JP2000357644A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents

露光方法及び露光装置

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JP2000357644A JP16742099A JP16742099A JP2000357644A JP 2000357644 A JP2000357644 A JP 2000357644A JP 16742099 A JP16742099 A JP 16742099A JP 16742099 A JP16742099 A JP 16742099A JP 2000357644 A JP2000357644 A JP 2000357644A
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Shigeru Terajima
茂 寺島
Hideki Ine
秀樹 稲
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｘ線を用いてマスク面上に形成されている微
細な電子回路パターンをウエハ面上にマスクとウエハと
の相対的な位置決め（アライメント）を行い露光転写す
る場合に好適な露光方法及び露光装置を得ること。 【解決手段】 露光転写すべきパターンを有するマスク
と、該マスク上のパターンを露光転写する感光基板とを
対向配置し、該マスク上のパターンを該感光基板にＸ線
を用いて露光する露光方法において、光路中には該マス
ク上の露光画角を制限する為のＸ線を遮る遮光板が設け
られており、該マスクは素子パターン領域の外側周囲の
うち少なくとも１辺上であって、該遮光板による半影と
なる領域にアライメントマークが設けられているととも
に該マスクの遮光部又は減光領域は該素子パターン領域
およびアライメントマーク部分の外側に設けられている
こと。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光方法及び露光装
置に関し、露光光源としてシンクロトロン放射光（以下
ＳＲと略す）やプラズマＸ線源等のＸ線を利用して、マ
スク（第１物体）面上に形成されている微細な電子回路
パターンをウエハ（第２物体面）上にステップアンドリ
ピート方式や、ステップアンドスキャン方式で露光転写
し、例えばＩＣ，ＬＳＩ，ＣＣＤ，磁気ヘッド，液晶パ
ネル等のデバイスを製造する際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりデバイス製造用の露光装置にお
いては、マスクとウエハの相対的な位置合わせは性能向
上を図るための重要な一要素となっている。特に最近の
露光装置における位置合わせについては、デバイス（半
導体素子）の高集積化の為に、例えばサブミクロン以下
の位置合わせ精度を有するものが要求されている。
【０００３】多くの位置合わせ装置においては、マスク
及びウエハ面上に位置合わせ用のアライメントパターン
（アライメントマークともいう）をスクライブライン上
に設け、それらより得られる位置情報を利用して、双方
のアライメントを行っている。
【０００４】ステップアンドリピート方式を用いた露光
装置において、それぞれの素子のパターンの位置あわせ
を行うためのアライメントマークは、素子パターン領域
の外側のスクライブラインに配置され、マスク上の回路
パターンと同時にウエハ上に転写露光される。
【０００５】アライメントマークは素子としての機能は
全くないので、全てのリソグラフィー工程が終了した際
には、不要となる。そこでアライメントパターンは素子
と素子の間の最終的にはカッティングに使われる領域
（いわゆるスクライブライン上）に設置されている。
【０００６】従来より該スクライブラインは素子を複数
に分割するために必要な部分ではあるが、素子としては
利用できない部分でもあるため最小限の幅に抑えるよう
