JP2000338450A - 光非相反回路 - Google Patents
光非相反回路Info
- Publication number
- JP2000338450A JP2000338450A JP14602299A JP14602299A JP2000338450A JP 2000338450 A JP2000338450 A JP 2000338450A JP 14602299 A JP14602299 A JP 14602299A JP 14602299 A JP14602299 A JP 14602299A JP 2000338450 A JP2000338450 A JP 2000338450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- port
- mode
- optical
- optical waveguide
- wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光集積化を容易にし、かつ高性能にする。
【解決手段】 ガーネット基板２１上に磁気光学材料か
らなる磁気光学膜２２を設け、磁気光学膜２２の上部に
リブを設けて第１の光導波路２３、第２の光導波路２４
を形成し、光導波路２３に第１のポート２５および第３
のポート２７を接続し、光導波路２４に第２のポート２
６および第４のポート２８を接続し、ＴＥモードのカッ
トオフβTECをＴＭモードのカットオフβTMCよりも大き
くし、またカットオフβTECをＴＭ導波モード前進波の
位相定数βTMFおよびＴＭ導波モード後退波の位相定数
βTMBより大きくし、ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射
モードとの変換係数ＫF、ＴＭ導波モード後退波とＴＥ
放射モードとの変換係数ＫBをほぼＫF＝０、ＫB≠０と
する。
らなる磁気光学膜２２を設け、磁気光学膜２２の上部に
リブを設けて第１の光導波路２３、第２の光導波路２４
を形成し、光導波路２３に第１のポート２５および第３
のポート２７を接続し、光導波路２４に第２のポート２
６および第４のポート２８を接続し、ＴＥモードのカッ
トオフβTECをＴＭモードのカットオフβTMCよりも大き
くし、またカットオフβTECをＴＭ導波モード前進波の
位相定数βTMFおよびＴＭ導波モード後退波の位相定数
βTMBより大きくし、ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射
モードとの変換係数ＫF、ＴＭ導波モード後退波とＴＥ
放射モードとの変換係数ＫBをほぼＫF＝０、ＫB≠０と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光サーキュレータ動
作等を行ない、光通信、光計測等に用いられる光非相反
回路に関するものである。
作等を行ない、光通信、光計測等に用いられる光非相反
回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光部品の集積化が進む中で、光サ
ーキュレータにおいても光導波路構造を用いる集積化の
試みがなされている。
ーキュレータにおいても光導波路構造を用いる集積化の
試みがなされている。
【０００３】図１１は従来の光導波路構造の光サーキュ
レータ（１９９０年電子情報通信学会春季全国大会Ｃ−
１９７）を示す概略斜視図である。図に示すように、Ｇ
ｄ3Ｇａ5Ｏ12からなる基板１上に(ＬｕＮｄＢｉ)3(Ｆｅ
Ａｌ)5Ｏ12からなるガイド層２が設けられ、ガイド層２
上にＳｉＯ2からなるクラッド層３が設けられ、ガイド
層２に光導波路４、５が形成され、光導波路４、５が接
近したカプラー部６、７が設けられ、カプラー部６、７
の間の光導波路４、５上に非相反移相器８、９が設けら
れ、光導波路４に第１のポート１０および第３のポート
１２が接続され、光導波路５に第２のポート１１および
第４のポート１３が接続されている。
レータ（１９９０年電子情報通信学会春季全国大会Ｃ−
１９７）を示す概略斜視図である。図に示すように、Ｇ
ｄ3Ｇａ5Ｏ12からなる基板１上に(ＬｕＮｄＢｉ)3(Ｆｅ
Ａｌ)5Ｏ12からなるガイド層２が設けられ、ガイド層２
上にＳｉＯ2からなるクラッド層３が設けられ、ガイド
層２に光導波路４、５が形成され、光導波路４、５が接
近したカプラー部６、７が設けられ、カプラー部６、７
の間の光導波路４、５上に非相反移相器８、９が設けら
れ、光導波路４に第１のポート１０および第３のポート
１２が接続され、光導波路５に第２のポート１１および
第４のポート１３が接続されている。
【０００４】この光サーキュレータにおいては、各ポー
ト１０〜１３から入射したＴＭモード光はカプラー部
６、７で２つに分けられ、カプラー部７、６で再び合成
される。そして、カプラー部６、７で分けられた２つの
光はそれぞれ非相反移相器８、９を通ることにより、前
進方向では同位相、後退方向では逆位相となって干渉合
成され、同位相の場合はクロスポートに出射し、逆位相
の場合は平行ポートに出射する。したがって、ポート１
０から入射した光はポート１３に出射し、ポート１１か
ら入射した光はポート１２に出射し、ポート１２から入
射した光はポート１０に出射し、ポート１３から入射し
た光はポート１１に出射する。このように原理的にはサ
ーキュレータとしての動作をする。
ト１０〜１３から入射したＴＭモード光はカプラー部
６、７で２つに分けられ、カプラー部７、６で再び合成
される。そして、カプラー部６、７で分けられた２つの
光はそれぞれ非相反移相器８、９を通ることにより、前
進方向では同位相、後退方向では逆位相となって干渉合
成され、同位相の場合はクロスポートに出射し、逆位相
の場合は平行ポートに出射する。したがって、ポート１
０から入射した光はポート１３に出射し、ポート１１か
ら入射した光はポート１２に出射し、ポート１２から入
射した光はポート１０に出射し、ポート１３から入射し
た光はポート１１に出射する。このように原理的にはサ
ーキュレータとしての動作をする。
【０００５】なお、特開平４−３２６３１９号公報、特
開平８−６８９６５号公報には光導波路構造の光アイソ
レータが記載されている。
開平８−６８９６５号公報には光導波路構造の光アイソ
レータが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
に示した光サーキュレータは構造が複雑であるから、実
際に回路を作製することは容易ではなく、また実験的に
得られているアイソレーションも３ｄＢと満足な性能は
得られていない。
に示した光サーキュレータは構造が複雑であるから、実
際に回路を作製することは容易ではなく、また実験的に
得られているアイソレーションも３ｄＢと満足な性能は
得られていない。
【０００７】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、光集積化に適しており、かつ高性能な光非
相反回路を提供することを目的とする。
れたもので、光集積化に適しており、かつ高性能な光非
相反回路を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、第１の光導波路と第２の光導波
路とを基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は
少なくともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１
