JP2000357804A - 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光モジュールを簡単に製造することができる
光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置を提供
することにある。 【解決手段】 光モジュールは、光ファイバ４０と、光
ファイバ４０に設けられており導電層４８が形成された
支持部材４２と、尖鋭形状をなして導電層４８に突き刺
さって電気的に接続される少なくとも一つのバンプ３０
を有して支持部材４２に搭載される光素子１０と、を含
む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュール及び
その製造方法並びに光伝達装置に関する。

【０００２】

【発明の背景】近年、情報通信が高速化・大容量化の傾
向にあり、光通信の開発が進んでいる。一般に、光通信
では、電気信号を光信号に変換し、光信号を光ファイバ
で送信し、受信した光信号を電気信号に変換する。電気
信号と光信号との変換は光素子によって行われる。

【０００３】例えば、特開平１０−３３９８２４号公報
には、Ｖ溝が形成されたプラットフォームに光ファイバ
を位置決めして固定して、光モジュールを構成すること
が記載されている。

【０００４】しかしながら、Ｖ溝を利用して光ファイバ
の位置合わせをするのは手間がかかるため、光モジュー
ルの製造に時間がかかるという問題がある。

【０００５】本発明は、この問題点を解決するものであ
り、その目的は、光モジュールを簡単に製造することが
できる光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る光モ
ジュールは、光ファイバと、前記光ファイバに設けられ
ており、導電層が形成された支持部材と、尖鋭形状をな
して前記導電層に係止され電気的に接続される少なくと
も一つのバンプを有する光素子と、を含む。

【０００７】本発明によれば、バンプが導電層に係止さ
れるという簡単な構造で電気的な接続を図ることができ
る。

【０００８】（２）この光モジュールにおいて、前記支
持部材は、樹脂で形成されており、前記バンプは、前記
導電層を貫通して前記支持部材に突き刺さっていてもよ
い。

【０００９】これによれば、バンプが支持部材にも突き
刺さることで、光素子を支持部材に支持させることがで
きる。

【００１０】（３）この光モジュールにおいて、前記バ
ンプと前記導電層とは、接着剤で固定されていてもよ
い。

【００１１】これによれば、光素子を安定して支持部材
に支持させることができる。

【００１２】（４）この光モジュールにおいて、前記バ
ンプは、少なくとも中心部と前記中心部を覆う表面層と
を有し、前記中心部よりも前記表面層は、硬い材質から
なるものであってもよい。

【００１３】これによれば、比較的軟らかい材料でバン
プの中心部を形成し、比較的硬い材料からなる表面層で
中心部を補強して、硬いバンプを形成することができ
る。

【００１４】（５）この光モジュールにおいて、前記支
持部材は、前記光ファイバの端部に先端面を避けて設け
られており、前記光ファイバの前記先端面とほぼ平行な
表面を有し、前記光素子は、前記光ファイバの前記先端
面に光学的部分を向けて前記支持部材に搭載されていて
もよい。

【００１５】（６）この光モジュールにおいて、前記光
素子は、第１及び第２の電極を有し、前記第１の電極上
に前記バンプが設けられており、前記第２の電極と前記
導電層とが電気的に接続されていてもよい。

【００１６】（７）この光モジュールにおいて、前記光
ファイバが取り付けられる基板と、前記光素子を駆動す
るための半導体チップと、を有し、前記光ファイバに設
けられた前記導電層と前記半導体チップとが電気的に接
続されていてもよい。

【００１７】（８）この光モジュールにおいて、前記光
素子と、前記導電層と、前記半導体チップと、の少なく
とも電気的な接続部を封止する封止部をさらに有しても
よい。

【００１８】（９）この光モジュールにおいて、前記封
止部は、前記光素子と前記導電層との電気的な接続部を
封止する第１の樹脂部と、前記第１の樹脂部と前記半導
体チップとを封止する第２の樹脂部と、を含んでもよ
い。

