JP2000356613A - 複合ガスセンサ - Google Patents
複合ガスセンサInfo
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】可燃性ガスや不完全燃焼ガスを低濃度から高濃
度まで、精度良く検出することができる複合ガスセンサ
を提供することにある 【解決手段】ガス検出素子１は、Ｐｄを３重量％を添加
したＳｎＯ2 からなる金属酸化物半導体からなる感ガス
体２と、該感ガス体２中に埋設したコイル状のヒータ兼
用電極３と、該ヒータ兼用電極３のコイルの略中心を貫
通するように感ガス体２中に埋設した半導体抵抗検出用
電極４とを備えており、ヒータ兼用電極３と半導体抵抗
検出用電極４との間に負荷抵抗を介して直流電圧を印加
して、ヒータ兼用電極３と半導体抵抗検出用電極４との
間の感ガス体２の抵抗値変化によって生じる負荷抵抗の
電圧を検出してガス検出を行う半導体式ガス検出と、感
ガス体２上でガスが燃焼することにより生じるヒータ兼
用電極３の抵抗値変化を検出することでガス検出を行う
接触燃焼式ガス検出とが行える。
度まで、精度良く検出することができる複合ガスセンサ
を提供することにある 【解決手段】ガス検出素子１は、Ｐｄを３重量％を添加
したＳｎＯ2 からなる金属酸化物半導体からなる感ガス
体２と、該感ガス体２中に埋設したコイル状のヒータ兼
用電極３と、該ヒータ兼用電極３のコイルの略中心を貫
通するように感ガス体２中に埋設した半導体抵抗検出用
電極４とを備えており、ヒータ兼用電極３と半導体抵抗
検出用電極４との間に負荷抵抗を介して直流電圧を印加
して、ヒータ兼用電極３と半導体抵抗検出用電極４との
間の感ガス体２の抵抗値変化によって生じる負荷抵抗の
電圧を検出してガス検出を行う半導体式ガス検出と、感
ガス体２上でガスが燃焼することにより生じるヒータ兼
用電極３の抵抗値変化を検出することでガス検出を行う
接触燃焼式ガス検出とが行える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般家庭や工業分
野において、可燃性ガスや不完全燃焼時に発生する一酸
化炭素などの不完全燃焼ガスを検出するガスセンサに関
するものである。
野において、可燃性ガスや不完全燃焼時に発生する一酸
化炭素などの不完全燃焼ガスを検出するガスセンサに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、不完全燃焼ガスの検出には、酸化
錫などの金属酸化物半導体のガスの吸着や燃焼による抵
抗値変化を検出する半導体式ガスセンサと、ガスの燃焼
熱による白金などからなる電極の抵抗値変化を検出する
接触燃焼式ガスセンサが一般的に用いられてきた。
錫などの金属酸化物半導体のガスの吸着や燃焼による抵
抗値変化を検出する半導体式ガスセンサと、ガスの燃焼
熱による白金などからなる電極の抵抗値変化を検出する
接触燃焼式ガスセンサが一般的に用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前者は高感度で低感度
からガスの検出が可能という長所を持つが、高濃度域で
抵抗値変化が飽和する。またガス濃度に対する出力の直
線性が悪く、濃度が定量化しにくいという欠点があっ
た。
からガスの検出が可能という長所を持つが、高濃度域で
抵抗値変化が飽和する。またガス濃度に対する出力の直
線性が悪く、濃度が定量化しにくいという欠点があっ
た。
【０００４】後者は逆に高濃度域でも出力が飽和するこ
となく、ガス濃度に対する出力の直線性も良好である
が、感度が小さく、低濃度のガス検出が難しいという欠
点があった。
となく、ガス濃度に対する出力の直線性も良好である
が、感度が小さく、低濃度のガス検出が難しいという欠
点があった。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みて為されたもの
で、その目的とするところは可燃性ガスや不完全燃焼ガ
スを低濃度から高濃度まで、精度良く検出することがで
きる複合ガスセンサを提供することにある。
で、その目的とするところは可燃性ガスや不完全燃焼ガ
スを低濃度から高濃度まで、精度良く検出することがで
きる複合ガスセンサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１の発明では、金属酸化物半導体からなる
感ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状のヒータ
兼用電極と、該ヒータ兼用電極のコイルの略中心を貫通
するように感ガス体中に埋設した半導体抵抗検出用電極
とを備えたガス検出素子からなり、ヒータ兼用電極と半
導体抵抗検出用電極との間の抵抗値変化によるガス検出
と、感ガス体上でガスが燃焼することにより生じるヒー
タ兼用電極の抵抗値変化によるガス検出とを同時に行う
ことを特徴とする。
めに、請求項１の発明では、金属酸化物半導体からなる
感ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状のヒータ
兼用電極と、該ヒータ兼用電極のコイルの略中心を貫通
するように感ガス体中に埋設した半導体抵抗検出用電極
とを備えたガス検出素子からなり、ヒータ兼用電極と半
導体抵抗検出用電極との間の抵抗値変化によるガス検出
と、感ガス体上でガスが燃焼することにより生じるヒー
タ兼用電極の抵抗値変化によるガス検出とを同時に行う
ことを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明では、金属酸化物半導体か
らなる感ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状の
ヒータ兼用電極と、該ヒータ兼用電極のコイルの略中心
を貫通するように感ガス体中に埋設した半導体抵抗検出
用電極とを備えたガス検出素子及び、金属酸化物半導体
からなりガス検出素子の感ガス体と燃焼活性が異なる感
ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状のヒータ兼
用電極と、該ヒータ兼用電極のコイルの略中心を貫通す
るように感ガス体中に埋設した半導体抵抗検出用電極と
を備えた参照用素子からなり、ガス検出素子或いは参照
用素子のヒータ兼用電極と半導体抵抗検出用電極との間
の抵抗値変化によるガス検出と、両素子の感ガス体上で
燃焼することにより生じる夫々のヒータ兼用電極の抵抗
値の比の変化によるガス検出を同時に行うことを特徴と
する。
らなる感ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状の
ヒータ兼用電極と、該ヒータ兼用電極のコイルの略中心
を貫通するように感ガス体中に埋設した半導体抵抗検出
用電極とを備えたガス検出素子及び、金属酸化物半導体
からなりガス検出素子の感ガス体と燃焼活性が異なる感
ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状のヒータ兼
用電極と、該ヒータ兼用電極のコイルの略中心を貫通す
るように感ガス体中に埋設した半導体抵抗検出用電極と
を備えた参照用素子からなり、ガス検出素子或いは参照
用素子のヒータ兼用電極と半導体抵抗検出用電極との間
の抵抗値変化によるガス検出と、両素子の感ガス体上で
燃焼することにより生じる夫々のヒータ兼用電極の抵抗
値の比の変化によるガス検出を同時に行うことを特徴と
する。
【０００８】請求項３の発明では、金属酸化物半導体か
らなる感ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状の
ヒータ兼用電極と、該ヒータ兼用電極のコイルの略中心
を貫通するように感ガス体中に埋設した半導体抵抗検出
用電極とを備えたガス検出素子及び、金属酸化物半導体
からなりガス検出素子の感ガス体と燃焼活性が異なる感
ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状のヒータ兼
用電極とを備えた参照用素子からなり、ガス検出素子の
ヒータ兼用電極と半導体抵抗検出用電極との間の抵抗値
変化によるガス検出と、両素子の感ガス体上で燃焼する
ことにより生じる夫々のヒータ兼用電極の抵抗値の比の
変化によるガス検出を同時に行うことを特徴とする。
らなる感ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状の
ヒータ兼用電極と、該ヒータ兼用電極のコイルの略中心
を貫通するように感ガス体中に埋設した半導体抵抗検出
用電極とを備えたガス検出素子及び、金属酸化物半導体
からなりガス検出素子の感ガス体と燃焼活性が異なる感
ガス体と、該感ガス体中に埋設したコイル状のヒータ兼
用電極とを備えた参照用素子からなり、ガス検出素子の
ヒータ兼用電極と半導体抵抗検出用電極との間の抵抗値
変化によるガス検出と、両素子の感ガス体上で燃焼する
ことにより生じる夫々のヒータ兼用電極の抵抗値の比の
変化によるガス検出を同時に行うことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施形態により説明
する。 （実施形態１）本実施形態は、図１に示すようにＰｄを
３重量％を添加したＳｎＯ2 により形成された金属酸化
物半導体からなる感ガス体２と、該感ガス体２中に埋設
したコイル状のヒータ兼用電極３と、該ヒータ兼用電極
３のコイルの略中心を貫通するように感ガス体２中に埋
設した半導体抵抗検出用電極４とを備えたガス検出素子
１から構成され、ヒータ兼用電極３の両端をパッド５
ａ，５ｂに溶接或いは導電ペーストで接続し、半導体抵
抗検出用電極４の一端をパッド６に同様に接続してあ
る。
する。 （実施形態１）本実施形態は、図１に示すようにＰｄを
３重量％を添加したＳｎＯ2 により形成された金属酸化
物半導体からなる感ガス体２と、該感ガス体２中に埋設
したコイル状のヒータ兼用電極３と、該ヒータ兼用電極
３のコイルの略中心を貫通するように感ガス体２中に埋
設した半導体抵抗検出用電極４とを備えたガス検出素子
１から構成され、ヒータ兼用電極３の両端をパッド５
ａ，５ｂに溶接或いは導電ペーストで接続し、半導体抵
抗検出用電極４の一端をパッド６に同様に接続してあ
る。
【００１０】而して本実施形態では、ヒータ兼用電極３
と半導体抵抗検出用電極４との間に負荷抵抗を介して直
流電圧を印加して、ヒータ兼用電極３と半導体抵抗検出
用電極４との間の感ガス体２の抵抗値変化によって生じ
る負荷抵抗の電圧を検出し、該検出電圧に基づいてガス
検出を行う半導体式ガス検出と、感ガス体２表面上でガ
スが燃焼することにより生じる燃焼熱でヒータ兼用電極
３の抵抗値が増加するのを検出することでガス検出を行
う接触燃焼式ガス検出とを行うのである。
と半導体抵抗検出用電極４との間に負荷抵抗を介して直
流電圧を印加して、ヒータ兼用電極３と半導体抵抗検出
用電極４との間の感ガス体２の抵抗値変化によって生じ
る負荷抵抗の電圧を検出し、該検出電圧に基づいてガス
検出を行う半導体式ガス検出と、感ガス体２表面上でガ
スが燃焼することにより生じる燃焼熱でヒータ兼用電極
３の抵抗値が増加するのを検出することでガス検出を行
う接触燃焼式ガス検出とを行うのである。
【００１１】つまり、本実施形態の複合センサは、ガス
検出素子１の感ガス体２の抵抗値が飽和しない低濃度領
域では半導体式ガスセンサとして用い、感ガス体２の抵
抗値が飽和する高濃度領域では接触燃焼式ガスセンサと
して用いることにより、両センサの短所を補い、総合的
に、低濃度領域から高濃度領域に亘って広い範囲でガス
検出をおこなうことができるのである。 （実施形態２）上記実施形態１は、ガス検出素子１のみ
で複合センサを構成するものであったが、本実施形態
は、上記ガス検出素子１に加え構造はガス検出素子１と
同じであるが、感ガス体をＳｎＯ2 のみで形成してガス
検出素子１の感ガス体２に比して燃焼活性を低くしてあ
る参照用素子を用いて両素子で複合センサを構成したも
のであり、接触燃焼式ガス検出時に、参照用素子のヒー
タ兼電極３の抵抗値と、ガス検出素子１のヒータ兼電極
３の抵抗値との比の変化に基づいてガス検出を行うよう
にした点に特徴がある。
検出素子１の感ガス体２の抵抗値が飽和しない低濃度領
域では半導体式ガスセンサとして用い、感ガス体２の抵
抗値が飽和する高濃度領域では接触燃焼式ガスセンサと
して用いることにより、両センサの短所を補い、総合的
に、低濃度領域から高濃度領域に亘って広い範囲でガス
検出をおこなうことができるのである。 （実施形態２）上記実施形態１は、ガス検出素子１のみ
で複合センサを構成するものであったが、本実施形態
は、上記ガス検出素子１に加え構造はガス検出素子１と
同じであるが、感ガス体をＳｎＯ2 のみで形成してガス
検出素子１の感ガス体２に比して燃焼活性を低くしてあ
る参照用素子を用いて両素子で複合センサを構成したも
のであり、接触燃焼式ガス検出時に、参照用素子のヒー
タ兼電極３の抵抗値と、ガス検出素子１のヒータ兼電極
３の抵抗値との比の変化に基づいてガス検出を行うよう
にした点に特徴がある。
【００１２】図２は本実施形態を用いた検出回路構成を
示し、ガス検出素子１のヒータ兼電極３と、参照用素子
１ａのヒータ兼電極３ａとを直列に接続してこの直列回
路に抵抗Ｒ１、可変抵抗ＶＲ、抵抗Ｒ２の直列回路を並
列接続してブリッジ回路を構成し、両素子１，１ａの接
続点と、可変抵抗ＶＲの摺動子端子とを出力端子とし、
両直列回路の接続端を直流電源ＶＨの接続端子としてあ
る。ここで両素子１，１ａのヒータ兼電極３、３ａの抵
抗値を等しく形成してある。また可変抵抗ＶＲはゼロ点
調整用のためで、清浄空気下で出力端子間の電圧ＶＢが
０Ｖとなるように調整される。
示し、ガス検出素子１のヒータ兼電極３と、参照用素子
１ａのヒータ兼電極３ａとを直列に接続してこの直列回
路に抵抗Ｒ１、可変抵抗ＶＲ、抵抗Ｒ２の直列回路を並
列接続してブリッジ回路を構成し、両素子１，１ａの接
続点と、可変抵抗ＶＲの摺動子端子とを出力端子とし、
両直列回路の接続端を直流電源ＶＨの接続端子としてあ
る。ここで両素子１，１ａのヒータ兼電極３、３ａの抵
抗値を等しく形成してある。また可変抵抗ＶＲはゼロ点
調整用のためで、清浄空気下で出力端子間の電圧ＶＢが
０Ｖとなるように調整される。
【００１３】一方両素子１，１ａの半導体抵抗検出用電
極４、４ａにそれぞれ負荷抵抗ＲＬ１，ＲＬ２を直列に
接続し、負荷抵抗ＲＬ１、ガス検出素子１の感ガス体２
の直列回路を直流電源ＶＣに接続すると共に、負荷抵抗
ＲＬ２、参照用素子１ａの感ガス体、ヒータ兼電極３の
直列回路を直流電源ＶＣに接続してある。
極４、４ａにそれぞれ負荷抵抗ＲＬ１，ＲＬ２を直列に
接続し、負荷抵抗ＲＬ１、ガス検出素子１の感ガス体２
の直列回路を直流電源ＶＣに接続すると共に、負荷抵抗
ＲＬ２、参照用素子１ａの感ガス体、ヒータ兼電極３の
直列回路を直流電源ＶＣに接続してある。
【００１４】而して本実施形態では、接触燃焼式ガス検
出時の検出出力として電圧ＶＢを上記のブリッジ回路の
出力端子より取り出し、また半導体式ガス検出時の検出
出力として上記負荷抵抗ＲＬ１或いはＲＬ２の両端電圧
ＶＲｌ或いはＶＲ２を取り出すのである。
出時の検出出力として電圧ＶＢを上記のブリッジ回路の
出力端子より取り出し、また半導体式ガス検出時の検出
出力として上記負荷抵抗ＲＬ１或いはＲＬ２の両端電圧
ＶＲｌ或いはＶＲ２を取り出すのである。
【００１５】ここで接触燃焼式ガス検出の検出出力は次
のようにして得られる。つまり可燃性ガスが存在する
と、ガス検出素子１の感ガス体２表面でガスが燃焼し、
燃焼熱によってヒータ兼電極３の抵抗値が増加する。一
方参照用素子１ａの感ガス体表面でも当該ガスが接触す
るが、感ガス体が燃焼活性の低い材料で形成されている
ため燃焼が生じず、そのためヒータ兼電極３ａの抵抗値
は変化しない。従ってガス検出素子１の感ガス体２の抵
抗値と、参照用素子１ａの感ガス体の抵抗値との比が変
化し、その抵抗比変化に応じた出力電圧ＶＢが発生する
ことになる。この出力電圧ＶＢはガス濃度に比例した電
圧となり、この電圧からガス濃度を判定することができ
るのである。
のようにして得られる。つまり可燃性ガスが存在する
と、ガス検出素子１の感ガス体２表面でガスが燃焼し、
燃焼熱によってヒータ兼電極３の抵抗値が増加する。一
方参照用素子１ａの感ガス体表面でも当該ガスが接触す
るが、感ガス体が燃焼活性の低い材料で形成されている
ため燃焼が生じず、そのためヒータ兼電極３ａの抵抗値
は変化しない。従ってガス検出素子１の感ガス体２の抵
抗値と、参照用素子１ａの感ガス体の抵抗値との比が変
化し、その抵抗比変化に応じた出力電圧ＶＢが発生する
ことになる。この出力電圧ＶＢはガス濃度に比例した電
圧となり、この電圧からガス濃度を判定することができ
るのである。
【００１６】これに対してガスが存在していない時は両
素子１，１ａのヒータ兼電極３，３ａの抵抗値は等しい
ので、ブリッジ回路の出力端子には出力が生じず、電圧
ＶＢは０Ｖである。
素子１，１ａのヒータ兼電極３，３ａの抵抗値は等しい
ので、ブリッジ回路の出力端子には出力が生じず、電圧
ＶＢは０Ｖである。
【００１７】接触燃焼式ガス検出の検出値たる電圧ＶＢ
は物理的変化を捕らえるものであり、図３のａ’（Ｈ2
を示す）、ｂ’（ＣＯを示す）のグラフで示すようにガ
ス濃度に対してリニアであり、高濃度でも出力が飽和す
ることがない。しかし、出力が小さい(一般に増幅回路
を使用する)ため図４のａ’，ｂ’のグラフで示す５０
０ｐｐｍ以下のガス検出は難しく、検出できたとしても
精度が悪い。
は物理的変化を捕らえるものであり、図３のａ’（Ｈ2
を示す）、ｂ’（ＣＯを示す）のグラフで示すようにガ
ス濃度に対してリニアであり、高濃度でも出力が飽和す
ることがない。しかし、出力が小さい(一般に増幅回路
を使用する)ため図４のａ’，ｂ’のグラフで示す５０
０ｐｐｍ以下のガス検出は難しく、検出できたとしても
精度が悪い。
【００１８】.一方、半導体式ガス検出は感ガス体表面
とガスとの化学反応による感ガス体の抵抗値の変化を捕
らえるものであり、図５のａ（Ｈ2を示す）、ｂ（ＣＯ
を示す）の各グラフに示すように、ガス濃度の対数に比
例して変化するため、負荷抵抗の両端電圧の出力にする
と、高濃度域では図３のａ，ｂの各グラフで示すように
高濃度域では出力電圧が飽和してしまい、ガス濃度の検
出が困難である。一方図４のａ，ｂのグラフで示すよう
に低濃度域、特に２００ｐｐｍ以下ではガス濃度の変化
に対する出力変化が大きく、低濃度のガス検出ができ
る。
とガスとの化学反応による感ガス体の抵抗値の変化を捕
らえるものであり、図５のａ（Ｈ2を示す）、ｂ（ＣＯ
を示す）の各グラフに示すように、ガス濃度の対数に比
例して変化するため、負荷抵抗の両端電圧の出力にする
と、高濃度域では図３のａ，ｂの各グラフで示すように
高濃度域では出力電圧が飽和してしまい、ガス濃度の検
出が困難である。一方図４のａ，ｂのグラフで示すよう
に低濃度域、特に２００ｐｐｍ以下ではガス濃度の変化
に対する出力変化が大きく、低濃度のガス検出ができ
る。
【００１９】尚図５はガス濃度とセンサ感度（清浄な空
気中における感ガス体の抵抗値Ｒairに対するガス中で
の感ガス体の抵抗値Ｒの比Ｒ／Ｒair）との関係を示し
ている。
気中における感ガス体の抵抗値Ｒairに対するガス中で
の感ガス体の抵抗値Ｒの比Ｒ／Ｒair）との関係を示し
ている。
【００２０】以上の本実施形態を用いてガス検出装置を
構成した場合にあっては、直流電源ＶＣ，ＶＨを通電し
てヒータ兼電極３，３ａにより加熱状態とし、半導体式
ガス検出の検出値（ＶＲ１又はＶＲ２）と、接触燃焼式
ガス検出の検出値（ＶＢ）の何れか一方或いは両方を常
時監視しておき、一定のガス濃度(例えば５００ｐｐｍ
以下）は半導体式ガス検出でガスを検出し、それ以上の
濃度では接触燃焼式ガス検出によってガスを検出するこ
とにより、非常に広範囲なガス濃度に対して精度良くガ
スを検出することができる。
構成した場合にあっては、直流電源ＶＣ，ＶＨを通電し
てヒータ兼電極３，３ａにより加熱状態とし、半導体式
ガス検出の検出値（ＶＲ１又はＶＲ２）と、接触燃焼式
ガス検出の検出値（ＶＢ）の何れか一方或いは両方を常
時監視しておき、一定のガス濃度(例えば５００ｐｐｍ
以下）は半導体式ガス検出でガスを検出し、それ以上の
濃度では接触燃焼式ガス検出によってガスを検出するこ
とにより、非常に広範囲なガス濃度に対して精度良くガ
スを検出することができる。
【００２１】尚負荷電圧ＶＲ１、ＶＲ２の何れを使うか
は適宜選択すると良い。 （実施形態３）上記実施形態２では参照用素子１ａに半
導体抵抗検出用電極４を設けて半導体式ガス検出を行う
ことができるようにしているが、本実施形態は半導体式
ガス検出をガス検出素子１のみで行うもので、図６に示
すように感ガス体２ａとこれに埋設したヒータ兼電極３
ａのみで構成した参照用素子１ａを用いている。
は適宜選択すると良い。 （実施形態３）上記実施形態２では参照用素子１ａに半
導体抵抗検出用電極４を設けて半導体式ガス検出を行う
ことができるようにしているが、本実施形態は半導体式
ガス検出をガス検出素子１のみで行うもので、図６に示
すように感ガス体２ａとこれに埋設したヒータ兼電極３
ａのみで構成した参照用素子１ａを用いている。
【００２２】図７は当該参照用素子１ａを用いた場合の
検出回路であるが、半導体抵抗検出用電極が無い参照用
素子１ａを用いるため、それに対応する負荷抵抗が存在
していない。その他の構成は実施形態２と同じであるの
で図２で示す構成要素と同じ構成要素には同じ番号、記
