JP2000353634A - チップインダクタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】生産効率が高く、小型化が容易であり、インダ
クタとしての性能も高いチップインダクタの製造方法を
提供する。 【解決手段】セラミックスや少なくとも表面を絶縁性に
した磁性材料等の絶縁性の平面状基材１２を設け、この
基材１２に所定間隔で複数の開口部１４の列を複数列形
成し、この各開口部１４の内面に導電体２０を形成する
とともに、各開口部１４の列の互いに隣接する列の開口
部１４間で、その開口部１４間を結ぶ部分に導電体２０
を設け、互いに隣接する開口部１４間の導電体２０同士
を絶縁状態とする。開口部１４内の導電体２０により基
材１２の表裏面の導電体２０同士を電気的に接続して、
基材１２の表裏面の導電体２０と開口部１４内の導電体
２０により螺旋状のコイルパターン２８を基材１２に形
成し、開口部１４の列に沿って１２基材を分割すること
により、チップインダクタを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁性の基材の
表面に形成された導電体膜によるコイルパターンを有し
たチップインダクタの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、チップインダクタは、特開平１０
−２０８９４１号公報に開示されているように、絶縁性
の磁性材料やその他少なくとも表面が絶縁材料の角型基
材の表面に、導電体膜を形成し、この導電体膜を形成し
てコイル部を形成していた。そして、コイル部の両端部
には電極が設けられ、回路基板表面に表面実装可能に形
成されている。コイル部の表面は、絶縁性の樹脂が塗布
され、外部との絶縁を図っていた。また、絶縁性の基板
表面に渦巻き状にコイルを形成したものもあった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、電子機器の小型化薄型化の要請によりチップ形状は
小さく薄くすると、コイル部のコイルの巻き数が少なく
インダクタとしての必要な性能が得られない場合があっ
た。また、薄型化には渦巻き状の薄膜インダクタも有効
であるがインダクタンス等の性能的に十分なものが得ら
れないものであった。また、チップ状の基材表面に導電
体を被覆し、その導電体をレーザ光により溝状に除去し
て、螺旋状のコイル部を形成するものも提案されてい
る。しかし、この場合も、チップ状の基板に１個ずつ溝
を形成していくものであり生産性が極めて悪いものであ
った。

【０００４】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
てなされたもので、生産効率が高く、小型化が容易であ
り、インダクタとしての性能も高いチップインダクタの
製造方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明のチップインダ
クタの製造方法は、セラミックスや少なくとも表面を絶
縁性にした磁性材料等の絶縁性の平面状基材を設け、こ
の基材に所定間隔で複数の開口部の列を複数列形成し、
この各開口部の内面に導電体を形成するとともに、上記
各開口部列の互いに隣接する列の開口部間で、その開口
部間を結ぶ部分に導電体を設けるものである。そして、
互いに隣接する上記開口部間の上記導電体同士を絶縁状
態とし、上記開口部内の上記導電体により上記基材表裏
面の上記導電体同士を電気的に接続して、上記基材表裏
面の上記導電体と上記開口部内の導電体により螺旋状の
コイルパターンを上記基材に形成し、上記開口部列に沿
って上記基材を分割することにより、コイルパターンを
有するチップインダクタを形成するチップインダクタの
製造方法である。

【０００６】上記開口部及び上記基材表裏面の導電体
は、メッキにより導電体膜を形成するものである。ま
た、上記基材表裏面の導電体は、メッキレジストにより
所定の位置にメッキがつかないようにするか、またはレ
ーザ光により金属薄膜等の導電体膜を除去し、コイルパ
ターン形状に形成するものである。そして、上記基材
は、多数のチップを形成するもので、少なくとも表面に
分割用の溝が縦横に形成されている。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面に基づいて説明する。図1〜図４は、この発明の
第一実施形態のチップインダクタ１０の基材１２を示
し、この基材１２は、絶縁性の磁性材料その他絶縁材料
であるセラミックスや、フェライト等の磁性材料の基材
の表面に必要に応じて絶縁皮膜を施したもの等からな
る。基材１２には、所定のピッチで開口部１４が直線状
に形成され、この開口部１４の列が、複数列所定間隔で
形成されている。さらに、個々のチップに分割される線
に沿って、基材１２の表裏面に所定の間隔で分割溝１
６，１７が、縦横に形成されている。分割溝１６は、開
口部１４に沿って形成され、各開口部１４の両側に沿っ
て２本ずつ形成されている。また、開口部１４の列と直
交する方向に分割溝１７が形成されている。なお、分割
溝１７が横切る部分の開口部１４ａは、その列方向に他
の開口部１４よりも長く形成されている。従って、分割
溝１６，１７で囲まれる部分が一つのチップインダクタ
１０を構成する。

