JP2000340482A - 露光方法及びこの方法を用いた露光装置 - Google Patents
露光方法及びこの方法を用いた露光装置Info
- Publication number
- JP2000340482A JP2000340482A JP11146635A JP14663599A JP2000340482A JP 2000340482 A JP2000340482 A JP 2000340482A JP 11146635 A JP11146635 A JP 11146635A JP 14663599 A JP14663599 A JP 14663599A JP 2000340482 A JP2000340482 A JP 2000340482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- shot
- pattern
- joining
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い精度でショットの繋ぎ合わせ精度を測定
する。 【解決手段】 マーク１を含むショット１により基板上
の所定の領域に露光がされ、続いて基板の位置決めが行
われてマーク２を含むショット２により基板上の所定の
領域に露光が行われる。マーク１とマーク２は、ショッ
ト１とショット２の繋ぎ合わせ部に形成されている。こ
のため、基板上に、マーク１像１１０とマーク２像１２
０が重ね合わされて形成される。ここでは、マーク１像
１１０の内側にマーク２像１２０が形成される。このた
め、マーク１像の内部に形成されたマーク２像の位置を
測定することにより、繋ぎ合わせ精度の測定を行う。
する。 【解決手段】 マーク１を含むショット１により基板上
の所定の領域に露光がされ、続いて基板の位置決めが行
われてマーク２を含むショット２により基板上の所定の
領域に露光が行われる。マーク１とマーク２は、ショッ
ト１とショット２の繋ぎ合わせ部に形成されている。こ
のため、基板上に、マーク１像１１０とマーク２像１２
０が重ね合わされて形成される。ここでは、マーク１像
１１０の内側にマーク２像１２０が形成される。このた
め、マーク１像の内部に形成されたマーク２像の位置を
測定することにより、繋ぎ合わせ精度の測定を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光方法及び露光装
置に関し、特に半導体製造のフォトリソグラフィ工程で
複数のショットを繋ぎ合わせてパターンを形成する露光
方法及びこの方法を用いた露光装置に関する。
置に関し、特に半導体製造のフォトリソグラフィ工程で
複数のショットを繋ぎ合わせてパターンを形成する露光
方法及びこの方法を用いた露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶ディスプレイ（以下、
ＬＣＤとする）等のデバイス製造工程には、パターンを
基板上に転写するフォトリソグラフィ工程がある。フォ
トリソグラフィ工程では、隣接するショット間の繋ぎ目
を合わせることが非常に重要である。このため、フォト
リソグラフィ工程を行う露光装置では、ショットの繋ぎ
合わせの状態を測定し、その結果を繋ぎ合わせの補正値
としてフィードバックし、繋ぎ合わせの精度を維持する
方法がとられている。
ＬＣＤとする）等のデバイス製造工程には、パターンを
基板上に転写するフォトリソグラフィ工程がある。フォ
トリソグラフィ工程では、隣接するショット間の繋ぎ目
を合わせることが非常に重要である。このため、フォト
リソグラフィ工程を行う露光装置では、ショットの繋ぎ
合わせの状態を測定し、その結果を繋ぎ合わせの補正値
としてフィードバックし、繋ぎ合わせの精度を維持する
方法がとられている。
【０００３】このようなショットの繋ぎ合わせ精度を測
定するモニターとしてノギスバーニアがあり、顕微鏡目
視によって測定が行われている。ノギスバーニアを用い
た繋ぎ合わせの精度測定について説明する。図４は、従
来のノギスバーニアを用いた繋ぎ合わせ精度の測定方法
を示した図である。（ａ）は、ショットの繋ぎ合わせを
示した平面図である。Ａショット３１０とＢショット３
２０は、隣接するショットであり、繋ぎ部分にノギスバ
ーニアがある。（ｂ）は、繋ぎ合わせ精度の測定のため
ノギスバーニアを顕微鏡で拡大したモニター画面であ
る。図に示したノギスバーニアは、ショットに形成され
た０．１μｍ単位で並ぶ直線である。Ｘ方向のズレモニ
ター３３１及びＹ方向のズレモニター３３２により、繋
ぎ合わせ精度を測定する。Ａショット３１０とＢショッ
ト３２０との繋ぎ合わせが正確に一致している場合、Ｘ
方向のズレモニター３３１の中央にある直線３３１ａ
と、Ｙ方向のズレモニター３３２の中央にある直線３３
２ａとが交差する。例えば、Ｙ方向のズレの測定で説明
すると、Ｙ方向のズレは、Ｘ方向のズレモニター３３１
を形成する直線の中点を接続した直線及びその延長線上
に、Ｙ方向のズレモニター３３１のどの直線が位置する
かにより測定する。すなわち、Ｘ方向のズレモニター３
３１を形成する直線の中点を接続した直線及びその延長
線上にＹ方向のズレモニター３３２の中央にある直線３
３２ａがあれば、Ｙ方向にズレは生じていない。ズレ量
は、この位置にＹ方向のズレモニター３３１のどの直線
