JP2000353933A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
電子部品及びその製造方法Info
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックスとの密着強度及びはんだ濡れ性
等に優れた電極膜を有する電子部品及びその製造方法を
得る。 【解決手段】 振動電極膜２ａは、圧電セラミックス基
板１の表面に、電極下地膜２０及び中間金属膜２１を介
して形成される。電極下地膜２０、中間金属膜２１及び
振動電極膜２ａは、スパッタリング法によって形成され
る。中間金属膜２１は銅を２８〜３４重量％含有した銅
−ニッケル系合金からなる。そして、中間金属膜２１の
膜厚は、０．１〜０．３μｍの範囲内に入るように設定
される。
等に優れた電極膜を有する電子部品及びその製造方法を
得る。 【解決手段】 振動電極膜２ａは、圧電セラミックス基
板１の表面に、電極下地膜２０及び中間金属膜２１を介
して形成される。電極下地膜２０、中間金属膜２１及び
振動電極膜２ａは、スパッタリング法によって形成され
る。中間金属膜２１は銅を２８〜３４重量％含有した銅
−ニッケル系合金からなる。そして、中間金属膜２１の
膜厚は、０．１〜０．３μｍの範囲内に入るように設定
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品、特に、
セラミックス表面に電極膜を設けた電子部品及びその製
造方法に関する。
セラミックス表面に電極膜を設けた電子部品及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品において、一般に、セラミック
ス表面に電極膜を設ける場合、電極膜の材料としてＡｇ
やＣｕ等の貴金属が用いられる。このとき、電極膜とセ
ラミックスとの密着強度の向上及び電極膜のはんだ耐食
性の向上等を目的として、通常、セラミックス表面と電
極膜との間に電極下地膜を配設する。この電極下地膜の
材料としては、例えば、クロム等のようなセラミックス
との接合性の良好な金属が用いられる。
ス表面に電極膜を設ける場合、電極膜の材料としてＡｇ
やＣｕ等の貴金属が用いられる。このとき、電極膜とセ
ラミックスとの密着強度の向上及び電極膜のはんだ耐食
性の向上等を目的として、通常、セラミックス表面と電
極膜との間に電極下地膜を配設する。この電極下地膜の
材料としては、例えば、クロム等のようなセラミックス
との接合性の良好な金属が用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極下
地膜に用いられる材料は酸化し易い金属であるため、本
来その電極下地膜に求める機能であるセラミックスとの
界面酸化の他に、電極下地膜の電極膜側表面に酸化膜が
形成される。つまり、電極膜を通過してくる空気中の酸
素や電極膜中に含まれている酸素によって、電極下地膜
の表面が酸化される。この酸化膜ははんだ濡れ性が非常
に悪く、後工程において電極膜にリード端子をはんだ付
けしたり、あるいは、圧電部品を回路基板等へ実装する
際に、はんだハジキ現象として大きな問題となる。
地膜に用いられる材料は酸化し易い金属であるため、本
来その電極下地膜に求める機能であるセラミックスとの
界面酸化の他に、電極下地膜の電極膜側表面に酸化膜が
形成される。つまり、電極膜を通過してくる空気中の酸
素や電極膜中に含まれている酸素によって、電極下地膜
の表面が酸化される。この酸化膜ははんだ濡れ性が非常
に悪く、後工程において電極膜にリード端子をはんだ付
けしたり、あるいは、圧電部品を回路基板等へ実装する
際に、はんだハジキ現象として大きな問題となる。
【０００４】そこで、本発明の目的は、セラミックスと
の密着強度及びはんだ濡れ性等に優れた電極膜を有する
電子部品及びその製造方法を提供することにある。
の密着強度及びはんだ濡れ性等に優れた電極膜を有する
電子部品及びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係る電子部品は、セラミックスの表
面にスパッタリング法によって形成された電極下地膜
と、前記電極下地膜の表面にスパッタリング法によって
形成された、はんだ濡れ性及びはんだ耐食性の良好な中
間金属膜と、前記中間金属膜の表面にスパッタリング法
によって形成された電極膜とを備えたことを特徴とす
る。中間金属膜の材料としては、銅を２８〜３４重量％
含有した銅−ニッケル系合金が用いられる。そして、信
頼性の観点から、中間金属膜の膜厚は、０．１〜０．３
μｍであるこが好ましい。以上の構成において、中間金
属膜は、電極下地膜と電極膜を接合する。そして、電極
膜からの酸素をトラップして、電極下地膜の表面に酸化
膜が形成されるのを阻止する。
するため、本発明に係る電子部品は、セラミックスの表
面にスパッタリング法によって形成された電極下地膜
と、前記電極下地膜の表面にスパッタリング法によって
形成された、はんだ濡れ性及びはんだ耐食性の良好な中
間金属膜と、前記中間金属膜の表面にスパッタリング法
によって形成された電極膜とを備えたことを特徴とす
る。中間金属膜の材料としては、銅を２８〜３４重量％
含有した銅−ニッケル系合金が用いられる。そして、信
頼性の観点から、中間金属膜の膜厚は、０．１〜０．３
μｍであるこが好ましい。以上の構成において、中間金
属膜は、電極下地膜と電極膜を接合する。そして、電極
膜からの酸素をトラップして、電極下地膜の表面に酸化
膜が形成されるのを阻止する。
【０００６】また、本発明に係る電子部品の製造方法
は、セラミックスの表面に、スパッタリング法で電極下
地膜を形成する工程と、前記電極下地膜の表面に、スパ
ッタリング法で、はんだ濡れ性及びはんだ耐食性の良好
な中間金属膜を形成する工程と、前記中間金属膜の表面
に、スパッタリング法で電極膜を形成する工程とを備え
ている。以上の方法により、組成精度が高い中間金属膜
が形成される。
は、セラミックスの表面に、スパッタリング法で電極下
地膜を形成する工程と、前記電極下地膜の表面に、スパ
ッタリング法で、はんだ濡れ性及びはんだ耐食性の良好
な中間金属膜を形成する工程と、前記中間金属膜の表面
に、スパッタリング法で電極膜を形成する工程とを備え
ている。以上の方法により、組成精度が高い中間金属膜
が形成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品及び
その製造方法の一実施形態について添付図面を参照して
説明する。本実施形態では、圧電部品を例にして説明す
るが、コンデンサやインダクタ等のように、セラミック
ス表面に電極膜を設ける電子部品であれば種類は問わな
い。
その製造方法の一実施形態について添付図面を参照して
説明する。本実施形態では、圧電部品を例にして説明す
るが、コンデンサやインダクタ等のように、セラミック
ス表面に電極膜を設ける電子部品であれば種類は問わな
い。
【０００８】［圧電部品の構成］図１に示すように、圧
電部品１８は、振動電極膜２ａ，２ｂを表裏面に設けた
圧電セラミックス基板１と、２枚の外装セラミックス基
板１２，１３とで構成されている。圧電セラミックス基
板１にはＰＺＴ等のセラミックス基板が使用され、外装
セラミックス基板１２，１３には、アルミナ等のセラミ
ックス基板が使用される。振動電極膜２ａ，２ｂは厚み
すべり振動モードを利用して振動する。
電部品１８は、振動電極膜２ａ，２ｂを表裏面に設けた
圧電セラミックス基板１と、２枚の外装セラミックス基
板１２，１３とで構成されている。圧電セラミックス基
板１にはＰＺＴ等のセラミックス基板が使用され、外装
セラミックス基板１２，１３には、アルミナ等のセラミ
ックス基板が使用される。振動電極膜２ａ，２ｂは厚み
すべり振動モードを利用して振動する。
【０００９】圧電セラミックス基板１は外装セラミック
ス基板１２，１３にて挟まれ、接着剤を利用して積層体
とされる。振動電極膜２ａ，２ｂが振動するための空間
は、接着剤の厚みを利用して確保される。
ス基板１２，１３にて挟まれ、接着剤を利用して積層体
とされる。振動電極膜２ａ，２ｂが振動するための空間
は、接着剤の厚みを利用して確保される。
【００１０】図２に示すように、この積層体の左右にそ
れぞれ、外部電極膜１４，１５が形成される。外部電極
膜１４には振動電極膜２ｂの引出し部３ｂが電気的に接
続され、外部電極膜１５には振動電極膜２ａの引出し部
３ａが電気的に接続される。こうして、圧電部品１８が
得られる。
れぞれ、外部電極膜１４，１５が形成される。外部電極
膜１４には振動電極膜２ｂの引出し部３ｂが電気的に接
続され、外部電極膜１５には振動電極膜２ａの引出し部
３ａが電気的に接続される。こうして、圧電部品１８が
得られる。
【００１１】［電極膜の形成］以上の構成からなる圧電
部品１８において、振動電極膜２ａ，２ｂ及び外部電極
膜１４，１５の形成について以下に詳説する。なお、以
下の説明では、振動電極膜２ａを圧電セラミックス基板
１の表面に形成する場合を例にして説明するが、他の電
極膜２ｂ，１４，１５についても同様である。
部品１８において、振動電極膜２ａ，２ｂ及び外部電極
膜１４，１５の形成について以下に詳説する。なお、以
下の説明では、振動電極膜２ａを圧電セラミックス基板
１の表面に形成する場合を例にして説明するが、他の電
極膜２ｂ，１４，１５についても同様である。
【００１２】図３に示すように、振動電極膜２ａは、圧
電セラミックス基板１の表面に、電極下地膜２０及び中
間金属膜２１を介して形成される。圧電セラミックス基
板１の表面に接する電極下地膜２０の材料としては、例
えば、クロム、チタン、あるいはその合金を含有した金
属が用いられる。クロムやチタンは優れた親和性と活性
化エネルギー特性を有しており、セラミックスに含有す
る酸素と強い化学結合をする。また、はんだ耐食性にも
優れている。
電セラミックス基板１の表面に、電極下地膜２０及び中
間金属膜２１を介して形成される。圧電セラミックス基
板１の表面に接する電極下地膜２０の材料としては、例
えば、クロム、チタン、あるいはその合金を含有した金
属が用いられる。クロムやチタンは優れた親和性と活性
化エネルギー特性を有しており、セラミックスに含有す
る酸素と強い化学結合をする。また、はんだ耐食性にも
優れている。
【００１３】電極下地膜２０の表面に形成される中間金
属膜２１の材料としては、はんだ濡れ性及びはんだ耐食
性の良好な材料が用いられる。具体的には、銅−ニッケ
ル系合金が用いられる。銅−ニッケル系合金からなる中
間金属膜２１は、はんだ耐食性に優れていると共に、電
極下地膜２０と振動電極膜２ａを堅固に接合する。ま
た、この中間金属膜２１は、振動電極膜２ａから移動し
てきた酸素をトラップして、電極下地膜２０の表面に酸
化膜が形成されるのを阻止する。中間金属膜２１にトラ
ップされた酸素は、中間金属膜２１の振動電極膜２ａ側
の界面部分に酸化膜を形成する。しかし、銅−ニッケル
系合金からなる中間金属膜２１の表面に形成された酸化
膜は、電極下地膜の表面に酸化膜が形成された場合と異
なり、顕著なはんだ濡れ性の劣化を招かない。
属膜２１の材料としては、はんだ濡れ性及びはんだ耐食
性の良好な材料が用いられる。具体的には、銅−ニッケ
ル系合金が用いられる。銅−ニッケル系合金からなる中
間金属膜２１は、はんだ耐食性に優れていると共に、電
極下地膜２０と振動電極膜２ａを堅固に接合する。ま
た、この中間金属膜２１は、振動電極膜２ａから移動し
てきた酸素をトラップして、電極下地膜２０の表面に酸
化膜が形成されるのを阻止する。中間金属膜２１にトラ
ップされた酸素は、中間金属膜２１の振動電極膜２ａ側
の界面部分に酸化膜を形成する。しかし、銅−ニッケル
系合金からなる中間金属膜２１の表面に形成された酸化
膜は、電極下地膜の表面に酸化膜が形成された場合と異
なり、顕著なはんだ濡れ性の劣化を招かない。
【００１４】電極下地膜２０、中間金属膜２１及び振動
電極膜２ａは、膜厚精度が高い成膜工法として知られ
る、スパッタリング法によって形成される。各々の膜形
成工程は、真空状態を維持したまま、連続した工程とさ
れる。電極下地膜２０や中間金属膜２１の表面を大気に
晒すと、表面が酸化して電極下地膜２０と中間金属膜２
１との間の密着強度や中間金属膜２１と振動電極膜２ａ
との密着強度が不安定になるおそれがあるからである。
電極膜２ａは、膜厚精度が高い成膜工法として知られ
る、スパッタリング法によって形成される。各々の膜形
成工程は、真空状態を維持したまま、連続した工程とさ
れる。電極下地膜２０や中間金属膜２１の表面を大気に
晒すと、表面が酸化して電極下地膜２０と中間金属膜２
１との間の密着強度や中間金属膜２１と振動電極膜２ａ
との密着強度が不安定になるおそれがあるからである。
【００１５】ここに、中間金属膜２１の特性として、は
んだ付け性、はんだ耐食性及びはんだ濡れ性に優れ、エ
ッチングスピードが速く、かつ、比抵抗の小さいものが
好ましい。そこで、中間金属膜２１は、銅を２８〜３４
重量％含有した銅−ニッケル系合金からなるように設定
する。銅−ニッケル系合金の数値限定は、銅の含有量が
２８〜３４重量％の範囲を逸脱すると、中間金属膜２１
としての機械的強度が不足するためである。この合金組
成は、中間金属膜２１を強磁性体としないため、本実施
形態の成膜装置として用いた非磁性用のマグネトロンス
パッタリング装置に好適の合金組成である。
んだ付け性、はんだ耐食性及びはんだ濡れ性に優れ、エ
ッチングスピードが速く、かつ、比抵抗の小さいものが
好ましい。そこで、中間金属膜２１は、銅を２８〜３４
重量％含有した銅−ニッケル系合金からなるように設定
する。銅−ニッケル系合金の数値限定は、銅の含有量が
２８〜３４重量％の範囲を逸脱すると、中間金属膜２１
としての機械的強度が不足するためである。この合金組
成は、中間金属膜２１を強磁性体としないため、本実施
形態の成膜装置として用いた非磁性用のマグネトロンス
パッタリング装置に好適の合金組成である。
【００１６】従って、中間金属膜２１用のスパッタリン
グターゲットとして銅を２８〜３４重量％含有した銅−
ニッケル系合金材を使用する。スパッタリング法は、タ
ーゲット組成と略同様の組成の膜を容易に形成すること
ができるからである。その他のスパッタリング条件は、
例えば、以下に示すとおりである。 スパッタリングガス ：Ａｒ（１００％） スパッタリングガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ
グターゲットとして銅を２８〜３４重量％含有した銅−
ニッケル系合金材を使用する。スパッタリング法は、タ
ーゲット組成と略同様の組成の膜を容易に形成すること
ができるからである。その他のスパッタリング条件は、
例えば、以下に示すとおりである。 スパッタリングガス ：Ａｒ（１００％） スパッタリングガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ
【００１７】なお、スパッタリングの際、圧電セラミッ
クス基板１を加熱すれば、電極下地膜２０と圧電セラミ
ックス基板１との密着強度をさらにアップさせることが
できる。しかし、圧電セラミックス基板１を加熱する
と、圧電特性への影響が避けられないため、この点を考
慮して基板１を加熱するかどうかを決める。
クス基板１を加熱すれば、電極下地膜２０と圧電セラミ
ックス基板１との密着強度をさらにアップさせることが
できる。しかし、圧電セラミックス基板１を加熱する
と、圧電特性への影響が避けられないため、この点を考
慮して基板１を加熱するかどうかを決める。
【００１８】以上のスパッタリング条件の下で、圧電セ
ラミックス基板１の表面全面に電極下地膜２０を形成
し、この電極下地膜２０の表面に中間金属膜２１を形成
する。中間金属膜２１の膜厚は、電極下地膜２０の組成
や膜厚を考慮して所定の値に設定される。通常、電極下
地膜２０と中間金属膜２１のトータルの厚みが、従来の
電極下地膜の厚みと略等しくなる。本実施形態の場合、
中間金属膜２１の膜厚は、機械的強度や電気的特性等の
信頼性に加え、さらに、はんだ耐食性やはんだ濡れ性の
観点から、リード端子を振動電極膜２ａの引出し部３ａ
にはんだ付けする際に使用するはんだ材料等（外部電極
膜１４，１５の中間金属膜の場合は、圧電部品を回路基
板等へ実装する際に使用するはんだ材料等）を考慮して
所定の値に設定される。本実施形態の場合、図４及び図
５にそれぞれ示した高温放置（１５０℃）及びはんだ付
け（３５０℃）による中間金属膜２１のはんだ喰れ量の
変化のグラフから、中間金属膜２１の膜厚を０．１〜
０．３μｍにした。
ラミックス基板１の表面全面に電極下地膜２０を形成
し、この電極下地膜２０の表面に中間金属膜２１を形成
する。中間金属膜２１の膜厚は、電極下地膜２０の組成
や膜厚を考慮して所定の値に設定される。通常、電極下
地膜２０と中間金属膜２１のトータルの厚みが、従来の
電極下地膜の厚みと略等しくなる。本実施形態の場合、
中間金属膜２１の膜厚は、機械的強度や電気的特性等の
信頼性に加え、さらに、はんだ耐食性やはんだ濡れ性の
観点から、リード端子を振動電極膜２ａの引出し部３ａ
にはんだ付けする際に使用するはんだ材料等（外部電極
膜１４，１５の中間金属膜の場合は、圧電部品を回路基
板等へ実装する際に使用するはんだ材料等）を考慮して
所定の値に設定される。本実施形態の場合、図４及び図
５にそれぞれ示した高温放置（１５０℃）及びはんだ付
け（３５０℃）による中間金属膜２１のはんだ喰れ量の
変化のグラフから、中間金属膜２１の膜厚を０．１〜
