JP2000352342A - 内燃機関のスロットル制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】スロットル弁の全閉学習時及び通常の閉弁制御
時にかじりの発生を防止する。 【解決手段】イグニッションスイッチのＯＦＦ操作時
に、スロットルボアの膨張ひずみが小さく真円度が確保
されるスロットル弁周辺温度が所定値以下のとき(Ｓ１
〜Ｓ３) に、スロットル弁の目標開度ＴＧＴＶＯをフェ
ールセーフ時相当の値ＴＶＯＴＳＣＬを初期値として、
設定量ＤＴＧＴＯＶずつ減少させていき(Ｓ４，Ｓ６)
、実際の開度検出値ＴＰＳ１Ｖとこれを平均化した値
との偏差が所定以内となったときの開度検出値を平均化
して全閉位置とする学習を行う(Ｓ５→Ｓ７) 。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、内燃機関の吸気系
に介装されたスロットル弁を、目標開度になるようにア
クチュエータで開閉するスロットル制御装置に関し、特
に全閉又はその近傍に駆動されるときの制御に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、アクセル開度 (アクセルペダル踏
込み量) あるいはそれと機関回転速度等とに基づいて、
目標空気量が得られるようにスロットル弁の開度を電子
制御するスロットル制御装置がある（特開平７−１８０
５７０号公報等参照) 。

【０００３】かかるスロットル制御装置では、スロット
ル弁の開度をスロットル弁の全閉位置を基準として設定
するため、イグニッションキーのオフ時にスロットル弁
を強制的に全閉位置に駆動して、全閉位置の学習をして
いる。

【０００４】ところで、小型のスロットル制御装置で
は、廉価な構造とするため、全閉位置を規制するための
機械的なストッパーを備えておらず、スロットル弁が吸
気通路内壁（ボア）に接触した状態が全閉位置となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
小型スロットル制御装置では、全閉位置の学習毎に何度
もスロットル弁を吸気通路内壁に押し付けるため、スロ
ットル弁と吸気通路内壁との間にかじりを発生してしま
う。また、スロットル制御装置の軽量化のため、スロッ
トル弁駆動用のギアを樹脂材で形成したものでは、前記
スロットル弁押し付け時に前記ギアに加わる大きな負荷
により、ギアの耐久性が問題となる。

【０００６】また、高温時は、温度膨張によりスロット
ル弁が接触する吸気通路内壁（ボア）の真円度が変化し
てくるため、かじりを大きく発生しやすくなる。一方、
通常の制御で、例えば減速運転時などスロットル弁を全
閉に近い開度に制御するときは、スロットル弁がアンダ
ーシュートして吸気通路内壁に衝突しやすく、この場合
もかじり発生の原因となる。

【０００７】本発明は、このような従来の課題に着目し
てなされたもので、スロットル弁の全閉学習時又は全閉
近傍への制御時におけるスロットル弁と吸気通路内壁と
の間でのかじりの発生を極力抑制でき、全閉学習時に駆
動用のギアへの負荷も軽減できるようにした内燃機関の
スロットル制御装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このため請求項１に係る
発明は、図１（Ａ）に示すように、吸気系に介装された
スロットル弁の開度をスロットル開度センサによって検
出しつつ、スロットル弁を目標開度になるようにアクチ
ュエータを通電駆動して制御する内燃機関のスロットル
制御装置において、前記スロットル弁を、吸気通路内壁
に接触する全閉位置まで駆動し、該全閉位置におけるス
ロットル開度センサの検出値を学習する全閉位置学習手
段と、前記全閉位置学習手段によりスロットル弁を全閉
位置まで駆動するとき及び通常制御時にスロットル弁を
全閉に近い位置まで駆動するときの閉弁速度を、それ以
外の駆動時より小さく規制する閉弁速度規制手段と、前
記全閉位置学習手段によりスロットル弁を吸気通路内壁
に接触させるときの駆動電流を最大より十分小さい値に
規制する駆動電流規制手段と、を含んで構成したことを
特徴とする。

【０００９】請求項１に係る発明によると、機関始動前
等を含む所定の学習条件で、全閉学習手段がスロットル
弁を、吸気通路内壁に接触する全閉位置まで駆動し、該
全閉位置におけるスロットル開度センサの検出値を学習
する。

