JP2000335109A - 光記録媒体及びその記録方法 - Google Patents
光記録媒体及びその記録方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が
可能で、かつ、この２倍速以上の高記録線速度でのオー
バーライト特性が良好な相変化型光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板上に少なくとも第１の誘電体層、相
変化型の記録層、第２の誘電体層、および金属反射層を
この順番で積層してなり、該記録層の組成が組成式Ａｇ
aＩｎbＳｂxＴｅyで表記され、ａ，ｂ，ｘ，ｙはそれぞ
れ原子比率で0＜a≦0.01，0.03≦b≦0.10，0.40≦x≦0.
70，y=1-a-b-x、かつ（x-a-1/3b）Sb /（(y-2a-2/3b）T
e +（x-a-1/3b）Sb）の比ｒが ０．７≦ｒ≦０．８５ の範囲である光記録媒体。
可能で、かつ、この２倍速以上の高記録線速度でのオー
バーライト特性が良好な相変化型光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板上に少なくとも第１の誘電体層、相
変化型の記録層、第２の誘電体層、および金属反射層を
この順番で積層してなり、該記録層の組成が組成式Ａｇ
aＩｎbＳｂxＴｅyで表記され、ａ，ｂ，ｘ，ｙはそれぞ
れ原子比率で0＜a≦0.01，0.03≦b≦0.10，0.40≦x≦0.
70，y=1-a-b-x、かつ（x-a-1/3b）Sb /（(y-2a-2/3b）T
e +（x-a-1/3b）Sb）の比ｒが ０．７≦ｒ≦０．８５ の範囲である光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録、再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化型
光記録媒体に関し、現在市販されているＤＶＤ−ＲＯＭ
の線速の２倍以上の記録線速に対応しうる光記録媒体、
及びこの光記録媒体を用いた記録方法に関するものであ
る。
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録、再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化型
光記録媒体に関し、現在市販されているＤＶＤ−ＲＯＭ
の線速の２倍以上の記録線速に対応しうる光記録媒体、
及びこの光記録媒体を用いた記録方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相（アモルファス相）間、あるいは結晶−結
晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化型光記録媒体
がよく知られている。これは単一ビームによるオーバー
ライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純で
あることを特徴とし、コンピュータ関連や映像音響に関
する記録媒体として応用されている。
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相（アモルファス相）間、あるいは結晶−結
晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化型光記録媒体
がよく知られている。これは単一ビームによるオーバー
ライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純で
あることを特徴とし、コンピュータ関連や映像音響に関
する記録媒体として応用されている。
【０００３】その記録材料としては、ＧｅＴｅ，ＧｅＴ
ｅＳｅ，ＧｅＴｅＳ，ＧｅＳｅＳ，ＧｅＳｅＳｂ，Ｇｅ
ＡｓＳｅ，ＩｎＴｅ，ＳｅＴｅ，ＳｅＡｓ，Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ），ＧｅＴｅＳｅＳｂ，ＧｅＴｅ
Ｓｂ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。特に、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは高感度でアモルファス部分の輪郭
が明確な特徴を有し、従来に比べＣ／Ｎ、消去比、感
度、記録．消去繰り返し特性の飛躍的向上を達成できる
光記録媒体を提供する目的として特開平８−２２６４４
号公報にその組成が開示されている。
ｅＳｅ，ＧｅＴｅＳ，ＧｅＳｅＳ，ＧｅＳｅＳｂ，Ｇｅ
ＡｓＳｅ，ＩｎＴｅ，ＳｅＴｅ，ＳｅＡｓ，Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ），ＧｅＴｅＳｅＳｂ，ＧｅＴｅ
Ｓｂ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。特に、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは高感度でアモルファス部分の輪郭
が明確な特徴を有し、従来に比べＣ／Ｎ、消去比、感
度、記録．消去繰り返し特性の飛躍的向上を達成できる
光記録媒体を提供する目的として特開平８−２２６４４
号公報にその組成が開示されている。
【０００４】この記録層の構成元素は主としてＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅで、それぞれの組成比α，β，γ，δ
（原子％）は、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α＋β＋γ＋δ＝１００ である。
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅで、それぞれの組成比α，β，γ，δ
（原子％）は、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α＋β＋γ＋δ＝１００ である。
【０００５】特にこの材料系を用い、ディスクの回転線
速度が１．２ｍ／ｓから５．６ｍ／ｓの領域で記録・消
去を行う光記録方法において最適な光記録媒体（書き換
え可能なコンパクトディスク）として、記録層の構成元
素が主にＡｇ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｓｂであり、それぞれの組
成比α，β，γ，δ（原子％）が １≦α＜６ ７≦β≦２０ ２０≦γ≦３５ ３５≦δ≦７０ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が特開平９−２６３
０５５号公報に開示されている。
速度が１．２ｍ／ｓから５．６ｍ／ｓの領域で記録・消
去を行う光記録方法において最適な光記録媒体（書き換
え可能なコンパクトディスク）として、記録層の構成元
素が主にＡｇ，Ｉｎ，Ｔｅ，Ｓｂであり、それぞれの組
成比α，β，γ，δ（原子％）が １≦α＜６ ７≦β≦２０ ２０≦γ≦３５ ３５≦δ≦７０ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が特開平９−２６３
０５５号公報に開示されている。
【０００６】ところで、現在の光ディスクは４．７ＧＢ
容量のＤＶＤ−ＲＯＭがすでに商品化され、これと同容
量で互換性の高い光記録媒体としてＤＶＤ−ＲＷ等の高
記録密度媒体が提案されている。ＤＶＤ−ＲＯＭのディ
スク回転数は３．４９ｍ／ｓであるため、これと等速の
光記録媒体に用いる記録材料は特開平９−２６３０５５
号公報に開示されている組成であっても対応可能である
が、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の高密度記録でかつ２倍速
以上（約７ｍ／ｓ以上）の記録線速に適合させることは
困難である。
容量のＤＶＤ−ＲＯＭがすでに商品化され、これと同容
量で互換性の高い光記録媒体としてＤＶＤ−ＲＷ等の高
