JP2000332279A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
- H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 太陽電池の表面電極１ｅの幅を小さくした場
合でも十分な接合強度を有する電極１ｅの構造を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 一導電型多結晶シリコン基板１の一主面
側に他の導電型不純物１ｂを拡散させて両主面側に電極
１ｅ、１ｆを被着形成する太陽電池の製造方法であっ
て、上記多結晶シリコン基板１の一主面側もしくは両主
面側の上記電極１ｅ、１ｆの被着部にリアクティブイオ
ンエッチング法で微細な突起１ａを多数形成して上記電
極１ｅを被着形成する。
合でも十分な接合強度を有する電極１ｅの構造を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 一導電型多結晶シリコン基板１の一主面
側に他の導電型不純物１ｂを拡散させて両主面側に電極
１ｅ、１ｆを被着形成する太陽電池の製造方法であっ
て、上記多結晶シリコン基板１の一主面側もしくは両主
面側の上記電極１ｅ、１ｆの被着部にリアクティブイオ
ンエッチング法で微細な突起１ａを多数形成して上記電
極１ｅを被着形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池の製造方法
に関し、特に多結晶シリコン基板を用いた太陽電池の製
造方法に関する。
に関し、特に多結晶シリコン基板を用いた太陽電池の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】近年
エネルギー消費が増大する中で、そのエネルギー源の確
保が重要視されている。現状ではエネルギーの大部分は
火力発電および原子力発電に依存している状況となって
いる。しかしながら、火力発電においては二酸化炭素に
よる地球温暖化の問題があり、大きな問題となってい
る。また、原子力発電においては事故時の放射能汚染の
可能性や放射性廃棄物の処理方法の問題などが指摘され
ており、長期的な視点では地球環境の問題をはらんでい
る。そのような中、太陽エネルギーを直接電気エネルギ
ーに変換する太陽電池がその無公害性の点から近年クロ
ーズアップされてきており、大量生産の技術や低コスト
化および高効率化の技術の重要性が高まっている。
エネルギー消費が増大する中で、そのエネルギー源の確
保が重要視されている。現状ではエネルギーの大部分は
火力発電および原子力発電に依存している状況となって
いる。しかしながら、火力発電においては二酸化炭素に
よる地球温暖化の問題があり、大きな問題となってい
る。また、原子力発電においては事故時の放射能汚染の
可能性や放射性廃棄物の処理方法の問題などが指摘され
ており、長期的な視点では地球環境の問題をはらんでい
る。そのような中、太陽エネルギーを直接電気エネルギ
ーに変換する太陽電池がその無公害性の点から近年クロ
ーズアップされてきており、大量生産の技術や低コスト
化および高効率化の技術の重要性が高まっている。
【０００３】太陽電池のうち主要なものは使用材料の種
類によって結晶系、アモルファス系、化合物系などに分
類される。このうち、現在市場で流通しているのはほと
んどが結晶系シリコン太陽電池である。この結晶系シリ
コン太陽電池はさらに単結晶型、多結晶型に分類され
る。単結晶型シリコン太陽電池は基板の品質が良いた
め、高効率化が容易であるという長所を有する反面、基
板の製造コストが大きいという短所を有する。それに対
し、多結晶型シリコン太陽電池は基板の品質が劣るため
に高効率化が難しいという短所はあるものの、低コスト
で製造できるというメリットがある。また、最近では多
結晶シリコン基板の品質の向上やセル化技術の進歩によ
り、研究レベルでは１８％程度の変換効率が達成されて
いる。
類によって結晶系、アモルファス系、化合物系などに分
類される。このうち、現在市場で流通しているのはほと
んどが結晶系シリコン太陽電池である。この結晶系シリ
コン太陽電池はさらに単結晶型、多結晶型に分類され
る。単結晶型シリコン太陽電池は基板の品質が良いた
め、高効率化が容易であるという長所を有する反面、基
板の製造コストが大きいという短所を有する。それに対
し、多結晶型シリコン太陽電池は基板の品質が劣るため
