JP2000330131A

JP2000330131A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JP2000330131A
Application number: JP14435299A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yanagi; 雅宏柳; Yukito Chokai; 幸人鳥海; Toshio Watanabe; 俊夫渡辺
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1999-05-25
Filing date: 1999-05-25
Publication date: 2000-11-30

Abstract

(57)【要約】【課題】非常に大型の表示画面を液晶表示素子で構成
する場合に、フルカラーのドットマトリクス表示による
優れた表示をすることができ、しかも高歩留りで安価に
製造することができる液晶表示素子を提供する。【解決手段】第１の透明基板１１に画素電極１２がマ
トリクス状に形成され、その画素電極１２の間に信号線
１３および走査線１４が縦横に形成されている。そし
て、第１の透明基板１１の画素電極１２の各々の近傍、
すなわち信号線１３と走査線１４との交差部に凹部１５
が設けられ、その凹部１５内にスイッチング素子チップ
１６が画素電極１２、信号線１３および走査線１４にそ
れぞれ接続されるように設けられている。そして、対向
電極２２が設けられた第２の透明基板２１が、第１の透
明基板１１と対向して設けられ、その間に液晶材料３が
充填されることにより形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は街頭表示をするよう
な非常に大型の液晶表示素子に関する。さらに詳しく
は、薄膜トランジスタではなく単結晶半導体チップを用
い、スイッチング速度が速く、超高精細な表示をするこ
とができる液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は、薄型、軽量、低電圧動
作、低電力消費などの利点があり、携帯電話やパーソナ
ルコンピュータなどの種々の電子機器に便利に用いられ
ている。さらに、反射光をもオンオフすることができる
ため、外部光に対してもその視認性が優れ、たとえば駅
や空港などの行先表示、街頭での映像表示や案内板など
に液晶表示素子を用いることが試みられている。しか
し、最近試みられている駅や空港での行先表示などの表
示装置では、表示内容も限られており、見る距離も数ｍ
以内であるため、精々１０ｃｍ角程度のユニットを数個
から数十個程度並べられたもので、１画素の大きさが３
ｍｍ角程度以内と比較的小形である。そのため、スタテ
ィック駆動も可能である。

【０００３】一方、映像表示などを正確に行うフルドッ
ト方式のカラーの液晶表示素子では、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を用いたもの、またはスーパーツイストネマ
ティック（ＳＴＮ）液晶を用いたものが知られている。
ＴＦＴを用いたものは、画質はよいがコストが高く、Ｓ
ＴＮを用いたものは、画質は落ちるが比較的安価である
という性質を有している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、街頭や娯楽場な
どで、超大型画面で映像やテレビジョン放送などをフル
ドット方式のカラーで表示し、２０ｍ程度の距離から観
察できるような画面を液晶表示素子を用いて表示するこ
とが要望されている。このような超大型の液晶表示素子
では、非常に画面が大きくなり、配線をＩＴＯなどによ
り形成すると配線の電圧降下も大きくなる。さらに、遠
くから見る表示画面では、後述するように１画素があま
り小さすぎると、かえって視認性が落ちるため、１画素
を大きくする必要がある。そのため、表示画面を幾つか
のユニットで構成するとしても、ユニット自身が非常に
大きくなり、さらに大きなパネルで画素ごとに飛び飛び
でＴＦＴを形成することになり、ＴＦＴを形成するコス
トも高くなる（ＣＶＤ法などにより半導体層を成膜する
ため、大きなパネルの全面に成膜することになる）と共
に、歩留りも低下し、非常にコストアップになるという
問題がある。

【０００５】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
もので、非常に大型の表示画面を液晶表示素子で構成す
る場合に、フルカラーのドットマトリクス表示による優
れた表示をすることができ、しかも高歩留りで安価に製
造することができる液晶表示素子を提供することを目的
とする。