工夫されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】露光光としてｉ線やエ
キシマレーザー光等の光を用いた光露光装置においては
マスク上の遮光膜が露光画角を制限しているが、これに
対して露光光としてＸ線を用いたＸ線露光装置において
は同様にマスク上にＸ線吸収体にて露光画角を規定しよ
うとしてもＸ線はその吸収体の厚さによって数％〜４０
％程度透過してしまうという性質をもっている。
【０００８】光による露光においても、ｉ線露光時のハ
ーフトーンレチクルは周辺部を微細なドットパターンと
して、レチクルからの回折光を投影光学系へ入らないよ
うにして対応していたが、エキシマレーザー露光となっ
て、レチクルを描画できる最も微細なパターンでも投影
光学系に回折光が入ってきて、周辺部の回り込み露光と
なってしまう。この場合のハーフトーンの透過率は最大
８％であるが、周辺部の回り込み露光が実素子へ行なわ
れ、角では隣接する４ショットからの影響を受け、その
際に光露光の照明系によるボケ量は、ウエハ上２００ミ
クロンと、スクライブラインに比較して大きいため、ハ
ーフトーンレチクルでも、周辺部はＣｒ膜を付けて遮光
しなければならなくなった。
【０００９】Ｘ線露光においては一般に露光画角を制限
するために、露光装置側にＸ線を遮る遮光板が設置され
ている。露光装置に露光画角を規制するという機能を持
たせるには、マスクの被転写領域（露光領域）に合わせ
て露光画角を変化させる機能を持たせなければならな
い。
【００１０】マスクの被転写領域を規定するためにそれ
ぞれ４方向から遮光板を任意の位置に高精度で移動可能
としかつマスク及びマスク支持部材などと機械的に干渉
しないようにする必要がある。この為、マスクからある
程度離れた位置に遮光板を設置せざるを得ない。その際
に光源の大きさと遮光板、マスクの位置関係から生じる
遮光板の影と遮光板端によるＸ線の回折の影響にて、照
射Ｘ線量が徐々に少なくなってゆく境界領域がマスク上
に発生する。これは遮光板による半影ぼけと呼ばれてい
る。
【００１１】図９は従来のＸ線を用いた露光装置の要部
概略図である。図９において、１はＸ線源、２は露光画
角を規制する遮光板、３はＸ線露光用のマスク、４はウ
エハ、５はマスク３の露光画角の外側に配置されたＸ線
吸収体、６はマスク３上のアライメントマーク、７はウ
エハ４上での露光Ｘ線の強度分布を示す。
【００１２】図中に示してあるとおり、半影ぼけ領域３
ａはＸ線強度が徐々に減って行く領域であるため露光に
は使用されない。アライメントマーク６を素子パターン
領域の外側に配置すると、同図に示すようにスクライブ
ラインの幅としてはアライメント６を配置する領域と半
影ぼけ領域３ａを合わせた広い領域となってしまう。
【００１３】この結果、マスク上に無駄な領域が多くな
り、マスク上のパターンをウエハ上に露光転写する際の
露光効率が低下してくるという問題があった。
【００１４】本発明は、スクライブラインの幅を拡大す
ることなく、アライメントマークのウエハ面上への露光
転写を効率よく行うことができるＸ線を利用してマスク
上のパターンをウエハに露光転写し、デバイスを効率良
く製造するのに好適な露光方法及び露光装置の提供を目
的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の露光方
法は、露光転写すべきパターンを有するマスクと、該マ
スク上のパターンを露光転写する感光基板とを対向配置
し、該マスク上のパターンを該感光基板にＸ線を用いて
露光する露光方法において、光路中には該マスク上の露
光画角を制限する為のＸ線を遮る遮光板が設けられてお
り、該マスクは素子パターン領域の外側周囲のうち少な
くとも１辺上であって、該遮光板による半影となる領域
にアライメントマークが設けられているとともに該マス
クの遮光部又は減光領域は該素子パターン領域およびア
ライメントマーク部分の外側に設けられていることを特
徴としている。
【００１６】請求項２の発明は請求項１の発明におい
て、前記マスクは素子パターン領域の外側周囲のうち隣
