JP2000334766A - トランスファー成形装置及びトランスファー成形方法 - Google Patents

トランスファー成形装置及びトランスファー成形方法

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JP2000334766A
JP2000334766A JP11146744A JP14674499A JP2000334766A JP 2000334766 A JP2000334766 A JP 2000334766A JP 11146744 A JP11146744 A JP 11146744A JP 14674499 A JP14674499 A JP 14674499A JP 2000334766 A JP2000334766 A JP 2000334766A
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Hitoshi Nakamura
仁 中村
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボイドレスで成形を行なうことができるトラ
ンスファー成形装置及びトランスファー成形方法を提供
する。 【解決手段】 上プランジャー7を下動させてランナー
5の一端の開口を閉じると共に真空吸引口9と真空連通
路10の上プランジャー7の側面での開口を合致させ、
真空連通路10と真空吸引口9を通じて下ポット1内を
減圧した後、上プランジャー7を上動させてランナー5
の上下のポット1,3への開口を開くと共に真空吸引口
9と真空連通路10の上記開口との合致を外して真空吸
引口9を上プランジャー7の側面で塞ぎ、この後に下プ
ランジャー8を上動させて下ポット3内の成形材料11
を上プランジャー7との間で加圧すると共にランナー5
を通じてキャビティ6に注入する。下ポット1内を真空
吸引して空気を除去した後に、成形材料11をキャビテ
ィ6に注入して成形を行なうことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランスファー成
形装置及びこのトランスファー成形装置を用いたトラン
スファー成形方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂を用いて半導体素
子の封止成形を行なうにあたって、従来からトランスフ
ァー成形が一般に行われている。このトランスファー成
形において成形材料として粉粒状のものをそのまま用い
ると、成形材料の粒子間の空気が封止成形品に混ざり込
むボイド不良が発生し易いので、粉粒状の成形材料を圧
縮してタブレット状に成形したものを用いるのが一般的
である。しかしこの方法では成形品をタブレット状に圧
縮する工程が必要であるために、生産コストの上で不利
になる。
【0003】そこで、タブレット状に成形したものを用
いる必要なく、粉粒状の成形材料を用いてトランスファ
ー成形をおこなうことができるようにしたトランスファ
ー成形装置が特開平10−86173号公報等で本出願
人において提供されている。
【0004】図2はその一例を示すものであり、下ポッ
ト1を設けた下型2の上方に上ポット3を設けた上型4
が配置してあり、上下型2,4を型締めしたときに上ポ
ット3の下面の開口と下ポット1の上面の開口が合致す
るようにしてある。この上下型2,4間には上ポット3
に一端が開口するランナー5が設けてあり、さらに上下
型2,4間にはランナー5に連通するキャビティ6が設
けてある。上ポット3内には上プランジャー7が上下駆
動自在に配置してあり、上プランジャー7を下動させた
位置でランナー5の上ポット3への開口を閉じ、上動さ
せた位置でランナー5の開口を開くようにしてある。ま
た下ポット1内には下プランジャー8が上下駆動自在に
配置してあり、下プランジャー8を上動させることによ
って下ポット1内の成形材料11を上プランジャー7と
の間で加圧することができるようにしてある。
【0005】上記のように形成されるトランスファー成
形装置で半導体の封止成形を行なうにあたっては、まず
上下型2,4を開いた状態でキャビティ6に半導体素子
をセットし、さらに下ポット1に熱硬化性樹脂などの粉
粒状の成形材料11を供給した後、図2(a)のように
上下型2,4を型締めする。各型2,4には加熱手段が
設けられており、下ポット1内に供給された成形材料1
1は加熱されるようになっている。このとき、上プラン
ジャー7は下動しており、上プランジャー7の下端の側
面でランナー5の上ポット3内への開口が閉じられてい
る。次にこの状態で下プランジャー8を上動させると、