があるかにより、０．１μｍ単位で測定することができ
る。Ｘ方向についても同様の手順でズレ量を算出するこ
とができる。
定するモニターとしてノギスバーニアがあり、顕微鏡目
視によって測定が行われている。ノギスバーニアを用い
た繋ぎ合わせの精度測定について説明する。図４は、従
来のノギスバーニアを用いた繋ぎ合わせ精度の測定方法
を示した図である。（ａ）は、ショットの繋ぎ合わせを
示した平面図である。Ａショット３１０とＢショット３
２０は、隣接するショットであり、繋ぎ部分にノギスバ
ーニアがある。（ｂ）は、繋ぎ合わせ精度の測定のため
ノギスバーニアを顕微鏡で拡大したモニター画面であ
る。図に示したノギスバーニアは、ショットに形成され
た０．１μｍ単位で並ぶ直線である。Ｘ方向のズレモニ
ター３３１及びＹ方向のズレモニター３３２により、繋
ぎ合わせ精度を測定する。Ａショット３１０とＢショッ
ト３２０との繋ぎ合わせが正確に一致している場合、Ｘ
方向のズレモニター３３１の中央にある直線３３１ａ
と、Ｙ方向のズレモニター３３２の中央にある直線３３
２ａとが交差する。例えば、Ｙ方向のズレの測定で説明
すると、Ｙ方向のズレは、Ｘ方向のズレモニター３３１
を形成する直線の中点を接続した直線及びその延長線上
に、Ｙ方向のズレモニター３３１のどの直線が位置する
かにより測定する。すなわち、Ｘ方向のズレモニター３
３１を形成する直線の中点を接続した直線及びその延長
線上にＹ方向のズレモニター３３２の中央にある直線３
３２ａがあれば、Ｙ方向にズレは生じていない。ズレ量
は、この位置にＹ方向のズレモニター３３１のどの直線
があるかにより、０．１μｍ単位で測定することができ
る。Ｘ方向についても同様の手順でズレ量を算出するこ
とができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記説明の従
来の露光方法及び露光装置では、ショットの繋ぎ合わ精
度の測定を、高い精度で行うことができないという問題
がある。
来の露光方法及び露光装置では、ショットの繋ぎ合わ精
度の測定を、高い精度で行うことができないという問題
がある。
【０００５】例えば、上記説明のノギスバーニアを用い
た場合、ズレ量は、０．１μｍ単位でしか判定すること
ができない。このため、繋ぎ精度を高めるための対策を
露光装置で行うことができず、合わせ精度不足により半
導体素子不良が発生することがある。例えば、ＬＣＤの
場合、ショットの繋ぎ目のパターンが、繋ぎの精度によ
り継ぎ目以外のパターンに比べて太くなったり、細くな
ったりすると、継ぎ目の画素で不良が発生する。その
他、例えばリニアセンサー等、ショットの繋ぎ合わせに
高い精度が要求される製品では、ショットの繋ぎ合わせ
を高い精度で測定することが重要な課題となっている。
た場合、ズレ量は、０．１μｍ単位でしか判定すること
ができない。このため、繋ぎ精度を高めるための対策を
露光装置で行うことができず、合わせ精度不足により半
導体素子不良が発生することがある。例えば、ＬＣＤの
場合、ショットの繋ぎ目のパターンが、繋ぎの精度によ
り継ぎ目以外のパターンに比べて太くなったり、細くな
ったりすると、継ぎ目の画素で不良が発生する。その
他、例えばリニアセンサー等、ショットの繋ぎ合わせに
高い精度が要求される製品では、ショットの繋ぎ合わせ
を高い精度で測定することが重要な課題となっている。
【０００６】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、高い精度でショットの繋ぎ合わせ精度を測定
可能な露光方法及びこの方法を用いた露光装置を提供す
ることを目的とする。
のであり、高い精度でショットの繋ぎ合わせ精度を測定
可能な露光方法及びこの方法を用いた露光装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、半導体製造のフォトリソグラフィ工程で
複数のショットを繋ぎ合わせてパターンを形成し、基板
上にパターンを投影露光する露光方法において、第１の
ショットに第１のパターンと前記第１のパターンと一定
の位置関係にある繋ぎ合わせ誤差検出用の第１のマーク
とを形成し、前記第１のショットを前記基板上に投影露
光し、前記第１のショットと所定の位置関係にある第２
のショットに第２のパターンとともに繋ぎ合わせにより
前記第１のマークと重なり合う位置に繋ぎ合わせ誤差検
出用の第２のマークを形成し、前記第２のショットを前
記基板上に投影露光し、前記基板上に形成された前記第
１のマーク像と前記第２のマーク像とが重ね合わさった
像の形状に基づいて前記第１のショットと前記第２のシ
ョット間の繋ぎ合わせ精度を測定する手順を有すること
を特徴とする露光方法、が提供される。
決するために、半導体製造のフォトリソグラフィ工程で
複数のショットを繋ぎ合わせてパターンを形成し、基板
上にパターンを投影露光する露光方法において、第１の
ショットに第１のパターンと前記第１のパターンと一定
の位置関係にある繋ぎ合わせ誤差検出用の第１のマーク
とを形成し、前記第１のショットを前記基板上に投影露
光し、前記第１のショットと所定の位置関係にある第２
のショットに第２のパターンとともに繋ぎ合わせにより
前記第１のマークと重なり合う位置に繋ぎ合わせ誤差検
出用の第２のマークを形成し、前記第２のショットを前