【０００８】基材１２の表裏面及び開口部１４の内側面
には、メッキや蒸着、スパッタリング等により銅やアル
ミニウムその他の金属による金属薄膜の導電体膜２０が
設けられている。この導電体膜２０には、導電体膜２０
が除去されたパターン溝２２が一定のピッチで形成され
ている。パターン溝２２は、基材１２の表面側では分割
溝１７とほぼ平行に形成され、基材１２の裏面側では、
上記表面側のパターン溝２２対して１ピッチ分隣接する
パターン溝２２の端部と対向する様に斜めに形成されて
いる。

【０００９】基材１２を分割して形成したチップインダ
クタ１０は、図２に示すように、分割溝１７で分割され
た部分の端部が電極２４となる。電極２４は、開口部１
４ａによりチップ状の基材１２の端部全周と端面が電極
２４として形成され、表面には、ニッケルメッキ及びは
んだメッキが施される。

【００１０】分割状態では、図２に示すように、開口部
１４間の分割面２６が、側面の導電体膜２０の絶縁部と
して形成され、表裏面のパターン溝２２と接続してい
る。そして、分割面２６及びパターン溝２２の両側の導
電体膜２２が、螺旋状に一方の電極２４から他方の電極
２４までのコイルパターン２８として形成されるように
設けられている。

【００１１】この実施形態のチップインダクタの製造方
法は、まずセラミックス材料等を成形して焼成し、所望
形状の板状の基材１２を形成する。開口部１４及び分割
溝１６，１７は、焼成前に金型等で形成し、その後焼成
する。

【００１２】つぎに、メッキや蒸着、スパッタリング等
により銅やアルミニウムその他の金属による金属薄膜の
導電体膜２０を、基材１２の表裏面及び開口部１４の内
周面全面に形成する。具体的には、例えば無電解メッキ
を施した後さらに電解メッキで約２０μｍ程度の厚さに
金属薄膜を形成する。メッキは、無電解メッキのみで行
っても良いが、効率が悪いので、電解メッキと組み合わ
せる。そして、基材１２の表面では、図２の実線で示す
パターン溝２２を、レーザ光により開口部１４間の接続
部１５間を結ぶように形成する。また、基材１２の裏面
では、図３の破線で示すように、表面側のパターン溝２
２とは、開口部１４の１ピッチ隣の接続部１５間を結ぶ
ようにレーザ光でパターン溝２２を形成する。

【００１３】この後、基材１２を分割線１６，１７に沿
って分割する。さらに、コイルパターン２８が形成され
た部分には、絶縁被覆を施し、電極２４には、ニッケル
メッキ及びはんだメッキを施す。

【００１４】この実施形態のチップインダクタの製造方
法によれば、コイルパターン２８を形成するパターン溝
２２は、表裏面の面方向のみに形成すれば良く、奥行き
方向のパターンは、開口部１４とその間の接続部１５を
分離した分割面２６により、コイルパターン２８の一部
が形成される。したがって、レーザー光により奥行き方
向のパターン形成が無く、パターンの形成が容易であ
り、効率よく迅速にチップインダクタを形成することが
できる。

【００１５】また、表裏面のパターン溝２２の形成は、
レーザー光以外に、フォトエッチングにより導電体膜２
０にパターン溝２２を形成しても良い。また、これらを
組み合わせても良い。

【００１６】次にこの発明のチップインダクタの製造方
法の第二実施形態について、図５，図６を基にして説明
する。ここで、上記実施形態と同様の部材は同一の符号
を付して説明を省略する。この実施形態のチップインダ
クタ３０の製造方法は、基材１２に上記実施形態と同様
に所定ピッチの開口部１４の列を形成する。この基材１
２は、セラミックスや樹脂の絶縁材料であればよい。そ
して、所定ピッチの開口部１４の列間で、接続部１５同
士を結ぶ部分に、印刷によりメッキレジストを塗布し、
接続部１５間には、メッキレジストを塗布しないパター
ンを形成する。または、フォトレジスト材料を塗布して
開口部１４間を結ぶ部分のフォトレジストを除去して、
メッキ用のパターンを形成する。なお、フォトレジスト
を用いることにより、より精密で細かいパターンが可能
である。この状態で、基材１２を無電解メッキ液中に浸
漬し、銅や、銅とニッケル等をメッキし、さらに電解メ
ッキにより導電体膜２０を形成する。

