JP2000340883A - 多波長発振光半導体装置 - Google Patents

多波長発振光半導体装置

Info

Publication number
JP2000340883A
JP2000340883A JP11147560A JP14756099A JP2000340883A JP 2000340883 A JP2000340883 A JP 2000340883A JP 11147560 A JP11147560 A JP 11147560A JP 14756099 A JP14756099 A JP 14756099A JP 2000340883 A JP2000340883 A JP 2000340883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
quantum
layer
wavelength
quantum boxes
quantum box
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11147560A
Other languages
English (en)
Inventor
Minefumi Shimoyama
峰史 下山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP11147560A priority Critical patent/JP2000340883A/ja
Publication of JP2000340883A publication Critical patent/JP2000340883A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多波長発振光半導体装置に関し、素子構造を
大型化することなく、複数の異なった波長で同時に安定
な発振を行う。 【解決手段】 大きさの異なる多数の量子箱１〜３を活
性領域４内に持つ半導体利得導波路と、離散的な複数の
波長で高い反射率を有する反射鏡５とを直列に配置す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多波長発振光半導体
装置に関するものであり、特に、波長多重通信システム
の光源として用いる複数の異なる波長で同時に安定に発
振する多波長発振光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のインターネット利用者数の急激な
増大に伴い、光通信システムの整備が急ピッチで進めら
れている。しかし、動画などの大規模データを必要な時
に遠隔地から受け取るといった新しい形態のサービスも
始まりつつあり、さらなる指数関数的な通信量の増大が
見込まれる現在、従来の時分割多重通信システムでは早
晩限界に達すると考えられている。
【０００３】この様な状況を打開するために、異なる複
数の波長の光を一本の光ファイバに導入する波長多重通
信への移行が叫ばれているが、この次世代の通信手段と
目されている波長多重通信システムには、当然ながら複
数の異なる波長の光を放射する光源が必要となる。
【０００４】従来、この様な要請に応える多波長光源と
しては、多数の半導体レーザを一列に並べて同時に駆動
し、光結合器によってこれらの複数の異なった波長の光
を一本の光ファイバの導波路に導くアレイ型レーザが知
られている。
【０００５】また、他の多波長光源としては、異なる発
振波長の量子箱からなる活性層を多層積層させることに
よって、多波長同時発振を実現することも提案されてい
る（必要ならば、特開昭６３−２１３３８４号公報参
照）。例えば、各活性層における量子箱のサイズが互い
に異なるように堆積条件等を制御することによって、各
活性層における発振波長が互いに異なるようにしたもの
である。
【０００６】なお、この様な量子箱（ＱＤ：Ｑｕａｎｔ
ｕｍ Ｄｏｔ）とは、キャリアに３次元的な量子閉じ込
めを与えるほど極微細なポテンシャルの箱であり、この
量子箱においてはキャリアの状態関数密度はデルタ関数
的に離散化し、その基底準位には２個のキャリア、例え
ば、伝導帯においては２個の電子しか存在することがで
きず、また、励起準位にはその準位の次数に応じて複数
個の電子が存在することができるものである。
【０００７】この様な半導体量子箱を簡単に形成する方
法としては、自己形成させる方法が知られており、具体
的には、格子不整合の半導体をある条件で気相エピタキ
シャル成長させることにより３次元の微細構造、即ち、
量子箱構造を自己形成する方法が提案（例えば、特願平
７−２１７４６６号参照）されている。なお、これらの
自己形成方法としては、Ｓｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔ
ａｎｏｖ（ストランスキー−クラスタノフ）モードによ
る量子箱の形成方法、Ｖｏｌｍｅｒ−Ｗｅｂｂｅｒ（ボ
ルマー−ウェッバー）モードによる量子箱の形成方法、
或いは、ＡＬＥ（原子層エピタキシー）法を用いた原料
の交互供給による自己組織化量子箱の形成方法等が知ら
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のアレイ
型レーザの場合には、一つの素子の中に多数の独立した
ストライプ型レーザ構造が必要になり、素子が大型化す
るという問題がある。しかも、各々のストライプ型レー
ザにおける発振波長を正確に制御する必要があり、この
様なアレイ型レーザを作製するには高精度の製造技術が
必要になる。
【０００９】一方、量子箱活性層を多層化した半導体レ
ーザの場合には、原理的には多波長発振が可能である
が、現実的には実現困難な構造であると考えられる。即
ち、第１に、それぞれの活性層における量子箱の発振波
長を揃えるためには、それぞれの活性層における量子箱
の径を揃える必要があるが、現在の成長技術では不可能
である。
【００１０】第２に、発振波長を設計値通りにするため
には、量子箱の径と組成とを正確に制御して作製するこ
とが要求されるが、これも現状では困難である。さら
に、上記の第１及び第２の要件を満たすことができると
しても、多層化には限界があり、限界の層数によって発