図2(b)のように下ポット1内の粉粒状の成形材料1
1は下プランジャー8と上プランジャー7の間で加圧圧
縮される。成形材料11をこのように圧縮することによ
って、粉粒体の成形材料11の粒子間の空気は追い出さ
れることになる。成形材料11の粒子間から追い出され
た空気は、上下型2,4のパーティング面のクリアラン
スなどを通して排出される。このとき、ランナー5は上
プランジャー7の側面で閉じられているので、成形材料
11は下プランジャー8の加圧力でランナー5へと押し
出されることはない。
【0006】上記のように成形材料11を圧縮した後、
下プランジャー8を上動させると共に上プランジャー7
を後退させることによって、図2(c)のようにランナ
ー5を開口させる。このときには下ポット1内の成形材
料11は加熱と加圧によって溶融状態になっており、こ
のようにランナー5が開口されると、下プランジャー8
による加圧で下ポット1内の成形材料11はランナー5
を通ってキャビティ6に注入される。そして図2(d)
のように下プランジャー8をさらに上動させることによ
って、キャビティ6内に成形材料11を完全に充填して
成形を行なうことができるものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のように粉粒体の
成形材料11を圧縮することによって、粒子間の空気を
追い出すようにしているが、粒子間に空隙が生じないよ
うになるまで圧縮することは不可能であり、空気を完全
に追い出すことはできない。従って、完全なボイドレス
でトランスファー成形を行なうことは難しいという問題
があった。
【0008】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、ボイドレスで成形を行なうことができるトランス
ファー成形装置及びトランスファー成形方法を提供する
ことを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係るトランスフ
ァー成形装置は、成形材料11が供給される下ポット1
を設けた下型2と、下ポット1の上面の開口と下面の開
口が合致する上ポット3を設けた上型4と、上下の型
2,4間に形成され上下のポット1,3に一端の開口が
連通するランナー5と、上下の型2,4間に形成されラ
ンナー5に連通するキャビティ6と、上ポット3内に上
下駆動自在に設けられ下動位置でランナー5の一端の開
口を閉じると共に上動位置でランナー5のこの開口を開
く上プランジャー7と、下ポット1内に上下駆動自在に
設けられた下プランジャー8と、上プランジャー7が上
下動する範囲の位置で上ポット3の内周に開口して設け
られた真空吸引口9と、上プランジャー7にその側面と
下面に開口して設けられ上プランジャー7の下動位置で
側面の開口が真空吸引口9と一致する真空連通路10と
を具備して形成され、上プランジャー7を下動させてラ
ンナー5の一端の開口を閉じると共に真空吸引口9と真
空連通路10の上プランジャー7の側面での開口を合致
させ、真空連通路10と真空吸引口9を通じて下ポット
1内を減圧した後、上プランジャー7を上動させてラン
ナー5の上下のポット1,3への開口を開くと共に真空
吸引口9と真空連通路10の上記開口との合致を外して
真空吸引口9を上プランジャー7の側面で塞ぎ、この後
に下プランジャー8を上動させて下ポット3内の成形材
料11を上プランジャー7との間で加圧すると共にラン
ナー5を通じてキャビティ6に注入するようにして成る
ことを特徴とするものである。
【0010】また請求項2の発明は、真空連通路10を
上プランジャー7の上下動方向に対して平行な縦孔12
とこの縦孔12と交叉する横孔13とで形成すると共
に、縦孔12の下端を上プランジャー7の下面で、横孔
13の一端を上プランジャー7の側面でそれぞれ開口さ
せ、上プランジャー7が上動位置にあるときには下端で
縦孔12の下端の開口を閉じ、且つ上プランジャー7が
下動位置にあるときには縦孔12と横孔13の交叉部よ
り上側に下端が位置するように、縦孔12に不動状態で
開閉ロッド14を差し込んで設けて成ることを特徴とす
るものである。
【0011】また請求項3の発明は、上プランジャー7
の下面の周縁にランナー5の一端の開口を閉塞自在な閉
塞用突部15を全周に亘って設けて成ることを特徴とす
るものである。
【0012】本発明に係るトランスファー成形方法は、
上記のトランスファー成形装置を用いて、成形すること
を特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
【0014】図1において20はトランスファー成形装