【００１７】これにより、図示するように、開口部１４
及びその開口部１４を結ぶ部分にメッキにより導電体膜
２０が施され、この導電体膜２０及び開口部１４内の導
電体によるコイルパターン２８が形成される。また、チ
ップ状に分割される基材１２の両端部には、上記実施形
態と同様に、電極２４が形成される。

【００１８】この実施形態によっても上記実施形態と同
様の効果を得ることができ、メッキにより形成されるの
で、安価に形成可能である。

【００１９】次にこの発明のチップインダクタの製造方
法の第三実施形態について、図７を基にして説明する。
ここで、上記実施形態と同様の部材は同一の符号を付し
て説明を省略する。この実施形態のチップインダクタ４
０の製造方法は、基材１２に上記実施形態の様に所定ピ
ッチの開口部４４の列を形成する。この開口部４４はＮ
Ｃ工作機械等により、ドリルまたはパンチングで、所定
ピッチの丸孔を形成する。この基材１２もセラミックス
や樹脂の絶縁基板を用いることができる。

【００２０】次に、上記実施形態と同様に、開口部４４
間を除く部分にエッチングレジストを施し、無電解メッ
キ及び電解メッキを行う。これにより、開口部１４内に
は銅等による導電スルーホール４６が形成され、このス
ルーホール４６の列の間には、隣の列のスルーホール４
６間で導電体膜２０が形成される。この導電体膜２０と
スルーホール４６も、表裏で螺旋になるように形成し、
スルーホール４６を介してコイルパターン２８が形成さ
れる。

【００２１】この実施形態よっても、基材の種類を選ば
ず、簡単にチップインダクタを形成することができる。

【００２２】なおこの発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、インダクタの形成方法は適宜選択可能
であり、導電体パターンも、形成後にコイルパターンの
ターン数を調整可能にして、インダクタンスを調整でき
るものでもよい。また、コイルパターンの保護被覆とし
て、磁性体膜を施しても良く、磁性体塗料以外に、絶縁
層を介して磁性体金属等の磁性体薄膜を蒸着等の方法に
より形成するものでもい。さらに、磁性体塗料やその他
の磁性体膜材料は、適宜選択可能である。

【００２３】

【発明の効果】この発明のチップインダクタの製造方法
は、導電体膜によるコイルパターンをレーザ光やエッチ
ングにより簡単に大面積の基材に多数個同時形成可能で
あり、極めて生産性の良いものである。しかも微細なパ
ターンも容易に可能である。また、大出力のレーザを用
いる必要もなく、省エネルギーで、高品質、高性能のイ
ンダクタを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第一実施形態のチップインダクタを
形成する基材の斜視図である。

【図２】この第一実施形態のチップインダクタの斜視図
である。

【図３】この第一実施形態のチップインダクタを形成す
る基材の平面図である。

【図４】図３のＡ−Ａの断面図である。

【図５】この発明の第二実施形態のチップインダクタを
形成する基材の平面図である。

【図６】図５のＢ−Ｂ断面図である。

【図７】この発明の第三実施形態のチップインダクタを
形成する基材の平面図である。

【符号の説明】

１０ チップインダクタ １２ 基材 １４ 開口部 １５ 接続部 １６，１７ 分割溝 ２０ 導電体膜 ２４ 電極 ２８ コイルパターン

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性の平面状基材を設け、この基材に
   所定間隔で複数の開口部の列を複数列形成し、この各開
   口部の内面に導電体を形成するとともに、上記各開口部
   列の互いに隣接する列の間で、その列の開口部間と他の
   列の開口部を結ぶ部分に導電体を設け、互いに隣接する
   上記開口部間の上記導電体同士を絶縁状態とし、上記開
   口部内の上記導電体により上記基材表裏面の上記導電体
   同士を電気的に接続して、上記基材表裏面の上記導電体
   と上記開口部内の導電体により螺旋状のコイルパターン
   を上記基材に形成し、この後上記開口部列に沿って上記
   基材を分割することによりインダクタを形成するチップ
   インダクタの製造方法。
2. 【請求項２】 上記導電体は、レーザー光により上記開
   口部間の導電体同士を絶縁状態とし、上記開口部を介し
   て上記導電体をコイルパターンに形成する請求項１記載
   のチップインダクタの製造方法。
3. 【請求項３】 上記導電体を、エッチングによりコイル
   パターン形状に形成する請求項１記載のチップインダク
   タの製造方法。
4. 【請求項４】 上記基材は、多数のチップを形成するも
   ので、少なくとも表面に分割用の溝が縦横に形成されて
   いる請求項１，２または３記載のチップインダクタの製
   造方法。