JP2000331904A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置およびデバイス製造方法

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JP2000331904A
JP2000331904A JP11135309A JP13530999A JP2000331904A JP 2000331904 A JP2000331904 A JP 2000331904A JP 11135309 A JP11135309 A JP 11135309A JP 13530999 A JP13530999 A JP 13530999A JP 2000331904 A JP2000331904 A JP 2000331904A
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stage
measurement
axis
exposure apparatus
wafer
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Toshihiro Yamazaki
俊洋 山崎
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステージの位置計測手段の計測値に対してよ
り厳密に補正を行なうことができるようにする。 【解決手段】 移動可能なステージ2,4と、該ステー
ジの位置を計測する複数の位置計測器5,7;6,8
と、該複数の位置計測器の計測結果に影響を与える変動
要因を測定する複数の変動要因測定器と、該変動要因測
定器の測定結果に基づいて前記位置計測器の計測結果を
補正する計測補正手段11とを備え、該複数の変動要因
測定器は、該変動要因を該複数の位置計測器の各位置計
測器について別個に測定するものであり、該計測補正手
段は該複数の変動要因測定器の別個の測定結果に基づい
て、該位置計測器のそれぞれの計測結果を別個に補正す
るものであることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置およびこ
れを用いることができるデバイス製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来のスキャン露光装置におけ
るレーザ干渉計の波長補正方法を示すブロック図であ
る。同図に示すように、この露光装置は、レチクル10
1を載せたレチクルステージ102と、ウエハ103を
載せたウエハステージ104と、レチクルステージ10
2のX方向測長用のレチクルX軸レーザ干渉計105
と、レチクルステージ102のY方向計測用のレチクル
Y軸レーザ干渉計106と、ウエハステージ104のX
方向測長用のウエハX軸レーザ干渉計107と、ウエハ
ステージ104のY方向測長用のウエハY軸レーザ干渉
計108と、レチクルステージ102の近傍にあるレチ
クルX軸レーザ干渉計105およびレチクルY軸レーザ
干渉計106の計測値補正用のレチクルステージ干渉計
用波長補正器109と、ウエハステージ104の近傍に
あるウエハX軸レーザ干渉計107およびウエハY軸レ
ーザ干渉計108の計測値補正用のウエハステージ干渉
計波長補正器110と、ステージ位置計測器111と、
ステージ制御器112と、各ステージのリニアモータヘ
所望の電流を供給する電流アンプ113と、上位CPU
114とを備えている。
【0003】ステージ位置計測器111は、レチクルX
軸レーザ干渉計105、レチクルY軸レーザ干渉計10
6、ウエハX軸レーザ干渉計107およびウエハY軸レ
ーザ干渉計108を用いて、レチクルステージ102お
よびウエハステージ104の位置情報を入力する。ま
た、ステージ位置計測器111は、レチクルステージ干
渉計用波長補正器(レチクルステージ用波長トラッカ)
109およびウエハステージ干渉計用波長補正器(ウエ
ハステージ用波長トラッカ)110を用いて、レチクル
ステージ位置情報に対する波長補正情報とウエハステー
ジ位置情報に対する波長補正情報も入力する。また、ス
テージ位置計測器111は、各ステージ位置情報と各ス
テージ波長補正情報を用いて補正した位置情報を計算
し、ステージ制御器112へ各ステージの補正位置情報
を出力する。
【0004】ステージ制御器112は、ステージ位置計
測器111から入力した各ステージの補正位置情報と上
位CPU114から入力した各ステージ駆動指令情報等
に基づき、各ステージの各アクチュエータの電流指令値
を計算し、各ステージの各アクチュエータ駆動用の電流
アンプ113へ電流指令情報を出力する。電流アンプ1
13は、ステージ制御器112からこの電流指令情報を
入力し、各ステージのリニアモータヘ電流を供給し、各
