JP2000349309A - 太陽電池モジュールの封止方法 - Google Patents
太陽電池モジュールの封止方法Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、被ラミネート体を均一に加熱し
てラミネートすることができる太陽電池モジュールの封
止方法を提供することにある。 【解決手段】 ヒータ１５が設けられた載置盤１４を有
する下部チャンバ１２と、膨張可能なダイアフラム２１
を有し上記下部チャンバに対して相対的に開閉可能に設
けられた上部チャンバ１３とを具備し、上記載置盤上に
載置される太陽電池モジュールと封止部材との被ラミネ
ート体をラミネートする太陽電池モジュールの封止方法
において、上記ダイアフラムを所定温度に予熱する工程
と、上記載置盤上に上記被ラミネート体を供給する工程
と、上記下部チャンバと上部チャンバとを閉じこれらチ
ャンバ内を減圧して上記封止部材から脱気する工程と、
上記ダイアフラムを膨張させて上記被ラミネート体を加
圧加熱する工程とを具備したことを特徴とする。
てラミネートすることができる太陽電池モジュールの封
止方法を提供することにある。 【解決手段】 ヒータ１５が設けられた載置盤１４を有
する下部チャンバ１２と、膨張可能なダイアフラム２１
を有し上記下部チャンバに対して相対的に開閉可能に設
けられた上部チャンバ１３とを具備し、上記載置盤上に
載置される太陽電池モジュールと封止部材との被ラミネ
ート体をラミネートする太陽電池モジュールの封止方法
において、上記ダイアフラムを所定温度に予熱する工程
と、上記載置盤上に上記被ラミネート体を供給する工程
と、上記下部チャンバと上部チャンバとを閉じこれらチ
ャンバ内を減圧して上記封止部材から脱気する工程と、
上記ダイアフラムを膨張させて上記被ラミネート体を加
圧加熱する工程とを具備したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はガラス製の基板に
設けられる半導体セルを封止部材によって封止する太陽
電池モジュールの封止方法に関する。
設けられる半導体セルを封止部材によって封止する太陽
電池モジュールの封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池モジュールには単結晶シリコン
や多結晶シリコンを用いた結晶タイプの他に非晶質シリ
コンを用いたアモルファスシリコンタイプがあり、いず
れの場合であっても、シリコン自体が化学反応を起こし
易く、また物理的な衝撃にも弱いということがある。
や多結晶シリコンを用いた結晶タイプの他に非晶質シリ
コンを用いたアモルファスシリコンタイプがあり、いず
れの場合であっても、シリコン自体が化学反応を起こし
易く、また物理的な衝撃にも弱いということがある。
【０００３】そこで、上記シリコンの保護などを目的と
して上記太陽電池モジュールに形成された半導体セルを
エチレン酢酸ビニル―共重合体（以下、ＥＶＡと称す）
やエチレン―酢酸ビニル―トリアリルイソシアヌレート
３元重合架橋物（以下、ＥＶＡＴと称す）を主成分とす
る封止部材でラミネートする構造が採用されている。
して上記太陽電池モジュールに形成された半導体セルを
エチレン酢酸ビニル―共重合体（以下、ＥＶＡと称す）
やエチレン―酢酸ビニル―トリアリルイソシアヌレート
３元重合架橋物（以下、ＥＶＡＴと称す）を主成分とす
る封止部材でラミネートする構造が採用されている。
【０００４】太陽電池モジュールをＥＶＡやＥＶＡＴな
どの封止部材でラミネートする従来の装置は特開平１０
−９５０８９号公報に示されている。この公報に示され
た装置はダイアフラムを備えた上チャンバと、ヒータ盤
を備えた下チャンバとが開閉自在に設けられており、上
記ヒータ盤と上記ダイアフラムとで太陽電池モジュール
及びこれに積層された封止部材とを加圧加熱して一体化
するようにしている。
どの封止部材でラミネートする従来の装置は特開平１０
−９５０８９号公報に示されている。この公報に示され
た装置はダイアフラムを備えた上チャンバと、ヒータ盤
を備えた下チャンバとが開閉自在に設けられており、上
記ヒータ盤と上記ダイアフラムとで太陽電池モジュール
及びこれに積層された封止部材とを加圧加熱して一体化
するようにしている。
【０００５】その際、太陽電池モジュールの基板は一側
面がヒータ盤によって直接的に加熱されるが、他側面に
設けられた封止部材は上記基板を介して上記ヒータ盤か
らの伝熱によって加熱されるため、その加熱過程で基板
の一側面と他側面とには温度差が生じ、その温度差で基
板に反りが生じ易い。そのため、加圧時に基板の端部が
損傷したり、基板が全体的に均一に加熱されないなどの