に高効率化が難しいという短所はあるものの、低コスト
で製造できるというメリットがある。また、最近では多
結晶シリコン基板の品質の向上やセル化技術の進歩によ
り、研究レベルでは１８％程度の変換効率が達成されて
いる。
【０００４】一方、量産レベルの多結晶シリコン太陽電
池は従来より低コストであったために市場に流通してき
たが、近年環境問題が取りざたされる中で需要が増して
きており、低コストで且つより高い変換効率が求められ
るようになった。
池は従来より低コストであったために市場に流通してき
たが、近年環境問題が取りざたされる中で需要が増して
きており、低コストで且つより高い変換効率が求められ
るようになった。
【０００５】多結晶シリコン太陽電池の高効率化の一つ
の要素技術として、受光面積の増加がある。これにより
太陽光を多く取り込めるために、出力電流の向上が期待
できる。そのためには、受光面側の電極の占有面積を縮
小する必要があり、微細な電極を形成する技術が求めら
れる。微細な電極を形成する方法としてはフォトリソグ
ラフィーを用いる方法が広く知られているが、この方法
は太陽電池に用いるには非常に高コストであり、現実的
には困難である。従来より、量産レベルの太陽電池で
は、主成分が銀粉から構成される導電ペーストをスクリ
ーン印刷して焼成することで形成してきた。電極を細く
することは電気抵抗を増加させることになり、電流値の
減少につながる。これを避けるためには、小面積で且つ
高さの高い電極、つまりアスペクト比の大きい電極が必
要である。従来、電極の幅は２００μｍ程度であった
が、高効率化のためには、さらに微細化を図る必要があ
り、それに伴って基板との接触面積が減少するため、電
極の接合強度が低下するという問題がある。
の要素技術として、受光面積の増加がある。これにより
太陽光を多く取り込めるために、出力電流の向上が期待
できる。そのためには、受光面側の電極の占有面積を縮
小する必要があり、微細な電極を形成する技術が求めら
れる。微細な電極を形成する方法としてはフォトリソグ
ラフィーを用いる方法が広く知られているが、この方法
は太陽電池に用いるには非常に高コストであり、現実的
には困難である。従来より、量産レベルの太陽電池で
は、主成分が銀粉から構成される導電ペーストをスクリ
ーン印刷して焼成することで形成してきた。電極を細く
することは電気抵抗を増加させることになり、電流値の
減少につながる。これを避けるためには、小面積で且つ
高さの高い電極、つまりアスペクト比の大きい電極が必
要である。従来、電極の幅は２００μｍ程度であった
が、高効率化のためには、さらに微細化を図る必要があ
り、それに伴って基板との接触面積が減少するため、電
極の接合強度が低下するという問題がある。
【０００６】電極の接合強度を向上させる手段として
は、接触面積の増加が考えられる。また、電極の引っ張
り強度は、その被着基板の単位当たり表面積のみなら
ず、密着の角度によっても変化する。例えば、電極は垂
直方向に引っ張るよりも、斜め方向に引っ張る方が剥が
れにくい。これは電極と被着基板が密着している部分の
角度が引っ張り方向と平行に近い方が剥がれにくいこと
を意味している。
は、接触面積の増加が考えられる。また、電極の引っ張
り強度は、その被着基板の単位当たり表面積のみなら
ず、密着の角度によっても変化する。例えば、電極は垂
直方向に引っ張るよりも、斜め方向に引っ張る方が剥が
れにくい。これは電極と被着基板が密着している部分の
角度が引っ張り方向と平行に近い方が剥がれにくいこと
を意味している。
【０００７】単結晶基板の場合、入射光の反射低減のた
めに、アルカリ水溶液などでテクスチャ構造を形成する
ことが一般的に行われが、この構造をそのまま用いれ
ば、被着基板の表面積の増加によって電極との接触面積
も増加して、電極の接合強度が向上する。
めに、アルカリ水溶液などでテクスチャ構造を形成する
ことが一般的に行われが、この構造をそのまま用いれ
ば、被着基板の表面積の増加によって電極との接触面積
も増加して、電極の接合強度が向上する。
【０００８】単結晶シリコンの場合、通常は（１００）
方向の基板が用いられる。これをアルカリ水溶液でエッ
チングすると、（１１１）面が露出し、突起頂点の角度
が７０．５°のピラミッドが形成される。このピラミッ
ドのアスペクト比を（ピラミッドの高さ÷底辺）で定義
すると、０．７１となる。しかし、この凹凸では電極の
接合強度を十分得ることができないことがあった。
