JP2000333081A - シリアルデータ伝送機能付cmosセンサユニット、それを用いた撮像ユニット及び画像データ送受信システム - Google Patents

シリアルデータ伝送機能付cmosセンサユニット、それを用いた撮像ユニット及び画像データ送受信システム

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JP2000333081A
JP2000333081A JP11141067A JP14106799A JP2000333081A JP 2000333081 A JP2000333081 A JP 2000333081A JP 11141067 A JP11141067 A JP 11141067A JP 14106799 A JP14106799 A JP 14106799A JP 2000333081 A JP2000333081 A JP 2000333081A
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signal
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Kazuo Shimizu
一夫 清水
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Abstract

(57)【要約】 【課題】構成の簡素化、低信号劣化、低消費電流、低ノ
イズ、伝送距離の拡張を可能としたシリアルデータ伝送
機能付CMOSセンサユニットを提供する。 【解決手段】CMOSセンサ101にPLL回路105
及びパラレル/シリアル変換回路106をワンチップ上
に一体化し、またLVDSのドライバ107も一体化し
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はシリアルデータ伝送
機能付CMOSセンサユニットに関し、特に小型化、コ
ストの低減を図りつつ簡素な構造を有するシリアルデー
タ伝送機能付CMOSセンサユニット、それを用いた撮
像ユニット及び画像データ送受信システムに関する。
【0002】
【従来の技術】撮像素子を各種の機器や建物等の所定位
置に設置して、撮像画像を取り込み電気信号に変換して
表示装置に表示する撮像装置をはじめ、半導体撮像素子
を利用した各種の撮像装置が近年撮像素子の製造歩留ま
りの向上及び価格低下に伴い広く実用化されるようにな
ってきてきている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】かかる目的で採用され
ている撮像素子としては、これまで歩留まりが高く、比
較的安価で、素子毎のバラツキが少なく、特性が安定な
CCDが一般的に用いられてきた。しかしながら、CC
Dは3種類の駆動回路が必要であり、消費電力が大きく
なるため、近年はCMOSを撮像素子として用いる撮像
装置が注目されている。
【0004】CMOSは、CCDと比較してこれまで素
子毎の特性のバラツキが多く、多数のCMOSを用いて
得られる画像デ−タには固定パターンノイズが現われて
しまうため撮像素子として使用されてこなかった。一
方、最近の製造技術の改善により素子毎の特性バラツキ
が低減され、画像デ−タの固定パターンノイズの発生が
抑圧されるようになり、CCDと比較してCMOSのも
つ低消費電力の特徴が注目されるようになってきてい
る。
【0005】このような撮像素子により電気信号に変換
された画像信号は、パソコン等の画像処理装置に伝送さ
れる。この画像信号の伝送は、撮像素子で変換された電
気信号をデジタル信号に変換してパラレル信号として複
数のケーブルを介して行われることが多い。しかしなが
ら、かかる従来のセンサユニットは、以下のような問題
がある。
【0006】(1)システムインタフェース面:通常、
2次元センサで得られるデジタル信号は多ビット高速伝
送が要求される。例えば、320×240画素のいわゆ
るCIFサイズの画像では、l画素当たり8ビットを割
り当てると画素クロックは6.75MHz、垂直同期信
号、水平同期信号、画素データ8ビット、トータルll
ビットの信号が必要になる。更に、カラー画像の伝送で
は、R,G,Bそれぞれ8ビット必要なので、27本の
信号を伝送する必要がある。これらの信号を高速で伝送
しようとすると、クロックに対する各データ信号スキュ
が問題となる。つまり、合計27本のそれぞれの信号線
ケーブルに対するインピーダンス、負荷容量等をすべて
均一にすることは難しいため、ばらつきが生じ、クロツ
ク信号に対するデータ信号の位相ずれが生じ、デジタル
信号の伝送不良が生じ、画質が悪化する。したがって、
上記の如き2次元センサの画像信号は複数の信号が必要
となり、パケージサイズの増加、伝送コネクターの多ビ
ット化、ケーブルの多ビット化等小型、低消費電力を目
的としたシステムには不向きである。
【0007】(2)消費電流面:上記の如きデジタル出
力を備えた2次元センサにおいて、その出力が一度に変
化するとノイズの原因となる。特に、出力バッファの電
流は外部とのインターフェースを考えると通常最低でも
2mA程度の出力能力を設定するのが普通である。そし
て、24ビットのデータが同時に変化した場合、出力バ
ッファヘ瞬間的に流れる電流変化は48mAになり、こ
れは2次元センサ自体の消費電流を超えることになる。
したがって、小型、低消費電力を目的としたシステムで
は出力バッフアへの電流消費が問題となる。
【0008】(3)ノイズ面:出力バッファヘ大きな電
流を流した場合、チップ内のセンサ部分への影響が生じ
る。つまり、チップ内でセンサ部分はフォトダイオー
ド、アンプを含めアナログ的動作であるため、信号以外
の電流変化は少ない方がよく、出力バッファのような大
電流の変化はセンサ部分へ大きく影響し、この変化がク
ロックに同期しているため、センサ動作とも同期し、画
像ノイズとして影響する。
【0009】(4)データ伝送距離面:通常用いられて
いる出力バッファは負荷容量50pF程度、電流容量4
mA程度である。このような出力バッファで高速データ
を伝送しようてしてもマッチングインピーダンスを高く
設定するしかないため、伝送距離が短くなる。例えば電
流容量4mAとすると、マッチング抵抗は電源5Vで
