JP2000343411A - 研磨用シート - Google Patents
研磨用シートInfo
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- JP2000343411A JP2000343411A JP15353699A JP15353699A JP2000343411A JP 2000343411 A JP2000343411 A JP 2000343411A JP 15353699 A JP15353699 A JP 15353699A JP 15353699 A JP15353699 A JP 15353699A JP 2000343411 A JP2000343411 A JP 2000343411A
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- polishing
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- weight polyethylene
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、金属不純物の存在が嫌われる半導
体材料の研磨等に使用する化学的・機械的研磨（ＣＭ
Ｐ）用シートに関するものである。 【解決手段】 特定の形態的特性を有する多数の均一な
微細孔を表面及び内部に有し、金属不純物の濃度が１０
０ppm以下である高分子量ポリエチレンフィルムを研磨
層に持つ研磨用シート。
体材料の研磨等に使用する化学的・機械的研磨（ＣＭ
Ｐ）用シートに関するものである。 【解決手段】 特定の形態的特性を有する多数の均一な
微細孔を表面及び内部に有し、金属不純物の濃度が１０
０ppm以下である高分子量ポリエチレンフィルムを研磨
層に持つ研磨用シート。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属不純物の存在
が嫌われる半導体材料の研磨、更に詳しくは半導体ウエ
ハー、半導体絶縁膜などの平坦処理に使用する化学的・
機械的研磨（ＣＭＰ）用シートに関するものである。
が嫌われる半導体材料の研磨、更に詳しくは半導体ウエ
ハー、半導体絶縁膜などの平坦処理に使用する化学的・
機械的研磨（ＣＭＰ）用シートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、研磨シートの研磨層は、発泡ポリ
ウレタン、もしくは不織布等にポリウレタンなどの樹脂
溶液等を含浸・凝固・乾燥することで孔を発生させてい
た。
ウレタン、もしくは不織布等にポリウレタンなどの樹脂
溶液等を含浸・凝固・乾燥することで孔を発生させてい
た。
【０００３】また近年ポリプロピレンやポリエチレンに
よって代表されるポリオレフィンを研磨シートなどに用
いる試みが提案されている。例えば、 １）ポリオレフィンを研磨剤保持用の多孔質フイルムと
して用いるものとして、特開平９−１２７３６号公報に
は分子量５０万以上の超高分子量ポリエチレンを主体と
する粉体を焼結してなる高分子多孔質シートからなる研
磨パッドが記載され、特開平９−１３２６６６号公報に
はシリカなどの研磨材料と抽出剤とを含むポリオレフィ
ン系樹脂組成物をシート状に成形した後、該シート状成
形物から抽出剤を除くことによるＣＭＰ用多孔体の製造
方法が記載されており、また ２）ポリオレフインを研磨剤又は研磨層として用いるも
のとして、特開平１１−５４４６３号公報にはシリカ含
有研磨剤を主成分としポリオレフィン系微粒子材料を添
加してなる研磨剤が開示され、特開平１１−５８２２３
号公報には同様に分子量１００万〜９００万の超高分子