ことがある。
面がヒータ盤によって直接的に加熱されるが、他側面に
設けられた封止部材は上記基板を介して上記ヒータ盤か
らの伝熱によって加熱されるため、その加熱過程で基板
の一側面と他側面とには温度差が生じ、その温度差で基
板に反りが生じ易い。そのため、加圧時に基板の端部が
損傷したり、基板が全体的に均一に加熱されないなどの
ことがある。
【０００６】そこで、上記公報に示された従来技術で
は、接合された太陽電池モジュールと封止部材とからな
る被ラミネート体を、チャンバ内に搬入して加熱加圧し
てラミネートする前に、予熱ヒータによって予熱するよ
うにしている。
は、接合された太陽電池モジュールと封止部材とからな
る被ラミネート体を、チャンバ内に搬入して加熱加圧し
てラミネートする前に、予熱ヒータによって予熱するよ
うにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】被ラミネート体をラミ
ネートする前に予熱しておけば、予熱しない場合に比べ
て基板と封止部材との温度差を小さくすることができ
る。
ネートする前に予熱しておけば、予熱しない場合に比べ
て基板と封止部材との温度差を小さくすることができ
る。
【０００８】ところで、予熱ヒータによって予熱された
のち、ヒータ盤によって加熱された被ラミネート体を加
圧加熱するには、上チャンバに設けられたダイアフラム
を膨張させ、このダイアフラムを上記被ラミネート体に
接触させることで行うようにしている。
のち、ヒータ盤によって加熱された被ラミネート体を加
圧加熱するには、上チャンバに設けられたダイアフラム
を膨張させ、このダイアフラムを上記被ラミネート体に
接触させることで行うようにしている。
【０００９】しかしながら、上記ダイアフラムは通常、
ヒータ盤に比べてかなり低い温度にあるから、このダイ
アフラムを膨張させて上記被ラミネート体に接触させる
と、このダイアアフラムがラミネート体の熱を奪うこと
になる。
ヒータ盤に比べてかなり低い温度にあるから、このダイ
アフラムを膨張させて上記被ラミネート体に接触させる
と、このダイアアフラムがラミネート体の熱を奪うこと
になる。
【００１０】そのため、被ラミネート体は、ヒータ盤に
接触する面側と、ダイアフラムに接触する面側とでかな
りの温度差が生じることになる。そのため、その温度差
によって基板が反り、その状態で加圧加熱されることで
損傷や温度むらが生じることがあり、とくに温度にむら
が生じると、封止部材の熱収縮が不均一になって皺が発
生するということもある。
接触する面側と、ダイアフラムに接触する面側とでかな
りの温度差が生じることになる。そのため、その温度差
によって基板が反り、その状態で加圧加熱されることで
損傷や温度むらが生じることがあり、とくに温度にむら
が生じると、封止部材の熱収縮が不均一になって皺が発
生するということもある。
【００１１】この発明は、太陽電池モジュールと封止部
材との被ラミネート体を均一に加熱してラミネートする
ことができるようにした太陽電池モジュールの封止方法
を提供することにある。
材との被ラミネート体を均一に加熱してラミネートする
ことができるようにした太陽電池モジュールの封止方法
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ヒー
タが設けられた載置盤を有する下部チャンバと、膨張可
能なダイアフラムを有し上記下部チャンバに対して相対
的に開閉可能に設けられた上部チャンバとを具備し、上
記載置盤上に載置される太陽電池モジュールと封止部材
との被ラミネート体をラミネートする太陽電池モジュー
ルの封止方法において、上記ダイアフラムを所定温度に
予熱する工程と、上記載置盤上に上記被ラミネート体を
供給する工程と、上記ダイアフラムを膨張させて上記被
ラミネート体を加圧加熱する工程とを具備したことを特
徴とする太陽電池モジュールの封止方法にある。
タが設けられた載置盤を有する下部チャンバと、膨張可
能なダイアフラムを有し上記下部チャンバに対して相対
的に開閉可能に設けられた上部チャンバとを具備し、上
記載置盤上に載置される太陽電池モジュールと封止部材
との被ラミネート体をラミネートする太陽電池モジュー
ルの封止方法において、上記ダイアフラムを所定温度に
予熱する工程と、上記載置盤上に上記被ラミネート体を
供給する工程と、上記ダイアフラムを膨張させて上記被
ラミネート体を加圧加熱する工程とを具備したことを特
徴とする太陽電池モジュールの封止方法にある。
【００１３】請求項２の発明は、ヒータが設けられた載
置盤を有する下部チャンバと、膨張可能なダイアフラム
を有し上記下部チャンバに対して相対的に開閉可能に設
けられた上部チャンバとを具備し、上記載置盤上に載置