【００１９】（１０）この光モジュールにおいて、前記
第１の樹脂部は、前記第２の樹脂部よりも柔軟性が高く
てもよい。

【００２０】これによれば、光素子と導電層との電気的
な接続部に対して大きな応力が加えられないので接続部
が保護される。

【００２１】（１１）本発明に係る光伝達装置は、両端
部に導電層が形成された光ファイバと、発光部を前記前
記光ファイバの一方の端面に向けて前記光ファイバに搭
載され、前記導電層に電気的に接続された発光素子と、
受光部を前記前記光ファイバの他方の端面に向けて前記
光ファイバに搭載され、前記導電層に電気的に接続され
た受光素子と、を含む。

【００２２】（１２）この光伝達装置において、前記発
光素子に接続されるプラグと、前記受光素子に接続され
るプラグと、をさらに含んでもよい。

【００２３】（１３）本発明に係る光モジュールの製造
方法は、光素子に尖鋭のバンプを設ける第１工程と、光
ファイバに導電層を形成する第２工程と、前記導電層に
前記バンプを突き刺して、前記導電層と前記バンプとを
電気的に接続するとともに、前記光素子を前記支持部材
に搭載する第３工程と、を含む光モジュールの製造方
法。

【００２４】本発明によれば、バンプを導電層に突き刺
すだけで、簡単に両者の電気的な接続を図ることができ
る。

【００２５】（１４）この光モジュールの製造方法にお
いて、前記第１工程は、導電線を前記光素子にボンディ
ングする工程と、前記ボンディングされた導電線を、そ
の一部を前記光素子に残して前記バンプを形成する工程
と、を含んでもよい。

【００２６】これによれば、導電線を光素子にボンディ
ングし、導電線の一部を光素子に残して切断するだけで
バンプを形成することができる。

【００２７】（１５）この光モジュールの製造方法にお
いて、前記バンプを形成する工程は、前記導電線のうち
前記光素子に残された部分に、前記導電線よりも硬い材
質の材料からなる表面層を形成する工程を含んでもよ
い。

【００２８】これによれば、比較的軟らかい材料でバン
プの中心部を形成し、比較的硬い材料からなる表面層で
中心部を補強して、硬いバンプを形成することができ
る。

【００２９】（１６）この光モジュールの製造方法にお
いて、前記第２工程で、前記バンプと前記導電層とを接
着剤で固定してもよい。

【００３０】これによれば、光素子を安定して支持部材
に支持させることができる。

【００３１】（１７）この光モジュールの製造方法にお
いて、前記光素子は、第１及び第２の電極を有し、前記
バンプは、前記第１の電極上に設けられており、前記第
２工程後に、前記第２の電極と前記導電層とを電気的に
接続する工程をさらに含んでもよい。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。

【００３３】図１（Ａ）〜図３（Ｂ）は、本発明を適用
した光モジュールの製造方法を説明する図である。本実
施の形態では、光モジュールの製造方法は、光素子への
バンプの形成方法を含み、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）が、
光素子へのバンプの形成方法を示す図である。

【００３４】（第１工程）まず、光素子１０を用意す
る。光素子１０は、発光素子であっても受光素子であっ
てもよい。発光素子の一例として面発光素子、特に面発
光レーザを適用することができる。面発光レーザなどの
面発光素子は、基板に対して垂直方向に光を発する。光
素子１０は、光学的部分１２を有する。光素子１０が発
光素子であるときは、光学的部分１２は発光部であり、
光素子１０が受光素子であるときは、光学的部分１２は
受光部である。

【００３５】光素子１０は、少なくとも１つ（一般的に
は２つ又はそれ以上）の電極を有する。例えば、光学的
部分１２が形成された面に、第１の電極１４が設けられ
ていてもよい。なお、第１の電極１４が形成された面に
ダミー電極（図示せず）を設けてもよい。ダミー電極
は、第１の電極１４と同じ材料で形成してもよいが、光
素子１０の内部には電気的に接続されていないものであ
る。例えば、光素子１０における光学的部分１２が形成
された面に、１つの第１の電極１４と、複数（少なくと
も２つ）のダミー電極とを設けてもよい。詳しくは、全
てを直線で結んで三角形以上の多角形を描く位置に、第
１の電極１４及び複数のダミー電極を設けてもよい。