1.25KΩが最低となってしまう。アナログ信号でビ
デオ信号を送る場合、50Ωでマッチングを取るのが通
常であり、SCSIインターフェース(高速デジタル伝
送)では330/220Ωでマッチングを取っている。
従って、マツチングインピーダンスだけをとっても10
倍程度の差があるので、その伝送距離が長くなると信号
減衰も10倍大きくなる。これは信号変化をl0倍大き
くしたのと同等であるから、伝送距離等の影響ファクタ
を10分の1にしないとうまく伝送することができない
ことになる。また、これらデジタル信号はすべて同じG
NDを共有しているため、GNDの変化はすベてのデジ
タル信号へ影響する。このことは多ビットのデジタル信
号伝送では誤りを起こす大きな要因となるし、センサ部
分のノイズ(センス信号とは関係のない信号)として、
画質に影響する。
【0010】以上要するに、上述のような従来のセンサ
ユニットは、次のような問題点がある。すなわち、セン
サユニットからの出力はパラレルデータであるため、そ
のパラレル数に相当する数の信号ライン(ケーブル)が
必要となり、構成の複雑化、大型化、コスト増大を招
く。
【0011】また、ケーブル本数の増加は、トータルな
電流増大を引き起こし、消費電流の増大にもつながる。
【0012】更に、複数本の各ケーブル毎に線長が若干
異なり、特性バラツキに起因して信号スキューが発生し
て画質劣化の問題も生ずる。
【0013】そこで、本発明の目的は、かかる従来の問
題を解決し、低消費電力、構成の簡素化、小型化、ノイ
ズの影響も少なく画質劣化が少なく、長距離データ伝送
を可能とするシリアルデータ伝送機能付CMOSセンサ
ユニット、それを用いた撮像ユニット及び画像データ送
受信システムを提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、本発明によるシリアルデータ伝送機能付CMOSセ
ンサユニット、それを用いた撮像ユニット及び画像デー
タ送受信システムは、次のような特徴的構成を採用して
いる。
【0015】(1)行方向及び列方向に規則的に配設さ
れた複数のCMOS素子から成る2次元センサとしての
CMOSセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号
を得るためのクロック部と、前記クロック部からのクロ
ック信号を受けるPLL回路部と、前記PLL回路部か
らのクロック信号に同期して前記CMOSセンサ部から
読み出したパラレルデータをシリアルデータに変換する
パラレル/シリアル変換器部と、がワンチップ上に搭載
されて成るシリアルデータ伝送機能付CMOSセンサユ
ニット。
【0016】(2)行方向及び列方向に規則的に配設さ
れた複数のCMOS素子から成る2次元センサとしての
CMOSセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号
を得るためのクロック部と、前記クロック部からのクロ
ック信号を受けるPLL回路部と、前記PLL回路部か
らのクロック信号に同期して前記CMOSセンサ部から
読み出したパラレルデータをシリアルデータに変換する
パラレル/シリアル変換器部と、前記パラレル/シリア
ル変換回路で変換されたシリアル画像データを、LVD
S(Low Voltage Differential Signalling)信号伝送
方式に従った信号に変換してLVDSデータとして出力
するドライバ回路部と、がワンチップ上に搭載されて成
るシリアルデータ伝送機能付CMOSセンサユニット。
【0017】(3)行方向及び列方向に規則的に配設さ
れた複数のCMOS素子から成る2次元センサとしての
CMOSセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号
を得るためのクロック部と、前記クロック部からのクロ
ック信号を受けるPLL回路部と、前記CMOSセンサ
部から出力される画像データを記憶するメモリと、前記
PLL回路部からのクロック信号に同期して前記メモリ
から読み出したパラレルデータをシリアルデータに変換
するパラレル/シリアル変換器部と、がワンチップ上に
搭載されて成るシリアルデータ伝送機能付CMOSセン
サユニット。
【0018】(4)行方向及び列方向に規則的に配設さ
れた複数のCMOS素子から成る2次元センサとしての
CMOSセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号
を得るためのクロック部と、前記クロック部からのクロ
ック信号を受けるPLL回路部と、前記CMOSセンサ
部から出力される画像データを記憶するメモリと、前記
PLL回路部からのクロック信号に同期して前記メモリ
から読み出したパラレルデータをシリアルデータに変換
するパラレル/シリアル変換器部と、前記パラレル/シ
リアル変換回路で変換されたシリアル画像データを、L
VDS(Low Voltage Differential Signalling)信号
伝送方式に従った信号に変換してLVDSデータとして
出力するドライバ回路部と、がワンチップ上に搭載され
て成ることを特徴とするシリアルデータ伝送機能付CM
OSセンサユニット。
【0019】(5)前記メモリは、ラインメモリまたは
フレームメモリである上記(3)または(4)のシリア
ルデータ伝送機能付CMOSセンサユニット。
【0020】(6)行方向及び列方向に規則的に配設さ
れた複数のCMOS素子から成る2次元センサとしての
CMOSセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号
を得るためのクロック部と、前記クロック部からのクロ
ック信号を受けるPLL回路部と、前記PLL回路部か
らのクロック信号に同期して前記CMOSセンサ部から
読み出したパラレルデータをシリアルデータに変換する
パラレル/シリアル変換器部と、前記パラレル/シリア
ル変換器部で得られたシリアルデータを記憶するメモリ
と、がワンチップ上に搭載されて成ることを特徴とする
シリアルデータ伝送機能付CMOSセンサユニット。
【0021】(7)前記クロック部は、前記クロック信
号を発振する発振部を含んで成る上記(1)乃至(6)
のいずれかのシリアルデータ伝送機能付CMOSセンサ
ユニット。
