JP2000356976A - 電気光学装置、電子機器および電気光学パネルの駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶パネルの温度特性を補償する。 【解決手段】 液晶パネル１００に配置された温度検出
素子Ａを用いて温度検出回路４０１が温度を検出して温
度検出信号ＴＤを生成する。階調補正回路３１０は、温
度検出信号ＴＤの示す温度に応じて、入力画像信号Ｖin
に階調補正を施して補正画像信号Ｖ'を生成する。補正
画像信号Ｖ'はＳ／Ｐ変換回路３２０，増幅・反転回路
３３０を経て信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６としてデータ線駆
動回路１４０に供給される。したがって、データ線駆動
回路１４０は温度補正された信号によってデータ線１１
４を駆動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学物質を有
する電気光学パネルの温度を検出し、検出温度に応じて
階調補正を施すのに好適な電気光学装置、これを用いた
電子機器、および電気光学パネルの駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、アクティブ・マトリクス方式の
液晶表示装置は、主に、マトリクス状に配列された画素
電極の各々にスイッチング素子が設けられた素子アレイ
基板と、カラーフィルタなどが形成された対向基板と、
両基板の間に充填された液晶とから構成される。そし
て、画素電極と対向基板とその間に充填された液晶とに
より液晶層が構成される。

【０００３】このような構成において、スイッチング素
子にオン（選択状態）の信号電圧を印加すると、当該ス
イッチング素子が導通状態となる。このため、当該スイ
ッチング素子に接続された液晶層に所定の電荷が蓄積さ
れる。そして、電荷蓄積後、オフ（非選択状態）の信号
電圧を印加してスイッチング素子をオフ状態としても、
液晶層の抵抗が十分に高ければ、当該液晶層における電
荷の蓄積が維持される。このように、各スイッチング素
子を駆動して、蓄積させる電荷の量を制御すると、画素
毎に液晶の配向状態が変化して、所定の情報を表示する
ことが可能となる。この際、各画素毎の液晶層にオン状
態となる信号電圧を印加して電荷を蓄積させるのは、一
部の期間で良いため、各走査線を時分割に選択すること
により、走査線およびデータ線を複数の画素について共
通化したマルチプレックス駆動が可能となっている。

【０００４】なお、スイッチング素子としては、主に、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）な
どの３端子型ＴＦＴ素子と、薄膜ダイオード（ＴＦＤ：
ThinFilm Diode）などの２端子型非線形素子とに大別さ
れる。

【０００５】ところで、ＴＦＴ素子を用いた液晶パネル
において、１階調は駆動電圧に換算して略２０ｍＶ程度
である。一方、液晶パネルの液晶層は、その組成に応じ
た温度特性を有しており、温度に応じて閾値電圧が変化
する。このため、液晶パネルの温度が約２５度変化する
場合を想定したとき、温度変化の前後で同一階調の画像
を液晶パネルに表示しようとすれば、駆動電圧を約１０
０ｍＶの変化させる必要がある。

【０００６】このため、電源回路の一部としてダイオー
ドやサーミスタといった感温素子を設け、検出温度に応
じて駆動電圧を調整するものが開発されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、感温素
子は液晶表示装置の電源基板に配置されるので、液晶パ
ネルと感温素子との間には温度差がある。このため、温
度検出回路として高精度のものを用いたとしても、液晶
パネルの温度を正確に検出できないといった問題があっ
た。

【０００８】特に、ビデオプロジェクタのようにランプ
ユニットから高輝度の光を液晶パネルに照射する電子機
器にあっては、液晶パネルの温度と感温素子の温度との
差が大きくなり、無視できない問題となっている。

【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするとことは、液晶パネル等
の電気光学パネルの内部に温度検出素子を設け、これを
用いて電気光学パネルの温度を直接検出し、検出温度に
応じた階調補正を施す電気光学装置、電子機器、および
電気光学パネルの駆動方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の電気光学装置は、階調値を指示する入力階
調信号に基づいて、電気光学物質を有する電気光学パネ
ルに画像を形成するものであって、前記電気光学パネル
の内部に設けられた温度検出素子と、前記温度検出素子
を用いて前記電気光学パネルの温度を検出し、検出温度
を示す温度検出信号を出力する温度検出手段と、前記温
度検出信号に基づいて、前記入力階調信号に階調補正を
施して補正階調信号を出力する階調補正手段と、前記補
正階調信号に基づいて、前記電気光学パネルを駆動する
駆動手段とを備えることを特徴とする。

【００１１】この構成によれば、温度検出素子を用いて
電気光学パネルの内部温度を検出し、検出温度に応じた
階調補正を施すことができるので、電気光学パネルに形
成する画像の品質を向上させることができる。

【００１２】また、上述した電気光学装置において、前
記温度検出素子は、前記電気光学物質の一部として構成
され、前記温度検出手段は、前記温度検出素子の容量に
基づいて前記電気光学パネルの温度を検出するものであ
ってもよい。この場合には、温度検出素子として電気光
学パネルの電気光学物質を用いるので、電気光学パネル
の製造過程で温度検出素子をその内部に容易に作り込む
ことができる。また、例えば、液晶は温度に対する容量
変化が大ききので、電気光学物質として液晶を用いた場
合には、電気光学パネルの温度変化を大きな容量変化と
して検出することができ、温度検出の精度を向上させる
ことができる。

【００１３】また、この場合の温度検出手段は、基準コ
ンデンサと前記温度検出素子とに電流を供給する電流供
給部と、前記基準コンデンサの充電電圧と前記温度検出
素子の充電電圧とを比較する比較部と、前記比較部の比
較結果に基づいて、前記温度検出素子の容量変化に応じ
た前記温度検出信号を生成する信号生成部とを備えるこ
とが望ましい。この構成によれば、温度検出素子の容量
が温度に応じて変化すると、そこに充電される充電電圧
を変化するので、充電電圧に基づいて電気光学パネルの
温度を検知することができる。また、温度検出素子の充
電電圧と基準コンデンサの充電電圧の比較結果に基づい
て温度検出信号を生成するので、温度変化を精度よく検
出することができる。この場合、信号生成部は、電流供
給部の電流供給開始から、比較部によって温度検出素子
の充電電圧が基準コンデンサの充電電圧を越えたことを
検知するまでの時間に基づいて温度検出信号を生成する
ことが好ましい。

【００１４】次に、上述した電気光学装置において、前
記電気光学パネルは、前記電気光学物質と、複数の走査
線と、複数のデータ線と、前記走査線および前記データ
線の交差に対応して少なくとも配置されたスイッチング
素子とを備え、前記温度検出素子は、前記スイッチング
素子の一部として構成され、前記温度検出手段は、前記
温度検出素子の直流特性に基づいて前記電気光学パネル
の温度を検出するものであってもよい。この場合には、
温度検出素子として電気光学パネルのスイッチング素子
を用いるので、電気光学パネルの製造過程で温度検出素
子をその内部に容易に作り込むことができる。また、温
度変化に伴ってスイッチング素子の直流特性（例えば、
オン電流やオフ抵抗）が変化するので、スイッチング素
子の直流特性に基づいて電気光学パネルの温度を検出す
ることができる。