振する波長数が制限されるという問題がある。
【００１１】したがって、本発明は、素子構造を大型化
することなく、複数の異なった波長で同時に安定な発振
を行うことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１
（ａ）は、光半導体装置の概略的断面図であり、また、
図１（ｂ）は、光半導体装置に設けた反射鏡を模式的に
拡大して示した図であり、図において、符号６，７は夫
々一導電型クラッド層及び逆導電型クラッド層である。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、多波長発振光半導体装置において、大
きさの異なる多数の量子箱１〜３を活性領域４内に持つ
半導体利得導波路と、離散的な複数の波長で高い反射率
を有する反射鏡５とを直列に配置したことを特徴とす
る。
【００１３】この様に、大きさの異なる量子箱１〜３、
即ち、径の異なる量子箱１〜３を多量に内包する半導体
利得導波路を用いることにより、注入電流量を増すこと
によって多波長での同時の誘導放出が可能になる。即
ち、均一拡がりが、例えば、室温において０．５ｎｍ程
度に充分小さな準位間の発光遷移を行う量子箱１〜３が
２つあり、しかもお互いの遷移波長が、この均一拡がり
より、例えば、１ｎｍ程度離れていた場合、２つの量子
箱１〜３は互いに独立に発光し、他方の光による誘導吸
収・誘導放出を行うことはない。これは、量子箱１〜３
が完全に離散的準位を持つためであり、１次元閉じ込め
或いは２次元閉じ込めの量子井戸構造との大きな違いで
ある。
【００１４】また、離散的な複数の波長で高い反射率を
有する反射鏡５を設けることによって、不規則な多数波
長で発振していた多波長発振光８の波長間隔及び絶対波
長の制御が可能になり、多重光通信システム用の多波長
光源として好適なものとなる。
【００１５】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、離散的な複数の波長で高い反射率を有する反射鏡５
として、ピッチを徐々に変化させた回折格子が周期的に
形成された分布反射鏡５を用いたことを特徴とする。
【００１６】この様に、離散的な複数の波長で高い反射
率を有する反射鏡５は、超周期回折格子（ＳＳＧ：Ｓｕ
ｐｅｒ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｇｒａｔｉｎｇ）、即
ち、ピッチを徐々に変化させた回折格子が周期をＬとし
て周期的に形成された分布反射鏡を用いることによって
容易に形成することができる。このＳＳＧ構造は、基本
的な回折格子構造が持つ周期性に、さらに大きな周期
性、即ち、超周期性を加えることによって複数波長での
高反射率が実現されるものである（必要ならば、Ｈ．Ｉ
ｓｈｉｉ，ｅｔ．ａｌ，ＩＥＥＥ，Ｊ．ＱＥ，Ｖｏｌ．
３２，Ｎｏ．３，ｐｐ４３３，１９９６参照）。
【００１７】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、量子箱１〜３が、ストランスキー−ク
ラスタノフモードによる量子箱１〜３、或いは、原子層
エピタキシー法を用いた自己組織化による量子箱１〜３
のいずれかであることを特徴とする。
【００１８】この様に、多波長発振に適した量子箱１〜
３としては、ストランスキー−クラスタノフモードによ
る量子箱１〜３、或いは、原子層エピタキシー法を用い
た自己組織化による量子箱１〜３が好適である。即ち、
これらの自己形成方法は、量子箱１〜３を高密度で形成
することができるが、量子箱１〜３の径を揃えることは
困難であり、したがって、単一波長で発振する量子ドッ
ト半導体レーザの作製は困難であるが、逆に、この欠点
を積極的に利用することによって、径の不揃いな量子箱
１〜３を高密度で形成し、それによって、多波長発振が
可能になり、且つ、多波長発振光８の強度を高めること
ができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】ここで、本発明の第１の実施の形
態を図２乃至図４を参照して説明するが、まず、図２及
び図３を参照して本発明の第１の実施の形態の製造工程
を説明する。なお、各図は、レーザ光の光軸方向に沿っ
た断面図である。 図２（ａ）参照 まず、（００１）面を主面とするｎ型ＧａＡｓ基板１１
上にフォトレジスト（図示せず）を塗布し、このフォト
レジストの内の一部に電子ビーム露光装置を用いて周期
的にピッチを変化させた格子パターンを露光したのち、
フォトレジストを現像して格子状レジストパターンを形
成し、次いで、この格子状レジストパターンをマスクと
してｎ型ＧａＡｓ基板１１をエッチングすることによっ
てＳＳＧ構造１２を形成する。なお、このＳＳＧ構造１
２は、上述の様に、ピッチを徐々に変化させた回折格子
の周期をＬとしてこの回折格子を周期的に形成したもの
であり、このＳＳＧ構造１２をＤＢＲ鏡、即ち、分布ブ
ラッグ反射鏡として用いる。
【００２０】図２（ｂ）参照 次いで、ＭＢＥ（モレキュラ・ビーム・エピタキシー）
装置を用いて、厚さが、例えば、０．９μｍで、Ａｌ組
成比が、例えば０．４のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１
３、厚さが、例えば、０．１μｍのＧａＡｓ−ＳＣＨ
（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔ
ｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層１４、厚さが、例えば、
４０ｎｍでＩｎ組成比が０．１のＩｎＧａＡｓ導波層１
５、及び、厚さが、例えば、０．１μｍのＧａＡｓＳＣ
Ｈ層１６を順次成長させる。
【００２１】図２（ｃ）参照 次いで、ＳＳＧ構造１２を形成しなかった領域上に成長
したＧａＡｓＳＣＨ層１６及びＩｎＧａＡｓ導波層１５
を選択的に除去して、ＧａＡｓＳＣＨ層１４を露出させ
る。
【００２２】図３（ｄ）参照 次いで、ＧａＡｓＳＣＨ層１６及びＩｎＧａＡｓ導波層
１５を選択的に除去した領域上に、Ｓｔｒａｎｓｋｉ−
Ｋｒａｓｔａｎｏｖモードによって量子箱導波層１７を
形成したのち、厚さが、例えば、０．１μｍのＧａＡｓ