【００１０】また、通常制御時において、所定以上の減
速時等には、スロットル弁が全閉に近い開度まで閉弁駆
動される。以上のようなスロットル弁の全閉学習時や、
通常制御時における全閉に近い開度への駆動時には、閉
速度規制手段は、スロットル弁の閉弁速度を、前記以外
の駆動時より小さく規制する。

【００１１】また、全閉学習時には駆動電流規制手段に
より、スロットル弁を吸気通路内壁に接触させるときの
駆動電流を最大より十分小さい値に規制する。これによ
り、前記全閉学習時にスロットル弁が吸気通路内壁に当
たるときの閉速度が小さくなり、かつ吸気通路壁への押
し付け力も軽減されるので、かじりを抑制でき、また、
通常制御時にスロットル弁を全閉に近い開度へ駆動する
ときも、閉弁速度が小さくなってアンダーシュートを防
止でき、かじりの発生を防止できる。

【００１２】また、全閉学習時にスロットル弁の吸気通
路壁への押し付け力が、減少されることにより、スロッ
トル弁の駆動系に作用する負荷が減少し、軽量化のため
樹脂材で形成されたギアなどの耐久性を向上できる。

【００１３】また、請求項２に係る発明は図１（Ｂ）に
示すように、吸気系に介装されたスロットル弁の開度を
スロットル開度センサによって検出しつつ、スロットル
弁を目標開度になるようにアクチュエータを通電駆動し
て制御する内燃機関のスロットル制御装置において、前
記スロットル弁を、吸気通路内壁に突き当たる全閉位置
まで駆動し、該全閉位置におけるスロットル開度センサ
の検出値を学習する全閉位置学習手段と、前記スロット
ル弁周辺の温度を検出するスロットル弁周辺温度検出手
段と、前記スロットル弁周辺の温度が所定値以上のとき
は、前記全閉位置学習手段による全閉位置学習を禁止す
る全閉位置学習禁止手段と、を含んで構成したことを特
徴とする。

【００１４】請求項２に係る発明によると、スロットル
弁周辺温度検出手段によって検出されたスロットル弁周
辺の温度が所定値以上のときは、全閉位置学習禁止手段
により、全閉位置学習手段による全閉位置学習を禁止す
る。

【００１５】このようにすれば、スロットル弁周辺の温
度が高く、温度膨張によりスロットル弁が接触する吸気
通路内壁（ボア）の真円度が変化してかじりを大きく発
生しやすくなる条件下では、全閉位置学習が禁止される
ので、かじりを効果的に抑制できる。

【００１６】また、請求項３に係る発明は、前記スロッ
トル弁周辺温度検出手段は、機関冷却水温度、吸気温
度、吸入空気量を含むパラメータに基づいて、前記スロ
ットル弁周辺の温度を検出することを特徴とする。

【００１７】請求項３に係る発明によると、機関冷却水
温度によって推定される機関本体温度により機関本体か
らスロットル弁周辺への受熱量が求められ、一方、吸気
温度と吸入空気量によってスロットル弁周辺から吸入空
気中への放熱量が求められるので、これら受熱量と放熱
量とに基づいてスロットル弁周辺の温度を検出すること
ができる。

【００１８】また、請求項４に係る発明は、図１（Ｃ）
に示すように、吸気系に介装されたスロットル弁の開度
をスロットル開度センサによって検出しつつ、スロット
ル弁を目標開度になるようにアクチュエータを通電駆動
して制御する内燃機関のスロットル制御装置において、
スロットル弁の閉弁動作がアンダーシュートしやすくな
る条件を検出するアンダーシュート発生条件検出手段
と、前記アンダーシュート発生条件検出手段によりスロ
ットル弁の閉弁動作がアンダーシュートしやすくなる条
件を検出したときには、スロットル弁目標開度の下限値
を増大補正する下限値補正手段と、を含んで構成したこ
とを特徴とする。

【００１９】請求項４に係る発明によると、アンダーシ
ュート発生条件検出手段によりスロットル弁の閉弁動作
がアンダーシュートしやすくなる条件を検出したときに
は、下限値補正手段によりスロットル弁目標開度の下限
値が増大補正される。

