JP2000329662A - 非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法 - Google Patents
非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】導電処理後の試料の被膜表面の汚染状態や、導
電処理装置からの汚染度合を容易かつ的確に把握でき、
分析精度の向上が図れる非導電性試料の導電処理用治具
およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法を提供
する。 【解決手段】 治具本体２と、治具本体２に設けられ非
導電性試料Ｓが載置される試料載置部３と、試料載置部
３と同一面に設けられダミー試料Ｄが載置されるダミー
試料載置部４とを有する非導電性試料の導電処理用治
具。および、この導電処理用治具を用意し、試料載置部
に非導電性試料、ダミー試料載置部にダミー試料をそれ
ぞれ載置し、非導電性試料とダミー試料を同時に導電処
理を行い、しかる後、電子顕微鏡により導電処理後の非
導電性試料およびダミー試料の観察を行う非導電性試料
用導電処理装置の汚染評価方法。
電処理装置からの汚染度合を容易かつ的確に把握でき、
分析精度の向上が図れる非導電性試料の導電処理用治具
およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法を提供
する。 【解決手段】 治具本体２と、治具本体２に設けられ非
導電性試料Ｓが載置される試料載置部３と、試料載置部
３と同一面に設けられダミー試料Ｄが載置されるダミー
試料載置部４とを有する非導電性試料の導電処理用治
具。および、この導電処理用治具を用意し、試料載置部
に非導電性試料、ダミー試料載置部にダミー試料をそれ
ぞれ載置し、非導電性試料とダミー試料を同時に導電処
理を行い、しかる後、電子顕微鏡により導電処理後の非
導電性試料およびダミー試料の観察を行う非導電性試料
用導電処理装置の汚染評価方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非導電性試料の導電
処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価
方法に係わり、特に、導電処理装置から非導電性試料へ
の汚染度合を容易かつ的確に把握でき、分析精度の向上
が図れる非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用
いた導電処理装置の汚染評価方法に関する。
処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価
方法に係わり、特に、導電処理装置から非導電性試料へ
の汚染度合を容易かつ的確に把握でき、分析精度の向上
が図れる非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用
いた導電処理装置の汚染評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子顕微鏡、例えば電子線マイ
クロアナライザーで非導電性試料の形態観察を行う場
合、非導電性試料に入射した一次電子がチャージアップ
（電荷の蓄積）して二次電子が励起されずに観察が不可
能であるために、観察に先立って非導電性試料の観察面
に予め、Ａｕ、Ｃなどの導電材料を蒸着して導電処理を
行い、チャージアップおよび試料表面の汚染を防止して
いた。
クロアナライザーで非導電性試料の形態観察を行う場
合、非導電性試料に入射した一次電子がチャージアップ
（電荷の蓄積）して二次電子が励起されずに観察が不可
能であるために、観察に先立って非導電性試料の観察面
に予め、Ａｕ、Ｃなどの導電材料を蒸着して導電処理を
行い、チャージアップおよび試料表面の汚染を防止して
いた。
【０００３】非導電性試料に導電処理を行うには、高真
空蒸着装置やイオンスパッタリング装置が用いられてい
るが、試料の用途により高真空蒸着装置とイオンスパッ
タリング装置の使い分けを行っている。高真空蒸着装置
の使用頻度に比べてイオンスパッタリング装置の使用頻
度が低いため、イオンスパッタリング装置は汚染されや