【０００６】本発明の他の目的は、スイッチング素子チ
ップを用いた場合でも、光の入射により誤動作をしない
ような信頼性の高い液晶表示素子を提供することにあ
る。

【０００７】本発明のさらに他の目的は、製造段階にお
いて、スイッチング素子チップや配線を破損しないよう
にし、また、チップと配線との接続などを安定化させ、
歩留りおよび信頼性の向上を図ることができる液晶表示
素子を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、街頭表示
用の超大型の表示画面を液晶表示素子で構成するため、
その画素の大きさや構成などについて、鋭意検討を重ね
た。まず、映像を表示するためには、ＸＧＡ規格（横×
縦が１０７８ドット×７６８ドット）またはＳＶＧＡ規
格（横×縦が８００ドット×６００ドット）のドット数
にする必要があり、たとえばＸＧＡ規格の表示画面を２
０ｍ程度の距離から見る場合、図５に示されるように、
画面を見る距離は、一般に画面の１辺の長さの２〜３倍
程度が好ましいといわれており、画面の大きさは、たと
えば１０.８ｍ×７.６８ｍ程度の大きさにすることが好
ましい。

【０００９】一方、表示画面の１文字当りの画角は１゜
近く以上あることが好ましいといわれている。そのた
め、たとえば２４ドット×２４ドットで１文字を表すと
すると、１画素当たりの画角（見る位置からの１画素の
端から端までの角度）は１゜／２４以上で、約０.０４
゜、すなわち２０ｍ離れた位置から見ると画素の一辺が
２０ｍ×（π・０.０４゜／３６０゜）＝０.７ｃｍ以上
となる。したがって、たとえば画素ピッチを１ｃｍ程度
とすることにより、視認性の優れた表示画面とすること
ができる。この場合、前述の大きな画面を１枚のパネル
で形成することは不可能であり、たとえば２４×２４ド
ットづつで１ユニットを構成することが考えられるが、
その場合でも１ユニットが２４ｃｍ×２４ｃｍの大きな
パネルとなる。このパネルを横に４５枚、縦に３２枚並
べることにより、前述の大きさの大画面を構成すること
ができる。

【００１０】この１ユニットが２４ｃｍ角というパネル
は、従来の精々１０ｃｍ角程度のパネルに比較しても非
常に大型であり、ＴＦＴを均一に製造することが困難で
あり、また、配線の抵抗も無視することができなくな
る。そのため、本発明者らは、さらに鋭意検討を重ねた
結果、単結晶半導体を用いたスイッチング素子の半導体
チップを別途作製し、基板のスイッチング素子を設ける
部分に凹部を形成しておき、半導体チップを凹部内にマ
ウントすることにより、簡単に半導体チップを各画素ご
とにマウントすることができると共に、画素に対してチ
ップの面積（たとえば２ｍｍ角程度で画素の１ｃｍ角に
対して４％程度）は非常に小さくなり、非常に高精細で
品質の一定した大型画面の液晶表示素子が安価に得られ
ることを見出した。

【００１１】本発明の液晶表示素子は、画素電極がマト
リクス状に形成された第１の透明基板と、該第１の透明
基板の前記画素電極の間に設けられる信号線および走査
線と、前記第１の透明基板の前記信号線および走査線の
交差部に設けられる凹部と、該凹部内に設けられ、前記
画素電極、信号線および走査線にそれぞれ接続して設け
られるスイッチング素子チップと、前記第１の透明基板
と対向して設けられ、対向電極が設けられる第２の透明
基板と、前記第１および第２の透明基板間に充填される
液晶材料とからなっている。

【００１２】この構造にすることにより、スイッチング
素子が単結晶半導体により別途製造されているため、非
常に高性能なスイッチング素子が非常に安価に得られ、
しかも画素の大きさに対して、無視できる程度の大きさ
であると共に、高さも透明基板の凹部内に埋め込まれる
ため支障を来すことがなく、高性能の液晶表示素子を安
価に得ることができる。しかも、凹部内にチップをマウ
ントする構造になっているため、組立時も振動などによ
りチップを凹部内に挿入することにより、簡単に組み立
てることができる。この場合、チップにバンプを形成し
ておき、さらにバンプ電極が点対称になるように形成し
ておくことによりチップを裏向きにさえすれば、その向
きに拘らず簡単にマウントすることができる。

【００１３】前記スイッチング素子チップの電極にバン
プが形成され、該バンプにより前記画素電極、信号線お
よび走査線と電気的に接続されると共に、該チップの前
記バンプが設けられる側の面に遮光膜が設けられている
ことにより、チップを凹部内に入れて熱圧着するだけで
容易に接続することができ、非常に安価に製造すること
ができる。しかも、遮光膜が設けられていることによ
り、透明基板の裏面側から光が入射しても、スイッチン
グ素子チップ内に光が入ることがなく、光による誤動作
の心配もなくなる。なお、バンプの部分は後述する配線
の金属膜により光を遮断することができ、表面側からの
光は第２の透明基板に設けられるブラックマスクなどに
より遮光され得る。

