JP2000357944A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JP2000357944A JP2000357944A JP11169530A JP16953099A JP2000357944A JP 2000357944 A JP2000357944 A JP 2000357944A JP 11169530 A JP11169530 A JP 11169530A JP 16953099 A JP16953099 A JP 16953099A JP 2000357944 A JP2000357944 A JP 2000357944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- oscillator
- oscillation
- oscillation frequency
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 97
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】バラクタダイオード等の周波数調整用部品を用
いることなく発振周波数を可変調整することができる発
振器を提供する。 【解決手段】発振器１０は、発振周波数調整端子１３を
有し、そこへ印加する電圧を可変することにより、発振
用トランジスタ１１の接合容量１８の容量値Ｃｂｅを変
化させ、これにより発振周波数を調整する。
いることなく発振周波数を可変調整することができる発
振器を提供する。 【解決手段】発振器１０は、発振周波数調整端子１３を
有し、そこへ印加する電圧を可変することにより、発振
用トランジスタ１１の接合容量１８の容量値Ｃｂｅを変
化させ、これにより発振周波数を調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発振器に係わり、特
に発振周波数調整端子を有して発振周波数を可変調整す
ることができる発振器に関する。
に発振周波数調整端子を有して発振周波数を可変調整す
ることができる発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】発振周波数を可変できる発振器は自動車
電話装置等に広く用いられ、またそれに関する技術が種
々提案されている。
電話装置等に広く用いられ、またそれに関する技術が種
々提案されている。
【０００３】例えば特開平４−６１４１５号公報には図
３に示す電圧制御発振器（ＶＣＯ）が開示されている。
図３において、発振用ＧａＡｓＦＥＴ３１Ａ，３１Ｂ
と、容量素子３２Ａ，３２Ｂと、インダクタ３３Ａ，３
３Ｂとで非安定マルチバイブレータをと構成している。
３に示す電圧制御発振器（ＶＣＯ）が開示されている。
図３において、発振用ＧａＡｓＦＥＴ３１Ａ，３１Ｂ
と、容量素子３２Ａ，３２Ｂと、インダクタ３３Ａ，３
３Ｂとで非安定マルチバイブレータをと構成している。
【０００４】発振周波数調整用バラクタダイオード３４
Ａ，３４Ｂは、基準バイアス電圧（ＶＲＥＦ）供給用端
子３５及び制御電圧（ＶＣＯＮＴ）供給用端子３６から
カソード及びアノードにそれぞれ抵抗素子を通して印加
される電圧により逆バイアス状態となり、逆バイアス電
圧値（ＶＲＥＦ−ＶＣＯＮＴ）に依存した接合容量をも
った容量素子とみなすことができ、この逆バイアス値の
変化による接合容量の変化により発振周波数の制御を行
っている。
Ａ，３４Ｂは、基準バイアス電圧（ＶＲＥＦ）供給用端
子３５及び制御電圧（ＶＣＯＮＴ）供給用端子３６から
カソード及びアノードにそれぞれ抵抗素子を通して印加
される電圧により逆バイアス状態となり、逆バイアス電
圧値（ＶＲＥＦ−ＶＣＯＮＴ）に依存した接合容量をも
った容量素子とみなすことができ、この逆バイアス値の
変化による接合容量の変化により発振周波数の制御を行
っている。
【０００５】図３ではさらに、発振周波数調整用バラク
タダイオード３４Ａ，３４Ｂのカソードに第２のバラク
タダイオード３７Ａ，３７Ｂのカソードを接続し、第２
のバラクタダイオード３７Ａ，３７Ｂのアノード側にバ
イパスコンデンサ３８Ａ，３８Ｂ及びブリーダ抵抗３９
Ａ，３９Ｂ，４０Ａ，４０Ｂの回路を設けて、この第２
のバラクタダイオード３７Ａ，３７Ｂも逆バイアス状態
にしておくことで発振周波数範囲を拡大しようとしてい
