JP2000333034A - 水平偏向回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】水平周波数が高められる場合にあっても、電源
電圧値の増大と水平帰線期間において共振コンデンサの
両端間に得られるパルス電圧のピーク値の増大とを効果
的に抑制することができるものとする。 【解決手段】電源の両端間に接続された、チョークコイ
ル１２と水平同期信号に同期した水平駆動信号によりオ
ン・オフ制御されて水平帰線期間及び水平走査期間を設
定する第１のスイッチ部１３，１４との直列接続と、第
１のスイッチ部１３，１４に並列に接続された第１の共
振コンデンサ１５と、第１のスイッチ部１３，１４に並
列に接続された、水平偏向コイル１６と第２の共振コン
デンサ１８とＳ字補正コンデンサ１９との直列接続と、
第２の共振コンデンサ１８に実質的に並列に接続され
て、水平帰線期間内においてオフ状態をとるべく駆動さ
れる第２のスイッチ部２０，２１とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願の特許請求の範囲に記載
された発明は、画像表示用陰極線管を使用して映像信号
に応じた画像表示を行うにあたり、画像表示用陰極線管
内における電子ビームの水平方向の偏向を生じさせるべ
く用いられる水平偏向回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】画像表示用陰極線管を使用して映像信号
に応じた画像表示を行う画像表示装置、例えば、テレビ
ジョン受像機においては、画像表示用陰極線管内におけ
る電子ビームの水平方向及び垂直方向の偏向を生じさせ
るための、水平偏向コイルを含んだ水平偏向回路及び垂
直偏向コイルを含んだ垂直偏向回路が用いられ、水平偏
向コイル及び垂直偏向コイルは、通常、合体されて偏向
コイル部を形成するものとされたもとで画像表示用陰極
線管に係合せしめられる。このような、テレビジョン受
像機等において用いられる水平偏向回路及び垂直偏向回
路のうち、水平偏向コイルを含む水平偏向回路は、基本
的には、例えば、図６に示される如くに構成される。

【０００３】図６に示される基本的な水平偏向回路にあ
っては、電圧値をＶccとする電源電圧を供給する電源の
両端間にチョークコイル２とスイッチングトランジスタ
素子３のコレクタ−エミッタ通路とが直列に接続されて
いる。そして、スイッチングトランジスタ素子３のコレ
クタ−エミッタ通路に対して並列に、ダンパーダイオー
ド素子４，共振コンデンサ５、及び、水平偏向コイル６
とＳ字補正コンデンサ７との直列接続の夫々が接続され
ている。スイッチングトランジスタ素子３とダンパーダ
イオード素子４とは、実質的に１個のスイッチ部を形成
している。

【０００４】このようなもとで、スイッチングトランジ
スタ素子３のベースに、画像表示用陰極線管による画像
表示に供される映像信号における水平同期信号に同期し
た水平駆動信号ＤＨが供給されて、スイッチングトラン
ジスタ素子３についての水平駆動信号ＤＨによるオン・
オフ制御が行われる。それにより、スイッチングトラン
ジスタ素子３とダンパーダイオード素子４とにより形成
されるスイッチ部が、水平駆動信号ＤＨに応じてオフ状
態とオン状態とをとるものとされ、水平帰線期間と水平
走査期間とが設定される。

【０００５】図７のＡは、スイッチングトランジスタ素
子３のコレクタ−エミッタ通路のオン・オフ状態を示
し、図７のＢは、ダンパーダイオード素子４のオン・オ
フ状態を示す。これらの図７のＡ及びＢに示される如
く、水平帰線期間においては、スイッチングトランジス
タ素子３のコレクタ−エミッタ通路及びダンパーダイオ
ード素子４の両者がオフ状態におかれ、水平走査期間に
おいては、先ずダンパーダイオード素子４がオン状態と
され、次いでスイッチングトランジスタ素子３のコレク
タ−エミッタ通路がオン状態とされる。

【０００６】そして、このような水平帰線期間と水平走
査期間とが設定されるもとで、水平偏向コイル６に、水
平偏向電流が、水平走査期間においては走査電流とし
て、さらに、水平帰線期間においては帰線電流として流
れる。この水平偏向電流は、Ｓ字補正コンデンサ７を通
じることにより、水平走査期間の全体に亙って、及び、
水平帰線期間の全体に亙って、波形がＳ字状を成すもの
とされる。また、このとき共振コンデンサ５の両端間に
は、図７のＣに示される如くに、水平走査期間において
は負方向の電圧が得られ、水平帰線期間においては比較
的高いパルス電圧が得られる。そして、共振コンデンサ
５の両端間に得られる図７のＣに示される如くの電圧
が、スイッチングトランジスタ素子３のコレクタ−エミ
ッタ間にかけられることになる。

【０００７】上述の如くにして、水平偏向コイル６を水
平偏向電流が走査電流及び帰線電流として流れることに
より、水平偏向コイル６が係合する画像表示用陰極線管
内にまで及ぶ水平偏向磁界が形成され、その水平偏向磁
界により、画像表示用陰極線管内における電子ビームの
水平方向の偏向走査が生じる。斯かる画像表示用陰極線
管内における電子ビームの水平方向の偏向走査の幅、即
ち、水平走査幅は、水平偏向磁界の強度、従って、水平
偏向コイル６を流れる水平偏向電流の値に応じたものと
される。

【０００８】このようなもとで、画像表示用陰極線管内
において所定の水平走査幅を得るのに要される水平偏向
磁界の強度を示すものとして偏向指数が用いられる。こ
の偏向指数は、図６に示される水平偏向回路における水
平偏向コイル６のインダクタンスをＬh とし、水平偏向
コイル６を流れる水平偏向電流の値をＩh とすると、Ｌ
h ・Ｉh ² 、即ち、水平偏向コイル６のインダクタンス
と水平偏向電流の値の二乗との積をもってあらわされ
る。