【００２０】これにより、アンダーシュートしやすくな
る条件では、スロットル弁の閉弁速度が減少されるの
で、アンダーシュートの発生を防止でき、以ってかじり
の発生を防止できる。

【００２１】また、請求項５に係る発明は、前記アンダ
ーシュート発生条件検出手段は、スロットル制御系周辺
の温度を検出するスロットル制御系周辺温度検出手段を
含み、該スロットル制御系周辺の温度が所定温度範囲よ
り高いとき又は低いときにアンダーシュートしやすくな
る条件と検出することを特徴とする。

【００２２】請求項５に係る発明によると、電子制御式
のスロットル制御装置においては、極低温時や極高温時
には制御性能が低下してアンダーシュートを発生する可
能性が高くなる。

【００２３】そこで、このような温度状態のときを、ア
ンダーシュートしやすくなる条件と検出して、スロット
ル弁目標開度の下限値を増大補正することにより、アン
ダーシュートの発生を防止して、かじりの発生を防止で
きる。

【００２４】また、請求項６に係る発明は、前記アンダ
ーシュート発生条件検出手段は、バッテリ電圧を検出す
るバッテリ電圧検出手段を含み、該バッテリ電圧が所定
電圧範囲から外れているときにアンダーシュートしやす
くなる条件と検出することを特徴とする請求項６に係る
発明によると、電子制御式のスロットル制御装置におい
ては、バッテリ電圧が高すぎたり、低すぎたりすると、
制御性能が低下してアンダーシュートを発生する可能性
が高くなる。

【００２５】そこで、このような温度状態のときを、ア
ンダーシュートしやすくなる条件と検出して、スロット
ル弁目標開度の下限値を増大補正することにより、アン
ダーシュートの発生を防止して、かじりの発生を防止で
きる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。図２は、本発明の一実施形態のシステ
ム構成を示す。

【００２７】アクセル開度センサ１は、ドライバによっ
て踏み込まれたアクセルペダルの踏込み量（アクセル開
度) を検出する。クランク角センサ２は、単位クランク
角毎のポジション信号及び気筒行程位相差毎の基準信号
を発生し、前記ポジション信号の単位時間当りの発生数
を計測することにより、あるいは前記基準信号発生周期
を計測することにより、機関回転速度を検出できる。

【００２８】エアフローメータ３は、機関４への吸入空
気量 (単位時間当りの吸入空気量＝吸入空気流量) を検
出する。水温センサ５は、機関の冷却水温度を検出す
る。

【００２９】機関４には、燃料噴射信号によって駆動
し、燃料を直接燃焼室内に噴射供給する燃料噴射弁６、
燃焼室に装着されて点火を行う点火栓７が設けられる。
該燃焼室内への直接噴射方式により、層状燃焼によるリ
ーン化が可能となり、空燃比を広範囲に可変制御するこ
とができる。

【００３０】また、機関４の吸気通路８には、スロット
ル弁９が介装され、該スロットル弁９をその弁軸に連結
されたレバー１０を介して駆動することによって弁開度
を電子制御可能なアクチュエータ(ＤＣモータ) １１が
備えられている。前記レバー１０には、両側にリターン
スプリング１２とデフォルトスプリング１３が、連結さ
れており、アクチュエータ１１の通電をＯＦＦとした状
態では、前記リターンスプリング１２とデフォルトスプ
リング１３との付勢力がバランスする位置でスロットル
弁９が所定のデフォルト開度に保持されるようになって
いる。また、前記スロットル弁９には、該スロットル弁
９の開度を検出するスロットル開度センサ１４が設けら
れている。

【００３１】排気通路１５には、排気中の特定成分例え
ば酸素の濃度を検出することにより、燃焼混合気の空燃
比を検出する空燃比センサ１６が備えられる。さらに、
吸気温度を検出する吸気温センサ１７、前記アクチュエ
ータ１１を構成するＤＣモータの駆動電流を検出する電
流センサ１８が設けられる。