ステージを駆動する。このような構成において、レーザ
干渉計は、基本スケール長としてレーザ光の波長を利用
している。しかし、空気中ではレーザ光の波長は空気温
度、気圧および相対湿度の関数である空気の屈折率に影
響される。He−Neレーザの場合、空気温度の1℃の
変化、気圧の2.5mmHgの変化、または相対湿度の
80パーセントの変化のいずれか1つが生じれば、レー
ザ光の波長は1ppm変化し、1ppmの計測誤差が生
じる。したがって、環境変化によるレーザ光の波長変化
を補正することは、レーザ干渉計の確度および再現性の
向上となり、ステージ駆動制御性能の向上につながる。
【0005】一般に、補正方法としては、レーザが通過
する部分の空気の温度、気圧および湿度を測定し、空気
の屈折率を計算する補正方法と、レーザ基準軸を追加
し、空気の屈折率の変化を直接測定して補正する方法と
があり、いずれの方法によっても、環境の変化による干
渉計の測定値の変動を補正することができる。
【0006】近年、半導体露光装置において要求される
ステージ性能は、さらに高精度になり、それに伴い、ス
テージ位置計測の高精度化が要求されてきている。ステ
ージ周辺の環境変化に対して、レーザ干渉計の計測値を
より厳密に補正する必要が生じてきている。厳密には、
ステージのリニアモータの上部とそうでない部分では温
度が異なる。また、ステージ周辺では、温調ダクトから
の温調エア吹き出し口近くとそうでない部分では気圧が
異なる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、レチクルステージ干渉計用波長補正器(レチ
クルステージ用波長トラッカ)109やウエハステージ
干渉計用波長補正器(ウエハステージ用波長トラッカ)
110の外形寸法が大きいため、これら波長補正器の配
置場所が限定され、レチクルステージ周辺に1個とウエ
ハステージ周辺に1個配置しているのが現状である。し
たがって、厳密には各レーザ干渉計の各レーザ光の通過
部分での環境をそれぞれ検出し、補正計測しているわけ
ではないので、現状では、厳密に波長補正が行なわれて
いないという問題がある。
【0008】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、各レーザ干渉計の計測値に対してそれぞれ
より厳密に波長補正を行なうことができるようにして、
より性能の高い露光装置および精度の高いデバイス製造
が可能なデバイス製造方法を提供することにある。ま
た、さらに厳密に波長補正を行なうことができるよう
に、できるだけステージ周辺の環境変化やステージのリ
ニアモータ周辺の温度勾配を抑えることができるように
することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の露光装置は、移動可能なステージと、該ステー
ジの位置を計測する複数の位置計測器と、該複数の位置
計測器の計測結果に影響を与える変動要因を測定する複
数の変動要因測定器と、該変動要因測定器の測定結果に
基づいて前記位置計測器の計測結果を補正する計測補正
手段とを備え、該複数の変動要因測定器は、該変動要因
を該複数の位置計測器の各位置計測器について別個に測
定するものであり、該計測補正手段は該複数の変動要因
測定器の別個の測定結果に基づいて、該位置計測器のそ
れぞれの計測結果を別個に補正するものであることを特
徴とする。
【0010】また、本発明のデバイス製造方法は、この
ような露光装置を用意する工程と、該露光装置を用い
て、原板に形成されたパターンを基板に露光する工程と
を有することを特徴とする。
【0011】これら本発明の構成において、変動要因測
定器は、変動要因を複数の位置計測器について別個に測
定するため、各位置計測器に対して共通の変動要因の測
定結果が適用されていた従来技術に比べ、各位置計測器
についてより適合した変動要因の測定が行なわれる。し
たがって、これらのより適合した変動要因の測定結果に
よりそれぞれ補正された各位置計測器の計測結果はより
厳密な補正がなされたより精確な計測結果となる。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、位置計測器は前記位置または角度を計測するため
のレーザ干渉計を有し、変動要因測定器は変動要因とし
て第1および第2の位置計測器それぞれの近傍における
気圧と温度を検出する第1および第2の検出手段、ある
いは変動要因として第1および第2の位置計測器それぞ
れの近傍における温度、気圧および湿度を計測する第1
および第2のエアセンサを有する。この場合、第1およ
び第2の方向について計測する各レーザ干渉計のレーザ
光の通過部分の環境が、それぞれ気圧または温度の検出
手段あるいはエアセンサにより検出され、計測値補正手
段により各レーザ干渉計の計測値の厳密な波長補正が行