【００３６】第１の電極１４が設けられた面とは別の面
に、第２の電極１６が設けられていてもよい。光素子１
０が面発光レーザなどの半導体レーザであるときは、第
１の電極１４が設けられた面とは反対側の面に第２の電
極１６を設けてもよい。

【００３７】図１（Ａ）に示すように、光素子１０上
に、半導体装置の製造で使用されるキャピラリ２０を配
置する。詳しくは、光素子１０における光学的部分１２
が形成された面の側に、キャピラリ２０を配置する。例
えば、光素子１０の第１の電極１４上にキャピラリ２０
を配置する。キャピラリ２０には、ワイヤなどの導電線
２２が挿通されている。導電線２２は、金、銅又はアル
ミニウムなどの導電材料で構成される。導電線２２に
は、キャピラリ２０の外側にボール２４が形成されてい
る。ボール２４は、導電線２２の先端に、例えば電気ト
ーチによって高電圧の放電を行って形成される。

【００３８】そして、クランパ２６を開放して、キャピ
ラリ２０を下降させて、光素子１０にボール２４を押圧
する。例えば、第１の電極１４にボール２４を押圧す
る。ボール２４を一定の圧力で押しつけて光素子１０に
圧着を行っている間に超音波や熱等を印加する。こうし
て、図１（Ｂ）に示すように、導電線２２が光素子１０
にボンディングされる。例えば、導電線２２が第１の電
極１４にボンディングされる。

【００３９】そして、クランパ２６を閉じて導電線２２
を保持し、図１（Ｃ）に示すように、キャピラリ２０及
びクランパ２６を同時に上昇させる。こうして、導電線
２２は、引き離されて、ボール２４を含む部分が光素子
１０上に残る。この部分は、バンプ３０（図２（Ｂ）参
照）の中心部３２となる。中心部３２は、引きちぎられ
たことで、先がとがった形状になっている。

【００４０】なお、複数箇所にバンプ形成の必要がある
場合には、以上の工程を繰り返して行う。図２（Ａ）
は、導電線のボンディング工程を複数回行った状態を示
す図である。例えば、第１の電極１４上の他に、第１の
電極１４が形成された面であって、ダミー電極上にも上
記工程を行ってもよい。こうして、複数の中心部３２を
形成することができる。

【００４１】そして、図２（Ｂ）に示すように、光素子
１０上に残った導電線２２の部分を中心部３２として、
これに表面部３４を被覆してバンプ３０を形成する。表
面部３４は、中心部３２よりも硬い材質の材料から形成
することが好ましい。例えばニッケルを中心部３２にメ
ッキすることで表面部３４を形成することができる。こ
うして、中心部３２よりも硬くなった少なくとも一つの
尖鋭のバンプ（スタッドバンプ）３０を光素子１０に設
けることができる。

【００４２】光素子１０における光学的部分１２が形成
された面に、３つ以上のバンプ３０を設けることが好ま
しい。詳しくは、全てを直線で結んで三角形以上の多角
形を描く位置に、バンプ３０を設ける。こうすること
で、バンプ３０を介して、光素子１０が支持部材に安定
して支持される。なお、バンプ３０のうちの少なくとも
一つは、光素子１０と、支持部材の導電層とを電気的に
接続するためのものであり、残りのバンプ３０は、電気
的な接続に使用されても、使用されなくてもよい。電気
的な接続に使用されないバンプ３０は、図示しないダミ
ー電極上に設けられても、それ以外の領域に設けられて
もよい。

【００４３】図２（Ｃ）に示すように、バンプ３０に接
着剤３６を設けることが好ましい。接着剤３６は、導電
性の接着剤であることが好ましいが、絶縁性の接着剤で
あってもよい。接着剤３６によって、図３（Ａ）に示す
ように、支持部材４２と光素子１０とを固定することが
できる。