【００１５】次に、上述した電気光学装置において、前
記電気光学パネルは、前記電気光学物質と、複数の走査
線と、複数のデータ線と、前記走査線および前記データ
線の交差に対応して少なくとも配置されたスイッチング
素子とを備え、前記温度検出素子は、前記スイッチング
素子の一部として構成され、前記温度検出手段は、前記
スイッチング素子の交流特性に基づいて前記電気光学パ
ネルの温度を検出するものであってもよい。この場合に
も、温度検出素子として電気光学パネルのスイッチング
素子を用いるので、電気光学パネルの製造過程で温度検
出素子をその内部に容易に作り込むことができる。ま
た、温度が上昇するとスイッチング素子の交流特性が変
化するので、スイッチング素子の交流特性に基づいて電
気光学パネルの温度を検出することができる。

【００１６】この場合には、前記温度検出素子は、前記
スイッチング素子の一部を用いて構成された発振回路で
あり、前記温度検出手段は、前記スイッチング素子のキ
ャリア移動度に応じて変化する前記発振回路の発振周波
数に基づいて、前記電気光学パネルの温度を検出するこ
とが望ましい。温度上昇に伴ってキャリア移動度が増加
すると、スイッチング素子の応答速度が高速になるの
で、発振回路の発振周波数が高くなる。したがって、発
振回路の発振周波数に基づいて、電気光学パネルの温度
を検出することができる。ここで、発振回路をスイッチ
ング素子で構成されるインバータを用いたリングオシレ
ータで構成すれば、回路構成を簡易なものにすることが
できる。

【００１７】次に、上述した電気光学装置において、前
記電気光学パネルは、前記電気光学物質と、複数の走査
線と、複数のデータ線と、前記走査線および前記データ
線の交差に対応して少なくとも配置されたスイッチング
素子とを備え、前記温度検出素子は、前記電気光学物質
の一部と、当該電気光学物質に接続されるとともにオン
状態になるように設定された前記スイッチング素子の一
部とから構成され、前記温度検出手段は、前記温度検出
素子のインピーダンスに基づいて前記電気光学パネルの
温度を検出するものであってもよい。この構成によれ
ば、温度検出素子として電気光学パネルの電気光学物質
およびスイッチング素子を用いるので、電気光学パネル
の製造過程で温度検出素子をその内部に容易に作り込む
ことができる。また、温度変化に伴って温度検出素子の
インピーダンスが変化するから、温度検出素子のインピ
ーダンスに基づいて電気光学パネルの温度を検出するこ
とができる。

【００１８】ここで、前記温度検出手段は、一定周波数
の試験信号を発生する信号発生手段と、電流を検出する
電流検出手段と、前記試験信号を前記電流検出手段を介
して前記温度検出素子に供給する信号供給手段と、前記
電流検出手段によって検出された電流に基づいて、前記
電気光学パネルの温度を検出することが望ましい。この
場合、電気光学パネルの温度変化に伴って温度検出素子
のインピーダンスが変化すると、電流検出手段を流れる
電流が変化するので、当該電流に基づいて、電気光学パ
ネルの温度を検出することができる。

【００１９】次に、上述した電気光学装置において、前
記階調補正手段は、前記入力階調信号が取り得る各階調
値に各々対応付けて前記補正階調信号を記憶する記憶部
と、前記温度検出信号に基づいて前記記憶部に記憶され
た前記補正階調信号を更新する更新部と、前記入力階調
信号に応じて前記記憶部から読み出した前記補正階調信
号を前記駆動手段に出力する読出部とを備えることが望
ましい。この場合には、温度検出信号に基づいて記憶部
に記憶された補正階調信号が更新されることになるの
で、電気光学パネルの温度に応じて階調補正を実行する
ことができる。

【００２０】ここで、前記更新部は、予め定められた時
間間隔で前記補正階調信号の更新を実行するものであ
り、電源投入から時間が経過するにつれ長い時間間隔で
前記補正階調信号の更新を実行することが望ましい。電
気光学パネルの温度は、電源投入の直後に急上昇し、時
間が経過するにつれ、温度の上昇率が減少し、やがて平
衡状態に達するとある温度に落ち着く。この例によれ
ば、温度の変化率が大きい期間では補正階調信号の更新
間隔を短くできるので、階調補正を高い精度で実行する
ことができる。

【００２１】また、上述した電気光学装置において、前
記温度検出素子は前記電気光学パネルの中心に対してほ
ぼ対称に複数個配置することが望ましい。この場合に
は、電気光学パネルの内で温度差があったとしても、平
均的な温度に基づいて階調補正を行うことができる。

【００２２】次に、本発明の電子機器は、上述した電気
光学装置を備えることを特徴とするものであって、例え
ば、ビデオプロジェクタ、モバイル型のパーソナルコン
ピュータ、携帯電話機などが該当する。

【００２３】次に、本発明の電気光学パネルの駆動方法
は、入力階調信号に基づいて、電気光学物質を有する電
気光学パネルを駆動するものであって、前記電気光学パ
ネルの内部に設けられた温度検出素子を用いて前記電気
光学パネルの温度を検出し、検出された温度に対応する
補正階調信号を前記入力階調信号の取り得る各階調値に
各々対応付けて記憶し、前記入力階調信号に基づいて記
憶した補正階調信号を読み出し、読み出された補正階調
信号に基づいて前記電気光学パネルを駆動することを特
徴とする。この発明によれば、温度検出素子を用いて電
気光学パネルの内部温度を検出し、検出温度に応じた階
調補正を施すことができるので、電気光学パネルに形成
する画像の品質を向上させることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００２５】＜第１実施形態＞まず、本発明の第１実施
形態に係る電気光学装置について、電気光学物質として
液晶を用いた液晶装置を例にとって説明する。

【００２６】＜液晶装置＞図１は、この液晶装置の電気
的な構成を示すブロック図である。この図に示されるよ
うに、液晶装置は、液晶パネル１００と、タイミングジ
ェネレータ２００と、画像信号処理回路３００と、温度
検出回路４０１とを備える。このうち、タイミングジェ
ネレータ２００は、各部で使用されるタイミング信号や
制御信号などを出力するものである。

【００２７】また、画像信号処理回路３００内部におけ
る階調補正回路３１０は、入力画像信号Ｖinに階調補正
を施して補正画像信号Ｖ'を生成する。ここで、階調補
正とは、一般に、狭義には液晶の印加電圧に対する透過
率特性（ＶＴ特性）やガンマ特性の補正を意味し、広義
には画像処理の上で必要とされる階調−階調変換を意味
する。本実施形態においては、前者の意味に用いるが、
本発明はこれに限定する趣旨ではなく、電気光学物質の
表示特性を補正するために必要な階調−階調変換を意味
する。

【００２８】次に、Ｓ／Ｐ変換回路３２０は、１系統の
補正画像信号Ｖ'を入力すると、これを６系統の画像信
号にシリアル−パラレル変換して出力するものである。
ここで、画像信号を６系統にシリアル−パラレル変換す
る理由は、データ線駆動回路１４０の内部に設けられた
サンプリング回路において、サンプリング用のスイッチ
を構成するＴＦＴのソース領域への画像信号の印加時間
を長くして、サンプリング時間および充放電時間を十分
に確保するためである。