の光導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモード
のカットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数および
ＴＭ導波モード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ
上記ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係
数を上記ＴＭ導波モード後退波と上記ＴＥ放射モードと
の変換係数よりも小さくする。
め、本発明においては、第１の光導波路と第２の光導波
路とを基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は
少なくともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１
の光導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモード
のカットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数および
ＴＭ導波モード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ
上記ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係
数を上記ＴＭ導波モード後退波と上記ＴＥ放射モードと
の変換係数よりも小さくする。
【０００９】また、第１の光導波路と第２の光導波路と
を基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少な
くともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光
導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカ
ットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数とＴＭ導波
モード後退波の位相定数との中間の値とし、上記ＴＭ導
波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係数を上記Ｔ
Ｍ導波モード後退波の上記ＴＥ放射モードへの変換係数
よりも小さくする。
を基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少な
くともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光
導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカ
ットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数とＴＭ導波
モード後退波の位相定数との中間の値とし、上記ＴＭ導
波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係数を上記Ｔ
Ｍ導波モード後退波の上記ＴＥ放射モードへの変換係数
よりも小さくする。
【００１０】これらの場合、上記第１の光導波路が第１
のポートおよび第３のポートに接続され、上記第２の光
導波路が第２のポートおよび第４のポートに接続され、
上記第１のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進
波は上記第３のポートに出射され、上記第２のポートか
ら入射した上記ＴＭ導波モード前進波は上記第４のポー
トに出射され、上記第３のポートから入射した上記ＴＭ
導波モード後退波はＴＥ放射モードに変換され、上記Ｔ
Ｍ導波モード後退波に再度変換されて上記第２のポート
に出射され、上記第４のポートから入射した上記ＴＭ導
波モード後退波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ
導波モード後退波に再度変換されて上記第１のポートに
出射されるようにするのが好ましい。
のポートおよび第３のポートに接続され、上記第２の光
導波路が第２のポートおよび第４のポートに接続され、
上記第１のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進
波は上記第３のポートに出射され、上記第２のポートか
ら入射した上記ＴＭ導波モード前進波は上記第４のポー
トに出射され、上記第３のポートから入射した上記ＴＭ
導波モード後退波はＴＥ放射モードに変換され、上記Ｔ
Ｍ導波モード後退波に再度変換されて上記第２のポート
に出射され、上記第４のポートから入射した上記ＴＭ導
波モード後退波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ
導波モード後退波に再度変換されて上記第１のポートに
出射されるようにするのが好ましい。
【００１１】また、第１の光導波路と第２の光導波路と
を基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少な
くともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光
導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカ
ットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数およびＴＭ
導波モード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ上記
ＴＭ導波モード後退波と上記ＴＥ放射モードとの変換係
数を上記ＴＭ導波モード前進波と上記ＴＥ放射モードと
の変換係数よりも小さくする。
を基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少な
くともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光
導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカ
ットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数およびＴＭ
導波モード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ上記
ＴＭ導波モード後退波と上記ＴＥ放射モードとの変換係
数を上記ＴＭ導波モード前進波と上記ＴＥ放射モードと
の変換係数よりも小さくする。
【００１２】この場合、上記第１の光導波路が第１のポ
ートおよび第３のポートに接続され、上記第２の光導波
路が第２のポートおよび第４のポートに接続され、上記
第３のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波は
上記第１のポートに出射され、上記第４のポートから入
射した上記ＴＭ導波モード後退波は上記第２のポートに
出射され、上記第１のポートから入射した上記ＴＭ導波
モード前進波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導
波モード前進波に再度変換されて上記第４のポートに出
射され、上記第２のポートから入射した上記ＴＭ導波モ