【０００９】図６に示される電源電圧値をＶccとする水
平偏向回路において、チョークコイル２のインダクタン
スをＬ2 ，共振コンデンサ５のキャパシタンスをＣ5 ，
Ｓ字補正コンデンサ７のキャパシタンスをＣ7 とする
と、水平帰線期間において共振コンデンサ５の両端間に
得られるパルス電圧は、水平帰線期間をＴｒとして、水
平帰線期間内の時点Ｔr ／２＝π／２・〔｛Ｌ2 ・Ｌh
／（Ｌ2 ＋Ｌh)｝・｛Ｃ5 ・Ｃ7 ／（Ｃ5 ＋Ｃ7)｝〕
^1/2 においてピーク値Ｖcpをとることになり、水平走査
期間をＴt とすると、ピーク値Ｖcpは、数１によってあ
らわされる。

【００１０】

【数１】Ｖcp＝Ｖcc・( 1 + π／2 ・Ｔt ／Ｔr)

【００１１】また、水平偏向コイル６を流れる水平偏向
電流の水平走査期間の終端におけるピーク値Ｉhpは、数
２によってあらわされる。

【００１２】

【数２】Ｉhp＝Ｔt ・Ｖcc／Ｌh

【００１３】上述の如くの水平偏向回路を備えたテレビ
ジョン受像機等の画像表示装置にあっては、特に近年に
おいて、水平周波数が次第に高くされていく傾向にあ
る。その原因としては、画像表示用陰極線管により表示
される画像における水平解像度が高められ、所謂、高解
像度画像が得られるようにされてきていること、さらに
は、画像表示用陰極線管により表示される画像のフリッ
カー的変化を一層抑制すべく垂直周波数が高くされてき
ていることが挙げられる。

【００１４】水平周波数が高められる場合、水平周波数
が高くなる程水平走査期間Ｔt 及び水平帰線期間Ｔr の
夫々が短くなる。一方、画像表示用陰極線管内における
電子ビームの水平走査幅は、水平周波数の如何にかかわ
らず、その必要とされる値が画像表示用陰極線管におけ
る表示面（フロント・フェイス）部の寸法によって定め
られる。それゆえ、各画像表示用陰極線管において要求
される水平走査幅を実現するために必要とされる水平偏
向電流のピーク値Ｉhpを得る際には、水平偏向コイル６
のインダクタンスＬh を一定として、数２からして、水
平周波数が高められて水平走査期間Ｔt が短く成る程、
電源電圧値Ｖccが大とされることになる。

【００１５】水平周波数が高められて電源電圧値Ｖccが
大とされると、仮にＴt ／Ｔr が一定に維持されるとし
ても、上記の数１よりして、水平帰線期間Ｔr において
共振コンデンサ５の両端間に得られるパルス電圧のピー
ク値Ｖcpが高められることになる。そして、このピーク
値Ｖcpを有する電圧は、スイッチングトランジスタ素子
３のコレクタ−エミッタ間にかけられる。従って、水平
帰線期間Ｔr において共振コンデンサ５の両端間に得ら
れるパルス電圧のピーク値Ｖcpを、スイッチングトラン
ジスタ素子３のコレクタ−エミッタ間耐圧を越えないよ
うにする配慮が必要とされることになる。

【００１６】従来にあっては、水平帰線期間Ｔr におい
て共振コンデンサ５の両端間に得られるパルス電圧のピ
ーク値Ｖcpをスイッチングトランジスタ素子３のコレク
タ−エミッタ間耐圧を越えないようにする対策として、
例えば、二つの方策がとられている。その一つは、数２
からして、各画像表示用陰極線管において要求される水
平走査幅を実現するために必要とされる水平偏向電流の
ピーク値Ｉhpを得るにあたり、水平偏向コイル６のイン
ダクタンスＬh を低減させることによって、水平周波数
が高められることに伴う電源電圧値Ｖccの増大を抑制で
きることになるので、水平偏向回路における水平偏向コ
イル６のインダクタンスＬh を、Ｌh ・Ｉh ² としてあ
らわされる偏向指数を略一定に維持しつつ、低減させる
ことである。また、他の一つは、スイッチングトランジ
スタ素子３として、コレクタ−エミッタ間耐圧が極めて
高い高耐圧トランジスタ素子を用いることである。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
二つの方策のうちの一つである、水平偏向コイル６のイ
ンダクタンスＬh を低減させる方策がとられる場合、水
平偏向コイル６の巻数の面からの制約を受ける。即ち、
水平偏向コイル６のインダクタンスＬh は、水平偏向コ
イル６の巻数を低減させることにより低減できるが、水
平偏向コイル６の巻数を無闇に低減させると、当該水平
偏向コイル６が適用される画像表示用陰極線管がカラー
画像を表示するカラー陰極線管である場合に必要とされ
る、コンバージェンス補正磁界の形成に支障をきたすこ
とになるとともに、水平偏向コイル６の製造上のばらつ
きが許容値を越える程大となってしまうという不都合が
生じる。従って、水平偏向コイル６のインダクタンスＬ
h を、電源電圧値Ｖccの増大を必要なだけ抑制するとい
う目的を達成すべく、充分に低減させることが困難とさ
れてしまう。

【００１８】また、上述の二つの方策のうちの他の一つ
である、スイッチングトランジスタ素子３として、コレ
クタ−エミッタ間耐圧が極めて高い高耐圧トランジスタ
素子を用いる方策がとられる場合には、高い高耐圧トラ
ンジスタ素子の入手の面において困難を伴う。共振コン
デンサ５の両端間に得られるパルス電圧のピーク値Ｖcp
は、例えば、水平周波数が１２０ｋＨｚとされるもと
で、１，３００Ｖに達する場合もあり、斯かる場合に
は、スイッチングトランジスタ素子３として、ＶＣＢＯ
定格として１，７００Ｖ以上の耐圧を具える高耐圧トラ
ンジスタ素子が必要とされることになる。このような高
耐圧トランジスタ素子については、ある程度のまとまっ
た量を妥当な価格で入手することが極めて困難とされて
おり、入手できるとしても、価格面での負担が過剰とな
り、かつ、性能面において過大なリスクを負うことにな
る虞がある。