置の成形型を示すものであり、この成形型20は上型4
と下型2とで形成してある。下型2にはスリーブ21を
設けて下型2の上面で開口する下ポット1が形成してあ
り、上型4にはスリーブ22を設けて上型4の下面で開
口する上ポット3が形成してある。上下型2,4を型締
めしたときに、上ポット3の下面の開口と下ポット1の
上面の開口が合致するように各ポット1,3を形成して
あり、上ポット3の内径は下ポット1の内径よりやや大
きめに形成してある。
【0015】また上型4の下面を凹刻することによっ
て、上下型2,4間にランナー5が形成されるようにし
てあり、さらに上型4の下面と下型2の上面を凹設して
上下型2,4間にキャビティ6が形成されるようにして
ある。ランナー5は、その一端が上ポット3内に開口
し、その他端がキャビティ6に連通するように形成して
ある。ランナー5やキャビティ6は一つのポット1,3
に対して複数設けられるものであり、多数個取りの成形
が行なえるようにしてある。
【0016】下型2の下ポット1内には上端部の外径が
下ポット1の内径とほぼ等しい下プランジャー8を差し
込んで配置してあり、この下プランジャー8は油圧装置
などの駆動装置(図示省略)によって、下ポット1内を
軸方向に上下駆動されるようにしてある。成形型20に
おいてポット1,3は複数箇所に設けられており、各下
ポット1内に設けられた下プランジャー8は同じ駆動装
置で同時に上下駆動されて、成形を同時に行なうことが
できるようにしてある。
【0017】上型4の上ポット3には上プランジャー7
を差し込んで配置してあり、上プランジャー7は上ポッ
ト3内を軸方向に上下動自在になっている。この上プラ
ンジャー7の下端部の外径は上ポット3の内径とほぼ等
しく形成してあり、従って上プランジャー7の先端部の
外径は下ポット1の内径よりやや大きめに形成されてい
る。また上プランジャー7の先端面の周縁部には閉塞用
突部15が全周に亘って設けてあり、従って閉塞用突部
15の内側において上プランジャー7の先端面は凹部2
3として形成されている。この上プランジャー7は油圧
装置などの駆動装置(図示省略)によって、上ポット3
内を軸方向に上下駆動されるようにしてある。また上プ
ランジャー7には調圧バネや調圧ダンパーなどで形成さ
れる調圧装置(図示省略)が設けてある。
【0018】また、上プランジャー7には真空連通路1
0が形成してある。この真空連通路10は上プランジャ
ー7の軸心を通る、つまり上プランジャー7の上下駆動
方向と平行な方向で上プランジャー7を上下に貫通する
縦孔12と、上プランジャー7の下端部において縦孔1
2と直交して交叉連通する横孔13とで形成してある。
縦孔12の下端は上プランジャー7の下端面で開口させ
てあり、横孔13の端部は上プランジャー7の下端部の
側面で開口させてある。図1の実施の形態では、横孔1
3はその中央で縦孔12と交叉させ、横孔13の両端を
上プランジャー7の側面で開口させてある。この真空連
通路10の縦孔12には開閉ロッド14が差し込んで設
けてある。開閉ロッド14はその外径を縦孔12の内径
とほぼ等しい寸法に形成してあり、上プランジャー7が
上下動しても動かない固定された不動状態で開閉ロッド
14を配置するようにしてある。そして上プランジャー
7が上動した位置にあるときには図1(b)のように開
閉ロッド14の下端が縦孔12の下端の開口と同じ高さ
で一致し、上プランジャー7が下動した位置にあるとき
には図1(a)のように開閉ロッド14の下端が縦孔1
2と横孔13との交叉連通部より上側に位置するよう
に、開閉ロッド14の配置位置が設定してある。
【0019】また上型4には真空ポンプなどの真空吸引
装置に接続された真空吸引路24が設けてあり、この真
空吸引路24は上ポット3の内周で真空吸引口9として
開口させてある。真空吸引口9は真空連通路10の横孔
13の上プランジャー7の側面での開口に対応する個数
で設けられるものである。そしてこの真空吸引口9は上
プランジャー7が上下動する範囲の位置で設けられるも
のであり、上プランジャー7が下動した位置にあるとき
には図1(a)のように、真空連通路10の横孔13の
上プランジャー7の側面での開口と真空吸引口9とが合
致するようにしてある。
【0020】上記のように形成されるトランスファー成
形装置にあって、まず上下型2,4を開いてキャビティ
6内にIC等の半導体素子をセットすると共に、下プラ
ンジャー8の上側において下ポット1内に熱硬化性樹脂
の粉粒状の成形材料11を投入して供給し、上下型2,
4を型締めする。このとき下プランジャー8は下動した
位置にある。