ＳＣＨ層１８を成長させて表面を平坦化する。
【００２３】図３（ｅ）参照 図３（ｅ）は図３（ｄ）の破線で示す円内を模式的に拡
大して示した図であり、この量子箱導波層１７を形成す
る場合には、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用
いて、成長温度を５００℃とした状態でＴＭＩｎ（トリ
メチルインジウム）及びＡｓＨ3 をＩｎＡｓ換算で１〜
２ＭＬ（モノレーヤー）分だけ同時供給する。この成長
開始当初においては、２次元的成長が起こりＩｎＧａＡ
ｓ濡れ層が形成され、このＩｎＧａＡｓ濡れ層の膜厚が
弾性限界を越えた時点で、ＩｎＧａＡｓ濡れ層の表面に
オングストロームオーダーの３次元核が比較的高密度で
離散的に形成される。さらに、成長を続けると、３次元
核を成長核としてＩｎ組成比が相対的に大きなＩｎＧａ
Ａｓからなる量子箱２１〜２３が形成され、量子箱２１
〜２３の周辺部はＩｎ組成比が相対的に小さなＩｎＧａ
Ａｓ濡れ層となる。なお、図においては、全体を纏めて
ＩｎＡｓ層１９として示している。
【００２４】これは、ＩｎＧａＡｓ濡れ層の厚さが弾性
限界を越える場合、Ｉｎ組成比が相対的に大きなＩｎＧ
ａＡｓからなる量子箱２１〜２３を局所的に発生させる
ことによってＩｎＧａＡｓ成長層全体としてはＩｎＧａ
Ａｓ成長層の全面に歪が発生する場合よりも低歪エネル
ギーとなり、結晶学的に安定した成長になるためと考え
られる。
【００２５】次いで、例えば、３０ｎｍのＧａＡｓバリ
ア層２０を成長させ、このサイクルを、例えば、３回繰
り返すことによって３層の多層構造からなる量子箱導波
層１７が形成される。なお、この場合の量子箱２１〜２
３の平均直径は約２０ｎｍであり、面被覆率は約１０％
であり、これは、互いに隣接する量子箱２１〜２３の間
の平均距離が約１８０ｎｍになることに相当するので、
互いに隣接する量子箱２１〜２３に間の不所望な相互作
用は生じない。
【００２６】図３（ｆ）参照 次いで、全面に厚さが、例えば、１．２μｍで、Ａｌ組
成比が、例えば、０．４のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
２４、及び、厚さが、例えば、０．３μｍのｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層２５を順次成長させたのち、ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層２５及びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２
４の一部を、例えば、１．２μｍの深さまでエッチング
して、ＳＳＧ構造１２を構成する回折格子の溝に垂直な
方向に、幅が、例えば、２．５μｍのストライプ状メサ
を形成してリッジ構造の導波路とする。
【００２７】次いで、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２５及
びストライプ状メサの側面を覆うようにｐ側電極２６を
設けるとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面にｎ側電
極２７を形成し、次いで、共振器長が１μｍになるよう
に劈開することによって量子箱導波層１７を含む半導体
利得導波路とＳＳＧ構造１２からなるＤＢＲ鏡とが直列
に配置された多波長発振半導体レーザの基本構成が完成
する。
【００２８】図４参照 図４はこの様にして形成した多波長発振半導体レーザの
斜視図であり、ストライプ状メサ２８の側面及び頂面を
覆うように設けたｐ側電極２６及びｎ型ＧａＡｓ基板１
１の裏面に設けたｎ側電極２７から量子箱導波層１７に
電流を注入することによって、互いに径の異なる量子箱
２１〜２３において、１．５５μｍ近傍を中心波長とす
る異なった波長での誘導放出が生じ、この内、ＳＳＧ構
造１２の離散的共振波長のみが優勢になって、ＳＳＧ構
成１２によって規定される発振波長及び波長間隔での多
波長レーザ発振が可能になる。また、上記の第１の実施
の形態においては、量子箱２１〜２３が形成されるＩｎ
Ａｓ層１９を３層積層しているので、充分な利得を持ち
得る活性層構造が形成される。
【００２９】次に、図５を参照して本発明の第２の実施
の形態の多波長発振半導体レーザを説明するが、この第
２の実施の形態は、共振器をＤＦＢ（分布帰還）型共振
器としたものであり、その他の構成は上記の第１の実施
の形態と同様である。 図５参照 図５は本発明の第２の実施の形態の多波長発振半導体レ
ーザの斜視図であり、上記の第１の実施の形態と同様
に、まず、（００１）面を主面とするｎ型ＧａＡｓ基板
１１上にフォトレジスト（図示せず）を塗布し、このフ
ォトレジストの内の一部に電子ビーム露光装置を用いて
周期的にピッチを変化させた格子パターンを露光したの
ち、フォトレジストを現像して格子状レジストパターン
を形成し、次いで、この格子状レジストパターンをマス
クとしてｎ型ＧａＡｓ基板１１をエッチングすることに
よってＳＳＧ構造１２を形成したのち、ＭＢＥ装置を用
いて、厚さが、例えば、０．９μｍで、Ａｌ組成比が、
例えば０．４のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３、及
び、厚さが、例えば、０．１μｍのＧａＡｓＳＣＨ層１
４を順次成長させる。
【００３０】次いで、上記の第１の実施の形態と同様な
成長方法を用いて、Ｓｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔａｎ
ｏｖモードによって量子箱導波層１７を形成したのち、
厚さが、例えば、０．１μｍのＧａＡｓＳＣＨ層１８、
厚さが、例えば、１．２μｍで、Ａｌ組成比が、例え
ば、０．４のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２４、及び、
厚さが、例えば、０．３μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト
層２５を順次成長させ、次いで、ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層２５及びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２４の一部
を、例えば、１．２μｍの深さまでエッチングして、Ｓ
ＳＧ構造１２を構成する回折格子の溝に垂直な方向に、
幅が、例えば、２．５μｍのストライプ状メサを形成し
てリッジ構造の導波路とする。
【００３１】次いで、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２５及
びストライプ状メサ２８の側面を覆うようにｐ側電極２
６を設けるとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面にｎ
側電極２７を形成し、次いで、共振器長が１μｍになる
ように劈開することによって量子箱導波層１７を含む半
導体利得導波路とＳＳＧ構造１２からなるＤＦＢ共振器
とが直列に配置された多波長発振半導体レーザの基本構
成が完成する。
【００３２】この第２の実施の形態においても、ＤＦＢ
共振器を構成するＳＳＧ構造１２によって、所定の発振
波長で且つ所定の波長間隔での多波長での同時発振が可
能になる。なお、この第２の実施の形態においては、Ｄ
ＢＲ構造の場合とは異なり、ＳＳＧ構造１２の上にも量
子箱導波層１７を延在させているので、ＩｎＧａＡｓ導
波層の成長工程及びその選択的除去工程が不要になり、
それによって、製造工程がより簡素化される。
【００３３】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は、各実施の形態に記載した構成及び条件
に限られるものではなく、各種の変更が可能である。例
えば、上記の各実施の形態の説明においては、量子箱の
形成方法として、高密度で径が不揃いの量子箱が形成さ
れやすいＳｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔａｎｏｖモード
による自己形成方法を用いているが、Ｓｔｒａｎｓｋｉ
−Ｋｒａｓｔａｎｏｖモードによる自己形成方法に限ら
れるものではなく、ＡＬＥ法を用いた自己組織化による
方法を用いても良いものである。
【００３４】このＡＬＥ法による自己組織化による方法
を用いる場合には、例えば、ＧａＡｓＳＣＨ層１４を形
成したのち、ＴＭＩｎ等のＩｎ原料を単独で供給するこ
とによってＧａＡｓＳＣＨ層１４の表面にＩｎ金属島が
離散的に形成される。次いで、ＴＭＧａ（トリメチルガ
リウム）等のＧａ原料を単独で供給すると、ＧａＡｓＳ
ＣＨ層１４の表面にＧａ金属島が離散的に形成されると
共に、Ｉｎ金属島においてはＩｎとＧａとが混合してＩ
ｎ＋Ｇａ金属島が形成される。
【００３５】次いで、ＡｓＨ3 等のＡｓ原料を単独で供
給すると、表面において再構成（Ｒｅｃｏｎｓｔｒｕｃ
ｔｉｏｎ）が起こりＩｎ＋Ｇａ金属島においてはＩｎ組
成比が相対的に大きなＩｎＧａＡｓ量子箱が形成され、
Ｇａ金属島及びその近傍においてはＩｎ組成比が相対的
に小さなＩｎＧａＡｓ層が形成され、この様なサイクル
を数サイクル繰り返すことによって最終的な量子箱導波
層が形成されることになる。
【００３６】この様に、ＡＬＥ法を用いた自己組織化に
よる方法を用いた場合にも、Ｓｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａ
ｓｔａｎｏｖモードによる自己形成方法と同様に、高密
度で径が不揃いの量子箱が形成されやすく、それによっ
て、多波長発振が可能になる。
【００３７】また、上記の各実施の形態の説明において
は、ＳＳＧ構造１２をｎ型ＧａＡｓ基板に直接形成して
いるが、ｎ型ＧａＡｓ層１１上にｎ型ＧａＡｓバッファ
層を設け、このｎ型ＧａＡｓバッファ層１１に設けても
良いものであり、或いは、自己酸化膜の形成に対する対
策を取るならば、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３に形
成しても良いものである。
【００３８】また、上記の各実施の形態の説明において
は、ストライプ状メサ２８を形成して、リッジ構造とし
ているが、ストライプ状構造はＢＨ（埋込ヘテロ接合）
構造等の他の公知のストライプ状構造を用いても良いこ
とは言うまでもない。
【００３９】また、本発明の各実施の形態の説明におい
ては、量子箱をＩｎＧａＡｓ量子箱として説明している
が、他のIII-Ｖ族化合物半導体で構成しても良いことは
原理的に自明であり、さらに、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体、或いはＩＶ−ＶＩ族化合物半導体等の他の化合物半
導体にも適用し得ることは明らかである。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、高密度で且つ径が不揃
いな量子箱を利用して量子箱導波路を構成するととも
に、この量子箱導波路に直列にＳＳＧ等の離散的な複数
の波長で高い反射率を有する反射鏡を配置しているの
で、簡単な構成によって、発振波長及び波長間隔が制御
された多波長での安定した同時発振が可能になり、それ
によって、素子を大型化することなく安定した多波長光
源を得ることができ、ひいては、波長多重通信システム
の実現に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工
程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降の製造工
程の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の多波長発振半導体
レーザの斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の多波長発振半導体
レーザの斜視図である。
【符号の説明】