【００２９】一方、増幅・反転回路３３０は、シリアル
−パラレル変換された画像信号のうち、反転が必要とな
るものを反転させ、この後、適宜、増幅して画像信号Ｖ
ＩＤ１〜ＶＩＤ６として液晶パネル１００に対し並列的
に供給するものである。なお、反転するか否かについて
は、一般には、データ信号の印加方式が走査線１１２
単位の極性反転であるか、データ線１１４単位の極性
反転であるか、画素単位の極性反転であるかに応じて
定められ、その反転周期は、１水平走査期間またはドッ
トクロック周期に設定される。なお、極性反転とは、画
像信号の振幅中心電位を基準として正極性と負極性に交
互に電圧レベルを反転させることをいう。

【００３０】また、温度検出回路４０１は、液晶パネル
１００の内部に設けられた温度検出素子Ａを用いて液晶
パネル１００の温度を検出して、その内部温度を示す温
度検出信号ＴＤを生成するように構成されている。な
お、温度検出回路４０１の詳細な構成については後述す
る。

【００３１】＜液晶パネル＞次に、液晶パネル１００の
電気的な構成について説明する。液晶パネル１００は、
後述するように、素子基板と対向基板とが互いに電極形
成面を対向して貼付された構成となっている。このう
ち、素子基板にあっては、図１に示すようにＸ方向に沿
って平行に複数本の走査線１１２が配列して形成され、
また、これと交差するＹ方向に沿って平行に複数本のデ
ータ線１１４が形成されている。そして、これらの走査
線１１２とデータ線１１４との各交点においては、各画
素を制御するためのスイッチたるＴＦＴ１１６のゲート
電極が走査線１１２に接続される一方、ＴＦＴ１１６の
ソース電極がデータ線１１４に接続されるとともに、Ｔ
ＦＴ１１６のドレイン電極が画素電極１１８に接続され
ている。そして、各画素は、画素電極１１８と、対向基
板に形成された共通電極（後述）と、これら両電極間に
挟持された液晶とによって構成される結果、走査線１１
２とデータ線１１４との各交点に対応して、マトリクス
状に配列することとなる。なお、このほかに、蓄積容量
（図示省略）が、各画素毎に、電気的にみて、画素電極
１１８と共通電極とに挟持された液晶に対して並列に形
成される構成としても良い。

【００３２】さて、駆動回路１２０は、少なくとも走査
線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０からなり、
後述するように、透明性および絶縁性を有するガラス等
からなる素子基板の対向面にあって、表示領域の周辺部
に形成されるものである。ここで、駆動回路１２０の構
成素子は、画素を駆動するＴＦＴ１１６と共通の製造プ
ロセスで形成されるＰチャネル型ＴＦＴおよびＮチャネ
ル型ＴＦＴを組み合わせて構成されるため、製造効率の
向上や、製造コストの低下、素子特性の均一化などが図
られている。

【００３３】また、液晶パネル１００には、温度検出素
子Ａが設けられている。この温度検出素子Ａとしては、
温度に応じてその特性が変化するものであれば、どのよ
うなものでもよいが、液晶パネル１００を構成する素材
と同一のものを用いることができれば、同一の製造プロ
セスによって温度検出素子Ａを作り込むことができる。
一方、液晶は温度に応じて誘電率が大きく変化する。ま
た、ＴＦＴは温度に応じてオン抵抗やキャリア移動度が
変化する。したがって、温度検出素子Ａとして、液晶
（広義には電気光学物質）、ＴＦＴ（広義にはスイッ
チング素子）、液晶とＴＦＴとの組み合わせといった
３態様が考えられる。本実施形態においては、温度検出
素子Ａとして液晶を用いるものとする。

【００３４】次に、液晶パネル１００の機械的な構成に
ついて図２および図３を参照して説明する。ここで、図
２は、液晶パネル１００の構成を示す平面図であり、図
３は、図２におけるＡ−Ａ’断面図である。

【００３５】これらの図に示されるように、液晶パネル
１００は、画素電極１１８等が形成されたガラスや、半
導体、石英などの素子基板１０１と、共通電極１０８等
が形成されたガラスなどの透明な対向基板１０２とが、
スペーサ１０３の混入されたシール材１０４によって一
定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように
貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学物質と
しての液晶１０５が封入された構造となっている。な
お、シール材１０４は、対向基板１０２の基板周辺に沿
って形成されるが、液晶１０５を封入するために一部が
開口している。このため、液晶１０５の封入後に、その
開口部分が封止材１０６によって封止されている。

【００３６】ここで、素子基板１０１の対向面であっ
て、シール材１０４の外側一辺においては、上述したデ
ータ線駆動回路１４０が形成されて、Ｙ方向に延在する
データ線１１４を駆動する構成となっている。さらに、
この一辺には複数の外部回路接続端子１０７が形成され
て、タイミングジェネレータ２００および画像信号処理
回路３００からの各種信号を入力する構成となってい
る。また、この一辺に隣接する２辺には、２個の走査線
駆動回路１３０が形成されて、Ｘ方向に延在する走査線
１１２をそれぞれ両側から駆動する構成となっている。
なお、走査線１１２に供給される走査信号の遅延が問題
にならないのであれば、走査線駆動回路１３０を片側１
個だけに形成する構成でも良い。

【００３７】一方、対向基板１０２の共通電極１０８
は、素子基板１０１との貼合部分における４隅のうち、
少なくとも１箇所において設けられた導通材によって、
素子基板１０１との電気的導通が図られている。ほか
に、対向基板１０２には、液晶パネル１００の用途に応
じて、例えば、第１に、ストライプ状や、モザイク状、
トライアングル状等に配列したカラーフィルタが設けら
れ、第２に、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料
や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した
樹脂ブラックなどの遮光膜１０９（額縁）が設けられ、
第３に、液晶パネル１００に光を照射するバックライト
が必要に応じて設けられる。なお、色光変調の用途の場
合には、カラーフィルタは形成されずに遮光膜１０９が
対向基板１０２に設けられる。

【００３８】くわえて、素子基板１０１および対向基板
１０２の対向面には、それぞれ所定の方向にラビング処
理された配向膜（図示省略）などが設けられる一方、そ
の各背面側には配向方向に応じた偏光板（図示省略）が
それぞれ設けられる。ただし、液晶１０５として、高分
子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用い
れば、前述の配向膜や偏光板などが不要となる結果、光
利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化などの
点において有利である。

【００３９】なお、駆動回路１２０等の周辺回路の一部
または全部を、素子基板１０１に形成する替わりに、例
えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いて
フィルムに実装された駆動用ＩＣチップを、素子基板１
０１の所定位置に設けられる異方性導電フィルムを介し
て電気的および機械的に接続する構成としても良いし、
駆動用ＩＣチップ自体を、ＣＯＧ（Chip On Grass）技
術を用いて、素子基板１０１の所定位置に異方性導電フ
ィルムを介して電気的および機械的に接続する構成とし
ても良い。

【００４０】このような構成において、画像表示領域
は、遮光膜１０９の内側に形成される。したがって、シ
ール材１０４の内周から遮光膜１０９の内周までの領域
は、液晶１０５が注入されているが、画像表示には寄与
しない非表示領域である。上述した温度検出素子Ａは非
表示領域に設けられている。本実施形態のように温度検
出素子Ａとして液晶を用いる場合には、非表示領域中の
液晶を用いることになる。