【００１４】前記信号線および走査線が、前記第１の透
明基板に設けられる凹溝内に形成されることにより、チ
ップの接続部と信号線や走査線などの配線とを段差なく
形成することができ、信頼性が向上する。

【００１５】前記信号線および走査線が金属配線により
形成されることにより、遮光膜の機能を果たすため、チ
ップの誤動作を防止することができて好ましい。

【００１６】前記スイッチング素子が前記第１および第
２の透明基板の間隙の寸法だけ前記第１の透明基板上に
前記凹部から突出するように形成されることにより、ス
ペーサの役割をし、大きなパネルになっても、確実に透
明基板間のギャップを一定に保つことができるため好ま
しい。

【００１７】前記凹部および凹溝内が配向膜を形成する
材料により充填されることにより、ラビング処理などに
おいても、チップや配線が保護されるため好ましい。

【００１８】

【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の液晶表示素子について説明をする。

【００１９】本発明の液晶表示素子は、その一実施形態
の一方の透明基板の製造段階での斜視説明図およびその
透明基板を用いた液晶表示素子の一部の断面説明図が図
１に示されるように、第１の透明基板１１に画素電極１
２がマトリクス状に形成され、その画素電極１２の間に
信号線１３および走査線１４が縦横に形成されている
（図１（ａ）では、信号線１３および走査線１４が複雑
さを避けるため、一部にしか記載されていないが、各画
素間に平行に設けられている）。そして、第１の透明基
板１１の画素電極１２の各々の近傍、すなわち信号線１
３と走査線１４との交差部に凹部１５が設けられ、その
凹部１５内にスイッチング素子チップ１６が画素電極１
２、信号線１３および走査線１４にそれぞれ接続される
ように設けられている。そして、第２の透明基板２１に
対向電極２２が設けられ、第２の透明基板２１が第１の
透明基板１１と対向して一定間隔を設けて貼着され、そ
の間に液晶材料３が充填されることにより形成されてい
る。

【００２０】スイッチング素子チップ１６は、たとえば
ＭＯＳＦＥＴ、トランジスタ、ダイオードなどの単結晶
半導体からなる通常の半導体チップで、図２（ａ）にチ
ップの一例の平面図が示されるように、ウェハからチッ
プ化したベアチップのゲートＧ、ドレインＤ、ソースＳ
に、たとえば金（Ａｕ）またはハンダなどからなるバン
プ電極１６Ｇ、１６Ｄ、１６Ｓがそれぞれ設けられてい
る。そして、凹部１５内の配線（信号線１３および走査
線１４）が、たとえば図２（ｂ）に示されるように、レ
ーザトリミングなどによりパターニングされており、そ
の凹部１５内に、前述のチップ１６を裏向き（フェース
ダウン）にして挿入すると、凹部１５によりガイドされ
て、そのバンプ電極１６Ｇ、１６Ｄ、１６Ｓが走査線１
４、画素電極１２および信号線１３のそれぞれＧ、Ｄ、
Ｓで示される部分に一致し、そのまま温度を上げて上か
ら圧力をかけることにより、接着してそれぞれの電極が
接続される。この電極の接続は、バンプ電極が直接溶融
して接着するものでなくても、たとえば異方導電性ペー
スト（ＡＣＰ）を凹部１５内に塗布しておいて、チップ
１６を上から押しつけて硬化させることにより接着して
もバンプ電極と配線との間のみが電気的に接続される。

【００２１】このスイッチング素子チップ１６は、図１
では凹部１５内に埋まる構造に図示されているが、その
裏面が凹部１５より基板１１面上に露出するように形成
されていることにより、半導体チップ１６を押しつけて
圧着することができるため好ましい。さらに好ましく
は、２枚の透明基板１１、２１の間隙分の高さが表面上
に突出するように半導体チップ１６の高さと凹部１５の
深さが合せて作られることにより、スペーサが均一にな
っていなくても、各画素部分で確実に両透明基板１１、
２１のギャップを正確に保持することができる。