ード前進波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波
モード前進波に再度変換されて上記第３のポートに出射
されるようにするのが好ましい。
ートおよび第３のポートに接続され、上記第２の光導波
路が第２のポートおよび第４のポートに接続され、上記
第３のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波は
上記第１のポートに出射され、上記第４のポートから入
射した上記ＴＭ導波モード後退波は上記第２のポートに
出射され、上記第１のポートから入射した上記ＴＭ導波
モード前進波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導
波モード前進波に再度変換されて上記第４のポートに出
射され、上記第２のポートから入射した上記ＴＭ導波モ
ード前進波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波
モード前進波に再度変換されて上記第３のポートに出射
されるようにするのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る光非相反回路
を示す概略斜視図である。図に示すように、ＧＧＧ（Ｇ
ｄ3Ｇａ5Ｏ12）、ＮＧＧ（Ｎｄ3Ｇａ5Ｏ12）、カチオン
ドープＧＧＧ等からなるガーネット基板２１上にＣｅ置
換ＹＩＧ等の磁気光学材料からなる磁気光学膜２２が設
けられ、磁気光学膜２２の上部にリブが設けられて非相
反性を示す第１の光導波路２３、第２の光導波路２４が
形成され、光導波路２３に第１のポート２５および第３
のポート２７が接続され、光導波路２４に第２のポート
２６および第４のポート２８が接続されている。なお、
光導波路２３と光導波路２４との間隔は約６０μｍであ
る。
を示す概略斜視図である。図に示すように、ＧＧＧ（Ｇ
ｄ3Ｇａ5Ｏ12）、ＮＧＧ（Ｎｄ3Ｇａ5Ｏ12）、カチオン
ドープＧＧＧ等からなるガーネット基板２１上にＣｅ置
換ＹＩＧ等の磁気光学材料からなる磁気光学膜２２が設
けられ、磁気光学膜２２の上部にリブが設けられて非相
反性を示す第１の光導波路２３、第２の光導波路２４が
形成され、光導波路２３に第１のポート２５および第３
のポート２７が接続され、光導波路２４に第２のポート
２６および第４のポート２８が接続されている。なお、
光導波路２３と光導波路２４との間隔は約６０μｍであ
る。
【００１４】つぎに、図２により図１に示した光非相反
回路の製造方法について説明する。まず、図２(ａ)に示
すように、ガーネット基板２１上にＣｅ置換ＹＩＧから
なる磁気光学膜２２をＲＦスパッタにより形成する。つ
ぎに、図２(ｂ)に示すように、フォトリソグラフィ技術
を用い、磁気光学膜２２上にフォトレジスト、Ｃｒ、Ｔ
ｉ等からなるマスク３１を形成する。つぎに、図２(ｃ)
に示すように、ＢＣｌ3等の塩素系ガスによるリアクテ
ィブイオンエッチング、Ａｒイオン等によるイオンミー
リングまたは燐酸等によるケミカルエッチングなどを行
なうことにより、光導波路２３、２４を形成する。最後
に、図２(ｄ)に示すように、マスク３１を除去する。
回路の製造方法について説明する。まず、図２(ａ)に示
すように、ガーネット基板２１上にＣｅ置換ＹＩＧから
なる磁気光学膜２２をＲＦスパッタにより形成する。つ
ぎに、図２(ｂ)に示すように、フォトリソグラフィ技術
を用い、磁気光学膜２２上にフォトレジスト、Ｃｒ、Ｔ
ｉ等からなるマスク３１を形成する。つぎに、図２(ｃ)
に示すように、ＢＣｌ3等の塩素系ガスによるリアクテ
ィブイオンエッチング、Ａｒイオン等によるイオンミー
リングまたは燐酸等によるケミカルエッチングなどを行
なうことにより、光導波路２３、２４を形成する。最後
に、図２(ｄ)に示すように、マスク３１を除去する。
【００１５】図３は図１に示した光非相反回路における
位相定数の一例を示すグラフであり、図３(ａ)は光導波
路２４のＴＭモードの位相定数βTM2を示し、図３(ｂ)
はＴＥモードの位相定数βTEを示し、図３(ｃ)は光導波
路２３のＴＭモードの位相定数βTM1を示し、また斜線
を付した部分は放射モード領域を示し、斜線を付さない
部分は導波モード領域を示す。このグラフから明らかな
ように、ＴＥモードのカットオフβTECはＴＭモードの
カットオフβTMCよりも大きく、またカットオフβTECは
ＴＭ導波モード前進波の位相定数βTMFおよびＴＭ導波
モード後退波の位相定数βTMBより大きい（βTMF＜β
TMB＜βTEC）。
位相定数の一例を示すグラフであり、図３(ａ)は光導波
路２４のＴＭモードの位相定数βTM2を示し、図３(ｂ)
はＴＥモードの位相定数βTEを示し、図３(ｃ)は光導波
路２３のＴＭモードの位相定数βTM1を示し、また斜線
を付した部分は放射モード領域を示し、斜線を付さない
部分は導波モード領域を示す。このグラフから明らかな
ように、ＴＥモードのカットオフβTECはＴＭモードの
カットオフβTMCよりも大きく、またカットオフβTECは
ＴＭ導波モード前進波の位相定数βTMFおよびＴＭ導波
モード後退波の位相定数βTMBより大きい（βTMF＜β
TMB＜βTEC）。
【００１６】このような位相定数を有する光非相反回路
においては、ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードと
の変換係数ＫF、ＴＭ導波モード後退波とＴＥ放射モー
ドとの変換係数ＫBとの関係をＫF＜ＫBとし、更にはほ
ぼＫF＝０、ＫB≠０の条件を満足させたときには、光導
波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード前進波はＫF＝
０の条件よりＴＥ放射モードに変換しないでそのまま進
む。したがって、ポート２５から入射したＴＭ導波モー
ド前進波はポート２７に出射され、またポート２６から
入射したＴＭ導波モード前進波はポート２８に出射され
る。一方、βTMF＜βTMB＜βTECの条件によりＴＭ導波
モードはＴＥ放射モードに位相整合し、光導波路２３、
２４中を進むＴＭ導波モード後退波はＫB≠０の条件に
よりＴＥ放射モードに変換され、このＴＥ放射モードが
変換係数ＫBにより光導波路２４、２３のＴＭ導波モー
ド後退波に再度変換される。したがって、ポート２７か
ら入射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出射さ
れ、またポート２８から入射したＴＭ導波モード後退波
はポート２５に出射される。
においては、ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードと
の変換係数ＫF、ＴＭ導波モード後退波とＴＥ放射モー
ドとの変換係数ＫBとの関係をＫF＜ＫBとし、更にはほ
ぼＫF＝０、ＫB≠０の条件を満足させたときには、光導
波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード前進波はＫF＝
０の条件よりＴＥ放射モードに変換しないでそのまま進
む。したがって、ポート２５から入射したＴＭ導波モー
ド前進波はポート２７に出射され、またポート２６から
入射したＴＭ導波モード前進波はポート２８に出射され
る。一方、βTMF＜βTMB＜βTECの条件によりＴＭ導波
モードはＴＥ放射モードに位相整合し、光導波路２３、
２４中を進むＴＭ導波モード後退波はＫB≠０の条件に