すく、このイオンスパッタリング装置を用いて導電処理
する場合には、導電処理された試料の導電被膜を目視や
光学顕微鏡により観察し、導電被膜の状態を確認して、
大きなゴミなどにより被膜表面が汚染されている場合に
は、非導電性試料を洗浄し、再度導電処理を行ってい
た。
空蒸着装置やイオンスパッタリング装置が用いられてい
るが、試料の用途により高真空蒸着装置とイオンスパッ
タリング装置の使い分けを行っている。高真空蒸着装置
の使用頻度に比べてイオンスパッタリング装置の使用頻
度が低いため、イオンスパッタリング装置は汚染されや
すく、このイオンスパッタリング装置を用いて導電処理
する場合には、導電処理された試料の導電被膜を目視や
光学顕微鏡により観察し、導電被膜の状態を確認して、
大きなゴミなどにより被膜表面が汚染されている場合に
は、非導電性試料を洗浄し、再度導電処理を行ってい
た。
【０００４】しかし、従来の目視による観察では、０．
１ｍｍ以下の汚れを確認するのが難しく、また、光学顕
微鏡による観察では、焦点深度が浅いため、非常に細か
い汚れは判別できず、汚れが元々非導電性試料に付着し
ていたものか、導電処理により汚染されたものかの判別
ができない。
１ｍｍ以下の汚れを確認するのが難しく、また、光学顕
微鏡による観察では、焦点深度が浅いため、非常に細か
い汚れは判別できず、汚れが元々非導電性試料に付着し
ていたものか、導電処理により汚染されたものかの判別
ができない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、導電処理後の
試料の被膜表面の汚染状態や、導電処理装置からの汚染
度合を容易かつ的確に把握でき、分析精度の向上が図れ
る非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導
電処理装置の汚染評価方法が要望されていた。
試料の被膜表面の汚染状態や、導電処理装置からの汚染
度合を容易かつ的確に把握でき、分析精度の向上が図れ
る非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導
電処理装置の汚染評価方法が要望されていた。
【０００６】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、導電処理後の試料の被膜表面の汚染状態や、導
電処理装置からの汚染度合を容易かつ的確に把握でき、
分析精度の向上が図れる非導電性試料の導電処理用治具
およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法を提供
することを目的とする。
もので、導電処理後の試料の被膜表面の汚染状態や、導
電処理装置からの汚染度合を容易かつ的確に把握でき、
分析精度の向上が図れる非導電性試料の導電処理用治具
およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、治具本体と、この治
具本体に設けられ非導電性試料が載置される試料載置部
と、この試料載置部と同一面に設けられダミー試料が載
置されるダミー試料載置部とを有することを特徴とする
非導電性試料の導電処理用治具であることを要旨として
いる。
になされた本願請求項１の発明は、治具本体と、この治
具本体に設けられ非導電性試料が載置される試料載置部
と、この試料載置部と同一面に設けられダミー試料が載
置されるダミー試料載置部とを有することを特徴とする
非導電性試料の導電処理用治具であることを要旨として
いる。
【０００８】本願請求項２の発明では、上記ダミー試料
載置部は、昇降自在なダミー試料載置台で形成され、こ
のダミー試料載置台は高さ調整手段により高さが調整さ
れることを特徴とする請求項1に記載の非導電性試料の
導電処理用治具であることを要旨としている。
載置部は、昇降自在なダミー試料載置台で形成され、こ
のダミー試料載置台は高さ調整手段により高さが調整さ
れることを特徴とする請求項1に記載の非導電性試料の
導電処理用治具であることを要旨としている。
【０００９】本願請求項３の発明では、上記高さ調整手
段は、治具本体に回動可能に設けられたネジであること