量ポリオレフィンパウダーを樹脂層に配合した研磨層が
開示され、特開平１１−５８２２４号公報には超高分子
量ポリエチレンのシートを表面に接着又は溶着した研磨
治具が開示されている。
よって代表されるポリオレフィンを研磨シートなどに用
いる試みが提案されている。例えば、 １）ポリオレフィンを研磨剤保持用の多孔質フイルムと
して用いるものとして、特開平９−１２７３６号公報に
は分子量５０万以上の超高分子量ポリエチレンを主体と
する粉体を焼結してなる高分子多孔質シートからなる研
磨パッドが記載され、特開平９−１３２６６６号公報に
はシリカなどの研磨材料と抽出剤とを含むポリオレフィ
ン系樹脂組成物をシート状に成形した後、該シート状成
形物から抽出剤を除くことによるＣＭＰ用多孔体の製造
方法が記載されており、また ２）ポリオレフインを研磨剤又は研磨層として用いるも
のとして、特開平１１−５４４６３号公報にはシリカ含
有研磨剤を主成分としポリオレフィン系微粒子材料を添
加してなる研磨剤が開示され、特開平１１−５８２２３
号公報には同様に分子量１００万〜９００万の超高分子
量ポリオレフィンパウダーを樹脂層に配合した研磨層が
開示され、特開平１１−５８２２４号公報には超高分子
量ポリエチレンのシートを表面に接着又は溶着した研磨
治具が開示されている。
【０００４】しかし上記１）に開示された方法ではポリ
オレフイン支持体に対する研磨剤の保持量が充分ではな
く改善が必要である。
オレフイン支持体に対する研磨剤の保持量が充分ではな
く改善が必要である。
【０００５】また、従来の方法では、樹脂中に添加され
てている金属イオンが研磨層から溶出し、半導体の電気
特性を低下させるなどの問題があった。さらに、研磨シ
ート表内層における孔径およびその分布が均一でなく、
そのため、シート表面での研磨粒子の捕捉性が不均一と
なり、また、研磨径時により、研磨精度が不均一となる
などの問題があった。
てている金属イオンが研磨層から溶出し、半導体の電気
特性を低下させるなどの問題があった。さらに、研磨シ
ート表内層における孔径およびその分布が均一でなく、
そのため、シート表面での研磨粒子の捕捉性が不均一と
なり、また、研磨径時により、研磨精度が不均一となる
などの問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の研磨用シートの問題点を解消し、研磨剤の充分な保持
を可能とし、半導体ウエハや半導体絶縁膜の化学的・機
械的研磨において金属不純物が溶出することなく、また
研磨経時に左右されない、均一研磨可能な研磨用シート
を提供することを課題とする。
の研磨用シートの問題点を解消し、研磨剤の充分な保持
を可能とし、半導体ウエハや半導体絶縁膜の化学的・機
械的研磨において金属不純物が溶出することなく、また
研磨経時に左右されない、均一研磨可能な研磨用シート
を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、
（１）多数の均一な微細孔を表面及び内部に有し、金属
不純物の濃度が１００ppm以下である高分子量ポリエチ
レン系樹脂多孔質フィルムを研磨層に持ち、当該多孔質
フィルムを形成する高分子量ポリエチレン系樹脂は、分
子量４×１０5以上のポリエチレンを少なくとも５０重
量％含む樹脂からなり、当該多孔質フィルムは細孔のサ
イズが基本的に０．０１μｍ〜１０μｍの範囲内にあ
り、空隙率が５０％〜９０％であり、引張り強度が少な
くとも一方向に対して１０ＭＰａ以上である、超高分子
量ポリエチレン多孔質フィルムである、研磨用シート、
中でも（２）該研磨用シートの全体の厚みが０．１ｍｍ
〜１０ｍｍであり、研磨層の厚みが０．１ｍｍ〜５ｍｍ