なわれる。また、変動要因測定器の測定結果に基づいて
冷却量を調節しながらステージのアクチュエータを冷却
する冷却手段を有する。冷却手段は、冷却水によりその
流量または温度あるいはその両方を調整しながら冷却を
行なう。その際、冷却手段は、ステージを駆動する複数
のアクチュエータについて、変動要因測定器が第1およ
び第2の位置計測手段について別個に測定した変動要因
の測定結果に基づき、それぞれ別個に冷却量を調整しな
がら冷却する。これにより、ステージ周辺の環境変化や
リニアモータ周辺の温度勾配が抑えられる。したがっ
て、各レーザ干渉計の計測値に対する波長補正がより正
確になされることになる。
【0013】
【実施例】(第1の実施例)図1は本発明の第1の実施
例に係るスキャン露光装置におけるレーザ干渉計の波長
補正に係る構成を示すブロック図であり、本発明の特徴
を最もよく表している。同図に示すように、この露光装
置は、レチクル1を載せたレチクルステージ2と、ウエ
ハ3を載せたウエハステージ4と、レチクルステージ2
のX方向測長用のレチクルX軸レーザ干渉計5と、レチ
クルステージ2のY方向計測用のレチクルY軸レーザ干
渉計6と、ウエハステージ4のX方向測長用のウエハX
軸レーザ干渉計7と、ウエハステージ4のY方向測長用
のウエハY軸レーザ干渉計8と、ステージ位置計測器1
1と、ステージ制御器12と、各ステージのリニアモー
タヘ所望の電流を供給する電流アンプ13と、上位CP
U14とを備えている。15はレチクルX軸レーザ干渉
計5のレーザビーム光路近傍に配置したレチクルX軸温
度検出器、16はレチクルX軸レーザ干渉計5のレーザ
ビーム光路近傍に配置したレチクルX軸気圧検出器、1
7はレチクルY軸レーザ干渉計6のレーザビーム光路近
傍に配置したレチクルY軸温度検出器、18はレチクル
Y軸レーザ干渉計6のレーザビーム光路近傍に配置した
レチクルY軸気圧検出器、19はウエハX軸レーザ干渉
計7のレーザビーム光路近傍に配置したウエハX軸温度
検出器、20はウエハX軸レーザ干渉計7のレーザビー
ム光路近傍に配置したウエハX軸気圧検出器、21はウ
エハY軸レーザ干渉計8のレーザビーム光路近傍に配置
したウエハY軸温度検出器、22はウエハY軸レーザ干
渉計8のレーザビーム光路近傍に配置したウエハY軸気
圧検出器である。上記構成において、ステージ位置測長
器11は、レチクルX軸レーザ干渉計5とレチクルX軸
温度検出器15とレチクルX軸気圧検出器16の計測値
よりレチクルX軸補正計測値を計算し、レチクルY軸レ
ーザ干渉計6とレチクルY軸温度検出器17とレチクル
Y軸気圧検出器18の計測値よりレチクルY軸補正計測
値を計算し、ウエハX軸レーザ干渉計7とウエハX軸温
度検出器19とウエハX軸気圧検出器20の計測値より
ウエハX軸補正計測値を計算し、ウエハY軸レーザ干渉
計8とウエハY軸温度検出器21とウエハY軸気圧検出
器22の計測値よりウエハY軸補正計測値を計算する。
すなわち、レチクルX軸補正計測値はレチクルX軸レー
ザ干渉計5の光路周辺の温度と気圧に基づいて波長補正
を行なった計測値であり、レチクルY軸補正計測値はレ
チクルY軸レーザ干渉計6の光路周辺の温度と気圧に基
づいて波長補正を行なった計測値であり、ウエハX軸補
正計測値はウエハX軸レーザ干渉計7の光路周辺の温度
と気圧に基づいて波長補正を行なった計測値であり、ウ
エハY軸補正計測値はウエハY軸レーザ干渉計8の光路
周辺の温度と気圧に基づいて波長補正を行なった計測値
である。ステージ制御器12は、ステージ位置計測器1
1から入力した各ステージの各補正計測値と、上位CP
U14から入力した各ステージ駆動指令値と、制御定数
等とに基づき、各ステージの各アクチュエータの電流指
令値を計算し、各ステージの各アクチュエータの駆動用
電流アンプ13へ電流指令情報を出力する。電流アンプ
13は、ステージ制御器12から電流指令情報を入力
し、各ステージのリニアモータヘ電流を流し、各ステー
ジを駆動する。これにより、各レーザ光の通過部分の環
境変化に対し、より厳密にレーザ干渉計の波長補正が行
なえるようになる。特に、温調ダクトからの温調エア吹
き出し近くと、そうでない部分とでは、厳密には気圧が
異なるが、これに対してもより厳密に波長補正が行なえ
るようになる。これにより、各レーザ干渉計の計測値は
より厳密に波長補正が行なえるようになり、装置性能の
向上につながる。
【0014】なお、本実施形態では、各ステージのX軸
方向およびY軸方向の位置計測を行なう干渉計の光路周
辺の温度と気圧を計測しているが、これに限らず、各ス
テージのθ方向やZ軸方向およびTilt方向の位置・
回転計測を行なう干渉計の光路周辺の温度と気圧を計測
し、各干渉計の計測値をそれぞれ補正するようにしても
よい。
【0015】(第2の実施例)図2は本発明の第2の実