記録密度媒体が提案されている。ＤＶＤ−ＲＯＭのディ
スク回転数は３．４９ｍ／ｓであるため、これと等速の
光記録媒体に用いる記録材料は特開平９−２６３０５５
号公報に開示されている組成であっても対応可能である
が、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の高密度記録でかつ２倍速
以上（約７ｍ／ｓ以上）の記録線速に適合させることは
困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＤＶ
Ｄ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、さらに
この２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）までをカバーでき
る、具体的には３．０ｍ／ｓから１４ｍ／ｓの範囲の高
記録線速度でのオーバーライト特性が良好であり、かつ
高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性を示す相変
化型光記録媒体を提供することである。
Ｄ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、さらに
この２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）までをカバーでき
る、具体的には３．０ｍ／ｓから１４ｍ／ｓの範囲の高
記録線速度でのオーバーライト特性が良好であり、かつ
高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性を示す相変
化型光記録媒体を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは光記録媒体
について多くの研究・検討を行ってきた。その過程にお
いて、ＡｇＩｎＳｂＴｅの相変化記録材料を用いた光記
録媒体の記録線速の上昇は、Ｓｂ含有量を増加するかＩ
ｎ量を増加することによって達成できることを実験的に
確認したが、Ｓｂ量の増加によって記録線速を上昇しよ
うとした場合には、オーバーライト特性や高温高湿環境
下での保存信頼性が悪化するため、（x-a-1/3b）Sb /
（(y-2a-2/3b）Te +（x-a-1/3b）Sb）の比ｒが ０．７≦ｒ≦０．８５ の範囲であることが必要なこと、またＩｎ量を増加した
場合には再生光による劣化や記録マークのコントラスト
が減少してしまう等の不具合が生じるため、Ｉｎ組成比
ｂは０．１以下が好ましいことも実験により確かめられ
た。
について多くの研究・検討を行ってきた。その過程にお
いて、ＡｇＩｎＳｂＴｅの相変化記録材料を用いた光記
録媒体の記録線速の上昇は、Ｓｂ含有量を増加するかＩ
ｎ量を増加することによって達成できることを実験的に
確認したが、Ｓｂ量の増加によって記録線速を上昇しよ
うとした場合には、オーバーライト特性や高温高湿環境
下での保存信頼性が悪化するため、（x-a-1/3b）Sb /
（(y-2a-2/3b）Te +（x-a-1/3b）Sb）の比ｒが ０．７≦ｒ≦０．８５ の範囲であることが必要なこと、またＩｎ量を増加した
場合には再生光による劣化や記録マークのコントラスト
が減少してしまう等の不具合が生じるため、Ｉｎ組成比
ｂは０．１以下が好ましいことも実験により確かめられ
た。
【０００９】このような条件を満たしながら、目的とす
るＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上の記録線速を達成するた
めには、Ａｇ含有量を１％以下と非常に少ない量とした
系において特開平９−２６３０５５号公報の実施例に開
示されるＳｂやＩｎ量をあまり増やすことなく、記録線
速に対応できるとともに、ＳｂやＩｎ量を上昇する場合
に比較してオーバーライト特性や高温高湿環境下での保
存信頼性において良好な結果を与えることを見い出し
た。また窒素の導入はさらに信頼性向上に効果がある。
更に、相変化型記録材料をＤＶＤ−ＲＯＭと互換性が高
い２倍速以上の光記録媒体に応用する場合には、レーザ
ー光などの記録に使用する光の波長は６３０ｎｍから６
７０ｎｍとなるため、この波長領域において所望の反射
率および変調度となるように光記録媒体を構成する記録
層、誘電体層および反射層の膜厚を調整する必要があ
る。
るＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上の記録線速を達成するた
めには、Ａｇ含有量を１％以下と非常に少ない量とした
系において特開平９−２６３０５５号公報の実施例に開
示されるＳｂやＩｎ量をあまり増やすことなく、記録線
速に対応できるとともに、ＳｂやＩｎ量を上昇する場合
に比較してオーバーライト特性や高温高湿環境下での保
存信頼性において良好な結果を与えることを見い出し
た。また窒素の導入はさらに信頼性向上に効果がある。
更に、相変化型記録材料をＤＶＤ−ＲＯＭと互換性が高
い２倍速以上の光記録媒体に応用する場合には、レーザ
ー光などの記録に使用する光の波長は６３０ｎｍから６
７０ｎｍとなるため、この波長領域において所望の反射
率および変調度となるように光記録媒体を構成する記録
層、誘電体層および反射層の膜厚を調整する必要があ
る。
【００１０】以上のように、光記録媒体を構成すること
によってＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以
上）の記録線速でオーバーライト特性が良好であり、か
つ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性を示す相
変化型光記録媒体を実現可能であるが、さらにオーバー
ライト特性を改善する目的においては、誘電体層のうち
少なくとも１層あるいは両層がＺｎＳ−ＳｉＯ2混合タ
ーゲットを用いてスパッタ製膜された層とその他の誘電
体の単体および混合ターゲットを用いてスパッタ製膜さ
れた層の２層構成にすることが望ましい。
によってＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以
上）の記録線速でオーバーライト特性が良好であり、か
つ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性を示す相
変化型光記録媒体を実現可能であるが、さらにオーバー
ライト特性を改善する目的においては、誘電体層のうち
少なくとも１層あるいは両層がＺｎＳ−ＳｉＯ2混合タ
ーゲットを用いてスパッタ製膜された層とその他の誘電
体の単体および混合ターゲットを用いてスパッタ製膜さ
れた層の２層構成にすることが望ましい。
【００１１】また、以上のように構成された光記録媒体
に対してＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以
上）記録マークを記録する場合、最大速度は２倍速以上
としても実際の記録線速としては等速の場合もカバーす
る必要がある。この場合、最適ジッタを得るためには高
線速側と等速側の記録ストラテジーを調整する必要が生
ずる。
に対してＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以
上）記録マークを記録する場合、最大速度は２倍速以上
としても実際の記録線速としては等速の場合もカバーす
る必要がある。この場合、最適ジッタを得るためには高
線速側と等速側の記録ストラテジーを調整する必要が生
ずる。
【００１２】本発明は上記のような知見に基づいてなさ
れたものである。従って、本発明によれば、第一に、基
板上に少なくとも第１の誘電体層、相変化型の記録層、
第２の誘電体層、および金属反射層をこの順番で積層し
た光記録媒体において、該記録層の組成は組成式Ａｇa
ＩｎbＳｂxＴｅyで表記され、ａ，ｂ，ｘ，ｙはそれぞ
れ原子比率で0＜a≦0.01，0.03≦b≦0.10，0.40≦x≦0.