【００１９】斯かる点に鑑み、本願の特許請求の範囲に
記載された発明は、電源の両端間に接続されたコイルと
水平同期信号に同期した水平駆動信号によってオン・オ
フ制御されて水平帰線期間及び水平走査期間を設定する
スイッチ部との直列接続と、スイッチ部に並列に接続さ
れた共振コンデンサと、同じくスイッチ部に並列に接続
された水平偏向コイルとＳ字補正コンデンサとの直列接
続とを含んだ基本構成を有したもとで、それが適用され
る画像表示用陰極線管において要求される水平走査幅を
実現するために必要とされる水平偏向電流のピーク値を
得るにあたり、水平周波数が高められる場合にあって
も、電源電圧値の増大と水平帰線期間において共振コン
デンサの両端間に得られるパルス電圧のピーク値の増大
とを効果的に抑制することができ、それにより、例え
ば、スイッチ部を形成するスイッチングトランジスタ素
子として入手に困難を伴う高耐圧トランジスタ素子を用
いないで済むことになる水平偏向回路を提供する。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本願の特許請求の範囲に
おける請求項１から請求項５までのいずれかに記載され
た発明に係る水平偏向回路は、電源の両端間に接続され
た、コイルと水平同期信号に同期した水平駆動信号によ
りオン・オフ制御されて水平帰線期間及び水平走査期間
を設定する第１のスイッチ部との直列接続と、第１のス
イッチ部に並列に接続された第１の共振コンデンサと、
第１のスイッチ部に並列に接続された、水平偏向コイル
と第２の共振コンデンサとＳ字補正コンデンサとの直列
接続と、第２の共振コンデンサに実質的に並列に接続さ
れて、水平帰線期間内においてオフ状態をとるべく駆動
される第２のスイッチ部とを備えて構成される。

【００２１】特に、本願の特許請求の範囲における請求
項３に記載された発明に係る水平偏向回路は、請求項１
から請求項５までのいずれかに記載された発明に係る水
平偏向回路についての基本的構成を備えたもとで、第２
のスイッチ部が、ゲートに水平駆動信号もしくは水平駆
動信号に同期した駆動信号が供給され、水平帰線期間内
においてドレイン−ソース通路がオフ状態とされる静電
誘導型トランジスタ素子と、その静電誘導型トランジス
タ素子のドレイン−ソース通路に並列に接続されたダン
パーダイオード素子とを含んで形成されるものとされ
る。

【００２２】また、特に、本願の特許請求の範囲におけ
る請求項４に記載された発明に係る水平偏向回路は、請
求項１から請求項５までのいずれかに記載された発明に
係る水平偏向回路についての基本的構成を備えたもと
で、第２のスイッチ部が、ゲートに水平駆動信号もしく
は水平駆動信号に同期した駆動信号が供給され、水平帰
線期間内においてドレイン−ソース通路がオフ状態とさ
れるディプリーション型電界効果トランジスタ素子と、
そのディプリーション型電界効果トランジスタ素子のド
レイン−ソース通路に並列に接続されたダンパーダイオ
ード素子とを含んで形成されるものとされる。

【００２３】上述の本願の特許請求の範囲における請求
項１から請求項５までのいずれかに記載された発明に係
る水平偏向回路にあっては、水平帰線期間内において、
即ち、水平帰線期間の全体に亙って、もしくは、水平帰
線期間の一部において、第２のスイッチ部がオフ状態に
おかれる。従って、第２のスイッチ部がオフ状態とされ
る水平帰線期間内において、Ｓ字補正コンデンサ及び水
平偏向コイルを通じて流れる水平偏向電流に対して第２
の共振コンデンサと第１の共振コンデンサとが直列に配
されることになり、第２のスイッチ部がオフ状態とされ
る水平帰線期間内においては、Ｓ字補正コンデンサ及び
水平偏向コイルを通じて流れる水平偏向電流が第２の共
振コンデンサ及び第１の共振コンデンサの夫々に流入
し、第２の共振コンデンサの両端間及び第１の共振コン
デンサの両端間の夫々にパルス電圧が発生する。

【００２４】その結果、水平偏向コイルの両端間には、
第２のスイッチ部がオフ状態とされる水平帰線期間内に
おいて、第２の共振コンデンサが無く、第１のスイッチ
部に水平偏向コイルとＳ字補正コンデンサとの直列接続
が並列に接続される場合においてかけられるパルス電圧
に比して、ピーク値を大とするパルス電圧がかけられ
る。それに伴い、第２のスイッチ部がオン状態とされる
水平走査期間においても、水平偏向コイルの両端間に
は、第２の共振コンデンサが無く、第１のスイッチ部に
水平偏向コイルとＳ字補正コンデンサとの直列接続が並
列に接続される場合においてかけられる電圧に比して、
大なる電圧がかけられる。即ち、水平偏向コイルの両端
間電圧が増大せしめられるのである。それゆえ、第２の
共振コンデンサの容量値が適切に選定されることによ
り、当該水平偏向回路が適用される画像表示用陰極線管
において要求される水平走査幅を実現するために必要と
される水平偏向電流のピーク値が、電源の電圧値が増大
せしめられることなく得られることになる。

【００２５】また、斯かる際において、第２のスイッチ
部がオフ状態とされる水平帰線期間内において水平偏向
コイルの両端間にかけられる、ピーク値が増大せしめら
れたパルス電圧は、第１の共振コンデンサと第２の共振
コンデンサとに、各々の容量値に応じて分配されるの
で、第２の共振コンデンサの容量値が適切に選定される
ことにより、第１の共振コンデンサの両端間に得られる
パルス電圧のピーク値が、第２の共振コンデンサが無
く、第１のスイッチ部に水平偏向コイルとＳ字補正コン
デンサとの直列接続が並列に接続される場合に比して低
下せしめられる。