【００２２】スイッチング素子チップ１６は、さらに図
２（ｃ）に側面図が示されるように、その表面の絶縁膜
１６ａ上に、酸化アルミニウムまたは酸化クロムなどか
らなる遮光膜１６ｂが設けられていることにより、素子
チップ内にチップ１６の表面側からの光の入射を防止
し、半導体の動作が損なわれないようにされている。ま
た、表面のバンプ電極１６Ｇ、１６Ｄ、１６Ｓは、図２
（ａ）に示されるように、その中心点に対して対象にな
るように形成されることにより、チップ１６の向きに拘
らず、常に接続されるため好ましい。この場合、図２
（ａ）に示されるように、ゲートのバンプ電極１６Ｇ同
士が内部で電気的に接続されていることにより、図２
（ｂ）に示されるように、信号線１３と走査線１４の交
差部で、走査線１４を切断しても、チップ１６を介して
接続され、信号線１３と走査線１４とを立体交差させな
いで同一面に配線して、トリミング加工とチップ１６の
ボンディングのみで交差する配線を形成することができ
る。

【００２３】さらに、チップ１６の形状としては、通常
の半導体ウェハからチップ化したものが示されている
が、たとえば基板の裏面（バンプ電極が設けられる面と
反対面）に球状の突起部を設けておけば、透明基板１１
の凹部１５内に振動などによりスイッチング素子チップ
１６を挿入する場合に、振動などにより裏向きになりや
すいため能率が向上する。また、チップ１６の裏面から
バンプ電極の先端までの寸法を、透明基板１１に設けら
れる凹部１５の深さおよび透明基板間のギャップを考慮
して、丁度透明基板間のギャップが得られる高さだけ、
透明基板１１の表面から突出するように形成されれば、
スペーサの散布状態に拘らず、常に透明基板間のギャッ
プを一定にすることができるため好ましい。

【００２４】第１の透明基板１１、２１は、たとえば
０.７〜１.１ｍｍ程度の厚さのガラス板が用いられる。
しかし、ガラス基板でなくても、透明樹脂板などを使用
することもできる。第１の透明基板１１には、図１には
図示されていないＳｉＯ₂などの保護膜を介して、画素
電極１２がＩＴＯなどの透明導電膜を設けてパターニン
グすることにより形成されている。図示しない保護膜
は、ガラスからのイオンの染み出しを防止している。ま
た、各画素電極１２の間の縦横に凹溝１７が形成され、
その交差部に凹部１５が形成されている。この凹部１５
および凹溝１７の形成は、たとえばレジスト膜などによ
りマスクをして、サンドブラストまたはフッ酸によるエ
ッチングにより形成することができる。

【００２５】そして、凹溝１７内にＡｌ配線などがリフ
トオフ法により設けられることにより、図１（ａ）に示
されるように、信号線１３および走査線１４が形成され
ている。なお、この信号線１３と走査線１４は同時に形
成され、交差部は、たとえば図２（ｂ）に示されるよう
に、後からレーザによるトリミング加工でパターニング
されて分離され、分離された走査線１４は、前述のよう
にスイッチング素子１６の凹部１５内へのマウントによ
り接続される。そして、この画素電極１２の表面および
凹部１５や凹溝１７内にポリイミドを塗布して図示しな
い配向膜が設けられ、ラビング処理が施されている。

【００２６】第２の透明基板２１には、図１（ｂ）に示
されるように、Ｒ、Ｇ、Ｂからなるカラーフィルタ２３
Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂおよびブラックマスク２４が設けら
れている。そして、その上にアクリル系の透明樹脂から
なるオーバーコート層２５を介して、対向電極２２が前
述の画素電極１２と同様にＩＴＯなどの透明導電膜を蒸
着などにより形成することにより設けられている。この
対向電極２２の表面には、図示されていないが、前述の
第１の透明基板１１と同様に、ポリイミドなどからなる
配向膜が設けられている。

【００２７】この２枚の透明基板１１、２１が、その周
囲で図示しないシール剤により封着され、その内部に液
晶材料３が充填されている。そして、両透明基板１１、
２１の外側に、図示しない偏光板がそれぞれ設けられる
ことにより、液晶表示素子が形成されている。すなわ
ち、この液晶表示素子は、１画素が１ｃｍ角程度と大き
く、パネルもたとえば２４ｃｍ角程度のものが何十枚も
並べられてフルドットカラーのマトリクス表示をし得る
液晶表示素子であること、およびスイッチング素子１６
が半導体チップからなり透明基板の凹部内に埋め込まれ
ていることを除けば、構成としては通常の小形の液晶表
示素子と同様の構成になっている。