よりＴＥ放射モードに変換され、このＴＥ放射モードが
変換係数ＫBにより光導波路２４、２３のＴＭ導波モー
ド後退波に再度変換される。したがって、ポート２７か
ら入射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出射さ
れ、またポート２８から入射したＴＭ導波モード後退波
はポート２５に出射される。
【００１７】なお、磁気光学膜２２中の磁化ベクトルＭ
の光の導波方向に対して垂直の成分たとえばｙ軸成分に
より非相反移相効果が生じ、ＴＭモード光の位相定数β
TM1、βTM2は前進波と後退波とで異なり、光導波路２
３、２４の構造異方性を利用してカットオフβTECを位
相定数βTMFおよび位相定数βTMBより大きくなるように
する。また、変換係数ＫF、ＫBはｙ軸方向に印加した外
部磁界により誘起された磁気光学膜２２中の磁化ベクト
ルＭのｙ軸成分またはｚ軸成分により生じる磁気光学効
果、または歪みや膜成長誘導による光学異方性により変
化する。また、ＫF＝０、ＫB≠０の条件は、変換係数Ｋ
F、ＫBが位相定数の関数であることから非相反移相効果
を利用する方法または磁気光学効果と歪み等による相反
効果をお互いに作用させる方法によって可能である。
の光の導波方向に対して垂直の成分たとえばｙ軸成分に
より非相反移相効果が生じ、ＴＭモード光の位相定数β
TM1、βTM2は前進波と後退波とで異なり、光導波路２
３、２４の構造異方性を利用してカットオフβTECを位
相定数βTMFおよび位相定数βTMBより大きくなるように
する。また、変換係数ＫF、ＫBはｙ軸方向に印加した外
部磁界により誘起された磁気光学膜２２中の磁化ベクト
ルＭのｙ軸成分またはｚ軸成分により生じる磁気光学効
果、または歪みや膜成長誘導による光学異方性により変
化する。また、ＫF＝０、ＫB≠０の条件は、変換係数Ｋ
F、ＫBが位相定数の関数であることから非相反移相効果
を利用する方法または磁気光学効果と歪み等による相反
効果をお互いに作用させる方法によって可能である。
【００１８】つぎに、等価屈折率法を用いて上記の位相
定数の条件を満たすための設計法について説明する。こ
こで、図４は３層スラブ光導波路における磁気光学膜の
膜厚と導波モードの位相定数との関係を示すグラフであ
る。図４から明らかなように、一般にスラブ光導波路の
位相定数はＴＥモードの方がＴＭモードより大きい。ま
た、スラブ部（リブ部以外の部分）の磁気光学膜の膜厚
ｔ2によりカットオフβTEC、βTMCが決まる。したがっ
て、カットオフβTECをカットオフβTMCよりも大きくす
ることができる。また、リブの高さ（ｔ1−ｔ2）を小さ
くすることにより、カットオフβTECは大きくなり、カ
ットオフβTECを位相定数βTMF、βTMBより大きくする
ことができる。また、リブのパタン幅を小さくすること
により、位相定数βTMB、βTMFは小さくなる。したがっ
て、リブの高さおよびパタン幅を小さくすることによ
り、図３に示した位相定数の条件を満足させることがで
きる。
定数の条件を満たすための設計法について説明する。こ
こで、図４は３層スラブ光導波路における磁気光学膜の
膜厚と導波モードの位相定数との関係を示すグラフであ
る。図４から明らかなように、一般にスラブ光導波路の
位相定数はＴＥモードの方がＴＭモードより大きい。ま
た、スラブ部（リブ部以外の部分）の磁気光学膜の膜厚
ｔ2によりカットオフβTEC、βTMCが決まる。したがっ
て、カットオフβTECをカットオフβTMCよりも大きくす
ることができる。また、リブの高さ（ｔ1−ｔ2）を小さ
くすることにより、カットオフβTECは大きくなり、カ
ットオフβTECを位相定数βTMF、βTMBより大きくする
ことができる。また、リブのパタン幅を小さくすること
により、位相定数βTMB、βTMFは小さくなる。したがっ
て、リブの高さおよびパタン幅を小さくすることによ
り、図３に示した位相定数の条件を満足させることがで
きる。
【００１９】つぎに、変換係数ＫF、ＫBを異ならせる方
法について、以下２つの方法について述べる。
法について、以下２つの方法について述べる。
【００２０】その１つは、その変換係数が位相定数によ
って異なることを利用する。すなわち、図５に示すよう
に、ＴＥ放射モードへの変換係数は位相定数の関数であ
る。一方、上述したように、磁気光学膜中の磁化ベクト
ルＭのｙ軸成分により非相反移相効果が生じ、ＴＭモー
ド光の位相定数は前進波と後退波とで異なっている。そ
して、図５に示すように、位相定数βTMFを変換係数が
０となるようにし、位相定数βTMBを変換係数が０でな
いように設計することにより、ＫF＝０、ＫB≠０の条件
が可能となる。
って異なることを利用する。すなわち、図５に示すよう
に、ＴＥ放射モードへの変換係数は位相定数の関数であ
る。一方、上述したように、磁気光学膜中の磁化ベクト
ルＭのｙ軸成分により非相反移相効果が生じ、ＴＭモー
ド光の位相定数は前進波と後退波とで異なっている。そ
して、図５に示すように、位相定数βTMFを変換係数が
０となるようにし、位相定数βTMBを変換係数が０でな
いように設計することにより、ＫF＝０、ＫB≠０の条件
が可能となる。
【００２１】もう１つの方法は、磁気光学膜以外の膜の
歪みや膜成長誘導等による相反な光学異方性を利用する
方法である。すなわち、Ｋm、Ｋsを磁気光学、歪み異方
性による変換係数とすると、変換係数ＫF、ＫBは数１
式、数２式で与えられる。
歪みや膜成長誘導等による相反な光学異方性を利用する
方法である。すなわち、Ｋm、Ｋsを磁気光学、歪み異方
性による変換係数とすると、変換係数ＫF、ＫBは数１
式、数２式で与えられる。
【００２２】
【数１】ＫF＝−Ｋm＋Ｋs
【００２３】
【数２】ＫB＝Ｋm＋Ｋs したがって、Ｋm＝Ｋsのとき、ＴＭ導波モード前進波に
おいてはＫF＝０となり、ＴＥ放射モード変換は生じな
い。一方、ＴＭ導波モード後退波においてはＫB＝２Ｋm
となり、ＴＥ放射モード変換が生ずる。
おいてはＫF＝０となり、ＴＥ放射モード変換は生じな
い。一方、ＴＭ導波モード後退波においてはＫB＝２Ｋm
となり、ＴＥ放射モード変換が生ずる。
【００２４】図６は図１に示した光非相反回路における
位相定数の他の例を示すグラフであり、図６(ａ)は光導
波路２４のＴＭモードの位相定数βTM2を示し、図６
(ｂ)はＴＥモードの位相定数βTEを示し、図６(ｃ)は光
導波路２３のＴＭモードの位相定数βTM1を示し、また
斜線を付した部分は放射モード領域を示し、斜線を付さ
ない部分は導波モード領域を示す。このグラフから明ら
かなように、ＴＥモードのカットオフβTECはＴＭモー
ドのカットオフβTMCよりも大きく、またカットオフTEC
はＴＭ導波モード前進波の位相定数βTMFとＴＭ導波モ
ード後退波の位相定数βTMBとの中間の値であり、位相
定数βTMFは位相定数βTMBより大きい（βTMB＜βTEC＜
βTMF）。
位相定数の他の例を示すグラフであり、図６(ａ)は光導
波路２４のＴＭモードの位相定数βTM2を示し、図６
(ｂ)はＴＥモードの位相定数βTEを示し、図６(ｃ)は光
導波路２３のＴＭモードの位相定数βTM1を示し、また
斜線を付した部分は放射モード領域を示し、斜線を付さ
ない部分は導波モード領域を示す。このグラフから明ら
かなように、ＴＥモードのカットオフβTECはＴＭモー
ドのカットオフβTMCよりも大きく、またカットオフTEC
はＴＭ導波モード前進波の位相定数βTMFとＴＭ導波モ
ード後退波の位相定数βTMBとの中間の値であり、位相