【００４１】＜温度検出回路＞次に、本実施形態で用い
る温度検出回路４０１について説明する。温度検出回路
の構成を示す回路図を図４に示す。なお、この例におい
ては、温度検出素子Ａとして液晶を用いるものとする。

【００４２】図４に示すように、温度検出回路４０１
は、電源部として、一端が接地され端子１０ａからから
直流電圧Ｖａを給電する電源１０と、電源１０に直列接
続され直流電圧Ｖｂを端子１１ａから給電する電源１１
とを備えている。端子１０ａは基準コンデンサＣrefと
液晶１９とに接続され、これにより電圧Ｖａが基準コン
デンサＣrefと液晶１９の低電位側端子に給電される。
また、電源１１の電圧Ｖｂは、第１および第２の定電流
源１２，１３に給電されるようになっている。

【００４３】第１および第２の定電流源１２，１３は、
例えば、カレントミラー回路によって構成され、これに
より、電流ｉが可変抵抗器１４を介して基準コンデンサ
Ｃrefに流れ込むとともに、液晶１９にも同じ大きさの
電流ｉが流れ込むようになっている。なお、説明の便宜
上、定電流源１２と可変抵抗器１４との接続点をＸ1、
接続点Ｘ1の電圧をＶx1、定電流源１３と液晶１９との
接続点をＹ1、接続点Ｙ1の電圧をＶy1と称することにす
る。

【００４４】次に、接続点Ｘ1は第１のスイッチ１５を
介して電源１０の端子１０ａに接続されるとともに、接
続点Ｙ1は第２のスイッチ１６を介して端子１０ａに接
続されている。ここで、第１および第２のスイッチ１
５，１６は、制御パルスCTLによって制御され、制御パ
ルスCTLがＨレベルでオン状態となる一方、Ｌレベルで
オフ状態となるように構成されている。第１および第２
のスイッチ１５，１６がオン状態になると、接続点Ｘ
1，Ｙ1がともに端子１０ａと短絡されるので、基準コン
デンサＣrefおよび液晶１９に充電された電圧が放電さ
れる一方、第１および第２のスイッチ１５，１６がオフ
状態になると、基準コンデンサＣrefおよび液晶１９が
充電されることになる。したがって、制御パルスCTLの
論理レベルを適宜設定することによって、基準コンデン
サＣrefおよび液晶１９への充電・放電を制御すること
ができる。

【００４５】次に、パルスジエネレータＰＧは、予め定
められたパルス幅の制御パルスCTLを一定時間間隔毎に
発生するように構成されている。

【００４６】次に、コンパレータ１７は、電圧Ｖy1と電
圧Ｖx1とを比較して、比較結果を出力信号Ｖoutとして
カウンタ１８に供給するように構成されている。なお、
コンパレータ１７は、ごく小さいオフセット電圧を有し
ており、電圧Ｖy1と電圧Ｖx1が等しいときには、出力信
号ＶoutがＬレベルになるようになっている。

【００４７】また、カウンタ１８は、制御パルスCTLが
ＨレベルからＬレベルに変化した後、出力信号Ｖoutが
ＬレベルからＨレベルに変化するまでの期間を計測する
ように構成されている。具体的には当該期間においてタ
イミングジエネレータ２００から供給されるクロック信
号ＣＬＫをカウントし、カウント結果を温度検出信号Ｔ
Ｄとして出力するようになっている。

【００４８】次に、温度検出回路４０１の動作を図５〜
図７を参照しつつ説明する。図５は液晶の印加電圧に対
する容量の変化の一例を示す図である。一般に、液晶
は、閾値電圧の前後で、すなわち、液晶分子が寝ている
状態と立っている状態で、比抵抗および誘電率が変化す
る。このため、図５に示すように液晶に印加する電圧を
変化させると、その容量が印加電圧に応じて変化する。
また、液晶の閾値電圧は、温度が低くくなるにつれて、
高電圧側にシフトする。この例の温度検出回路４０１
は、上述した液晶の性質を利用して温度を検出するもの
である。

【００４９】図６は、温度検出回路４０１の動作を示す
タイミングチャートである。まず、制御パルスCTLがＨ
レベルの期間（時刻ｔ１以前）にあっては、第１および
第２のスイッチ１５，１６がオン状態になり、接続点Ｘ
1，Ｙ1が端子１０ａに短絡されている。したがって、こ
の期間にあっては、コンパレータ１７の出力信号Ｖout
はＬレベルとなる。

【００５０】この後、時刻ｔ１において、制御パルスCT
LがＨレベルからＬレベルに変化したとすると、第１お
よび第２のスイッチ１５，１６がオフ状態となる。する
と、定電流源１２，１３から基準コンデンサＣrefおよ
び液晶１９へ電流ｉが流れ込み、充電が開始し、電圧Ｖ
x1，Ｖy1が上昇する。ここで、図７は、電圧Ｖx1および
電圧Ｖy1と時間との関係を示したものである。なお、同
図において、Ｘ軸の原点は時刻ｔ１、Ｙ軸の原点は電圧
Ｖａを基準にしている。

【００５１】この図に示すように、時刻ｔ１から充電が
開始されると、電圧Ｖx1，Ｖy1が上昇する。ただし、可
変抵抗器１４の抵抗値をＲとすれば、時刻ｔ１における
電圧Ｖx1はＶａ＋ｉ・Ｒとなる一方、電圧Ｖy1はＶａと
なる。

【００５２】この後、時間が経過するにつれ、電圧Ｖx1
が直線的に増加する。これは、電圧Ｖx1は、電圧Ｖａに
可変抵抗器１４の降下電圧Ｒ・ｉと基準コンデンサＣre
fの充電電圧とを加えたものであり、基準コンデンサＣr
efには定電流で充電が行われるからである。一方、液晶
１９の容量は、図５に示すように印加電圧が増加すると
これに伴って増加するため、電圧Ｖy1は曲線的に増加す
る。

【００５３】そして、電圧Ｖy1が、時刻ｔ２において電
圧Ｖx1を上回ると、図６に示すようにコンパレータ１７
の出力信号ＶoutがＬレベルからＨレベルに変化する。
ここで、カウンタ１８は時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期
間Ｔに入来するクロック信号ＣＬＫを計数して温度検出
信号ＴＤを生成する。

【００５４】ところで、ある電圧が印加されたときの液
晶の容量は、図５に示すように、温度が高い程大きくな
る。このため、液晶１９の充電電圧である電圧Ｖy1は、
図７に示すように温度が高い程、低電圧となる。したが
って、液晶１９への充電が開始されてから、電圧Ｖy1が
ある基準電圧を上回るまでの時間を計測すれば、液晶パ
ネル１００の温度を示す指標を得ることができる。しか
しながら、単に基準電圧と比較するだけでは、検出温度
の分解能を十分得ることができない場合もあり得る。例
えば、図７に示すように電圧Ｖy1を電圧Ｖrefと比較す
るものとすれば、温度が０度の場合と２５度の場合との
時間差はΔｔ１、温度が２５度の場合と５０度の場合と
の時間差はΔｔ２に過ぎない。

【００５５】そこで、本実施形態にあっては、基準コン
デンサＣrefを定電流で充電することによって、電圧Ｖy
1の比較の対象となる電圧Ｖx1を生成している。この場
合には、図５に示すように温度が０度の場合と２５度の
場合との時間差はΔＴ１、温度が２５度の場合と５０度
の場合との時間差はΔＴ２となり、分解能を高くするこ
とができる。