される太陽電池モジュールと封止部材との被ラミネート
体をラミネートする太陽電池モジュールの封止方法にお
いて、上記ダイアフラムを所定温度に予熱する工程と、
上記載置盤上に上記被ラミネート体を供給する工程と、
上記下部チャンバと上部チャンバとを閉じこれらチャン
バ内を減圧して上記封止部材から脱気する工程と、上記
ダイアフラムを膨張させて上記被ラミネート体を加圧加
熱する工程とを具備したことを特徴とする太陽電池モジ
ュールの封止方法にある。
置盤を有する下部チャンバと、膨張可能なダイアフラム
を有し上記下部チャンバに対して相対的に開閉可能に設
けられた上部チャンバとを具備し、上記載置盤上に載置
される太陽電池モジュールと封止部材との被ラミネート
体をラミネートする太陽電池モジュールの封止方法にお
いて、上記ダイアフラムを所定温度に予熱する工程と、
上記載置盤上に上記被ラミネート体を供給する工程と、
上記下部チャンバと上部チャンバとを閉じこれらチャン
バ内を減圧して上記封止部材から脱気する工程と、上記
ダイアフラムを膨張させて上記被ラミネート体を加圧加
熱する工程とを具備したことを特徴とする太陽電池モジ
ュールの封止方法にある。
【００１４】請求項３の発明は、上記ダイアフラムは、
膨張させて上記載置盤に接触させることで予熱すること
を特徴とする請求項１記載の太陽電池モジュールの封止
方法にある。
膨張させて上記載置盤に接触させることで予熱すること
を特徴とする請求項１記載の太陽電池モジュールの封止
方法にある。
【００１５】この発明によれば、被ラミネート体を加圧
加熱する前に、ダイアフラムを所定温度に予熱しておく
ことで、上記被ラミネート体の加圧加熱時に、載置盤に
接する面側と、ダイアフラムによって加圧される面側と
に、大きな温度差が生じるのを防止することができる。
加熱する前に、ダイアフラムを所定温度に予熱しておく
ことで、上記被ラミネート体の加圧加熱時に、載置盤に
接する面側と、ダイアフラムによって加圧される面側と
に、大きな温度差が生じるのを防止することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１７】この発明に係る被ラミネート体１は、図７
に示すように単結晶タイプの太陽電池モジュール２を構
成するガラス製の基板３を有する。この基板３上には、
ＥＶＡやＥＶＡＴなどの材料からなるシート状の第１の
封止部材４、インナリード線で接続され両端に電極５を
有する複数の半導体セル６、同じくＥＶＡやＥＶＡＴな
どの材料からなるシート状の第２の封止部材７及びアル
ミ箔とフッ素樹脂などからなる裏面保護シート８が順次
積層されてなる。
に示すように単結晶タイプの太陽電池モジュール２を構
成するガラス製の基板３を有する。この基板３上には、
ＥＶＡやＥＶＡＴなどの材料からなるシート状の第１の
封止部材４、インナリード線で接続され両端に電極５を
有する複数の半導体セル６、同じくＥＶＡやＥＶＡＴな
どの材料からなるシート状の第２の封止部材７及びアル
ミ箔とフッ素樹脂などからなる裏面保護シート８が順次
積層されてなる。
【００１８】上記被ラミネート体１は図１乃至図６に示
す封止装置１１によって一体的にラミネートされる。こ
の封止装置１１は下部チャンバ１２及びこの下部チャン
バ１２に対して図示しない駆動機構によって開閉駆動さ
れる上部チャンバ１３とを有する。
す封止装置１１によって一体的にラミネートされる。こ
の封止装置１１は下部チャンバ１２及びこの下部チャン
バ１２に対して図示しない駆動機構によって開閉駆動さ
れる上部チャンバ１３とを有する。
【００１９】上記下部チャンバ１２内には上記被ラミネ
ート体１が供給される載置盤１４が設けられている。こ
の載置盤１４にはヒータ１５が内蔵され、載置盤１４に
供給された被ラミネート体１を加熱できるようになって
いる。この実施の形態では、上記被ラミネート体１は基
板３を下側にし、載置盤１４に接合するよう供給され
る。さらに、上記下部チャンバ１２の一側壁には下部吸
引孔１７が形成され、この下部吸引孔１７には下部吸引
ポンプ１６が配管接続されている。
ート体１が供給される載置盤１４が設けられている。こ
の載置盤１４にはヒータ１５が内蔵され、載置盤１４に
供給された被ラミネート体１を加熱できるようになって
いる。この実施の形態では、上記被ラミネート体１は基
板３を下側にし、載置盤１４に接合するよう供給され
る。さらに、上記下部チャンバ１２の一側壁には下部吸
引孔１７が形成され、この下部吸引孔１７には下部吸引
ポンプ１６が配管接続されている。
【００２０】上記上部チャンバ１３には、周辺部を上部
チャンバ１３の内周壁に気密に固着したダイアフラム２
１が設けられている。上部チャンバ１３の一側壁には、
ダイアフラム２１によって隔別された空間部に連通する
上部吸引孔２２が形成されている。この上部吸引孔２２
には上部吸引ポンプ２３が配管接続されている。
チャンバ１３の内周壁に気密に固着したダイアフラム２
１が設けられている。上部チャンバ１３の一側壁には、
ダイアフラム２１によって隔別された空間部に連通する
上部吸引孔２２が形成されている。この上部吸引孔２２
には上部吸引ポンプ２３が配管接続されている。
【００２１】上記構成の封止装置１１によって被ラミネ
ート体１１をラミネート、つまり半導体セル６を封止す
るには、まず、図１に示すように下部チャンバ１２に対
して上部チャンバ１３を閉じたならば、載置盤１４に設
けられたヒータ１５に通電するとともに、下部吸引ポン
プ１６を作動させて下部チャンバ１２内を減圧する。
ート体１１をラミネート、つまり半導体セル６を封止す
るには、まず、図１に示すように下部チャンバ１２に対
して上部チャンバ１３を閉じたならば、載置盤１４に設
けられたヒータ１５に通電するとともに、下部吸引ポン
プ１６を作動させて下部チャンバ１２内を減圧する。
【００２２】上記下部チャンバ１２内を減圧すること
で、図２に示すように上記ダイアフラム２１が圧力の低
い下部チャンバ１２内へ膨張して載置盤１４の上面に接
触する。この載置盤１４はヒータ１５によって加熱され
ているから、この上面に接触したダイアフラム２１も加
熱されることになる。
で、図２に示すように上記ダイアフラム２１が圧力の低
い下部チャンバ１２内へ膨張して載置盤１４の上面に接
触する。この載置盤１４はヒータ１５によって加熱され
ているから、この上面に接触したダイアフラム２１も加
熱されることになる。
【００２３】ダイアフラム２１は上記被ラミネート体１
をラミネートする温度とほぼ同じ温度に加熱される。つ
まり、ラミネート体１をラミネートする温度は、封止部
材４，７が全領域で架橋反応し、かつ封止部材４，７が
熱分解し、その分解ガスによって発泡現象が生じない温
度である、１５０℃程度で行われる。したがって、上記
ダイアフラム２１は約１５０℃程度に加熱されることに
なる。
をラミネートする温度とほぼ同じ温度に加熱される。つ
まり、ラミネート体１をラミネートする温度は、封止部
材４，７が全領域で架橋反応し、かつ封止部材４，７が
熱分解し、その分解ガスによって発泡現象が生じない温
度である、１５０℃程度で行われる。したがって、上記
ダイアフラム２１は約１５０℃程度に加熱されることに
なる。
【００２４】上記被ラミネート体１に使用される封止部
材４，７はシート状に成型加工された後、熱養生された
ものが使用される。熱養生の条件としては温度が４０〜
６０℃で、時間は６〜１２時間行うことによってラミネ
ート時の収縮がほとんど生じなくなることが実験的に確
認されている。
材４，７はシート状に成型加工された後、熱養生された
ものが使用される。熱養生の条件としては温度が４０〜
６０℃で、時間は６〜１２時間行うことによってラミネ
ート時の収縮がほとんど生じなくなることが実験的に確
認されている。
【００２５】それによって、上記封止部材４，７は内部
応力が除去されて緩やかに縮み、同時に過剰な配合物が
除去されるから、後述するラミネート時に１５０℃程度
に加熱されても、縮むなどの形状変化が生じることがほ
とんどない。
応力が除去されて緩やかに縮み、同時に過剰な配合物が
除去されるから、後述するラミネート時に１５０℃程度
に加熱されても、縮むなどの形状変化が生じることがほ
とんどない。
【００２６】ダイアフラム２１を加熱したならば、図３
に示すように上部チャンバ１３の減圧状態を解除してか
らこの上部チャンバ１３を上昇させ、被ラミネート体１
を下部チャンバ１２の載置盤１４上に供給する。
に示すように上部チャンバ１３の減圧状態を解除してか
らこの上部チャンバ１３を上昇させ、被ラミネート体１
を下部チャンバ１２の載置盤１４上に供給する。
【００２７】ついで、図４に示すように下部チャンバ１
２と上部チャンバ１３とを減圧し、上記ＥＶＡ４，７に
含まれる気体を除去したならば、図５に示すように上部
チャンバ１３の減圧状態を解除する。それによって、上
部チャンバ１３に設けられたダイアフラム２１が下方へ
膨張し、載置盤１４上に載置された被ラミネート体１に
圧接するから、この被ラミネート体１は載置盤１４とダ
イアフラム２１とによって加圧加熱されて一体化、つま
りラミネートされる。このラミネートは温度が１５０℃
程度で、時間は１０分程度行われる。
２と上部チャンバ１３とを減圧し、上記ＥＶＡ４，７に
含まれる気体を除去したならば、図５に示すように上部
チャンバ１３の減圧状態を解除する。それによって、上
部チャンバ１３に設けられたダイアフラム２１が下方へ
膨張し、載置盤１４上に載置された被ラミネート体１に
圧接するから、この被ラミネート体１は載置盤１４とダ
イアフラム２１とによって加圧加熱されて一体化、つま
りラミネートされる。このラミネートは温度が１５０℃
程度で、時間は１０分程度行われる。
【００２８】被ラミネート体１をラミネートするに際
し、この被ラミネート体１はヒータ１５が設けられた載
置盤１４と、予熱されたダイアフラム２１とによって上
下両面から加熱される。
し、この被ラミネート体１はヒータ１５が設けられた載
置盤１４と、予熱されたダイアフラム２１とによって上
下両面から加熱される。
【００２９】そのため、被ラミネート体１は厚さ方向上
面側と下面側との温度差がほとんどなくなるから、従来
のように温度差によって基板３が反り、加圧されること
で破損したり、温度分布が不均一になって封止部材４，
７の架橋反応が十分かつ確実に生じなくなるなどのこと
をなくすことができる。
面側と下面側との温度差がほとんどなくなるから、従来
のように温度差によって基板３が反り、加圧されること
で破損したり、温度分布が不均一になって封止部材４，
７の架橋反応が十分かつ確実に生じなくなるなどのこと
をなくすことができる。
【００３０】さらに、上記封止部材４，７は予め熱養生
したものを用いるようにしている。そのため、ラミネー
ト時に１５０℃程度に加熱されても、変形するというこ
とがほとんどないから、皺の発生を招いたり、半導体セ
ル６の配線がずれるなどのことを防止できる。
したものを用いるようにしている。そのため、ラミネー
ト時に１５０℃程度に加熱されても、変形するというこ
とがほとんどないから、皺の発生を招いたり、半導体セ
ル６の配線がずれるなどのことを防止できる。
【００３１】このようにして被ラミネート体１をラミネ
ートしたならば、図６に示すように下部チャンバ１２の
減圧状態を解除し、下方へ膨張したダイアフラム２１を
元の状態へ収縮させたのち、上部チャンバ１３を上昇さ
せて封止装置１１を開放し、載置盤１４上からラミネー
トされた被ラミネート体１を取り出し、上述した工程を
繰り返すことで、新たな被ラミネート体１をラミネート
する。
ートしたならば、図６に示すように下部チャンバ１２の
減圧状態を解除し、下方へ膨張したダイアフラム２１を
元の状態へ収縮させたのち、上部チャンバ１３を上昇さ
せて封止装置１１を開放し、載置盤１４上からラミネー
トされた被ラミネート体１を取り出し、上述した工程を
繰り返すことで、新たな被ラミネート体１をラミネート
する。
【００３２】この発明は上記一実施の形態に限定され
ず、種々変形可能である。たとえば、被ラミネート体と
して結晶タイプの太陽電池モジュールを例示したが、非
晶質シリコンを用いたアモルファスシリコンタイプの太
陽電池モジュールにもこの発明を適用できること、勿論
である。
ず、種々変形可能である。たとえば、被ラミネート体と
して結晶タイプの太陽電池モジュールを例示したが、非
晶質シリコンを用いたアモルファスシリコンタイプの太
陽電池モジュールにもこの発明を適用できること、勿論
である。
【００３３】また、封止装置の上部チャンバを下部チャ
ンバに対して開閉するようにしたが、下部チャンバを開
閉駆動してもよく、あるいは両者を上下動させて開閉し
てもよく、要は下部チャンバに対して上部チャンバが相
対的に開閉できる構成であればよい。
ンバに対して開閉するようにしたが、下部チャンバを開
閉駆動してもよく、あるいは両者を上下動させて開閉し
てもよく、要は下部チャンバに対して上部チャンバが相
対的に開閉できる構成であればよい。
【００３４】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、載置盤上に載
置された被ラミネート体をダイアフラムで加熱してラミ
ネートする際に、上記ダイアフラムを所定温度に予熱し
ておくようにした。
置された被ラミネート体をダイアフラムで加熱してラミ
ネートする際に、上記ダイアフラムを所定温度に予熱し
ておくようにした。
【００３５】そのため、上記被ラミネート体の載置盤に
接する面側と、ダイアフラムによって加圧される面側と
に、大きな温度差が生じるのを防止できるから、従来の
ように温度差による反りが発生して被ラミネート体を損
傷させたり、加熱温度が不均一になるのを防止すること
が可能となる。
接する面側と、ダイアフラムによって加圧される面側と
に、大きな温度差が生じるのを防止できるから、従来の
ように温度差による反りが発生して被ラミネート体を損
傷させたり、加熱温度が不均一になるのを防止すること
が可能となる。
【００３６】請求項２の発明によれば、被ラミネート体