施例に係るスキャン露光装置におけるレーザ干渉計の波
長補正に係る構成を示すブロック図である。この露光装
置では、第1の実施例における温度検出器15、17、
19、21と気圧検出器16、18、20、22を温
度、気圧および湿度を計測するエアセンサに置き換えて
いる。同図において、1〜14は、前述の実施形態にお
ける同一符号を付した要素と同様のものである。23は
レチクルX軸レーザ干渉計5のレーザビーム光路近傍に
配置したレチクルX軸エアセンサ、24はレチクルY軸
レーザ干渉計6のレーザビーム光路近傍に配置したレチ
クルY軸エアセンサ、25はウエハX軸レーザ干渉計7
のレーザビーム光路近傍に配置したウエハX軸エアセン
サ、26はウエハY軸レーザ干渉計8のレーザビーム光
路近傍に配置したウエハY軸エアセンサである。上記構
成において、ステージ位置測長器11は、レチクルX軸
レーザ干渉計5とレチクルX軸エアセンサ23の計測値
よりレチクルX軸補正計測値を計算し、レチクルY軸レ
ーザ干渉計6とレチクルY軸エアセンサ24の計測値よ
りレチクルY軸補正計測値を計算し、ウエハX軸レーザ
干渉計7とウエハX軸エアセンサ25の計測値よりウエ
ハX軸補正計測値を計算し、ウエハY軸レーザ干渉計8
とウエハY軸エアセンサ26の計測値よりウエハY軸補
正計測値を計算する。すなわち、レチクルX軸補正計測
値はレチクルX軸レーザ干渉計5の光路周辺の温度、気
圧および湿度に基づいて波長補正を行なった計測値であ
り、レチクルY軸補正計測値はレチクルY軸レーザ干渉
計6の光路周辺の温度、気圧および湿度に基づいて波長
補正を行なった計測値であり、ウエハX軸補正計測値は
ウエハX軸レーザ干渉計7の光路周辺の温度、気圧およ
び湿度に基づいて波長補正を行なった計測値であり、ウ
エハY軸補正計測値はウエハY軸レーザ干渉計8の光路
周辺の温度、気圧および湿度に基づいて波長補正を行な
った計測値である。ステージ制御器12は、ステージ位
置計測器11から入力した各ステージの上記の各補正計
測値と、上位CPU14から入力した各ステージ駆動指
令値と、制御定数等とに基づき、各ステージの各アクチ
ュエータの電流指令値を計算し、各ステージの各アクチ
ュエータの駆動用電流アンプ13へ電流指令情報を出力
する。電流アンプ13は、ステージ制御器12から電流
指令情報を入力し、各ステージのリニアモータヘ電流を
流し、各ステージを駆動する。これによる効果は、第1
の実施例と同じである。
【0016】なお、本実施形態では、各ステージのX軸
方向およびY軸方向の位置計測を行なう干渉計の光路周
辺の温度と気圧を計測しているが、これに限らず、各ス
テージのθ方向やZ軸方向およびTilt方向の位置・
回転計測を行なう干渉計の光路周辺の温度と気圧を計測
し、各干渉計の計測値をそれぞれ補正するようにしても
よい。
【0017】(第3の実施例)図3は本発明の第3の実
施例に係るウエハステージ周辺のブロック図である。同
図において、3、4、7、8、11〜14、19〜22
は、図1の第1実施例における同一の符号を付した要素
と同様のものである。27はウエハX軸温度検出器19
とウエハY軸温度検出器21からのX軸レーザ干渉計7
のビーム周辺の温度情報とY軸レーザ干渉計8のビーム
周辺の温度情報を入力し、ウエハステージ4のX軸、Y
軸右およびY軸左の各リニアモータのそれぞれに流す冷
却水流量または冷却水温度を計算するステージアクチュ
エータ個別冷却水調節手段であり、28はステージアク
チュエータ個別冷却水調節手段27からステージ冷却水
流量(冷却水温度)情報32を入力し、ステージY軸右
リニアモータ冷却水29、ステージY軸左リニアモータ
冷却水30およびステージX軸リニアモータ冷却水31
のそれぞれの冷却水流量(冷却水温度)を変化させるス
テージアクチュエータ個別冷却手段である。上記構成に
おいて、検出器19または21が温度上昇を検出した場
合は、温度上昇を検出した検出器に近いリニアモータを
流れる冷却水の流量を多くし、または冷却水温度を下
げ、その近傍のステージ周辺の温度上昇を抑えるように
ステージアクチュエータ個別冷却水調節手段27が働
く。これにより、ステージ周辺の環境変化に対して、各
レーザ干渉計の計測値をより正確に波長補正できるばか
りでなく、できるだけステージ周辺の環境変化やステー
ジのリニアモータ周辺の温度勾配を抑えることができる
ようになり、より装置の性能アップにつながる。
【0018】なお、X軸レーザ干渉計7のビーム周辺温
度とY軸レーザ干渉計8のビーム周辺温度情報を得るた
めに、温度検出器19、21の代わりにエアセンサを使
ってもよい。
【0019】<デバイス製造方法の実施例>次に上記説
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図5は微小デバイス(ICやLSI等の半導