【００２６】従って、適用される画像表示用陰極線管に
おいて要求される水平走査幅を実現するために必要とさ
れる水平偏向電流のピーク値を得るにあたり、水平周波
数が高められる場合においても、電源電圧値の増大と水
平帰線期間において第１の共振コンデンサの両端間に得
られるパルス電圧のピーク値の増大とが効果的に抑制さ
れ得ることになり、それによって、例えば、第１のスイ
ッチ部を形成するスイッチングトランジスタ素子として
入手に困難を伴う高耐圧トランジスタ素子が用いられる
ことを要さないものとなる。

【００２７】また、特に、本願の特許請求の範囲におけ
る請求項３に記載された発明に係る水平偏向回路、及
び、特許請求の範囲における請求項４に記載された発明
に係る水平偏向回路にあっては、夫々、請求項１から請
求項５までのうちのいずれかに記載された発明に係る水
平偏向回路についての基本的構成を備えたもとで、第２
のスイッチ部が、ドレイン−ソース通路が第２の共振コ
ンデンサに実質的に並列に接続された静電誘導型トラン
ジスタ素子とそのドレイン−ソース通路に並列に接続さ
れたダンパーダイオード素子とを含んで形成されるも
の、及び、請求項１から請求項５までのいずれかに記載
された発明に係る水平偏向回路についての基本的構成を
備えたもとで、第２のスイッチ部が、ドレイン−ソース
通路が第２の共振コンデンサに実質的に並列に接続され
たディプリーション型電界効果トランジスタ素子とその
ドレイン−ソース通路に並列に接続されたダンパーダイ
オード素子とを含んで形成されるものとされる。

【００２８】そして、静電誘導型トランジスタ素子は、
そのゲートに駆動電圧が供給されないもとでドレイン−
ソース通路がオン状態に維持され、また、ディプリーシ
ョン型電界効果トランジスタ素子は、そのゲートに駆動
電圧が供給されないもとでドレイン−ソース通路がオン
状態に維持される。従って、第２のスイッチ部を形成す
るスイッチングトランジスタ素子に対する駆動回路にあ
っては、例えば、電源投入時において、スイッチングト
ランジスタ素子に、それをオン状態とすべく駆動電圧が
供給される際に生じる虞がある素子破壊を防ぐための保
護回路等が不要とされる、極めて簡単なもので足りるこ
とになる。

【００２９】

【発明の実施の形態】図１は、本願の特許請求の範囲に
おける請求項１，請求項２，請求項３及び請求項５のい
ずれかに記載された発明に係る水平偏向回路の一例を示
す。

【００３０】図１に示される例においては、電圧値をＶ
ccとする電源の両端間に、チョークコイル１２とスイッ
チングトランジスタ素子１３のコレクタ−エミッタ通路
とが直列に接続されている。そして、スイッチングトラ
ンジスタ素子１３のコレクタ−エミッタ通路に対して並
列に、ダンパーダイオード素子１４，第１の共振コンデ
ンサ１５、及び、水平偏向コイル１６とフェライトビー
ズ・インダクタ１７と第２の共振コンデンサ１８とＳ字
補正コンデンサ１９との直列接続の夫々が接続されてい
る。スイッチングトランジスタ素子１３とダンパーダイ
オード素子１４とは、実質的に第１のスイッチ部を形成
している。

【００３１】また、フェライトビーズ・インダクタ１７
と第２の共振コンデンサ１８との直列接続に対して並列
に、スイッチングトランジスタ素子２０のドレイン−ソ
ース通路と、ダンパーダイオード素子２１とが接続され
ている。スイッチングトランジスタ素子２０は、静電誘
導型トランジスタ素子とされる。そして、斯かるスイッ
チングトランジスタ素子２０のドレイン−ソース通路及
びダンパーダイオード素子２１の夫々は、第２の共振コ
ンデンサ１８に対して実質的に並列に接続されている。
また、静電誘導型トランジスタ素子とされたスイッチン
グトランジスタ素子２０とダンパーダイオード素子２１
とは、実質的に第２のスイッチ部を形成している。

【００３２】さらに、スイッチングトランジスタ素子２
０にあっては、そのゲートが、駆動信号形成部２５の出
力端に接続されている。

【００３３】このようなもとで、スイッチングトランジ
スタ素子１３のベースに、図１に示される例が適用され
る画像表示用陰極線管による画像表示に供される映像信
号における、水平同期信号に同期した水平駆動信号ＤＨ
が供給され、また、スイッチングトランジスタ素子２０
のゲートに、駆動信号形成部２５において形成される水
平駆動信号ＤＨに同期した駆動信号ＤＨ’が供給され
る。

【００３４】スイッチングトランジスタ素子１３におい
ては、水平駆動信号ＤＨによる駆動が行われて、スイッ
チングトランジスタ素子１３のコレクタ−エミッタ通路
が、オフ状態からオン状態への移行及びオン状態からオ
フ状態への移行を行うべくオン・オフ制御される。それ
により、スイッチングトランジスタ素子１３とダンパー
ダイオード素子１４とにより形成される第１のスイッチ
部が、水平駆動信号ＤＨに応じてオフ状態とオン状態と
をとるものとされ、水平帰線期間と水平走査期間とが設
定される。

【００３５】また、スイッチングトランジスタ素子２０
においても、駆動信号形成部２５からの水平駆動信号Ｄ
Ｈに同期した駆動信号ＤＨ’による駆動が行われて、ス
イッチングトランジスタ素子２０のドレイン−ソース通
路が、オフ状態からオン状態への移行及びオン状態から
オフ状態への移行を行うべくオン・オフ制御される。そ
れにより、スイッチングトランジスタ素子２０とダンパ
ーダイオード素子２１とにより形成される第２のスイッ
チ部が、駆動信号ＤＨ’に従い、水平帰線期間において
オフ状態をとり、水平走査期間においてオン状態をと
る。斯かる際において、スイッチングトランジスタ素子
２０が静電誘導型トランジスタ素子であることからし
て、スイッチングトランジスタ素子２０のゲートに供給
される駆動信号ＤＨ’は、スイッチングトランジスタ素
子２０のドレイン−ソース通路がオン状態におかれる水
平走査期間においては、実質的にスイッチングトランジ
スタ素子２０のゲートに電圧を加えない信号とされる。