記基板上に投影露光し、前記基板上に形成された前記第
１のマーク像と前記第２のマーク像とが重ね合わさった
像の形状に基づいて前記第１のショットと前記第２のシ
ョット間の繋ぎ合わせ精度を測定する手順を有すること
を特徴とする露光方法、が提供される。
【０００８】このような手順の露光方法では、第１のパ
ターンと所定の位置関係にある第１のマークとが形成さ
れた第１のショットと、第２のパターンと第１のマーク
と重なり合う位置関係にある第２のマークとが形成さ
れ、第１のショットと第２のショットとを、基板上に投
影露光する。基板上のショットの繋ぎ合わせ部には、第
１のマーク像と第２のマーク像が重なり合って形成され
ている。この第１のマーク像と第２のマーク像が重なり
合って形成された形状の測定を行うことによって第１の
ショットと第２のショット間の繋ぎ合わせ精度の測定を
行う。
ターンと所定の位置関係にある第１のマークとが形成さ
れた第１のショットと、第２のパターンと第１のマーク
と重なり合う位置関係にある第２のマークとが形成さ
れ、第１のショットと第２のショットとを、基板上に投
影露光する。基板上のショットの繋ぎ合わせ部には、第
１のマーク像と第２のマーク像が重なり合って形成され
ている。この第１のマーク像と第２のマーク像が重なり
合って形成された形状の測定を行うことによって第１の
ショットと第２のショット間の繋ぎ合わせ精度の測定を
行う。
【０００９】また、半導体製造のフォトリソグラフィ工
程で複数のショットを繋ぎ合わせてパターンを形成し、
基板上にパターンを投影露光する露光装置において、第
１のパターンと前記第１のパターンと一定の位置関係に
ある繋ぎ合わせ誤差検出用の第１のマークとを形成した
第１のショットと、第２のパターンとともに繋ぎ合わせ
により前記第１のマークと重なり合う位置に繋ぎ合わせ
誤差検出用の第２のマークを形成した前記第１のショッ
トと所定の位置関係にある第２のショットと、前記第１
のショットと前記第２のショットを繋ぎ合わせて基板上
に投影露光を行う露光手段と、前記投影露光が行われた
基板上に形成された前記第１のマーク像と前記第２のマ
ーク像によって形成される形状の測定を行う繋ぎ合わせ
誤差測定手段と、を有することを特徴とする露光装置、
が提供される。
程で複数のショットを繋ぎ合わせてパターンを形成し、
基板上にパターンを投影露光する露光装置において、第
１のパターンと前記第１のパターンと一定の位置関係に
ある繋ぎ合わせ誤差検出用の第１のマークとを形成した
第１のショットと、第２のパターンとともに繋ぎ合わせ
により前記第１のマークと重なり合う位置に繋ぎ合わせ
誤差検出用の第２のマークを形成した前記第１のショッ
トと所定の位置関係にある第２のショットと、前記第１
のショットと前記第２のショットを繋ぎ合わせて基板上
に投影露光を行う露光手段と、前記投影露光が行われた
基板上に形成された前記第１のマーク像と前記第２のマ
ーク像によって形成される形状の測定を行う繋ぎ合わせ
誤差測定手段と、を有することを特徴とする露光装置、
が提供される。
【００１０】このような構成の露光装置は、第１のマー
クが形成された第１のショットと、第１のマークと重な
り合う位置関係にある第２のマークが形成された第２の
ショットとを、露光手段により基板上に投影露光する。
この時、基板上のショットの繋ぎ合わせ部には、第１の
マーク像と第２のマーク像が重なり合って形成されてい
る。繋ぎ合わせ誤差測定手段では、第１のマーク像と第
２のマーク像が重なり合って形成された形状を測定し、
繋ぎ合わせ精度の測定を行う。
クが形成された第１のショットと、第１のマークと重な
り合う位置関係にある第２のマークが形成された第２の
ショットとを、露光手段により基板上に投影露光する。
この時、基板上のショットの繋ぎ合わせ部には、第１の
マーク像と第２のマーク像が重なり合って形成されてい
る。繋ぎ合わせ誤差測定手段では、第１のマーク像と第
２のマーク像が重なり合って形成された形状を測定し、
繋ぎ合わせ精度の測定を行う。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。レジストを塗布した基板に、第１
のショット（以下、ショット１とする）と、第２のショ
ット（以下、ショット２とする）を繋ぎ合わせて露光す
る露光方法及び露光装置について説明する。
を参照して説明する。レジストを塗布した基板に、第１
のショット（以下、ショット１とする）と、第２のショ
ット（以下、ショット２とする）を繋ぎ合わせて露光す
る露光方法及び露光装置について説明する。
【００１２】露光装置は、例えば、縮小投影型露光装置
（以下、ステッパとする）であって、パターンを基板上
に投影露光を行う露光手段と、繋ぎ合わせ誤差の測定を
行う繋ぎ合わせ誤差測定手段と、を有している。フォト
リソグラフィ工程では、被加工層を表面に形成した基板
の上にレジスト膜を形成し、露光手段にてレチクルやマ
スクのパターンを投影露光する。一度に露光されるパタ
ーン領域をショットと呼ぶ。この投影露光では、複数の
ショットから成るパターンを、ショットを繋ぎ合わせて
露光を行っていく。すなわち、レチクルに形成されたパ
ターンを基板の所定領域に露光した後、基板を一定距離
だけステッピングさせ、再び露光を繰り返す、いわゆる
ステップ・アンド・リピート方式の露光を行う。繋ぎ合