０．３μｍにした。
【００１９】形成された中間金属膜２１の表面全面に、
さらに、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなる振動電極膜
２ａがスパッタリング法により形成される。この後、圧
電セラミックス基板１はスパッタリング装置から取り出
され、電極下地膜２０と中間金属膜２１と振動電極膜２
ａがエッチング処理される。こうして引出し部３ａを有
した円形の振動電極膜２ａが、圧電セラミックス基板１
の表面に、電極下地膜２０と中間金属膜２１を介して形
成される。
さらに、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなる振動電極膜
２ａがスパッタリング法により形成される。この後、圧
電セラミックス基板１はスパッタリング装置から取り出
され、電極下地膜２０と中間金属膜２１と振動電極膜２
ａがエッチング処理される。こうして引出し部３ａを有
した円形の振動電極膜２ａが、圧電セラミックス基板１
の表面に、電極下地膜２０と中間金属膜２１を介して形
成される。
【００２０】以上のように、電極下地膜２０と振動電極
膜２ａとの間に、はんだ濡れ性及びはんだ耐食性の良好
な中間金属膜２１を形成することにより、後工程におい
て電極膜にリード端子をはんだ付けしたり、あるいは、
圧電部品を回路基板等へ実装する際に、はんだハジキ現
象がなく、かつ、セラミックスとの密着強度が強い振動
電極膜２ａが得られる。
膜２ａとの間に、はんだ濡れ性及びはんだ耐食性の良好
な中間金属膜２１を形成することにより、後工程におい
て電極膜にリード端子をはんだ付けしたり、あるいは、
圧電部品を回路基板等へ実装する際に、はんだハジキ現
象がなく、かつ、セラミックスとの密着強度が強い振動
電極膜２ａが得られる。
【００２１】なお、本発明に係る電子部品及びその製造
方法は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。前記実施形態
は、圧電セラミックス基板１の表面全面に電極下地膜２
０や中間金属膜２１や振動電極膜２ａを形成した後、必
要な部分を残してエッチングで取り除く方法である。し
かし、スパッタリングの際に、所望の形状の開口部を有
したマスキング材を圧電セラミックス基板１の表面に被
せ、必要な部分にのみ電極下地膜２０や中間金属膜２１
や振動電極膜２ａを形成する方法であってもよい。
方法は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。前記実施形態
は、圧電セラミックス基板１の表面全面に電極下地膜２
０や中間金属膜２１や振動電極膜２ａを形成した後、必
要な部分を残してエッチングで取り除く方法である。し
かし、スパッタリングの際に、所望の形状の開口部を有
したマスキング材を圧電セラミックス基板１の表面に被
せ、必要な部分にのみ電極下地膜２０や中間金属膜２１
や振動電極膜２ａを形成する方法であってもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、セラミックス表面に、電極下地膜と、はんだ濡
れ性及びはんだ耐食性の良好な中間金属膜とを介して電
極膜を設けたので、セラミックスとの密着強度が強く、
はんだ濡れ性に優れた電極膜を得ることができる。特
に、中間金属膜の材料として、銅を２８〜３４重量％含
有した銅−ニッケル系合金を用いた場合には、電極下地
膜と電極膜との接合力が強く、電極膜からの酸素トラッ
プ能力に優れた中間金属膜が得られる。
よれば、セラミックス表面に、電極下地膜と、はんだ濡
れ性及びはんだ耐食性の良好な中間金属膜とを介して電
極膜を設けたので、セラミックスとの密着強度が強く、
はんだ濡れ性に優れた電極膜を得ることができる。特
に、中間金属膜の材料として、銅を２８〜３４重量％含
有した銅−ニッケル系合金を用いた場合には、電極下地
膜と電極膜との接合力が強く、電極膜からの酸素トラッ
プ能力に優れた中間金属膜が得られる。
【図１】本発明に係る電子部品の一実施形態である圧電
部品の構成を示す分解斜視図。
部品の構成を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した圧電部品の外観を示す斜視図。
【図３】セラミックス表面に電極膜を形成する方法を示
す一部拡大断面図。
す一部拡大断面図。