である上記（１）項の研磨用シート、更には（３）該超
高分子量ポリエチレン多孔質膜が、その孔径分布が、平
均流量孔径のプラス５％〜マイナス５％の範囲内に８０
％以上が含まれる、上記研磨用シートであり、また一般
的には（４）多数の均一な微細孔を表面及び内部に有
し、金属不純物の濃度が１００ppm以下である高分子量
ポリエチレンフィルムを研磨層に持つ研磨用シート、で
ある。
（１）多数の均一な微細孔を表面及び内部に有し、金属
不純物の濃度が１００ppm以下である高分子量ポリエチ
レン系樹脂多孔質フィルムを研磨層に持ち、当該多孔質
フィルムを形成する高分子量ポリエチレン系樹脂は、分
子量４×１０5以上のポリエチレンを少なくとも５０重
量％含む樹脂からなり、当該多孔質フィルムは細孔のサ
イズが基本的に０．０１μｍ〜１０μｍの範囲内にあ
り、空隙率が５０％〜９０％であり、引張り強度が少な
くとも一方向に対して１０ＭＰａ以上である、超高分子
量ポリエチレン多孔質フィルムである、研磨用シート、
中でも（２）該研磨用シートの全体の厚みが０．１ｍｍ
〜１０ｍｍであり、研磨層の厚みが０．１ｍｍ〜５ｍｍ
である上記（１）項の研磨用シート、更には（３）該超
高分子量ポリエチレン多孔質膜が、その孔径分布が、平
均流量孔径のプラス５％〜マイナス５％の範囲内に８０
％以上が含まれる、上記研磨用シートであり、また一般
的には（４）多数の均一な微細孔を表面及び内部に有
し、金属不純物の濃度が１００ppm以下である高分子量
ポリエチレンフィルムを研磨層に持つ研磨用シート、で
ある。
【０００８】本発明の高分子量ポリエチレン系樹脂は、
分子量４×１０5以上のポリエチレンを少なくとも５０
重量％含む樹脂であるが、好ましくは高分子量ポリエチ
レンからなるものである。分子量は好ましくは５×１０
5〜７×１０6である。
分子量４×１０5以上のポリエチレンを少なくとも５０
重量％含む樹脂であるが、好ましくは高分子量ポリエチ
レンからなるものである。分子量は好ましくは５×１０
5〜７×１０6である。
【０００９】高分子量ポリエチレン系樹脂多孔質フィル
ムの多孔度は、細孔径が０．０１μｍ〜１０μｍ、好ま
しくは０．１μｍ〜１μｍであり、空隙率は５０％〜９
０％、好ましくは７５％〜９０％である。研磨層の孔径
が小さすぎると研磨粒子がシート表層部分に局在し、そ
のため被研磨物にキズが発生しやすくなる。逆に孔径が
大きすぎると研磨粒子がシートの内部に入り込み、研磨
精度が経時変化し、つまり、研磨層の表層・低層で均一
とならない。
ムの多孔度は、細孔径が０．０１μｍ〜１０μｍ、好ま
しくは０．１μｍ〜１μｍであり、空隙率は５０％〜９
０％、好ましくは７５％〜９０％である。研磨層の孔径
が小さすぎると研磨粒子がシート表層部分に局在し、そ
のため被研磨物にキズが発生しやすくなる。逆に孔径が
大きすぎると研磨粒子がシートの内部に入り込み、研磨
精度が経時変化し、つまり、研磨層の表層・低層で均一
とならない。
【００１０】上記細孔径は平均流量孔径として測定する
ことが出来、米国POROUS MATERIALSINC社のPerm-Porome
terで測定することが出来る。本発明においては、測定
に使用した液体の表面張力は１６dynes／cmである。測
定の結果、本発明の好ましい態様では、孔径の分布は平
均流量孔径のプラス５％〜マイナス５％の範囲内に８０
％以上、特に好ましくは８８％が存在した。空隙率は、
出発原料の密度（ρ0）と成形後のフィルム密度（ρ）
とから、下記の式に基づいて算出する。 空隙率（％）＝（１−（ρ／ρ0））×１００（成形後
のフィルム密度はピクノメーター法により求めることが
できる）。
ことが出来、米国POROUS MATERIALSINC社のPerm-Porome