わせ誤差測定手段は、繋ぎ合わせたショットの誤差を測
定する。
（以下、ステッパとする）であって、パターンを基板上
に投影露光を行う露光手段と、繋ぎ合わせ誤差の測定を
行う繋ぎ合わせ誤差測定手段と、を有している。フォト
リソグラフィ工程では、被加工層を表面に形成した基板
の上にレジスト膜を形成し、露光手段にてレチクルやマ
スクのパターンを投影露光する。一度に露光されるパタ
ーン領域をショットと呼ぶ。この投影露光では、複数の
ショットから成るパターンを、ショットを繋ぎ合わせて
露光を行っていく。すなわち、レチクルに形成されたパ
ターンを基板の所定領域に露光した後、基板を一定距離
だけステッピングさせ、再び露光を繰り返す、いわゆる
ステップ・アンド・リピート方式の露光を行う。繋ぎ合
わせ誤差測定手段は、繋ぎ合わせたショットの誤差を測
定する。
【００１３】露光するパターンは、ショット１とショッ
ト２とから成る。ショット１及びショット２は、パター
ンとともにショット１及びショット２の繋ぎ部分に、そ
れぞれ繋ぎ合わせの誤差検出用のマークが設けられてい
る。マークはショットに形成されたパターンから分離し
ており、パターンとは一定の位置関係にある。ショット
１に形成されたマークをマーク１、ショット２に形成さ
れたマークをマーク２とする。
ト２とから成る。ショット１及びショット２は、パター
ンとともにショット１及びショット２の繋ぎ部分に、そ
れぞれ繋ぎ合わせの誤差検出用のマークが設けられてい
る。マークはショットに形成されたパターンから分離し
ており、パターンとは一定の位置関係にある。ショット
１に形成されたマークをマーク１、ショット２に形成さ
れたマークをマーク２とする。
【００１４】まず、ショット１に形成されるマーク１に
ついて説明する。図１は、本発明の一実施の形態である
第１のショットに形成される繋ぎ合わせ誤差検出用マー
クを示した図である。（ａ）は、基板上に投影露光され
たマーク像の上面図であり、（ｂ）は基板の断面図であ
る。
ついて説明する。図１は、本発明の一実施の形態である
第１のショットに形成される繋ぎ合わせ誤差検出用マー
クを示した図である。（ａ）は、基板上に投影露光され
たマーク像の上面図であり、（ｂ）は基板の断面図であ
る。
【００１５】ショット１のマーク１は、基板２３０上の
被加工層２２０に塗布されたレジスト２１０を抜くレジ
スト抜きパターンとレジストを残すレジスト残しパター
ンの組み合わせにより形成される。レジスト抜きパター
ンとレジスト残しパターンは、中心を同じくする相似形
である。ここでは、ボックス型の形状をしている。この
マーク１を含むショット１を露光することにより、基板
上に形成されたマーク１像（１１０）は、図に示したよ
うに内部にレジスト残しパターンを有する、ボックス型
である。断面図に示したように、マーク１像１１０部は
レジストが抜かれている。
被加工層２２０に塗布されたレジスト２１０を抜くレジ
スト抜きパターンとレジストを残すレジスト残しパター
ンの組み合わせにより形成される。レジスト抜きパター
ンとレジスト残しパターンは、中心を同じくする相似形
である。ここでは、ボックス型の形状をしている。この
マーク１を含むショット１を露光することにより、基板
上に形成されたマーク１像（１１０）は、図に示したよ
うに内部にレジスト残しパターンを有する、ボックス型
である。断面図に示したように、マーク１像１１０部は
レジストが抜かれている。
【００１６】次に、ショット２に形成されるマーク２に
ついて説明する。図２は、本発明の一実施の形態である
第２のショットに形成される繋ぎ合わせ誤差検出用マー
クを示した図である。（ａ）は、基板上に投影露光され
たマーク像の上面図であり、（ｂ）は基板の断面図であ
る。
ついて説明する。図２は、本発明の一実施の形態である
第２のショットに形成される繋ぎ合わせ誤差検出用マー
クを示した図である。（ａ）は、基板上に投影露光され
たマーク像の上面図であり、（ｂ）は基板の断面図であ
る。
【００１７】ショット２のマーク２は、基板２３０上の
被加工層２２０に塗布されたレジスト２１０を抜くレジ
スト抜きパターンの組み合わせにより形成される。レジ
スト抜きパターンは、上記説明のマーク１のレジスト残
しパターンと相似形のボックス型であって、マーク１の
レジスト残しパターンより小さい。ショット１とショッ
ト２の繋ぎ合わせが一致した場合、マーク１の中心と、
マーク２の中心は一致する。このマーク２を含むショッ
ト２を露光することにより、基板上に形成されたマーク
２像（１２０）は、図に示したようにボックス型であ
る。また、断面図に示したように、マーク２像１２０部
はレジストが抜かれている。
被加工層２２０に塗布されたレジスト２１０を抜くレジ
スト抜きパターンの組み合わせにより形成される。レジ
スト抜きパターンは、上記説明のマーク１のレジスト残
しパターンと相似形のボックス型であって、マーク１の
レジスト残しパターンより小さい。ショット１とショッ
ト２の繋ぎ合わせが一致した場合、マーク１の中心と、
マーク２の中心は一致する。このマーク２を含むショッ
ト２を露光することにより、基板上に形成されたマーク
２像（１２０）は、図に示したようにボックス型であ
る。また、断面図に示したように、マーク２像１２０部
はレジストが抜かれている。
【００１８】実際には、マーク１を含むショット１によ