【図４】高温放置による中間金属膜のはんだ喰れ量の変
化を示すグラフ。
化を示すグラフ。
【図５】はんだ付けによる中間金属膜のはんだ喰れ量の
変化を示すグラフ。
変化を示すグラフ。
１…圧電セラミックス基板 ２ａ，２ｂ…振動電極膜 １２，１３…外装セラミックス基板 １４，１５…外部電極膜 １８…圧電部品 ２０…電極下地膜 ２１…中間金属膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 3/02 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｌ 9/02 41/22 Ｚ Ｆターム(参考） 5E001 AB01 AC04 AC09 AC10 AE00 AE03 AF02 AH03 AJ01 AZ00 5J108 BB04 CC04 FF11 JJ01 KK01 KK02 MM08
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミックスの表面にスパッタリング法
によって形成された電極下地膜と、 前記電極下地膜の表面にスパッタリング法によって形成
された、はんだ濡れ性及びはんだ耐食性の良好な中間金
属膜と、 前記中間金属膜の表面にスパッタリング法によって形成
された電極膜と、 を備えたことを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 前記中間金属膜が、銅を２８〜３４重量
％含有した銅−ニッケル系合金からなることを特徴とす
る請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 前記中間金属膜の膜厚が０．１〜０．３
μｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載
の電子部品。 - 【請求項４】 セラミックスの表面に、スパッタリング
法で電極下地膜を形成する工程と、 前記電極下地膜の表面に、スパッタリング法で、はんだ
濡れ性及びはんだ耐食性の良好な中間金属膜を形成する
工程と、 前記中間金属膜の表面に、スパッタリング法で電極膜を
形成する工程と、 を備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16591099A JP2000353933A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16591099A JP2000353933A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子部品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353933A true JP2000353933A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15821341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16591099A Pending JP2000353933A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000353933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674336B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reciprocal circuit element and communication device |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP16591099A patent/JP2000353933A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674336B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reciprocal circuit element and communication device |
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