terで測定することが出来る。本発明においては、測定
に使用した液体の表面張力は１６dynes／cmである。測
定の結果、本発明の好ましい態様では、孔径の分布は平
均流量孔径のプラス５％〜マイナス５％の範囲内に８０
％以上、特に好ましくは８８％が存在した。空隙率は、
出発原料の密度（ρ0）と成形後のフィルム密度（ρ）
とから、下記の式に基づいて算出する。 空隙率（％）＝（１−（ρ／ρ0））×１００（成形後
のフィルム密度はピクノメーター法により求めることが
できる）。
【００１１】高分子量ポリエチレン系樹脂多孔質フィル
ムは、引張り強度が少なくとも一方向に対して１０ＭＰ
ａ以上である。引張り強度はＡＳＴＭ Ｄ ８８２に従い
測定した。
ムは、引張り強度が少なくとも一方向に対して１０ＭＰ
ａ以上である。引張り強度はＡＳＴＭ Ｄ ８８２に従い
測定した。
【００１２】シート全体の厚みは０．１ｍｍ〜１０ｍ
ｍ、好ましくは０．５ｍｍ〜５ｍｍであり、研磨層の厚
みは０．１ｍｍ〜５ｍｍ、好ましくは０．５ｍｍ〜１．
５ｍｍである。
ｍ、好ましくは０．５ｍｍ〜５ｍｍであり、研磨層の厚
みは０．１ｍｍ〜５ｍｍ、好ましくは０．５ｍｍ〜１．
５ｍｍである。
【００１３】本発明の高分子量ポリエチレン系樹脂多孔
質フィルムは金属不純物の濃度が１００ppm以下であ
る。種々の高分子量ポリエチレン系樹脂多孔質フィルム
の中からこの条件に該当するフィルムを選定することに
より、例えば金属含有濃度（日本ジャーレル・アッシュ
社ＩＲＩＳ−ＡＰで測定、検出限界５ppm）は、Ｃｕが
５ppm以下、Ｆｅが５ppm、Ｍｇが５ppm以下、Ａｌが３
５ppm、Ｃａが３５ppmのフィルムを得ることが出来、他
フィルムに比較し極めて低濃度のものを得ることが出来
る。
質フィルムは金属不純物の濃度が１００ppm以下であ
る。種々の高分子量ポリエチレン系樹脂多孔質フィルム
の中からこの条件に該当するフィルムを選定することに
より、例えば金属含有濃度（日本ジャーレル・アッシュ
社ＩＲＩＳ−ＡＰで測定、検出限界５ppm）は、Ｃｕが
５ppm以下、Ｆｅが５ppm、Ｍｇが５ppm以下、Ａｌが３
５ppm、Ｃａが３５ppmのフィルムを得ることが出来、他
フィルムに比較し極めて低濃度のものを得ることが出来
る。
【００１４】研磨層に使用する高分子量ポリエチレンフ
ィルムは、厚さが２０μｍ〜１０００μｍで調整可能で
あるが、所望の厚みを得るため、該フィルムを２枚以上
積層し、熱圧処理、超音波溶着、ポリエチレン粉末によ
る熱圧着などの、金属汚染が起こらない方法で、肉厚化
を図ることができる。
ィルムは、厚さが２０μｍ〜１０００μｍで調整可能で
あるが、所望の厚みを得るため、該フィルムを２枚以上
積層し、熱圧処理、超音波溶着、ポリエチレン粉末によ
る熱圧着などの、金属汚染が起こらない方法で、肉厚化
を図ることができる。
【００１５】研磨シートの肉厚化を図る場合は、研磨層
以外に裏打ち材を用いることが出来、その素材として、
ポリオレフィンの不織布やフィルム、ポリエステルの不
織布やフィルム、など、を用いることができるが、なか
でもポリエチレン不織布やフィルムなど、金属不純物の
少ない素材が好ましい。また、シート全体の肉厚化のた
めの方法として、金属フリーの接着剤、両面接着テープ
を用いてもよいが、金属汚染を防ぐため、例えば、熱圧
処理、オレフィン粉末による熱接着、超音波溶着で、積
層をおこなうことがより望ましい。
以外に裏打ち材を用いることが出来、その素材として、
ポリオレフィンの不織布やフィルム、ポリエステルの不
織布やフィルム、など、を用いることができるが、なか
でもポリエチレン不織布やフィルムなど、金属不純物の