【００４４】（第２工程）上述した工程とは別に又は同
時に、図３（Ａ）に示すように、光ファイバ４０に支持
部材４２を設ける。光ファイバ４０は、コアとこれを同
心円状に囲むクラッドとを含むもので、コアとクラッド
との境界で光が反射されて、コア内に光が閉じこめられ
て伝搬するものである。支持部材４２は、樹脂で形成す
ることが好ましい。樹脂は、溶融された状態あるいは軟
化した状態で用意する。樹脂は、常温又は所定の温度以
下で固体になるとともに所定の温度を超えると溶融され
るものに限らない。例えば、樹脂は、常温で軟化した状
態であり、熱を加えたり光又は放射線を照射して硬化す
るものであってもよい。樹脂は、１２０℃程度以上の耐
熱性を有することが好ましく、液晶ポリマーやエポキシ
樹脂などが例に挙げられる。

【００４５】支持部材４２は、光ファイバ４０の端部に
設けられる。支持部材４２は、光ファイバ４０の先端面
４４を避けて設けられることが好ましい。ここで、光フ
ァイバ４０の先端面４４は、少なくともコアの先端面で
ある。

【００４６】支持部材４２には、導電層４８が形成され
ている。導電層４８は、光素子１０と他の部品とを電気
的に接続するときに利用することができる。導電層４８
は、支持部材４２における光ファイバ４０の先端面４４
と平行な表面５０上に形成される。また、導電層４８
は、支持部材４２の周面に至るまで形成してもよいが、
導電層４８は、光ファイバ４０の先端面４４上を避ける
ことが好ましい。導電層４８は、光素子１０と電気的に
接続されるので、必要に応じて、配線パターンになって
いてもよい。

【００４７】（第３工程）図３（Ａ）に示すように、支
持部材４２に光素子１０を搭載する。詳しくは、尖鋭の
バンプ３０を導電層４８に突き刺して、光素子１０を支
持部材４２に搭載する。こうして、光素子１０に設けら
れたバンプ３０と導電層４８とが、簡単に電気的に接合
される。第１の電極１４上に設けられたバンプ３０と導
電層４８とが接合されるので、第１の電極１４と導電層
４８とが電気的に接続される。また、第１の電極１４上
のバンプ３０と同様に、それ以外の箇所に設けられたバ
ンプ３０も導電層４８に接合されることで、光素子１０
が安定して支持部材４２に支持される。さらに、バンプ
３０は、導電層４８を貫通して支持部材４２に突き刺さ
ることが好ましい。

【００４８】以上の工程により製造された光モジュール
は、光ファイバ４０、支持部材４２及び光素子１０を含
む。支持部材４２は、光ファイバ４０の端部にその先端
面４４を避けて設けられている。また、支持部材４２
は、光ファイバ４０の先端面１２とほぼ平行な表面５０
を有し、少なくとも表面５０に導電層４８が形成されて
いる。光素子１０は、光ファイバ４０の先端面４４に光
学的部分１２を向けて支持部材４２に搭載され、導電層
４８に電気的に接続されている。

【００４９】さらに、図３（Ｂ）に示すように、光素子
１０の第２の電極１６と導電層４８とを電気的に接続し
てもよい。例えば、ワイヤ５２によって、第２の電極１
６と導電層４８とを接続してもよい。この場合、導電層
４８が配線パターンとなっており、導電層４８における
第１の電極１４と接続された部分と、導電層４８におけ
る第２の電極１６と接続された部分と、が切り離されて
いることが好ましい。

【００５０】ワイヤ５２の代わりに、銀ペーストなどの
導電性ペーストを、第２の電極１６及び導電層４８の間
に設けてもよい。これによれば、ボンディングが不要で
あるため、簡単に電気的な接続を図ることができる。

【００５１】本発明は、上記実施の形態に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実
施の形態では、光ファイバ４０の一方の端部に支持部材
４２が設けられて、これに光素子１０が搭載されたもの
であるが、光ファイバ４０の両方の端部に同じ工程で光
素子１０を搭載してもよい。すなわち、本発明は、光フ
ァイバ４０の両方の端部に光素子１０が搭載された光モ
ジュールも含む。