を特徴とする請求項２に記載の非導電性試料の導電処理
用治具であることを要旨としている。
段は、治具本体に回動可能に設けられたネジであること
を特徴とする請求項２に記載の非導電性試料の導電処理
用治具であることを要旨としている。
【００１０】本願請求項４の発明では、上記ダミー試料
載置台は、平坦なネジの頭部であることを特徴とする請
求項２または３に記載の非導電性試料の導電処理用治具
であることを要旨としている。
載置台は、平坦なネジの頭部であることを特徴とする請
求項２または３に記載の非導電性試料の導電処理用治具
であることを要旨としている。
【００１１】本願請求項５の発明では、上記ダミー試料
は、シリコンウェーハであることを特徴とする請求項１
ないし４のいずれか1項に記載の非導電性試料の導電処
理用治具であることを要旨としている。
は、シリコンウェーハであることを特徴とする請求項１
ないし４のいずれか1項に記載の非導電性試料の導電処
理用治具であることを要旨としている。
【００１２】本願請求項６の発明は、治具本体の同一面
に設けられた試料載置部およびダミー試料載置部とを有
する非導電性試料の導電処理用治具を用意し、試料載置
部に非導電性試料、ダミー試料載置部にダミー試料をそ
れぞれ載置し、非導電性試料とダミー試料を同時に導電
処理を行い、しかる後、電子顕微鏡により導電処理後の
非導電性試料およびダミー試料の観察を行うことを特徴
とする非導電性試料用導電処理装置の汚染評価方法であ
ることを要旨としている。
に設けられた試料載置部およびダミー試料載置部とを有
する非導電性試料の導電処理用治具を用意し、試料載置
部に非導電性試料、ダミー試料載置部にダミー試料をそ
れぞれ載置し、非導電性試料とダミー試料を同時に導電
処理を行い、しかる後、電子顕微鏡により導電処理後の
非導電性試料およびダミー試料の観察を行うことを特徴
とする非導電性試料用導電処理装置の汚染評価方法であ
ることを要旨としている。
【００１３】本願請求項７の発明では、上記ダミー試料
載置部に載置されたダミー試料の表面高さを評価試料の
表面高さとほぼ同一にした状態で電子顕微鏡により導電
処理後の非導電性試料およびダミー試料の観察を行うこ
とを特徴とする請求項６に記載の非導電性試料用導電処
理装置の汚染評価方法であることを要旨としている。
載置部に載置されたダミー試料の表面高さを評価試料の
表面高さとほぼ同一にした状態で電子顕微鏡により導電
処理後の非導電性試料およびダミー試料の観察を行うこ
とを特徴とする請求項６に記載の非導電性試料用導電処
理装置の汚染評価方法であることを要旨としている。
【００１４】本願請求項８の発明では、上記ダミー試料
は、シリコンウェーハであることを特徴とする請求項６
または７に記載の非導電性試料用導電処理装置の汚染評
価方法であることを要旨としている。
は、シリコンウェーハであることを特徴とする請求項６
または７に記載の非導電性試料用導電処理装置の汚染評
価方法であることを要旨としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる非導電性試
料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の
汚染評価方法の実施の形態について添付図面に基づき説
明する。
料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の
汚染評価方法の実施の形態について添付図面に基づき説
明する。
【００１６】図１および図２に示すように、非導電性試
料の導電処理用治具１は、例えば円板形状の治具本体２
と、この治具本体２の一面に設けられ非導電性試料Ｓが
載置される試料載置部３と、この試料載置部３と同一面
に設けられダミー試料Ｄが載置されるダミー試料載置部
４とを有している。
料の導電処理用治具１は、例えば円板形状の治具本体２
と、この治具本体２の一面に設けられ非導電性試料Ｓが
載置される試料載置部３と、この試料載置部３と同一面
に設けられダミー試料Ｄが載置されるダミー試料載置部
４とを有している。
【００１７】ダミー試料載置部４は、例えば、昇降自在
なダミー試料載置台で形成され、このダミー試料載置台
は、例えば、治具本体２に設けられたネジ孔５に回動可