【0022】(8)前記クロック部は、外部の発振器か
ら発せられるクロック信号を導入する手段を含んで成る
上記(1)乃至(6)のいずれかのシリアルデータ伝送
機能付CMOSセンサユニット。
【0023】(9)前記PLL回路部は、プログラム型
のPLL回路を含んで成る上記(1)乃至(8)のいず
れかのシリアルデータ伝送機能付CMOSセンサユニッ
ト。
【0024】(10)撮像レンズを更に含んで成る上記
(1)乃至(9)のいずれかのシリアルデータ伝送機能
付CMOSセンサユニット。
【0025】(11)前記メモリから読み出したシリア
ル画像データを、LVDS(Low Voltage Differential
Signalling)信号伝送方式に従った信号に変換してL
VDSデータとして出力するドライバ回路部も前記ワン
チップ上に搭載されて成る上記(6)のシリアルデータ
伝送機能付CMOSセンサユニット。
【0026】(12)外部からの転送イネーブル信号に
基づいて前記パラレル/シリアル変換回路から、または
前記ドライバ回路部から画像データを送出する上記
(1)乃至(11)のいずれかのシリアルデータ伝送機
能付CMOSセンサユニット。
【0027】(13)前記メモリには予め定めた画像デ
ータが格納されており、撮像で得られた画像データと合
成されて読み出される上記(6)または(11)のシリ
アルデータ伝送機能付CMOSセンサユニット。
【0028】(14)カード状の本体の一面に上記
(1)乃至(13)のいずれかのCMOSセンサユニッ
トが取り付けられ、その側面には前記CMOSセンサユ
ニットから出力される画像データを記憶するカード状メ
モリが抜き差しされるカード挿入孔が設けられて成る撮
像ユニット。
【0029】(15)上記(1)乃至(13)のいずれ
かのCMOSセンサユニットまたは(14)の撮像ユニ
ットを送信側とし、前記送信側から送出されたデータを
受信するデータ受信部がlつである画像データ送受信シ
ステム。
【0030】(16)上記(1)乃至(13)のいずれ
かのCMOSセンサユニットまたは(14)の撮像ユニ
ットを複数個を送信側に備え、前記送信側から送出され
たデータを受信するデータ受信部を受信側にlつ備える
画像データ送受信システム。
【0031】(17)上記(1)乃至(13)のいずれ
かのCMOSセンサユニットまたはまたは(14)の撮
像ユニットを1つ送信側に備え、前記送信側から送出さ
れたデータを受信するデータ受信部を受信側に複数個備
え、前記送信側のCMOSセンサユニットを、受信側の
データ受信部がそれぞれ個別にアクセスして画像データ
を受信することを特徴とする画像データ送受信システ
ム。
【0032】(18)互いに接続されている上記(1)
乃至(13)のいずれかのCMOSセンサユニットまた
は(14)の撮像ユニットを複数個備え、その中の一つ
のCMOSセンサユニットを制御主導権をもつマスター
データ受信部とし、他のCMOSセンサユニットすべて
をスレーブとし、前記マスターデータ受信部から同期信
号を発生し、この同期信号に同期して前記他のCMOS
センサユニットをアクセスして画像データを受信する画
像データ送受信システム。
【0033】(19)上記(1)乃至(13)のいずれ
かのCMOSセンサユニットまたは(14)の撮像ユニ
ットを複数個送信側と受信側に備え、前記送信側と受信
側がデータバス線を共有して接続され、空いている前記
データバス線により画像データの授受を行なうことを特
徴とする画像データ送受信システム。
【0034】
【発明の実施の形態】次に本発明によるシリアルデータ
伝送機能付CMOSセンサユニットの一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。図1は、本発明による
シリアルデータ伝送機能付CMOSセンサユニット(送
信側)の好適実施形態の構成図である。
【0035】本実施形態におけるシリアルデータ伝送機
能付CMOSセンサユニット1は、行方向及び列方向に
規則的に配設された多数のCMOS素子から成る2次元
センサとしてのCMOSセンサ部101を有し、例え
ば、27MHzの発振周波数をもつ発振器102からの
クロック信号に同期してCMOS素子から画像信号が読
み出される。CMOSセンサ部101には、また、CM
OS素子から取り出された画像信号を増幅し、デジタル
画像データに変換する増幅器とA/D変換器が設けら
れ、結局、CMOSセンサ部101からはデジタル画像
データが出力されることになる。
【0036】PLL回路105は、発振器102からの
発振周波数信号に基づいて処理された画像データクロッ
クをパラレル/シリアル変換器106に供給する。パラ
レル/シリアル変換器106は、CMOSセンサ部10
1のCMOS素子を垂直方向に駆動するための垂直方向
ドライブ回路103からの垂直同期信号と、CMOSセ
ンサ部101のCMOS素子を水平方向に駆動するため
の水平方向ドライブ回路104からの水平同期信号を受
け、CMOSセンサ部101から受けたパラレル画像デ
ータを、PLL回路105からの画像データクロックに
基づいてシリアルデータに変換する。ここで、PLL回
路から発生される画像クロックは、パラレル/シリアル
変換でシリアルデータに変換されているため伝送レート
を確保するため、クロック周波数はその分上げれれてい
る。
【0037】ドライバ111は、入力端子110Aと1
10Bから入力された、例えばパソコン等の電子機器か
ら供給される転送イネーブル信号を駆動用のシリアルイ
ネーブル信号に変換して、垂直ドライブ回路103と水
平方向ドライブ回路104へシリアルイネーブルを送出
する。垂直ドライブ回路103と水平方向ドライブ回路
104は、このシリアルイネーブル信号を受けてCMO
Sセンサ部101から出力される画像データをパラレル
/シリアル変換回路106に送出させる。
【0038】パラレル/シリアル変換回路106で変換
されたシリアル画像データは、LVDSドライバ回路1
07により高速LVDSデータとして転送される。
【0039】以上のような各構成要素は一つのチップ上
に搭載され、一チップ構成のCMOSセンサユニットと
され、このCMOSセンサユニットからは、シリアルデ
ジタルデータが伝送されることになる。したがって、C
CDを用いたCCDセンサユニットのもつ多ビット化に
