JP2000349068A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 容器の内面が損耗されることを防止し得るプ
ラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 処理室３１の内壁とマイクロ波導入窓４
の間には限定プレート９１が介在し、かつ限定プレート
９１にはマイクロ波導入窓４を処理室３１に露出させる
開口８１が形成されている。よってマイクロ波導入窓４
からの漏洩電界は開口８１を介して処理室３１へと進入
し、処理室３１においてプラズマを発生させることがで
きる。しかもこのプラズマは処理室３１の内壁から遠ざ
けられるので、処理室３１の内壁が損耗されることが防
止される。その上、マイクロ波導入窓４が限定プレート
９１と対向する部分には導電性被膜９６が被覆されてい
るので、マイクロ波導入窓４と限定プレート９１との間
で不要な放電が生じることもない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波を用い
て生成したプラズマによって、半導体基板又は液晶ディ
スプレイ用ガラス基板等にエッチング又はアッシング等
の処理を施す装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】反応ガスに外部からエネルギを与えて生
じるプラズマは、ＬＳＩ又はＬＣＤ等の製造プロセスに
おいて広く用いられている。特に、ドライエッチングプ
ロセスにおいて、プラズマの利用は不可欠の基本技術と
なっている。このプラズマによって処理される基板の寸
法が大きくなるのに伴って、より広い領域にプラズマを
均一に発生させることが要求されている。そのため、本
願出願人は、特開昭６２−５６００号公報及び特開昭６
２−９９４８１号公報等において次のような装置を提案
している。

【０００３】図８は、特開昭６２−５６００号公報及び
特開昭６２−９９４８１号公報に開示した装置と同タイ
プのプラズマ処理装置２００を示す側断面図であり、図
９はプラズマ処理装置２００の平面図である。

【０００４】矩形箱状の反応器３１は、その全体がアル
ミニウムで形成されている。反応器３１の上部にマイク
ロ波導入窓３４が配置してあり、反応器３１の上部はマ
イクロ波導入窓３４で気密状態に封止されている。この
マイクロ波導入窓３４は、耐熱性及びマイクロ波透過性
を有すると共に誘電損失が小さい、石英ガラス又はアル
ミナ等の誘電体で形成されている。

【０００５】反応器３１には、該反応器３１の上部を覆
う長方形箱状のカバー部材４０が連結してある。このカ
バー部材４０内の天井部分には誘電体線路４１が取り付
けてある。誘電体線路４１は、フッ素樹脂（例えばテフ
ロン：登録商標）、ポリエチレン樹脂又はポリスチレン
樹脂等の誘電体を、図９に示されるように、平面視にお
いて矩形と三角形とを組み合わせた略五角形の頂点に凸
部を設けた板形状に成形してなる。誘電体線路４１の凸
部はカバー部材４０の周面に連結した導波管５１に内嵌
している。導波管５１にはマイクロ波発振器５０が連結
してあり、マイクロ波発振器５０が発振したマイクロ波
は、導波管５１によって誘電体線路４１の凸部に入射さ
れる。

【０００６】反応器３１の内部は処理室３２になってお
り、反応器３１の周囲壁を貫通する貫通穴に嵌合させた
ガス導入管３５から処理室３２内に所要のガスが導入さ
れる。反応器３１の底部壁中央には、試料Ｗを載置する
載置台３３が設けてあり、載置台３３にはマッチングボ
ックス３６を介して数百ＫＨｚ〜十数ＭＨｚのＲＦ電源
３７が接続されている。また、反応器３１の底部壁には
処理室３２の内気を排出する排気口３８が開設してあ
る。

【０００７】このようなプラズマ処理装置２００を用い
て試料Ｗの表面にエッチング処理を施すには、排気口３
８から排気して処理室３２内を所望の圧力まで減圧した
後、ガス導入管３５から処理室３２内に反応ガスを供給
する。

【０００８】次いで、マイクロ波発振器５０からマイク
ロ波を発振させ、これを導波管５１を介して誘電体線路
４１に導入する。前述した如く、誘電体線路４１の凸部
の基端側は、平面視が略三角形状のテーパ４１ａとなっ
ている。よってこの凸部に入射されたマイクロ波はテー
パ部４１ａに沿ってその幅方向に拡げられ、誘電体線路
４１の全体に伝播する。このマイクロ波はカバー部材４
０の導波管５１に対向する端面で反射し、入射波と反射
波とが重ね合わされて誘電体線路４１に定在波が形成さ
れる。この定在波によって、誘電体線路４１の下方に漏
れ電界が形成され、それがマイクロ波導入窓３４を透過
して処理室３２内へ導入される。このようにして、マイ
クロ波が処理室３２内へ伝播する。

【０００９】処理室３２内へと伝搬したマイクロ波によ
り処理室３２内にプラズマが生成され、そのプラズマに
よって試料Ｗの表面をエッチングする。これによって、
大口径の試料Ｗを処理すべく反応器３１の直径を大きく
しても、その反応器３１の全領域へマイクロ波を均一に
導入することができ、大口径の試料Ｗを比較的均一にプ
ラズマ処理することができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のプラズ
マ処理装置２００にあっては、反応器３１の内周面近傍
で生成されたプラズマによって反応器３１の内周面がス
パッタリングされる虞があった。反応器３１の内周面が
スパッタリングされた場合、それによってパーティクル
が発生し、該パーティクルによって試料Ｗが汚染され
る。そこで本発明の第１の目的は、反応器の内面が損耗
されることを防止し得るプラズマ処理装置を提供するこ
とにある。

【００１１】また、従来のプラズマ処理装置２００で
は、誘電体線路４１にマイクロ波を均一に拡がらせるた
めに、マイクロ波導入窓３４及び反応器３１の縁部から
水平方向へ突出させたテーパ部４１ａを設けてあり、こ
のテーパ部４１ａは、誘電体線路４１の面積、即ち処理
室３２の直径に応じて所定の寸法に定めてある。そのた
め、従来のプラズマ処理装置２００を設置する場合、反
応器３１の周縁から突出させたテーパ部４１ａを格納す
るための水平方向のスペースを余分に確保しなければな
らない。

【００１２】ところで、試料Ｗの大口径化に伴って、反
応器３１の寸法が更に大きいプラズマ処理装置が要求さ
れている。このとき、装置の設置場所を手当てする必要
がないこと、即ち、可及的に狭いスペースで設置し得る
ことも要求されている。しかしながら、従来の装置にあ
っては、テーパ部４１ａの寸法は反応器３１の直径に応
じて定めるため、前述した両要求を共に満足することが
できないという問題があった。

【００１３】そこで本発明の第２の目的は、第１の目的
を達成しつつ、反応器の直径が大きくても、装置全体の
サイズを可及的に小さくできるプラズマ処理装置を提供
することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、マイクロ波
導入窓を設けてなる容器内へと、マイクロ波導入窓から
漏洩するマイクロ波を導入する際、マイクロ波限定部材
と、これに対向する位置でマイクロ波導入窓に被覆され
る導電性被膜とを設けることにより、容器の内周面近傍
でのプラズマの発生を効果的に抑制できることを知見し
た。

【００１５】更に、マイクロ波導入窓に対面してマイク
ロ波を放射するスリットを設けた有端環状又は無端環状
の導波管型アンテナによりマイクロ波を供給し、マイク
ロ波導入窓を介して容器内にマイクロ波を導入する構成
により、即ち、中央部にマイクロ波の供給部がない構成
であっても、容器内にプラズマを均一に発生できること
を知見した。

【００１６】これらの知見により、本発明はなされたも
ので、その第１の発明は、試料が収納された反応器へマ
イクロ波導入窓を介してマイクロ波を導入し、該マイク
ロ波により前記反応器内においてプラズマを生成し、前
記試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であっ
て、前記マイクロ波導入窓に近接して導電性部材が設け
られており、かつ、前記マイクロ波導入窓の前記導電性
部材と対面する部分が導電性被膜で被覆されていること
を特徴とする。

【００１７】また第２の発明は第１の発明であって、し
かも前記反応器の内壁と前記マイクロ波導入窓との間に
前記導電性部材が介在することを特徴とする。

【００１８】また第３の発明は第２の発明であって、し
かも前記導電性部材の前記反応器の内壁とは反対側の端
が、前記導電性被膜が被覆された前記マイクロ波導入窓
で覆われることを特徴とする。

【００１９】望ましくは前記導電性部材はマイクロ波限
定部材であって、前記マイクロ波導入窓の前記マイクロ
波限定部材と対面する部分が前記導電性被膜で被覆され
ている。

【００２０】あるいは望ましくは前記導電性部材は対向
電極であって、前記マイクロ波導入窓の前記対向電極と
対面する部分が前記導電性被膜で被覆されている。

【００２１】あるいは更に望ましくは前記導電性被膜が
ＳｉＣ，Ｓｉ，ＣおよびＡｌのいずれか一種または複数
で形成されている。

【００２２】

【作用】マイクロ波導入窓に被覆された導電性被膜は、
マイクロ波導入窓と、これに対向する導電性部材との間
の放電を抑止する。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて具体的に説明する。

【００２４】実施の形態１：図１は、本発明の実施の形
態１にかかるプラズマ処理装置１０１の構造を示す側断
面図である。プラズマ処理装置１０１は、図８に示され
た従来のプラズマ処理装置２００と比較して、以下の２
点で特徴的に異なっている以外は、同様の構成を採って
いる。第１に、断面において間欠的に現れる開口８１を
有した導電性の限定プレート９１が、マイクロ波導入窓
３４の内面に近接して反応器３１に内嵌されている点で
ある。第２に、導電性の限定プレート９１と対向する側
において、開口８１を覆い尽くすことなくマイクロ波導
入窓３４に導電型性被膜９６がコーテイングされている
点である。かかるコーティングは、例えば０．０２μｍ
のＣｒを下地とし、この上に２μｍのＡｌを積層するこ
とで実現できる。Ａｌ以外にも、ＳｉＣ，Ｓｉ，Ｃおよ
びＡｌのいずれか一種または複数で実現することができ
る。

【００２５】プラズマ処理装置１０１において、誘電体
線路４１の下方に放射された電界はマイクロ波導入窓３
４を透過して処理室３２内に導入され、処理室３２内に
プラズマが生成される。しかし限定プレート９１を反応
器３１を介して電気的に接地することにより、マイクロ
波が処理室２内に導入する位置を選択的に限定する機能
を果たしており、プラズマが生成する位置を制御するこ
とができる。つまり限定プレート９１は、高周波が印加
される載置台３３の対向電極として作用して、試料Ｗ上
に導かれるプラズマの指向性を向上させることができ
る。また、開口８１を反応器３１の内周面から隔離させ
ることができ、該プラズマによって反応器３１の内周面
が損耗することが防止される。従って、プラズマによっ
て載置台３上の試料Ｗの表面のエッチングを、指向性良
く、また反応器３１の内周面を損耗させることなく、行
うことができる。

【００２６】図２は図１における範囲Ｐ近傍を拡大して
示す断面図である。微視的にみれば、限定プレート９１
とマイクロ波導入窓３４とは必ずしも密着できない場合
もあり得る。そしてそのような場合にはマイクロ波導入
窓３４から漏洩するマイクロ波の強電界に基づいて、両
者の間隙８９において電位差が生じ、不要な放電が生じ
る可能性がある。かかる不要な放電は悪影響、例えばシ
リコン酸化膜のエッチングにおけるエッチングレートの
低下や、フォトレジストに対する選択比の低下を招来す
る。しかし、マイクロ波導入窓３４の限定プレート９１
と対向する側には、限定プレート９１と対向して導電型
性被膜９６が被覆されているので、限定プレート９１と
マイクロ波導入窓３４との間に、たとえ間隙８９が存在
したとしても、間隙８９において不要な放電が生じるこ
とも防止できる。

【００２７】図３は、限定プレート９１の形状を例示す
る平面図である。限定プレート９１が内嵌される反応器
３１は、破線でその外壁の位置が示されている。白矢印
は誘電体線路４１中を伝搬するマイクロ波の伝搬方向を
示している。このように、誘電体線路４１中を伝搬する
マイクロ波の伝搬方向とほぼ直交する方向に延在する開
口８１を、上記方向に沿って複数並べることができる。

【００２８】もちろん、マイクロ波発振器５０による発
振と同時的にマッチングボックス３６を介して高周波電
源３７から載置台３３に高周波を印加してもよい。載置
台３３に高周波を印加することにより、プラズマ中のイ
オンを制御しつつ載置台３３上の試料Ｗの表面をエッチ
ングすることができる。

【００２９】本実施の形態では限定プレート９１を反応
室３１へ内嵌した態様を例示したが、限定プレート９１
の寸法が反応室３１の内寸よりも大きく、その縁部が反
応器３１とマイクロ波導入窓３４との間で挟持される態
様も可能である。

【００３０】実施の形態２：図４は本発明の実施の形態
２に係るプラズマ処理装置１０２の構造を示す側断面図
であり、図５は図４に示したプラズマ処理装置１０２の
平面図である。有底円筒形状の反応器１は、その全体が
導電性の金属で形成されており、該反応器１は電気的に
接地してある。反応器１の上部の開口はマイクロ波導入
窓４で気密状態に封止されている。このマイクロ波導入
窓４は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有すると共に誘
電損失が小さい、石英ガラス又はアルミナ等の誘電体で
形成されている。

【００３１】前述したマイクロ波導入窓４には、導電性
金属を円形蓋状に成形してなるカバー部材１０が外嵌し
てあり、該カバー部材１０は反応器１上に固定してあ
る。カバー部材１０の上面には、反応器１内へマイクロ
波を導入するためのアンテナ１１が固定してある。アン
テナ１１は、断面視がコ字状の部材を無端環状に成形し
てなる環状導波管型アンテナ部１１ａを、その開口をカ
バー部材１０に対向させて、反応器１の中心軸（図示せ
ず）と同心円状に、かつ反応器１の内周面より内側に設
けてあり、カバー部材１０の環状導波管型アンテナ部１
１ａに対向する部分には複数のスリット１５が開設して
ある。即ち、本実施の形態では、環状導波管型アンテナ
部１１ａと、複数のスリット１５が開設してあるカバー
部材１０の環状導波管型アンテナ部１１ａに対向する部
分とから、環状導波管型アンテナが構成されている。

【００３２】環状導波管型アンテナ部１１ａの外周面に
設けた開口の周囲には該環状導波管型アンテナ部１１ａ
へマイクロ波を導入するための導入部１１ｂが、環状導
波管型アンテナ部１１ａの直径方向になるように連結し
てある。この導入部１１ｂ及び環状導波管型アンテナ部
１１ａ内には、フッ素樹脂（例えばテフロン：登録商
標）、ポリエチレン樹脂又はポリスチレン樹脂等（好ま
しくはテフロン）の誘電体１４が内嵌してある。

【００３３】導入部１１ｂにはマイクロ波発振器３０か
ら延設した導波管２９が連結してあり、マイクロ波発振
器３０が発振したマイクロ波は、導波管２９を経てアン
テナ１１の導入部１１ｂに入射される。この入射波は、
導入部１１ｂから環状導波管型アンテナ部１１ａへ導入
される。環状導波管型アンテナ部１１ａへ導入されたマ
イクロ波は、環状導波管型アンテナ部１１ａを互いに逆
方向へ進行する進行波として、該環状導波管型アンテナ
部１１ａ内の誘電体１４中を伝播し、両進行波は、重ね
合わされて環状導波管型アンテナ部１１ａに定在波が生
成される。この定在波によって、環状導波管型アンテナ
部１１ａの内面に、所定の間隔で極大値を示す壁面電流
が通流する。

【００３４】このとき、誘電率εｒが、２．１のテフロ
ン（登録商標）が装入してある環状導波管型アンテナ部
１１ａ内を伝播するマイクロ波のモードを基本伝播モー
ドである矩形ＴＥ₁₀にするには、マイクロ波の周波数
２．４５ＧＨｚに応じて、環状導波管型アンテナ部１１
ａの寸法を、高さ２７ｍｍ，幅６６．２ｍｍにすればよ
い。このモードのマイクロ波は、エネルギを殆ど損失す
ることなく環状導波管型アンテナ部１１ａ内の誘電体１
４を伝播する。

【００３５】また、直径が３８０ｍｍのマイクロ波導入
窓４を用い、環状導波管型アンテナ部１１ａにεｒ＝
２．１のテフロン（登録商標）を内嵌した場合、環状導
波管型アンテナ部１１ａの中心から環状導波管型アンテ
ナ部１１ａの幅方向の中央までの寸法を、１４１ｍｍに
すれば良い。この場合、環状導波管型アンテナ部１１ａ
の幅方向の中央を結ぶ円Ｃの周方向の長さ（略８８６ｍ
ｍ）は、該環状導波管型アンテナ部１１ａ内を伝播する
マイクロ波の波長（略１１０ｍｍ）の略整数倍である。
そのため、マイクロ波は環状導波管型アンテナ部１１ａ
内で共振して、前述した定在波は、その腹の位置で高電
圧・低電流、節の位置で低電圧・高電流となり、アンテ
ナのＱ値が向上する。

【００３６】複数のスリット１５は、複数の強電界強度
の領域（腹）の間の略中央（節）に位置しており、各ス
リット１５から放射されたマイクロ波はマイクロ波導入
窓４を透過して反応器１内へ導入される。各スリット１
５は、カバー部材１０に略放射状に設けてあるため、マ
イクロ波は反応器１内の全領域に均一に導入される。一
方、図４に示したように、アンテナ１１は反応器１の直
径と同じ直径のカバー部材１０上に、該カバー部材１０
の周縁から突出することなく設けてあるため、反応器１
の直径が大きくても、プラズマ処理装置のサイズが可及
的に小さく、従って小さなスペースに設置することがで
きる。

【００３７】反応器１の底部壁中央には、試料Ｗを載置
する載置台３が設けてあり、載置台３にはマッチングボ
ックス６を介して高周波電源７が接続されている。反応
器１の周囲壁には該周囲壁を貫通する貫通孔が開設して
あり、該貫通孔には、処理室２内へ反応ガスを導入する
ガス導入管５が嵌合してある。また、処理室２の底部壁
には処理室２の内気を排出する排気口８が開設してあ
る。

【００３８】マイクロ波導入窓４の内面に対向させて、
マイクロ波が処理室２内に導入する導入領域を処理室２
の中央部に限定する限定プレート９２が、マイクロ波導
入窓４に近接して配設されている。限定プレート９２は
導電性を有する板を環状に成形してなり、限定プレート
９２の外周縁部が反応器１の上端とマイクロ波導入窓４
の外周縁部との間に挟持固定されている。限定プレート
９２はその中央において、反応室１内へとマイクロ波導
入窓４を露出させる開口８２の周囲を囲んでいる。限定
プレート９２の内周縁部は、前述した複数のスリット１
５の環状導波管型アンテナ部１１ａの外周面側の端部近
傍の適宜位置に対向させてある。また、限定プレート９
２は電気的に接地してある。もちろん、実施の形態１と
同様にして、限定プレート９２が反応室１内に内嵌した
態様を採ることもできる。

【００３９】一方、マイクロ波導入窓４の、限定プレー
ト９２に対向する側において、限定プレート９２に対向
して導電性被覆９７が被覆されている。範囲Ｐ’を拡大
すれば、図２に拡大して示された範囲Ｐにおいて、符号
３４，８１，９１，９６をそれぞれ符号４，８２、９
２，９７に置換して得られる図面で表される。

【００４０】このようなプラズマ処理装置１０２を用い
て試料Ｗの表面にエッチング処理を施すには、排気口８
から排気して処理室２内を所望の圧力まで減圧した後、
ガス導入管５から処理室２内に反応ガスを供給する。次
いで、マイクロ波発振器３０から２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を発振させ、それを導波管３１を経てアンテナ１
１に導入し、環状導波管型アンテナ部１１ａに定在波を
形成させる。環状導波管型アンテナ部１１ａの複数のス
リット１５から放射された電界は、マイクロ波導入窓４
を透過して反応器１内へ導入され、処理室２内にプラズ
マが生成される。このプラズマによって載置台３上の試
料Ｗの表面がエッチングされる。

【００４１】また、マイクロ波発振器３０による発振と
同時的にマッチングボックス６を介して高周波電源７か
ら載置台３に高周波を印加してもよい。載置台３に高周
波を印加することにより、プラズマ中のイオンを制御し
つつ載置台３上の試料Ｗの表面をエッチングすることが
できる。

【００４２】このとき、電気的に接地してある環状の限
定プレート９２がマイクロ波導入窓４に近接して配設さ
れているため、マイクロ波は限定プレート９２の開口８
２内に導入され、そこでプラズマが生成される。これに
よって、プラズマが生成する位置を反応器１の内周面か
ら隔離させることができ、該プラズマによって反応器１
の内周面が損耗することが防止される。一方、電気的に
接地した限定プレート９２が、高周波が印加される載置
台３の対向電極として作用して、試料Ｗ上に導かれるプ
ラズマの指向性を向上させることができる。しかも、実
施の形態１で述べたのと同様にして、たとえマイクロ波
導入窓４と限定プレート９２との間に間隙８９が存在し
たとしても、不要な放電を防止することができる。

【００４３】その上、環状導波管型アンテナ部１１ａを
採用してこれからマイクロ波導入窓４を透過して処理室
２内にマイクロ波と導入させるので、反応器１の直径が
大きくても、プラズマ処理装置１０２全体のサイズを可
及的に小さくできる。従って、本実施の形態にかかる発
明は、第１の目的のみならず第２の目的をも達成するこ
とができる。

【００４４】なお、本実施の形態では、複数のスリット
１５は、環状導波管型アンテナ部１１ａ内を伝播するマ
イクロ波の進行方向に直交するように開設してあるが、
本発明はこれに限らず、前記マイクロ波の進行方向に斜
めに交わるようにスリットを開設してもよく、また、マ
イクロ波の進行方向に開設してもよい。反応器１内に生
成されたプラズマによって、アンテナ１１内を伝播する
マイクロ波の波長が変化して、環状導波管型アンテナ部
１１ａの周壁に通流する電流の極大値を示す位置が変化
する場合があるが、マイクロ波の進行方向に斜めに開設
したスリット又はマイクロ波の進行方向に開設したスリ
ットにあっては、電流の極大値を示す位置の変化をスリ
ットの領域内に取り込むことができる。

【００４５】また環状導波管型アンテナ部１１ａ内には
誘電体１４を装入せずに空洞になしてもよい。しかし、
環状導波管型アンテナ部１１ａ内に誘電体１４を装入し
た場合、環状導波管型アンテナ部１１ａに入射されたマ
イクロ波は誘電体１４によってその波長が１／√（ε
ｒ）倍（εｒは誘電体の比誘電率）だけ短くなる。従っ
て同じ直径の環状導波管型アンテナ部１１ａを用いた場
合、誘電体１４が装入してあるときの方が、誘電体１４
が装入していないときより、環状導波管型アンテナ部１
１ａの壁面に通流する電流が極大になる位置が多く、そ
の分、複数のスリット１５を多く開設することができ
る。そのため、処理室２内へマイクロ波をより均一に導
入することができる。

【００４６】実施の形態３：図６は本発明の実施の形態
３に係るプラズマ処理装置１０３の構造を示す側断面図
であり、図７は図６に示した範囲Ｑ近傍を拡大して示す
断面図である。なお、両図中、既述の部分に対応する部
分には同じ番号を付してその説明を省略する。

【００４７】プラズマ処理装置１０３はプラズマ処理装
置１０２と比較して、マイクロ波導入窓４の処理室２側
の面に環状凸部４ａを設けた点と、環状凸部４ａの外周
面にも被覆された導電性被膜９８を設けた点で特徴的に
異なっている。環状凸部４ａは、その外周が限定プレー
ト９２の内周端を覆い、その内周が凹部４ｂを囲んでい
る。ここでは限定プレート９２の厚さ寸法と環状凸部４
ａの高さが略同寸法に設定されている。また、導電性被
膜９８は、限定プレート９２の上面と対向するマイクロ
波導入窓４のみならず、環状凸部４ａの外周面において
も限定プレート９２とマイクロ波導入窓４の間に介在す
る。

【００４８】このようなプラズマ処理装置にあっては、
実施の形態２と同様、限定プレート９２によって反応器
１の内面の損耗が防止される。一方、限定プレート９２
の内周端もマイクロ波導入窓４の環状凸部４ａで覆われ
ているため、限定プレート９２の内周端もプラズマから
隔離され、プラズマによる損耗が防止される。そのた
め、限定プレート９２の損耗に起因するパーティクルの
発生が抑制される。

【００４９】しかも、環状凸部４ａの外周面と限定プレ
ート９２の内周端との間の不要な放電をも防止できる。
従って、本実施の形態にかかる発明も、第１及び第２の
目的の双方を達成することができる。

【００５０】

【発明の効果】この第１の発明にかかるプラズマ処理装
置によれば、発生するプラズマの指向性を向上させつ
つ、不要な放電を防止できる。

【００５１】この第２の発明にかかるプラズマ処理装置
によれば、処理室の内壁の不要な損耗を防止でき、パー
ティクルの発生が防止され、試料の汚染が回避される。

【００５２】この第３の発明にかかるプラズマ処理装置
によれば、導電性部材自身の損耗を防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１にかかるプラズマ処理
装置１０１の構造を示す側断面図である。

【図２】 図１における範囲Ｐ近傍を拡大して示す断面
図である。

【図３】 限定プレート９１の形状を例示する平面図で
ある。

【図４】 本発明の実施の形態２に係るプラズマ処理装
置１０２の構造を示す側断面図である。

【図５】 プラズマ処理装置１０２の平面図である。

【図６】 本発明の実施の形態３に係るプラズマ処理装
置１０３の構造を示す側断面図である。

【図７】 図６における範囲Ｑ近傍を拡大して示す断面
図である。

【図８】 従来のプラズマ処理装置２００の構造を示す
側断面図である。

【図９】 プラズマ処理装置２００の平面図である。

【符号の説明】

１，３１ 処理室、４，３４ マイクロ波導入窓、９
１，９２ 限定プレート、９６〜９８ 導電性被膜、１
０１〜１０３ プラズマ処理装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 DA11 DA16 DA19 DD03 DD08 DK03 DM06 DM09 DM29 DN02 DN03 5F004 AA14 AA16 BA20 BB13 BB14 BB29 BD01 CA06 5F045 BB14 DP04 DQ05 EB03 EB13 EC05 EH02 EH03

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料が収納された反応器へマイクロ波導
   入窓を介してマイクロ波を導入し、該マイクロ波により
   前記反応器内においてプラズマを生成し、前記試料にプ
   ラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、 前記マイクロ波導入窓に近接して導電性部材が設けられ
   ており、かつ、前記マイクロ波導入窓の前記導電性部材
   と対面する部分が導電性被膜で被覆されていることを特
   徴とするプラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 前記反応器の内壁と前記マイクロ波導入
   窓との間に前記導電性部材が介在することを特徴とす
   る、請求項１記載のプラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 前記導電性部材の前記反応器の内壁とは
   反対側の端が、前記導電性被膜が被覆された前記マイク
   ロ波導入窓で覆われることを特徴とする、請求項２記載
   のプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】 前記導電性部材はマイクロ波限定部材で
   あって、前記マイクロ波導入窓の前記マイクロ波限定部
   材と対面する部分が前記導電性被膜で被覆されているこ
   とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の
   プラズマ処理装置。
5. 【請求項５】 前記導電性部材は対向電極であって、前
   記マイクロ波導入窓の前記対向電極と対面する部分が前
   記導電性被膜で被覆されていることを特徴とする請求項
   １乃至３のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】 前記導電性被膜がＳｉＣ，Ｓｉ，Ｃおよ
   びＡｌのいずれか一種または複数で形成されていること
   を特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載のプ
   ラズマ処理装置。