定数βTMFは位相定数βTMBより大きい（βTMB＜βTEC＜
βTMF）。
【００２５】このような位相定数を有する光非相反回路
においては、ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードと
の変換係数ＫF、ＴＭ導波モード後退波とＴＥ放射モー
ドとの変換係数ＫBとの関係をＫF＜ＫBとし、さらには
ほぼＫF＝０、ＫB≠０の条件を満足させたときには、光
導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード前進波はβ
TEC＜βTMFの条件よりＴＥ放射モードに変換しないでそ
のまま進む。したがって、ポート２５から入射したＴＭ
導波モード前進波はポート２７に出射され、またポート
２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２８に
出射される。一方、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導
波モード後退波はβTMB＜βTEC、ＫB≠０の条件により
ＴＥ放射モードに変換され、このＴＥ放射モードが変換
係数ＫBにより光導波路２４、２３のＴＭ導波モード後
退波に再度変換される。したがって、ポート２７から入
射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出射され、
またポート２８から入射したＴＭ導波モード後退波はポ
ート２５に出射される。
においては、ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードと
の変換係数ＫF、ＴＭ導波モード後退波とＴＥ放射モー
ドとの変換係数ＫBとの関係をＫF＜ＫBとし、さらには
ほぼＫF＝０、ＫB≠０の条件を満足させたときには、光
導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード前進波はβ
TEC＜βTMFの条件よりＴＥ放射モードに変換しないでそ
のまま進む。したがって、ポート２５から入射したＴＭ
導波モード前進波はポート２７に出射され、またポート
２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２８に
出射される。一方、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導
波モード後退波はβTMB＜βTEC、ＫB≠０の条件により
ＴＥ放射モードに変換され、このＴＥ放射モードが変換
係数ＫBにより光導波路２４、２３のＴＭ導波モード後
退波に再度変換される。したがって、ポート２７から入
射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出射され、
またポート２８から入射したＴＭ導波モード後退波はポ
ート２５に出射される。
【００２６】なお、光導波路２３、２４の構造異方性を
利用して、カットオフβTECをカットオフβTMCよりも大
きくする。また、磁化ベクトルＭのｙ軸成分を磁気光学
膜２２に与えることによりＴＭモードの位相定数に非相
反移相を起させ、位相定数βTMFを位相定数βTMBよりも
大きくする。また、磁気光学膜２２または基板２１に光
学異方性（光弾性効果、電気光学、磁気光学等）を与え
ることにより、変換係数ＫF、ＫBを与える。
利用して、カットオフβTECをカットオフβTMCよりも大
きくする。また、磁化ベクトルＭのｙ軸成分を磁気光学
膜２２に与えることによりＴＭモードの位相定数に非相
反移相を起させ、位相定数βTMFを位相定数βTMBよりも
大きくする。また、磁気光学膜２２または基板２１に光
学異方性（光弾性効果、電気光学、磁気光学等）を与え
ることにより、変換係数ＫF、ＫBを与える。
【００２７】つぎに、等価屈折率法を用いて上記の位相
定数の条件を満たすための設計法について説明する。図
７は３層スラブ導波路における磁気光学膜の膜厚と導波
モードの位相定数との関係を示すグラフである。図７に
示すように、一般にスラブ導波路の位相定数はＴＥモー
ドの方がＴＭモードよりも大きい。また、スラブ部（リ
ブ部以外の部分）の磁気光学膜の膜厚ｔ2をスラブ導波
モードが存在するようにとると、このスラブ導波モード
がリブ導波路における放射モードになる。したがって、
カットオフβTECはカットオフβTMCよりも大きくなる。
また、磁化ベクトルＭのｙ軸成分が磁気光学膜中に生
じ、磁気光学効果により非相反移相を起こすことによ
り、位相定数βTMFを位相定数βTMBよりも大きくするこ
とができる。この効果は、基板２１の屈折率と空気の屈
折率とが異なる非対称構造が必要である。つぎに、リブ
光導波路のＴＭモードの位相定数は、リブのパタン幅の
調整によって、膜厚ｔ1に対するスラブ導波路の位相定
数βTMSと膜厚ｔ2に対する位相定数すなわちカットオフ
βTMCとの間の値をとることができるため、リブのパタ
ン幅を調整することによって、βTMB＜βTEC＜βTMFの
条件を満足させることができる。
定数の条件を満たすための設計法について説明する。図
７は３層スラブ導波路における磁気光学膜の膜厚と導波
モードの位相定数との関係を示すグラフである。図７に
示すように、一般にスラブ導波路の位相定数はＴＥモー
ドの方がＴＭモードよりも大きい。また、スラブ部（リ
ブ部以外の部分）の磁気光学膜の膜厚ｔ2をスラブ導波
モードが存在するようにとると、このスラブ導波モード
がリブ導波路における放射モードになる。したがって、
カットオフβTECはカットオフβTMCよりも大きくなる。
また、磁化ベクトルＭのｙ軸成分が磁気光学膜中に生
じ、磁気光学効果により非相反移相を起こすことによ
り、位相定数βTMFを位相定数βTMBよりも大きくするこ
とができる。この効果は、基板２１の屈折率と空気の屈
折率とが異なる非対称構造が必要である。つぎに、リブ
光導波路のＴＭモードの位相定数は、リブのパタン幅の
調整によって、膜厚ｔ1に対するスラブ導波路の位相定
数βTMSと膜厚ｔ2に対する位相定数すなわちカットオフ
βTMCとの間の値をとることができるため、リブのパタ
ン幅を調整することによって、βTMB＜βTEC＜βTMFの
条件を満足させることができる。
【００２８】また、ＫF＝０、ＫB≠０の条件は、磁気光
学膜２２または基板２１の光学異方性（誘電率テンソル
の非対角成分εxy，εyz）により生じ、基板２１に磁気
光学膜２２を形成するときの膜応力によって誘起される
光弾性効果、および磁気光学膜２２の磁化ベクトルＭの
ｚ軸成分またはｘ軸成分による磁気光学効果等によって
与えられるが、磁化ベクトルＭのｘ軸成分は容易に制御
できるため、簡単に変換係数ＫF、ＫBを誘起することが
可能である。図１においては磁化ベクトルＭの方向をｙ
軸からｚ軸の方向に角θだけ傾け、磁化ベクトルＭのｚ
軸成分を与えている。
学膜２２または基板２１の光学異方性（誘電率テンソル
の非対角成分εxy，εyz）により生じ、基板２１に磁気
光学膜２２を形成するときの膜応力によって誘起される
光弾性効果、および磁気光学膜２２の磁化ベクトルＭの
ｚ軸成分またはｘ軸成分による磁気光学効果等によって
与えられるが、磁化ベクトルＭのｘ軸成分は容易に制御
できるため、簡単に変換係数ＫF、ＫBを誘起することが
可能である。図１においては磁化ベクトルＭの方向をｙ
軸からｚ軸の方向に角θだけ傾け、磁化ベクトルＭのｚ
軸成分を与えている。
【００２９】このように、図１に示した光非相反回路に