【００３２】前記各種センサ類からの検出信号、イグニ
ッションスイッチ１９のＯＮ／ＯＦＦ信号、バッテリ電
圧ＶBなどの信号は、コントロールユニット２０へ入力
される。該コントロールユニット２０は、前記各種信号
に基づいて検出される運転状態に応じて前記アクチュエ
ータ１１を駆動してスロットル弁９の開度を制御し、前
記燃料噴射弁６を駆動して燃料噴射量 (燃料供給量) を
制御し、点火時期を設定して該点火時期で前記点火栓７
を点火させる制御を行うと共に、機関の運転停止毎に後
述するスロットル弁９の全閉位置学習を行う。

【００３３】次に、前記スロットル弁の全閉位置学習
を、図３のフローチャートにしたがって説明する。ステ
ップ（図ではSと記す。以下同様) １では、前記イグニッ
ションスイッチ１９がＯＦＦとされたか否かを判定す
る。

【００３４】ステップ１で、イグニッションスイッチ１
９がＯＦＦとされたと判定されたときには、ステップ２
へ進んで、スロットル弁９周辺の温度を検出する。この
近傍に温度センサを設けて検出してもよいが、既存の温
度センサを利用して以下のように推定により求めること
もできる。即ち、前記水温センサ５によって検出される
機関冷却水温度によって推定される機関本体温度により
機関本体からスロットル弁９周辺をへの受熱量を求め、
一方、吸気温センサ１７によって検出される吸気温度と
エアフロメータ３によって検出される吸入空気量によっ
てスロットル弁９周辺から吸入空気中への放熱量を求
め、これら受熱量と放熱量とに基づいてスロットル弁９
周辺の温度を推定する。

【００３５】ステップ３では、ステップ２で推定したス
ロットル弁９周辺の温度が所定値以下であるかを判定す
る。そして、スロットル弁９周辺の温度が所定値を超え
るときは、温度膨張によりスロットル弁が装着される吸
気通路部分(スロットルチャンバ) の内壁(ボア) の真円
度が低下して、スロットル弁９の全閉学習を行うとかじ
りを生じる可能性が高いので、該全閉学習を行うことな
くこのルーチンを終了する。この全閉学習を禁止する機
能が、全閉学習禁止手段を構成する。

【００３６】ステップ３でスロットル弁９周辺の温度が
所定値以下であると判定されたときは、ステップ４以降
へ進んでスロットル弁９の全閉位置学習を行う。まず、
ステップ４では、スロットル弁９の目標開度ＴＧＴＶＯ
を所定値ＴＶＯＦＳＣＬに設定する。ここで、イグニッ
ションスイッチ１９をＯＦＦにして、アクチュエータ１
１への通電が断たれた段階で前記したようにスロットル
弁９はデフォルト開度に保持されるので、前記初期開度
としての所定値ＴＶＯＦＳＣＬは、不定であるアクセル
開度によらず、デフォルト開度近傍の開度が設定され
る。

【００３７】ステップ５では、前記スロットル開度セン
サ１４によって検出される実際のスロットル弁９の開度
ＴＰＳ１Ｖと、時系列で求めた開度検出値ＴＰＳ１Ｖを
平均化処理した開度ＴＰＳ１ＡＶとの偏差が設定値ＥＲ
ＲＴＶ以下に収束したかを判定し、収束するまでは所定
周期毎にステップ６へ進んで目標開度ＴＧＴＶＯを所定
開度ＤＴＧＴＶＯＣＬずつ減少していく。

【００３８】そして、前記ＴＰＳ１ＶとＴＰＳ１ＡＶと
の偏差が設定値ＥＲＲＴＶ以下に収束したと判定された
ときに、スロットル弁９が吸気通路壁に接触して全閉に
なったと判断し、ステップ７へ進んで、そのときのスロ
ットル弁開度検出値ＴＰＳ１Ｖを平均化処理する学習を
行い、学習結果ＴＰＳ１ＲＮをメモリ(バックアップラ
ム)に記憶する。これにより、次回の学習時は、今回学
習された値と次回検出された全閉時の検出値とが平均化
処理されて学習結果が更新されることになる。

【００３９】図４は、前記全閉学習時の様子を示し、ス
ロットル弁９が全閉に至る途中では実際のスロットル弁
９の開度ＴＰＳ１Ｖに対して平均化された開度ＴＰＳ１
ＡＶは遅れを有するので両者の間に所定以上の偏差を生
じるが、スロットル弁９が吸気通路壁に接触して全閉に
なると、平均化された開度ＴＰＳ１ＡＶが実開度ＴＰＳ
１Ｖに十分に接近して偏差が収束するので、該偏差の値
によって全閉状態を検出できる。