能に螺合し、立設されたネジ６、６の平坦な頭部６ａで
ある。ダミー試料Ｄは、例えば平坦で十分洗浄されたシ
リコンウェーハから切出して形成され、ネジ６、６の頭
部６ａ、６ａに橋渡しの状態で載置される。
なダミー試料載置台で形成され、このダミー試料載置台
は、例えば、治具本体２に設けられたネジ孔５に回動可
能に螺合し、立設されたネジ６、６の平坦な頭部６ａで
ある。ダミー試料Ｄは、例えば平坦で十分洗浄されたシ
リコンウェーハから切出して形成され、ネジ６、６の頭
部６ａ、６ａに橋渡しの状態で載置される。
【００１８】なお、ダミー試料載置部４は、平坦な頭部
６ａ、６ａに限らず、治具本体２の一面のスペースその
ものでもよく、また、必要に応じネジ６、６間に台板を
橋設して形成した載置台であってもよい。
６ａ、６ａに限らず、治具本体２の一面のスペースその
ものでもよく、また、必要に応じネジ６、６間に台板を
橋設して形成した載置台であってもよい。
【００１９】次に、本発明に係わる非導電性試料の導電
処理用治具の使用方法について説明する。
処理用治具の使用方法について説明する。
【００２０】図１および図２に示すような非導電性試料
の導電処理用治具１を用意し、試料載置部３に非導電性
試料Ｓを載置し、ネジ６、６を回動させて、ネジ６、６
の頭部６ａ、６ａの高さを非導電性試料Ｓの高さとほぼ
同様の高さに調整し、しかる後、例えば平坦で十分洗浄
されたシリコンウェーハから切出したダミー試料Ｄを頭
部６ａ、６ａに橋渡しの状態で載置する。
の導電処理用治具１を用意し、試料載置部３に非導電性
試料Ｓを載置し、ネジ６、６を回動させて、ネジ６、６
の頭部６ａ、６ａの高さを非導電性試料Ｓの高さとほぼ
同様の高さに調整し、しかる後、例えば平坦で十分洗浄
されたシリコンウェーハから切出したダミー試料Ｄを頭
部６ａ、６ａに橋渡しの状態で載置する。
【００２１】非導電性試料Ｓとダミー試料Ｄとをより同
一に近い条件でスパッタ被膜の形成を行うために、ネジ
６、６の頭部６ａ、６ａの高さの調整は、非導電性試料
用導電処理装置に導電処理用治具１を収納する前に行う
ことが好ましいが、必ずしも事前に高さの調整は必要な
く、電子顕微鏡による非導電性試料Ｓの観察時に行って
もよい。
一に近い条件でスパッタ被膜の形成を行うために、ネジ
６、６の頭部６ａ、６ａの高さの調整は、非導電性試料
用導電処理装置に導電処理用治具１を収納する前に行う
ことが好ましいが、必ずしも事前に高さの調整は必要な
く、電子顕微鏡による非導電性試料Ｓの観察時に行って
もよい。
【００２２】図３に示すように、非導電性試料用導電処
理装置、例えばイオンスパッタリング装置１１を用いて
導電処理、例えば導電性スパッタ被膜を形成する。長期
間（１週間）使用していないイオンスパッタリング装置
を用いて、スパッタ被膜を形成する場合、下記の実施例
でも確認されているように、イオンスパッタリング装置
１１の累積成膜工程が成膜開始から膜厚４０ｎｍまでに
達するとイオンスパッタリング装置の内部汚染に起因す
るスパッタ被膜は極少量になるため、確実性を考慮して
累積成膜５０ｎｍ以上相当の空飛ばしを行った後に、非
導電性試料Ｓおよびダミー試料Ｄへの成膜を行う。
理装置、例えばイオンスパッタリング装置１１を用いて
導電処理、例えば導電性スパッタ被膜を形成する。長期
間（１週間）使用していないイオンスパッタリング装置
を用いて、スパッタ被膜を形成する場合、下記の実施例
でも確認されているように、イオンスパッタリング装置
１１の累積成膜工程が成膜開始から膜厚４０ｎｍまでに
達するとイオンスパッタリング装置の内部汚染に起因す
るスパッタ被膜は極少量になるため、確実性を考慮して
累積成膜５０ｎｍ以上相当の空飛ばしを行った後に、非
導電性試料Ｓおよびダミー試料Ｄへの成膜を行う。
【００２３】非導電性試料Ｓおよびダミー試料Ｄが載置
された導電処理用治具１を、イオンスパッタリング装置
１１の治具載置基台１２に載置してイオンスパッタリン
グ装置１１に収納する。このイオンスパッタリング装置
１１は電極にＡｕターゲット１３が取付けられており、
スパッタリングにより非導電性試料Ｓおよびダミー試料
Ｄに金スパッタ被膜が形成される。このスパッタリング
による金スパッタ被膜の形成工程において、同一スパッ