方向の基板が用いられる。これをアルカリ水溶液でエッ
チングすると、（１１１）面が露出し、突起頂点の角度
が７０．５°のピラミッドが形成される。このピラミッ
ドのアスペクト比を（ピラミッドの高さ÷底辺）で定義
すると、０．７１となる。しかし、この凹凸では電極の
接合強度を十分得ることができないことがあった。
【０００９】したがって、さらにアスペクト比の大きい
電極下地構造が求められていた。つまり、単位当たり表
面積が大きくて接触面積の大きい、かつ接触角度が太陽
電池表面に対して垂直により近い電極の下地構造が求め
られていた。
電極下地構造が求められていた。つまり、単位当たり表
面積が大きくて接触面積の大きい、かつ接触角度が太陽
電池表面に対して垂直により近い電極の下地構造が求め
られていた。
【００１０】しかしながら、上述のアルカリ水溶液によ
るウエットエッチングでは、エッチングされる基板の結
晶の面方位を利用して凹凸（ピラミッド）を形成するた
め、この凹凸形状の制御ができない。
るウエットエッチングでは、エッチングされる基板の結
晶の面方位を利用して凹凸（ピラミッド）を形成するた
め、この凹凸形状の制御ができない。
【００１１】また、多結晶基板の場合、その多様な面方
位によって単結晶におけるようなテクスチャ構造はほと
んど形成できない。
位によって単結晶におけるようなテクスチャ構造はほと
んど形成できない。
【００１２】本発明はこのような従来の問題に鑑みてな
されたものであり、太陽電池の表面電極の幅を小さくし
た場合でも十分な接合強度を有する電極の形成方法を提
供することを目的とする。
されたものであり、太陽電池の表面電極の幅を小さくし
た場合でも十分な接合強度を有する電極の形成方法を提
供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池の製造方法では、一導電型多
結晶シリコン基板の一主面側に他の導電型不純物を拡散
させて両主面側に電極を被着形成する太陽電池の製造方
法において、前記多結晶シリコン基板の一主面側もしく
は両主面側の前記電極の被着部にリアクティブイオンエ
ッチング法で微細な突起を多数形成して前記電極を被着
形成する。
に、本発明に係る太陽電池の製造方法では、一導電型多
結晶シリコン基板の一主面側に他の導電型不純物を拡散
させて両主面側に電極を被着形成する太陽電池の製造方
法において、前記多結晶シリコン基板の一主面側もしく
は両主面側の前記電極の被着部にリアクティブイオンエ
ッチング法で微細な突起を多数形成して前記電極を被着
形成する。
【００１４】上記太陽電池の製造方法では、前記微細な
突起の幅と高さが２μｍ以下であることが望ましい。
突起の幅と高さが２μｍ以下であることが望ましい。
【００１５】また、上記太陽電池の製造方法では、前記
微細な突起のアスペクト比が０．７５〜２以下であるこ
とが望ましい。
微細な突起のアスペクト比が０．７５〜２以下であるこ
とが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る太陽電
池の製造方法で製造される太陽電池セルの構造を示す断
面図である。図１において１は多結晶シリコン基板、１
ａは微細な突起、１ｂは受光面側不純物拡散層、１ｃは
裏面側不純物拡散層（ＢＳＦ）、１ｄは表面反射防止
膜、１ｅは表面電極、１ｆは裏面電極である。
面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る太陽電
池の製造方法で製造される太陽電池セルの構造を示す断
面図である。図１において１は多結晶シリコン基板、１
ａは微細な突起、１ｂは受光面側不純物拡散層、１ｃは
裏面側不純物拡散層（ＢＳＦ）、１ｄは表面反射防止
膜、１ｅは表面電極、１ｆは裏面電極である。
【００１７】前記多結晶シリコン基板１はｐ型またはｎ
型のいずれでも良い。この多結晶シリコン基板１は鋳造
法などによって形成される。多結晶シリコンは、大量生
産が可能で製造コスト面で単結晶シリコンよりもきわめ
て有利である。鋳造法などによって形成されたインゴッ
トを３００μｍ程度の厚みにスライスして、１０ｃｍ×
１０ｃｍもしくは１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大きさに切
断してシリコン基板となる。
型のいずれでも良い。この多結晶シリコン基板１は鋳造
法などによって形成される。多結晶シリコンは、大量生
産が可能で製造コスト面で単結晶シリコンよりもきわめ