少ない素材が好ましい。また、シート全体の肉厚化のた
めの方法として、金属フリーの接着剤、両面接着テープ
を用いてもよいが、金属汚染を防ぐため、例えば、熱圧
処理、オレフィン粉末による熱接着、超音波溶着で、積
層をおこなうことがより望ましい。
【００１６】このような高分子量ポリエチレン多孔質フ
ィルムを製造するには、例えば、分子量４×１０5のポ
リエチレンをデカリンの溶媒に溶解した溶液（濃度２〜
３０重量％）を、スリット状ダイから押し出して、ゲル
フィルムを形成し、次いでゲルフィルム中の溶媒を蒸発
させた後、縦７倍横８倍に延伸する方法などが用いられ
る。
ィルムを製造するには、例えば、分子量４×１０5のポ
リエチレンをデカリンの溶媒に溶解した溶液（濃度２〜
３０重量％）を、スリット状ダイから押し出して、ゲル
フィルムを形成し、次いでゲルフィルム中の溶媒を蒸発
させた後、縦７倍横８倍に延伸する方法などが用いられ
る。
【００１７】このような高分子量ポリエチレンからなる
多孔質フィルム及びその製造方法については、一般的に
は例えば、特開平２−２３２２４号公報、特開平５−９
８０６５号公報、特開平５−２３９２４６号公報などに
記載されており、公知であり、帝人デイーエスエム・ソ
ルテック社からＳｏｌｕｐｏｒの商品名で販売されてい
る。本発明で用いるフィルムは、このような方法で製造
されたフィルムの中から上記条件に該当するフィルムを
選定して用いる。
多孔質フィルム及びその製造方法については、一般的に
は例えば、特開平２−２３２２４号公報、特開平５−９
８０６５号公報、特開平５−２３９２４６号公報などに
記載されており、公知であり、帝人デイーエスエム・ソ
ルテック社からＳｏｌｕｐｏｒの商品名で販売されてい
る。本発明で用いるフィルムは、このような方法で製造
されたフィルムの中から上記条件に該当するフィルムを
選定して用いる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハーの研磨
をおこなう場合において、金属不純物の溶出問題がない
ため、半導体の電気特性の低下を招くおそれのない、ま
たＣＭＰスラリー中の研磨粒子をシート内部に均一に捕
捉するため、経時によらない、良好な研磨性を有する研
磨用シートを提供することができる。
をおこなう場合において、金属不純物の溶出問題がない
ため、半導体の電気特性の低下を招くおそれのない、ま
たＣＭＰスラリー中の研磨粒子をシート内部に均一に捕
捉するため、経時によらない、良好な研磨性を有する研
磨用シートを提供することができる。
【００１９】
【実施例】［実施例１］金属含量９０ｐｐｍ以下であ
り、厚み４０μｍ、平均孔径０．５μｍ（±５％以内に
９３％）、空隙率９０％の高分子量ポリエチレンフィル
ム、Ｓｏｌｕｐｏｒ（帝人テ゛イーエスエム・ソルテック社）を
２０枚積層し、１２０℃×２０kg/cm2で熱圧処理をおこ
ない、厚さ６５０μｍ、空隙率７３％の研磨用シートを
得た。得られたシートの平均孔径は０．３５μm（±５
％以内に８８％）であり（米国POROUS MATERIALS,INC.
製パームポロメーターで測定）、平均粒径２０ｎｍのシ
リカ粒子、ＡＥＲＲＯＳＩＬ９０Ｇ（日本エアロジル
社）のＣＭＰスラリー粒子の補足は良好であった。
り、厚み４０μｍ、平均孔径０．５μｍ（±５％以内に
９３％）、空隙率９０％の高分子量ポリエチレンフィル
ム、Ｓｏｌｕｐｏｒ（帝人テ゛イーエスエム・ソルテック社）を
２０枚積層し、１２０℃×２０kg/cm2で熱圧処理をおこ
ない、厚さ６５０μｍ、空隙率７３％の研磨用シートを
得た。得られたシートの平均孔径は０．３５μm（±５
％以内に８８％）であり（米国POROUS MATERIALS,INC.