【００３６】図２のＡ，Ｂ，Ｃ及びＤは、夫々、スイッ
チングトランジスタ素子１３のコレクタ−エミッタ通路
のオン・オフ状態，ダンパーダイオード素子１４のオン
・オフ状態，スイッチングトランジスタ素子２０のドレ
イン−ソース通路のオン・オフ状態，ダンパーダイオー
ド素子２１のオン・オフ状態を示す。これらの図２のＡ
〜Ｄに示される如く、水平帰線期間においては、スイッ
チングトランジスタ素子１３のコレクタ−エミッタ通
路，ダンパーダイオード素子１４，スイッチングトラン
ジスタ素子２０のドレイン−ソース通路及びダンパーダ
イオード素子２１のいずれもがオフ状態におかれ、水平
走査期間においては、先ずダンパーダイオード素子１４
とダンパーダイオード素子２１とがオン状態とされ、次
いでスイッチングトランジスタ素子１３のコレクタ−エ
ミッタ通路とスイッチングトランジスタ素子２０のドレ
イン−ソース通路とがオン状態とされる。

【００３７】このようにして、ダンパーダイオード素子
１４もしくはスイッチングトランジスタ素子１３のコレ
クタ−エミッタ通路がオン状態とされて第１のスイッチ
部がオン状態をとることにより設定される水平走査期間
には、水平偏向コイル１６に、水平偏向電流が走査電流
として流れ、また、スイッチングトランジスタ素子１３
のコレクタ−エミッタ通路とダンパーダイオード素子１
４との両者がオフ状態とされて第１のスイッチ部がオフ
状態とをとることにより設定される水平帰線期間には、
水平偏向コイル１６に、水平偏向電流が帰線電流として
流れる。この水平偏向コイル１６を流れる水平偏向電流
は、Ｓ字補正コンデンサ１９を通じることにより、水平
走査期間の全体に亙って、及び、水平帰線期間の全体に
亙って、波形がＳ字状を成すものとされる。

【００３８】斯かるもとで、ダンパーダイオード素子１
４もしくはスイッチングトランジスタ素子１３のコレク
タ−エミッタ通路がオン状態とされて第１のスイッチ部
がオン状態をとるとともに、ダンパーダイオード素子２
１もしくはスイッチングトランジスタ素子２０のドレイ
ン−ソース通路がオン状態とされて第２のスイッチ部が
オン状態をとる水平走査期間において、Ｓ字補正コンデ
ンサ１９及び水平偏向コイル１６を通じて流れる水平偏
向電流が、スイッチングトランジスタ素子１３のコレク
タ−エミッタ通路とダンパーダイオード素子１４との両
者がオフ状態とされて第１のスイッチ部がオフ状態をと
るとともに、スイッチングトランジスタ素子２０のドレ
イン−ソース通路とダンパーダイオード素子２１との両
者がオフ状態とされて第２のスイッチ部がオフ状態をと
る水平帰線期間において、第２の共振コンデンサ１８及
びフェライトビーズ・インダクタ１７に流入し、さら
に、第１の共振コンデンサ１５に流入する。

【００３９】即ち、水平帰線期間においては、Ｓ字補正
コンデンサ１９及び水平偏向コイル１６を通じて流れる
水平偏向電流に対して第２の共振コンデンサ１８と第１
の共振コンデンサ１５とが直列に配されることになるの
であり、それにより、第２の共振コンデンサ１８の両端
間及び第１の共振コンデンサ１５の両端間の夫々にパル
ス電圧が発生する。その結果、水平偏向コイル１６とフ
ェライトビーズ・インダクタ１７との間の接続点Ｐに、
図２のＥに示される如くのパルス電圧が得られるととも
に、水平偏向コイル１６とチョークコイル１２との間の
接続点Ｑに、図２のＦに示される如くのパルス電圧が得
られる。

【００４０】なお、フェライトビーズ・インダクタ１７
は、スイッチングトランジスタ素子２０のドレイン−ソ
ース通路がオフ状態からオン状態に移行する際における
余計な振動電流の発生を抑制する役割を果たす。

【００４１】図２のＥに示される接続点Ｐに得られるパ
ルス電圧と図２のＦに示される接続点Ｑに得られるパル
ス電圧とは、互いに極性を異にするので、水平偏向コイ
ル１６の両端間には、水平帰線期間において、図２のＥ
に示されるパルス電圧と図２のＦに示されるパルス電圧
との和に相当するパルス電圧が加えられることになり、
斯かる水平偏向コイル１６の両端間にかけられるパルス
電圧は、第２の共振コンデンサ１８が無く、第１のスイ
ッチ部に水平偏向コイル１６とＳ字補正コンデンサ１９
との直列接続が並列に接続される場合においてかけられ
るパルス電圧に比して、ピーク値が増大せしめられたも
のとなる。

【００４２】また、それに伴い、水平走査期間において
も、接続点Ｐに得られる図２のＥに示される如くの電圧
と接続点Ｑに得られる図２のＦに示される如くの電圧と
は、互いに極性を異にするので、水平偏向コイル１６の
両端間には、第２の共振コンデンサ１８が無く、第１の
スイッチ部に水平偏向コイル１６とＳ字補正コンデンサ
１９との直列接続が並列に接続される場合においてかけ
られる電圧に比して大なる値を有する電圧がかけられる
ことになる。従って、水平偏向コイル１６の両端間電圧
が増大せしめられることになる。それゆえ、第２の共振
コンデンサ１８の容量値を適切に選定することにより、
図１の例が適用される画像表示用陰極線管において要求
される水平走査幅を実現するために必要とされる水平偏
向電流のピーク値を、電源の電圧値Ｖccを増大させるこ
となく得ることができる。