て有利である。鋳造法などによって形成されたインゴッ
トを３００μｍ程度の厚みにスライスして、１０ｃｍ×
１０ｃｍもしくは１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大きさに切
断してシリコン基板となる。
【００１８】多結晶シリコン基板１の一主面側の少なく
とも電極１ｅの下部には、微細な突起１ａを形成する。
この微細な突起１ａは円錐形もしくはそれが連なったよ
うな形状を呈し、リアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）法によるガス濃度もしくはエッチング時間を制御す
ることにより、その大きさを変化させることができる。
この微細な突起１ａの幅と高さはそれぞれ２μｍ以下に
形成される。この微細な突起１ａをシリコン基板１の必
要部分全面にわたって均一且つ正確に制御性を持たせて
形成するためには、１μｍ以下が好適である。この微細
な突起１ａのアスペクト比（突起１ａの幅／高さ）は、
２以下であることが望ましい。このアスペクト比が２以
上の場合、製造過程で微細な突起１ａが破損し、太陽電
池セルを形成した場合にリーク電流が大きくなって良好
な出力特性が得られない。また、このアスペクト比が
０．７５未満の場合、従来品と同等の接合強度しか得ら
れない。
とも電極１ｅの下部には、微細な突起１ａを形成する。
この微細な突起１ａは円錐形もしくはそれが連なったよ
うな形状を呈し、リアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）法によるガス濃度もしくはエッチング時間を制御す
ることにより、その大きさを変化させることができる。
この微細な突起１ａの幅と高さはそれぞれ２μｍ以下に
形成される。この微細な突起１ａをシリコン基板１の必
要部分全面にわたって均一且つ正確に制御性を持たせて
形成するためには、１μｍ以下が好適である。この微細
な突起１ａのアスペクト比（突起１ａの幅／高さ）は、
２以下であることが望ましい。このアスペクト比が２以
上の場合、製造過程で微細な突起１ａが破損し、太陽電
池セルを形成した場合にリーク電流が大きくなって良好
な出力特性が得られない。また、このアスペクト比が
０．７５未満の場合、従来品と同等の接合強度しか得ら
れない。
【００１９】リアクティブイオンエッチング法では、例
えば三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を１２．００ｓｃｃｍ
程度、塩素（Ｃｌ2 ）を７２ｓｃｃｍ程度、酸素
（Ｏ2 ）を９ｓｃｃｍ程度、および六フッ化硫黄（ＳＦ
2 ）を６５ｓｃｃｍ程度流しながら、反応圧力５０ｍＴ
ｏｒｒ程度、プラズマをかけるＲＦパワー５００Ｗ程度
で、１０秒〜１５分間行う。
えば三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を１２．００ｓｃｃｍ
程度、塩素（Ｃｌ2 ）を７２ｓｃｃｍ程度、酸素
（Ｏ2 ）を９ｓｃｃｍ程度、および六フッ化硫黄（ＳＦ
2 ）を６５ｓｃｃｍ程度流しながら、反応圧力５０ｍＴ
ｏｒｒ程度、プラズマをかけるＲＦパワー５００Ｗ程度
で、１０秒〜１５分間行う。
【００２０】多結晶シリコン基板１の表面側には、逆導
電型半導体不純物が拡散された層１ｂが形成されてい
る。この逆導電型半導体不純物が拡散された層１ｂは、
多結晶シリコン基板１内に半導体接合部を形成するため
に設けるものであり、例えばｎ型の不純物を拡散させる
場合、ＰＯＣｌ3 を用いた気相拡散法、Ｐ2 Ｏ5 を用い
た塗布拡散法、およびＰ+ イオンを直接拡散させるイオ
ン打ち込み法などによって形成される。この逆導電型半
導体不純物を含有する層１は０．３〜０．５μｍ程度の
深さに形成される。
電型半導体不純物が拡散された層１ｂが形成されてい
る。この逆導電型半導体不純物が拡散された層１ｂは、
多結晶シリコン基板１内に半導体接合部を形成するため
に設けるものであり、例えばｎ型の不純物を拡散させる
場合、ＰＯＣｌ3 を用いた気相拡散法、Ｐ2 Ｏ5 を用い
た塗布拡散法、およびＰ+ イオンを直接拡散させるイオ
ン打ち込み法などによって形成される。この逆導電型半
導体不純物を含有する層１は０．３〜０．５μｍ程度の
深さに形成される。
【００２１】この多結晶シリコン基板１の一主面側に
は、反射防止膜１ｄが形成されている。この反射防止膜
１ｄは、多結晶シリコン基板１の表面で光が反射するの