り基板の所定の領域に露光がされ、続いて基板の位置決
めが行われてマーク２を含むショット２により、基板の
所定の領域に露光が行われる。上記説明のように、マー
ク１とマーク２は、ショット１とショット２の繋ぎ合わ
せ部に形成されているため、マーク１とマーク２を重ね
合わせた像が基板上に形成される。この場合、マーク１
像の内部にマーク２像が形成されることになる。このた
め、マーク１像の内部に形成されたマーク１像の位置を
測定することにより、繋ぎ合わせ精度の測定ができる。
り基板の所定の領域に露光がされ、続いて基板の位置決
めが行われてマーク２を含むショット２により、基板の
所定の領域に露光が行われる。上記説明のように、マー
ク１とマーク２は、ショット１とショット２の繋ぎ合わ
せ部に形成されているため、マーク１とマーク２を重ね
合わせた像が基板上に形成される。この場合、マーク１
像の内部にマーク２像が形成されることになる。このた
め、マーク１像の内部に形成されたマーク１像の位置を
測定することにより、繋ぎ合わせ精度の測定ができる。
【００１９】上記説明の露光装置の繋ぎ合わせ誤差測定
手段の動作、及び繋ぎ合わせ精度の測定方法について説
明する。図３は、本発明の一実施の形態である露光装置
の繋ぎ合わせ精度の測定方法を示した図である。ショッ
ト１のマーク１により形成されるマーク１像（１１０）
と、ショット２のマーク２により形成されたマーク２像
（１２０）は、ショット１とショット２の繋ぎ合わせ部
分に重ね合わさって、基板上に形成されている。
手段の動作、及び繋ぎ合わせ精度の測定方法について説
明する。図３は、本発明の一実施の形態である露光装置
の繋ぎ合わせ精度の測定方法を示した図である。ショッ
ト１のマーク１により形成されるマーク１像（１１０）
と、ショット２のマーク２により形成されたマーク２像
（１２０）は、ショット１とショット２の繋ぎ合わせ部
分に重ね合わさって、基板上に形成されている。
【００２０】繋ぎ合わせの誤差は、内側のレジスト残し
部分（１３０）の幅を測定して算出する。レジスト残し
部分（１３０）の幅は、自動計測装置により正確に測定
することが可能である。図に示したように、レジスト残
し１３０の上下方向の幅をＸ１とＸ２とする。また、レ
ジスト残し１３０の左右方向の幅をＹ１とＹ２とする。
上下方向の繋ぎ合わせ誤差Ｘｇは、次の式で算出でき
る。
部分（１３０）の幅を測定して算出する。レジスト残し
部分（１３０）の幅は、自動計測装置により正確に測定
することが可能である。図に示したように、レジスト残
し１３０の上下方向の幅をＸ１とＸ２とする。また、レ
ジスト残し１３０の左右方向の幅をＹ１とＹ２とする。
上下方向の繋ぎ合わせ誤差Ｘｇは、次の式で算出でき
る。
【００２１】
【数１】 Ｘｇ＝ （Ｘ１−Ｘ２）／２ ……（１） 同様に、左右方向の繋ぎ合わせ誤差Ｙｇは、次の式で算
出できる。
出できる。
【００２２】
【数２】 Ｙｇ＝ （Ｙ１−Ｙ２）／２ ……（２） ショット１とショット２の繋ぎ合わせが一致し、ズレが
ない場合、Ｘ１＝Ｘ２、Ｙ１＝Ｙ２となり、Ｘｇ＝０、
Ｙｇ＝０となる。
ない場合、Ｘ１＝Ｘ２、Ｙ１＝Ｙ２となり、Ｘｇ＝０、
Ｙｇ＝０となる。
【００２３】ショット１に対してショット２が下方向に
１μｍズレた場合、Ｘ１は１μｍ太くなり、Ｘ２は１μ
ｍ細くなる。式（１）を用いれば、Ｘｇ＝１が得られ
る。同様に、ショット１に対してショット２が右方向に
１μｍズレた場合、Ｙ１は１μｍ太くなり、Ｙ２は１μ
ｍ細くなる。式（２）を用いれば、Ｙｇ＝１が得られ
る。
１μｍズレた場合、Ｘ１は１μｍ太くなり、Ｘ２は１μ
ｍ細くなる。式（１）を用いれば、Ｘｇ＝１が得られ
る。同様に、ショット１に対してショット２が右方向に
１μｍズレた場合、Ｙ１は１μｍ太くなり、Ｙ２は１μ
ｍ細くなる。式（２）を用いれば、Ｙｇ＝１が得られ
る。
【００２４】このように、マーク１とマーク２を重ね合
わせて形成された形状を測定することによって、繋ぎ合
わせ精度を正確に測定することが可能となる。また、こ
のようにして得られたズレ量からステッパのショット毎
の移動距離に補正をかければ、ショットの繋ぎでのズレ
量を小さくすることができる。
わせて形成された形状を測定することによって、繋ぎ合
わせ精度を正確に測定することが可能となる。また、こ
のようにして得られたズレ量からステッパのショット毎
の移動距離に補正をかければ、ショットの繋ぎでのズレ
量を小さくすることができる。
【００２５】上記の説明では、ショット間の繋ぎ合わせ
精度を測定するためのマークをボックス型の形状とした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、
ドーナッツ状の形状とすることもできる。
精度を測定するためのマークをボックス型の形状とした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、
ドーナッツ状の形状とすることもできる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、第１の
パターンと所定の位置関係にある第１のマークとが形成
された第１のショットと、第２のパターンと第１のマー
クと重なり合う位置関係にある第２のマークとが形成さ
れた第２のショットとを繋ぎ合わせて基板上に投影露光