【００４３】斯かるもとで、スイッチングトランジスタ
素子１３のコレクタ−エミッタ通路とダンパーダイオー
ド素子１４との両者がオフ状態とされて第１のスイッチ
部がオフ状態をとるとともに、スイッチングトランジス
タ素子２０のドレイン−ソース通路とダンパーダイオー
ド素子２１との両者がオフ状態とされて第２のスイッチ
部がオフ状態をとる水平帰線期間において、水平偏向コ
イル１６の両端間にかけられる、ピーク値が増大せしめ
られたパルス電圧は、第１の共振コンデンサ１５と第２
の共振コンデンサ１８とに、各々の容量値に応じて分配
される。それゆえ、第２の共振コンデンサ１８の容量値
を適切に選定することにより、第１の共振コンデンサ１
５の両端間に得られるパルス電圧のピーク値を、第２の
共振コンデンサ１８が無く、第１のスイッチ部に水平偏
向コイル１６とＳ字補正コンデンサ１９との直列接続が
並列に接続される場合に比して低下させることができ
る。

【００４４】従って、図１に示される例によれば、それ
が適用される画像表示用陰極線管において要求される水
平走査幅を実現するために必要とされる水平偏向電流の
ピーク値を得るにあたり、水平周波数が高められる場合
においても、電源の電圧値Ｖccの増大と水平帰線期間に
おいて第１の共振コンデンサ１５の両端間に得られるパ
ルス電圧のピーク値の増大とを効果的に抑制することが
でき、それによって、例えば、第１のスイッチ部を形成
するスイッチングトランジスタ素子１３として入手に困
難を伴う高耐圧トランジスタ素子を用いることが要され
ないことになる。

【００４５】さらに、上述の図１に示される例において
は、第２のスイッチ部を形成するスイッチングトランジ
スタ素子２０が静電誘導型トランジスタ素子とされてお
り、静電誘導型トランジスタ素子は、そのゲートに駆動
電圧が供給されないもとでドレイン−ソース通路がオン
状態に維持されるので、駆動信号形成部２５からスイッ
チングトランジスタ素子２０のゲートに供給される駆動
信号ＤＨ’は、スイッチングトランジスタ素子２０のド
レイン−ソース通路がオン状態におかれる水平走査期間
においては、実質的にスイッチングトランジスタ素子２
０のゲートに電圧を加えない信号とされている。従っ
て、駆動信号形成部２５は、例えば、電源投入時におい
て、スイッチングトランジスタ素子２０にそのドレイン
−ソース通路をオン状態とすべく駆動電圧を供給する際
に生じる虞がある素子破壊を防ぐための保護回路等が不
要とされ、極めて簡単なもので足りることになる。

【００４６】図３は、駆動信号形成部２５の具体構成例
を示す。この図３に示される駆動信号形成部２５の具体
構成例は、駆動電源用トランスフォーマ３１，順バイア
ス用抵抗３２，逆バイアス用ダイオード３３，逆バイア
ス用抵抗３４、及び、帰還抵抗３５を含んで構成されて
いる。駆動電源用トランスフォーマ３１にあっては、そ
の一次側巻線が、一端が水平偏向コイル１６とチョーク
コイル１２との間の接続点Ｑに接続されるとともに、他
端が電圧値をＶcc' とする電源に接続されており、ま
た、その二次側巻線が、一端が水平偏向コイル１６とフ
ェライトビーズ・インダクタ１７との間の接続点Ｐに接
続されるとともに、他端が順バイアス用抵抗３２の一端
及び逆バイアス用抵抗３４の一端の共通接続点に接続さ
れている。そして、駆動電源用トランスフォーマ３１の
二次側巻線に、接続点Ｑに得られる図２のＦに示される
如くのパルス電圧が変圧されて得られる、水平駆動信号
ＤＨに同期したパルス電圧が生じ、そのパルス電圧が、
接続点Ｐと順バイアス用抵抗３２の一端及び逆バイアス
用抵抗３４の一端の共通接続点との間に加えられる。

【００４７】このような駆動信号形成部２５の具体構成
例は、スイッチングトランジスタ素子２０である静電誘
導型トランジスタ素子がフローティング構成とされてい
るゆえ、フローティング構成をとるものとされている。
そして、駆動電源用トランスフォーマ３１の二次側巻線
に得られる水平駆動信号ＤＨに同期したパルス電圧に基
づく、水平駆動信号ＤＨに同期した駆動信号ＤＨ’が、
スイッチングトランジスタ素子２０のゲートが接続され
た、順バイアス用抵抗３２，逆バイアス用ダイオード３
３及び帰還抵抗３５の夫々の一端の共通接続点Ｒに得ら
れる。図４は、共通接続点Ｒに得られる駆動信号ＤＨ’
の例を示す。

【００４８】斯かるもとにおいては、スイッチングトラ
ンジスタ素子２０に対する順方向バイアスが、順バイア
ス用抵抗３２によって定められることになり、スイッチ
ングトランジスタ素子２０のドレイン−ソース通路にお
けるオン状態のもとでの抵抗値（オン抵抗）が充分に低
減せしめられる。また、スイッチングトランジスタ素子
２０に対する逆方向バイアスが、逆バイアス用ダイオー
ド３３，逆バイアス用抵抗３４及び順バイアス用抵抗３
２によって定められることになり、スイッチングトラン
ジスタ素子２０のドレイン−ソース通路が、オン状態か
らオフ状態に急速に移行せしめられる。

【００４９】図５は、本願の特許請求の範囲における請
求項１，請求項２，請求項４及び請求項５のいずれかに
記載された発明に係る水平偏向回路の一例を示す。

【００５０】図５に示される例は、図１に示される例に
おいて、静電誘導型トランジスタ素子とされたスイッチ
ングトランジスタ素子２０に代えて、ディプリーション
型電界効果トランジスタ素子とされたスイッチングトラ
ンジスタ素子４０が用いられたものに相当し、その他の
構成は図１に示される例と同様とされている。図５にお
いて、図１に示される例における各部に対応する部分に
は、図１と共通の符号が付されており、それらに対する
重複説明は省略される。