り合う２辺上にアライメントマークが設けられているこ
とを特徴としている。
【００１７】請求項３の発明の露光方法は、露光転写す
べきパターンを有するマスクと、該マスク上のパターン
を露光転写する感光基板とを対向配置し、該マスク上の
パターンを該感光基板にＸ線を用いて露光する露光方法
において、光路中には該マスク上の露光画角を制限する
為のＸ線を遮る遮光板が設けられており、該マスクは素
子パターン領域の外側周囲の左右方向と上下方向であっ
て該遮光板による半影となる領域に、同じパターンのア
ライメントマークを該マスクの中心線に対称な位置に各
々配置していることを特徴としている。
【００１８】請求項４の発明の露光装置は、請求項１，
２又は３の発明の露光方法を用いていることを特徴とし
ている。
【００１９】請求項５の発明のデバイスの製造方法は、
請求項１，２又は３の露光方法を用いてレチクルとウエ
ハとの相対的な位置合わせを行なう工程と、該レチクル
面上のパターンをウエハ面上に露光した後に該ウエハを
現像処理する工程を用いてデバイスを製造していること
を特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は本発明のＸ線を利用した露
光装置の実施形態１の要部概略図である。同図は半導体
素子製造用のプロキシミティ方式の露光装置に通用した
ときの要部概略図を示している。
【００２１】図１において、１はＸ線源、２は露光画角
を規制する遮光板、３はＸ線露光用のマスクであり、所
定の転写パターンとアライメントマークが形成されてい
る。４は感光基板としてのウエハ、５はマスク３の露光
画角（転写パターン）の外側に配置されたＸ線吸収体
（遮光部、減光領域）、６はマスク上のアライメントマ
ーク、７はウエハ４上での露光Ｘ線の強度分布を示す。
【００２２】図１はＸ線による等倍の露光の例を非常に
簡略化して示している。露光装置においても位置決めを
行うアライメント部やシャッター、ウエハやマスクを支
持するステージや搬送装置等から成り立っているが、本
発明を説明する上では必ずしも必要がないので省略して
ある。
【００２３】また、図における位置関係も、実際にはＸ
線源にシンクロトロン放射光が用いられる場合はＸ線源
１はマスク３よりずっと離れた位置にあり、マスク３と
ウエハ４の間隔は数ミクロンから数十ミクロンに近づけ
られて対向配置している。そして、露光画角を規制する
遮光板２は露光装置に取り付けられていて可動とするた
め、マスク３面から数mm〜数十ｍｍの位置に設置されて
いる。
【００２４】本実施形態ではマスク上の素子パターン領
域１１の外側周囲のうち隣り合う２辺上にそれぞれアラ
イメントマーク６を設置し、該素子パターン領域および
アライメントマーク部分の外側にＸ線吸収体より成る遮
光部または減光領域５を形成している。そして、露光装
置の露光画角を規制するためのＸ線を遮る遮光板による
半影となる領域が上記アライメントマークに重なるよう
に遮光板を配置している。
【００２５】本実施形態では、図１に示すように、マス
ク３上に遮光板２による照射Ｘ線の半影ぼけ３ａが露光
画角の端に発生するが、その半影ぼけの部分３ａをアラ
イメントマーク６の露光に用いている。これにより、従
来より、半影ぼけの影響がある部分を境界領域として回
避させていたためにスクライブラインの幅がより広くな
ってしまうというＸ線露光を用いた投影露光における欠
点を改善している。
【００２６】図２は本発明に用いるＸ線露光用のマスク
を示した平面図である。図２において、１１は素子パタ
ーン領域、１２はマスクの窓枠を示す。図２において各
要素に付した番号は図１と対応している。
【００２７】図１でのＸ線マスク３にて示されている所
は図２においてＡ−Ｂ断面である。図に示すように本発
明に係るマスク３においてはアライメントマーク６は２
カ所でかつ素子パターン領域１１の外周のうち隣接する
２辺にそれぞれ配置されている。
【００２８】即ち、隣り合う別の露光ショットの間に存