よるドライブ電流の増加という問題が解決されるととも
に、一チップ上に必要な構成要素がすべて搭載されてい
るため、小型化、低コスト化が促進される。
【0040】本実施形態では、上述構成を基本構成とし
つつ、更に、パラレル/シリアル変換器106から出力
されるシリアル画像データを、いわゆるLVDS(Low
Voltage Differential Signalling)信号伝送方式に従
った信号に変換するためのLVDSドライバ回路(コー
ド回路)107が、上記一チップ上に他の構成要素とと
もに搭載され、得られたLVDS信号が出力端子108
A,108Bから、例えばツイストケーブル等の比較的
細く取り扱いの簡単な伝送ラインを用いて、パソコン等
の表示、記録、印刷等の処理を実行する画像処理部に伝
送、つまり、高速LVDSデータ転送される。上記LV
DS信号による信号伝送は、シリアル伝送の規格:TI
A/EIA―644規格に従って行なわれる。
【0041】こうして出力端子108A,108Bから
出力されたシリアル画像データは、画像データクロック
周期で、図3(B)に示すような各ビット対応で、図3
(A)に示すようなフォーマット構成を有するLVDS
信号として構成される。
【0042】具体的には、シリアル画像データは、例え
ば、図3(A)に示すように、先ず、スタート、続いて
垂直同期信号及び水平同期信号、画像データ7、画像デ
ータ6、画像データ5、画像データ4、画像データ3、
画像データ2、画像データ1、画像データ0、最後にス
トップ情報が配置されている。上記スタートとストップ
情報は、図3(C)に示す画像データクロックの立ち上
がりタイミングと立下りタイミングで規定される。
【0043】本発明によれば、上述従来の問題を解消し
た次のような各種の格別な効果が得られる。
【0044】まず、システムインターフエース面で考え
ると、本実施形態では、PLL回路とパラレル/シリア
ル変換回路をチップ上に搭載してシリアル伝送を行なっ
ているため伝送ラインは1本で済む。したがって、従来
のように、複数のそれぞれの信号ラインに関するインピ
ーダンス、負荷容量等のバラツキの問題は生じることが
なく、構成の複雑化の問題も生じない。また、1本の伝
送ラインで済むため、消費電力も従来と比して大幅に低
減される。
【0045】本発明では、LVDS伝送に基づいて送信
/受信動作を差動信号によって行っているため、電源電
流が平均化され、センサ部分へのノイズが少なくなる。
また、差動信号であるためノイズが乗ってもペア間では
電位差がなくノイズを除去できる。更に、信号振幅を小
さくすることができ、駆動電流も小さくなり、磁界も発
生量が小さくなってEMI発生も抑制できる。更にま
た、データ伝送の距離も大幅に拡張される。
【0046】さて、図2に示す如く、シリアルデータ伝
送機能付CMOSセンサユニット1の出力端子108
A、108Bから伝送ラインを介して伝送されてきたL
VDS信号は、受信側であるパソコン等の画像処理装置
の入力端子201A、201Bに入力され、LVDS信
号のレシーバ回路202によりシリアルデジタル画像デ
ータに変換されてPLL回路203とシリアル/パラレ
ル変換(S/P)回路204に送出される。シリアル/
パラレル変換回路204は、送信側のシリアル/パラレ
ル変換回路106の処理と逆の処理を実行し、シリアル
データをパラレルデータに変換して画像データ、水平同
期信号及び垂直同期信号を出力データとして送出する。
【0047】図4と図5は、本発明の他の実施形態によ
るシリアルデータ伝送機能付CMOSセンサユニットの
構成図を示す。また、図6には、図4と図5に示す回路
の動作を規定する画像データクロック(A)、転送イネ
ーブル信号(B)、及び画像データ(C)のタイミング
チャートが示されている。
【0048】本実施形態によるシリアルデータ伝送機能
付CMOSセンサユニットは、図1と図2に示す実施形
態の構成に加えて、CMOSセンサユニット側(送信
側)に、ラインメモリ112が設けられている。
【0049】入力端子110Aと110Bから入力され
ドライブ回路111で変換されたシリアルイネーブル信
号に応答して、垂直ドライブ回路103と水平方向ドラ
イブ回路104は、CMOSセンサ部101から出力さ
れる画像データが、ラインメモリ112に記憶される。
【0050】ラインメモリ112からは、垂直ドライブ
回路103と水平方向ドライブ回路104からの垂直同
期信号と水平同期信号に基づいて画像データが読み出さ
れてパラレル/シリアル変換回路106に送出される。
【0051】パラレル/シリアル変換回路106で変換
されたシリアル画像データは、ドライバ回路(コード回
路)107によりLVDS信号伝送方式に従った信号に
変換され、出力端子108A、108Bを介して高速L
VDSデータとして転送される。
【0052】本実施形態のパソコン(CPU)側の構成
が図5に示され、図2に示す実施形態の構成に加えて、
パラレル/シリアル変換回路204からのパラレル画像
データを記憶する画像メモリ205、DMAC回路20
8、CPU209を備える。シリアル/パラレル変換回
路204で得られた画像データクロックは水平アドレス
カウンタ210に、水平同期信号と垂直同期信号は垂直
&フレームアドレスカウンタ211に送出される。
【0053】CPU209は、シリアル/パラレル変換
回路204から画像データを受け、DMAC回路208
をDMACコントロールする。DMAC回路208は、
PLL回路203からの発振周波数信号を受け、DMA
C制御動作を行なうとともに、基準信号をシリアル/パ
ラレル変換回路204、画像メモリ205、水平アドレ
スカウンタ210及びドライバ207に出力する。ドラ
イバ207は、この基準信号を転送イネーブル信号に変
換して出力端子206Aと206Bを介して送出する。
【0054】上述のように、送信側(CMOSセンサ
側)と受信側(パソコン:CPU)とのI/Fが構成さ
れる。
【0055】本実施形態例ではCPUからの非同期アク
セス若しくはDMAに対応しており、これにより、CP
Uが管理するメモリーへセンサからの画像データを直接
入力することができるようになり、FlFO等によるタ
イミング調整回路が不要になる。
【0056】上述のように、図6に示すタイミング信号
による動作が行なわれ、イネーブルタイミング毎に画素
データを更新する。本例では、イネーブル信号のデイセ
ーブル期間は同じ信号を出力しているが、この期間をL
VDSドライバーのイネーブルと同様にしてもよい。
【0057】上述の実施形態における説明では、CMO
Sセンサユニット側をデータ送信側とし、パソコンをデ
ータ受信側としているが、これらデータ送信側対データ
受信側の各組み合わせとしては、(l)1対1接続、
(2)多対1接続、(3)l対多接続、(4)マルチプ
レクス接続及び(5)多対多接続がある。これらの接続
態様は、例えば、CMOSセンサユニットを監視撮像装
置として用い、CMOSセンサユニットを被監視場所で
ある一箇所または複数箇所に設置し、上記CMOSセン
サユニットで得られた画像データを受信側で受信してデ
ィスプレイ等に表示するような用途がある。以下、各接
続態様を順次説明する。
【0058】(l)1対1接続:データ送信側、受信側
各1つづつの基本的構成であり、図1と図2にその構成
が示されている。上述のように、CMOSセンサユニッ
ト1内にPLL回路105及びパラレル/シリアル変換
器106、LVDSドライバー107を有する。このパ
ラレル/シリアル変換機105は、8ビットのデータの
他に垂直同期信号、水平同期信号も同時に変換する。ま
た、クロックのl周期内にデータを圧縮するため、クロ
ックの周期のスタート、ストップ信号を同時に変換す
る。図4と図5に示す構成も1対1接続態様の一つであ
る。
【0059】(2)多対1接続:送信側となるCMOS
センサユニットが多数あり、データ受信側となるデータ
受信部がlつの場合の多対1接続構成例が図7に示され
ている。すなわち、複数のCMOSセンサユニット(図
では3個)のうち一つをCMOSセンサマスター20と
し、他の2つをCMOSセンサスレーブ21、22とす
る構成である。この場合には、CMOSセンサマスター
20からは同期信号と、制御すべきCMOSセンサスレ
ーブを指定するスレーブ番号とが他のCMOSセンサス
レーブ21、22及びデータ受信部30に送出され、各
CMOSセンサ20〜22で得られる画像データのデー
タ受信部30への転送タイミング、シーケンスが制御さ
れる。
【0060】すなわち、CMOSセンサマスター20
は、自己の発生同期信号に基づいて、他のCMOSセン
サ21、22の送出タイミングが重複しないタイミング
で自己が得た画像データをデータ受信部30に送出する
ように制御する。また、他のCMOSセンサスレーブ2
1、22に対して、同期信号とCMOSセンサスレーブ
を指定するスレーブ番号を送出し、スレーブ番号で指定
されたCMOSセンサスレーブからは、受信同期信号に
基づいて互いに重複しないタイミングで画像データがデ
ータ受信部30に送出されるように制御される。
【0061】この場合のCMOSセンサユニット側の構
成が図8に示されている。CMOSセンサユニットのマ
スター20には予めマスターであること、及びスレーブ
センサが幾つ(本例では2個)あるかをセットしてお
く。CMOSセンサスレーブ21、22には各スレーブ
毎に予めスレーブ番号で割り当てられ、セットされてい
る。
【0062】CMOSセンサマスター20は、先ず自己
取得したlフレーム分の画像データを出力、送出した
後、CMOSセンサスレーブ21と22が画像データを
送出する期間は画像データを出力しない。
【0063】CMOSセンサスレーブ21、22の各々
は、CMOSセンサマスター20から受信した信号に基
づいて、垂直同期信号、水平同期信号、クロックを検出
し、CMOSセンサスレーブ内のセンサ(撮像素子)を
動作させる。また、垂直同期信号により最初の垂直同期
信号がマスターであり、次の同期信号がCMOSセンサ
スレーブ21、その次がCMOSセンサスレーブ22と
いうように垂直同期信号の数をカウントすることによ
り、予めセットされたスレーブ番号と比較して自分の番
が回ってきたかどうかを検出することができる。
【0064】自分のセンサ番号と一致した数だけ垂直同
期信号を待った後、LVDSドライバーをイネーブルに
してセンサデータを出力する。
【0065】図8を参照すると、CMOSセンサスレー
ブにおいては、CMOSセンサマスター等の制御主導権
をもつ装置から入力端子113Aと113Bを介して受
信した転送イネーブル信号をドライバ114でシリアル
イネーブル信号に変換してCMOSセンサ部101とシ
リアル/パラレル変換回路115に送出する。
【0066】シリアル/パラレル変換回路115は、受
信したシリアルイネーブル信号をパラレル信号に変換
し、垂直同期信号を垂直方向ドライバ回路103と垂直
同期カウンタ116に、水平同期信号を水平方向ドライ
バ回路104に送出する。垂直同期カウンタ116は、
垂直同期信号の入力数をカウントし、そのカウント数
と、チップ番号セット部117により設定されている自
己のスレーブ番号とを比較し、両番号が一致したときに
出力ドライバ107に出力ドライバイネーブル信号を送
出する。出力ドライバ107からは、上述のように、高
速LVDSデータが転送される。
【0067】尚、本実施形態においては、複数のCMO
Sセンサユニットのうちの一つを制御主導権をもつマス
ターとし、他をスレーブとしているが、制御主導権をデ
ータ受信部にもたせることも可能であることは明らかで
ある。
【0068】(3)l対多接続:一つのCMOSセンサ
を多数の画像取り込み装置としてのデータ受信回路が共
有する場合の例である。CMOSセンサユニット側の構
成は図1と同様であり、CMOSセンサユニット側に基
本クロックの回路を持ち、基本クロックに同期して一つ
のCMOSセンサユニットから画像データを得、順次多
数の受信側としての画像取り込み装置に送出する。
【0069】(4)マルチプレクス接続:図7について
説明した多対1接続の変形として、制御主導権をもつマ
スターをデータ受信部として、接続されているCMOS
センサすべてをスレーブとする接続構成において、同期
信号をマスターデータ受信部が発生するように構成され
る。このような構成を採用することにより、すべてのス
レーブであるCMOSセンサユニットは同期して動作す
ることになり、受信側のデータ受信部がCMOSセンサ
ユニットを選択することにより、自由に画像を選択もし
くは一つの画像内に複数のセンサ画像を切り替え表示す
ることが可能になる。
【0070】この方式には2種類あり、センサ毎のデー
タバスを切り替える方式とデータバスは共有化してお
き、イネーブル信号により、センサドライバを活性化さ
せる方式である。さらに、この方式ではセンサの数だけ
イネーブル信号が必要な方式とカスケード接続すること
によりイネーブル信号を一つにする方式とがある。
【0071】(5)多対多接続:送信側であるCMOS
センサユニットと受信側である信号入力システムがそれ
ぞれ複数存在し、ケーブル(データバス線)を共有する
接続形態である。この場合、データバス線が空いている
ことを示すBusy信号線を用意し、フレーム単位、ラ
イン単位、画素単位で伝送することが可能である。送信
側であるCMOSセンサユニットは、Busy信号がd
isableのときバスが空いていることがわかり、こ
のとき自分のセンサ番号とデータを伝送する。受信側は
必要なセンサ番号からデータが送られてきたとき、その
データを受信する。
【0072】図9にはかかる多対多接続態様におけるC
MOSセンサユニットの構成図が示されている。図中、
図1や図4と同一番号で示されている構成要素は同様な
機能を有する構成要素である。
【0073】図9においては、図4のラインメモリ11
2に代えてフレームメモリ123が用いられ、CMOS
センサ部101からの画像データがフレームメモリ12
3に記憶される。
【0074】入力端子118Aと118Bから受信した
外部同期信号とセンサ番号は、ドライバ119で信号変
換され、シリアル/パラレル変換回路120でパラレル
信号に変換される。得られた同期信号は垂直方向ドライ
バ回路103と水平方向ドライバ回路104に供給され
る。また、センサ番号は比較回路121に供給される。
【0075】センサ番号セット部122には、取り込む
べきCMOSセンサ部101のセンサ番号がセットされ
ており、セットされたセンサ番号が比較回路に供給され
ている。比較回路121は、シリアル/パラレル変換回
路120からのセンサ番号と、センサ番号セット部12
2にセットされたセンサ番号とを比較し、両番号が一致
したときにシリアルイネーブル信号をパラレル/シリア
ル変換回路106に出力する。パラレル/シリアル変換
回路106は、垂直方向ドライバ回路103と水平方向
ドライバ回路104からの垂直同期信号と水平同期信号
を受け、このシリアルイネーブル信号に応答してLVD
Sドライバ107に出力する。ドライバ107で前述L
VDSデータに変換された信号(図10の(C)に示
す)が高速LVDSデータ転送される。
【0076】図10の(A)には出力端子108Aと1
08Bから出力されるデータフォーマット構成が示され
ており、シリアルイネーブル信号と図10(D)に示す
画像データクロックに応答して、スタート、垂直同期信
号、水平同期信号に続いて画像データ7、画像データ
6、画像データ5、画像データ4、画像データ3、画像
データ2、画像データ1、画像データ0、最後にストッ
プから成るLVDSデータが転送される。
【0077】図10の(B)には入力端子117Aと1
17Bから入力されるデータフォーマット構成が示され
ており、スタート、外部垂直同期信号、外部水平同期信
号に続いてセンサ番号7、センサ番号6、センサ番号
5、センサ番号4、センサ番号3、センサ番号2、セン
サ番号1、センサ番号0、最後にストップのデータが転
送される。
【0078】図11は、本発明によるCMOSセンサユ
ニットの他の実施形態を示し、メモリ外部へのデータ伝
送系をなくし、フラッシュメモリ等のメモリ130を搭
載して携帯性を改善した撮像ユニットとしたものであ
る。この例では、パラレル/シリアル変換器106から
出力される画像データをそのままメモリ130に格納す
る。このメモリは固定的に搭載しておいても良く、また
着脱可能に構成しておくことができる。
【0079】このような構成を採用することにより、携
帯性に便利で上記撮像ユニットで撮像した画像をメモリ
に格納しておけば、所望によりメモリから画像データを
読み出したり、メモリを取り出して画像処理を行なうこ
とができる。このとき、メモリには予め所定の画像デー
タ(背景画像データとしても可)を記憶しておき、撮像
した画像と合成することにより、簡単に合成画像を得る
ことができる。
【0080】上述の実施形態において、前述と同様なL
VDSドライバ107を設けることができるのは勿論で
ある。
【0081】図12には、かかる撮像ユニットの構成例
が示されている。カード状の本体200の一面には上記
CMOSセンサユニット1が取り付けられており、その
側面にはカード挿入孔200Aが設けられ、このカード
挿入孔200Aにフラッシュメモリ等のカード状メモリ
300が抜き差し可能とされている。CMOSセンサユ
ニット1の下方には、CMOSセンサ部101、発振器
102、垂直方向ドライブ回路103、水平方向ドライ
ブ回路104、PLL回路105、パラレル/シリアル
変換器106等の電気回路系が搭載されている基板10
0Aを有する。
【0082】尚、本発明は上述用途に限らず、その他の
各種用途への適用が可能で、撮像装置をパソコンへの埋
設構造としたり、多数の撮像装置を多数個所に配設する
ような要望が監視システム等において強く要望されてお
り、かかる要望に本発明は適用して有益である。
【0083】以上、本発明のシリアルデータ伝送機能付
CMOSセンサユニットの好適実施形態を説明したが、
しかし、本発明はかかる特定実施形態のみに限定される
べきではなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能
であることが当業者には容易に理解されよう。従って、
本発明にはかかる変形変更をも包含する。
【0084】例えば、上述の説明におけるクロック信号
を発振する発振器は、CMOSセンサユニットに内蔵さ
れているが、本発明の基本思想から考えれば、クロック
信号が何らかの形で得られれば良く、外部から供給され
るクロック信号(例えば、外部の発振器から発せられる
クロック信号)を導入する手段を設ければ発振器自体を
内蔵させる必要がなくなり構成が簡略化されることは勿
論である。また、PLL回路も回路そのものが重要では
なくPLL機能を実行する機能を有する手段であれば良
く、例えば、入力周波数に対する出力周波数の逓倍の比
率を選択可能になされたプログラマブル型のPLL回路
等を用いることができることは勿論である。更には、C
MOSセンサユニットには、光学像をCMOSセンサ部
に焦光させるための光学系(例えば、撮像レンズ)を設
置することもでき、光学系と電気系を一体化した非常に
小型な撮像デバイスが実現できる。
【0085】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシリアル
データ伝送機能付CMOSセンサユニットによれば、C
MOSセンサにPLL回路及びパラレル/シリアル変換
回路を一体化し、またLVDSのドライバも一体化して
いるので、構成の簡素化、信号の劣化が少なく、低消費
電流、ノイズが少なく、伝送距離が拡張され、更には、
メモリ機能も一体化しているので、種々の用途への拡張
も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるシリアルデータ伝送機能付CMO
Sセンサユニット(送信側)の好適実施形態の構成図で
ある。
【図2】本発明の実施形態における受信側であるパソコ
ン等の画像処理装置の構成図である。
【図3】本発明の実施形態におけるシリアル画像データ
の構成を示す図である。
【図4】本発明の他の実施形態によるシリアルデータ伝
送機能付CMOSセンサユニットの構成図である。
【図5】本発明の他の実施形態における受信側の画像処
理装置の構成図である。
【図6】図4と図5に示す回路の動作を規定する画像デ
ータクロック(A)、転送イネーブル信号(B)、及び
画像データ(C)のタイミングチャートを示す図であ
る。
【図7】本発明の実施形態による画像データ送受信シス
テムの構成図である。
【図8】本発明の更に他の実施形態によるシリアルデー
タ伝送機能付CMOSセンサユニットの構成図である。
【図9】本発明の他の実施形態によるシリアルデータ伝
送機能付CMOSセンサユニットの構成図である。
【図10】本発明の他の実施形態におけるLVDSデー
タに変換された信号を示す図である。
【図11】本発明による撮像装置の構成図である。
【図12】本発明による撮像ユニットの簡略化した構成
図である。
【符号の説明】
101 CMOSセンサ部 102 発振器 103 垂直方向ドライブ回路 104 水平方向ドライブ回路 105、203 PLL回路 106、204 パラレル/シリアル変換器 107 LVDSドライバ回路 109、119、207 ドライバ 111、114 ドライブ回路 112 ラインメモリ 116 垂直同期カウンタ 117 チップ番号セット部 121 比較回路 122 センサ番号セット部 123 フレームメモリ 130 メモリ 200 カード状の本体 100A 基板 200A カード挿入孔 202 デコード回路 204、115、120 シリアル/パラレル変換回
路 205 画像メモリ 208 DMAC回路 209 CPU 210 水平アドレスカウンタ 211 垂直&フレームアドレスカウンタ 300 カード状メモリ300 20 CMOSセンサマスター 21、22 CMOSセンサスレーブ 30 データ受信部

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】行方向及び列方向に規則的に配設された複
    数のCMOS素子から成る2次元センサとしてのCMO
    Sセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号を得る
    ためのクロック部と、前記クロック部からのクロック信
    号を受けるPLL回路部と、前記PLL回路部からのク
    ロック信号に同期して前記CMOSセンサ部から読み出
    したパラレルデータをシリアルデータに変換するパラレ
    ル/シリアル変換器部と、がワンチップ上に搭載されて
    成ることを特徴とするシリアルデータ伝送機能付CMO
    Sセンサユニット。
  2. 【請求項2】行方向及び列方向に規則的に配設された複
    数のCMOS素子から成る2次元センサとしてのCMO
    Sセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号を得る
    ためのクロック部と、前記クロック部からのクロック信
    号を受けるPLL回路部と、前記PLL回路部からのク
    ロック信号に同期して前記CMOSセンサ部から読み出
    したパラレルデータをシリアルデータに変換するパラレ
    ル/シリアル変換器部と、前記パラレル/シリアル変換
    回路で変換されたシリアル画像データを、LVDS(Lo
    w Voltage Differential Signalling)信号伝送方式に
    従った信号に変換してLVDSデータとして出力するド
    ライバ回路部と、がワンチップ上に搭載されて成ること
    を特徴とするシリアルデータ伝送機能付CMOSセンサ
    ユニット。
  3. 【請求項3】行方向及び列方向に規則的に配設された複
    数のCMOS素子から成る2次元センサとしてのCMO
    Sセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号を得る
    ためのクロック部と、前記クロック部からのクロック信
    号を受けるPLL回路部と、前記CMOSセンサ部から
    出力される画像データを記憶するメモリと、前記PLL
    回路部からのクロック信号に同期して前記メモリから読
    み出したパラレルデータをシリアルデータに変換するパ
    ラレル/シリアル変換器部と、がワンチップ上に搭載さ
    れて成ることを特徴とするシリアルデータ伝送機能付C
    MOSセンサユニット。
  4. 【請求項4】行方向及び列方向に規則的に配設された複
    数のCMOS素子から成る2次元センサとしてのCMO
    Sセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号を得る
    ためのクロック部と、前記クロック部からのクロック信
    号を受けるPLL回路部と、前記CMOSセンサ部から
    出力される画像データを記憶するメモリと、前記PLL
