JP2000332096A - 製品ホルダー - Google Patents

製品ホルダー

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JP2000332096A
JP2000332096A JP11142360A JP14236099A JP2000332096A JP 2000332096 A JP2000332096 A JP 2000332096A JP 11142360 A JP11142360 A JP 11142360A JP 14236099 A JP14236099 A JP 14236099A JP 2000332096 A JP2000332096 A JP 2000332096A
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holder
product holder
semiconductor wafer
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Masami Ootsuki
正珠 大月
Shigeki Endo
茂樹 遠藤
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Bridgestone Corp
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Bridgestone Corp
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 構造が簡単であり、小型で取扱いが容易であ
り、生ゴミ、落ち葉等を内部に収容させて一定時間放置
させておくだけで、植物、農作物等に好適な肥料を製造
することができる肥料製造装置を提供する。 【解決手段】 肥料製造装置１は、周面の少なくとも一
部に複数の貫通孔（パンチ孔４）が形成され、肥料原料
を収容する箱体２と、箱体２内に収容された肥料原料の
内部に空気を流通させる管体３とを少なくとも備えたこ
とを特徴とし、箱体２の全周面に複数の貫通孔（パンチ
孔４）が形成されているのが好ましく、管体３がその内
部に連通する複数の貫通孔１０が設けられてなるのが好
ましく、また、箱体２の設置面に対し略平行にかつ箱体
２を貫通して備えられているのが好ましく、管体３を複
数備えているのが好ましく、一の管体３に対して隣接す
る管体３が略等距離に位置するのが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス部
品、半導体ウエハー等の製品を収容・保持して運搬・搬
送等あるいはスパッタリング処理等を行うための製品ホ
ルダーに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置、半導体表面処理装置等
は、その殆どが６インチ径、８インチ径１２インチ径の
ものを対象とているため、これら以外の径のものを前記
半導体表面処理装置等で処理する場合には、特別なホル
ダーが必要とされる。このホルダーは、電子デバイス部
品、半導体ウエハー等の製品の汚れや破損等を防止する
観点から、これらの製品を搬送・運搬する場合に、ある
いはこれらの製品にスパッタリング処理等の処理を施す
場合に、予めこれらの製品を固定しておくために使用さ
れるものであり、従来からシリコン製や石英製のものが
使用されてきている。しかしながら、シリコンや石英
は、強度が十分でなく、搬送・運搬時あるいはスパッタ
リング処理時等において割れ等が頻発するという問題が
あった。また、これらの材質の製品ホルダーを用いた場
合には、該製品ホルダーと当接していた製品部分におい
て、例えば、図８に示すように、製品ホルダー１におけ
る製品収容部２の底面２ａと接触する、製品１０におけ
る露出する一端面１０ａに対向する他端面１０ｂにおい
て汚れが生じた場合に該製品を酸洗浄すると該製品が酸
に溶解してしまう等の問題があった。更に、透明石英製
のものは、赤外線センサーで検知できないという問題も
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来に
おける諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課
題とする。本発明は、搬送・運搬時あるいはスパッタリ
ング処理時等において製品に割れや汚れ等を生じさせ
ず、赤外線センサーで検知でき、強度、耐久性、耐薬品
性等に極めて優れ、しかも取扱いの容易な製品ホルダー
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段は、以下の通りである。即ち、 ＜１＞ 炭化ケイ素焼結体で形成され、製品における一
端面を露出させた状態で該製品を収容し保持する製品収
容部を有し、該製品における一端面に対向する他端面と
当接する前記製品収容部の部位に溝部が設けられたこと
を特徴とする製品ホルダーである。 ＜２＞ 製品収容部と当接する、製品における他端面の
面積が、該他端面の全面積の５０％以下である前記＜１
＞に記載の製品ホルダーである。 ＜３＞ 製品が円板状の半導体ウエハーである前記＜１