【0021】次に図1(a)のように上プランジャー7
を上ポット3の下端位置まで下動させる。このように上
プランジャー7を下動させると、下ポット1の上端の開
口が上プランジャー7の下面で閉塞されると共に、ラン
ナー5の上ポット3への開口が上プランジャー7の閉塞
用突部15の側面で閉塞される。そして同時に、真空連
通路10の横孔13の上プランジャー7の側面での開口
と真空吸引口9とが合致し、また開閉ロッド14は下端
が真空連通路10の縦孔12と横孔13との交叉連通部
より上側に位置しており、縦孔12と横孔13とは連通
された状態にある。このために、下ポット1内の空気は
縦孔12の上プランジャー7の下面の開口から真空連通
路10と真空吸引口9を通じて真空吸引路24に真空吸
引される。下ポット1内は上プランジャー7と下プラン
ジャー8との間の密閉された小さな空間であるので、下
ポット1内の真空度を高くすることができ、下ポット1
内の空気をほぼ完全に除去することが可能であり、成形
材料11の粒子間の空気をほぼ完全に除去することがで
きるものである。
【0022】次に図1(b)のように上プランジャー7
を上動させる。このように上プランジャー7を上動させ
ると、真空連通路10の横孔13の上プランジャー7の
側面での開口と真空吸引口9とが合致が外れると共に真
空吸引口9は上プランジャー7の側面で塞がれ、下ポッ
ト1内の真空吸引は遮断される。またこのように上プラ
ンジャー7を上動させることによって、下ポット1の上
端が開口して上ポット3の下端部内に連通するとランナ
ー5の上ポット3への開口が開かれる。さらにこのよう
に上プランジャー7を上動させることによって、開閉ロ
ッド14の下端が真空連通路10の縦孔12の下端の開
口と同じ高さで一致し、真空連通路10の上プランジャ
ー7の下面での開口が開閉ロッド14で閉塞される。
【0023】そしてこの後、図1(c)のように下プラ
ンジャー8を上動駆動させると、下ポット3内の成形材
料11が上プランジャー7との間で加圧され、加熱と加
圧によって溶融状態になっている成形材料11は下プラ
ンジャー8の上動に伴って下ポット3内から押し出さ
れ、ランナー5を通じてキャビティ6に注入される。こ
こで、真空連通路10の上プランジャー7の下面での開
口は開閉ロッド14で閉塞されているので、溶融状態の
成形材料11が真空連通路10内に侵入して真空連通路
10内が成形材料11で詰まるようなおそれはないもの
である。
【0024】このようにキャビティ6に注入される成形
材料11には、図1(a)の工程で空気が真空除去され
ており、空気が殆ど含まれていないので、封止成形品に
ボイドなどが発生しないボイドレスで成形を行なうこと
ができるものである。
【0025】
【発明の効果】上記のように本発明に係るトランスファ
ー成形装置は、成形材料が供給される下ポットを設けた
下型と、下ポットの上面の開口と下面の開口が合致する
上ポットを設けた上型と、上下の型間に形成され上下の
ポットに一端の開口が連通するランナーと、上下の型間
に形成されランナーに連通するキャビティと、上ポット
内に上下駆動自在に設けられ下動位置でランナーの一端
の開口を閉じると共に上動位置でランナーのこの開口を
開く上プランジャーと、下ポット内に上下駆動自在に設
けられた下プランジャーと、上プランジャーが上下動す
る範囲の位置で上ポットの内周に開口して設けられた真
空吸引口と、上プランジャーにその側面と下面に開口し
て設けられ上プランジャーの下動位置で側面の開口が真
空吸引口と一致する真空連通路とを具備して形成され、
上プランジャーを下動させてランナーの一端の開口を閉
じると共に真空吸引口と真空連通路の上プランジャーの
側面での開口を合致させ、真空連通路と真空吸引口を通
じて下ポット内を減圧した後、上プランジャーを上動さ
せてランナーの上下のポットへの開口を開くと共に真空
吸引口と真空連通路の上記開口との合致を外して真空吸
引口を上プランジャーの側面で塞ぎ、この後に下プラン
ジャーを上動させて下ポット内の成形材料を上プランジ
ャーとの間で加圧すると共にランナーを通じてキャビテ
ィに注入するようにしたので、下ポット内を真空吸引し
て空気を除去した後に、成形材料をキャビティに注入し
て成形を行なうことができるものであり、成形材料の粒
子間の空気を完全に除去した状態で、ボイドレスで成形
を行なうことができるものである。
【0026】また請求項2の発明は、真空連通路を上プ
ランジャーの上下動方向に対して平行な縦孔とこの縦孔
と交叉する横孔とで形成すると共に、縦孔の下端を上プ
ランジャーの下面で、横孔の一端を上プランジャーの側
面でそれぞれ開口させ、上プランジャーが上動位置にあ