在する半影ぼけの領域とアライメントマークの領域を重
ねて配置している。
【００２９】このマスク３において露光される領域は吸
収体枠５の内側の領域（素子パターン領域１１）であ
り、露光装置の露光画角を規定する遮光板２による半影
ぼけ３ａの半値となる部分が図中の破線３ｂで示された
位置になるように設定される。
【００３０】こうすることにより、図１にて示すように
マスク３の素子パターン領域１１の露光では設定露光量
を満足し、アライメントマーク６の露光においては半影
により露光量が少し変動し始める部分を用いることにな
る。
【００３１】図１の露光装置を用いた際に、マスク３上
のアライメントマーク部分６の露光量分布がどのように
なるかを図４（Ａ），（Ｂ）を用いて説明する。図４
（Ａ），（Ｂ）は素子パターン領域１１の間のスクライ
ブラインを中心に図示している。まず、図４（Ａ）にて
左側の素子パターン領域４１を露光する際に、図２にて
示しているマスク３の右側の部分である、Ａ−Ｂ断面に
おいて点Ｂに近い部分での状態を示している。
【００３２】図４（Ａ）にてマスク３上のアライメント
マーク６、外側の吸収体５の配置に対して、露光装置の
遮光板（不図示）による半影ぼけの露光強度分布との位
置関係を示している。ウエハ４面上での露光Ｘ線の強度
分布は素子パターン領域１１から外側に離れるに従って
が下がって行き、マスク３上にある外側の吸収体５によ
って半影ぼけの裾は制限されている。
【００３３】従って図中、曲線２１で示すような露光量
分布となり、この露光量にてアライメントマーク６は露
光される。
【００３４】次に、その隣右側の露光をする場合を図４
（Ｂ）に示す。図２にてマスク３の素子パターン領域１
１と外枠の吸収体５の配置を示しているように、図４に
て右側を露光する際にはその境界領域は図２のマスクの
左側部分の点Ａに近い部分での状態を示している。
【００３５】こちら側にはアライメントマークは配置さ
れてなく素子パターン領域１１のすぐ外側に吸収体枠５
が配置されているため、図４（Ｂ）の曲線２２に示すよ
うな露光量分布となる。これら２回の露光によって、２
つの素子パターン領域の間の部分いわゆるスクライブラ
インでの積算露光量は曲線２３にて示される様な分布と
なる。
【００３６】図５（Ａ），（Ｂ）にて図４（Ａ），
（Ｂ）にて示した本発明の露光方法の具体例を示す。
【００３７】図４において示したアライメントマーク６
は実際は図５に示すように複数の線パターン（アライメ
ントパターン）２４より成っている。そしてアライメン
トパターン２４はマスク３上に配置された吸収体から成
り立っている。
【００３８】図５（Ｂ）に、このアライメントマークパ
ターン（アライメントパターン）２４が露光量が半影ぼ
けによって変化している部分にて露光され、更に隣のシ
ョットを露光する時に若干の影響をうけた際に積算露光
量としてどうなるかを曲線２６として示している。
【００３９】曲線２６にて示すように露光量分布は決し
て理想的な状態とはならないが、アライメントマーク２
４は通常紫外線から赤外線の波長の光をもちいて検出す
る設計となっているため、Ｘ線露光における素子パター
ン領域１１に比較して転写される線幅は太いものが用い
られている。このため、露光量の変動が許されるいわゆ
る露光量許容度が大きいので、曲線２６に示す程度の露
光量コントラストが得られれば解像可能である。
【００４０】言い換えれば曲線２６に示す露光量コント
ラストでも充分解像する線幅をアライメントマークに使
用する必要がある。
【００４１】図２に示すように、素子パターン領域１１
外周の吸収体５はアライメントマーク６の部分のみ避け
て配置されている。このようなマスク３にて露光すると
ウエハ４上のスクライブライン部分のアライメントマー
ク６以外の部分のレジストは未露光となるよう設定され
ることになる。逆にスクライブラインを露光する必要が
有る場合は、図３に示すような形状に吸収体５を配置す
る必要がある。
【００４２】アライメントマーク６をスクライブライン
に更新する際に、スクライブラインのアライメントマー