おいては、位相定数を図３または図６に示すようにし、
かつＫF＝０、ＫB≠０にすることにより、ポート２５か
ら入射したＴＭ導波モード前進波はポート２７に出射さ
れ、ポート２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポ
ート２８に出射され、ポート２７から入射したＴＭ導波
モード後退波はポート２６に出射され、ポート２８から
入射したＴＭ導波モード後退波はポート２５に出射され
るから、光サーキュレータ動作を行なう。また、簡単な
構造であるから、光集積化に適しており、しかも高性能
である。
おいては、位相定数を図３または図６に示すようにし、
かつＫF＝０、ＫB≠０にすることにより、ポート２５か
ら入射したＴＭ導波モード前進波はポート２７に出射さ
れ、ポート２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポ
ート２８に出射され、ポート２７から入射したＴＭ導波
モード後退波はポート２６に出射され、ポート２８から
入射したＴＭ導波モード後退波はポート２５に出射され
るから、光サーキュレータ動作を行なう。また、簡単な
構造であるから、光集積化に適しており、しかも高性能
である。
【００３０】図８は光導波路２３にポート２５から波長
１．５５μｍの光を導波させたときの出射端におけるニ
ャフィールドパタンを示す図である。なお、実験では簡
単のために、光の進行方向を変える代わりに、磁界の方
向を逆転させた。光の方向を変えても、同じ結果が得ら
れることは確認している。図８(ａ)は磁界を−５０Ｏｅ
印加したときのＴＭ導波モード前進波に対応する出射光
のパタンで、ほぼ光導波路２３をそのまま導波してい
る。図８(ｂ)は磁界を＋５０Ｏｅ印加したときのＴＭ導
波モード後退波に対応する出射光のパタンで、光は光導
波路２３からほぼ光導波路２４に移っている。この光サ
ーキュレータのアイソレーションおよび消光比は１０〜
２０ｄＢであった。通常２本の光導波路間の光結合（方
向性結合器）においては光導波路間隙が光の波長オーダ
程度しか許されないが、ＴＥ放射モードへの変換を利用
したため、従来にない非常に広い光導波路間隙において
も光の結合を実現することができる。
１．５５μｍの光を導波させたときの出射端におけるニ
ャフィールドパタンを示す図である。なお、実験では簡
単のために、光の進行方向を変える代わりに、磁界の方
向を逆転させた。光の方向を変えても、同じ結果が得ら
れることは確認している。図８(ａ)は磁界を−５０Ｏｅ
印加したときのＴＭ導波モード前進波に対応する出射光
のパタンで、ほぼ光導波路２３をそのまま導波してい
る。図８(ｂ)は磁界を＋５０Ｏｅ印加したときのＴＭ導
波モード後退波に対応する出射光のパタンで、光は光導
波路２３からほぼ光導波路２４に移っている。この光サ
ーキュレータのアイソレーションおよび消光比は１０〜
２０ｄＢであった。通常２本の光導波路間の光結合（方
向性結合器）においては光導波路間隙が光の波長オーダ
程度しか許されないが、ＴＥ放射モードへの変換を利用
したため、従来にない非常に広い光導波路間隙において
も光の結合を実現することができる。
【００３１】図９は本発明に係る他の光非相反回路を示
す概略断面図である。図に示すように、基板４１上に磁
気光学材料からなる磁気光学膜４２が設けられ、磁気光
学膜４２上にＳｉ、ＴｉＯ2等からなる高屈折率膜４３
が形成され、高屈折率膜４３がリブ形導波路に加工され
て、第１、第２の光導波路４４、４５が形成されてい
る。
す概略断面図である。図に示すように、基板４１上に磁
気光学材料からなる磁気光学膜４２が設けられ、磁気光
学膜４２上にＳｉ、ＴｉＯ2等からなる高屈折率膜４３
が形成され、高屈折率膜４３がリブ形導波路に加工され
て、第１、第２の光導波路４４、４５が形成されてい
る。
【００３２】図１０は本発明に係る他の光非相反回路を
示す概略断面図である。図に示すように、基板５１上に
磁気光学材料からなる磁気光学膜５２が設けられ、磁気
光学膜５２上にＳｉ、ＴｉＯ2等からなるストリップ状
の高屈折率膜が設けられて、第１、第２の光導波路５
３、５４が形成されている。
示す概略断面図である。図に示すように、基板５１上に
磁気光学材料からなる磁気光学膜５２が設けられ、磁気
光学膜５２上にＳｉ、ＴｉＯ2等からなるストリップ状
の高屈折率膜が設けられて、第１、第２の光導波路５
３、５４が形成されている。
【００３３】図９、図１０に示した光非相反回路におい
ても、位相定数を図３または図６に示すようにし、かつ
ＫF＝０、ＫB≠０にすることにより、光サーキュレータ
動作を行なう。また、簡単な構造であるから、光集積化
に適しており、しかも高性能である。また、伝搬定数の
非相反変化量が大きくなる（電子情報通信学会論文誌、
88/5, Vol.J71-C, No.5, pp702-708）。
ても、位相定数を図３または図６に示すようにし、かつ
ＫF＝０、ＫB≠０にすることにより、光サーキュレータ
動作を行なう。また、簡単な構造であるから、光集積化
に適しており、しかも高性能である。また、伝搬定数の
非相反変化量が大きくなる（電子情報通信学会論文誌、
88/5, Vol.J71-C, No.5, pp702-708）。
【００３４】なお、上述実施の形態においては、位相定
数を図３に示すようにしたときに、変換係数ＫF、ＫBの
関係をＫF＜ＫBとし、更にはほぼＫF＝０、ＫB≠０の条
件としたが、変換係数ＫF、ＫBの関係をＫF＞ＫBとし、
更にはほぼＫF≠０、ＫB＝０の条件としてもよい。この
場合、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード後退
波はＫB＝０の条件よりＴＥ放射モードに変換しないで
そのまま進む。したがって、ポート２７から入射したＴ
Ｍ導波モード後退波はポート２５に出射され、ポート２
８から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出
射される。一方、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波
モード前進波はβTMF＜βTEC、ＫF≠０の条件によりＴ
Ｅ放射モードに変換され、このＴＥ放射モードが変換係
数ＫFにより光導波路２４、２３のＴＭ導波モード前進
波に再度変換される。したがって、ポート２５から入射
したＴＭ導波モード前進波はポート２８に出射され、ポ
ート２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２
７に出射される。また、上述実施の形態においては、基
板としてガーネット基板２１を用いたが、他の基板を用
いてもよい。
数を図３に示すようにしたときに、変換係数ＫF、ＫBの
関係をＫF＜ＫBとし、更にはほぼＫF＝０、ＫB≠０の条
件としたが、変換係数ＫF、ＫBの関係をＫF＞ＫBとし、
更にはほぼＫF≠０、ＫB＝０の条件としてもよい。この
場合、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード後退
波はＫB＝０の条件よりＴＥ放射モードに変換しないで
そのまま進む。したがって、ポート２７から入射したＴ
Ｍ導波モード後退波はポート２５に出射され、ポート２
８から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出
射される。一方、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波