【００５２】次に、図４には、図３（Ｂ）に示す光モジ
ュールに、基板６０及び半導体チップ７０が付加された
例が示されている。

【００５３】基板６０は、有機系又は無機系のいずれの
材料から形成されたものであってもよく、これらの複合
構造からなるものであってもよい。基板６０には、配線
パターン６２が形成されている。また、基板６０には、
複数の外部端子６４が設けられている。外部端子６４
は、配線パターン６２に電気的に接続されている。例え
ば、基板６０の一方の面に配線パターン６２が形成さ
れ、他方の面に外部端子６４が設けられ、基板６０に形
成されたスルーホールを介して、配線パターン６２に外
部端子６４が電気的に接続されていてもよい。外部端子
６４として、ハンダボールを使用してもよい。

【００５４】基板６０には、半導体チップ７０が搭載さ
れている。半導体チップ７０は、光素子１０を駆動する
ための回路を内蔵している。図４には、半導体チップ７
０をフェースアップボンディングした例が示してある。
この場合、例えば、基板６０上で、配線パターン６２を
避けて半導体チップ７０を接着剤７２で接着してもよ
い。あるいは、配線パターン６２の上に、絶縁性の接着
剤で、半導体チップ７０を接着してもよい。半導体チッ
プ７０をフェースダウンボンディングする場合には、配
線パターン６２上に、異方性導電膜などの異方性導電材
料を使用したり、ハンダなどの金属接合によって、半導
体チップ７０を基板６０に固定する。

【００５５】半導体チップ７０と光素子１０とは電気的
に接続されている。例えば、半導体チップ７０の電極７
４と、支持部材４２の導電層４８と、をワイヤ７６で接
続してもよい。この場合、光素子１０の電極（図４では
第２の電極１６）と、導電層４８とが電気的に接続され
ていれば、導電層４８を介して、半導体チップ７０と光
素子１０とが電気的に接続される。なお、支持部材４２
における光素子１０が搭載された面と、これ以外の面
（例えば側面）に、導電層４８が連続して形成されてい
るときには、光素子１０が搭載された面以外の面で、導
電層４８と半導体チップ７０とを電気的に接続すること
が好ましい。これによれば、光素子１０を避けているの
で、導電層４８と半導体チップ７０との電気的接続手段
（例えばワイヤ７６）が光素子１０と接触することを防
止できる。また、光素子１０の搭載領域を避けているの
で、導電層４８の広い面積を、半導体チップ７０との電
気的接続に利用することができる。

【００５６】半導体チップ７０は、配線パターン６２と
電気的に接続されていてもよい。例えば、半導体チップ
７０の図示しない電極と配線パターン６２とを、図示し
ないワイヤで接続してもよい。

【００５７】光素子１０も、配線パターン６２と電気的
に接続されていてもよい。例えば、支持部材４２に形成
された導電層４８と配線パターン６２とが接合されてい
てもよい。具体的には、導電性の接着剤を使用したり、
金属接合によって、導電層４８と配線パターン６２とを
接合することができる。詳しくは、光素子１０の電極
（図４では第１の電極１４）と導電層４８とがバンプ３
０を介して接合されている。支持部材４２には、光素子
１０が搭載される面と、これ以外の面（例えば側面）に
連続的に導電層４８が形成されている。導電層４８のう
ち、光素子１０搭載される面以外の面に形成された部分
と、配線パターン６２を接合することができる。

【００５８】以上の構成によって、光素子１０、配線パ
ターン６２及び半導体チップ７０が、電気的に接続され
る。配線パターン６２には外部端子６４が電気的に接続
されているので、外部端子６４と、光素子１０及び半導
体チップ７０と、が電気的に接続される。

【００５９】図４に示す光モジュールでは、封止部８０
が形成されている。封止部８０は、支持部材４２と光素
子１０と半導体チップ７０との少なくとも電気的な接続
部を封止している。封止部８０は、第１の樹脂部８２
と、第２の樹脂部８４と、で構成される。