【００４０】そして、本発明では前記所定開度ＤＴＧＴ
ＶＯＣＬを十分小さい値(例えば1ms当たり０．０２１
°) に設定してあり、これにより、スロットル弁９の閉
弁速度が小さく制御され、以ってスロットル弁９が吸気
通路壁に接触するときの反力を小さく押さえられ、かじ
りを抑制できる。

【００４１】次に、前記全閉位置学習時における前記ア
クチュエータ１１の駆動電流の制御を、図５のフローチ
ャートにしたがって説明する。ステップ１１では、前記
全閉位置学習を実行中であるかを判定し、実行中である
ときにステップ２以降へ進んで駆動電流制御を実行す
る。

【００４２】ステップ１２では、前記電流センサ１８に
よって検出されるアクチュエータ１１(ＤＣモータ) の
駆動電流が、所定値(例えば３Ａ) 以上であるか否かを
判定する。

【００４３】そして、前記駆動電流が所定値以上と判定
されたときには、ステップ１３へ進んで、駆動電流の指
令値ＩＣＯＭを所定量減少補正する。これにより、例え
ばパルス幅変調(ＰＷＭ)で駆動電流を制御するときのパ
ルス幅ＰＷＭが次式により設定される。

【００４４】ＰＷＭ＝ＩＣＯＭ／ＩＭＡＸ・100％ ここで、ＩＭＡＸ＝ＶB（バッテリ電圧) ／ＭＯＴＲＥ
Ｓ(モータ抵抗値) そして、このようにして制御される駆動電流が、前記所
定値以下に制限されるので、全閉位置学習時にスロット
ル弁９が吸気通路壁に押し付けられる力を、十分小さい
値に規制することができ、これによっても、かじりを抑
制することができると共に、軽量化のためにスロットル
弁９の駆動用のギアを樹脂材で形成した場合には、該ギ
アに加わる力を軽減でき、ギアの耐久性を向上できる。

【００４５】次に、スロットル弁の閉弁時のアンダーシ
ュート防止機能を有した通常制御を、図６のフローチャ
ートにしたがって説明する。ステップ２１では、前記ア
クセル開度センサ１により検出されるアクセル開度とク
ランク角センサ２により検出される機関回転速度などに
基づいて、マップからの検索等により、機関の要求出力
に見合ったスロットル弁９の目標開度ＴＧＴＶＯを設定
する。

【００４６】ステップ２２では、前記目標開度ＴＧＴＶ
Ｏが所定値以下であるか否かを判定する。そして、目標
開度ＴＧＴＶＯが所定値より大きいと判定されたときに
は、該目標開度ＴＧＴＶＯを補正することなく、ステッ
プ２４へ進む。

【００４７】また、目標開度ＴＧＴＶＯが所定値以下と
判定された場合は、ステップ２３へ進んで、目標開度Ｔ
ＧＴＶＯを、前回(このルーチンの実行周期の１周期前)
設定された目標開度ＴＧＴＶＯ_n-1を変化率リミッタに
より制限される変化量ＤＴＧＴＶＯずつ変化させて設定
する(目標開度ＴＧＴＶＯ減少時には負の値を加算して
減少させ、目標開度ＴＧＴＶＯ増大時には正の値を加算
して増大させる)。

【００４８】ステップ２４では、前記のようにして設定
又は補正された目標開度ＴＧＴＶＯとなるようにスロッ
トル弁９が駆動される。このようにすれば、図７に示す
ように、通常制御での減速操作等でスロットル弁９を全
閉に近い開度まで閉じる制御を行う場合、目標開度ＴＧ
ＴＶＯが所定値以下となってからは、ステップ２１で設
定される目標開度ＴＧＴＶＯがアクセル開度の減少によ
り急減しても(鎖線で図示) 、これに影響されることな
く、設定された速度で徐々に減少するため、これに応じ
てスロットル弁９が十分小さめの所定の速度で閉弁動作
する。

【００４９】したがって、スロットル弁９のアンダーシ
ュートを防止でき、吸気通路壁に接触が回避されて、か
じりの発生を防止できる。次に、スロットル弁の閉弁時
のアンダーシュート防止機能を有した別の実施形態にか
かる通常制御を、図８のフローチャートにしたがって説
明する。