70，y=1-a-b-x、かつ（x-a-1/3b）Sb /（(y-2a-2/3b）T
e +（x-a-1/3b）Sb）の比ｒが ０．７≦ｒ≦０．８５ の範囲であり、記録マークが記録線速３．０ｍ／ｓ以上
１４ｍ／ｓ以下の範囲においてＣＡＶ方式またはＣＬＶ
方式で記録されることを特徴とする光記録媒体が提供さ
れる。
れたものである。従って、本発明によれば、第一に、基
板上に少なくとも第１の誘電体層、相変化型の記録層、
第２の誘電体層、および金属反射層をこの順番で積層し
た光記録媒体において、該記録層の組成は組成式Ａｇa
ＩｎbＳｂxＴｅyで表記され、ａ，ｂ，ｘ，ｙはそれぞ
れ原子比率で0＜a≦0.01，0.03≦b≦0.10，0.40≦x≦0.
70，y=1-a-b-x、かつ（x-a-1/3b）Sb /（(y-2a-2/3b）T
e +（x-a-1/3b）Sb）の比ｒが ０．７≦ｒ≦０．８５ の範囲であり、記録マークが記録線速３．０ｍ／ｓ以上
１４ｍ／ｓ以下の範囲においてＣＡＶ方式またはＣＬＶ
方式で記録されることを特徴とする光記録媒体が提供さ
れる。
【００１３】第二に、記録層の膜厚が１０ｎｍから２５
ｎｍ、第１の誘電体層の膜厚が５０ｎｍから１１０ｎｍ
あるいは１７０ｎｍから２１５ｎｍ、第２の誘電体層の
膜厚が１０ｎｍから３０ｎｍの範囲にあり、さらに金属
反射層の膜厚が２０ｎｍから４００ｎｍの範囲にあるこ
とを特徴とする上記第一の光記録媒体が提供される。
ｎｍ、第１の誘電体層の膜厚が５０ｎｍから１１０ｎｍ
あるいは１７０ｎｍから２１５ｎｍ、第２の誘電体層の
膜厚が１０ｎｍから３０ｎｍの範囲にあり、さらに金属
反射層の膜厚が２０ｎｍから４００ｎｍの範囲にあるこ
とを特徴とする上記第一の光記録媒体が提供される。
【００１４】第三に、記録層が窒素元素を含むことを特
徴とする上記第一又は第二の光記録媒体が提供される。
徴とする上記第一又は第二の光記録媒体が提供される。
【００１５】第四に、第１の誘導体および第２の誘電体
層のうちの少なくとも１層あるいは両層が、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2混合ターゲットを用いてスパッタ製膜された層と
その他の誘電体の単体および混合ターゲットを用いてス
パッタ製膜された層との２層構成であり、さらにこの２
層構成の誘電体層の記録層側はＺｎＳ−ＳｉＯ2である
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。
層のうちの少なくとも１層あるいは両層が、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2混合ターゲットを用いてスパッタ製膜された層と
その他の誘電体の単体および混合ターゲットを用いてス
パッタ製膜された層との２層構成であり、さらにこの２
層構成の誘電体層の記録層側はＺｎＳ−ＳｉＯ2である
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００１６】第五に、基板がポリカーボネート樹脂であ
ることを特徴とする上記第一〜四のいずれかの光記録媒
体が提供される。
ることを特徴とする上記第一〜四のいずれかの光記録媒
体が提供される。
【００１７】第六に、上記第一〜五のいずれかの光記録
媒体を使用し、これにあらかじめレーザー光等のエネル
ギービームにより、結晶相に初期化された記録層に対し
レーザー光等の光パルス列を用いるアモルファス相の記
録マークを記録する光記録方法において、各光パルス列
のパルス幅Ｔｐおよび先頭のディレイタイムＴｄｅｌａ
ｙおよび後端のオフパルス幅Ｔｏｐは１４ｍ／ｓ以下の
記録線速において記録装置の最大速度において最低ジッ
タが得られるように時定数が決定されるとともに、それ
よりも低い記録線速においては最大線速において決定さ
れた時定数をそのままとしてウィンドウ幅Ｔｗのみを記
録線速に適合させて記録するか、あるいは先頭のディレ
イタイムＴｄｅｌａｙおよび後端のオフパルス幅Ｔｏｐ
はそのままの時定数であるが、パルス幅Ｔｐの時定数の
みを変更して記録することを特徴とする光記録媒体への
光記録方法が提供される。
媒体を使用し、これにあらかじめレーザー光等のエネル
ギービームにより、結晶相に初期化された記録層に対し
レーザー光等の光パルス列を用いるアモルファス相の記
録マークを記録する光記録方法において、各光パルス列
のパルス幅Ｔｐおよび先頭のディレイタイムＴｄｅｌａ
ｙおよび後端のオフパルス幅Ｔｏｐは１４ｍ／ｓ以下の
記録線速において記録装置の最大速度において最低ジッ
タが得られるように時定数が決定されるとともに、それ
よりも低い記録線速においては最大線速において決定さ
れた時定数をそのままとしてウィンドウ幅Ｔｗのみを記
録線速に適合させて記録するか、あるいは先頭のディレ
イタイムＴｄｅｌａｙおよび後端のオフパルス幅Ｔｏｐ
はそのままの時定数であるが、パルス幅Ｔｐの時定数の
みを変更して記録することを特徴とする光記録媒体への
光記録方法が提供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面によりさらに
詳細に説明する。図１は本発明の光記録媒体の一例の層
構成の概念図を示す。図１の光記録媒体は、図示されな
い案内溝を有する基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からな
る第１の誘電体層（下部保護層）２、この第１誘電体層
上にＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層３、この記録層上にＺｎＳ
−ＳｉＯ2からなる第２の誘電体層（上部保護層）４、
この第２の誘電体層上に金属反射層（反射放熱層）５を
製膜し、好ましくはこの金属反射層上にＵＶ硬化樹脂か
らなる環境保護層６が積層された構成からなる。
詳細に説明する。図１は本発明の光記録媒体の一例の層
構成の概念図を示す。図１の光記録媒体は、図示されな
い案内溝を有する基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からな
る第１の誘電体層（下部保護層）２、この第１誘電体層
上にＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層３、この記録層上にＺｎＳ
−ＳｉＯ2からなる第２の誘電体層（上部保護層）４、
この第２の誘電体層上に金属反射層（反射放熱層）５を
製膜し、好ましくはこの金属反射層上にＵＶ硬化樹脂か
らなる環境保護層６が積層された構成からなる。
【００１９】基板１の材料は通常、ガラス、セラミック
ス、あるいは樹脂が用いられ、樹脂基板が成形性の点で
好ましい。代表例としてはポリカーボネート樹脂、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ
素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、
加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹脂が
好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード状あ
るいはシート状であってもよい。
ス、あるいは樹脂が用いられ、樹脂基板が成形性の点で
好ましい。代表例としてはポリカーボネート樹脂、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ
素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、
加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹脂が
好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード状あ
るいはシート状であってもよい。
【００２０】各層の製膜条件は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜：
投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０
-3Ｔｏｒｒ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力１ｋＷ、Ａ
ｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ，ＺｎＳ
−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室
気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、Ａｌ膜：投入電力９ｋＷ，
Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒが適当
である。
投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０
-3Ｔｏｒｒ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力１ｋＷ、Ａ
ｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ，ＺｎＳ
−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室
気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、Ａｌ膜：投入電力９ｋＷ，
Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒが適当
である。
【００２１】ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層において、Ａｇの
存在は、後述の実施例、比較例から明らかなように、記
録特性および保存安定性の向上に効果がある。ただし、
Ａｇが多くなると結晶転移速度が遅くなるため、高線速
に対応できない。また、記録線速の上昇はＳｂ含有量を
増加するかＩｎ量を増加することによって達成できる
が、Ｓｂ量の増加によって記録線速を上昇しようとした
場合には、オーバーライト特性や高温高湿環境下での保
存信頼性が急激に悪化する傾向がある（図２）。
存在は、後述の実施例、比較例から明らかなように、記
録特性および保存安定性の向上に効果がある。ただし、
Ａｇが多くなると結晶転移速度が遅くなるため、高線速
に対応できない。また、記録線速の上昇はＳｂ含有量を
増加するかＩｎ量を増加することによって達成できる
が、Ｓｂ量の増加によって記録線速を上昇しようとした
場合には、オーバーライト特性や高温高湿環境下での保
存信頼性が急激に悪化する傾向がある（図２）。
【００２２】また、ＡｇＩｎＳｂＴｅからＡｇＳｂＴｅ
2およびＩｎ3ＳｂＴｅ2化合物組成分を差し引いた残り
のＳｂ／（Ｔｅ＋Ｓｂ）比ｒによるオーバーライト特性
については、図２に示されるように、残余のＳｂ／（Ｔ
ｅ＋Ｓｂ）比ｒが ０．７≦ｒ≦０．８５ の範囲、特に０．７５の近傍が良好な結果を与える。
2およびＩｎ3ＳｂＴｅ2化合物組成分を差し引いた残り
のＳｂ／（Ｔｅ＋Ｓｂ）比ｒによるオーバーライト特性
については、図２に示されるように、残余のＳｂ／（Ｔ
ｅ＋Ｓｂ）比ｒが ０．７≦ｒ≦０．８５ の範囲、特に０．７５の近傍が良好な結果を与える。
【００２３】さらに、Ｉｎ量を増加した場合には、後記
の表１に再生光による劣化の状況が他の特性とともに示
されているように、Ｉｎ組成比ｂは０．１以下の原子比
が好ましいことが実験により確かめられた。
の表１に再生光による劣化の状況が他の特性とともに示
されているように、Ｉｎ組成比ｂは０．１以下の原子比
が好ましいことが実験により確かめられた。
【００２４】このような条件を満たしながら、目的とす
るＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上の記録線速を達成するた
め研究を重ねた結果、本発明者らはＡｇ含有量を原子比
で１％以下と非常に少ない量とした系においてオーバー
ライト特性や高温高湿環境下での保存信頼性に良好な結
果を与えることを見い出した。もっともＡｇが少ない系
に対してはＡｇの添加による効果が疑問視されるが、Ａ
ｇ添加量０．５％の系の記録特性評価結果と同時に、Ａ
ｇ添加量が０の系つまりＩｎＳｂＴｅ記録膜についての
評価結果を後記の比較例として表１に示した。表１より
Ａｇの添加効果はその添加量が１％以下であっても再生
光安定性および繰り返し記録可能回数（オーバーライト
特性）、保存安定性において改善は明白であり、本発明
の有効性についても確認することが出来る。
るＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上の記録線速を達成するた
め研究を重ねた結果、本発明者らはＡｇ含有量を原子比
で１％以下と非常に少ない量とした系においてオーバー
ライト特性や高温高湿環境下での保存信頼性に良好な結
果を与えることを見い出した。もっともＡｇが少ない系
に対してはＡｇの添加による効果が疑問視されるが、Ａ
ｇ添加量０．５％の系の記録特性評価結果と同時に、Ａ
ｇ添加量が０の系つまりＩｎＳｂＴｅ記録膜についての
評価結果を後記の比較例として表１に示した。表１より
Ａｇの添加効果はその添加量が１％以下であっても再生
光安定性および繰り返し記録可能回数（オーバーライト
特性）、保存安定性において改善は明白であり、本発明
の有効性についても確認することが出来る。
【００２５】第１の誘電体層（下部保護層）および第２
の誘電体層（上部保護層）は各種気相成長法、例えば真