【００５６】＜階調補正回路＞次に、本実施形態で用い
る階調補正回路３１０について説明する。図８は階調補
正回路の構成を示すブロック図である。この図に示すよ
うに、階調補正回路３１０は、入力画像信号Ｖinをアナ
ログ信号からデジタル信号に変換して入力画像データと
して出力するＡ／Ｄ変換器３１１と、入力画像データの
取り得る各データ値と階調補正に用いる補正画像データ
とを対応付けて記憶するＲＡＭ３１２と、温度検出信号
ＴＤに基づいて補正画像データを生成するとともにＲＡ
Ｍ３１２に記憶すべき補正画像データを所定の時間間隔
で更新する制御部３１３と、代表的な温度に対応する補
正画像データを基準補正画像データとして予め記憶する
ＲＯＭ３１４とを備えて構成されている。なお、基準補
正画像データは、例えば、０度から１００度の温度範囲
において、０度、５度、１０度・P００度といったよう
に５度間隔の温度に各々対応するものである。

【００５７】以上の構成において、制御部３１３は、温
度検出信号ＴＤのデータ値に基づいて、液晶パネル１０
０の温度を検知し、当該温度に対応する補正画像データ
を生成する。この場合、温度検出信号ＴＤの分解能に応
じた補正画像データをＲＯＭ３１４に格納しておき、温
度に応じてこれを読み出して、読み出した補正画像デー
タを用いて、ＲＡＭ３１２の記憶内容を更新することも
考えられる。しかし、温度検出信号ＴＤの分解能に応じ
た種類の補正画像データをＲＯＭ３１４に格納すると、
ＲＯＭ３１４の記憶容量が増大する。そこで、本実施形
態にあっては、所定の温度間隔の基準補正画像データを
ＲＯＭ３１４に記憶しておき、中間の補正画像データに
ついては、補間演算により生成している。

【００５８】例えば、液晶パネル１００の温度が２３度
であるとすれば、制御部３１３は、２０度に対応する基
準補正画像データＤ20と２５度に対応する基準補正画像
データＤ25をＲＯＭ３１４から読み出して、以下の式に
従って２３度に対応する補正画像データＤ23を生成す
る。

【００５９】Ｄ23＝(３・Ｄ25＋２・Ｄ20)／５ これにより、ＲＯＭ３１４の記憶容量を大幅に削減する
ことができる。

【００６０】制御部３１３は、このようにして生成した
補正画像データをＲＡＭ３１２に書き込むことによっ
て、ＲＡＭ３１２の記憶内容を更新している。そして、
ＲＡＭ３１２に入力画像データが供給されると、当該入
力画像データのデータ値に対応する補正画像データが読
み出され、補正画像信号Ｖ'としてＳ／Ｐ変換回路３２
０に出力される。

【００６１】ところで、制御部３１３は予め定められた
時間間隔で補正画像データの更新を実行するが、液晶パ
ネル１００の温度変化は、電源投入直後が最も大きく、
時間が経過するにつれ温度変化が緩やかになり、やがて
ある温度で平衡状態となる。このため、制御部３１３
は、電源投入から時間が経過するにつれ長い時間間隔で
補正画像データの更新を実行するようになっている。こ
れにより、温度変化が大きいときには、補正画像データ
を頻繁に更新することができ、液晶パネル１００に形成
する画像の品質を向上させることができる。

【００６２】＜第２実施形態＞次に、本発明の第２実施
形態に係る電気光学装置について、電気光学物質として
液晶を用いた液晶装置を例にとって説明する。この例の
液晶装置は、温度検出素子ＡとしてＴＦＴ素子を用いる
点、および温度検出回路４０１の替わりに温度検出回路
４０２を用いる点を除いて、第１実施形態で説明した液
晶装置と同様である。

【００６３】本実施形態は、液晶パネル１００の内蔵さ
れるＴＦＴ素子の直流特性が温度によって変化する点に
着目してなされたものである。一般にＴＦＴにおいてそ
の直流特性は移動度に比例し、移動度は不純物イオンに
よる散乱が支配的な場合はμ∝Ｔ^3/2／Ｎ(Ｎは不純物イ
オン密度)に比例する事が知られている。図９は、ＴＦ
Ｔ素子の飽和領域であるオン電流の温度特性を示すグラ
フである。この図に示すように、ＴＦＴ素子のオン電流
は温度が高くなる程、大きくなる。したがって、液晶パ
ネル１００に内蔵されるＴＦＴ素子のオン電流は、液晶
パネル１００の温度を示す指標となる。

【００６４】図１０は、温度検出回路４０２の構成を示
す回路図である。この図に示すように温度検出回路４０
１は、いわゆるホイートストンブリッジで構成されてお
り、電源２０、抵抗２１，２２、可変抵抗器２３、ＴＦ
Ｔ素子群２４、差動アンプ２５、およびＡ／Ｄ変換器２
６を備えている。

【００６５】ＴＦＴ素子群２４は、ｎ個のＮチャンネル
ＴＦＴ素子から構成されている。また、ＮチャンネルＴ
ＦＴ素子のソースとドレインとは接続されているので、
ＮチャンネルＴＦＴ素子はダイオードとして機能する。
したがって、ＴＦＴ素子群２４の抵抗値は、ｎ個のダイ
オードのオン抵抗値の合計となる。くわえて、温度検出
素子Ａに相当するＴＦＴ素子群２４は、液晶パネル１０
０に配置されるが、第１実施形態の温度検出素子Ａであ
る液晶１９とは異なり、図２に示す走査線駆動回路１３
０やデータ線駆動回路１４０回路の内部に組み込んでも
よい。

【００６６】以上の構成において、抵抗２１の抵抗値を
Ｒ１、抵抗２２の抵抗値をＲ２、可変抵抗２３の抵抗値
をＲ３、ＴＦＴ素子群２４の抵抗値をＲ４、また、抵抗
２１と抵抗２２の接続点Ｘ２の電圧をＶx2、ＴＦＴ素子
群２４と可変抵抗２３の接続点Ｙ２の電圧をＶy2とすれ
ば、Ｖx2＝Ｖy2となるホイートストンブリッジの平衡条
件は以下の式で与えられる。

【００６７】Ｒ１／Ｒ２＝Ｒ４／Ｒ３ ここで、可変抵抗２３に抵抗値Ｒ３は、常温（例えば、
２５度）において、上式が成立するように予め調整され
ている。

【００６８】いま、常温から液晶パネル１００の温度が
上がったとすると、オン電流が増加しこれに伴ってＴＦ
Ｔ素子群２４の抵抗値Ｒ４が減少するので、Ｖy2がＶx2
より高くなる。一方、常温から液晶パネル１００の温度
が下がったとすると、オン電流が減少しこれに伴って抵
抗値Ｒ４は増加するので、Ｖy2がＶx2より低くなる。こ
のため、Ｖy2とＶx2の差に基づいて、ＴＦＴ素子群２４
の抵抗値Ｒ４の変化、ひいては液晶パネル１００の温度
を検出することができる。