【００５０】ステップ３１では、前記アクセル開度セン
サ１により検出されるアクセル開度とクランク角センサ
２により検出される機関回転速度などに基づいて、マッ
プからの検索等により、機関の要求出力に見合ったスロ
ットル弁９の目標開度ＴＧＴＶＯを設定する。

【００５１】ステップ３２では、スロットル制御系(コ
ントロールユニット２０、アクチュエータ１１) 周辺の
温度を検出する。通常は、スロットル制御系は、スロッ
トル弁９の近傍にあるので、前記スロットル弁９周辺の
温度を推定したのと同様に推定すればよいが、スロット
ル弁９と離れている場合には、スロットル制御系の設置
個所に応じた受熱量と放熱量とを求めて温度の推定をす
るか、スロットル制御系近傍に温度センサを設ける(ま
たは別目的で近くに設けられた温度センサを用いて)な
どして検出すればよい。

【００５２】ステップ３３では、前記スロットル制御系
周辺の温度ＥＴＣＴが、良好なスロットル制御性能を確
保できる所定範囲(例えば−２０°Ｃ＜ＥＴＣＴ＜１０
０°Ｃ) にあるか否かを判定する。

【００５３】そして、前記所定範囲から外れている極低
温時または極高温時(例えばＥＴＣＴ≦−２０°Ｃ、Ｅ
ＴＣＴ≧１００°Ｃ) と判定された場合は、スロットル
制御性能の低下により、スロットル弁９閉弁駆動時にア
ンダーシュートを発生する可能性があるので、ステップ
３４へ進んで、目標開度ＴＧＴＶＯの下限値を通常時よ
り大きい値(例えば１．５°) に設定する。

【００５４】また、ステップ３３でスロットル制御系周
辺の温度ＥＴＣＴが前記所定範囲にあると判定された場
合は、ステップ３５へ進んでバッテリ電圧ＶBが良好な
スロットル制御性能を確保できる所定範囲にあるか否か
を、判定する。ここで、一般にバッテリ電圧ＶBが基準
電圧であるときに合わせてスロットル制御系をマッチン
グしており、バッテリ電圧ＶBの基準電圧からの偏差に
応じた補正がなされるが、偏差が大きく補正が大きいと
きほど、制御性能は低下する。

【００５５】そして、前記スロットル制御系周辺の温度
ＥＴＣＴが前記所定範囲から外れていると判定された場
合には、制御性能の低下により、スロットル弁９閉弁駆
動時にアンダーシュートを発生する可能性があるので、
この場合もステップ３４へ進んで、目標開度ＴＧＴＶＯ
の下限値を通常時より大きい値に設定する。

【００５６】また、ステップ３５でバッテリ電圧ＶBが
前記所定範囲にあると判定された場合は、良好なスロッ
トル制御性能が確保されるので、ステップ３６へ進んで
目標開度ＴＧＴＶＯの下限値を通常時の値(例えば、
０．５°) に設定する。

【００５７】ステップ３７では、前記のように下限値を
設定した目標開度ＴＧＴＶＯとなるようにスロットル弁
９が駆動される。このように、スロットル制御系周辺温
度やバッテリ電圧の影響による制御性能の低下で、スロ
ットル弁９閉弁駆動時にアンダーシュートを発生する可
能性がある場合は、目標開度ＴＧＴＶＯの下限値を通常
時より大きい値に設定することにより、閉弁動作終了付
近での閉弁速度が減少されてアンダーシュートの発生を
防止でき、ひいてはかじりの発生を防止できる。

【００５８】上記目標開度ＴＧＴＶＯの下限値を増大補
正する制御と、前記図６に示した閉弁速度を減少補正す
る制御とを併用してもよく(図６のステップ２４の後
に、図８のステップ３２からステップ３５を挿入す
る)、アンダーシュートをより効果的に防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の構成・機能を示すブロック図。