【００２８】つぎに、前述の第１の透明基板の製造方法
の一例について、図３〜４を参照しながら詳細に説明を
する。

【００２９】まず、図３（ａ）に示されるように、たと
えば厚さが０.７ｍｍまたは１.１ｍｍ程度で、大きさが
３０ｃｍ×３０ｃｍ程度のガラス基板１１の表面に、た
とえばスパッタリング法により、２００ｎｍ程度の厚さ
にＳｉＯ₂膜１８を成膜し、さらに引き続きＩＴＯ膜１
２ａを０.１〜１μｍ程度の厚さに成膜する。

【００３０】つぎに、図３（ｂ）に示されるように、Ｉ
ＴＯ膜１２ａをパターニングして、画素電極１２をマト
リクス状に形成する。このパターニングは、通常のレジ
スト膜を設けて露光、現像、エッチングによるフォトリ
ソグラフィ工程により行われる。

【００３１】その後、図３（ｃ）に示されるように、全
面にドライフィルムレジストを貼り付けて、フォトリソ
グラフィ工程（露光、現像）により凹溝１７および凹部
１５を形成する部分だけレジストフィルムを開口したマ
スク４１を形成する。そして、サンドブラストまたはフ
ッ酸処理によるエッチングにより、凹溝１７および凹部
（図示されていない）を形成する。

【００３２】その後、図３（ｄ）に示されるように、レ
ジストフィルム４１を残したままＡｌ膜４２をスパッタ
リングまたは真空蒸着により成膜する。その結果、レジ
ストフィルム４１上にＡｌ膜４２が、また、凹溝１７内
に信号線１３および走査線（図示せず）が４００ｎｍ程
度の厚さに形成される。

【００３３】その後、ドライフィルムレジスト４１を、
たとえばアルカリ溶液により除去すると、その上に成膜
されたＡｌ膜４２も一緒に除去され、図３（ｅ）に示さ
れるように、凹溝１７内のみに信号線１３および走査線
が形成される。この際リン酸により信号線１３および走
査線のＡｌを少しエッチングすることにより、配線が細
くなり、表面が滑らかになるため好ましい。

【００３４】つぎに、信号線１３と走査線１４の交差部
（凹部１５内のＡｌ配線）を分離するため、図４（ｆ）
に示されるように、レーザ加工により不要部分を焼き切
るトリミング加工を施す。この際、半導体チップ１６が
上下逆向きに挿入されてもボンディングできるように中
心点に関して対称になるようにパターニングされること
が好ましい。

【００３５】その後、画素の対角線方向の断面説明図が
図４（ｇ）に示されるように、凹部１５内にチップ１６
を挿入する。そして、熱圧着することにより、チップ１
６を信号線、走査線および画素電極と接続する。凹部１
５内に異方導電性ペーストを塗布しておいて、圧力をか
けながら加熱硬化させてもよい。

【００３６】その後、図４（ｈ）に示されるように、表
面にポリイミドを塗布して配向膜１９を形成する。この
際、凹部１７および凹溝１７内にもポリイミドが充填さ
れるようにすることにより、Ａｌ配線１３、１４やスイ
ッチング素子チップ１６がポリイミドにより被覆される
ため、ラビング処理などによっても、破損することがな
く好ましい。

【００３７】以上により、第１の透明基板１１の製造が
完了し、第２の透明基板２１のカラーフィルタ、対向電
極、配向膜の形成およびラビング処理などは、通常の液
晶表示素子と同様の方法により行い、一方の基板にシー
ル剤を塗布し、さらにスペーサを散布して一定間隙を保
持できるように２枚の透明基板を貼着し、その間隙部に
液晶材料を充填することも通常の液晶表示素子の製法と
同様に行うことにより、本発明の液晶表示素子を製造す
ることができる。

【００３８】本発明によれば、透明基板に凹部を設け、
その凹部内にスイッチング素子チップを挿入してマウン
トするだけで、アクティブ型の大型の液晶表示素子が得
られる。その結果、スイッチング素子チップは半導体装
置の製造プロセスにより非常に安価に、しかも薄膜トラ
ンジスタよりスイッチング速度が速く高性能なものを製
造することができ、大きなパネルの一部に直接薄膜トラ
ンジスタを製造するより非常に効率的で、品質が向上す
る。一方、製造工程は、凹部内に半導体チップを挿入す
ることにより組み立てることができ、とくにスイッチン
グ素子チップのバンプ電極を点対称に形成しておくこと
により組立工程が非常に簡単になり、また、凹部もマス
クを施してサンドブラストまたはエッチングにより簡単
に形成することができ、工数的にも非常に安価に製造す
ることができる。

