles 8 are not present on the exposed interlayer insulating layer 4, and the surface of the outer layer pattern 5 is metallic copper. Therefore, the nickel / gold plating layer is not generated on the interlayer insulating layer 4 between the patterns, and the nickel / gold plating layer 10 is surely formed on the portion of the outer layer pattern 5 which is not covered with the solder resist. Is generated. Thus, the wiring board 1 without the short circuit between the outer layer patterns 5 and the defect of the nickel / gold plating is manufactured.
【0032】なお,前述の実施の形態は単なる例示にす
ぎず,本発明を何ら限定するものではない。したがって
本発明は当然に,その要旨を逸脱しない範囲内で種々の
改良,変形が可能である。例えば,さらに多層の配線板
を製造する場合にも適用可能である。また,各部分の具
体的構造や組成も,適宜変更してよい。The above-described embodiment is merely an example, and does not limit the present invention. Therefore, naturally, the present invention can be variously modified and modified without departing from the gist thereof. For example, the present invention can be applied to a case of manufacturing a multilayer wiring board. Further, the specific structure and composition of each part may be appropriately changed.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば,めっき層をパターン加工して露出した絶縁物層
上の触媒粒子を,後のめっき工程に支障を来すことなく
除去するようにした配線板の製造方法が提供されてい
る。これにより,パターン間の短絡や上層めっきの不良
がない配線板が製造できるものである。As apparent from the above description, according to the present invention, the catalyst particles on the insulating layer exposed by patterning the plating layer are removed without hindering the subsequent plating step. A method for manufacturing a wiring board as described above is provided. As a result, a wiring board free from short-circuits between patterns and defective upper layer plating can be manufactured.
【図1】実施の形態に係る製造方法により製造される配
線板の構造を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a wiring board manufactured by a manufacturing method according to an embodiment.
【図2】実施の形態に係る製造方法の工程フロー図であ
る。FIG. 2 is a process flow chart of a manufacturing method according to an embodiment.
【図3】層間絶縁層を形成した状態の断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a state where an interlayer insulating layer is formed.
【図4】触媒粒子を付与した状態の断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a state where catalyst particles are provided.
【図5】全面に銅めっき層を形成した状態の断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view showing a state where a copper plating layer is formed on the entire surface.
【図6】銅めっき層を加工して外層パターンとした状態
の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which a copper plating layer is processed to form an outer layer pattern.
【図7】露出した触媒粒子を除去した状態の断面図であ
る。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state where exposed catalyst particles are removed.
【図8】外層パターンに生成した皮膜を除去した状態の
断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state where a film formed on an outer layer pattern is removed.
【図9】ソルダレジストを形成した状態の断面図であ
る。FIG. 9 is a sectional view showing a state where a solder resist is formed.
4 層間絶縁層 5 外層パターン 51 銅めっき層 52 皮膜 8 触媒粒子 Reference Signs List 4 interlayer insulating layer 5 outer layer pattern 51 copper plating layer 52 film 8 catalyst particle
Claims (3)
前記触媒粒子の触媒作用により前記絶縁物層上にめっき
層を形成し(2),その後前記めっき層を部分的に除去
する(3)過程を含む配線板の製造方法において,前記
(3)の工程により前記絶縁物層上に露出した前記触媒
粒子を酸化性溶液で溶解して除去し(4),その直後に
エッチング処理を施して前記(4)の際に前記めっき層
の表面に生じた生成物を除去し(5),その後前記めっ
き層の表面にさらにめっきを施す(6)過程を含むこと
を特徴とする配線板の製造方法。And (1) attaching catalyst particles to the insulating layer (1).
In the method for manufacturing a wiring board, the method includes the step of forming a plating layer on the insulating layer by the catalytic action of the catalyst particles (2), and then partially removing the plating layer (3). The catalyst particles exposed on the insulator layer by the process are removed by dissolving with an oxidizing solution (4), and immediately thereafter, an etching treatment is performed to form on the surface of the plating layer at the time of (4). A method for manufacturing a wiring board, comprising the steps of: removing a product (5); and thereafter further plating the surface of the plating layer (6).
おいて,前記触媒粒子がパラジウム粒子であり,前記
(2)におけるめっき層が銅めっき層であり,前記酸化
性溶液がシアンイオンと水酸化物イオンとを含むことを
特徴とする配線板の製造方法。2. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the catalyst particles are palladium particles, the plating layer in (2) is a copper plating layer, and the oxidizing solution is cyan ion and water. A method for manufacturing a wiring board, comprising: an oxide ion.
おいて,前記(5)で用いるエッチング処理液が硫酸と
過酸化水素とを含むことを特徴とする配線板の製造方
法。3. The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein the etching solution used in the step (5) contains sulfuric acid and hydrogen peroxide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131384A JP2000323814A (en) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | Manufacturing method of wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131384A JP2000323814A (en) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | Manufacturing method of wiring board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323814A true JP2000323814A (en) | 2000-11-24 |
Family
ID=15056705
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| JP11131384A Pending JP2000323814A (en) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | Manufacturing method of wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323814A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114501781A (en) * | 2016-08-18 | 2022-05-13 | 卡特拉姆有限责任公司 | Plasma etch catalytic laminate with traces and vias |
| US11523515B2 (en) | 2020-01-24 | 2022-12-06 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring substrate |
-
1999
- 1999-05-12 JP JP11131384A patent/JP2000323814A/en active Pending
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