を防止して、多結晶シリコン基板１内に光を有効に取り
込むために設ける。この反射防止膜は、多結晶シリコン
基板１との屈折率差などを考慮して、屈折率が２程度の
材料で構成され、厚み５００〜２０００Å程度の窒化シ
リコン膜や酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜などで構成され
る。
は、反射防止膜１ｄが形成されている。この反射防止膜
１ｄは、多結晶シリコン基板１の表面で光が反射するの
を防止して、多結晶シリコン基板１内に光を有効に取り
込むために設ける。この反射防止膜は、多結晶シリコン
基板１との屈折率差などを考慮して、屈折率が２程度の
材料で構成され、厚み５００〜２０００Å程度の窒化シ
リコン膜や酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜などで構成され
る。
【００２２】多結晶シリコン基板１の他の主面側には、
一導電型半導体不純物が高濃度に拡散された層１ｃを形
成することが望ましい。この一導電型半導体不純物が高
濃度に拡散された層１ｃは、多結晶シリコン基板１の裏
面近くでキャリアの再結合による効率の低下を防ぐため
に、多結晶シリコン基板１の裏面側に内部電界を形成す
るものである。つまり、シリコン基板１の裏面近くで発
生したキャリアがこの電界によって加速される結果、電
力が有効に取り出されることとなり、特に長波長の光感
度が増大すると共に、高温における太陽電池特性の低下
を軽減できる。このように一導電型半導体不純物が高濃
度に拡散された層１ｃが形成された多結晶シリコン基板
１の裏面側のシート抵抗は、１５Ω／□程度になる。
一導電型半導体不純物が高濃度に拡散された層１ｃを形
成することが望ましい。この一導電型半導体不純物が高
濃度に拡散された層１ｃは、多結晶シリコン基板１の裏
面近くでキャリアの再結合による効率の低下を防ぐため
に、多結晶シリコン基板１の裏面側に内部電界を形成す
るものである。つまり、シリコン基板１の裏面近くで発
生したキャリアがこの電界によって加速される結果、電
力が有効に取り出されることとなり、特に長波長の光感
度が増大すると共に、高温における太陽電池特性の低下
を軽減できる。このように一導電型半導体不純物が高濃
度に拡散された層１ｃが形成された多結晶シリコン基板
１の裏面側のシート抵抗は、１５Ω／□程度になる。
【００２３】多結晶シリコン基板１の一主面側には、表
面電極１ｅが形成されている。この表面電極１ｅは例え
ば、主にＡｇ紛、バインダー、フリットなどからなるＡ
ｇペーストをスクリーン印刷して６００〜８００℃で１
〜３０分間焼成し、その上に半田層を１０〜４０μｍ程
度の厚みに形成する。この表面電極１ｅは、例えば幅２
００μｍ程度に、またピッチ３ｍｍ程度に形成される多
数のフィンガー電極と、この多数のフィンガー電極を相
互に接続する２本のバスバー電極とで構成される。この
バスバー電極は幅２ｍｍ程度で厚み１０μｍ程度に形成
される。
面電極１ｅが形成されている。この表面電極１ｅは例え
ば、主にＡｇ紛、バインダー、フリットなどからなるＡ
ｇペーストをスクリーン印刷して６００〜８００℃で１
〜３０分間焼成し、その上に半田層を１０〜４０μｍ程
度の厚みに形成する。この表面電極１ｅは、例えば幅２
００μｍ程度に、またピッチ３ｍｍ程度に形成される多
数のフィンガー電極と、この多数のフィンガー電極を相
互に接続する２本のバスバー電極とで構成される。この
バスバー電極は幅２ｍｍ程度で厚み１０μｍ程度に形成
される。
【００２４】上述のようにして形成した太陽電池の電極
に、図２に示すように、半田で被覆した銅箔を２ｍｍ×
２ｍｍ程度の面積で付着させて垂直方向に引っ張る引っ
張り試験を行って電極が剥がれるときの強度である引っ
張り強度を測った。ＲＩＥ処理で３種類のアスペクト比
を有する突起を形成した。比較のために、単結晶シリコ
ン基板１の表面側にアルカリ水溶液でテクスチャ構造を
形成した基板も用意した。その結果を表１に示す。
に、図２に示すように、半田で被覆した銅箔を２ｍｍ×
２ｍｍ程度の面積で付着させて垂直方向に引っ張る引っ
張り試験を行って電極が剥がれるときの強度である引っ
張り強度を測った。ＲＩＥ処理で３種類のアスペクト比
を有する突起を形成した。比較のために、単結晶シリコ
ン基板１の表面側にアルカリ水溶液でテクスチャ構造を