体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回
路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステッ
プ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)では
シリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術に
よってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ
5(組立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、
パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ス
テップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て、半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷(ステップ7)される。
【0020】図6は上記ウエハプロセス(ステップ4)
の詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形
成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。
ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、
ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0021】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、変
動要因を複数の位置計測器について別個に測定し、これ
ら別個の測定結果に基づき、複数の位置計測器の計測結
果をそれぞれ別個に補正するようにしたため、各位置計
測器についてのより適合した変動要因の測定結果により
各位置計測器の計測値をより厳密に補正することができ
る。位置計測器がレーザ干渉計であり、変動要因計測器
が気圧および温度の検出手段あるいはエアセンサである
場合は、これらの検出手段により検出される各レーザ干
渉計についてのレーザ光の通過部分の気圧、温度等に基
づいて、各レーザ干渉計の計測値の波長補正を厳密に行
なうことができる。したがって、装置の性能およびデバ
イス製造の精度を向上させることができる。
【0023】また、変動要因測定器の測定結果に基づい
て冷却量を調節しながらステージのアクチュエータを冷
却し、さらにはステージを駆動する複数のアクチュエー
タについて、変動要因測定器が複数の位置計測器につい
て別個に測定した変動要因の測定結果に基づき、それぞ
れ別個に冷却量を調整しながら冷却するようにしたた
め、ステージ周辺の環境変化やリニアモータ周辺の温度
勾配を抑え、各レーザ干渉計の計測値に対する波長補正
をより精確に行なうことができる。したがって、装置の
性能およびデバイス製造の精度をさらに向上させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例に係るスキャン露光装
置におけるレーザ干渉計の波長補正に係る構成を示すブ
ロック図である。
【図2】 本発明の第2の実施例に係るスキャン露光装
置におけるレーザ干渉計の波長補正に係る構成を示すブ
ロック図である。
【図3】 本発明の第3の実施例に係るウエハステージ
周辺の構成を示すブロック図である。
【図4】 従来のスキャン露光装置におけるレーザ干渉
計の波長補正方法を示すブロック図である。
【図5】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製造
方法を示すフローチャートである。
【図6】 図5中のウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。
【符号の説明】
1:レチクル、2:レチクルステージ、3:ウエハ、
4:ウエハステージ、5:レチクルX軸レーザ干渉計、
6:レチクルY軸レーザ干渉計、7:ウエハX軸レーザ
干渉計、8:ウエハY軸レーザ干渉計、9:レチクルス
テージ干渉計用波長補正器、10:ウエハステージ干渉
計用波長補正器、11:ステージ位置計測器、12:ス
テージ制御器、13:電流アンプ、14:上位CPU、
15:レチクルX軸温度検出器、16:レチクルX軸気
圧検出器、17:レチクルY軸温度検出器、18:レチ
クルY軸気圧検出器、19:ウエハX軸温度検出器、2
0:ウエハX軸気圧検出器、21:ウエハY軸温度検出
器、22:ウエハY軸気圧検出器、23:レチクルX軸