【００６９】この例では、差動アンプ２５によって電圧
（Ｖy2−Ｖx2）を所定の増幅率で増幅した後、Ａ／Ｄ変
換して温度検出信号ＴＤを生成している。

【００７０】このように、本実施形態においては、液晶
パネル１００の内蔵されるＴＦＴ素子のオン抵抗を検出
し、これに基づいて階調補正を行うようにしたので、液
晶パネル１００に形成される画像の品質を向上させるこ
とができる。

【００７１】＜第３実施形態＞次に、本発明の第３実施
形態に係る電気光学装置について液晶装置を例にとって
説明する。この例の液晶装置は、温度検出素子Ａとして
ＴＦＴ素子を用いる点で第２実施形態の液晶装置と共通
するが、第２実施形態の温度検出回路４０２がＴＦＴ素
子の直流特性が温度によって変化する点に着目して構成
されているのに対して、第３実施形態の温度検出回路４
０３はＴＦＴ素子の交流特性が温度によって変化する点
に着目して構成されている点で相違する。交流特性も直
流特性同様に移動度に比例するため温度を示す指標とな
る。なお、第３実施形態の液晶装置は、温度検出素子Ａ
としてＴＦＴ素子を用いる点、および温度検出回路４０
１の替わりに温度検出回路４０３を用いる点を除いて、
第１実施形態で説明した液晶装置と同様である。

【００７２】図１１は、温度検出回路４０３の構成を示
す回路図である。この図に示すように温度検出回路４０
３は、発振回路３０と、発振回路３０の発振周波数を計
測するカウンタ３３とを備えている。

【００７３】発振回路３０は、３段のインバータで構成
され、３段目のインバータの出力信号を１段目のインバ
ータの入力端子に負帰還している。さらに、各インバー
タは、ＰチャンネルＴＦＴ３１とＮチャンネルＴＦＴ３
２とを直列に接続するともに、それらのゲートを接続し
て構成されている。くわえて、これらのＰチャンネルＴ
ＦＴ３１およびＮチャンネルＴＦＴ３２は、いずれも温
度検出素子Ａとして、液晶パネル１００内に配置されて
いるが、第１実施形態の温度検出素子Ａである液晶１９
とは異なり、図２に示す走査線駆動回路１３０やデータ
線駆動回路１４０回路の内部に組み込んでもよい。

【００７４】図１２は、発振回路３０の動作を示すタイ
ミングチャートである。なお、同図において、ＩＮＶ１
は第１段目のインバータの出力信号、ＩＮＶ２は第２段
目のインバータの出力信号、ＩＮＶ３は第３段目のイン
バータの出力信号であり、また、Δｔは各インバータの
遅延時間である。

【００７５】この図に示すように、時刻ｔ１において出
力信号ＩＮＶ１がＬレベルからＨレベルに変化したとす
ると、時刻ｔ１から遅延時間Δｔが経過した時刻ｔ２に
おいて、出力信号ＩＮＶ２はＨレベルからＬレベルに変
化する。同様に第３段目および第１段目のインバータは
入力レベルの変化を遅延時間Δｔが経過した時点で、出
力信号ＩＮＶ３，ＩＮＶ１に各々反映させる。したがっ
て、発振回路３０は信号が閉ループを１周するのに３・
Δｔの時間が係るので、その発振周波数ｆは１／（６・
Δｔ）となる。

【００７６】ところで、インバータの遅延時間Δｔは、
ＰチャンネルＴＦＴ３１とＮチャンネルＴＦＴ３２のキ
ャリア移動度に応じて変化する。一般に、ｐＳｉ−ＴＦ
Ｔのキャリア移動度は温度が高くなる程大きくなるか
ら、温度が高くなると遅延時間Δｔが減少し、発振周波
数ｆが高くなる。例えば、２５度の発振周波数ｆが略３
ＭＨｚであったものが、６０度では３．３ＭＨｚに上昇
する。したがって、発振回路３０の発振周波数ｆを計測
することによって、液晶パネル１００の温度を検知する
ことができる。

【００７７】カウンタ３３は、所定期間中に入来する出
力信号ＩＮＶ３の立ち上がりエッジを計数し、これを温
度検出信号ＴＤとして出力する。

【００７８】このように、本実施形態においては、本実
施形態においては、液晶パネル１００の内蔵されるＴＦ
Ｔ素子のキャリア移動度を発振回路３０の発振周波数ｆ
として検出し、これに基づいて階調補正を行うようにし
たので、液晶パネル１００に形成される画像の品質を向
上させることができる。

【００７９】＜第４実施形態＞次に、本発明の第４実施
形態に係る電気光学装置について液晶装置を例にとって
説明する。この例の液晶装置は、温度検出素子Ａとして
液晶とＴＦＴ素子とを組み合わせたものを用いる点、お
よび温度検出回路４０１の替わりに温度検出回路４０４
を用いる点を除いて、第１実施形態で説明した液晶装置
と同様である。

【００８０】図１３は、温度検出回路４０４の構成を示
すブロック図である。この図に示すように温度検出回路
４０４は、温度検出素子Ａとして、液晶パネル１００の
内部に設けられたＮチャンネルＴＦＴ４１、これが常時
オン状態になるようにバイアス電圧を与える抵抗４２，
４３、および液晶４４を備えている。くわえて温度検出
回路４０４は、電流を検出するための抵抗４５、一定周
波数で一定振幅の正弦波信号Ｖsを発生する信号発生器
４６、抵抗４５に流れる電流ｉを電圧に変換して増幅す
る差動アンプ４７、差動アンプ４７の出力信号の振幅を
検出して電流振幅信号として出力する振幅検出回路４
８、電流振幅信号をアナログ信号からデジタル信号に変
換して温度検出信号として出力するＡ／Ｄ変換器４９を
備えている。なお、抵抗４５の抵抗値は、Ｎチャンネル
ＴＦＴ４１のオン抵抗値と比較して、極めて小さい値に
設定してある。このため、信号発生器４６から抵抗４５
側を見たときのインピーダンスにおいて、抵抗４５は無
視することができる。

【００８１】以上の構成において、液晶パネル１００の
温度ＴａにおけるＮチャンネルＴＦＴ４１のオン抵抗値
をＲ、液晶４４の容量値をＣとすれば、それらの合成イ
ンピーダンスＺは、図１４に示すものとなる。ここで、
液晶パネル１００の温度が上昇したとすると、Ｎチャン
ネルＴＦＴ４１のオン抵抗値が低下し、液晶４４の容量
値は増加する。例えば、温度ＴａからΔＴだけ温度が上
昇したときのオン抵抗値をＲ'、容量値をＣ'とすれば、
合成インピーダンスＺ'は、図１４に示すものとなる。
したがって、温度が上がると合成インピーダンスの絶対
値が低下し、逆に温度が下がると合成インピーダンスの
絶対値が増加する。

【００８２】ところで、上述したように正弦波信号Ｖs
の周波数および振幅は一定であるから、温度が上昇する
と抵抗４４に流れる電流ｉの振幅が単調に減少する。し
たがって、電流ｉの振幅は、液晶パネル１００の温度を
示す指標として用いることができる。

【００８３】この例にあっては、電流ｉを抵抗４５の両
端に発生する電圧として検出すると、その振幅を振幅検
出回路４８によって検出し、これをＡ／Ｄ変換して温度
検出信号ＴＤを生成している。