形成した基板も用意した。その結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１から分かるように、ＲＩＥにより形成
した基板１の表面側の微細な突起を有する太陽電池でア
スペクト比が大きい場合に、電極の引っ張り強度が向上
していることが認められた。
した基板１の表面側の微細な突起を有する太陽電池でア
スペクト比が大きい場合に、電極の引っ張り強度が向上
していることが認められた。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池の
製造方法によれば、多結晶シリコン基板の一主面側もし
くは両主面側の電極の被着部にリアクティブイオンエッ
チング法で微細な突起を多数形成して電極を被着形成す
ることから、下地の単位当たり表面積が増加し、また、
接触角度が基板面に対し垂直により近くなることから、
電極の基板との密着強度が増加し、太陽電池製造の歩留
まり向上に寄与すると共に、製品の信頼性が向上する。
製造方法によれば、多結晶シリコン基板の一主面側もし
くは両主面側の電極の被着部にリアクティブイオンエッ
チング法で微細な突起を多数形成して電極を被着形成す
ることから、下地の単位当たり表面積が増加し、また、
接触角度が基板面に対し垂直により近くなることから、
電極の基板との密着強度が増加し、太陽電池製造の歩留
まり向上に寄与すると共に、製品の信頼性が向上する。
【図１】本発明に係る太陽電池セルの一般的な構造を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明に係る太陽電池セルの電極強度を測定す
る方法を示す図である。
る方法を示す図である。
１……基板、１ａ……表面凹凸構造、１ｂ……不純物拡
散層、１ｃ……裏面拡散層、１ｄ……反射防止膜、１ｅ
……表面電極、１ｆ……裏面電極、２ａ……表面電極、
２ｂ……半田被覆付きの銅箔
散層、１ｃ……裏面拡散層、１ｄ……反射防止膜、１ｅ
……表面電極、１ｆ……裏面電極、２ａ……表面電極、
２ｂ……半田被覆付きの銅箔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA16 DA00 DA04 DA16 DA26 DB02 EA34 5F051 AA03 CB22 DA03 FA14 FA19 GA04 GA14
Claims (3)
- 【請求項１】 一導電型多結晶シリコン基板の一主面側
に他の導電型不純物を拡散させて両主面側に電極を被着
形成する太陽電池の製造方法において、前記多結晶シリ
コン基板の一主面側もしくは両主面側の前記電極の被着
部にリアクティブイオンエッチング法で微細な突起を多
数形成して前記電極を被着形成することを特徴とする太
陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 前記微細な突起の幅と高さが２μｍ以下
であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製
造方法。 - 【請求項３】 前記微細な突起のアスペクト比が０．７
５〜２であることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載の太陽電池の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP11143387A JP2000332279A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP11143387A JP2000332279A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332279A true JP2000332279A (ja) | 2000-11-30 |
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|---|---|---|---|
| JP11143387A Pending JP2000332279A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 太陽電池の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2000332279A (ja) |
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