ク部分以外のレジストを残すような工程を考えるなら
ば、ポジレジストを用いる際には図２のような吸収体５
の形状とし、ネガレジストを用いる際には図３のような
吸収体５の形状とすると良い。
【００４３】以上説明したように、露光装置の露光画角
を規定する遮光板が引き起こす半影ぼけ部分も利用して
アライメントマークを露光するように設定する事によっ
て、アライメントマーク領域と半影ぼけ領域を分けて設
定していた従来のスクライブライン幅よりも狭いスクラ
イブライン幅にて露光処理を行っている。
【００４４】図６は本発明の実施形態２に係るマスクの
要部平面図である。本実施形態はマスク３の素子パター
ン領域１１の外側周囲に左右、上下それぞれに同じパタ
ーンのアライメントマークをマスクの中心線Ｌｘ，Ｌｙ
に対称な位置に配置している。そして、露光装置の露光
画角を規制するためのＸ線を遮る遮光板による半影とな
る領域が上記アライメントマークに重なるように遮光板
を配置している。
【００４５】これによって本実施形態は、よりスクライ
ブライン幅を小さく設定している。図６においてアライ
メントマーク３１〜３４はマスク３上の素子パターン領
域１１の外周の４辺全てに配置している。しかも、素子
パターン領域の左右のアライメントマーク３２と３３、
上下のアライメントマーク３１と３４にてそれぞれ中心
線Ｌｘ，Ｌｙに対称な位置に配置し、左右同じアライメ
ントマーク、上下同じアライメントマークとしている。
【００４６】このマスクにて露光を行う際には、露光装
置上の遮光板による半影ぼけによって照射強度が変化す
る領域を上記左右上下のアライメントマークにかかるよ
うに、更に厳密には図中破線３ｂにて示す半影ぼけの半
値となる部分とアライメントマーク３１〜３４の中心と
が一致するように配置する。
【００４７】このようにしてステップアンドリピートに
よって露光すると、図７（Ａ），（Ｂ）にて示すような
露光量分布２１，２２にてスクライブラインを露光する
事ができる。
【００４８】まず図７（Ａ）のように左側の素子パター
ン領域を露光する際に、図６にて示しているマスクの右
側の部分、Ａ−Ｂ断面において点Ｂに近い部分での状態
を示している。
【００４９】図７（Ａ）にてマスク上のアライメントマ
ーク３３、外側の吸収体５の配置に対して、露光装置の
遮光板（不図示）による半影ぼけの露光強度分布との位
置関係を示している。
【００５０】ウエハ面上での露光Ｘ線による強度分布は
素子パターン領域１１から外側に離れるに従ってが下が
って行き、マスク上にある外側の吸収体５によって半影
ぼけの裾は制限されている。
【００５１】従って図中、曲線２１で示すような露光量
分布となり、この露光量にてアライメントマークは露光
される。次に、その隣右側の露光をする場合を図７
（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）で右側を露光する際にはその
境界領域は図６のマスクの左側部分の点Ａに近い部分で
の状態を示している。
【００５２】こちら側のアライメントマーク３２は、同
図右側のアライメントマーク３３と全く同一のマークで
あり、かつマスク中心線に対称に配置されている。この
とき露光量は図７（Ｂ）の曲線２２に示すように図７
（Ａ）を反転させたものと全く同様の分布となる。これ
ら２回の露光によって、２つの素子パターン領域の間の
部分いわゆるスクライブラインでの積算露光量は曲線２
３にて示される様な分布となる。
【００５３】図８（Ａ），（Ｂ）にて図７（Ａ），
（Ｂ）にて示した本発明の露光方法の具体例を示す。
【００５４】図７において示したアライメントマーク３
２，３３は実際は図８に示すように複数の線パターン
（アライメントパターン）３５，３６より成っている。
アライメントパターン３６，３５はマスク３上に配置さ
れた吸収体によるパターンから成り立っている。このア
ライメントマークパターン３５は露光量が半影ぼけによ
って変化している部分にて露光され露光量は曲線３７で
示すような形となる。