    回路部からのクロック信号に同期して前記メモリから読
    み出したパラレルデータをシリアルデータに変換するパ
    ラレル/シリアル変換器部と、前記パラレル/シリアル
    変換回路で変換されたシリアル画像データを、LVDS
    (Low Voltage Differential Signalling)信号伝送方
    式に従った信号に変換してLVDSデータとして出力す
    るドライバ回路部と、がワンチップ上に搭載されて成る
    ことを特徴とするシリアルデータ伝送機能付CMOSセ
    ンサユニット。
  5. 【請求項5】前記メモリは、ラインメモリまたはフレー
    ムメモリであることを特徴とする請求項3または4に記
    載のシリアルデータ伝送機能付CMOSセンサユニッ
    ト。
  6. 【請求項6】行方向及び列方向に規則的に配設された複
    数のCMOS素子から成る2次元センサとしてのCMO
    Sセンサ部と、所定の発振周波数のクロック信号を得る
    ためのクロック部と、前記クロック部からのクロック信
    号を受けるPLL回路部と、前記PLL回路部からのク
    ロック信号に同期して前記CMOSセンサ部から読み出
    したパラレルデータをシリアルデータに変換するパラレ
    ル/シリアル変換器部と、前記パラレル/シリアル変換
    器部で得られたシリアルデータを記憶するメモリと、が
    ワンチップ上に搭載されて成ることを特徴とするシリア
    ルデータ伝送機能付CMOSセンサユニット。
  7. 【請求項7】前記クロック部は、前記クロック信号を発
    振する発振部を含んで成ることを特徴とする請求項1乃
    至6のいずれかに記載のシリアルデータ伝送機能付CM
    OSセンサユニット。
  8. 【請求項8】前記クロック部は、外部の発振器から発せ
    られるクロック信号を導入する手段を含んで成ることを
    特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のシリアル
    データ伝送機能付CMOSセンサユニット。
  9. 【請求項9】前記PLL回路部は、プログラム型のPL
    L回路を含んで成ることを特徴とする請求項1乃至8の
    いずれかに記載のシリアルデータ伝送機能付CMOSセ
    ンサユニット。
  10. 【請求項10】撮像レンズを更に含んで成ることを特徴
    とする請求項1乃至9のいずれかに記載のシリアルデー
    タ伝送機能付CMOSセンサユニット。
  11. 【請求項11】前記メモリから読み出したシリアル画像
    データを、LVDS(Low Voltage Differential Signa
    lling)信号伝送方式に従った信号に変換してLVDS
    データとして出力するドライバ回路部も前記ワンチップ
    上に搭載されて成ることを特徴とする請求項6に記載の
    シリアルデータ伝送機能付CMOSセンサユニット。
  12. 【請求項12】外部からの転送イネーブル信号に基づい
    て前記パラレル/シリアル変換回路から、または前記ド
    ライバ回路部から画像データを送出することを特徴とす
    る請求項1乃至11のいずれかに記載のシリアルデータ
    伝送機能付CMOSセンサユニット。
  13. 【請求項13】前記メモリには予め定めた画像データが
    格納されており、撮像で得られた画像データと合成され
    て読み出されることを特徴とする請求項6または11に
    記載のシリアルデータ伝送機能付CMOSセンサユニッ
    ト。
  14. 【請求項14】カード状の本体の一面に請求項1乃至1
    3のいずれかに記載のCMOSセンサユニットが取り付
    けられ、その側面には前記CMOSセンサユニットから
    出力される画像データを記憶するカード状メモリが抜き
    差しされるカード挿入孔が設けられて成ることを特徴と
    する撮像ユニット。
  15. 【請求項15】請求項1乃至13のいずれかに記載のC
    MOSセンサユニットまたは請求項14に記載の撮像ユ
    ニットを送信側とし、前記送信側から送出されたデータ
    を受信するデータ受信部がlつであることを特徴とする
    画像データ送受信システム。
  16. 【請求項16】請求項1乃至13のいずれかに記載のC
    MOSセンサユニットまたは請求項14に記載の撮像ユ
    ニットを複数個を送信側に備え、前記送信側から送出さ
    れたデータを受信するデータ受信部を受信側にlつ備え
    ることを特徴とする画像データ送受信システム。
  17. 【請求項17】請求項1乃至13のいずれかに記載のC
    MOSセンサユニットまたは請求項14に記載の撮像ユ
    ニットを1つ送信側に備え、前記送信側から送出された
    データを受信するデータ受信部を受信側に複数個備え、
    前記送信側のCMOSセンサユニットを、受信側のデー
    タ受信部がそれぞれ個別にアクセスして画像データを受
    信することを特徴とする画像データ送受信システム。
  18. 【請求項18】互いに接続されている請求項1乃至13
    のいずれかに記載のCMOSセンサユニットまたは請求
    項14に記載の撮像ユニットを複数個備え、その中の一
    つのCMOSセンサユニットを制御主導権をもつマスタ
    ーデータ受信部とし、他のCMOSセンサユニットすべ
    てをスレーブとし、前記マスターデータ受信部から同期
    信号を発生し、この同期信号に同期して前記他のCMO
    Sセンサユニットをアクセスして画像データを受信する
    ことを特徴とする画像データ送受信システム。
  19. 【請求項19】請求項1乃至13のいずれかに記載のC
    MOSセンサユニットまたは請求項14に記載の撮像ユ
    ニットを複数個送信側と受信側に備え、前記送信側と受
    信側がデータバス線を共有して接続され、空いている前
    記データバス線により画像データの授受を行なうことを
    特徴とする画像データ送受信システム。
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