【００５１】図５に示される例においては、フェライト
ビーズ・インダクタ１７と第２の共振コンデンサ１８と
の直列接続に対して並列に、ディプリーション型電界効
果トランジスタ素子とされたスイッチングトランジスタ
素子４０のドレイン−ソース通路と、ダンパーダイオー
ド素子２１とが接続されており、斯かるスイッチングト
ランジスタ素子４０のドレイン−ソース通路及びダンパ
ーダイオード素子２１の夫々は、第２の共振コンデンサ
１８に対して実質的に並列に接続されている。また、デ
ィプリーション型電界効果トランジスタ素子とされたス
イッチングトランジスタ素子４０とダンパーダイオード
素子２１とは、実質的に第２のスイッチ部を形成してい
る。そして、ディプリーション型電界効果トランジスタ
素子とされたスイッチングトランジスタ素子４０のゲー
トが、水平駆動信号ＤＨに同期した駆動信号ＤＨ’を供
給する駆動信号供給部２５に接続されている。

【００５２】このようなもとで、ディプリーション型電
界効果トランジスタ素子とされたスイッチングトランジ
スタ素子４０は、図１に示される例における静電誘導型
トランジスタ素子とされたスイッチングトランジスタ素
子２０と同様に動作し、そのドレイン−ソース通路が、
水平帰線期間においてオフ状態とされ、水平走査期間の
後半においてオン状態とされる。その際、ディプリーシ
ョン型電界効果トランジスタ素子は、そのゲートに駆動
電圧が供給されないもとでドレイン−ソース通路がオン
状態に維持されるので、駆動信号形成部２５からディプ
リーション型電界効果トランジスタ素子とされたスイッ
チングトランジスタ素子４０のソースに供給される駆動
信号ＤＨ’は、スイッチングトランジスタ素子４０のド
レイン−ソース通路がオン状態におかれる水平走査期間
においては、実質的にスイッチングトランジスタ素子４
０のゲートに電圧を加えない信号とされる。

【００５３】斯かる図５に示される例においても、図１
に示される例と同様な動作が行われて、図１に示される
例により得られる作用効果と同様な作用効果が得られ
る。また、図５に示される例における駆動信号形成部２
５についても、図３に示される如くの具体構成例が適用
される。

【００５４】上述の図１及び図５に示される例にあって
は、静電誘導型トランジスタ素子とされたスイッチング
トランジスタ素子２０とダンパーダイオード素子２１と
により、もしくは、ディプリーション型電界効果トラン
ジスタ素子とされたスイッチングトランジスタ素子４０
とダンパーダイオード素子２１とにより形成される第２
のスイッチ部が、水平帰線期間の全体に亙ってオフ状態
をとり、水平走査期間においてオン状態をとるようにさ
れているが、第２のスイッチ部についてのオン／オフ状
態は斯かる態様に限られず、例えば、第２のスイッチ部
が、水平帰線期間の一部においてオフ状態をとり、水平
走査期間を含む他の期間においてオン状態をとるように
されてもよく、要は、第２のスイッチ部が、水平帰線期
間内においてオフ状態をとるようにされればよい。ま
た、上述の図１及び図５に示される例にあっては、スイ
ッチングトランジスタ素子１３のコレクタ−エミッタ通
路に対して並列に接続された水平偏向コイル１６を含む
直列接続が、水平偏向コイル１６，フェライトビーズ・
インダクタ１７，第２の共振コンデンサ１８及びＳ字補
正コンデンサ１９という配列順序をもって形成されてい
るが、水平偏向コイル１６を含む直列接続における配列
順序は、斯かる例に限られるものではない。

【００５５】

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本願の特
許請求の範囲における請求項１から請求項５までのいず
れかに記載された発明に係る水平偏向回路によれば、水
平帰線期間内において、即ち、水平帰線期間の全体に亙
って、もしくは、水平帰線期間の一部において、第２の
スイッチ部がオフ状態におかれるとともに、その他の期
間において第２のスイッチ部がオン状態におかれる。そ
の結果、水平偏向コイルの両端間には、第２のスイッチ
部がオフ状態とされる水平帰線期間内において、第２の
共振コンデンサが無く、第１のスイッチ部に水平偏向コ
イルとＳ字補正コンデンサとの直列接続が並列に接続さ
れる場合においてかけられるパルス電圧に比して、ピー
ク値を大とするパルス電圧がかけられ、また、それに伴
って、第２のスイッチ部がオン状態とされる水平走査期
間においても、水平偏向コイルの両端間には、第２の共
振コンデンサが無く、第１のスイッチ部に水平偏向コイ
ルとＳ字補正コンデンサとの直列接続が並列に接続され
る場合においてかけられる電圧に比して、大なる電圧が
かけられて、水平偏向コイルの両端間電圧が増大せしめ
られる。それゆえ、第２の共振コンデンサの容量値を適
切に選定することにより、当該水平偏向回路が適用され
る画像表示用陰極線管において要求される水平走査幅を
実現するために必要とされる水平偏向電流のピーク値
を、電源の電圧値が増大させることなく得ることができ
る。

【００５６】また、第２のスイッチ部がオフ状態とされ
る水平帰線期間内において水平偏向コイルの両端間にか
けられる、ピーク値が増大せしめられたパルス電圧は、
第１の共振コンデンサと第２の共振コンデンサとに、各
々の容量値に応じて分配されるので、第２の共振コンデ
ンサの容量値を適切に選定することにより、第１の共振
コンデンサの両端間に得られるパルス電圧のピーク値
を、第２の共振コンデンサが無く、第１のスイッチ部に
水平偏向コイルとＳ字補正コンデンサとの直列接続が並
列に接続される場合に比して低下させることができる。