空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等によ
り形成できる。また、その膜厚はその機能、即ち、耐熱
層、多重干渉層としての機能によっても異なるが、第１
の誘電体層は５０ｎｍから１１０ｎｍあるいは１７０ｎ
ｍから２１５ｎｍがよい。５０ｎｍ以下では記録層を基
板の影響から保護する機能の乏しく、２１５ｎｍ以上で
は界面剥離を生じ易くなる。また、第２の誘電体層は１
０〜３０ｎｍとするのがよい。１０ｎｍ以下では記録感
度が悪くなり、３０ｎｍ以上では熱がこもりすぎてしま
う。
の誘電体層（上部保護層）は各種気相成長法、例えば真
空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等によ
り形成できる。また、その膜厚はその機能、即ち、耐熱
層、多重干渉層としての機能によっても異なるが、第１
の誘電体層は５０ｎｍから１１０ｎｍあるいは１７０ｎ
ｍから２１５ｎｍがよい。５０ｎｍ以下では記録層を基
板の影響から保護する機能の乏しく、２１５ｎｍ以上で
は界面剥離を生じ易くなる。また、第２の誘電体層は１
０〜３０ｎｍとするのがよい。１０ｎｍ以下では記録感
度が悪くなり、３０ｎｍ以上では熱がこもりすぎてしま
う。
【００２６】本発明の記録層は一般的にはスパッタ法、
イオンプレーティング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ
法などにより膜形成が行われ、その膜厚は１０〜３０ｎ
ｍがよい。１０ｎｍより薄いと光吸収能が低下し記録層
としての機能が不充分である。また、３０ｎｍを超える
と記録感度が悪くなる。
イオンプレーティング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ
法などにより膜形成が行われ、その膜厚は１０〜３０ｎ
ｍがよい。１０ｎｍより薄いと光吸収能が低下し記録層
としての機能が不充分である。また、３０ｎｍを超える
と記録感度が悪くなる。
【００２７】金属反射層には各種金属が使用可能である
が、特にＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｍｎ，Ａｌ−
Ｃｒ，Ａｌ−Ｚｒ，Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ合金やＡｇ−Ｐ
ｄ等のＡｇ合金が望ましい。これらの層は真空蒸着法、
スパッタリング法、電子ビーム法等により形成され、そ
の膜厚は２０〜４００ｎｍがよい。２０ｎｍ以下では放
熱効果が得られない。また、４００ｎｍ以上では界面剥
離を生じ易くなる。また、記録層の製膜時、スパッタリ
ング中にスパッタチャンバー中に窒素（Ｎ2）を導入す
ることにより得られた光記録媒体は保存安定性が向上す
る。
が、特にＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｍｎ，Ａｌ−
Ｃｒ，Ａｌ−Ｚｒ，Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ合金やＡｇ−Ｐ
ｄ等のＡｇ合金が望ましい。これらの層は真空蒸着法、
スパッタリング法、電子ビーム法等により形成され、そ
の膜厚は２０〜４００ｎｍがよい。２０ｎｍ以下では放
熱効果が得られない。また、４００ｎｍ以上では界面剥
離を生じ易くなる。また、記録層の製膜時、スパッタリ
ング中にスパッタチャンバー中に窒素（Ｎ2）を導入す
ることにより得られた光記録媒体は保存安定性が向上す
る。
【００２８】誘電体層を２層にした場合（実施例４、
５）の光記録媒体は、表１にみられるように、オーバー
ライト特性が向上する。特に記録層からみて金属反射層
側の第２の誘電体層（上部保護層）を２層とした場合に
おいて、良好な特性向上が見られる。しかしながら、本
発明のＡｇ組成比の少ない相変化型記録材料を用いた記
録層に接する誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の場合が良
好な結果を与える。
５）の光記録媒体は、表１にみられるように、オーバー
ライト特性が向上する。特に記録層からみて金属反射層
側の第２の誘電体層（上部保護層）を２層とした場合に
おいて、良好な特性向上が見られる。しかしながら、本
発明のＡｇ組成比の少ない相変化型記録材料を用いた記
録層に接する誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の場合が良
好な結果を与える。
【００２９】すなわち、本発明のＡｇ組成比の少ない相
変化型記録材料を用いた記録層に接する誘電体層は、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2の場合が良好な結果を与える。本発明の
第二に記載の第１の誘電体層を２層化する場合、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2以外の層では誘電体層の膜厚が５０〜１１
０ｎｍの場合は、ＺｎＯやＳｉＯ2、ＴａＯ、ＩｎＳｎ
Ｏ等の誘電体を１０ｎｍから９０ｎｍの膜厚範囲とし、
また第１の誘電体層の膜厚が１７０ｎｍから２３０ｎ
ｍの場合はＺｎＯやＳｉＯ2、ＴａＯ、ＩｎＳｎＯ等の
誘電体を５０ｎｍから１５０ｎｍの膜厚範囲で配置する
のが良い。また、本発明の第二に記載の第２の誘電体層
の膜厚を２層化する場合は前記第１の誘導体の例と同様
に、ＺｎＯやＳｉＯ2、ＴａＯ、ＩｎＳｎＯ等の誘電体
は、１０ｎｍから２０ｎｍの膜厚範囲で配置するのが良
い。なお、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ2以外の誘電体を誘導体
はここに記載された以外のものが使用されてもよい。
変化型記録材料を用いた記録層に接する誘電体層は、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2の場合が良好な結果を与える。本発明の
第二に記載の第１の誘電体層を２層化する場合、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2以外の層では誘電体層の膜厚が５０〜１１
０ｎｍの場合は、ＺｎＯやＳｉＯ2、ＴａＯ、ＩｎＳｎ
Ｏ等の誘電体を１０ｎｍから９０ｎｍの膜厚範囲とし、
また第１の誘電体層の膜厚が１７０ｎｍから２３０ｎ
ｍの場合はＺｎＯやＳｉＯ2、ＴａＯ、ＩｎＳｎＯ等の
誘電体を５０ｎｍから１５０ｎｍの膜厚範囲で配置する
のが良い。また、本発明の第二に記載の第２の誘電体層
の膜厚を２層化する場合は前記第１の誘導体の例と同様
に、ＺｎＯやＳｉＯ2、ＴａＯ、ＩｎＳｎＯ等の誘電体
は、１０ｎｍから２０ｎｍの膜厚範囲で配置するのが良
い。なお、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ2以外の誘電体を誘導体