エアセンサ、24:レチクルY軸エアセンサ、25:ウ
エハX軸エアセンサ、26:ウエハY軸エアセンサ、2
7:ステージアクチュエータ個別冷却水調節手段、2
8:ステージアクチュエータ個別冷却手段、29:ステ
ージY軸右リニアモータ冷却水、30:ステージY軸左
リニアモータ冷却水、31:ステージX軸リニアモータ
冷却水、32:ステージ冷却水流量(冷却水温度)。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 移動可能なステージと、 該ステージの位置を計測する複数の位置計測器と、 該複数の位置計測器の計測結果に影響を与える変動要因
    を測定する複数の変動要因測定器と、 該変動要因測定器の測定結果に基づいて前記位置計測器
    の計測結果を補正する計測補正手段とを備え、 該複数の変動要因測定器は、該変動要因を該複数の位置
    計測器の位置計測器について別個に測定するものであ
    り、該計測補正手段は該複数の変動要因測定器の別個の
    測定結果に基づいて、該位置計測器のそれぞれの計測結
    果を別個に補正するものであることを特徴とする露光装
    置。
  2. 【請求項2】 前記位置計測器は、レーザ干渉計を有す
    ることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記変動要因測定器は、前記位置計測器
    の近傍または計測光路近傍における気圧と温度を検出す
    ることを特徴とする請求項1または2記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記変動要因測定器は、前記位置計測器
    の近傍または計測光路近傍における温度、気圧および湿
    度を検出することを特徴とする請求項1または2記載の
    露光装置。
  5. 【請求項5】 前記変動要因測定手段の測定結果に基づ
    いて、ステージを駆動するアクチュエータの冷却を行な
    う冷却機構の冷却量を制御することを特徴とする請求項
    1〜4いずれか記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 ステージを駆動する複数のアクチュエー
    タと、該複数のアクチュエータを別個に冷却する複数の
    冷却機構を備え、 該冷却機構は、前記複数の変動要因測定器の別個の測定
    結果に基づいて、各アクチュエータの冷却量をそれぞれ
    調節することを特徴とする請求項1〜5いずれか記載の
    露光装置。
  7. 【請求項7】 前記冷却機構は、冷媒の流量または温度
    を調節するための機構を有することを特徴とする請求項
    1〜6いずれか記載の露光装置。
  8. 【請求項8】 前記ステージは、目的物を搭載して移動
    することを特徴とする請求項1〜7いずれか記載の露光
    装置。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8いずれか記載の露光装置を
    用意する工程と、 該露光装置を用いて、原板に形成されたパターンを基板
    に露光する工程とを有することを特徴とするデバイス製
    造方法。
  10. 【請求項10】 前記ステージの位置制御を行なう際
    は、前記変動要因測定器の測定結果に基づいて、冷却量
    を調節しながら該ステージのアクチュエータを冷却する
    ことを特徴とする請求項9記載のデバイス製造方法。
  11. 【請求項11】 前記基板に現像液を塗布する工程と、 露光された基板を現像する工程とを有することを特徴と
    する請求項9または10記載のデバイス製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7515277B2 (en) 2006-12-14 2009-04-07 Canon Kabushiki Kaisha Stage apparatus, control system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2010091559A (ja) * 2008-10-03 2010-04-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および湿度測定システム
JP2010118524A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
CN115453824A (zh) * 2021-06-09 2022-12-09 佳能株式会社 载置台装置、曝光装置以及物品的制造方法

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