【００５７】従って、適用される画像表示用陰極線管に
おいて要求される水平走査幅を実現するために必要とさ
れる水平偏向電流のピーク値を得るにあたり、水平周波
数が高められる場合においても、電源電圧値の増大と水
平帰線期間において第１の共振コンデンサの両端間に得
られるパルス電圧のピーク値の増大とを効果的に抑制す
ることができ、それによって、例えば、第１のスイッチ
部を形成するスイッチングトランジスタ素子として入手
に困難を伴う高耐圧トランジスタ素子を用いることを要
されないことになる。また、換言すれば、電源電圧値の
増大と水平帰線期間において第１の共振コンデンサの両
端間に得られるパルス電圧のピーク値の増大とを抑制で
きるもとで、水平周波数を高めることができることにな
る。

【００５８】さらに、本願の特許請求の範囲における請
求項３に記載された発明に係る水平偏向回路、及び、本
願の特許請求の範囲における請求項４に記載された発明
に係る水平偏向回路によれば、夫々、請求項１から請求
項５までのいずれかに記載された発明に係る水平偏向回
路についての基本的構成を備えたもとで、第２のスイッ
チ部が、ドレイン−ソース通路が第２の共振コンデンサ
に実質的に並列に接続された静電誘導型トランジスタ素
子とそのドレイン−ソース通路に並列に接続されたダン
パーダイオード素子とを含んで形成されるもの、及び、
請求項１から請求項５までのいずれかに記載された発明
に係る水平偏向回路についての基本的構成を備えたもと
で、第２のスイッチ部が、ドレイン−ソース通路が第２
の共振コンデンサに実質的に並列に接続されたディプリ
ーション型電界効果トランジスタ素子とそのドレイン−
ソース通路に並列に接続されたダンパーダイオード素子
とを含んで形成されるものとされるので、第２のスイッ
チ部を形成するスイッチングトランジスタ素子に対する
駆動回路が、例えば、電源投入時において、スイッチン
グトランジスタ素子をオン状態とすべく駆動電圧を供給
する際に生じる虞がある素子破壊を防ぐための保護回路
等が不要とされる、極めて簡単なもので足りることにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本願の特許請求の範囲における請求項１，請
求項２，請求項３及び請求項５のいずれかに記載された
発明に係る水平偏向回路の一例を示す回路構成図であ
る。

【図２】 図１に示される例の動作説明に供されるタイ
ミング・チャートである。

【図３】 図１に示される例における駆動信号形成部の
具体構成例を示す回路構成図である。

【図４】 図３に示される駆動信号形成部の具体構成例
により得られる駆動信号を示す波形図である。

【図５】 本願の特許請求の範囲における請求項１，請
求項２，請求項４及び請求項５のいずれかに記載された
発明に係る水平偏向回路の一例を示す回路構成図であ
る。

【図６】 基本的な水平偏向回路を示す回路構成図であ
る。

【図７】 図６に示される基本的な水平偏向回路の動作
説明に供されるタイミング・チャートである。

【符号の説明】

１２・・・チョークコイル， １３，２０，４０・・・
スイッチングトランジスタ素子， １４，２１・・・ダ
ンパーダイオード素子， １５・・・第１の共振コンデ
ンサ， １６・・・水平偏向コイル， １７・・・フェ
ライトビーズ・インダクタ， １８・・・第２の共振コ
ンデンサ， １９・・・Ｓ字補正コンデンサ， ２５・
・・駆動信号形成部， ３１・・・駆動電源用トランス
フォーマ， ３２・・・順バイアス用抵抗， ３３・・
・逆バイアス用ダイオード， ３４・・・逆バイアス用
抵抗， ３５・・・帰還用抵抗

フロントページの続き (72)発明者 井上 佳昭 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5C068 BA08 BA09 GA16 GB01 JB07 LA01

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電源の両端間に接続された、コイルと水平
   同期信号に同期した水平駆動信号によりオン・オフ制御
   されて水平帰線期間及び水平走査期間を設定する第１の
   スイッチ部との直列接続と、 上記第１のスイッチ部に並列に接続された第１の共振コ
   ンデンサと、 上記第１のスイッチ部に並列に接続された、水平偏向コ
   イルと第２の共振コンデンサとＳ字補正コンデンサとの
   直列接続と、 上記第２の共振コンデンサに実質的に並列に接続され
   て、水平帰線期間内においてオフ状態をとるべく駆動さ
   れる第２のスイッチ部と、を備えて構成される水平偏向
   回路。
2. 【請求項２】第１のスイッチ部が、水平駆動信号がベー
   スに供給されるスイッチングトランジスタ素子と該スイ
   ッチングトランジスタ素子のコレクタ−エミッタ通路に
   並列に接続されたダンパーダイオード素子とを含んで形
   成されることを特徴とする請求項１記載の水平偏向回
   路。
3. 【請求項３】第２のスイッチ部が、ゲートに水平駆動信
   号もしくは水平駆動信号に同期した駆動信号が供給さ
   れ、水平帰線期間内においてドレイン−ソース通路がオ
   フ状態とされる静電誘導型トランジスタ素子と、該静電
   誘導型トランジスタ素子の上記ドレイン−ソース通路に
   並列に接続されたダンパーダイオード素子とを含んで形
   成されることを特徴とする請求項１または２記載の水平
   偏向回路。
4. 【請求項４】第２のスイッチ部が、ゲートに水平駆動信
   号もしくは水平駆動信号に同期した駆動信号が供給さ
   れ、水平帰線期間内においてドレイン−ソース通路がオ
   フ状態とされるディプリーション型電界効果トランジス
   タ素子と、該ディプリーション型電界効果トランジスタ
   素子の上記ドレイン−ソース通路に並列に接続されたダ
   ンパーダイオード素子とを含んで形成されることを特徴
   とする請求項１または２記載の水平偏向回路。
5. 【請求項５】第２の共振コンデンサに対して直列にフェ
   ライトビーズ・インダクタが接続されたことを特徴とす
   る請求項３または４記載の水平偏向回路。