モード前進波はβTMF＜βTEC、ＫF≠０の条件によりＴ
Ｅ放射モードに変換され、このＴＥ放射モードが変換係
数ＫFにより光導波路２４、２３のＴＭ導波モード前進
波に再度変換される。したがって、ポート２５から入射
したＴＭ導波モード前進波はポート２８に出射され、ポ
ート２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２
７に出射される。また、上述実施の形態においては、基
板としてガーネット基板２１を用いたが、他の基板を用
いてもよい。
【００３５】
【発明の効果】本発明に係る光非相反回路においては、
構造が簡単であるから、光集積化に適しており、かつ高
性能である。
構造が簡単であるから、光集積化に適しており、かつ高
性能である。
【図１】本発明に係る光非相反回路を示す概略斜視図で
ある。
ある。
【図２】図１に示した光非相反回路の製造方法の説明図
である。
である。
【図３】図１に示した光非相反回路における位相定数の
一例を示すグラフである。
一例を示すグラフである。
【図４】図３に示した位相定数の条件を満足する方法を
説明するためのグラフである。
説明するためのグラフである。
【図５】変換係数の条件を満足する方法を説明するため
のグラフである。
のグラフである。
【図６】図１に示した光非相反回路における位相定数の
他の例を示すグラフである。
他の例を示すグラフである。
【図７】図６に示した位相定数の条件を満足する方法を
説明するためのグラフである。
説明するためのグラフである。
【図８】図１に示した光非相反回路における出射端のニ
ャフィールドパタンを示す図である。
ャフィールドパタンを示す図である。
【図９】本発明に係る他の光非相反回路を示す概略断面
図である。
図である。
【図１０】本発明に係る他の光非相反回路を示す概略断
面図である。
面図である。
【図１１】従来の光導波路構造の光サーキュレータを示
す概略斜視図である。
す概略斜視図である。
１…基板 ２…ガイド層 ３…クラッド層 ４、５…光導波路 ６、７…カプラー部 ８、９…非相反移相器 １０〜１３…ポート ２１…ガーネット基板 ２２…磁気光学膜 ２３…第１の光導波路 ２４…第２の光導波路 ２５…第１のポート ２６…第２のポート ２７…第３のポート ２８…第４のポート ４１…基板 ４２…磁気光学膜 ４３…高屈折率膜 ４４…第１の光導波路 ４５…第２の光導波路 ５１…基板 ５２…磁気光学膜 ５３…第１の光導波路 ５４…第２の光導波路
Claims (5)
- 【請求項１】第１の光導波路と第２の光導波路とを基板
上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少なくとも
その一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光導波路
および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカットオ
フをＴＭ導波モード前進波の位相定数およびＴＭ導波モ
ード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ上記ＴＭ導
波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係数を上記Ｔ
Ｍ導波モード後退波と上記ＴＥ放射モードとの変換係数
よりも小さくしたことを特徴とする光非相反回路。 - 【請求項２】第１の光導波路と第２の光導波路とを基板
上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少なくとも
その一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光導波路
および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカットオ
フをＴＭ導波モード前進波の位相定数とＴＭ導波モード
後退波の位相定数との中間の値とし、上記ＴＭ導波モー
ド前進波とＴＥ放射モードとの変換係数を上記ＴＭ導波
モード後退波の上記ＴＥ放射モードへの変換係数よりも
小さくしたことを特徴とする光非相反回路。 - 【請求項３】上記第１の光導波路が第１のポートおよび
第３のポートに接続され、上記第２の光導波路が第２の
ポートおよび第４のポートに接続され、上記第１のポー
トから入射した上記ＴＭ導波モード前進波は上記第３の
ポートに出射され、上記第２のポートから入射した上記
ＴＭ導波モード前進波は上記第４のポートに出射され、
上記第３のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退
波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード後
退波に再度変換されて上記第２のポートに出射され、上
記第４のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波
はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード後退
波に再度変換されて上記第１のポートに出射されること
を特徴とする請求項１または２に記載の光非相反回路。 - 【請求項４】第１の光導波路と第２の光導波路とを基板
上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少なくとも
その一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光導波路
および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカットオ
フをＴＭ導波モード前進波の位相定数およびＴＭ導波モ
ード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ上記ＴＭ導
波モード後退波と上記ＴＥ放射モードとの変換係数を上
記ＴＭ導波モード前進波と上記ＴＥ放射モードとの変換
係数よりも小さくしたことを特徴とする光非相反回路。 - 【請求項５】上記第１の光導波路が第１のポートおよび
第３のポートに接続され、上記第２の光導波路が第２の
ポートおよび第４のポートに接続され、上記第３のポー
トから入射した上記ＴＭ導波モード後退波は上記第１の
ポートに出射され、上記第４のポートから入射した上記
ＴＭ導波モード後退波は上記第２のポートに出射され、
上記第１のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進
波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード前
進波に再度変換されて上記第４のポートに出射され、上
記第２のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進波
はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード前進
波に再度変換されて上記第３のポートに出射されること