する。基板上のショットの繋ぎ合わせ部には、第１のマ
ーク像と第２のマーク像が重なり合って形成されてお
り、この重ね合わせマーク像に基づいてショット間の繋
ぎ合わせ精度の測定を行う。
パターンと所定の位置関係にある第１のマークとが形成
された第１のショットと、第２のパターンと第１のマー
クと重なり合う位置関係にある第２のマークとが形成さ
れた第２のショットとを繋ぎ合わせて基板上に投影露光
する。基板上のショットの繋ぎ合わせ部には、第１のマ
ーク像と第２のマーク像が重なり合って形成されてお
り、この重ね合わせマーク像に基づいてショット間の繋
ぎ合わせ精度の測定を行う。
【００２７】基板上に形成された重ね合わせマーク像
は、例えば、ドーナッツ形状やボックス形状等の相似形
によって形成されており、重ね合わせにより所定の幅を
有する閉じた形状が形成される。この形状の幅を測定す
ることにより、ショットの繋ぎ精度を正確に測定するこ
とができる。
は、例えば、ドーナッツ形状やボックス形状等の相似形
によって形成されており、重ね合わせにより所定の幅を
有する閉じた形状が形成される。この形状の幅を測定す
ることにより、ショットの繋ぎ精度を正確に測定するこ
とができる。
【００２８】また、本発明の方法を用いた露光装置は、
第１のマークが形成された第１のショットと、第１のマ
ークと重なり合う位置関係にある第２のマークが形成さ
れた第２のショットとを、露光手段により基板上に投影
露光する。この時、基板上のショットの繋ぎ合わせ部に
は、第１のマーク像と第２のマーク像が重なり合って形
成されている。繋ぎ合わせ誤差測定手段では、第１のマ
ーク像と第２のマーク像が重なり合って形成された形状
を測定し、繋ぎ合わせ精度の測定を行う。
第１のマークが形成された第１のショットと、第１のマ
ークと重なり合う位置関係にある第２のマークが形成さ
れた第２のショットとを、露光手段により基板上に投影
露光する。この時、基板上のショットの繋ぎ合わせ部に
は、第１のマーク像と第２のマーク像が重なり合って形
成されている。繋ぎ合わせ誤差測定手段では、第１のマ
ーク像と第２のマーク像が重なり合って形成された形状
を測定し、繋ぎ合わせ精度の測定を行う。
【００２９】基板上に形成された重ね合わせマーク像
は、例えば、ドーナッツ形状やボックス形状等の相似形
によって形成されており、重ね合わせにより所定の幅を
有する閉じた形状が形成される。繋ぎ合わせ誤差測定手
段では、重ね合わせにより形成された形状の幅を正確に
測定することができる。これによって、ショットの繋ぎ
精度を正確に測定することができる。
は、例えば、ドーナッツ形状やボックス形状等の相似形
によって形成されており、重ね合わせにより所定の幅を
有する閉じた形状が形成される。繋ぎ合わせ誤差測定手
段では、重ね合わせにより形成された形状の幅を正確に
測定することができる。これによって、ショットの繋ぎ
精度を正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である第１のショットに
形成される繋ぎ合わせ誤差検出用マークを示した図であ
る。
形成される繋ぎ合わせ誤差検出用マークを示した図であ
る。
【図２】本発明の一実施の形態である第２のショットに
形成される繋ぎ合わせ誤差検出用マークを示した図であ
る。
形成される繋ぎ合わせ誤差検出用マークを示した図であ
る。
【図３】本発明の一実施の形態である露光装置の繋ぎ合
わせ精度の測定方法を示した図である。
わせ精度の測定方法を示した図である。
【図４】従来のノギスバーニアを用いた繋ぎ合わせ精度
の測定方法を示した図である。
の測定方法を示した図である。
１１０…マーク１像、１２０…マーク２像、１３０…レ
ジスト残し、２１０…レジスト、２２０…被加工層、２
３０…基板
ジスト残し、２１０…レジスト、２２０…被加工層、２
３０…基板
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体製造のフォトリソグラフィ工程で
複数のショットを繋ぎ合わせてパターンを形成し、基板
上にパターンを投影露光する露光方法において、 第１のショットに第１のパターンと前記第１のパターン
と一定の位置関係にある繋ぎ合わせ誤差検出用の第１の
マークとを形成し、 前記第１のショットを前記基板上に投影露光し、 前記第１のショットと所定の位置関係にある第２のショ
ットに第２のパターンとともに繋ぎ合わせにより前記第
１のマークと重なり合う位置に繋ぎ合わせ誤差検出用の
第２のマークを形成し、 前記第２のショットを前記基板上に投影露光し、 前記基板上に形成された前記第１のマーク像と前記第２
のマーク像とが重ね合わさった像の形状に基づいて前記
第１のショットと前記第２のショット間の繋ぎ合わせ精
度を測定する手順を有することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記第１のマーク及び前記第２のマーク
は、相似形により形成されていることを特徴とする請求
項１記載の露光方法。 - 【請求項３】 前記第１のマーク及び前記第２のマーク
は、ショット間の繋ぎが一致した時に双方のマークの中
心点が一致する位置関係に形成されることを特徴とする
請求項１記載の露光方法。 - 【請求項４】 前記第１のショットと前記第２のショッ
ト間の繋ぎ合わせ精度を測定する手順は、前記第１のマ