タリング条件下で、非導電性試料Ｓおよびダミー試料Ｄ
に金スパッタ被膜が形成されるので、非導電性試料Ｓお
よびダミー試料Ｄの形成された金スパッタ被膜に対する
イオンスパッタリング装置１１からの汚染度合等は同一
になる。従って、非導電性試料Ｓ、ダミー試料Ｄを電子
顕微鏡で観察して、両試料Ｓ、Ｄ間に差異が見られる場
合には、両試料Ｓ、Ｄ自体の差異であると判定できる。
された導電処理用治具１を、イオンスパッタリング装置
１１の治具載置基台１２に載置してイオンスパッタリン
グ装置１１に収納する。このイオンスパッタリング装置
１１は電極にＡｕターゲット１３が取付けられており、
スパッタリングにより非導電性試料Ｓおよびダミー試料
Ｄに金スパッタ被膜が形成される。このスパッタリング
による金スパッタ被膜の形成工程において、同一スパッ
タリング条件下で、非導電性試料Ｓおよびダミー試料Ｄ
に金スパッタ被膜が形成されるので、非導電性試料Ｓお
よびダミー試料Ｄの形成された金スパッタ被膜に対する
イオンスパッタリング装置１１からの汚染度合等は同一
になる。従って、非導電性試料Ｓ、ダミー試料Ｄを電子
顕微鏡で観察して、両試料Ｓ、Ｄ間に差異が見られる場
合には、両試料Ｓ、Ｄ自体の差異であると判定できる。
【００２４】次に金スパッタ被膜が形成された非導電性
試料Ｓおよびダミー試料Ｄが載置された導電処理用治具
１をイオンスパッタリング装置１１から取出し、ネジ
６、６を回動させることにより、ダミー試料Ｄの高さの
微調整を行い、ダミー試料Ｄの高さを非導電性試料Ｓの
高さに一層近づけ、両試料Ｓ、Ｄに電子顕微鏡の焦点を
合いやすくする。しかる後、非導電性試料Ｓおよびダミ
ー試料Ｄが載置された状態の導電処理用治具１を電子顕
微鏡の試料載置部に載置後、所定の方法により、非導電
性試料Ｓおよびダミー試料Ｄの観察を同時に行う。非導
電性試料Ｓに異物やムラ等が発生している場合、十分洗
浄され金属汚染の少ないシリコンウェーハから切出した
ダミー試料Ｄを調査することにより、この汚染がイオン
スパッタリング装置１１に起因するものか、否かを容易
かつ的確に確認でき、分析精度の向上が図れる。
試料Ｓおよびダミー試料Ｄが載置された導電処理用治具
１をイオンスパッタリング装置１１から取出し、ネジ
６、６を回動させることにより、ダミー試料Ｄの高さの
微調整を行い、ダミー試料Ｄの高さを非導電性試料Ｓの
高さに一層近づけ、両試料Ｓ、Ｄに電子顕微鏡の焦点を
合いやすくする。しかる後、非導電性試料Ｓおよびダミ
ー試料Ｄが載置された状態の導電処理用治具１を電子顕
微鏡の試料載置部に載置後、所定の方法により、非導電
性試料Ｓおよびダミー試料Ｄの観察を同時に行う。非導
電性試料Ｓに異物やムラ等が発生している場合、十分洗
浄され金属汚染の少ないシリコンウェーハから切出した
ダミー試料Ｄを調査することにより、この汚染がイオン
スパッタリング装置１１に起因するものか、否かを容易
かつ的確に確認でき、分析精度の向上が図れる。
【００２５】
【実施例】よく洗浄されたシリコンウェーハから切出し
たダミー試料を５枚用意し、そのうちの第１ダミー試料
を導電処理用治具のダミー試料載置部に載置し、この導
電処理用治具を、長期間（１週間）使用していなかった
イオンスパッタリング装置に収納した後、イオンスパッ
タリング装置により第１ダミー試料上に１０ｎｍの金ス
パッタ被膜を形成し、イオンスパッタリング装置外に取
出す。金スパッタ被膜には、イオンスパッタリング装置
の使用開始から膜厚１０ｎｍまでのスパッタリング工程
中のイオンスパッタリング装置内の汚染状態が反映され
る。同様に第２ダミー試料上に１０ｎｍの金スパッタ被
膜を形成するが、イオンスパッタリング装置の累積膜厚
１０ｎｍから膜厚２０ｎｍまでのスパッタリング工程中
のイオンスパッタリング装置内の汚染状態が反映され
る。以下同様にして、第５ダミー試料の金スパッタ被膜
には、イオンスパッタリング装置の累積膜厚４０ｎｍか
ら膜厚５０ｎｍまでのスパッタリング工程中のイオンス
パッタリング装置内の汚染状態が反映される。第１から
第５までのダミー試料を電子顕微鏡で定量分析し、表１
の結果を得た。
たダミー試料を５枚用意し、そのうちの第１ダミー試料
を導電処理用治具のダミー試料載置部に載置し、この導
電処理用治具を、長期間（１週間）使用していなかった
イオンスパッタリング装置に収納した後、イオンスパッ
タリング装置により第１ダミー試料上に１０ｎｍの金ス
パッタ被膜を形成し、イオンスパッタリング装置外に取
出す。金スパッタ被膜には、イオンスパッタリング装置
の使用開始から膜厚１０ｎｍまでのスパッタリング工程
中のイオンスパッタリング装置内の汚染状態が反映され
る。同様に第２ダミー試料上に１０ｎｍの金スパッタ被
膜を形成するが、イオンスパッタリング装置の累積膜厚
１０ｎｍから膜厚２０ｎｍまでのスパッタリング工程中
のイオンスパッタリング装置内の汚染状態が反映され
る。以下同様にして、第５ダミー試料の金スパッタ被膜
には、イオンスパッタリング装置の累積膜厚４０ｎｍか
ら膜厚５０ｎｍまでのスパッタリング工程中のイオンス
パッタリング装置内の汚染状態が反映される。第１から
第５までのダミー試料を電子顕微鏡で定量分析し、表１
の結果を得た。
【００２６】
【表１】
【００２７】第４ダミー試料（累積成膜工程４０ｎｍ）
以降の金スパッタ被膜は、スパッタリング装置の汚染に
起因する汚染が極少量であることがわかった。
以降の金スパッタ被膜は、スパッタリング装置の汚染に
起因する汚染が極少量であることがわかった。
【００２８】
【発明の効果】本発明に係わる非導電性試料の導電処理
用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法
によれば、導電処理後の試料の被膜表面の汚染状態や、
導電処理装置からの汚染度合を容易かつ的確に把握で
き、分析精度の向上が図れる非導電性試料の導電処理用
治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法を
提供することができる。
用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法
によれば、導電処理後の試料の被膜表面の汚染状態や、
導電処理装置からの汚染度合を容易かつ的確に把握で
き、分析精度の向上が図れる非導電性試料の導電処理用
治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法を
提供することができる。
【００２９】即ち、導電処理用治具の治具本体の同一面
に試料載置部とダミー試料載置部を設けたので、非導電
性試料とダミー試料を同条件で導電処理を行うことがで
き、導電処理装置から非導電性試料への汚染度合を容易
かつ的確に把握でき、分析精度の向上が図れる。
に試料載置部とダミー試料載置部を設けたので、非導電
性試料とダミー試料を同条件で導電処理を行うことがで
き、導電処理装置から非導電性試料への汚染度合を容易
かつ的確に把握でき、分析精度の向上が図れる。
【００３０】また、ダミー試料載置部は、昇降自在なダ
ミー試料載置台で形成され、このダミー試料載置台は高
さ調整手段により高さが調整されるので、ダミー試料の
高さと非導電性試料の高さがほぼ同一にしやすくなり、
両試料に電子顕微鏡の焦点を合いやすくなって、同時に
両試料の観察が行いやすく、比較も容易になる。
ミー試料載置台で形成され、このダミー試料載置台は高
さ調整手段により高さが調整されるので、ダミー試料の
高さと非導電性試料の高さがほぼ同一にしやすくなり、
両試料に電子顕微鏡の焦点を合いやすくなって、同時に
両試料の観察が行いやすく、比較も容易になる。
【００３１】また、ダミー試料載置台の高さ調整手段が
治具本体に回動可能に設けられたネジであるので、構造
が簡単で確実にダミー試料を容易に非導電性試料の高さ
がほぼ同一にしやすい。
治具本体に回動可能に設けられたネジであるので、構造
が簡単で確実にダミー試料を容易に非導電性試料の高さ
がほぼ同一にしやすい。
【００３２】また、ダミー試料載置台が平坦なネジの頭
部であるので、構造が簡単で安価である。
部であるので、構造が簡単で安価である。
【００３３】また、ダミー試料がシリコンウェーハであ
るので、容易に汚染のないダミー試料を得ることがで
き、非導電性試料用導電処理装置に起因する汚染度合を
容易かつ的確に確認することができる。
るので、容易に汚染のないダミー試料を得ることがで
き、非導電性試料用導電処理装置に起因する汚染度合を
容易かつ的確に確認することができる。
【００３４】また、本発明に係わる非導電性試料の導電
処理用治具を用いて、非導電性試料とダミー試料を同時
に導電処理を行い、しかる後、電子顕微鏡により導電処
理後の非導電性試料およびダミー試料の観察を行うの
で、非導電性試料とダミー試料を同条件で導電処理を行
うことができ、導電処理装置から非導電性試料への汚染
度合を容易かつ的確に把握でき、分析精度の向上が図れ
る。
処理用治具を用いて、非導電性試料とダミー試料を同時
に導電処理を行い、しかる後、電子顕微鏡により導電処
理後の非導電性試料およびダミー試料の観察を行うの
で、非導電性試料とダミー試料を同条件で導電処理を行
うことができ、導電処理装置から非導電性試料への汚染
度合を容易かつ的確に把握でき、分析精度の向上が図れ
る。
【００３５】また、ダミー試料の表面高さを評価試料の
表面高さとほぼ同一にした状態で電子顕微鏡により導電
処理後の非導電性試料およびダミー試料の観察を行うの
で、両試料に電子顕微鏡の焦点が合いやすくなって、同
時に両試料の観察が行いやすく、比較も容易になる。
表面高さとほぼ同一にした状態で電子顕微鏡により導電
処理後の非導電性試料およびダミー試料の観察を行うの
で、両試料に電子顕微鏡の焦点が合いやすくなって、同
時に両試料の観察が行いやすく、比較も容易になる。
【００３６】また、ダミー試料は、シリコンウェーハで
あるので、容易に汚染のないダミー試料を得ることがで
き、非導電性試料用導電処理装置に起因する汚染度合を
容易かつ的確に確認することができる。
あるので、容易に汚染のないダミー試料を得ることがで
き、非導電性試料用導電処理装置に起因する汚染度合を
容易かつ的確に確認することができる。
【図１】本発明に係わる非導電性試料の導電処理用治具
の側面図。
の側面図。
【図２】本発明に係わる非導電性試料の導電処理用治具
の平面図。
の平面図。
【図３】本発明に係わる非導電性試料の導電処理用治具
が用いられる非導電性試料用導電処理装置の説明図。
が用いられる非導電性試料用導電処理装置の説明図。
１ 非導電性試料の導電処理用治具 ２ 治具本体 ３ 試料載置部 ４ ダミー試料載置部 ５ ネジ孔 ６ ネジ ６ａ ネジの頭部 Ｄ ダミー試料 Ｓ 非導電性試料 １１ イオンスパッタリング装置 １２ 治具載置基台 １３ ターゲット
Claims (8)
- 【請求項１】 治具本体と、この治具本体に設けられ非
導電性試料が載置される試料載置部と、この試料載置部
と同一面に設けられダミー試料が載置されるダミー試料
載置部とを有することを特徴とする非導電性試料の導電
処理用治具。 - 【請求項２】 上記ダミー試料載置部は、昇降自在なダ
ミー試料載置台で形成され、このダミー試料載置台は高
さ調整手段により高さが調整されることを特徴とする請
求項1に記載の非導電性試料の導電処理用治具。 - 【請求項３】 上記高さ調整手段は、治具本体に回動可
能に設けられたネジであることを特徴とする請求項２に
記載の非導電性試料の導電処理用治具。 - 【請求項４】 上記ダミー試料載置台は、平坦なネジの
頭部であることを特徴とする請求項２または３に記載の
非導電性試料の導電処理用治具。 - 【請求項５】 上記ダミー試料は、シリコンウェーハで
あることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか1項
に記載の非導電性試料の導電処理用治具。 - 【請求項６】 治具本体の同一面に設けられた試料載置
部およびダミー試料載置部とを有する非導電性試料の導
電処理用治具を用意し、試料載置部に非導電性試料、ダ
ミー試料載置部にダミー試料をそれぞれ載置し、非導電
性試料とダミー試料を同時に導電処理を行い、しかる
後、電子顕微鏡により導電処理後の非導電性試料および
ダミー試料の観察を行うことを特徴とする非導電性試料
用導電処理装置の汚染評価方法。 - 【請求項７】 上記ダミー試料載置部に載置されたダミ
ー試料の表面高さを評価試料の表面高さとほぼ同一にし
た状態で電子顕微鏡により導電処理後の非導電性試料お
よびダミー試料の観察を行うことを特徴とする請求項６