を特徴とする請求項４に記載の光非相反回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14602299A JP3625152B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 光非相反回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14602299A JP3625152B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 光非相反回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000338450A true JP2000338450A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3625152B2 JP3625152B2 (ja) | 2005-03-02 |
Family
ID=15398340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14602299A Expired - Fee Related JP3625152B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 光非相反回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3625152B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3407046B1 (ja) | 2002-04-11 | 2003-05-19 | 東京工業大学長 | 干渉計型光アイソレータ及び光サーキュレータ |
| JPWO2010023738A1 (ja) * | 2008-08-27 | 2012-01-26 | 学校法人 芝浦工業大学 | 光非相反素子製造方法及び光非相反素子 |
| US8335407B2 (en) | 2008-02-25 | 2012-12-18 | Shibaura Institute Of Technology | Method for manufacturing optical nonreciprocal element |
-
1999
- 1999-05-26 JP JP14602299A patent/JP3625152B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3407046B1 (ja) | 2002-04-11 | 2003-05-19 | 東京工業大学長 | 干渉計型光アイソレータ及び光サーキュレータ |
| JP2003302603A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Tokyo Inst Of Technol | 干渉計型光アイソレータ及び光サーキュレータ |
| US8335407B2 (en) | 2008-02-25 | 2012-12-18 | Shibaura Institute Of Technology | Method for manufacturing optical nonreciprocal element |
| JPWO2010023738A1 (ja) * | 2008-08-27 | 2012-01-26 | 学校法人 芝浦工業大学 | 光非相反素子製造方法及び光非相反素子 |
| US8306371B2 (en) | 2008-08-27 | 2012-11-06 | Shibaura Institute Of Technology | Method for manufacturing optical nonreciprocal element, and optical nonreciprocal element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3625152B2 (ja) | 2005-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100943847B1 (ko) | 도파로형 광대역 광아이솔레이터 | |
| US8335407B2 (en) | Method for manufacturing optical nonreciprocal element | |
| US8306371B2 (en) | Method for manufacturing optical nonreciprocal element, and optical nonreciprocal element | |
| US20100238536A1 (en) | Integrated silicon/silicon-germanium magneto-optic isolator | |
| CN113391395B (zh) | 一种基于贝塞尔曲线渐变型波导的紧凑片上偏振分束旋转器 | |
| CN112711093B (zh) | 一种偏振分束器结构及偏振分束方法 | |
| CN107870456A (zh) | 一种mzi型磁光隔离器 | |
| CN106959163B (zh) | 一种基于对称三波导定向耦合器结构的te模检偏器 | |
| US5479551A (en) | Optical fiber non-reciprocal phase shifters and optical isolators using them | |
| JP2005506565A (ja) | 平面型偏光独立光アイソレータ | |
| JP3407046B1 (ja) | 干渉計型光アイソレータ及び光サーキュレータ | |
| CN116256842A (zh) | 偏振分束旋转器 | |
| US20250237896A1 (en) | Multilayered signal guiding structure and method of operating a multilayered signal guiding structure | |
| JP4171831B2 (ja) | シリコン導波層を有する光非相反素子 | |
| JP3625152B2 (ja) | 光非相反回路 | |
| JPH03134602A (ja) | 導波路型光サーキュレータ | |
| CN100593737C (zh) | 基于无间距定向耦合结构的光环行器 | |
| CN119620448B (zh) | 一种基于微环谐振器的三阶奇异点光学隔离器 | |
| CN120010142B (zh) | 一种基于磁性光子晶体光纤的光隔离器 | |
| JP2004145246A (ja) | 平面型二次元導波路および二次元導波路型光学装置 | |
| JPH0375605A (ja) | 導波路型光アイソレータ | |
| JPH0868965A (ja) | 光非相反回路 | |
| JPH02199406A (ja) | 導波型光アイソレータ | |
| JP2000105318A (ja) | Ｙ分岐型光導波路 | |
| JP2960567B2 (ja) | 光アイソレータ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041117 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041124 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041125 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |