JP2000347049A - 光源モジュールおよび光源ユニット - Google Patents
光源モジュールおよび光源ユニットInfo
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定して高レベルの光を出力することができ
る小型で製造容易な光源モジュール等を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ光源11の反射面11aと
チャープトグレーティング226とから構成される光共
振器により、光合波回路215により波長選択された波
長λ1のレーザ光が発振出力される。同様に、半導体レ
ーザ光源12の反射面12aとチャープトグレーティン
グ226とから構成される光共振器により波長λ2のレ
ーザ光が発振出力される。半導体レーザ光源13の反射
面13aとチャープトグレーティング226とから構成
される光共振器により波長λ3のレーザ光が発振出力さ
れる。半導体レーザ光源14の反射面14aとチャープ
トグレーティング226とから構成される光共振器によ
り波長λ4のレーザ光が発振出力される。波長λ1〜λ4
の光は合波されて出力端206から出力される。
る小型で製造容易な光源モジュール等を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ光源11の反射面11aと
チャープトグレーティング226とから構成される光共
振器により、光合波回路215により波長選択された波
長λ1のレーザ光が発振出力される。同様に、半導体レ
ーザ光源12の反射面12aとチャープトグレーティン
グ226とから構成される光共振器により波長λ2のレ
ーザ光が発振出力される。半導体レーザ光源13の反射
面13aとチャープトグレーティング226とから構成
される光共振器により波長λ3のレーザ光が発振出力さ
れる。半導体レーザ光源14の反射面14aとチャープ
トグレーティング226とから構成される光共振器によ
り波長λ4のレーザ光が発振出力される。波長λ1〜λ4
の光は合波されて出力端206から出力される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ増幅器
における励起光源として好適に用いられる光源モジュー
ルおよび光源ユニットに関するものである。
における励起光源として好適に用いられる光源モジュー
ルおよび光源ユニットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】多波長の信号光を多重化して光伝送する
波長多重(WDM: Wavelength Division Multiplexin
g)伝送では、信号光の光増幅を行う中継器の間隔の長
距離化と、多重化される信号光の波数(チャネル数)の
増加とが望まれている。このような観点から、信号光の
光増幅を行う光増幅器は高利得化と広帯域化とが要求さ
れている。そして、光増幅器の高利得化を図る為に、光
増幅器における励起光源の高出力化が検討されている。
波長多重(WDM: Wavelength Division Multiplexin
g)伝送では、信号光の光増幅を行う中継器の間隔の長
距離化と、多重化される信号光の波数(チャネル数)の
増加とが望まれている。このような観点から、信号光の
光増幅を行う光増幅器は高利得化と広帯域化とが要求さ
れている。そして、光増幅器の高利得化を図る為に、光
増幅器における励起光源の高出力化が検討されている。
【0003】例えば、文献「K. Tanaka, et al., "Low
loss integrated Mach-Zehnder-interferometer-type e
ight-wavelength multiplexer for 1480nm band pumpin
g",OFC'99, Technical Digest, TuH5 (1999)」には、光
ファイバ増幅器において、増幅用光ファイバ(希土類元
素(例えばEr元素)添加光ファイバ)に高レベルの励
起光を励起光源より供給することにより、その増幅用光
ファイバにおける信号光の光増幅の利得を高くする技術
が記載されている。この文献に記載されている励起光源
として用いられる光源モジュールは、複数組の半導体レ
ーザ光源および光ファイバグレーティング素子ならびに
光合波器を備えている。各組の半導体レーザ光源および
光ファイバグレーティング素子は、互いに発振中心波長
が僅かずつ異なる狭帯域の光共振器を構成している。光
合波器は、各光共振器から出力された各波長の光を合波
して、その合波された光を励起光として出力する。この
ようにすることにより、この光源モジュールからは高レ
ベルの励起光が出力される。なお、光増幅器の増幅用光
ファイバに供給される励起光は、それほどスペクトル特
性やスペクトル幅が重要ではない。例えば、増幅用光フ
ァイバがEr元素添加光ファイバである場合には、励起
光は波長1.45μm〜1.50μm程度の範囲で有効
である。
loss integrated Mach-Zehnder-interferometer-type e
ight-wavelength multiplexer for 1480nm band pumpin
g",OFC'99, Technical Digest, TuH5 (1999)」には、光
ファイバ増幅器において、増幅用光ファイバ(希土類元
素(例えばEr元素)添加光ファイバ)に高レベルの励
起光を励起光源より供給することにより、その増幅用光
ファイバにおける信号光の光増幅の利得を高くする技術
が記載されている。この文献に記載されている励起光源
として用いられる光源モジュールは、複数組の半導体レ
ーザ光源および光ファイバグレーティング素子ならびに
光合波器を備えている。各組の半導体レーザ光源および
光ファイバグレーティング素子は、互いに発振中心波長
が僅かずつ異なる狭帯域の光共振器を構成している。光
合波器は、各光共振器から出力された各波長の光を合波
して、その合波された光を励起光として出力する。この
ようにすることにより、この光源モジュールからは高レ
ベルの励起光が出力される。なお、光増幅器の増幅用光
ファイバに供給される励起光は、それほどスペクトル特
性やスペクトル幅が重要ではない。例えば、増幅用光フ
ァイバがEr元素添加光ファイバである場合には、励起
光は波長1.45μm〜1.50μm程度の範囲で有効
である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記文
献に記載された光源モジュールは、各半導体レーザ毎に
光ファイバグレーティング素子が接続されていることか
ら、部品点数が多く、全体のサイズが大きい。また、光
源モジュールにより高いレベルの光を出力させる為には
光ファイバグレーティング素子の反射特性と光合波器の
合波特性とを一致させることが重要であるが、これは実
際に製造する際には困難である。仮に光ファイバグレー
ティング素子の反射特性と光合波器の合波特性とを一致
させることができたとしても、これらの特性は温度依存
性を有しており、また、光ファイバグレーティング素子
および光合波器は互いに別個に構成されていることか
ら、周囲温度が変化すると、光ファイバグレーティング
素子の反射中心波長と光合波器の透過中心波長とが互い
に異なるものになり、その結果、この光源モジュールか
ら出力される光のパワーが小さくなる。特に、各光共振
器における発振中心波長のスペクトル幅が狭い場合に、
出力光のパワーの変動が大きい。光源モジュールから出
力される光のパワーを一定に維持するには、光ファイバ
グレーティング素子および光合波器それぞれに対して温
度制御または温度補償する手段が必要となるが、この温
度制御手段または温度補償手段をも含めると光源モジュ
ールのサイズは更に大きくなる。
献に記載された光源モジュールは、各半導体レーザ毎に
光ファイバグレーティング素子が接続されていることか
ら、部品点数が多く、全体のサイズが大きい。また、光
源モジュールにより高いレベルの光を出力させる為には
光ファイバグレーティング素子の反射特性と光合波器の
合波特性とを一致させることが重要であるが、これは実
際に製造する際には困難である。仮に光ファイバグレー
ティング素子の反射特性と光合波器の合波特性とを一致
させることができたとしても、これらの特性は温度依存
性を有しており、また、光ファイバグレーティング素子
および光合波器は互いに別個に構成されていることか
ら、周囲温度が変化すると、光ファイバグレーティング
素子の反射中心波長と光合波器の透過中心波長とが互い
に異なるものになり、その結果、この光源モジュールか
ら出力される光のパワーが小さくなる。特に、各光共振
器における発振中心波長のスペクトル幅が狭い場合に、
出力光のパワーの変動が大きい。光源モジュールから出
力される光のパワーを一定に維持するには、光ファイバ
グレーティング素子および光合波器それぞれに対して温
度制御または温度補償する手段が必要となるが、この温
度制御手段または温度補償手段をも含めると光源モジュ
ールのサイズは更に大きくなる。
【0005】本発明は、上記問題点を解消する為になさ
れたものであり、安定して高レベルの光を出力すること
ができる小型で製造容易な光源モジュール、および、こ
の光源モジュールより更に高いレベルの光を安定して出
力することができる光源ユニットを提供することを目的
とする。
れたものであり、安定して高レベルの光を出力すること
ができる小型で製造容易な光源モジュール、および、こ
の光源モジュールより更に高いレベルの光を安定して出
力することができる光源ユニットを提供することを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光源モジュ
ールは、(1) 複数の入力ポートそれぞれに入力した互い
に波長が異なる光を合波する光合波回路と、(2) 光合波
回路により合波される光の各波長を含む波長帯域におい
て、その合波された光の一部を反射させ、残部を出力ポ
ートへ透過させる反射手段と、(3) 反射面および出射面
を有し、該出射面と上記複数の入力ポートそれぞれとの
間で光を入出力し、該反射面と反射手段とが光共振器を
構成している複数の発光素子とを備えることを特徴とす
る。
ールは、(1) 複数の入力ポートそれぞれに入力した互い
に波長が異なる光を合波する光合波回路と、(2) 光合波
回路により合波される光の各波長を含む波長帯域におい
て、その合波された光の一部を反射させ、残部を出力ポ
ートへ透過させる反射手段と、(3) 反射面および出射面
を有し、該出射面と上記複数の入力ポートそれぞれとの
間で光を入出力し、該反射面と反射手段とが光共振器を
構成している複数の発光素子とを備えることを特徴とす
る。
【0007】特に、この光合波回路は、マッハツェンダ
干渉計型回路またはアレイ導波路回折格子型回路である
のが好適である。また、この反射手段は、光合波回路と
出力ポートとの間または出力ポートに設けられた反射部
材、または、光合波回路と出力ポートとの間に設けられ
たチャープトグレーティングであるのが好適である。ま
た、光合波回路と反射手段とが平面導波路上に集積化さ
れているのが小型化の点で更に好適である。
干渉計型回路またはアレイ導波路回折格子型回路である
のが好適である。また、この反射手段は、光合波回路と
出力ポートとの間または出力ポートに設けられた反射部
材、または、光合波回路と出力ポートとの間に設けられ
たチャープトグレーティングであるのが好適である。ま
た、光合波回路と反射手段とが平面導波路上に集積化さ
れているのが小型化の点で更に好適である。
【0008】この光源モジュールによれば、反射手段と
各発光素子(例えば半導体レーザ光源)の反射面とから
構成される各光共振器においてレーザ発振が起こり所定
波長の光が得られる。各光共振器により得られた各波長
の光は、光合波回路により合波され、その合波された光
は出力ポートから出力される。各光共振器における発振
中心波長は、光共振器内に設けられ波長選択機能を有す
る光合波回路の透過中心波長と一致するので、常に高レ
ベルの光出力が得られ、製造が容易である。また、反射
手段を1つのみ設ければよいので、部品点数が少なく、
小型化および低コスト化が可能である。光合波回路がマ
ッハツェンダ干渉計型回路またはアレイ導波路回折格子
型回路である場合には、この光合波回路は波長選択機能
を有するので好適である。また、マッハツェンダ干渉計
型回路は低損失である点で好適であり、アレイ導波路回
折格子型回路はより多くの波数の光を合波することがで
きる点で好適である。
各発光素子(例えば半導体レーザ光源)の反射面とから
構成される各光共振器においてレーザ発振が起こり所定
波長の光が得られる。各光共振器により得られた各波長
の光は、光合波回路により合波され、その合波された光
は出力ポートから出力される。各光共振器における発振
中心波長は、光共振器内に設けられ波長選択機能を有す
る光合波回路の透過中心波長と一致するので、常に高レ
ベルの光出力が得られ、製造が容易である。また、反射
手段を1つのみ設ければよいので、部品点数が少なく、
小型化および低コスト化が可能である。光合波回路がマ
ッハツェンダ干渉計型回路またはアレイ導波路回折格子
型回路である場合には、この光合波回路は波長選択機能
を有するので好適である。また、マッハツェンダ干渉計
型回路は低損失である点で好適であり、アレイ導波路回
折格子型回路はより多くの波数の光を合波することがで
きる点で好適である。
【0009】本発明に係る光源ユニットは、(1) 2式の
偏波保持型の上記の光源モジュールと、(2) 2式の光源
モジュールそれぞれの出力ポートから出力された光を入
力し、これらの光を偏波合成して出力する偏波合成器と
を備えることを特徴とする。この光源ユニットによれ
ば、2式の光源モジュールそれぞれの出力ポートから出
力された光は、多波長の光が合波されたものであって一
定方位に偏波しており、その偏波状態が維持されたまま
偏波合成器に入力し、そして、偏波合成器により偏波合
成されて出力される。この光源ユニットは、単一の光源
モジュールが出力する光のパワーより更に高いパワーの
光を出力することができる。
偏波保持型の上記の光源モジュールと、(2) 2式の光源
モジュールそれぞれの出力ポートから出力された光を入
力し、これらの光を偏波合成して出力する偏波合成器と
を備えることを特徴とする。この光源ユニットによれ
ば、2式の光源モジュールそれぞれの出力ポートから出
力された光は、多波長の光が合波されたものであって一
定方位に偏波しており、その偏波状態が維持されたまま
偏波合成器に入力し、そして、偏波合成器により偏波合
成されて出力される。この光源ユニットは、単一の光源
モジュールが出力する光のパワーより更に高いパワーの
光を出力することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明にお
いて同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を
省略する。
の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明にお
いて同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を
省略する。
【0011】(第1の実施形態)先ず、本発明に係る光
源モジュールの第1の実施形態について説明する。図1
は、第1の実施形態に係る光源モジュールの構成図であ
る。本実施形態に係る光源モジュール1は、4つの半導
体レーザ光源11〜14と、4入力1出力の光合波回路
215と、チャープトグレーティング素子226とを備
えて構成される。
源モジュールの第1の実施形態について説明する。図1
は、第1の実施形態に係る光源モジュールの構成図であ
る。本実施形態に係る光源モジュール1は、4つの半導
体レーザ光源11〜14と、4入力1出力の光合波回路
215と、チャープトグレーティング素子226とを備
えて構成される。
【0012】半導体レーザ光源11は、反射面11aお
よび出射面11bを有しており、出射面11bを介して
光の入出力が可能である。半導体レーザ光源12は、反
射面12aおよび出射面12bを有しており、出射面1
2bを介して光の入出力が可能である。半導体レーザ光
源13は、反射面13aおよび出射面13bを有してお
り、出射面13bを介して光の入出力が可能である。ま
た、半導体レーザ光源14は、反射面14aおよび出射
面14bを有しており、出射面14bを介して光の入出
力が可能である。なお、これら半導体レーザ光源11〜
14は、同じ波長帯域で発光するものであってもよい。
よび出射面11bを有しており、出射面11bを介して
光の入出力が可能である。半導体レーザ光源12は、反
射面12aおよび出射面12bを有しており、出射面1
2bを介して光の入出力が可能である。半導体レーザ光
源13は、反射面13aおよび出射面13bを有してお
り、出射面13bを介して光の入出力が可能である。ま
た、半導体レーザ光源14は、反射面14aおよび出射
面14bを有しており、出射面14bを介して光の入出
力が可能である。なお、これら半導体レーザ光源11〜
14は、同じ波長帯域で発光するものであってもよい。
【0013】入力ポート201〜204と出力ポート2
06との間に、光合波回路215およびチャープトグレ
ーティング素子226が備えられている。入力ポート2
01は、半導体レーザ光源11の出射面11bと光ファ
イバを介して接続されている。同様に、入力ポート20
2は、半導体レーザ光源12の出射面12bと光ファイ
バを介して接続されている。入力ポート203は、半導
体レーザ光源13の出射面13bと光ファイバを介して
接続されている。また、入力ポート204は、半導体レ
ーザ光源14の出射面14bと光ファイバを介して接続
されている。
06との間に、光合波回路215およびチャープトグレ
ーティング素子226が備えられている。入力ポート2
01は、半導体レーザ光源11の出射面11bと光ファ
イバを介して接続されている。同様に、入力ポート20
2は、半導体レーザ光源12の出射面12bと光ファイ
バを介して接続されている。入力ポート203は、半導
体レーザ光源13の出射面13bと光ファイバを介して
接続されている。また、入力ポート204は、半導体レ
ーザ光源14の出射面14bと光ファイバを介して接続
されている。
【0014】光合波回路215は、マッハツェンダ干渉
計型のファイバカプラ2151〜2153を含んで構成さ
れる。ファイバカプラ2151は、入力ポート201に
入力した波長λ1の光と、入力ポート202に入力した
波長λ2の光とを合波して、ファイバカプラ2153へ出
力する。ファイバカプラ2152は、入力ポート203
に入力した波長λ3の光と、入力ポート204に入力し
た波長λ4の光とを合波して、ファイバカプラ2153へ
出力する。また、ファイバカプラ2153は、ファイバ
カプラ2151から到達した波長λ1およびλ2の光と、
ファイバカプラ2152から到達した波長λ3およびλ4
の光とを合波して、出力ポート256へ出力する。すな
わち、この光合波回路215は、入力ポート201〜2
04に入力した波長λ1〜λ4の光を合波して、その合波
した光を出力ポート256に出力する。
計型のファイバカプラ2151〜2153を含んで構成さ
れる。ファイバカプラ2151は、入力ポート201に
入力した波長λ1の光と、入力ポート202に入力した
波長λ2の光とを合波して、ファイバカプラ2153へ出
力する。ファイバカプラ2152は、入力ポート203
に入力した波長λ3の光と、入力ポート204に入力し
た波長λ4の光とを合波して、ファイバカプラ2153へ
出力する。また、ファイバカプラ2153は、ファイバ
カプラ2151から到達した波長λ1およびλ2の光と、
ファイバカプラ2152から到達した波長λ3およびλ4
の光とを合波して、出力ポート256へ出力する。すな
わち、この光合波回路215は、入力ポート201〜2
04に入力した波長λ1〜λ4の光を合波して、その合波
した光を出力ポート256に出力する。
【0015】また、この光合波回路215は、出力ポー
ト256に光が入力すると、その光を分波して、波長λ
1の光を入力ポート201に出力し、波長λ2の光を入力
ポート202に出力し、波長λ3の光を入力ポート20
3に出力し、波長λ4の光を入力ポート204に出力す
る。このように互いに異なる波長λ1〜λ4の光を合分波
する光合波回路215は、合分波に伴う損失を小さくす
ることができる。
ト256に光が入力すると、その光を分波して、波長λ
1の光を入力ポート201に出力し、波長λ2の光を入力
ポート202に出力し、波長λ3の光を入力ポート20
3に出力し、波長λ4の光を入力ポート204に出力す
る。このように互いに異なる波長λ1〜λ4の光を合分波
する光合波回路215は、合分波に伴う損失を小さくす
ることができる。
【0016】チャープトグレーティング素子226は、
例えば位相格子マスクを介して光ファイバに紫外光を照
射することにより屈折率変調が誘起されて形成されたも
のであり、その屈折率変調の格子間隔が連続的に変化し
ており、その屈折率変調の格子間隔に応じた波長の光の
一部(例えば5%〜20%)を反射させる。チャープト
グレーティング226の反射波長帯域は、光合波回路2
15により合分波可能な波長を含む。したがって、チャ
ープトグレーティング226は、光合波回路215の出
力ポート256から出力された光のうちの一部を反射さ
せ、残部を出力ポート206へ向けて透過させる。
例えば位相格子マスクを介して光ファイバに紫外光を照
射することにより屈折率変調が誘起されて形成されたも
のであり、その屈折率変調の格子間隔が連続的に変化し
ており、その屈折率変調の格子間隔に応じた波長の光の
一部(例えば5%〜20%)を反射させる。チャープト
グレーティング226の反射波長帯域は、光合波回路2
15により合分波可能な波長を含む。したがって、チャ
ープトグレーティング226は、光合波回路215の出
力ポート256から出力された光のうちの一部を反射さ
せ、残部を出力ポート206へ向けて透過させる。
【0017】本実施形態に係る光源モジュール1は、以
下のように動作する。半導体レーザ光源11の反射面1
1aとチャープトグレーティング226とは、両者間に
波長選択機能を有する光合波回路215を挟んで光共振
器を構成しており、この光共振器により波長λ1のレー
ザ光を発振する。半導体レーザ光源12の反射面12a
とチャープトグレーティング226とは、両者間に波長
選択機能を有する光合波回路215を挟んで光共振器を
構成しており、この光共振器により波長λ2のレーザ光
を発振する。半導体レーザ光源13の反射面13aとチ
ャープトグレーティング226とは、両者間に波長選択
機能を有する光合波回路215を挟んで光共振器を構成
しており、この光共振器により波長λ3のレーザ光を発
振する。また、半導体レーザ光源14の反射面14aと
チャープトグレーティング226とは、両者間に波長選
択機能を有する光合波回路215を挟んで光共振器を構
成しており、この光共振器により波長λ4のレーザ光を
発振する。そして、チャープトグレーティング226が
各光共振器に共通のものであるので、チャープトグレー
ティング226から出力ポート206へ向けて出力され
る光は、波長λ1〜λ4の光が合波されたものである。
下のように動作する。半導体レーザ光源11の反射面1
1aとチャープトグレーティング226とは、両者間に
波長選択機能を有する光合波回路215を挟んで光共振
器を構成しており、この光共振器により波長λ1のレー
ザ光を発振する。半導体レーザ光源12の反射面12a
とチャープトグレーティング226とは、両者間に波長
選択機能を有する光合波回路215を挟んで光共振器を
構成しており、この光共振器により波長λ2のレーザ光
を発振する。半導体レーザ光源13の反射面13aとチ
ャープトグレーティング226とは、両者間に波長選択
機能を有する光合波回路215を挟んで光共振器を構成
しており、この光共振器により波長λ3のレーザ光を発
振する。また、半導体レーザ光源14の反射面14aと
チャープトグレーティング226とは、両者間に波長選
択機能を有する光合波回路215を挟んで光共振器を構
成しており、この光共振器により波長λ4のレーザ光を
発振する。そして、チャープトグレーティング226が
各光共振器に共通のものであるので、チャープトグレー
ティング226から出力ポート206へ向けて出力され
る光は、波長λ1〜λ4の光が合波されたものである。
【0018】本実施形態に係る光源モジュール1では、
各光共振器により発振出力される波長λ1〜λ4それぞれ
の光は、マッハツェンダ干渉計型のファイバカプラ21
51〜2153を含んで構成される光合波回路215によ
り合分波可能な波長のものである。また、各光共振器に
より共有されるチャープトグレーティング素子226か
ら各波長の光が合波されて出力される。したがって、本
実施形態に係る光源モジュール1は、高効率に合波して
高出力光を出力することができ、また、製造が容易であ
る。
各光共振器により発振出力される波長λ1〜λ4それぞれ
の光は、マッハツェンダ干渉計型のファイバカプラ21
51〜2153を含んで構成される光合波回路215によ
り合分波可能な波長のものである。また、各光共振器に
より共有されるチャープトグレーティング素子226か
ら各波長の光が合波されて出力される。したがって、本
実施形態に係る光源モジュール1は、高効率に合波して
高出力光を出力することができ、また、製造が容易であ
る。
【0019】温度が変動すると、光合波回路215の透
過中心波長は変動し、また、各光共振器の発振中心波長
も変動する。しかし、本実施形態では、波長選択機能を
有する光合波回路215が各共振器の中に存在してお
り、チャープトグレーティング素子226が波長λ1〜
λ4を含む波長帯域において光の一部を反射させ残部を
透過させるものであることから、光合波回路215の透
過中心波長と各光共振器の発振中心波長とは常に一致し
ている。したがって、特段の温度制御を行うことなく、
光合波回路215は良好な合波状態を維持することがで
き、光源モジュール1は安定して高レベルの光を出力す
ることができる。
過中心波長は変動し、また、各光共振器の発振中心波長
も変動する。しかし、本実施形態では、波長選択機能を
有する光合波回路215が各共振器の中に存在してお
り、チャープトグレーティング素子226が波長λ1〜
λ4を含む波長帯域において光の一部を反射させ残部を
透過させるものであることから、光合波回路215の透
過中心波長と各光共振器の発振中心波長とは常に一致し
ている。したがって、特段の温度制御を行うことなく、
光合波回路215は良好な合波状態を維持することがで
き、光源モジュール1は安定して高レベルの光を出力す
ることができる。
【0020】また、本実施形態に係る光源モジュール1
は、反射手段として1つのチャープトグレーティング2
26が設けられているだけであるので、部品点数が削減
され、小型化および低コスト化が可能である。
は、反射手段として1つのチャープトグレーティング2
26が設けられているだけであるので、部品点数が削減
され、小型化および低コスト化が可能である。
【0021】(第2の実施形態)次に、本発明に係る光
源モジュールの第2の実施形態について説明する。図2
は、第2の実施形態に係る光源モジュールの構成図であ
る。本実施形態に係る光源モジュール2は、4つの半導
体レーザ光源11〜14と4入力1出力の光合波器20
Bとを備えて構成される。半導体レーザ光源11〜14
は、第1の実施形態の場合と同様のものである。
源モジュールの第2の実施形態について説明する。図2
は、第2の実施形態に係る光源モジュールの構成図であ
る。本実施形態に係る光源モジュール2は、4つの半導
体レーザ光源11〜14と4入力1出力の光合波器20
Bとを備えて構成される。半導体レーザ光源11〜14
は、第1の実施形態の場合と同様のものである。
【0022】光合波器20Bは、入力ポート201〜2
04と出力ポート206との間に、入力側チャネル導波
路211〜214、光合波回路215および出力側チャ
ネル導波路216が設けられており、出力ポート206
に反射膜227が設けられている。この光合波器20B
は、入力ポート201〜204、出力ポート206、入
力側チャネル導波路211〜214、光合波回路21
5、出力側チャネル導波路216および反射膜227が
平面導波路上に集積化されている。
04と出力ポート206との間に、入力側チャネル導波
路211〜214、光合波回路215および出力側チャ
ネル導波路216が設けられており、出力ポート206
に反射膜227が設けられている。この光合波器20B
は、入力ポート201〜204、出力ポート206、入
力側チャネル導波路211〜214、光合波回路21
5、出力側チャネル導波路216および反射膜227が
平面導波路上に集積化されている。
【0023】光合波器20Bの入力ポート201は、半
導体レーザ光源11の出射面11bと、光ファイバを介
して又は直接に接続されている。入力側チャネル導波路
211は、入力ポート201と光合波回路215の第1
の入力端251との間に設けられている。同様に、入力
ポート202は、半導体レーザ光源12の出射面12b
と、光ファイバを介して又は直接に接続されている。入
力側チャネル導波路212は、入力ポート202と光合
波回路215の第2の入力端252との間に設けられて
いる。入力ポート203は、半導体レーザ光源13の出
射面13bと、光ファイバを介して又は直接に接続され
ている。入力側チャネル導波路213は、入力ポート2
03と光合波回路215の第3の入力端253との間に
設けられている。また、入力ポート204は、半導体レ
ーザ光源14の出射面14bと、光ファイバを介して又
は直接に接続されている。入力側チャネル導波路214
は、入力ポート204と光合波回路215の第4の入力
端254との間に設けられている。
導体レーザ光源11の出射面11bと、光ファイバを介
して又は直接に接続されている。入力側チャネル導波路
211は、入力ポート201と光合波回路215の第1
の入力端251との間に設けられている。同様に、入力
ポート202は、半導体レーザ光源12の出射面12b
と、光ファイバを介して又は直接に接続されている。入
力側チャネル導波路212は、入力ポート202と光合
波回路215の第2の入力端252との間に設けられて
いる。入力ポート203は、半導体レーザ光源13の出
射面13bと、光ファイバを介して又は直接に接続され
ている。入力側チャネル導波路213は、入力ポート2
03と光合波回路215の第3の入力端253との間に
設けられている。また、入力ポート204は、半導体レ
ーザ光源14の出射面14bと、光ファイバを介して又
は直接に接続されている。入力側チャネル導波路214
は、入力ポート204と光合波回路215の第4の入力
端254との間に設けられている。
【0024】光合波回路215は、マッハツェンダ干渉
計型回路またはアレイ導波路回折格子型回路が好適に用
いられ、入力端251〜254に入力した波長λ1〜λ4
の光を合波して、その合波した光を出力端256に出力
する。マッハツェンダ干渉計型回路は、低損失で光合波
機能を実現することができる点で好適である。また、ア
レイ導波路回折格子型回路は、多数の波長の光を合波す
ることができる点で好適である。なお、波長λ1〜λ4は
互いに異なる。出力側チャネル導波路216は、光合波
回路215の出力端256から出力された光を出力ポー
ト206へ導波させる。この出力ポート206から出力
された光は光ファイバ30へ導入される。
計型回路またはアレイ導波路回折格子型回路が好適に用
いられ、入力端251〜254に入力した波長λ1〜λ4
の光を合波して、その合波した光を出力端256に出力
する。マッハツェンダ干渉計型回路は、低損失で光合波
機能を実現することができる点で好適である。また、ア
レイ導波路回折格子型回路は、多数の波長の光を合波す
ることができる点で好適である。なお、波長λ1〜λ4は
互いに異なる。出力側チャネル導波路216は、光合波
回路215の出力端256から出力された光を出力ポー
ト206へ導波させる。この出力ポート206から出力
された光は光ファイバ30へ導入される。
【0025】また、光合波回路215は、逆に出力端2
56に光が入力すると、その光を分波して、波長λ1の
光を第1の入力端251に出力し、波長λ2の光を第2
の入力端252に出力し、波長λ3の光を第3の入力端
253に出力し、また、波長λ4の光を第4の入力端2
54に出力する。
56に光が入力すると、その光を分波して、波長λ1の
光を第1の入力端251に出力し、波長λ2の光を第2
の入力端252に出力し、波長λ3の光を第3の入力端
253に出力し、また、波長λ4の光を第4の入力端2
54に出力する。
【0026】図3および図4それぞれは、光合波回路2
15の回路例を説明する図である。図3に示す光合波回
路215は、マッハツェンダ干渉計型回路であって、第
1の入力端251に入力した波長λ1の光を導波させる
チャネル導波路231、第2の入力端252に入力した
波長λ2の光を導波させるチャネル導波路232、第3
の入力端253に入力した波長λ3の光を導波させるチ
ャネル導波路233、および、第4の入力端254に入
力した波長λ4の光を導波させるチャネル導波路234
を備える。チャネル導波路231およびチャネル導波路
232は、マッハツェンダ干渉計235を構成してお
り、マッハツェンダ干渉計235は、チャネル導波路2
31を導波する波長λ1の光とチャネル導波路232を
導波する波長λ2の光とを合波する。チャネル導波路2
33およびチャネル導波路234は、マッハツェンダ干
渉計236を構成しており、マッハツェンダ干渉計23
6は、チャネル導波路233を導波する波長λ3の光
と、チャネル導波路234を導波する波長λ4の光とを
合波する。また、チャネル導波路232およびチャネル
導波路234は、マッハツェンダ干渉計237を構成し
ており、マッハツェンダ干渉計237は、チャネル導波
路232を導波する波長λ1およびλ2の光と、チャネル
導波路233を導波する波長λ3およびλ4の光とを合波
して、その合波した光を出力端256へ出力する。
15の回路例を説明する図である。図3に示す光合波回
路215は、マッハツェンダ干渉計型回路であって、第
1の入力端251に入力した波長λ1の光を導波させる
チャネル導波路231、第2の入力端252に入力した
波長λ2の光を導波させるチャネル導波路232、第3
の入力端253に入力した波長λ3の光を導波させるチ
ャネル導波路233、および、第4の入力端254に入
力した波長λ4の光を導波させるチャネル導波路234
を備える。チャネル導波路231およびチャネル導波路
232は、マッハツェンダ干渉計235を構成してお
り、マッハツェンダ干渉計235は、チャネル導波路2
31を導波する波長λ1の光とチャネル導波路232を
導波する波長λ2の光とを合波する。チャネル導波路2
33およびチャネル導波路234は、マッハツェンダ干
渉計236を構成しており、マッハツェンダ干渉計23
6は、チャネル導波路233を導波する波長λ3の光
と、チャネル導波路234を導波する波長λ4の光とを
合波する。また、チャネル導波路232およびチャネル
導波路234は、マッハツェンダ干渉計237を構成し
ており、マッハツェンダ干渉計237は、チャネル導波
路232を導波する波長λ1およびλ2の光と、チャネル
導波路233を導波する波長λ3およびλ4の光とを合波
して、その合波した光を出力端256へ出力する。
【0027】図4に示す光合波回路215は、アレイ導
波路回折格子型回路であって、第1の入力端251に入
力した波長λ1の光を導波させるチャネル導波路24
1、第2の入力端252に入力した波長λ2の光を導波
させるチャネル導波路242、第3の入力端253に入
力した波長λ3の光を導波させるチャネル導波路24
3、第4の入力端254に入力した波長λ4の光を導波
させるチャネル導波路244、チャネル導波路241〜
244に接続された第1のスラブ導波路245、第1の
スラブ導波路245に接続され互いに光路長が異なる複
数のチャネル導波路からなるアレイ導波路部246、ア
レイ導波路部246に接続された第2のスラブ導波路2
47、および、第2のスラブ導波路247に接続された
チャネル導波路248を備える。このアレイ導波路回折
格子型回路は、チャネル導波路241〜244に入力し
た波長λ1〜λ4の光を、第1のスラブ導波路245、ア
レイ導波路部246および第2のスラブ導波路247を
順次に導波させた後にチャネル導波路248に入力させ
るまでの間に合波して、その合波した光を出力端256
へ出力する。
波路回折格子型回路であって、第1の入力端251に入
力した波長λ1の光を導波させるチャネル導波路24
1、第2の入力端252に入力した波長λ2の光を導波
させるチャネル導波路242、第3の入力端253に入
力した波長λ3の光を導波させるチャネル導波路24
3、第4の入力端254に入力した波長λ4の光を導波
させるチャネル導波路244、チャネル導波路241〜
244に接続された第1のスラブ導波路245、第1の
スラブ導波路245に接続され互いに光路長が異なる複
数のチャネル導波路からなるアレイ導波路部246、ア
レイ導波路部246に接続された第2のスラブ導波路2
47、および、第2のスラブ導波路247に接続された
チャネル導波路248を備える。このアレイ導波路回折
格子型回路は、チャネル導波路241〜244に入力し
た波長λ1〜λ4の光を、第1のスラブ導波路245、ア
レイ導波路部246および第2のスラブ導波路247を
順次に導波させた後にチャネル導波路248に入力させ
るまでの間に合波して、その合波した光を出力端256
へ出力する。
【0028】反射膜227は、光合波回路215の出力
端256から出力され出力側チャネル導波路216を経
て出力ポート206に到達した光のうちの一部(例えば
5%〜20%)を反射させ、残部を光ファイバ30へ向
けて透過させる。反射膜227の反射波長帯域は、光合
波回路215により合分波可能な波長を含む。
端256から出力され出力側チャネル導波路216を経
て出力ポート206に到達した光のうちの一部(例えば
5%〜20%)を反射させ、残部を光ファイバ30へ向
けて透過させる。反射膜227の反射波長帯域は、光合
波回路215により合分波可能な波長を含む。
【0029】すなわち、本実施形態では、半導体レーザ
光源11の反射面11aと反射膜227とは、両者間に
波長選択機能を有する光合波回路215を挟んで、波長
λ1のレーザ光を発振する光共振器を構成している。半
導体レーザ光源12の反射面12aと反射膜227と
は、両者間に波長選択機能を有する光合波回路215を
挟んで、波長λ2のレーザ光を発振する光共振器を構成
している。半導体レーザ光源13の反射面13aと反射
膜227とは、両者間に波長選択機能を有する光合波回
路215を挟んで、波長λ3のレーザ光を発振する光共
振器を構成している。また、半導体レーザ光源14の反
射面14aと反射膜227とは、両者間に波長選択機能
を有する光合波回路215を挟んで、波長λ4のレーザ
光を発振する光共振器を構成している。そして、反射膜
227が各光共振器に共通のものであるので、反射膜2
27から光ファイバ30へ向けて出力される光は、波長
λ1〜λ4の光が合波されたものである。
光源11の反射面11aと反射膜227とは、両者間に
波長選択機能を有する光合波回路215を挟んで、波長
λ1のレーザ光を発振する光共振器を構成している。半
導体レーザ光源12の反射面12aと反射膜227と
は、両者間に波長選択機能を有する光合波回路215を
挟んで、波長λ2のレーザ光を発振する光共振器を構成
している。半導体レーザ光源13の反射面13aと反射
膜227とは、両者間に波長選択機能を有する光合波回
路215を挟んで、波長λ3のレーザ光を発振する光共
振器を構成している。また、半導体レーザ光源14の反
射面14aと反射膜227とは、両者間に波長選択機能
を有する光合波回路215を挟んで、波長λ4のレーザ
光を発振する光共振器を構成している。そして、反射膜
227が各光共振器に共通のものであるので、反射膜2
27から光ファイバ30へ向けて出力される光は、波長
λ1〜λ4の光が合波されたものである。
【0030】本実施形態に係る光源モジュール2では、
各光共振器により発振出力される波長λ1〜λ4それぞれ
の光は、マッハツェンダ干渉計型回路またはアレイ導波
路回折格子型回路により構成される光合波回路215に
より合分波可能な波長のものである。また、各光共振器
により共有される反射膜227から各波長の光が合波さ
れて出力される。したがって、本実施形態に係る光源モ
ジュール2は、高効率に合波して高出力光を出力するこ
とができ、また、製造が容易である。
各光共振器により発振出力される波長λ1〜λ4それぞれ
の光は、マッハツェンダ干渉計型回路またはアレイ導波
路回折格子型回路により構成される光合波回路215に
より合分波可能な波長のものである。また、各光共振器
により共有される反射膜227から各波長の光が合波さ
れて出力される。したがって、本実施形態に係る光源モ
ジュール2は、高効率に合波して高出力光を出力するこ
とができ、また、製造が容易である。
【0031】温度が変動すると、光合波回路215の透
過中心波長は変動し、また、各光共振器の発振中心波長
も変動する。しかし、本実施形態では、波長選択機能を
有する光合波回路215が各共振器の中に存在してお
り、反射膜227が波長λ1〜λ4を含む波長帯域におい
て光の一部を反射させ残部を透過させるものであること
から、光合波回路215の透過中心波長と各光共振器の
発振中心波長とは常に一致している。したがって、特段
の温度制御を行うことなく、光合波回路215は良好な
合波状態を維持することができ、光源モジュール2は安
定して高レベルの光を出力することができる。
過中心波長は変動し、また、各光共振器の発振中心波長
も変動する。しかし、本実施形態では、波長選択機能を
有する光合波回路215が各共振器の中に存在してお
り、反射膜227が波長λ1〜λ4を含む波長帯域におい
て光の一部を反射させ残部を透過させるものであること
から、光合波回路215の透過中心波長と各光共振器の
発振中心波長とは常に一致している。したがって、特段
の温度制御を行うことなく、光合波回路215は良好な
合波状態を維持することができ、光源モジュール2は安
定して高レベルの光を出力することができる。
【0032】また、本実施形態に係る光源モジュール2
は、反射膜227が光合波回路215とともに平面導波
路上に集積化されているので、部品点数が削減され、小
型化および低コスト化が可能である。また、特に本実施
形態では、反射手段として1つの反射膜227が設けら
れるだけであるので、構成が簡易なものとなる。
は、反射膜227が光合波回路215とともに平面導波
路上に集積化されているので、部品点数が削減され、小
型化および低コスト化が可能である。また、特に本実施
形態では、反射手段として1つの反射膜227が設けら
れるだけであるので、構成が簡易なものとなる。
【0033】(第3の実施形態)次に、本発明に係る光
源モジュールの第3の実施形態について説明する。図5
は、第3の実施形態に係る光源モジュールの構成図であ
る。本実施形態に係る光源モジュール3は、4つの半導
体レーザ光源11〜14と4入力1出力の光合波器20
Cとを備えて構成される。半導体レーザ光源11〜14
は、第1の実施形態の場合と同様のものである。
源モジュールの第3の実施形態について説明する。図5
は、第3の実施形態に係る光源モジュールの構成図であ
る。本実施形態に係る光源モジュール3は、4つの半導
体レーザ光源11〜14と4入力1出力の光合波器20
Cとを備えて構成される。半導体レーザ光源11〜14
は、第1の実施形態の場合と同様のものである。
【0034】光合波器20Cは、入力ポート201〜2
04と出力ポート206との間に、入力側チャネル導波
路211〜214、光合波回路215および出力側チャ
ネル導波路216が設けられており、出力側チャネル導
波路216上にチャープトグレーティング226が設け
られている。この光合波器20Cは、入力ポート201
〜204、出力ポート206、入力側チャネル導波路2
11〜214、光合波回路215、および、チャープト
グレーティング226が形成された出力側チャネル導波
路216が平面導波路上に集積化されている。
04と出力ポート206との間に、入力側チャネル導波
路211〜214、光合波回路215および出力側チャ
ネル導波路216が設けられており、出力側チャネル導
波路216上にチャープトグレーティング226が設け
られている。この光合波器20Cは、入力ポート201
〜204、出力ポート206、入力側チャネル導波路2
11〜214、光合波回路215、および、チャープト
グレーティング226が形成された出力側チャネル導波
路216が平面導波路上に集積化されている。
【0035】チャープトグレーティング226は、例え
ば位相格子マスクを介して出力側チャネル導波路216
に紫外光を照射することにより屈折率変調が誘起されて
形成されたものであり、その屈折率変調の格子間隔が連
続的に変化しており、その屈折率変調の格子間隔に応じ
た波長の光の一部(例えば5%〜20%)を反射させ
る。チャープトグレーティング226の反射波長帯域
は、光合波回路215により合分波可能な波長を含む。
したがって、チャープトグレーティング226は、光合
波回路215の出力端256から出力され出力側チャネ
ル導波路216を導波する光のうちの一部を出力端25
6に向けて反射させ、残部を出力ポート206へ向けて
透過させる。
ば位相格子マスクを介して出力側チャネル導波路216
に紫外光を照射することにより屈折率変調が誘起されて
形成されたものであり、その屈折率変調の格子間隔が連
続的に変化しており、その屈折率変調の格子間隔に応じ
た波長の光の一部(例えば5%〜20%)を反射させ
る。チャープトグレーティング226の反射波長帯域
は、光合波回路215により合分波可能な波長を含む。
したがって、チャープトグレーティング226は、光合
波回路215の出力端256から出力され出力側チャネ
ル導波路216を導波する光のうちの一部を出力端25
6に向けて反射させ、残部を出力ポート206へ向けて
透過させる。
【0036】また、光合波回路215は、入力端251
〜254に入力した波長λ1〜λ4の光を合波して出力端
256に出力するものであるが、逆に出力端256に光
が入力すると、その光を分波して、波長λ1の光を第1
の入力端251に出力し、波長λ2の光を第2の入力端
252に出力し、波長λ3の光を第3の入力端253に
出力し、また、波長λ4の光を第4の入力端254に出
力する。
〜254に入力した波長λ1〜λ4の光を合波して出力端
256に出力するものであるが、逆に出力端256に光
が入力すると、その光を分波して、波長λ1の光を第1
の入力端251に出力し、波長λ2の光を第2の入力端
252に出力し、波長λ3の光を第3の入力端253に
出力し、また、波長λ4の光を第4の入力端254に出
力する。
【0037】すなわち、本実施形態では、半導体レーザ
光源11の反射面11aとチャープトグレーティング2
26とは、両者間に波長選択機能を有する光合波回路2
15を挟んで、波長λ1のレーザ光を発振する光共振器
を構成している。半導体レーザ光源12の反射面12a
とチャープトグレーティング226とは、両者間に波長
選択機能を有する光合波回路215を挟んで、波長λ2
のレーザ光を発振する光共振器を構成している。半導体
レーザ光源13の反射面13aとチャープトグレーティ
ング226とは、両者間に波長選択機能を有する光合波
回路215を挟んで、波長λ3のレーザ光を発振する光
共振器を構成している。また、半導体レーザ光源14の
反射面14aとチャープトグレーティング226とは、
両者間に波長選択機能を有する光合波回路215を挟ん
で、波長λ4のレーザ光を発振する光共振器を構成して
いる。そして、チャープトグレーティング226が各光
共振器に共通のものであるので、チャープトグレーティ
ング226から出力ポート206へ向けて出力される光
は、波長λ1〜λ4の光が合波されたものである。
光源11の反射面11aとチャープトグレーティング2
26とは、両者間に波長選択機能を有する光合波回路2
15を挟んで、波長λ1のレーザ光を発振する光共振器
を構成している。半導体レーザ光源12の反射面12a
とチャープトグレーティング226とは、両者間に波長
選択機能を有する光合波回路215を挟んで、波長λ2
のレーザ光を発振する光共振器を構成している。半導体
レーザ光源13の反射面13aとチャープトグレーティ
ング226とは、両者間に波長選択機能を有する光合波
回路215を挟んで、波長λ3のレーザ光を発振する光
共振器を構成している。また、半導体レーザ光源14の
反射面14aとチャープトグレーティング226とは、
両者間に波長選択機能を有する光合波回路215を挟ん
で、波長λ4のレーザ光を発振する光共振器を構成して
いる。そして、チャープトグレーティング226が各光
共振器に共通のものであるので、チャープトグレーティ
ング226から出力ポート206へ向けて出力される光
は、波長λ1〜λ4の光が合波されたものである。
【0038】本実施形態に係る光源モジュール3では、
各光共振器により発振出力される波長λ1〜λ4それぞれ
の光は、マッハツェンダ干渉計型回路またはアレイ導波
路回折格子型回路により構成される光合波回路215に
より合分波可能な波長のものである。また、各光共振器
により共有されるチャープトグレーティング226から
各波長の光が合波されて出力される。したがって、本実
施形態に係る光源モジュール3は、高効率に合波して高
出力光を出力することができ、また、製造が容易であ
る。
各光共振器により発振出力される波長λ1〜λ4それぞれ
の光は、マッハツェンダ干渉計型回路またはアレイ導波
路回折格子型回路により構成される光合波回路215に
より合分波可能な波長のものである。また、各光共振器
により共有されるチャープトグレーティング226から
各波長の光が合波されて出力される。したがって、本実
施形態に係る光源モジュール3は、高効率に合波して高
出力光を出力することができ、また、製造が容易であ
る。
【0039】温度が変動すると、光合波回路215の透
過中心波長は変動し、また、各光共振器の発振中心波長
も変動する。しかし、本実施形態では、波長選択機能を
有する光合波回路215が各共振器の中に存在してお
り、チャープトグレーティング226が波長λ1〜λ4を
含む波長帯域において光の一部を反射させ残部を透過さ
せるものであることから、光合波回路215の透過中心
波長と各光共振器の発振中心波長とは常に一致してい
る。したがって、特段の温度制御を行うことなく、光合
波回路215は良好な合波状態を維持することができ、
光源モジュール3は安定して高レベルの光を出力するこ
とができる。
過中心波長は変動し、また、各光共振器の発振中心波長
も変動する。しかし、本実施形態では、波長選択機能を
有する光合波回路215が各共振器の中に存在してお
り、チャープトグレーティング226が波長λ1〜λ4を
含む波長帯域において光の一部を反射させ残部を透過さ
せるものであることから、光合波回路215の透過中心
波長と各光共振器の発振中心波長とは常に一致してい
る。したがって、特段の温度制御を行うことなく、光合
波回路215は良好な合波状態を維持することができ、
光源モジュール3は安定して高レベルの光を出力するこ
とができる。
【0040】また、本実施形態に係る光源モジュール3
は、チャープトグレーティング226が光合波回路21
5とともに平面導波路上に集積化されているので、部品
点数が削減され、小型化および低コスト化が可能であ
る。また、特に本実施形態では、反射手段として1つの
チャープトグレーティング226が設けられるだけであ
るので、構成が簡易なものとなる。
は、チャープトグレーティング226が光合波回路21
5とともに平面導波路上に集積化されているので、部品
点数が削減され、小型化および低コスト化が可能であ
る。また、特に本実施形態では、反射手段として1つの
チャープトグレーティング226が設けられるだけであ
るので、構成が簡易なものとなる。
【0041】なお、光合波器20Cは、光合波回路21
5とチャープトグレーティング226とを平面導波路上
に集積化したものであったが、図6に示すように、光合
波回路215を集積化した平面導波路とは別にチャープ
トグレーティング素子226を設けてもよい。
5とチャープトグレーティング226とを平面導波路上
に集積化したものであったが、図6に示すように、光合
波回路215を集積化した平面導波路とは別にチャープ
トグレーティング素子226を設けてもよい。
【0042】(第4の実施形態)次に、本発明に係る光
源ユニットの実施形態について説明する。図7は、第4
の実施形態に係る光源ユニットの構成図である。本実施
形態に係る光源ユニット6は、光源モジュール4および
5、偏波保持光ファイバ31および32、ならびに偏波
合成器33を備えて構成される。
源ユニットの実施形態について説明する。図7は、第4
の実施形態に係る光源ユニットの構成図である。本実施
形態に係る光源ユニット6は、光源モジュール4および
5、偏波保持光ファイバ31および32、ならびに偏波
合成器33を備えて構成される。
【0043】光源モジュール4および5それぞれは、上
述した光源モジュール1〜3の何れかであり、波長λ1
〜λ4の光を合波して出力ポート206から出力する。
特に本実施形態では、光源モジュール4の出力ポート2
06から合波されて出力される波長λ1〜λ4それぞれの
光は一定方位に偏波したものとする。同様に、光源モジ
ュール5の出力ポート206から合波されて出力される
波長λ1〜λ4それぞれの光も一定方位に偏波したものと
する。
述した光源モジュール1〜3の何れかであり、波長λ1
〜λ4の光を合波して出力ポート206から出力する。
特に本実施形態では、光源モジュール4の出力ポート2
06から合波されて出力される波長λ1〜λ4それぞれの
光は一定方位に偏波したものとする。同様に、光源モジ
ュール5の出力ポート206から合波されて出力される
波長λ1〜λ4それぞれの光も一定方位に偏波したものと
する。
【0044】偏波保持光ファイバ31は、光源モジュー
ル4の出力ポート206から出力される一定方位に偏波
した波長λ1〜λ4の光を入力して、その偏波状態を維持
したまま偏波合成器33まで導波させる。同様に、偏波
保持光ファイバ32は、光源モジュール5の出力ポート
206から出力される一定方位に偏波した波長λ1〜λ4
の光を入力して、その偏波状態を維持したまま偏波合成
器33まで導波させる。そして、偏波合成器33は、偏
波保持光ファイバ31および32それぞれを経て到達し
た光を偏波合成して、その偏波合成された光を光ファイ
バ34に出力する。
ル4の出力ポート206から出力される一定方位に偏波
した波長λ1〜λ4の光を入力して、その偏波状態を維持
したまま偏波合成器33まで導波させる。同様に、偏波
保持光ファイバ32は、光源モジュール5の出力ポート
206から出力される一定方位に偏波した波長λ1〜λ4
の光を入力して、その偏波状態を維持したまま偏波合成
器33まで導波させる。そして、偏波合成器33は、偏
波保持光ファイバ31および32それぞれを経て到達し
た光を偏波合成して、その偏波合成された光を光ファイ
バ34に出力する。
【0045】本実施形態に係る光源ユニット6は、上述
した光源モジュール1〜3それぞれが奏する効果と同様
の効果を奏する他、以下のような効果をも奏する。すな
わち、本実施形態では、2式の光源モジュール4および
5それぞれから出力される光は、偏波合成器33により
偏波合成されて出力されるので、光源ユニット6は、単
一の光源モジュールから出力される光のレベルよりも更
に高いレベルの光を出力することができる。
した光源モジュール1〜3それぞれが奏する効果と同様
の効果を奏する他、以下のような効果をも奏する。すな
わち、本実施形態では、2式の光源モジュール4および
5それぞれから出力される光は、偏波合成器33により
偏波合成されて出力されるので、光源ユニット6は、単
一の光源モジュールから出力される光のレベルよりも更
に高いレベルの光を出力することができる。
【0046】本発明は、上記実施形態に限定されるもの
ではなく種々の変形が可能である。例えば、光源モジュ
ールに含まれる半導体レーザ光源の個数は、上記実施形
態では4であったが、更に多くてもよい。特に、光合波
回路215がアレイ導波路回折格子型回路である場合に
は、より多くの半導体レーザ光源を備えて、より多くの
波数の光を合波することができる。
ではなく種々の変形が可能である。例えば、光源モジュ
ールに含まれる半導体レーザ光源の個数は、上記実施形
態では4であったが、更に多くてもよい。特に、光合波
回路215がアレイ導波路回折格子型回路である場合に
は、より多くの半導体レーザ光源を備えて、より多くの
波数の光を合波することができる。
【0047】
【発明の効果】以上、詳細に説明したとおり、本発明に
係る光源モジュールによれば、反射手段(チャープトグ
レーティング、反射部材)と各発光素子(半導体レーザ
光源)の反射面とから構成される各光共振器においてレ
ーザ発振が起こり所定波長の光が得られる。各光共振器
により得られた各波長の光は、光合波回路(マッハツェ
ンダ干渉計型回路、アレイ導波路回折格子型回路)によ
り合波され、その合波された光は出力ポートから出力さ
れる。各光共振器における発振中心波長は、光共振器内
に設けられ波長選択機能を有する光合波回路の透過中心
波長と一致するので、たとえ温度が変動したとしても、
常に安定して高レベルの光出力が得られ、製造が容易で
ある。また、反射手段を1つのみ設ければよいので、部
品点数が少なく、小型化および低コスト化が可能であ
る。
係る光源モジュールによれば、反射手段(チャープトグ
レーティング、反射部材)と各発光素子(半導体レーザ
光源)の反射面とから構成される各光共振器においてレ
ーザ発振が起こり所定波長の光が得られる。各光共振器
により得られた各波長の光は、光合波回路(マッハツェ
ンダ干渉計型回路、アレイ導波路回折格子型回路)によ
り合波され、その合波された光は出力ポートから出力さ
れる。各光共振器における発振中心波長は、光共振器内
に設けられ波長選択機能を有する光合波回路の透過中心
波長と一致するので、たとえ温度が変動したとしても、
常に安定して高レベルの光出力が得られ、製造が容易で
ある。また、反射手段を1つのみ設ければよいので、部
品点数が少なく、小型化および低コスト化が可能であ
る。
【0048】本発明に係る光源ユニットによれば、2式
の光源モジュールそれぞれの出力ポートから出力された
光は、多波長の光が合波されたものであって一定方位に
偏波しており、その偏波状態が維持されたまま偏波合成
器に入力し、そして、偏波合成器により偏波合成されて
出力される。したがって、この光源ユニットは、単一の
光源モジュールから出力される光のレベルよりも更に高
いレベルの光を、温度変動に拘わらず安定して出力する
ことができる。
の光源モジュールそれぞれの出力ポートから出力された
光は、多波長の光が合波されたものであって一定方位に
偏波しており、その偏波状態が維持されたまま偏波合成
器に入力し、そして、偏波合成器により偏波合成されて
出力される。したがって、この光源ユニットは、単一の
光源モジュールから出力される光のレベルよりも更に高
いレベルの光を、温度変動に拘わらず安定して出力する
ことができる。
【0049】以上のように、本発明に係る光源モジュー
ルおよび光源ユニットそれぞれは、温度変動に拘わらず
安定して高レベルの光を出力することができるので、例
えば、高利得が要求される光増幅器における励起光源と
して好適に用いられる。
ルおよび光源ユニットそれぞれは、温度変動に拘わらず
安定して高レベルの光を出力することができるので、例
えば、高利得が要求される光増幅器における励起光源と
して好適に用いられる。
【図1】第1の実施形態に係る光源モジュールの構成図
である。
である。
【図2】第2の実施形態に係る光源モジュールの構成図
である。
である。
【図3】光合波回路の回路例を説明する図である。
【図4】光合波回路の回路例を説明する図である。
【図5】第3の実施形態に係る光源モジュールの構成図
である。
である。
【図6】第3の実施形態に係る光源モジュールの他の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図7】第4の実施形態に係る光源ユニットの構成図で
ある。
ある。
1〜5…光源モジュール、6…光源ユニット、11〜1
4…半導体レーザ光源、20A〜20C…光合波器、3
0…光ファイバ、31,32…偏波保持光ファイバ、3
3…偏波合成器、34…光ファイバ、201〜204…
入力ポート、206…出力ポート、211〜214…入
力側チャネル導波路、215…光合波回路、216…出
力側チャネル導波路、226…チャープトグレーティン
グ、227…反射膜。
4…半導体レーザ光源、20A〜20C…光合波器、3
0…光ファイバ、31,32…偏波保持光ファイバ、3
3…偏波合成器、34…光ファイバ、201〜204…
入力ポート、206…出力ポート、211〜214…入
力側チャネル導波路、215…光合波回路、216…出
力側チャネル導波路、226…チャープトグレーティン
グ、227…反射膜。
Claims (7)
- 【請求項1】 複数の入力ポートそれぞれに入力した互
いに波長が異なる光を合波する光合波回路と、 前記光合波回路により合波される光の各波長を含む波長
帯域において、その合波された光の一部を反射させ、残
部を出力ポートへ透過させる反射手段と、 反射面および出射面を有し、該出射面と前記複数の入力
ポートそれぞれとの間で光を入出力し、該反射面と前記
反射手段とが光共振器を構成している複数の発光素子と
を備えることを特徴とする光源モジュール。 - 【請求項2】 前記光合波回路はマッハツェンダ干渉計
型回路であることを特徴とする請求項1記載の光源モジ
ュール。 - 【請求項3】 前記光合波回路はアレイ導波路回折格子
型回路であることを特徴とする請求項1記載の光源モジ
ュール。 - 【請求項4】 前記反射手段は前記光合波回路と前記出
力ポートとの間または前記出力ポートに設けられた反射
部材であることを特徴とする請求項1記載の光源モジュ
ール。 - 【請求項5】 前記反射手段は前記光合波回路と前記出
力ポートとの間に設けられたチャープトグレーティング
であることを特徴とする請求項1記載の光源モジュー
ル。 - 【請求項6】 前記光合波回路および前記反射手段が平
面導波路上に集積化されていることを特徴とする請求項
1記載の光源モジュール。 - 【請求項7】 2式の偏波保持型の請求項1〜6の何れ
か1項に記載の光源モジュールと、 2式の前記光源モジュールそれぞれの前記出力ポートか
ら出力された光を入力し、これらの光を偏波合成して出
力する偏波合成器とを備えることを特徴とする光源ユニ
ット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16092799A JP2000347049A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 光源モジュールおよび光源ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16092799A JP2000347049A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 光源モジュールおよび光源ユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000347049A true JP2000347049A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15725285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16092799A Pending JP2000347049A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 光源モジュールおよび光源ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000347049A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171329A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波長可変レーザ |
| JP2015173223A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
-
1999
- 1999-06-08 JP JP16092799A patent/JP2000347049A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171329A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波長可変レーザ |
| JP2015173223A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
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