JP2000332095A - 基板保管装置及び基板保管方法 - Google Patents

基板保管装置及び基板保管方法

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JP2000332095A
JP2000332095A JP11139927A JP13992799A JP2000332095A JP 2000332095 A JP2000332095 A JP 2000332095A JP 11139927 A JP11139927 A JP 11139927A JP 13992799 A JP13992799 A JP 13992799A JP 2000332095 A JP2000332095 A JP 2000332095A
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substrate
inert gas
substrate storage
introducing
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English (en)
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Takeshi Nishina
剛 仁科
Minoru Sato
実 佐藤
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DAN SANGYO KK
Fujitsu Ltd
Fujitsu AMD Semiconductor Ltd
Original Assignee
DAN SANGYO KK
Fujitsu Ltd
Fujitsu AMD Semiconductor Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体デバイス製造用の半導体基板等、精密基
板を保管するための基板保管技術に関し、装置作製容易
にして簡単かつ容易に保管室内の酸素濃度のバラツキを
小さくすることが可能な基板保管技術の提供を目的とす
る。 【解決手段】基板を収納する複数の保管室と、不活性ガ
スを導入してこの保管室へ不活性ガスを導入分配する分
岐配管とを有し、この分岐配管にオリフィスを設けて各
保管室へのガス流量を一定とするガス均等供給手段を有
するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
液晶等の表示デバイスの製造工程で用いる半導体基板や
ガラス基板、その他レチクル、マスク等の精密基板の保
管装置及び保管方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の上記した各種基板の保管装置及び
保管方法について説明する。半導体装置あるいは液晶表
示装置の製造工程は多くの工程から構成されており、従
って、ある工程から次の工程に移行するときはその製造
工程の過程で生産管理上、または製造装置の処理能力の
違いにより、流れる半導体基板やガラス基板を一時的に
保管する必要がある。このとき廻りの雰囲気の空気中の
酸素によってこれら基板表面が酸化され、製造上、著し
く障害になる場合がある。例えば半導体装置の製造にお
いてMOSトランジスタのゲート酸化膜は動作スピード
の向上等からその厚さが10nm位とますます薄膜化す
る傾向にある。また特にその生産計画上、工程間の時間
が2〜3日と長くなることもあるが、製造工程上、上記
の問題があることから工程間の時間をできるだけ短くし
なければならないという制約を受ける。そこで、これら
半導体基板やガラス基板を一時的に良好な雰囲気で保管
することが可能な基板保管装置及び基板保管方法が要望
されている。そのような目的を達成するために特開平8
−148399号公報記載の基板保管装置及び基板保管
方法がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記特開
平8−148399の基板保管装置及び基板基板保管方
法では以下の問題点がある。いったんマニホールドに不
活性ガスを導入してマニホールドから各保管室にまで供
給するためにはその圧力を同一にするため配管の太さ及
び長さも同一にしなければならず、マニホールドの配
置、配管の引き回しがかなり制約を受け困難である。ま
た、長さを一定にするため余分の配管をしなければなら
ない。またはマニホールドと各保管室との間にガス流量
調節手段を設けるためコストが上がり、あるいは運送中
又は使用中に何らかの理由でガス流量調節の調節バルブ
が動いてガス流量が変動し、再度ガス流量調節しなけれ
ばならない場合もありうる。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記従来の基
板保管装置及び基板基板保管方法の実情に鑑みて案出さ
れたもので、不活性ガスを導入することによる複数個の
保管室からなる基板保管装置において不活性ガスを導入
する各保管室へ接続されるそれぞれの分岐配管の途中に
オリフィスを設けて不活性ガスを導入することを特徴と
するものである。また、不活性ガスを導入することによ
る複数個の保管室からなる基板保管装置において不活性
ガスを導入する各保管室へ接続される保管室直前のそれ
ぞれの分岐配管の終端にオリフィスを設けて不活性ガス
を導入することを特徴とするものである。
【0005】すなわち、このように配管の終端すなわち
各保管室の直前にオリフィスを設けること、または配管
の途中にオリフィスを設けた場合はオリフィス出口から
保管室までほぼ同一の長さ及び太さの配管の配管で接続
することにより各保管室に同一流量のガスを導入するも
のである。
【0006】このオリフィス径は0.2〜0.6mmとするのが