号を付して説明を省略する。
検出回路であるが、半導体抵抗検出用電極が無い参照用
素子１ａを用いるため、それに対応する負荷抵抗が存在
していない。その他の構成は実施形態２と同じであるの
で図２で示す構成要素と同じ構成要素には同じ番号、記
号を付して説明を省略する。
【００２３】
【発明の効果】各請求項の発明は、上述のように構成し
たので、低濃度域では高感度の半導体式ガス検出を利用
し、高濃度域では直線性の良い接触燃焼式ガス検出を利
用してガス検出ができ、そのため可燃性ガスや不完全燃
焼ガスを数ｐｐｍから数％までの広範囲の濃度のガスを
精度良く検出することができるという効果がある。
たので、低濃度域では高感度の半導体式ガス検出を利用
し、高濃度域では直線性の良い接触燃焼式ガス検出を利
用してガス検出ができ、そのため可燃性ガスや不完全燃
焼ガスを数ｐｐｍから数％までの広範囲の濃度のガスを
精度良く検出することができるという効果がある。
【図１】本発明の実施形態１及び実施形態２，３に用い
るガス検出素子の構成図である。
るガス検出素子の構成図である。
【図２】本発明の実施形態２の回路図である。
【図３】同上の高濃度域におけるガス濃度とセンサ出力
の関係説明図である。
の関係説明図である。
【図４】同上の低濃度域におけるガス濃度とセンサ出力
の関係説明図である。
の関係説明図である。
【図５】同上の半導体式ガス検出時のガス濃度とセンサ
感度の関係説明図である。
感度の関係説明図である。
【図６】本発明の実施形態３に用いる参照用素子の構成
図である。
図である。
【図７】同上の回路図である。
１ ガス検出素子 ２ 感ガス体 ３ ヒータ兼用電極 ４ 半導体抵抗検出用電極 ５ａ、５ｂ パッド ６ パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G046 AA02 AA05 AA11 BA02 BA03 BC03 BE02 BE07 DB06 DC17 DC18 DD01 EB02 EB06 FB02 FE29 FE39 2G060 AA02 AB03 AB08 AE19 AF02 AF07 AG01 BA03 BB02 BB09 HA01 HB06 HC07 HE01 KA01
Claims (3)
- 【請求項１】金属酸化物半導体からなる感ガス体と、該
感ガス体中に埋設したコイル状のヒータ兼用電極と、該
ヒータ兼用電極のコイルの略中心を貫通するように感ガ
ス体中に埋設した半導体抵抗検出用電極とを備えたガス
検出素子からなり、ヒータ兼用電極と半導体抵抗検出用
電極との間の抵抗値変化によるガス検出と、感ガス体上
でガスが燃焼することにより生じるヒータ兼用電極の抵
抗値変化によるガス検出とを同時に行うことを特徴とす
る複合ガスセンサ。 - 【請求項２】金属酸化物半導体からなる感ガス体と、該
感ガス体中に埋設したコイル状のヒータ兼用電極と、該
ヒータ兼用電極のコイルの略中心を貫通するように感ガ
ス体中に埋設した半導体抵抗検出用電極とを備えたガス
検出素子及び、金属酸化物半導体からなりガス検出素子
の感ガス体と燃焼活性が異なる感ガス体と、該感ガス体
中に埋設したコイル状のヒータ兼用電極と、該ヒータ兼
用電極のコイルの略中心を貫通するように感ガス体中に
埋設した半導体抵抗検出用電極とを備えた参照用素子か
らなり、ガス検出素子或いは参照用素子のヒータ兼用電
極と半導体抵抗検出用電極との間の抵抗値変化によるガ
ス検出と、両素子の感ガス体上で燃焼することにより生
じる夫々のヒータ兼用電極の抵抗値の比の変化によるガ
ス検出を同時に行うことを特徴とする複合ガスセンサ。 - 【請求項３】金属酸化物半導体からなる感ガス体と、該
感ガス体中に埋設したコイル状のヒータ兼用電極と、該
ヒータ兼用電極のコイルの略中心を貫通するように感ガ
ス体中に埋設した半導体抵抗検出用電極とを備えたガス
検出素子及び、金属酸化物半導体からなりガス検出素子
の感ガス体と燃焼活性が異なる感ガス体と、該感ガス体
中に埋設したコイル状のヒータ兼用電極とを備えた参照
用素子からなり、ガス検出素子のヒータ兼用電極と半導
体抵抗検出用電極との間の抵抗値変化によるガス検出
と、両素子の感ガス体上で燃焼することにより生じる夫
々のヒータ兼用電極の抵抗値の比の変化によるガス検出
を同時に行うことを特徴とする複合ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16928999A JP4091713B2 (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 複合ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16928999A JP4091713B2 (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 複合ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000356613A true JP2000356613A (ja) | 2000-12-26 |
| JP4091713B2 JP4091713B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=15883765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16928999A Expired - Fee Related JP4091713B2 (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 複合ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4091713B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3385316B2 (ja) | 2000-03-13 | 2003-03-10 | 株式会社 フジックス | コイル電極製造方法及びその装置 |
| JP3480823B2 (ja) | 1999-11-02 | 2003-12-22 | フィガロ技研株式会社 | ガスセンサ及びその製造方法 |
| JP2006047275A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-02-16 | Honda Motor Co Ltd | ガス検出装置 |
| CN114264705A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-04-01 | 苏州纳格光电科技有限公司 | 气体传感器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8893629B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-11-25 | Cnh Industrial Canada, Ltd. | System and method for coordinating product delivery with ground engaging tool position |
-
1999
- 1999-06-16 JP JP16928999A patent/JP4091713B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP3480823B2 (ja) | 1999-11-02 | 2003-12-22 | フィガロ技研株式会社 | ガスセンサ及びその製造方法 |
| JP3385316B2 (ja) | 2000-03-13 | 2003-03-10 | 株式会社 フジックス | コイル電極製造方法及びその装置 |
| JP2006047275A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-02-16 | Honda Motor Co Ltd | ガス検出装置 |
| CN114264705A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-04-01 | 苏州纳格光电科技有限公司 | 气体传感器 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4091713B2 (ja) | 2008-05-28 |
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