【００５５】次に隣のショットを露光する時に同様に反
対側に配置されているアライメントマークパターン３６
を露光して曲線３８で示すような露光量分布となる。
【００５６】これらの和である積算露光量は曲線３９で
示され、アライメントマークパターンは曲線３９のよう
な露光量となって露光される。曲線３９にて示すように
露光量は決して理想的な状態ではなく、通常の露光にか
ぶりが入った状態となってしまうが、アライメントマー
ク３５は通常紫外線から赤外線の波長の光をもちいて検
出する設計となっているため、Ｘ線露光における素子パ
ターン領域１１に比較して転写される線幅は太いものが
用いられている。
【００５７】このため、露光量の変動が許されるいわゆ
る露光量許容度が大きいので、曲線３９に示す程度の露
光量コントラストが得られれば解像可能である。更に２
度露光によるパターンのずれが懸念されるが、Ｘ線露光
を用いるレベルの位置決め精度から考えるとまず問題は
ない。
【００５８】以上、半影ぼけの部分を利用してアライメ
ントマークを露光する手法２例を説明したが、２例には
マスク上でアライメントマークを配置する上で違いがあ
る。実施形態１では素子パターン領域１１により近い位
置にアライメントマークを配置することが望ましく、実
施形態２では半影ぼけの中心にアライメントマークの中
心を揃えることが望ましい。
【００５９】図１０は本発明の実施形態３に用いられる
マスクの要部概略図である。図において、４１，４２，
４３はそれぞれ素子パターン領域、４４，４５はアライ
メントマークを示す。
【００６０】実施形態１，２においては、マスク内の素
子パターン領域の形状については特に条件が無い例であ
ったが本例では図に示すように１つのマスクに素子パタ
ーン領域が２つ以上並列に描かれて（図においては３素
子パターン領域の例）いる場合を示す。Ｘ線露光でのメ
リットとして、１回の露光面積が紫外線やエキシマレー
ザーを用いた露光よりも大きくできるという点があるた
め、１回の露光でより多くの素子パターン領域を転写す
ることができる。このように素子パターン領域が複数個
１つのマスクにて転写できる場合には、図に示すように
アライメントマーク４５を素子パターン領域の間に配置
することが可能となる。
【００６１】アライメントマークは通例、１つのマスク
において少なくとも直交する２方向（Ｘ方向とＹ方向）
に各１つずつ必要である。素子パターン領域が１つのマ
スク内に２行２列以上配置できるのであれば、２方向の
アライメントマークをそれぞれマスク内の素子パターン
領域の間に配置できるが、図に示すように素子パターン
領域４１，４２，４３が並列に配置された場合は一方向
のアライメントマーク４４は外周部に１つ配置されるこ
とになる。このように外周部に配置されたアライメント
マーク４４は、実施例１または実施例２にて述べたよう
に、露光装置の遮光板による半影ぼけの部分を利用して
露光する手法を用いる。このような配置にすることによ
り、少なくとも片方向のアライメントマークは素子パタ
ーン領域と同様な条件で露光できることになる。
【００６２】この方式を使用することで露光光源である
ＳＲのＸ，Ｙでの拡がり角が異なる場合には有効とな
る。
【００６３】この場合には、ウエハ，マスクへの拡がり
角も異なることになり、これによる半影ぼけも異なる
が、図１０に示すＹ方向のアライメントマーク４４のみ
を半影ぼけの狭まり方とすることにより、より細いスク
ライブライン幅とすることができる。
【００６４】尚、本発明においてデバイスを製造すると
きは実施形態１又は２における露光方法において、マス
クとウエハとの相対的な位置合わせを行う工程と、該マ
スク面上のパターンをウエハ面上に露光した後に該ウエ
ハを現像処理する工程を用いてデバイスを製造してい
る。
【００６５】
【発明の効果】本発明によれば、スクライブラインの幅
を拡大することなく、アライメントマークのウエハ面上
への露光転写を効率よく行うことができるＸ線を利用し
てマスク上のパターンをウエハに露光転写し、デバイス
を効率良く製造するのに好適な露光方法及び露光装置を