をラミネートする前に、チャンバ内を減圧して充填材か
ら脱気するようにした。
をラミネートする前に、チャンバ内を減圧して充填材か
ら脱気するようにした。
【００３７】そのため、充填材に気泡が残留することな
く被ラミネート体をラミネートすることができる。
く被ラミネート体をラミネートすることができる。
【００３８】請求項３の発明によれば、ダイアフラムの
予熱を、載置盤に設けられたヒータによって行うように
した。
予熱を、載置盤に設けられたヒータによって行うように
した。
【００３９】上記ヒータはラミネート体をラミネートす
るために当然必要なものであるから、そのヒータを利用
することで、ダイアフラムを予熱するための専用のヒー
タを備えずにすむため、経済的である。
るために当然必要なものであるから、そのヒータを利用
することで、ダイアフラムを予熱するための専用のヒー
タを備えずにすむため、経済的である。
【図１】この発明の一実施の形態を示す封止装置を閉じ
た状態の説明図。
た状態の説明図。
【図２】同じくダイアフラムを予熱するために上部チャ
ンバを減圧した状態の説明図。
ンバを減圧した状態の説明図。
【図３】同じく載置盤に被ラミネート体を供給した状態
の説明図。
の説明図。
【図４】同じくＥＶＡの脱気をするために下部チャンバ
と上部チャンバとを減圧した状態の説明図。
と上部チャンバとを減圧した状態の説明図。
【図５】同じく被ラミネート体をラミネートするため
に、上部チャンバの減圧状態を解除してダイアフラムを
下方へ膨張させた状態の説明図。
に、上部チャンバの減圧状態を解除してダイアフラムを
下方へ膨張させた状態の説明図。
【図６】同じく封止装置を開いてラミネートされた被ラ
ミネート体を載置盤から取り出す状態の説明図。
ミネート体を載置盤から取り出す状態の説明図。
【図７】被ラミネート体の概略的構成を示す説明図。
１…被ラミネート体 ２…太陽電池モジュール ４，７…ＥＶＡ（封止部材） １２…下部チャンバ １３…上部チャンバ １４…載置盤 １５…ヒータ ２１…ダイアフラム
Claims (3)
- 【請求項１】 ヒータが設けられた載置盤を有する下部
チャンバと、膨張可能なダイアフラムを有し上記下部チ
ャンバに対して相対的に開閉可能に設けられた上部チャ
ンバとを具備し、上記載置盤上に載置される太陽電池モ
ジュールと封止部材との被ラミネート体をラミネートす
る太陽電池モジュールの封止方法において、 上記ダイアフラムを所定温度に予熱する工程と、 上記載置盤上に上記被ラミネート体を供給する工程と、 上記ダイアフラムを膨張させて上記被ラミネート体を加
圧加熱する工程とを具備したことを特徴とする太陽電池
モジュールの封止方法。 - 【請求項２】 ヒータが設けられた載置盤を有する下部
チャンバと、膨張可能なダイアフラムを有し上記下部チ
ャンバに対して相対的に開閉可能に設けられた上部チャ
ンバとを具備し、上記載置盤上に載置される太陽電池モ
ジュールと封止部材との被ラミネート体をラミネートす
る太陽電池モジュールの封止方法において、 上記ダイアフラムを所定温度に予熱する工程と、 上記載置盤上に上記被ラミネート体を供給する工程と、 上記下部チャンバと上部チャンバとを閉じこれらチャン
バ内を減圧して上記封止部材から脱気する工程と、 上記ダイアフラムを膨張させて上記被ラミネート体を加
圧加熱する工程とを具備したことを特徴とする太陽電池
モジュールの封止方法。 - 【請求項３】 上記ダイアフラムは、膨張させて上記載
置盤に接触させることで予熱することを特徴とする請求
項１記載の太陽電池モジュールの封止方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078699A JP4347454B2 (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 太陽電池モジュールの封止方法 |
| ES00105318T ES2326587T3 (es) | 1999-06-08 | 2000-03-16 | Procedimiento para encapsular un modulo fotovoltaico con un material de encapsulamiento. |
| AT00105318T ATE431968T1 (de) | 1999-06-08 | 2000-03-16 | Verfahren zur einkapselung von einem photovoltaischen modul mittels eines einkapselungsmaterials |