【００８４】このように本実施形態においては、温度検
出素子ＡとしてＮチャンネルＴＦＴ４１と液晶４４を用
いることにしたので、いずれか一方を温度検出素子Ａと
して用いる場合と比較して、より正確に液晶パネル１０
０の温度検出することができる。

【００８５】＜電子機器の応用例＞上述した各実施形態
の液晶装置は、各種の電子機器に適用することができ
る。以下、液晶装置を具体的な電子機器に用いた例のい
くつかについて説明する。

【００８６】＜その１：プロジェクタ＞まず、この液晶
装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて
説明する。図１５は、このプロジェクタの構成を示す平
面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１
１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなる
ランプユニット１１０２が設けられている。このランプ
ユニット１１０２から射出された投射光は、内部に配置
された３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイッ
クミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され
て、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル
１００Ｒ、１００Ｂおよび１００Ｇにそれぞれ導かれ
る。ここで、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較する
と、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レン
ズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１
１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれ
る。

【００８７】さて、液晶パネル１００Ｒ、１００Ｂおよ
び１００Ｇの構成は、上述した液晶パネル１００と同等
であり、画像信号処理回路（図示省略）から供給される
Ｒ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものであ
る。そして、これらの液晶パネルによって変調された光
は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射
される。このダイクロイックプリズム１１１２におい
て、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色
の光は直進する。したがって、各色の画像が合成される
結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２
０にカラー画像が投射されることとなる。

【００８８】ここで、各液晶パネル１００Ｒ、１００Ｂ
および１００Ｇによる表示像について着目すると、液晶
パネル１００Ｇによる表示像は、液晶パネル１００Ｒ、
１００Ｂによる表示像に対して左右反転していることが
必要となる。このため、水平走査方向は、液晶パネル１
００Ｇと、液晶パネル１００Ｒ、１００Ｂとでは互いに
逆方向の関係となる。なお、液晶パネル１００Ｒ、１０
０Ｂおよび１００Ｇには、ダイクロイックミラー１１０
８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射す
るので、カラーフィルタを設ける必要はない。

【００８９】＜その２：モバイル型コンピュータ＞次
に、この液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュ
ータに適用した例について説明する。図１６は、このパ
ーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図に
おいて、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２
を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６
とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６
は、先に述べた液晶パネル１００の背面にバックライト
を付加することにより構成されている。

【００９０】＜その３：携帯電話＞さらに、この液晶パ
ネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図１
７は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図にお
いて、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２
のほか、受話口１３０４、送話口１３０６とともに、液
晶パネル１００を備えるものである。この液晶パネル１
００にも、必要に応じてその背面にバックライトが設け
られる。

【００９１】なお、電子機器としては、図１５〜図１７
を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファ
インダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワー
ドプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯ
Ｓ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器に対して、各実施形
態が適用可能なのは言うまでもない。

【００９２】＜変形例＞本発明は上述した各実施形態お
よび応用例に限定されるものではなく、例えば、以下に
述べる各種の変形が可能である。

【００９３】（１）上述した各実施形態においては、液
晶パネル１００の素子基板１０１をガラス等の透明な絶
縁性基板により構成して、当該基板上にシリコン薄膜を
形成するとともに、当該薄膜上にソース、ドレイン、チ
ャネルが形成されたＴＦＴによって、画素のスイッチン
グ素子（ＴＦＴ１１６）や駆動回路１２０の素子を構成
するものとして説明したが、本発明はこれに限られるも
のではない。

【００９４】例えば、素子基板１０１を半導体基板によ
り構成して、当該半導体基板の表面にソース、ドレイ
ン、チャネルが形成された絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタによって、画素のスイッチング素子や駆動回路１
２０の素子を構成しても良い。このように素子基板１０
１を半導体基板により構成する場合には、透過型の電気
光学装置として用いることができないため、画素電極１
１８をアルミニウムなどで形成して、反射型として用い
られることとなる。また、単に、素子基板１０１を透明
基板として、画素電極１１８を反射型にしても良い。

【００９５】（２）さらに、上述した実施の形態にあっ
ては、画素のスイッチング素子を、ＴＦＴで代表される
３端子素子として説明したが、ダイオード等の２端子素
子で構成しても良い。ただし、画素のスイッチング素子
として２端子素子を用いる場合には、走査線１１２を一
方の基板に形成し、データ線１１４を他方の基板に形成
するとともに、２端子素子を、走査線１１２またはデー
タ線１１４のいずれか一方と、画素電極との間に形成す
る必要がある。この場合、画素は、二端子素子が接続さ
れる画素電極と、対向基板に形成される信号線（データ
線１１４または走査線１１２の一方）と、これらの間に
挟持される液晶とから構成されることとなる。

【００９６】（３）さらに、電気光学物質としては、液
晶のほかに、エレクトロルミネッセンス素子などを用い
て、その電気光学効果により表示を行う表示装置にも適
用可能である。すなわち、本発明は、上述した液晶装置
と類似の構成を有するすべての電気光学装置に適用可能
である。

【００９７】（４）また、上述した各実施形態にあって
は、液晶パネル１００に１個の温度検出素子Ａを設ける
例を説明したが、複数個の温度検出素子Ａを用いて液晶
パネル１００の温度を検出してもよい。例えば、図２に
示すように液晶パネル１００の対角（左上隅と右下隅、
右上隅と左下隅）に温度検出素子Ａ１〜Ａ４を設けるよ
うにしてもよい。複数個の温度検出素子Ａ１〜Ａ４を用
いる場合には、各温度検出素子Ａ１〜Ａ４毎に上述した
温度検出回路４０１〜４０４を設け、各温度検出素子Ａ
に対応する複数の温度検出信号を生成し、これらを階調
補正回路３１０の制御部において平均し、その演算結果
に応じた補正画像データをＲＡＭに書き込むようにして
もよい。また、温度検出素子Ａ１〜Ａ４を並列に接続し
て、１個の温度検出素子として取り扱うようにしてもよ
い。このように複数個の温度検出素子Ａを用いると、液
晶パネル１００の内部で温度差があったとしても、平均
温度に応じた階調補正を施すことができるので、液晶パ
ネル１００に形成される画像の品質をより一層向上させ
ることができる。特に、モバイル型のコンピュータなど
液晶パネル１００の面積が大きい場合に有効である。

【００９８】くわえて、複数個の温度検出素子Ａを用い
る場合には、図２のＡ１〜Ａ４として示したように温度
検出素子を画像表示領域の中心に対してほぼ対称に複数
個配置することが望ましい。この場合には、少ない温度
検出素子で画像表示領域内で温度のバラツキを効率良く
平均化することができる。

【００９９】

【発明の効果】以上説明したように本発明よれば、温度
検出素子を用いて電気光学パネルの内部温度を検出し、
検出温度に応じた階調補正を施すことができるので、電
気光学パネルに形成する画像の品質を向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成
を示すブロック図である。