＞又は＜２＞に記載の製品ホルダーである。 ＜４＞ 炭化ケイ素焼結体が、炭化ケイ素粉末と非金属
系焼結助剤との混合物を焼結してなり、密度が２．９ｇ
／ｃｍ3以上である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに
記載の製品ホルダーである。 ＜５＞ 溝部における、製品における他端面と当接する
端部が、曲面に形成された前記＜１＞から＜４＞のいず
れかに記載の製品ホルダーである。 ＜６＞ 溝部の底面に貫通孔が設けられた前記＜１＞か
ら＜５＞のいずれかに記載の製品ホルダーである。 ＜７＞ 製品収容部に収容された製品の周側面を露出さ
せる外周溝部が設けられた前記＜１＞から＜６＞のいず
れかに記載の製品ホルダーである。 ＜８＞ 製品収容部に収容された製品の周側面の一部を
露出させ、該製品を取り出すための棒部材を挿入可能で
あり、かつ該製品における他端面の一部を露出させる貫
通孔が設けられた前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記
載の製品ホルダーである。 ＜９＞ 製品収容部を２以上有する前記＜１＞から＜８
＞のいずれかに記載の製品ホルダーである。 ＜１０＞ 導電性を有する前記＜１＞から＜９＞のいず
れかに記載の製品ホルダーである。
【０００５】前記＜１＞に記載の製品ホルダーは、炭化
ケイ素焼結体で形成されているため、強度が高く、製品
収容部に製品を収容し保持した際、それ自身及び該製品
に割れ等が生ずることがなく、また、該製品に汚れを生
じさせることがなく、万が一、酸等による洗浄等の必要
を生じた場合であっても該酸等により溶解してしまうこ
とがなく、耐久性に優れる。また、該製品ホルダーは、
製品における一端面を露出させた状態で該製品を収容し
保持する製品収容部を有し、該製品における一端面に対
向する他端面と当接する前記製品収容部の部位に溝部が
設けられているため、該製品収容部に収容し保持された
製品と、該製品収容部との接触面積が小さい。その結
果、該製品に汚れを生じさせることがない。
【０００６】前記＜２＞に記載の製品ホルダーにおいて
は、前記製品収容部と当接する、前記製品における他端
面の面積が、該他端面の全面積の５０％以下であるの
で、該製品における該製品収容部との接触面積が小さ
く、該製品収容部との接触に起因する該製品の汚れの発
生がない。前記＜３＞に記載の製品ホルダーにおいて
は、前記製品が円板状の半導体ウエハーであるので、該
半導体ウエハーの搬送・運搬時あるいはスパッリング処
理時等において、該半導体ウエハーが該製品ホルダーに
確実に収容・保持され、該半導体ウエハーに汚れや破損
が生じない。前記＜４＞に記載の製品ホルダーにおいて
は、前記炭化ケイ素焼結体が、炭化ケイ素粉末と非金属
系焼結助剤との混合物を焼結してなり、密度が２．９ｇ
／ｃｍ3以上であるので、強度、耐薬品性、耐久性等に
富む。前記＜５＞に記載の製品ホルダーにおいては、前
記溝部における、製品における他端面と当接する端部
が、曲面に形成されているので、該端部により該製品に
傷をつけることがなく、該製品の搬送・運搬時等おいて
該製品に破損を生ずることがない。
【０００７】前記＜６＞に記載の製品ホルダーにおいて
は、前記溝部の底面に貫通孔が設けられているので、該
貫通孔から、気体、水等の液体などを該製品収容部内に
流入させると、該製品が該製品収容部から容易に取り外
される。前記＜７＞に記載の製品ホルダーにおいては、
前記製品収容部に収容された製品の周側面を露出させる
外周溝部が設けられているので、その露出した前記製品
の周側面に適当な棒部材等を当接させて引き上げると、
該製品は該製品収容部から容易に取り外される。前記＜
８＞に記載の製品ホルダーにおいては、前記製品収容部
に収容された製品の周側面の一部を露出させ、該製品を
取り出すための棒部材を挿入可能であり、かつ該製品に
おける他端面の一部を露出させる貫通孔が設けられてい
るので、該貫通孔に該棒部材を挿入し、該棒部材を該製
品の他端面に引っ掛けてそのまま引き上げると、該製品
は該製品収容部から容易に取り外される。前記＜９＞に
記載の製品ホルダーにおいては、前記製品収容部を２以
上有するので、前記製品の搬送・運搬あるいはスパッタ
リング処理等が効率的に行われる。前記＜１０＞に記載
の製品ホルダーにおいては、導電性を有するので、静電
気をにがし、静電気による埃塵の付着等が効果的に抑制
される。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の製品ホルダーは、炭化ケ
イ素焼結体で形成され、製品収容部を有し、更に必要に
応じて適宜選択したその他の部を有する。
【０００９】−炭化ケイ素焼結体− 前記炭化ケイ素焼結体としては、その形状、構造、大き
さ等について特に制限はなく、前記製品の搬送・運搬、
処理等の便宜上、その形状としては円板状が好ましく、
その構造としては、単一構造物であってもよいし、2以
上の部材からなる構造物であってもよく、その大きさと
しては前記製品を収容し保持することができればよく、
目的に応じて適宜選択することができる。
【００１０】前記炭化ケイ素焼結体は、適宜公知の方法
により製造したものであってもよいし、市販品等であっ
てもよく、例えば、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤
との混合物を焼結してなる焼結体を、公知の放電加工等
により所望の形状に加工して得たものなどが好適に挙げ
られる。
【００１１】前記炭化ケイ素焼結体の密度としては、
２．９ｇ／ｃｍ3以上が好ましく、３．０〜３．２ｇ／
ｃｍ3がより好ましい。前記密度が、２．９ｇ／ｃｍ3未
満であると、製品ホルダーの強度が十分でなく、耐久性
に劣ることがある。
【００１２】前記炭化ケイ素焼結体の体積抵抗値として
は、通常、１×１０-1〜１×１０-2Ω・ｃｍ程度であ
る。前記炭化ケイ素焼結体は、赤外線を反射するので、
本発明の製品ホルダーは、赤外線センサーで検知可能で
ある。なお、前記炭化ケイ素焼結体は、静電気をにがし
埃塵等の付着を効果的に抑制する観点からは導電性が良
好であるが好ましい。
【００１３】−製品収容部− 前記製品収容部は、製品における一端面を露出させた状
態で該製品を収容し保持する機能を有する。前記製品収
容部は、該機能を有している限り、その形状、構造、大
きさ等については、特に制限はなく、前記製品の形状、
構造、大きさ等に応じて適宜選択することができるが、
例えば、前記製品が半導体ウエハーである場合には、該
半導体ウエハーの外径、厚みとほぼ同じ内径、深さを有
する円板形状のものなどが挙げられる。
【００１４】前記製品収容部には、前記製品における一
端面に対向する他端面と当接する部位に、溝部が設けら
れている。前記溝部の形状、構造、大きさ等について
は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することが
でき、上から見た形状が例えば円形、四角形等であるも
のなどが挙げられる。
【００１５】前記製品収容部の数としては、特に制限は
なく、目的に応じて適宜選択することができ、１つであ
ってもよいし、2以上であってもよいが、2以上である場
合には、前記製品の搬送・運搬あるいはスパッタリング
処理等が効率的に行うことができる点で有利である。
【００１６】本発明においては、前記製品収容部に収容
・保持した製品に、汚れを生じさせない観点からは、該
製品と該製品収容部との接触面積が小さくなるように、
前記溝部を設計するのが好ましく、具体的には、該製品
における、製品ホルダーから露出する一端面に対向する
他端面と、該製品収容部との接触面積が小さいのが好ま
しく、該接触面積が５０％以下であるのがより好まし
い。前記接触面積が大きいと、前記製品に、該製品収容
部との接触に起因する汚れ等が発生することがあり、好
ましくない。
【００１７】また、前記製品収容部に収容・保持した製
品に、傷を生じさせない観点からは、該製品と接触する
該製品収容部における端部の外周の長さが短くなるよう
に設計するのが好ましく、具体的には、該端部における
一つの外径が同じ長さであるもの（円形の端部と正方形
の端部とがあり、前者の直径と後者の一辺とが同じ長さ
である場合などのこれらの端部）の中でも、該外周が円
周であるのが好ましい。前記外周の長さが長いと、前記
製品に、該製品収容部との接触に起因する汚れ等が発生
することがあり、好ましくない。
【００１８】本発明においては、前記製品に傷をつける
ことがなく、該製品の搬送・運搬時等おいて該製品に破
損を生じさせない観点からは、前記溝部における、製品
における他端面と当接する端部が、曲面に形成（Ｒ加
工）されているのが好ましい。
【００１９】前記溝部における底面には、貫通孔が設け
られているのが好ましい。該貫通孔が設けられている
と、外部から前記溝部の底面に向けて気体又は液体を流
入させると、前記製品収容部内に該液体を充填させるこ
とができる。前記製品収容部に前記製品を収容・保持し
た状態において、前記貫通孔から気体又は液体を該製品
収容部内に流入させ、充填させると、該液体の圧力によ
り、前記製品が前記製品収容部から容易に取り外すこと
ができる。
【００２０】また、本発明においては、前記製品収容部
の開口端部周辺に、該製品収容部に収容された前記製品
の周側面を露出させる外周溝部が設けられているのが好
ましい。この場合、その露出した前記製品の周側面に適
当な棒部材等を当接させて引き上げると、該製品を、該
製品収容部から容易に取り外すことができる。
【００２１】更に、本発明においては、前記製品収容部
に、前記製品収容部に収容された製品の周側面の一部を
露出させ、該製品を取り出すための棒部材を挿入可能で
あり、かつ該製品における他端面の一部を露出させる貫
通孔が設けられているのが好ましい。この場合、該貫通
孔に該棒部材を挿入し、該棒部材を該製品の他端面に引
っ掛けてそのまま引き上げると、該製品を、該製品収容
部から容易に取り外すことができる。
【００２２】本発明の製品ホルダーに使用する前記製品
としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択する
ことができるが、例えば、電子デバイス部品、半導体ウ
エハー等が好適に挙げられる。
【００２３】
【実施例】以下に本発明の好ましい実施の態様の一例を
実施例として、図面を参照しながら説明するが、本発明
はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００２４】（実施例１）図１は、実施例１の製品ホル
ダーに半導体ウエハーを収容・保持させた状態を説明す
るための断面概略説明図である。図２は、図１の上面図
である。図1及び図２に示す通り、実施例１の製品ホル
ダー１は、その中心から等間隔にかつ互いに対称の位置
に、製品収容部２を４つ有してなる。製品ホルダー１
は、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を焼
結してなり、体積抵抗値が１×１０-2Ω・ｃｍであり、
密度が３．１４ｇ／ｃｍ3である炭化ケイ素焼結体で形
成され、該炭化ケイ素焼結体を放電加工により、直径が
３００ｍｍであり、厚みが１．２ｍｍである円板状に成
形されたものである。
【００２５】製品ホルダー１における製品収容部２に
は、直径が４インチであり、厚みが０．７ｍｍである円
板状の半導体ウエハー１０が収容され、保持されてい
る。このとき、半導体ウエハー１０における一端面１０
ａが露出するようにして、半導体ウエハー１０は、製品
収容部２内に収容され、保持される。そして、製品収容
部２における、半導体ウエハー１０の一端面１０ａと対
向する他端面１０ｂに当接する部位に溝部３が設けられ
ている。
【００２６】溝部３は、製品収容部２における底面２ａ
と同心かつ円板状に形成されている。溝部３の直径は、
製品収容部２の底面２ａの直径よりも僅かに短くなるよ
うに設計されているため、底面２ａは、表面に僅かに露
出しているだけの状態になっている。
【００２７】製品ホルダー１における製品収容部２内
に、製品である半導体ウエハー１０を、その一端面１０
ａが表面に露出するようにして収容し、保持させる。こ
のとき、溝部３の深さは、半導体ウエハー１０の厚みと
ほぼ同じ長さになるように設計されているため、半導体
ウエハー１０の露出する一端面１０ａは、製品ホルダー
１の表面とほぼ同じ高さに位置する。また、半導体ウエ
ハー１０における一端面１０ａに対向する他端面１０ｂ
と、製品収容部２における底面２ａとが接触するが、そ
の接触面積は、製品収容部２において溝部３が設けられ
ているため小さい。
【００２８】半導体ウエハー１０の外径と、製品収容部
２の内径とは、ほぼ同じ長さであるので、半導体ウエハ
ー１０は、製品収容部２内に収容された場合、簡単には
脱落せず、しっかりと製品ホルダー１に保持されてい
る。このため、製品ホルダー１における製品収容部２内
に半導体ウエハー１０を収容し保持させて、半導体ウエ
ハー１０を搬送・運搬等してもその際に破損等を生ずる
ことがない。また、半導体ウエハー１０と製品ホルダー
１との接触面積が小さいため、半導体ウエハー１０と製
品ホルダー１との接触に起因する汚れ等が生ずることが
ない。その結果、該汚れ等を除去するための、酸等によ
る洗浄が不要である。万が一、前記洗浄が必要になった
場合であっても、製品ホルダー１は、炭化ケイ素焼結体
で形成されているため、酸等により溶解してしまうこと
もない。
【００２９】製品ホルダー１は、強度、耐薬品性、耐久
性等に極めて優れており、また、取扱性に優れている。
製品ホルダー１における製品収容部２内に、半導体ウエ
ハー１０を収容・保持させた状態で、容易にスパッタリ
ング処理等の処理を半導体ウエハー１０に施すこともで
きる。なお、製品ホルダー１には、上述の通り製品収容
部２が４つ設けられているので、半導体ウエハー１０の
搬送・運搬等、処理等を効率的に行うことができる。
【００３０】（実施例２）図３に示すように、実施例２
の製品ホルダー１は、実施例１の製品ホルダー１と以下
の点で異なる外は、実施例１の製品ホルダー１と同じ構
造を有する。実施例２の製品ホルダー１は、製品収容部
２に設けられた溝部３における、半導体ウエハー１０の
他端面１０ｂと当接する端部３ａが、曲面に形成（Ｒ加
工）されている点で、実施例１の製品ホルダー１と異な
り、この相違に基づき実施例１の製品ホルダー１におい
て奏する作用効果の外、更に以下の作用効果をも奏す
る。
【００３１】実施例２の製品ホルダー１においては、製
品収容部２と溝部３とが連続した曲面になっており、両
者の接続部に角部が存在しない。このため、実施例１の
製品ホルダー１の場合と異なり、製品収容部２内に収容
・保持させた半導体ウエハー１０は、前記角部と当接す
ることがなく、半導体ウエハー１０の搬送・運搬時等に
おいて、該角部との接触に起因する傷等の発生が効果的
に抑制され、半導体ウエハー１０に傷等を生じさせるこ
とがない。
【００３２】（実施例３）図４に示すように、実施例３
の製品ホルダー１は、実施例２の製品ホルダー１と以下
の点で異なる外は、実施例２の製品ホルダー１と同じ構
造を有する。実施例３の製品ホルダー１は、製品収容部
２に設けられた溝部３の底面３ａに貫通孔４が設けられ
ている点で、実施例２の製品ホルダー１と異なり、この
相違に基づき実施例２の製品ホルダー１において奏する
作用効果の外、更に以下の作用効果をも奏する。
【００３３】貫通孔４は、製品ホルダー１の製品収容部
２における溝部３の底面３ｂから、製品ホルダー１の製
品収容部２が設けられていない他端部に向かって形成さ
れている。このため、貫通孔４に製品ホルダー１の製品
収容部２の設けられていない側から気体又は水等の液体
を流入させると、該液体は貫通孔４を通過し、製品ホル
ダー１の製品収容部２側に流入する。このとき、製品収
容部２に半導体ホルダー１０が収容・保持されている
と、製品収容部２側に流入してきた気体又は液体は、溝
部３内に充填され、半導体ホルダー１０の他端面１０ｂ
を押圧する。その結果、この押圧力により、製品収容部
２内に収容・保持されている半導体ウエハー１０が容易
に製品ホルダー１から取り外される。この場合、棒部材
等の器具を用いて無理に半導体ウエハー１０の取り外し
を行う必要がなく、半導体ウエハー１０に傷等を生じさ
せるおそれがなく、取扱いも容易である。
【００３４】（実施例４）図５に示すように、実施例４
の製品ホルダー１は、実施例３の製品ホルダー１と以下
の点で異なる外は、実施例３の製品ホルダー１と同じ構
造を有する。実施例４の製品ホルダー１は、製品収容部
２に収容・保持された半導体ウエハー１０の周側面１０
ｃを露出させる外周溝部５が設けられている点で、実施
例３の製品ホルダー１と異なり、この相違に基づき実施
例３の製品ホルダー１において奏する作用効果の外、更
に以下の作用効果をも奏する。
【００３５】実施例４の製品ホルダー１においては、外
周溝部５により、半導体ウエハー１０を製品収容部２内
に収容・保持させた場合、半導体ウエハー１０の周側面
１０ｃの一部が露出した状態にある。このため、半導体
ウエハー１０の周側面１０ｃに適当な棒部材等を当接さ
せて引き上げると、半導体ウエハー１０を製品収容部２
から容易に取り外すことができる。また、その際に、実
施例３と同様に貫通孔４から気体又は水等の液体を流入
させると、半導体ウエハー１０の取り外しが一層容易で
ある。
【００３６】（実施例５）図６及び図７に示すように、
実施例５の製品ホルダー１は、実施例３の製品ホルダー
１と以下の点で異なる外は、実施例３の製品ホルダー１
と同じ構造を有する。実施例５の製品ホルダー１は、製
品収容部２に収容された半導体ウエハー１０の周側面１
０ｃの一部を露出させ、該半導体ウエハー１０を取り出
すための棒部材６を挿入可能であり、かつ半導体ウエハ
ー１０における他端面１０ｂの一部を露出させる貫通孔
５が設けられている点で、実施例３の製品ホルダー１と
異なり、この相違に基づき実施例３の製品ホルダー１に
おいて奏する作用効果の外、更に以下の作用効果をも奏
する。
【００３７】実施例５の製品ホルダー１においては、製
品収容部２内に収容・保持した半導体ホルダー１０を取
り外す際、貫通孔５に棒部材６を挿入し、棒部材６にお
ける引掛部６ａを半導体ウエハー１０の他端面１０ｂに
引っ掛けてそのまま引き上げると、半導体ウエハー１０
を製品収容部２から容易に取り外すことができる。ま
た、その際に、実施例３と同様に貫通孔４から気体又は
水等の液体を流入させると、半導体ウエハー１０の取り
外しが一層容易である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によると、前記従来における諸問
題を解決することができ、搬送・運搬時あるいはスパッ
タリング処理時等において製品に割れや汚れ等を生じさ
せず、赤外線センサーで検知でき、強度、耐久性、耐薬
品性等に極めて優れ、しかも取扱いの容易な製品ホルダ
ーを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、実施例１の製品ホルダーに半導体ウエ
ハーを収容・保持させた状態を説明するための断面概略
説明図である。
【図２】図２は、図１の上面図である。
【図３】図３は、実施例２の製品ホルダーに半導体ウエ
ハーを収容・保持させた状態を説明するための断面概略
説明図である。
【図４】図４は、実施例３の製品ホルダーに半導体ウエ
ハーを収容・保持させた状態を説明するための断面概略
説明図である。
【図５】図５は、実施例４の製品ホルダーに半導体ウエ
ハーを収容・保持させた状態を説明するための断面概略
説明図である。
【図６】図６は、実施例５の製品ホルダーに半導体ウエ
ハーを収容・保持させた状態を説明するための断面概略
説明図である。
【図７】図７は、実施例５の製品ホルダーに半導体ウエ
ハーを収容・保持させた状態を説明するための上面図で
ある。
【図８】図８は、従来における製品ホルダーに半導体ウ
エハーを収容・保持させた状態を説明するための断面概
略説明図である。
【符号の説明】
１ 製品ホルダー ２ 製品収容部 ２ａ 底面 ３ 溝部 ３ａ 端部 ３ｂ 底面 ４ 貫通孔 ５ 外周溝部 ６ 棒部材 ６ａ 引掛部 １０ 半導体ウエハー １０ａ 一端面 １０ｂ 他端面 １０ｃ 周側面

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 炭化ケイ素焼結体で形成され、製品にお
    ける一端面を露出させた状態で該製品を収容し保持する
    製品収容部を有し、該製品における一端面に対向する他
    端面と当接する前記製品収容部の部位に溝部が設けられ
    たことを特徴とする製品ホルダー。
  2. 【請求項２】 製品収容部と当接する、製品における他
    端面の面積が、該他端面の全面積の５０％以下である請
    求項１に記載の製品ホルダー。
  3. 【請求項３】 製品が円板状の半導体ウエハーである請
    求項１又は２に記載の製品ホルダー。
  4. 【請求項４】 炭化ケイ素焼結体が、炭化ケイ素粉末と
    非金属系焼結助剤との混合物を焼結してなり、密度が
    ２．９ｇ／ｃｍ3以上である請求項1から３のいずれかに
    記載の製品ホルダー。
  5. 【請求項５】 溝部における、製品における他端面と当
    接する端部が、曲面に形成された請求項１から４のいず
    れかに記載の製品ホルダー。
  6. 【請求項６】 溝部の底面に貫通孔が設けられた請求項
    １から５のいずれかに記載の製品ホルダー。
  7. 【請求項７】 製品収容部に収容された製品の周側面を
    露出させる外周溝部が設けられた請求項１から６のいず
    れかに記載の製品ホルダー。
  8. 【請求項８】 製品収容部に収容された製品の周側面の
    一部を露出させ、該製品を取り出すための棒部材を挿入
    可能であり、かつ該製品における他端面の一部を露出さ
    せる貫通孔が設けられた請求項１から７のいずれかに記
    載の製品ホルダー。
  9. 【請求項９】 製品収容部を２以上有する請求項１から
    ８のいずれかに記載の製品ホルダー。
  10. 【請求項１０】 導電性を有する請求項１から９のいず
    れかに記載の製品ホルダー。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10287685B2 (en) 2013-08-29 2019-05-14 Maruwa Co., Ltd. Susceptor

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000332096A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Bridgestone Corp 製品ホルダー
US7181969B2 (en) * 2002-07-16 2007-02-27 Sonix, Inc. Ultrasonic test chamber for tray production system and the like
US7131333B2 (en) * 2002-07-16 2006-11-07 Sonix, Inc. Pulse echo ultrasonic test chamber for tray production system
US8536492B2 (en) * 2003-10-27 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources
US7127367B2 (en) 2003-10-27 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Tailored temperature uniformity
US20080090309A1 (en) * 2003-10-27 2008-04-17 Ranish Joseph M Controlled annealing method
US7824498B2 (en) * 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
JP4342992B2 (ja) * 2004-03-17 2009-10-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置のチャックテーブル
US7661315B2 (en) * 2004-05-24 2010-02-16 Sonix, Inc. Method and apparatus for ultrasonic scanning of a fabrication wafer
JP4541824B2 (ja) * 2004-10-14 2010-09-08 リンテック株式会社 非接触型吸着保持装置
US7917317B2 (en) * 2006-07-07 2011-03-29 Sonix, Inc. Ultrasonic inspection using acoustic modeling
US20080105201A1 (en) * 2006-11-03 2008-05-08 Applied Materials, Inc. Substrate support components having quartz contact tips
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US8111978B2 (en) * 2008-07-11 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with shower head
TWI408027B (zh) * 2009-06-26 2013-09-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鏡片承載裝置