【図２】本発明の一実施形態のシステム構成を示す図。

【図３】同上実施形態に係るスロットル弁の全閉位置学
習の制御ルーチンを示すフローチャート。

【図４】同上全閉位置学習時のスロットル開度とその検
出値の変化の様子を示すタイムチャート。

【図５】同上全閉位置学習時の駆動電流の制御ルーチン
を示すフローチャート。

【図６】同上実施形態に係るスロットル弁の通常時の制
御ルーチンを示すフローチャート。

【図７】同上通常時の閉弁制御におけるスロットル弁目
標開度の変化の様子を示すタイムチャート。

【図８】別の実施形態に係るスロットル弁の通常時の制
御ルーチンを示すフローチャート。

【符号の説明】

１ アクセル開度センサ ４ 機関 ５ 水温センサ ９ スロットル弁 １１ アクチュエータ １７ 吸気温センサ １８ 電流センサ １９ イグニッションスイッチ ２０ コントロールユニット

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】吸気系に介装されたスロットル弁の開度を
   スロットル開度センサによって検出しつつ、スロットル
   弁を目標開度になるようにアクチュエータを通電駆動し
   て制御する内燃機関のスロットル制御装置において、 前記スロットル弁を、吸気通路内壁に接触する全閉位置
   まで駆動し、該全閉位置におけるスロットル開度センサ
   の検出値を学習する全閉位置学習手段と、 前記全閉位置学習手段によりスロットル弁を全閉位置ま
   で駆動するとき及び通常制御時にスロットル弁を全閉に
   近い位置まで駆動するときの閉弁速度を、それ以外の駆
   動時より小さく規制する閉弁速度規制手段と、 前記全閉位置学習手段によりスロットル弁を吸気通路内
   壁に接触させるときの駆動電流を最大より十分小さい値
   に規制する駆動電流規制手段と、 を含んで構成したことを特徴とする内燃機関のスロット
   ル制御装置。
2. 【請求項２】吸気系に介装されたスロットル弁の開度を
   スロットル開度センサによって検出しつつ、スロットル
   弁を目標開度になるようにアクチュエータを通電駆動し
   て制御する内燃機関のスロットル制御装置において、 前記スロットル弁を、吸気通路内壁に突き当たる全閉位
   置まで駆動し、該全閉位置におけるスロットル開度セン
   サの検出値を学習する全閉位置学習手段と、 前記スロットル弁周辺の温度を検出するスロットル弁周
   辺温度検出手段と、 前記スロットル弁周辺の温度が所定値以上のときは、前
   記全閉位置学習手段による全閉位置学習を禁止する全閉
   位置学習禁止手段と、 を含んで構成したことを特徴とする内燃機関のスロット
   ル制御装置。
3. 【請求項３】前記スロットル弁周辺温度検出手段は、機
   関冷却水温度、吸気温度、吸入空気量を含むパラメータ
   に基づいて、前記スロットル弁周辺の温度を検出するこ
   とを特徴とする請求項２に記載の内燃機関のスロットル
   制御装置。
4. 【請求項４】吸気系に介装されたスロットル弁の開度を
   スロットル開度センサによって検出しつつ、スロットル
   弁を目標開度になるようにアクチュエータを通電駆動し
   て制御する内燃機関のスロットル制御装置において、 スロットル弁の閉弁動作がアンダーシュートしやすくな
   る条件を検出するアンダーシュート発生条件検出手段
   と、 前記アンダーシュート発生条件検出手段によりスロット
   ル弁の閉弁動作がアンダーシュートしやすくなる条件を
   検出したときには、スロットル弁目標開度の下限値を増
   大補正する下限値補正手段と、 を含んで構成したことを特徴とする内燃機関のスロット
   ル制御装置。
5. 【請求項５】前記アンダーシュート発生条件検出手段
   は、スロットル制御系周辺の温度を検出するスロットル
   制御系周辺温度検出手段を含み、該スロットル制御系周
   辺の温度が所定温度範囲より高いとき又は低いときにア
   ンダーシュートしやすくなる条件と検出することを特徴
   とする請求項４に記載の内燃機関のスロットル制御装
   置。
6. 【請求項６】前記アンダーシュート発生条件検出手段
   は、バッテリ電圧を検出するバッテリ電圧検出手段を含
   み、該バッテリ電圧が所定電圧範囲から外れているとき
   にアンダーシュートしやすくなる条件と検出することを
   特徴とする請求項４に記載の内燃機関のスロットル制御
   装置。