はここに記載された以外のものが使用されてもよい。
【００３０】続いて、記録ストラテジについて説明す
る。前述のように構成された光記録媒体に対してＤＶＤ
−ＲＯＭの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）の記録マーク
を記録する場合、最大速度は２倍速以上としても実際の
記録線速としては等速の場合もカバーする必要がある。
この場合、最適ジッタを得るためには高線速側と等速側
の記録ストラテジを調整する必要が生ずる。図３に記録
ストラテジの代表的な一例を示す。
る。前述のように構成された光記録媒体に対してＤＶＤ
−ＲＯＭの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）の記録マーク
を記録する場合、最大速度は２倍速以上としても実際の
記録線速としては等速の場合もカバーする必要がある。
この場合、最適ジッタを得るためには高線速側と等速側
の記録ストラテジを調整する必要が生ずる。図３に記録
ストラテジの代表的な一例を示す。
【００３１】記録マークの記録を２倍速以上の記録線速
と等速の記録線速とに対応させる場合、各光パルス列の
パルス幅Ｔｐおよび先頭のディレイタイムＴｄｅｌａｙ
および後端のオフパルス幅Ｔｏｐは最大線速において最
低ジッタが得られるように時定数が決定されるととも
に、それよりも低い記録線速においては最大線速におい
て決定された時定数をそのままとしてウィンドウ幅Ｔｗ
のみを記録線速に適合させて記録することによって良好
な記録が可能であることが実験により確かめられた。こ
の場合、具体的には高線速のストラテジに対し、等速の
ストラテジーにおいてはマルチパルス後に設定されるオ
フパルス部分のみがウィンドウ幅Ｔｗの比の分長くなる
事を示す。
と等速の記録線速とに対応させる場合、各光パルス列の
パルス幅Ｔｐおよび先頭のディレイタイムＴｄｅｌａｙ
および後端のオフパルス幅Ｔｏｐは最大線速において最
低ジッタが得られるように時定数が決定されるととも
に、それよりも低い記録線速においては最大線速におい
て決定された時定数をそのままとしてウィンドウ幅Ｔｗ
のみを記録線速に適合させて記録することによって良好
な記録が可能であることが実験により確かめられた。こ
の場合、具体的には高線速のストラテジに対し、等速の
ストラテジーにおいてはマルチパルス後に設定されるオ
フパルス部分のみがウィンドウ幅Ｔｗの比の分長くなる
事を示す。
【００３２】さらに、等速記録時により良好なジッタを
得ようとする場合においては、さらにオンパルス幅Ｔｏ
ｐも最大線速時に比較し、線速差に対し１から５０％の
範囲でパルス幅大きくすることによって良好な記録特性
が得られる。
得ようとする場合においては、さらにオンパルス幅Ｔｏ
ｐも最大線速時に比較し、線速差に対し１から５０％の
範囲でパルス幅大きくすることによって良好な記録特性
が得られる。
【００３３】
【実施例】次に実施例をあげて本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００３４】実施例１ 表１に記載の組成の記録層を厚さ２０ｎｍ、第１の誘電
体層を厚さ７０ｎｍ、第２の誘電体層を厚さ２０ｎｍ、
金属反射層を厚さ１４０ｎｍとしてポリカーボネート基
板上にスパッタ法により成膜して光記録媒体を作製し
た。これの特性を４．７ＧＢ ＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速
以上である８ｍ／ｓの記録線速において評価した。結果
は表１に示す様な良好な特性が得られた。なお、表１
（高線速での記録特性）は図１の構造を有する光記録媒
体の記録線速７ｍ／ｓでの繰り返し記録回数を調べたも
のである。繰り返し記録回数は、ウインドウ幅Ｔｗで規
格化したジッタの値σ／Ｔｗが規格値を満足する最大回
数で判定したものである。トラックピッチは０．７４μ
ｍである。
体層を厚さ７０ｎｍ、第２の誘電体層を厚さ２０ｎｍ、
金属反射層を厚さ１４０ｎｍとしてポリカーボネート基
板上にスパッタ法により成膜して光記録媒体を作製し
た。これの特性を４．７ＧＢ ＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速
以上である８ｍ／ｓの記録線速において評価した。結果
は表１に示す様な良好な特性が得られた。なお、表１
（高線速での記録特性）は図１の構造を有する光記録媒
体の記録線速７ｍ／ｓでの繰り返し記録回数を調べたも
のである。繰り返し記録回数は、ウインドウ幅Ｔｗで規
格化したジッタの値σ／Ｔｗが規格値を満足する最大回
数で判定したものである。トラックピッチは０．７４μ
ｍである。
【００３５】実施例２ 記録層組成を表１のように変更した以外は実施例１と同
様にして光記録媒体を作製した。これを実施例１と同じ
に評価したところ、実施例１とほぼ同等の結果が得られ
た（表１）。
様にして光記録媒体を作製した。これを実施例１と同じ
に評価したところ、実施例１とほぼ同等の結果が得られ
た（表１）。
【００３６】実施例３ 実施例１と同じ組成の記録層の成膜時に窒素を約３％と
したアルゴン窒素混合ガスを用いて形成した以外は実施
例１と同様にして光記録媒体を作製した。これを実施例
１と同じに評価したところ、実施例１に比較して保存信
頼性が向上した（表１）。
したアルゴン窒素混合ガスを用いて形成した以外は実施
例１と同様にして光記録媒体を作製した。これを実施例
１と同じに評価したところ、実施例１に比較して保存信
頼性が向上した（表１）。
【００３７】実施例４ 第１の誘電体層を２層にした以外は実施例１と同様にし
て光記録媒体を作製した。なお第１の誘電体層の膜構成
は基板側からＺｎＯ：３５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2：３
５ｎｍとした。これを実施例１と同じに評価したとこ
ろ、実施例１に比較してオーバーライト特性が向上した
（表１）。
て光記録媒体を作製した。なお第１の誘電体層の膜構成
は基板側からＺｎＯ：３５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2：３
５ｎｍとした。これを実施例１と同じに評価したとこ
ろ、実施例１に比較してオーバーライト特性が向上した
（表１）。
【００３８】実施例５ 第２の誘電体層を２層にした以外は実施例１と同様にし
て光記録媒体を作製した。なお、第２の誘電体層の膜構
成は記録層側からＺｎＳ−ＳｉＯ2：１０ｎｍ、Ｚｎ
Ｏ：１０ｎｍとした。これを実施例１と同じに評価した
ところ、実施例１に比較してオーバーライト特性が向上
したと同時に記録線速の向上も見られた（表１）。
て光記録媒体を作製した。なお、第２の誘電体層の膜構
成は記録層側からＺｎＳ−ＳｉＯ2：１０ｎｍ、Ｚｎ