【００３９】さらに、スイッチング素子チップの表面に
遮光膜が設けられることにより、透明基板側からの光を
殆ど遮光することができ、また、裏面側（液晶層側）か
らの光は第２の透明基板に設けられるブラックマスクに
より遮光され、スイッチング素子チップに入射する光を
殆ど遮断することができる。その結果、スイッチング素
子チップが光により誤動作することはなく、信頼性が非
常に向上する。なお、スイッチング素子チップのバンプ
電極部には遮光膜が設けられないが、バンプ電極自身で
ある程度遮光できると共に、前述のように信号線や走査
線などの配線に金属膜が用いられることにより、その配
線により遮光することができ、完全に遮光することがで
きる。

【００４０】また、半導体チップによりスイッチング素
子を形成すると、従来のＴＦＴよりスイッチング素子が
大きくなるが、前述のように画素の大きさが１０ｍｍ角
程度と大きな画素の液晶表示素子においては、チップの
大きさが２ｍｍ角程度になっても、その面積は画素全体
に対して、４％程度と非常に僅かであり、視認性を低下
させることにはならない。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、非常に大型の表示画面
をフルドットカラー表示の液晶表示素子で構成すること
ができ、街頭での映像表示などに、外光に強く視認性に
優れ、消費電力の小さい液晶表示素子を用いることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示素子の一実施形態の一部の断
面説明図（ｂ）およびその第１の透明基板の製造工程に
おける斜視説明図（ａ）である。

【図２】図１の液晶表示素子に用いるスイッチング素子
の構造の説明図である。

【図３】図１の第１の透明基板の製造工程の説明図であ
る。

【図４】図１の第１の透明基板の製造工程の説明図であ
る。

【図５】大きなパネルを２０ｍ程度の距離から観賞する
ときの１画素当りの大きさを検討するための説明図であ
る。

【符号の説明】

３液晶材料１１第１の透明基板１２画素電極１３信号線１４走査線１５凹部１６スイッチング素子チップ１７凹溝２１第２の透明基板２２対向電極

フロントページの続き (72)発明者渡辺俊夫京都市右京区西院溝崎町21番地ローム株式会社内Ｆターム(参考） 2H089 HA33 HA40 JA11 KA15 NA24 NA58 QA12 QA16 TA02 TA04 TA07 TA09 TA13 2H092 GA48 GA60 JA23 JB13 JB23 JB25 JB32 JB34 JB51 MA13 MA17 MA32 MA35 MA37 NA24 NA25 NA27 NA29 PA02 PA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画素電極がマトリクス状に形成された第
１の透明基板と、該第１の透明基板の前記画素電極の間
に設けられる信号線および走査線と、前記第１の透明基
板の前記信号線および走査線の交差部に設けられる凹部
と、該凹部内に設けられ、前記画素電極、信号線および
走査線にそれぞれ電気的に接続して設けられるスイッチ
ング素子チップと、前記第１の透明基板と対向して設け
られ、対向電極が設けられる第２の透明基板と、前記第
１および第２の透明基板間に充填される液晶材料とから
なる液晶表示素子。
【請求項２】前記スイッチング素子チップの電極にバ
ンプが形成され、該バンプを介して前記画素電極、信号
線および走査線と電気的に接続されると共に、該チップ
の前記バンプが設けられる側の面に遮光膜が設けられて
なる請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】前記信号線および走査線が、前記第１の
透明基板に設けられる凹溝内に形成されてなる請求項１
または２記載の液晶表示素子。
【請求項４】前記信号線および走査線が金属配線によ
り形成されてなる請求項３記載の液晶表示素子。
【請求項５】前記スイッチング素子が前記第１および
第２の透明基板の間隙の寸法だけ前記第１の透明基板上
に前記凹部から突出するように形成されてなる請求項
１、２、３または４記載の液晶表示素子。
【請求項６】前記凹部および凹溝内が配向膜を形成す
る材料により充填されてなる請求項１、２、３、４また
は５記載の液晶表示素子。