| DE60042226T DE60042226D1 (de) | 1999-06-08 | 2000-03-16 | Verfahren zur Einkapselung von einem photovoltaischen Modul mittels eines Einkapselungsmaterials |
| EP00105318A EP1059675B1 (en) | 1999-06-08 | 2000-03-16 | Method of encapsulating a photovoltaic module by an encapsulating material |
| AU22377/00A AU770820B2 (en) | 1999-06-08 | 2000-03-16 | Method of encapsulating a photovoltaic module by an encapsulating material and the photovoltaic module |
| US09/528,724 US6380025B1 (en) | 1999-06-08 | 2000-03-20 | Method of encapsulating a photovoltaic module by an encapsulating material and the photovoltaic module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078699A JP4347454B2 (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 太陽電池モジュールの封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349309A true JP2000349309A (ja) | 2000-12-15 |
| JP4347454B2 JP4347454B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=15722430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16078699A Expired - Lifetime JP4347454B2 (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 太陽電池モジュールの封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4347454B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100398052B1 (ko) * | 2001-07-25 | 2003-09-19 | (주)한백 | 태양 전지 모듈용 라미네이터 구조 |
| EP1923921A3 (en) * | 2006-11-16 | 2008-07-02 | NPC Incorporated | Laminating apparatus |
| US7749351B2 (en) | 2002-12-13 | 2010-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing solar cell module |
-
1999
- 1999-06-08 JP JP16078699A patent/JP4347454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100398052B1 (ko) * | 2001-07-25 | 2003-09-19 | (주)한백 | 태양 전지 모듈용 라미네이터 구조 |
| US7749351B2 (en) | 2002-12-13 | 2010-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing solar cell module |
| EP1923921A3 (en) * | 2006-11-16 | 2008-07-02 | NPC Incorporated | Laminating apparatus |
| US8028735B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-04 | Npc Incorporated | Laminating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4347454B2 (ja) | 2009-10-21 |
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