Ｏ：１０ｎｍとした。これを実施例１と同じに評価した
ところ、実施例１に比較してオーバーライト特性が向上
したと同時に記録線速の向上も見られた（表１）。
【００３９】比較例１ 本発明の記録層からＡｇを取り除いた組成に近いＩｎＳ
ｂＴｅを記録層として用いた以外は実施例１と同様にし
て光記録媒体を作製した。これを実施例１と同じに評価
したところ、再生光安定性、保存信頼性が悪い結果とな
った。
ｂＴｅを記録層として用いた以外は実施例１と同様にし
て光記録媒体を作製した。これを実施例１と同じに評価
したところ、再生光安定性、保存信頼性が悪い結果とな
った。
【００４０】比較例２ 本発明の記録層からＡｇ及びＩｎを取り除いた組成に近
いＳｂＴｅを記録層として用いた以外は実施例１と同様
にして光記録媒体を作製した。これを実施例１と同じに
評価したところ、再生光安定性は良好であるものの、保
存信頼性が悪い結果となった。また、この結果から、Ｉ
ｎの含有量は低い方が再生光安定性に効果的であること
もわかった。
いＳｂＴｅを記録層として用いた以外は実施例１と同様
にして光記録媒体を作製した。これを実施例１と同じに
評価したところ、再生光安定性は良好であるものの、保
存信頼性が悪い結果となった。また、この結果から、Ｉ
ｎの含有量は低い方が再生光安定性に効果的であること
もわかった。
【００４１】実施例６ 本発明の記録ストラテジを用いてＤＶＤ−ＲＯＭの１〜
２．５倍速の記録をおこなった。ストラテジ条件を表２
に示す。記録パワーを最適化することによって、図５に
示すようなフラットなジッタ特性が得られることが分か
った。
２．５倍速の記録をおこなった。ストラテジ条件を表２
に示す。記録パワーを最適化することによって、図５に
示すようなフラットなジッタ特性が得られることが分か
った。
【００４２】実施例７ 実施例６の記録ストラテジに対し、オンパルスの幅も最
大線速時に比較し、各線速に対し２０％の割合で大きく
し、ＤＶＤ−ＲＯＭの１〜２．５倍速の記録をおこなっ
た。ストラテジ条件を表３に示す。記録パワーを最適化
することによって、図５に示すような特に定線速側でさ
らに良好なジッタ特性が得られることが分かった。
大線速時に比較し、各線速に対し２０％の割合で大きく
し、ＤＶＤ−ＲＯＭの１〜２．５倍速の記録をおこなっ
た。ストラテジ条件を表３に示す。記録パワーを最適化
することによって、図５に示すような特に定線速側でさ
らに良好なジッタ特性が得られることが分かった。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】
【表３】
【００４６】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ相変化型記録材料のＡｇ含有量を１％以下と少ない
量とし、他の元素を特定範囲に調整することによって、
高線速記録条件下（記録線速：３．０〜１４ｍ／ｓ）に
おいて、オーバーライト特性や高温高湿環境下での保存
信頼性において良好な結果を与える光ディスクが実現さ
れる。
Ｔｅ相変化型記録材料のＡｇ含有量を１％以下と少ない
量とし、他の元素を特定範囲に調整することによって、
高線速記録条件下（記録線速：３．０〜１４ｍ／ｓ）に
おいて、オーバーライト特性や高温高湿環境下での保存
信頼性において良好な結果を与える光ディスクが実現さ
れる。
【００４７】請求項２の発明によれば、記録層の膜厚を
１０ｎｍから２５ｎｍ、第１の誘電体層の膜厚を５０ｎ
ｍから１１０ｎｍあるいは１７０ｎｍから２１５ｎｍ、
第２の誘電体層の膜厚を１０ｎｍから３０ｎｍの範囲に
し、さらに反射層の膜厚は２０ｎｍから４００ｎｍの範
囲としたことにより、４．７ＧＢ ＤＶＤ−ＲＯＭの規
格値に対し互換性の高い書き換え型光ディスクが実現さ
れる。
１０ｎｍから２５ｎｍ、第１の誘電体層の膜厚を５０ｎ
ｍから１１０ｎｍあるいは１７０ｎｍから２１５ｎｍ、
第２の誘電体層の膜厚を１０ｎｍから３０ｎｍの範囲に
し、さらに反射層の膜厚は２０ｎｍから４００ｎｍの範
囲としたことにより、４．７ＧＢ ＤＶＤ−ＲＯＭの規
格値に対し互換性の高い書き換え型光ディスクが実現さ
れる。
【００４８】請求項３の発明によれば、記録層に窒素元
素を含有させたことにより保存特性の向上した光ディス
クが得られる。
素を含有させたことにより保存特性の向上した光ディス
クが得られる。
【００４９】請求項４の発明によれば、第１、第２の誘
電体層のうち少なくとも１層あるいは両層が、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2混合ターゲットを用いてスパッタ製膜された層
とその他の誘電体の単体および混合ターゲットを用いて
スパッタ製膜された層の２層構成であり、さらにこの２
層構成の誘電体層の記録層側はＺｎＳ−ＳｉＯ2とする
ことによってさらにオーバーライト特性が向上される。
電体層のうち少なくとも１層あるいは両層が、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2混合ターゲットを用いてスパッタ製膜された層
とその他の誘電体の単体および混合ターゲットを用いて
スパッタ製膜された層の２層構成であり、さらにこの２
層構成の誘電体層の記録層側はＺｎＳ−ＳｉＯ2とする
ことによってさらにオーバーライト特性が向上される。
【００５０】請求項５の発明によれば、基体にポリカー
ボネートを用いたことのより、光ディスクの加工性、光
学特性が良好になる。
ボネートを用いたことのより、光ディスクの加工性、光
学特性が良好になる。
【００５１】請求項６の発明によれば、請求項１〜５に
記載の光記録媒体のレーザー光等の光パルス列を用いる
光記録方法において、各光パルス列のパルス幅Ｔｐおよ
び先頭のディレイタイムＴｄｅｌａｙおよび後端のオフ
パルス幅Ｔｏｐは１４ｍ／ｓ以下の記録線速において記
録装置の最大速度において最低ジッタが得られるように
時定数が決定されるとともに、それよりも低い記録線速
においては最大線速において決定された時定数をそのま
まとしてウィンドウ幅Ｔｗのみを記録線速に適合させて
記録するか、あるいは先頭のディレイタイムＴｄｅｌａ
ｙおよび後端のオフパルス幅Ｔｏｐはそのままの時定数
であるが、パルス幅の時定数のみを変更して記録するこ
とによってＣＡＶ方式の記録ＣＬＶ方式の記録において
も良好なジッタが得られる。また、記録線速を広範囲に
カバーできる光記録システムが実現できる。
記載の光記録媒体のレーザー光等の光パルス列を用いる
光記録方法において、各光パルス列のパルス幅Ｔｐおよ
び先頭のディレイタイムＴｄｅｌａｙおよび後端のオフ
パルス幅Ｔｏｐは１４ｍ／ｓ以下の記録線速において記
録装置の最大速度において最低ジッタが得られるように
時定数が決定されるとともに、それよりも低い記録線速
においては最大線速において決定された時定数をそのま
まとしてウィンドウ幅Ｔｗのみを記録線速に適合させて