【００６０】第１の樹脂部８２は、支持部材４２と光素
子１０との電気的な接続部を封止する。例えば、光素子
１０の電極（図４では第２の電極１６）とワイヤ７８と
の電気的な接続部や、ワイヤ７８と支持部材４２に形成
された導電層４８との電気的な接続部や、光素子１０の
電極（図４では第１の電極１４）と支持部材４２に形成
された導電層４８とを電気的に接続するバンプ３０等
が、第１の樹脂部８２で封止されている。また、第１の
樹脂部８２は、支持部材４２と他の部品との電気的な接
続部や、光素子１０と他の部品との電気的な接続部を封
止してもよい。例えば、第１の樹脂部８２は、基板６０
に形成された配線パターン６２と、支持部材４２に形成
された導電層４８との電気的な接続部を封止してもよ
い。また、第１の樹脂部８２は、半導体チップ７０に接
続されるワイヤ７６と、支持部材４２に形成された導電
層４８との電気的な接続部を封止してもよい。さらに、
第１の樹脂部８２は、支持部材４２及び光素子１０の少
なくとも一方、好ましくは両方を封止してもよい。

【００６１】第２の樹脂部８４は、第１の樹脂部８２と
半導体チップ７０とを封止する。特に、第２の樹脂部８
４は、半導体チップ７０と他の部品との電気的な接続部
を封止する。例えば、第２の樹脂部８４は、半導体チッ
プ７０の電極７４とワイヤ７６との電気的な接続部を封
止する。さらに、第２の樹脂部８４は、光ファイバ４０
の一部を封止して、支持部材４２からの抜け止めを図る
ことが好ましい。

【００６２】第１の樹脂部８２は、第２の樹脂部８４よ
りも柔軟性が高いことが好ましい。例えば、第１の樹脂
部８２が第２の樹脂部８４よりも、収縮又は膨張したと
きに生じる応力が低いことが好ましい。あるいは、第１
の樹脂部８２が第２の樹脂部８４よりも、外部から加え
られた応力を吸収しやすいことが好ましい。柔軟性が高
い第１の樹脂部８２によって、支持部材４２と光素子１
０との電気的な接続部分を保護することができる。一
方、第２の樹脂部８４は、第１の樹脂部８２ほど柔軟性
の高さが要求されないので、材料選択の幅が拡がる。

【００６３】図５は、本発明を適用した実施の形態に係
る光伝達装置を示す図である。光伝送装置９０は、コン
ピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子
機器９２を相互に接続するものである。電子機器９２
は、情報通信機器であってもよい。光伝送装置９０は、
ケーブル９４の両端にプラグ９６が設けられたものであ
ってもよい。ケーブル９４は、１つ又は複数（少なくと
も一つ）の光ファイバ４０を含む。光ファイバ４０の両
端部には支持部材４２（図３（Ａ）参照）が設けられて
いる。光ファイバ４０と支持部材４２との取り付け状態
は、上述した通りである。プラグ９６は、支持部材４２
を内蔵し、支持部材４２は基板６０に取り付けられてい
ても良く、基板６０には半導体チップ７０が搭載されて
いてもよい（図４参照）。

【００６４】光ファイバ４０に接続される一方の支持部
材４２に搭載される光素子１０は、発光素子である。一
方の電子機器９２から出力された電気信号は、発光素子
である光素子１０によって光信号に変換される。光信号
は光ファイバを伝わり、他方の支持部材４２に搭載され
る光素子１０に入力される。この光素子１０は、受光素
子であり、入力された光信号が電気信号に変換される。
電気信号は、他方の電子機器９２に入力される。こうし
て、本実施の形態に係る光伝達装置９０によれば、光信
号によって、電子機器９２の情報伝達を行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した
実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図であ
る。

【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した
実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図であ
る。

【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明を適用し
た実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図で
ある。

【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る光
モジュールを示す図である。

【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る光
伝達装置を示す図である。

【符号の説明】

１０ 光ファイバ １２ 光学的部分 １４ 第１の電極 １６ 第２の電極 ２２ 導電線 ３０ バンプ ３２ 中心部 ３４ 表面部 ３６ 接着剤 ４０ 光ファイバ ４２ 支持部材 ４４ 先端面 ４８ 導電層 ６０ 基板 ７０ 半導体チップ ８０ 樹脂部 ８２ 第１の樹脂部 ８４ 第２の樹脂部