に記載の非導電性試料用導電処理装置の汚染評価方法。 - 【請求項８】 上記ダミー試料は、シリコンウェーハで
あることを特徴とする請求項６または７に記載の非導電
性試料用導電処理装置の汚染評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11143459A JP2000329662A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11143459A JP2000329662A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000329662A true JP2000329662A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15339207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11143459A Pending JP2000329662A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000329662A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011001586A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線画像を安定に取得する方法 |
| JP2019108737A (ja) * | 2017-12-19 | 2019-07-04 | 株式会社竹中工務店 | 防水構造 |
| JPWO2020110276A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2021-10-14 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
-
1999
- 1999-05-24 JP JP11143459A patent/JP2000329662A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011001586A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線画像を安定に取得する方法 |
| US8536540B2 (en) | 2009-07-03 | 2013-09-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus and method for stably obtaining charged particle beam image |
| JP2019108737A (ja) * | 2017-12-19 | 2019-07-04 | 株式会社竹中工務店 | 防水構造 |
| JP7007889B2 (ja) | 2017-12-19 | 2022-01-25 | 株式会社竹中工務店 | 防水構造 |
| JPWO2020110276A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2021-10-14 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| JP7116191B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-08-09 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| TWI784683B (zh) * | 2018-11-30 | 2022-11-21 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 荷電粒子線裝置 |
| US11735394B2 (en) | 2018-11-30 | 2023-08-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus |
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