１ 量子箱 ２ 量子箱 ３ 量子箱 ４ 活性領域 ５ 反射鏡 ６ 一導電型クラッド層 ７ 逆導電型クラッド層 ８ 多波長発振光 １１ ｎ型ＧａＡｓ基板 １２ ＳＳＧ構造 １３ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 １４ ＧａＡｓＳＣＨ層 １５ ＩｎＧａＡｓ導波層 １６ ＧａＡｓＳＣＨ層 １７ 量子箱導波層 １８ ＧａＡｓＳＣＨ層 １９ ＩｎＡｓ層 ２０ ＧａＡｓバリア層 ２１ 量子箱 ２２ 量子箱 ２３ 量子箱 ２４ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ２５ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ２６ ｐ側電極 ２７ ｎ側電極 ２８ ストライプ状メサ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 大きさの異なる多数の量子箱を活性領域
    内に持つ半導体利得導波路と、離散的な複数の波長で高
    い反射率を有する反射鏡とを直列に配置したことを特徴
    とする多波長発振光半導体装置。
  2. 【請求項２】 上記離散的な複数の波長で高い反射率を
    有する反射鏡として、ピッチを徐々に変化させた回折格
    子が周期的に形成された分布反射鏡を用いたことを特徴
    とする請求項１記載の多波長発振光半導体装置。
  3. 【請求項３】 上記量子箱が、ストランスキー−クラス
    タノフモードによる量子箱、或いは、原子層エピタキシ
    ー法を用いた自己組織化による量子箱のいずれかである
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の多波長発振
    光半導体装置。
JP11147560A 1999-05-27 1999-05-27 多波長発振光半導体装置 Withdrawn JP2000340883A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11147560A JP2000340883A (ja) 1999-05-27 1999-05-27 多波長発振光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11147560A JP2000340883A (ja) 1999-05-27 1999-05-27 多波長発振光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000340883A true JP2000340883A (ja) 2000-12-08

Family

ID=15433112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11147560A Withdrawn JP2000340883A (ja) 1999-05-27 1999-05-27 多波長発振光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000340883A (ja)

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
EP1460742A3 (en) * 2003-03-20 2004-09-29 Fujitsu Limited Semiconductor optical amplifier suitable for coarse WDM communications and light amplification method
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US7049226B2 (en) 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US7101795B1 (en) 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
JP2008172188A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Ind Technol Res Inst 多波長量子ドットレーザ素子
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7558301B2 (en) 2006-12-20 2009-07-07 Industrial Technology Research Institute Multiwavelength semiconductor laser array and method of fabricating the same
US7595263B2 (en) 2003-06-18 2009-09-29 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of barrier materials
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7867914B2 (en) 2002-04-16 2011-01-11 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
JP2013138249A (ja) * 2007-05-01 2013-07-11 Exalos Ag 光源および装置

Cited By (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7501343B2 (en) 2000-06-27 2009-03-10 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7208413B2 (en) 2000-06-27 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7501344B2 (en) 2000-06-27 2009-03-10 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7465666B2 (en) 2000-06-28 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes
US7846840B2 (en) 2000-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes
US7101795B1 (en) 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7745333B2 (en) 2000-06-28 2010-06-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7033922B2 (en) 2000-06-28 2006-04-25 Applied Materials. Inc. Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers
US6855368B1 (en) 2000-06-28 2005-02-15 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7235486B2 (en) 2000-06-28 2007-06-26 Applied Materials, Inc. Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes
US7674715B2 (en) 2000-06-28 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes
US7115494B2 (en) 2000-06-28 2006-10-03 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US7022948B2 (en) 2000-12-29 2006-04-04 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US7781326B2 (en) 2001-02-02 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US8114789B2 (en) 2001-02-02 2012-02-14 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US9012334B2 (en) 2001-02-02 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US7094680B2 (en) 2001-02-02 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US9587310B2 (en) 2001-03-02 2017-03-07 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US7201803B2 (en) 2001-03-07 2007-04-10 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US7695563B2 (en) 2001-07-13 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Pulsed deposition process for tungsten nucleation
US7905959B2 (en) 2001-07-16 2011-03-15 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US10280509B2 (en) 2001-07-16 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7049226B2 (en) 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US7352048B2 (en) 2001-09-26 2008-04-01 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7494908B2 (en) 2001-09-26 2009-02-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for integration of barrier layer and seed layer
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7780788B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US8668776B2 (en) 2001-10-26 2014-03-11 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US7094685B2 (en) 2002-01-26 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US7779784B2 (en) 2002-01-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US7732325B2 (en) 2002-01-26 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers
US7473638B2 (en) 2002-01-26 2009-01-06 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US7745329B2 (en) 2002-02-26 2010-06-29 Applied Materials, Inc. Tungsten nitride atomic layer deposition processes
US7115499B2 (en) 2002-02-26 2006-10-03 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US7429516B2 (en) 2002-02-26 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Tungsten nitride atomic layer deposition processes