記録するか、あるいは先頭のディレイタイムＴｄｅｌａ
ｙおよび後端のオフパルス幅Ｔｏｐはそのままの時定数
であるが、パルス幅の時定数のみを変更して記録するこ
とによってＣＡＶ方式の記録ＣＬＶ方式の記録において
も良好なジッタが得られる。また、記録線速を広範囲に
カバーできる光記録システムが実現できる。
【図１】本発明の光記録媒体の一例の断面図。
【図２】繰返し記録回数の（x-a-1/3b）Sb/（(y-2a-2/3
b）Te+（x-a-1/3b）Sb）の比ｒ依存性を表わした図。
b）Te+（x-a-1/3b）Sb）の比ｒ依存性を表わした図。
【図３】記録ストラテジの説明図。
【図４】実施例６と実施例７との違いを表わした記録ス
トラテジ条件の説明図。
トラテジ条件の説明図。
【図５】記録ストラテジによるジック特性を表わした説
明図。
明図。
１ 基板 ２ 第１の誘電体層（下部保護層） ３ 記録層 ４ 第２の誘電体層（上部保護層） ５ 金属反射層（反射放熱層） ６ 環境保護層
フロントページの続き (72)発明者 芝口 孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 木下 幹夫 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA32 EA33 EA37 EA40 FA01 FA12 FA21 FA25 FA27 FA37 FB09 FB12 FB17 FB21 FB29 FB30 GA03 5D029 JA01 JB35 JC17 JC18 5D090 AA01 BB05 CC01 CC14 DD02 EE05 FF11 FF21 KK05
Claims (6)
- 【請求項１】 ポリカーボネート基板上に少なくとも第
１の誘電体層、相変化型の記録層、第２の誘電体層、お
よび金属反射層をこの順番で積層した光記録媒体におい
て、該記録層の組成は組成式ＡｇaＩｎbＳｂxＴｅyで表
記され、ａ，ｂ，ｘ，ｙはそれぞれ原子比率で 0＜a≦0.01，0.03≦b≦0.10，0.40≦x≦0.70，y=1-a-b-
x、 かつ（x-a-1/3b）Sb /（(y-2a-2/3b）Te +（x-a-1/3b）
Sb）の比ｒが ０．７≦ｒ≦０．８５ の範囲であり、記録マークが記録線速３．０ｍ／ｓ以上
１４ｍ／ｓ以下の範囲においてＣＡＶ方式またはＣＬＶ
方式で記録されることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層の膜厚が１０ｎｍから２５ｎｍ、
第１の誘電体層の膜厚が５０ｎｍから１１０ｎｍあるい
は１７０ｎｍから２１５ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚が
１０ｎｍから３０ｎｍの範囲にあり、さらに金属反射層
の膜厚が２０ｎｍから４００ｎｍの範囲にあることを特
徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録層は窒素元素を含むことを特徴とす
る請求項１又は２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 第１の誘電体層および第２の誘電体層の
うちの少なくとも１層あるいは両層が、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2混合ターゲットを用いてスパッタ製膜された層とその
他の誘電体の単体および混合ターゲットを用いてスパッ
タ製膜された層との２層構成であり、さらにこの２層構
成の誘電体層の記録層側はＺｎＳ−ＳｉＯ2であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項５】 基板がポリカーボネート樹脂であること
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の光記録
媒体を使用し、これにあらかじめレーザー光等のエネル
ギービームにより、結晶相に初期化された記録層に対し
レーザー光等の光パルス列を用いてアモルファス相の記
録マークを記録する光記録方法において、各光パルス列
のパルス幅Ｔｐおよび先頭のディレイタイムＴｄｅｌａ
ｙおよび後端のオフパルス幅Ｔｏｐは１４ｍ／ｓ以下の
記録線速において記録装置の最大速度において最低ジッ
タが得られるように時定数が決定されるとともに、それ
よりも低い記録線速においては最大線速において決定さ
れた時定数をそのままとしてウィンドウ幅Ｔｗのみを記
録線速に適合させて記録するか、あるいは先頭のディレ
イタイムＴｄｅｌａｙおよび後端のオフパルス幅Ｔｏｐ
はそのままの時定数であるが、パルス幅Ｔｐの時定数の
みを変更して記録することを特徴とする光記録方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153316A JP2000335109A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 光記録媒体及びその記録方法 |
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|---|---|---|---|
| JP11153316A JP2000335109A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 光記録媒体及びその記録方法 |
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| JP2006237528A Division JP2007012269A (ja) | 2006-09-01 | 2006-09-01 | 光記録方法 |
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| JP (1) | JP2000335109A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008204624A (ja) * | 2001-05-21 | 2008-09-04 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体の記録方法 |
-
1999
- 1999-06-01 JP JP11153316A patent/JP2000335109A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008204624A (ja) * | 2001-05-21 | 2008-09-04 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体の記録方法 |
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