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光ファイバと、 前記光ファイバに設けられており、導電層が形成された
   支持部材と、 尖鋭形状をなして前記導電層に係止され電気的に接続さ
   れる少なくとも一つのバンプを有する光素子と、 を含む光モジュール。
2. 【請求項２】 請求項１記載の光モジュールにおいて、 前記支持部材は、樹脂で形成されており、前記バンプ
   は、前記導電層を貫通して前記支持部材に突き刺さって
   いる光モジュール。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の光モジュー
   ルにおいて、 前記バンプと前記導電層とは、接着剤で固定されている
   光モジュール。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
   の光モジュールにおいて、 前記バンプは、少なくとも中心部と前記中心部を覆う表
   面層とを有し、 前記中心部よりも前記表面層は、硬い材質からなる光モ
   ジュール。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
   の光モジュールにおいて、 前記支持部材は、前記光ファイバの端部に先端面を避け
   て設けられており、前記光ファイバの前記先端面とほぼ
   平行な表面を有し、 前記光素子は、前記光ファイバの前記先端面に光学的部
   分を向けて前記支持部材に搭載されている光モジュー
   ル。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
   の光モジュールにおいて、 前記光素子は、第１及び第２の電極を有し、 前記第１の電極上に前記バンプが設けられており、 前記第２の電極と前記導電層とが電気的に接続されてい
   る光モジュール。
7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
   の光モジュールにおいて、 前記光ファイバが取り付けられる基板と、 前記光素子を駆動するための半導体チップと、 を有し、 前記光ファイバに設けられた前記導電層と前記半導体チ
   ップとが電気的に接続されている光モジュール。
8. 【請求項８】 請求項７記載の光モジュールにおいて、 前記光素子と、前記導電層と、前記半導体チップと、の
   少なくとも電気的な接続部を封止する封止部をさらに有
   する光モジュール。
9. 【請求項９】 請求項８記載の光モジュールにおいて、 前記封止部は、前記光素子と前記導電層との電気的な接
   続部を封止する第１の樹脂部と、前記第１の樹脂部と前
   記半導体チップとを封止する第２の樹脂部と、を含む光
   モジュール。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の光モジュールにおい
    て、 前記第１の樹脂部は、前記第２の樹脂部よりも柔軟性が
    高い光モジュール。
11. 【請求項１１】 両端部に導電層が形成された光ファイ
    バと、 発光部を前記前記光ファイバの一方の端面に向けて前記
    光ファイバに搭載され、前記導電層に電気的に接続され
    た発光素子と、 受光部を前記前記光ファイバの他方の端面に向けて前記
    光ファイバに搭載され、前記導電層に電気的に接続され
    た受光素子と、 を含む光伝達装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の光伝達装置におい
    て、 前記発光素子に接続されるプラグと、 前記受光素子に接続されるプラグと、 をさらに含む光伝達装置。
13. 【請求項１３】 光素子に尖鋭のバンプを設ける第１工
    程と、 光ファイバに導電層を形成する第２工程と、 前記導電層に前記バンプを突き刺して、前記導電層と前
    記バンプとを電気的に接続するとともに、前記光素子を
    前記支持部材に搭載する第３工程と、 を含む光モジュールの製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の光モジュールの製造
    方法において、 前記第１工程は、 導電線を前記光素子にボンディングする工程と、 前記ボンディングされた導電線を、その一部を前記光素
    子に残して前記バンプを形成する工程と、 を含む光モジュールの製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項１４記載の光モジュールの製造
    方法において、 前記バンプを形成する工程は、前記導電線のうち前記光
    素子に残された部分に、前記導電線よりも硬い材質の材
    料からなる表面層を形成する工程を含む光モジュールの
    製造方法。
16. 【請求項１６】 請求項１３から請求項１５のいずれか
    に記載の光モジュールの製造方法において、 前記第２工程で、前記バンプと前記導電層とを接着剤で
    固定する光モジュールの製造方法。
17. 【請求項１７】 請求項１３から請求項１６のいずれか
    に記載の光モジュールの製造方法において、 前記光素子は、第１及び第２の電極を有し、前記バンプ
    は、前記第１の電極上に設けられており、 前記第２工程後に、前記第２の電極と前記導電層とを電
    気的に接続する工程をさらに含む光モジュールの製造方
    法。