達成することができる。
【００６６】この他本発明によれば、露光装置の露光画
角を規定する遮光板が引き起こす半影ぼけ部分を利用し
てアライメントマークを露光するように設定する事によ
って、アライメントマーク領域と半影ぼけ領域を分けて
設定していた従来のスクライブライン幅よりも狭いスク
ライブライン幅にて処理ができるようになり、その結果
露光領域を広げる事ができ、デバイスを効率的に製造す
ることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の露光装置の実施形態１の要部概略図
【図２】本発明に係るマスクの要部平面図
【図３】本発明に係るマスクの要部平面図
【図４】本発明に係るマスクのアライメントマーク近傍
のＸ線強度分布の説明図
【図５】本発明に係るマスクのアライメントマーク近傍
のＸ線強度分布の説明図
【図６】本発明に係るマスクの要部平面図
【図７】本発明に係るマスクのアライメントマーク近傍
のＸ線強度分布の説明図
【図８】本発明に係るマスクのアライメントマーク近傍
のＸ線強度分布の説明図
【図９】従来のＸ線を用いた露光装置の要部概略図
【図１０】本発明の実施形態３に係るマスクの要部概略
図
【符号の説明】
１ Ｘ線源 ２ 遮光板 ３ マスク ３ａ 半影ぼけ領域 ４ ウエハ ５ Ｘ線吸収体 ６ アライメントマーク １１ 素子パターン領域 １２ マスクの窓枠
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H095 BA02 BA03 BE03 BE08 2H097 CA15 GA45 KA03 KA12 LA10 5F046 EA03 EA09 EB02 EB07 GA02 GA04 GA18 GB09 GD09

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 露光転写すべきパターンを有するマスク
    と、該マスク上のパターンを露光転写する感光基板とを
    対向配置し、該マスク上のパターンを該感光基板にＸ線
    を用いて露光する露光方法において、光路中には該マス
    ク上の露光画角を制限する為のＸ線を遮る遮光板が設け
    られており、該マスクは素子パターン領域の外側周囲の
    うち少なくとも１辺上であって、該遮光板による半影と
    なる領域にアライメントマークが設けられているととも
    に該マスクの遮光部又は減光領域は該素子パターン領域
    およびアライメントマーク部分の外側に設けられている
    ことを特徴とする露光方法。
  2. 【請求項２】 前記マスクは素子パターン領域の外側周
    囲のうち隣り合う２辺上にアライメントマークが設けら
    れていることを特徴とする請求項１の露光方法。
  3. 【請求項３】 露光転写すべきパターンを有するマスク
    と、該マスク上のパターンを露光転写する感光基板とを
    対向配置し、該マスク上のパターンを該感光基板にＸ線
    を用いて露光する露光方法において、光路中には該マス
    ク上の露光画角を制限する為のＸ線を遮る遮光板が設け
    られており、該マスクは素子パターン領域の外側周囲の
    左右方向と上下方向であって該遮光板による半影となる
    領域に、同じパターンのアライメントマークを該マスク
    の中心線に対称な位置に各々配置していることを特徴と
    する露光方法。
  4. 【請求項４】 請求項１，２又は３の露光方法を用いて
    いることを特徴とする露光装置。
  5. 【請求項５】 請求項１，２又は３の露光方法を用いて
    レチクルとウエハとの相対的な位置合わせを行なう工程
    と、該レチクル面上のパターンをウエハ面上に露光した
    後に該ウエハを現像処理する工程を用いてデバイスを製
    造していることを特徴とするデバイスの製造方法。
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