製パームポロメーターで測定）、平均粒径２０ｎｍのシ
リカ粒子、ＡＥＲＲＯＳＩＬ９０Ｇ（日本エアロジル
社）のＣＭＰスラリー粒子の補足は良好であった。
【００２０】得られた当該研磨用シートと、上記ＣＭＰ
スラリーとで半導体ウエハを研磨したところ、研磨経時
にかかわらず、研磨は良好であり、研磨後のシリコンウ
エハ表面の不純物金属濃度の測定（（株）テクノス社、
全反射ウエハ表面分析装置ＴＲＥＸ６１０）をおこなた
ところ、金属不純物濃度は１×１０11〜１０14atoms/cm
2レベルと良好であった。
スラリーとで半導体ウエハを研磨したところ、研磨経時
にかかわらず、研磨は良好であり、研磨後のシリコンウ
エハ表面の不純物金属濃度の測定（（株）テクノス社、
全反射ウエハ表面分析装置ＴＲＥＸ６１０）をおこなた
ところ、金属不純物濃度は１×１０11〜１０14atoms/cm
2レベルと良好であった。
【００２１】［実施例２］金属含量９０ｐｐｍ以下であ
り、厚み４０μm、平均孔径０．８μｍ（±５％以内に
９０％）、空隙率８５％の高分子量ポリエチレンフィル
ム、Ｓｏｌｕｐｏｒ（帝人テ゛イーエスエム・ソルテック社）１
０枚と、厚み５００μｍのポリオレフィンスパンボンド
不織布（三井化学社）２枚とを積層し、１２０℃×３０
kg/m2で熱圧処理をおこない、厚み１．２ミリ、孔径
０．５５μｍ（±５％以内に８２％）、空隙率６６％の
研磨用シートを得た。
り、厚み４０μm、平均孔径０．８μｍ（±５％以内に
９０％）、空隙率８５％の高分子量ポリエチレンフィル
ム、Ｓｏｌｕｐｏｒ（帝人テ゛イーエスエム・ソルテック社）１
０枚と、厚み５００μｍのポリオレフィンスパンボンド
不織布（三井化学社）２枚とを積層し、１２０℃×３０
kg/m2で熱圧処理をおこない、厚み１．２ミリ、孔径
０．５５μｍ（±５％以内に８２％）、空隙率６６％の
研磨用シートを得た。
【００２２】得られた当該研磨用シートと、平均粒径２
０ｎｍｍであるシリカ粒子、ＡＥＲＯＳＩＬ９０（日本
エアロジル社）のＣＭＰスラリーとで半導体ウエハを研
磨したところ、研磨経時にかかわらず、研磨は良好であ
り、研磨後のシリコンウエハ表面の不純物金属濃度の測
定（（株）テクノス社、全反射ウエハ表面分析装置ＴＲ
ＥＸ６１０）をおこなったところ、金属不純物濃度は１
×１０11〜１０14atoms/cm2レベルと良好であった。
０ｎｍｍであるシリカ粒子、ＡＥＲＯＳＩＬ９０（日本
エアロジル社）のＣＭＰスラリーとで半導体ウエハを研
磨したところ、研磨経時にかかわらず、研磨は良好であ
り、研磨後のシリコンウエハ表面の不純物金属濃度の測
定（（株）テクノス社、全反射ウエハ表面分析装置ＴＲ
ＥＸ６１０）をおこなったところ、金属不純物濃度は１
×１０11〜１０14atoms/cm2レベルと良好であった。
【００２３】［実施例３］金属含量９０ｐｐｍ以下であ
り、厚み４０μm、孔径０．３μｍ（±５％以内に９５
％）の高分子量ポリエチレンフィルムを２０枚積層し、
その周囲を超音波溶着により接着をおこない、厚さ７８
０μmの研磨シートを得た。得られたシートの孔径は
０．３μｍ（±５％以内に９２％）であり、平均粒径２
０ｎｍのシリカＣＭＰスラリー、ＡＥＲＲＯＳＩＬ９０
（日本エアロジル社）の粒子の補足は良好であった。
り、厚み４０μm、孔径０．３μｍ（±５％以内に９５
％）の高分子量ポリエチレンフィルムを２０枚積層し、
その周囲を超音波溶着により接着をおこない、厚さ７８
０μmの研磨シートを得た。得られたシートの孔径は
０．３μｍ（±５％以内に９２％）であり、平均粒径２
０ｎｍのシリカＣＭＰスラリー、ＡＥＲＲＯＳＩＬ９０
（日本エアロジル社）の粒子の補足は良好であった。
【００２４】得られた当該シートと、上記ＣＭＰスラリ
ーとで半導体ウエハを研磨したところ、研磨経時にかか
わらず、研磨は良好であり、研磨後のシリコンウエハ表
面の不純物金属濃度の測定（（株）テクノス社、全反射
ウエハ表面分析装置ＴＲＥＸ６１０）をおこなたとこ
ろ、金属不純物濃度は１×１０11〜１０14atoms/cm2レ
ベルと良好であった。
ーとで半導体ウエハを研磨したところ、研磨経時にかか