後に記載するように好ましい。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図1〜図3
を参照して詳細に説明する。図1に示すように不活性ガ
ス、例えば窒素、アルゴン等をガス収納ボンベ、または
室内配管のガス供給源7から取り出す。
【0008】この不活性ガスをレギュレータ6、流量計
5,フィルタ4を順次、通過してある一定圧力、流量の
クリーンな不活性ガスとして、各保管室への導入管に分
岐されて各保管室に、不活性ガスが送り込まれる。
【0009】このとき図3に示すように各保管室への配
管分岐後、各保管室に行くまでの配管途中にオリフィス
を設ける。
【0010】または図2に示すように各保管室への配管
分岐後、分岐配管の終端、すなわち各保管室の直前でオ
リフィスを設けることは一層の効果がある。オリフィス
から各保管室までのガス流量を変動させることは全くな
く、またこのオリフィスによって配管抵抗がほぼ決定す
るからである。オリフィス径としては0.1〜1.0mmであ
る。より好ましくは0.2〜0.6mmとする。0.2 mmより小さ
くてはガスが流れにくく、0.6mmより大きくてはガス流
量が一定になりにくいからである。また更に好ましくは
0.3〜0.5mmとする。この範囲が最も理想的なガス流量
が得られるからである。分岐後の不活性ガス供給配管に
オリフィスを設けたのは、各保管室の不活性ガス導入配
管の途中の経路の長さ等の違いがあって各保管室配管へ
の抵抗にも違いがあったとしても、オリフィスでの不活
性ガスの流れる抵抗があまりにも大きいためこれらの抵
抗は無視できるくらいに小さなものとなってしまうから
である。
【0011】従って、どのように配管を引き回したとし
ても、また流量調節弁を設けなくてもほぼ一定のガス流
量が達成される。図6の酸素濃度特性グラフには窒素供
給量を5liters/minとした場合、30分後には酸素濃
度が平均値で13.03%であった。この酸素濃度とは保管
室の空気を窒素供給により窒素置換した場合に酸素の残
存割合を示すものである。
【0012】また図7に示すように保管室16個の場合
の酸素濃度の最大値14.24%,最小値12.36%といずれも
好結果を示している。
【0013】以上が本発明の一実施態様に基づく説明で
ある。なお、請求範囲に記載した主要な発明の他に、以
下のような変形が可能である。 (1)オリフィス径を0.2〜0.6mmとした請求項
1乃至2記載の基板保管装置。 (2)オリフィス径を0.2〜0.6mmとした請求項
3乃至4記載の基板保管方法。
【0014】
【発明の効果】以上、説明したように本発明による基板
保管装置及び基板保管方法によれば各保管室への不活性
ガスの供給を均等にすることができ、かつ配管の長さの
均一ということも必要がないため、引き回しを自由に容
易に行うことができ、また流量調整バルブ等も不要のた
め当該保管装置の製造コストも低く抑えることができ
る。
【0015】また流量調整バルブを使用していないため
運送中、使用中等により何らかの理由でこの流量調整バ
ルブの設定値から外れるということもないので保管装置
本体の取り扱いも容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基板保管装置の概略を示すものであ
る。
【図2】本発明のガス供給配管系統図を示すものであ
る。
【図3】本発明のガス供給配管系統図を示すものであ
る。
【図4】従来の基板保管装置の概略を示すものである。
【図5】従来の基板保管装置のマニホールド部の構造を
示すものである。
【図6】酸素濃度特性グラフ
【図7】酸素濃度実測データ
【符号の説明】
1 基板保管装置 2 保管室 3 ガス供給管 4 フィルタ 5 流量計 6 レギュレータ 7 ガス供給源 8 オリフィス 9 マニホールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仁科 剛 東京都狛江市岩戸北三丁目12番16号 ダン 産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 実 福島県会津若松市門田町工業団地6番 富 士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ株 式会社内 Fターム(参考) 3E096 BA15 BB03 CA01 FA04 5F031 CA02 CA05 CA07 DA17 NA04

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不活性ガスを導入することによる複数個
    の保管室からなる基板保管装置において不活性ガスを導
    入する各保管室へ接続されるそれぞれの分岐配管の途中
    にオリフィスを設けたことを特徴とする基板保管装置。
  2. 【請求項2】 不活性ガスを導入することによる複数個
    の保管室からなる基板保管装置において不活性ガスを導
    入する各保管室へ接続される保管室直前のそれぞれの分
    岐配管の終端にオリフィスを設けたことを特徴とする基
    板保管装置。
  3. 【請求項3】 不活性ガスを導入することによる複数個
    の保管室からなる基板保管装置において不活性ガスを導
    入する各保管室へ接続されるそれぞれの分岐配管の途中
    にオリフィスを設けて不活性ガスを導入することを特徴
    とする基板保管方法。
  4. 【請求項4】 不活性ガスを導入することによる複数個
    の保管室からなる基板保管装置において不活性ガスを導
    入する各保管室へ接続される保管室直前のそれぞれの分
    岐配管の終端にオリフィスを設けて不活性ガスを導入す
    ることを特徴とする基板保管方法。
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