CN102498557A (zh) * 2009-08-05 2012-06-13 应用材料公司 化学气相沉积设备
US20110049779A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Applied Materials, Inc. Substrate carrier design for improved photoluminescence uniformity
SG193087A1 (en) * 2012-02-28 2013-09-30 Applied Materials Inc Substrate carrier plate
US20170162411A1 (en) * 2015-12-03 2017-06-08 Nanya Technology Corporation Tray
KR102545763B1 (ko) * 2016-07-12 2023-06-21 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR102548533B1 (ko) * 2016-07-22 2023-06-28 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
FR3065321B1 (fr) * 2017-04-14 2019-06-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage emissif a led
JP7009194B2 (ja) * 2017-12-12 2022-01-25 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置および搬送トレー
JP7164396B2 (ja) * 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
CN109935158B (zh) * 2019-03-14 2021-05-04 上海妙可士材料科技有限公司 电子标签

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5522140A (en) * 1978-08-02 1980-02-16 Kubota Ltd Indication holding method of electronic weighing device
US4439261A (en) * 1983-08-26 1984-03-27 International Business Machines Corporation Composite pallet
JPH0662286B2 (ja) 1984-06-20 1994-08-17 株式会社ブリヂストン 炭化珪素の製造方法
JPH051221Y2 (ja) * 1986-10-27 1993-01-13
JPH0268922A (ja) * 1988-09-02 1990-03-08 Nec Corp 気相成長用サセプタ
JPH0650167B2 (ja) * 1988-11-12 1994-06-29 シルバー株式会社 燃焼器具用芯
JPH0751221Y2 (ja) * 1990-07-31 1995-11-22 京セラ株式会社 真空チャック
JP2565024B2 (ja) 1991-07-18 1996-12-18 住友金属工業株式会社 半導体治具用炭化珪素粉末の製造方法
KR100310249B1 (ko) * 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
JPH1067565A (ja) 1996-02-29 1998-03-10 Bridgestone Corp 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法
EP0901152B1 (en) * 1997-09-03 2003-04-02 Nippon Pillar Packing Co., Ltd. Semiconductor wafer holder with CVD silicon carbide film coating
JP2000332096A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Bridgestone Corp 製品ホルダー

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10287685B2 (en) 2013-08-29 2019-05-14 Maruwa Co., Ltd. Susceptor

Also Published As

Publication number Publication date
US6261370B1 (en) 2001-07-17
KR20000077348A (ko) 2000-12-26
KR100709776B1 (ko) 2007-04-19
TW462909B (en) 2001-11-11

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