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7867914B2 (en) 2002-04-16 2011-01-11 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
EP1460742A3 (en) * 2003-03-20 2004-09-29 Fujitsu Limited Semiconductor optical amplifier suitable for coarse WDM communications and light amplification method
US7167301B2 (en) 2003-03-20 2007-01-23 Fujitsu Limited Semiconductor optical amplifier suitable for coarse WDM communications and light amplification method
US7595263B2 (en) 2003-06-18 2009-09-29 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of barrier materials
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7558301B2 (en) 2006-12-20 2009-07-07 Industrial Technology Research Institute Multiwavelength semiconductor laser array and method of fabricating the same
JP2008172188A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Ind Technol Res Inst 多波長量子ドットレーザ素子
US7573926B2 (en) 2007-01-10 2009-08-11 Industrial Technology Research Institute Multiwavelength quantum dot laser element
JP2013138249A (ja) * 2007-05-01 2013-07-11 Exalos Ag 光源および装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000340883A (ja) 多波長発振光半導体装置
US10431957B2 (en) Multiwavelength quantum cascade laser via growth of different active and passive cores
US5077752A (en) Semiconductor laser
JPH11266004A (ja) 量子半導体装置および量子半導体発光装置
KR100967977B1 (ko) 양자 나노구조 반도체 레이저 및 양자 나노구조 어레이
US20240136803A1 (en) Multi-wavelength vcsel array and method of fabrication
Henini et al. Advances in self-assembled semiconductor quantum dot lasers
JPH05251738A (ja) 半導体光素子アレイの作製方法
JP4151042B2 (ja) 半導体レーザ
US6867057B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor laser
US6933159B2 (en) Fabrication method of a semiconductor laser device
JP2852663B2 (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JPH08274406A (ja) 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法
Pissis et al. Monolithic multiwavelength VCSEL array using cavity patterning
JP2903321B2 (ja) 半導体レーザ装置の製造方法
JP2001326421A (ja) 半導体レーザ装置
JP3149962B2 (ja) 多波長半導体レーザ素子及びその駆動方法
EP0525971B1 (en) A semiconductor device and a method for producing the same
JPH09283858A (ja) 化合物半導体光デバイスの製造方法及び装置
JP2875929B2 (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2957198B2 (ja) 半導体レーザ装置
WO2005112210A1 (en) Semiconductor devices including gratings formed using quantum dots and method of manufacture
JP4075003B2 (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
KAGEYAMA et al. Temperature Characteristics of λ= 1.3 µm GaInNAs/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Chemical Beam Epitaxy
JPH0770781B2 (ja) 半導体レーザアレイ

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060801