るときには下端で縦孔の下端の開口を閉じ、且つ上プラ
ンジャーが下動位置にあるときには縦孔と横孔の交叉部
より上側に下端が位置するように、縦孔に不動状態で開
閉ロッドを差し込んで設けたので、上プランジャーを上
動させた後に下プランジャーを上動させて成形材料をキ
ャビティに注入する際には、真空連通路の上プランジャ
ーの下面での開口は開閉ロッドで塞がれているものであ
って、溶融状態の成形材料が真空連通路内に侵入して真
空連通路内が成形材料で詰まるようなことを防ぐことが
できるものである。
【0027】また請求項3の発明は、上プランジャーの
下面の周縁にランナーの一端の開口を閉塞自在な閉塞用
突部を全周に亘って設けたので、上プランジャーを下動
させたときには閉塞用突部でランナーの開口を完全に閉
じることができ、下ポット内を完全に密閉状態にして高
い真空度で下ポット内を真空吸引することができるもの
である。
【0028】また本発明に係るトランスファー成形方法
は、上記のトランスファー成形装置を用いて、成形する
ようにしたので、成形材料の粒子間の空気を完全に除去
した状態で、ボイドレスで成形を行なうことができるも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
(a)乃至(c)はそれぞれ断面図である。
【図2】従来例を示すものであり、(a)乃至(d)は
それぞれ断面図である。
【符号の説明】
1 下ポット 2 下型 3 上ポット 4 上型 5 ランナー 6 キャビティ 7 上プランジャー 8 下プランジャー 9 真空吸引口 10 真空連通路 11 成形材料 12 縦孔 13 横孔 14 開閉ロッド 15 閉塞用突部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 成形材料が供給される下ポットを設けた
    下型と、下ポットの上面の開口と下面の開口が合致する
    上ポットを設けた上型と、上下の型間に形成され上下の
    ポットに一端の開口が連通するランナーと、上下の型間
    に形成されランナーに連通するキャビティと、上ポット
    内に上下駆動自在に設けられ下動位置でランナーの一端
    の開口を閉じると共に上動位置でランナーのこの開口を
    開く上プランジャーと、下ポット内に上下駆動自在に設
    けられた下プランジャーと、上プランジャーが上下動す
    る範囲の位置で上ポットの内周に開口して設けられた真
    空吸引口と、上プランジャーにその側面と下面に開口し
    て設けられ上プランジャーの下動位置で側面の開口が真
    空吸引口と一致する真空連通路とを具備して形成され、
    上プランジャーを下動させてランナーの一端の開口を閉
    じると共に真空吸引口と真空連通路の上プランジャーの
    側面での開口を合致させ、真空連通路と真空吸引口を通
    じて下ポット内を減圧した後、上プランジャーを上動さ
    せてランナーの上下のポットへの開口を開くと共に真空
    吸引口と真空連通路の上記開口との合致を外して真空吸
    引口を上プランジャーの側面で塞ぎ、この後に下プラン
    ジャーを上動させて下ポット内の成形材料を上プランジ
    ャーとの間で加圧すると共にランナーを通じてキャビテ
    ィに注入するようにして成ることを特徴とするトランス
    ファー成形装置。
  2. 【請求項2】 真空連通路を上プランジャーの上下動方
    向に対して平行な縦孔とこの縦孔と交叉する横孔とで形
    成すると共に、縦孔の下端を上プランジャーの下面で、
    横孔の一端を上プランジャーの側面でそれぞれ開口さ
    せ、上プランジャーが上動位置にあるときには下端で縦
    孔の下端の開口を閉じ、且つ上プランジャーが下動位置
    にあるときには縦孔と横孔の交叉部より上側に下端が位
    置するように、縦孔に不動状態で開閉ロッドを差し込ん
    で設けて成ることを特徴とする請求項1に記載のトラン
    スファー成形装置。
  3. 【請求項3】 上プランジャーの下面の周縁にランナー
    の一端の開口を閉塞自在な閉塞用突部を全周に亘って設
    けて成ることを特徴とする請求項1又は2に記載のトラ
    ンスファー成形装置。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載のトラ
    ンスファー成形装置を用いて、成形することを特徴とす
    るトランスファー成形方法。
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