ークと前記第２のマークが重なり合って形成された形状
の上下方向及び左右方向の幅を測定する手順であること
を特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項５】 半導体製造のフォトリソグラフィ工程で
複数のショットを繋ぎ合わせてパターンを形成し、基板
上にパターンを投影露光する露光装置において、 第１のパターンと前記第１のパターンと一定の位置関係
にある繋ぎ合わせ誤差検出用の第１のマークとを形成し
た第１のショットと、 第２のパターンとともに繋ぎ合わせにより前記第１のマ
ークと重なり合う位置に繋ぎ合わせ誤差検出用の第２の
マークを形成した前記第１のショットと所定の位置関係
にある第２のショットと、 前記第１のショットと前記第２のショットを繋ぎ合わせ
て基板上に投影露光を行う露光手段と、 前記投影露光が行われた基板上に形成された前記第１の
マーク像と前記第２のマーク像によって形成される形状
の測定を行う繋ぎ合わせ誤差測定手段と、を有すること
を特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11146635A JP2000340482A (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 露光方法及びこの方法を用いた露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11146635A JP2000340482A (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 露光方法及びこの方法を用いた露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340482A true JP2000340482A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15412197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11146635A Pending JP2000340482A (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 露光方法及びこの方法を用いた露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000340482A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270483A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Nikon Corp | 露光方法および露光装置 |
| JP2005251977A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Victor Co Of Japan Ltd | フォトレジスト画素電極パターンの形成方法 |
| US6962762B2 (en) | 2001-12-13 | 2005-11-08 | Zarlink Semiconductor Limited | Exposure positioning in photolithography |
| JP2015012258A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法 |
| JP2018010211A (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | キヤノン株式会社 | マスク、計測方法、露光方法、及び、物品製造方法 |
| CN114415484A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-29 | 上海大溥实业有限公司 | 一种光刻提高对准精度的异向多点同步错位对准法 |
| CN116300302A (zh) * | 2021-12-20 | 2023-06-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜版图和器件形成方法 |
-
1999
- 1999-05-26 JP JP11146635A patent/JP2000340482A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270483A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Nikon Corp | 露光方法および露光装置 |
| US6962762B2 (en) | 2001-12-13 | 2005-11-08 | Zarlink Semiconductor Limited | Exposure positioning in photolithography |
| JP2005251977A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Victor Co Of Japan Ltd | フォトレジスト画素電極パターンの形成方法 |
| JP2015012258A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法 |
| JP2018010211A (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | キヤノン株式会社 | マスク、計測方法、露光方法、及び、物品製造方法 |
| CN107621749A (zh) * | 2016-07-14 | 2018-01-23 | 佳能株式会社 | 掩模、测量方法、曝光方法以及物品制造方法 |
| KR20180008295A (ko) * | 2016-07-14 | 2018-01-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | 마스크, 계측 방법, 노광 방법, 및 물품 제조 방법 |
| KR102198599B1 (ko) * | 2016-07-14 | 2021-01-06 | 캐논 가부시끼가이샤 | 마스크, 계측 방법, 노광 방법, 및 물품 제조 방법 |
| CN107621749B (zh) * | 2016-07-14 | 2021-04-30 | 佳能株式会社 | 掩模、测量方法、曝光方法以及物品制造方法 |
| CN116300302A (zh) * | 2021-12-20 | 2023-06-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜版图和器件形成方法 |
| CN114415484A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-29 | 上海大溥实业有限公司 | 一种光刻提高对准精度的异向多点同步错位对准法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2988393B2 (ja) | 露光方法 | |
| US6587201B2 (en) | Aligning apparatus and method for aligning mask patterns with regions on a substrate | |
| JP5792431B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2018010211A (ja) | マスク、計測方法、露光方法、及び、物品製造方法 | |
| JP4198877B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| CN111338186A (zh) | 决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法 | |
| JP2000353657A (ja) | 露光方法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置 | |
| KR20170057150A (ko) | 노광 장치 및 물품 제조 방법 | |
| WO2010125813A1 (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法、並びに重ね合わせ誤差計測方法 | |
| JPH08122019A (ja) | 位置計測装置、位置合わせ装置、露光装置およびデバイスの製造方法 | |
| JP2000340482A (ja) | 露光方法及びこの方法を用いた露光装置 | |
| JP2005030776A (ja) | 重ね合わせ測定装置および方法 | |
| JP6061507B2 (ja) | 露光方法及び物品の製造方法 | |
| JP4525067B2 (ja) | 位置ずれ検出用マーク | |
| JP2006292426A (ja) | 座標測定方法及び寸法測定方法 | |
| JP4604443B2 (ja) | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク | |
| JP3374456B2 (ja) | 位置合わせ方法及び露光方法 | |
| JP2569441B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP4029210B2 (ja) | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク | |
| JP3341774B2 (ja) | 位置ずれ計測方泡及び露光装置の精度確認方法 | |
| JP3658091B2 (ja) | 走査型露光方法および該方法を用いたデバイス製造方法 | |
| JP3198718B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP5196159B2 (ja) | フォトマスク基板の作製方法及びその方法により作製されたフォトマスク基板 | |
| JP3530716B2 (ja) | 走査投影露光装置 | |
| JP3814982B2 (ja) | 重ね合わせ精度測定方法及び測定機 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20051208 |