わらず、研磨は良好であり、研磨後のシリコンウエハ表
面の不純物金属濃度の測定（（株）テクノス社、全反射
ウエハ表面分析装置ＴＲＥＸ６１０）をおこなたとこ
ろ、金属不純物濃度は１×１０11〜１０14atoms/cm2レ
ベルと良好であった。
【００２５】［実施例４］厚み１０００μmのポリエス
テルシート（テトロン（帝人登録商標）製）と、実施例
３で得られたシートとを両面接着テープ（３Ｍ社）で貼
り合せた。得られたシートの厚みは１．８ｍｍであり、
平均粒径２０ｎｍのシルカＣＭＰスラリー（日本エアロ
ジル社品）の補足は良好であった。
テルシート（テトロン（帝人登録商標）製）と、実施例
３で得られたシートとを両面接着テープ（３Ｍ社）で貼
り合せた。得られたシートの厚みは１．８ｍｍであり、
平均粒径２０ｎｍのシルカＣＭＰスラリー（日本エアロ
ジル社品）の補足は良好であった。
【００２６】得られた当該シートと、このＣＭＰスラリ
ーとで半導体ウエハを研磨したところ、研磨経時にかか
わらず、研磨は良好であり、研磨後のシリコンウエハ表
面の不純物金属濃度の測定（（株）テクノス社、全反射
ウエハ表面分析装置ＴＲＥＸ６１０）をおこなたところ
金属不純物濃度は１×１０11〜１０14atoms/cm2レベル
と良好であった。
ーとで半導体ウエハを研磨したところ、研磨経時にかか
わらず、研磨は良好であり、研磨後のシリコンウエハ表
面の不純物金属濃度の測定（（株）テクノス社、全反射
ウエハ表面分析装置ＴＲＥＸ６１０）をおこなたところ
金属不純物濃度は１×１０11〜１０14atoms/cm2レベル
と良好であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 剛 東京都千代田区内幸町２丁目１番１号 帝 人株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AC04 CB01 DA02 DA17
Claims (4)
- 【請求項１】 多数の均一な微細孔を表面及び内部に有
し、金属不純物の濃度が１００ppm以下である高分子量
ポリエチレン系樹脂多孔質フィルムを研磨層に持ち、当
該多孔質フィルムを形成する高分子量ポリエチレン系樹
脂は、分子量４×１０5以上のポリエチレンを少なくと
も５０重量％含む樹脂からなり、当該多孔質フィルムは
細孔のサイズが基本的に０．０１μｍ〜１０μｍの範囲
内にあり、空隙率が５０％〜９０％であり、引張り強度
が少なくとも一方向に対して１０ＭＰａ以上である、超
高分子量ポリエチレン多孔質フィルムである、研磨用シ
ート。 - 【請求項２】 該研磨用シートの全体の厚みが０．１ｍ
ｍ〜１０ｍｍであり、研磨層の厚みが０．１ｍｍ〜５ｍ
ｍである請求項１記載の研磨用シート。 - 【請求項３】該超高分子量ポリエチレン多孔質膜は、そ
の孔径分布は、平均流量孔径のプラス５％〜マイナス５
％の範囲内に８０％以上が含まれる、請求項１又は２記
載の研磨用シート。 - 【請求項４】 多数の均一な微細孔を表面及び内部に有
し、金属不純物の濃度が１００ppm以下である高分子量
ポリエチレンフィルムを研磨層に持つ研磨用シート。
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|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15353699A JP2000343411A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 研磨用シート |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP2000343411A (ja) |
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- 1999-06-01 JP JP15353699A patent/JP2000343411A/ja active Pending
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