【図２】 同実施形態に用いる液晶パネルの平面図であ
る。

【図３】 図２においてＡ−Ａ'の断面を示す断面図で
ある。

【図４】 同実施形態に用いる温度検出回路のブロック
図である。

【図５】 液晶の印加電圧に対する容量の変化の一例を
示す図である。

【図６】 同実施形態に用いる温度検出回路のタイミン
グチャートである。

【図７】 図４に示す電圧Ｖx1および電圧Ｖy1と時間と
の関係を示したものである。

【図８】 同実施形態に用いる階調補正回路のブロック
図である。

【図９】 ＴＦＴのソース−ドレイン間電圧に対するオ
ン抵抗の関係を示すグラフである。

【図１０】 本発明の第２実施形態に係る液晶装置に用
いられる温度検出回路の回路図である。

【図１１】 本発明の第３実施形態に係る液晶装置に用
いられる温度検出回路の回路図である。

【図１２】 同温度検出回路の動作を示すタイミングチ
ャートである。

【図１３】 本発明の第４実施形態に係る液晶装置に用
いられる温度検出回路の回路図である。

【図１４】 ＮチャンネルＴＦＴと液晶の合成インピー
ダンスを説明するための図である。

【図１５】 プロジェクタの構成を示す平面図である。
同実施形態である。

【図１６】 パーソナルコンピュータの構成を示す斜視
図である。

【図１７】 携帯電話の構成を示す斜視図である。

【符号の説明】

１２，１３・定電流源（電流供給部） １７・コンパレータ（比較部） １８・カウンタ（信号生成部） １９，４４，１０５・液晶（前記電気光学物質） ２４・ＴＦＴ素子群（スイッチング素子） ３０・発振回路 ３１，３２・ＰチャンネルＴＦＴ，ＮチャンネルＴＦＴ
（スイッチング素子） ４１・ＮチャンネルＴＦＴ（スイッチング素子） ４６・信号発生器（信号発生手段） ４５・抵抗（電流検出手段） ４７・差動アンプ（電流検出手段） １００・液晶パネル（電気光学パネル） １１２・走査線 １１４・データ線 １１６・ＴＦＴ（スイッチング素子） １２０・駆動回路（駆動手段） ３１０・階調補正回路（階調補正手段） ３１２・ＲＡＭ（記憶部） ３１３・制御部（更新部） ４０１〜４０４・温度検出回路（温度検出手段） Ａ・温度検出素子 Ｖ'・補正画像信号（補正階調信号） Ｖｓ・正弦波信号（試験信号） Ｖin・入力画像信号（入力階調信号） ＴＤ・温度検出信号 Ｃref・基準コンデンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H093 NA16 NC13 NC21 NC24 NC57 NC63 ND02 ND06 ND58 5C006 AA16 AA22 AC27 AF13 AF25 AF42 AF46 AF51 AF52 AF53 AF54 AF81 BB16 BF14 BF22 BF25 BF28 BF37 BF38 EC11 FA19 FA56 5C080 AA10 BB05 CC03 DD04 DD20 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 階調値を指示する入力階調信号に基づい
   て、電気光学物質を有する電気光学パネルに画像を形成
   する電気光学装置であって、 前記電気光学パネルの内部に設けられた温度検出素子
   と、 前記温度検出素子を用いて前記電気光学パネルの温度を
   検出し、検出温度を示す温度検出信号を出力する温度検
   出手段と、 前記温度検出信号に基づいて、前記入力階調信号に階調
   補正を施して補正階調信号を出力する階調補正手段と、 前記補正階調信号に基づいて、前記電気光学パネルを駆
   動する駆動手段とを備えることを特徴とする電気光学装
   置。
2. 【請求項２】 前記温度検出素子は、前記電気光学物質
   の一部として構成され、 前記温度検出手段は、前記温度検出素子の容量に基づい
   て前記電気光学パネルの温度を検出することを特徴とす
   る請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記温度検出手段は、 基準コンデンサと前記温度検出素子と電流を供給する電
   流供給部と、 前記基準コンデンサの充電電圧と前記温度検出素子の充
   電電圧とを比較する比較部と、 前記比較部の比較結果に基づいて、前記温度検出素子の
   容量変化に応じた前記温度検出信号を生成する信号生成
   部とを備えることを特徴とする請求項２に記載の電気光
   学装置。
4. 【請求項４】 前記電気光学パネルは、前記電気光学物
   質と、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線
   および前記データ線の交差に対応して少なくとも配置さ
   れたスイッチング素子とを備え、 前記温度検出素子は、前記スイッチング素子の一部とし
   て構成され、 前記温度検出手段は、前記温度検出素子の直流特性に基
   づいて前記電気光学パネルの温度を検出することを特徴
   とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記電気光学パネルは、前記電気光学物
   質と、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線
   および前記データ線の交差に対応して少なくとも配置さ
   れたスイッチング素子とを備え、 前記温度検出素子は、前記スイッチング素子の一部とし
   て構成され、 前記温度検出手段は、前記スイッチング素子の交流特性
   に基づいて前記電気光学パネルの温度を検出することを
   特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記温度検出素子は、前記スイッチング
   素子の一部を用いて構成された発振回路であり、 前記温度検出手段は、前記スイッチング素子のキャリア
   移動度に応じて変化する前記発振回路の発振周波数に基
   づいて、前記電気光学パネルの温度を検出することを特
   徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記電気光学パネルは、前記電気光学物
   質と、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線
   および前記データ線の交差に対応して少なくとも配置さ
   れたスイッチング素子とを備え、 前記温度検出素子は、前記電気光学物質の一部と、当該
   電気光学物質に接続されるとともにオン状態になるよう
   に設定された前記スイッチング素子の一部とから構成さ
   れ、 前記温度検出手段は、前記温度検出素子のインピーダン
   スに基づいて前記電気光学パネルの温度を検出すること
   を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記温度検出手段は、 一定周波数の試験信号を発生する信号発生手段と、 電流を検出する電流検出手段と、 前記試験信号を前記電流検出手段を介して前記温度検出
   素子に供給する信号供給手段と、 前記電流検出手段によって検出された電流に基づいて、
   前記電気光学パネルの温度を検出することを特徴とする
   請求項７に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記階調補正手段は、 前記入力階調信号が取り得る各階調値に各々対応付けて
   前記補正階調信号を記憶する記憶部と、 前記温度検出信号に基づいて前記記憶部に記憶された前
   記補正階調信号を更新する更新部と、 前記入力階調信号に応じて前記記憶部から読み出した前
   記補正階調信号を前記駆動手段に出力する読出部と、 を備えることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれ
   か１項に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記更新部は、予め定められた時間間
    隔で前記補正階調信号の更新を実行するものであり、電
    源投入から時間が経過するにつれ長い時間間隔で前記補
    正階調信号の更新を実行することを特徴とする請求項９
    に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記温度検出素子を前記電気光学パネ
    ルの中心に対してほぼ対称に複数個配置することを特徴
    とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載した
    電気光学装置。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至１１のうちいずれか１項
    に記載した電気光学装置を備えたことを特徴とする電子
    機器。
13. 【請求項１３】 入力階調信号に基づいて、電気光学物
    質を有する電気光学パネルを駆動する電気光学パネルの
    駆動方法であって、 前記電気光学パネルの内部に設けられた温度検出素子を
    用いて前記電気光学パネルの温度を検出し、 検出された温度に対応する補正階調信号を前記入力階調
    信号の取り得る各階調値に各々対応付けて記憶し、 前記入力階調信号に基づいて記憶した補正階調信号を読
    み出し、 読み出された補正階調信号に基づいて前記電気光学パネ
    ルを駆動することを特徴とする電気光学パネルの駆動方
    法。