る。
タダイオード３４Ａ，３４Ｂのカソードに第２のバラク
タダイオード３７Ａ，３７Ｂのカソードを接続し、第２
のバラクタダイオード３７Ａ，３７Ｂのアノード側にバ
イパスコンデンサ３８Ａ，３８Ｂ及びブリーダ抵抗３９
Ａ，３９Ｂ，４０Ａ，４０Ｂの回路を設けて、この第２
のバラクタダイオード３７Ａ，３７Ｂも逆バイアス状態
にしておくことで発振周波数範囲を拡大しようとしてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来技術では、発振周波数の調整のために、バラクタ
ダイオードを使用しているから、発振器回路の他に発振
周波数調整用の素子としてバラクタダイオードをＩＣ内
に構成するか、外付けの部品として追加する必要があ
る。したがって前者の場合は半導体ペレットの小型化に
支障を生じ、後者の場合は部品点数の削減が困難になる
という問題点を有する。
な従来技術では、発振周波数の調整のために、バラクタ
ダイオードを使用しているから、発振器回路の他に発振
周波数調整用の素子としてバラクタダイオードをＩＣ内
に構成するか、外付けの部品として追加する必要があ
る。したがって前者の場合は半導体ペレットの小型化に
支障を生じ、後者の場合は部品点数の削減が困難になる
という問題点を有する。
【０００７】したがって本発明の目的は、バラクタダイ
オード等の周波数調整用部品を用いることなく発振周波
数を可変調整することができ、これにより部品点数を増
加させることなく半導体ペレットの高集積化を実現する
ことが可能な発振器を提供することである。
オード等の周波数調整用部品を用いることなく発振周波
数を可変調整することができ、これにより部品点数を増
加させることなく半導体ペレットの高集積化を実現する
ことが可能な発振器を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、発振周
波数調整端子を有し、そこへ印加する電圧を可変するこ
とにより、発振用トランジスタの接合容量の容量値を変
化させ、発振周波数を調整する発振器にある。
波数調整端子を有し、そこへ印加する電圧を可変するこ
とにより、発振用トランジスタの接合容量の容量値を変
化させ、発振周波数を調整する発振器にある。
【０００９】具体的には本発明の特徴は、発振用トラン
ジスタにバイアス電流調整用トランジスタを直列接続し
て直列体を構成し、発振周波数調整端子からの電圧を前
記バイアス電流調整用トランジスタに印加することによ
り直列体に流れる電流を制御し、これにより発振用トラ
ンジスタの接合容量の容量値を変化させる発振器にあ
る。
ジスタにバイアス電流調整用トランジスタを直列接続し
て直列体を構成し、発振周波数調整端子からの電圧を前
記バイアス電流調整用トランジスタに印加することによ
り直列体に流れる電流を制御し、これにより発振用トラ
ンジスタの接合容量の容量値を変化させる発振器にあ
る。
【００１０】ここで、バイアス電流調整用トランジスタ
はバイポーラトランジスタ、例えばＮＰＮ型バイポーラ
トランジスタであり、そのベースに発振周波数調整端子
からの電圧を印加することができる。また、前記発振用
トランジスタはバイポーラトランジスタ、例えばＮＰＮ
型バイポーラトランジスタであり、接合容量はこのバイ
ポーラトランジスタのベース・エミッタ間のＰＮ接合容
量であることができる。
はバイポーラトランジスタ、例えばＮＰＮ型バイポーラ
トランジスタであり、そのベースに発振周波数調整端子
からの電圧を印加することができる。また、前記発振用
トランジスタはバイポーラトランジスタ、例えばＮＰＮ
型バイポーラトランジスタであり、接合容量はこのバイ
ポーラトランジスタのベース・エミッタ間のＰＮ接合容
量であることができる。
【００１１】さらに、発振用トランジスタのベースから
発振出力が取り出されることができる。この発振器はＩ
Ｃペレットに形成されており、発振周波数調整端子はこ
のＩＣペレットの外部端子であることが好ましい。この
場合は、ＩＣペレットの外部から、発振用トランジスタ
の接合容量の容量値を変化させ発振周波数を調整する電
圧がこの外部端子に印加される。
発振出力が取り出されることができる。この発振器はＩ
Ｃペレットに形成されており、発振周波数調整端子はこ
のＩＣペレットの外部端子であることが好ましい。この
場合は、ＩＣペレットの外部から、発振用トランジスタ
の接合容量の容量値を変化させ発振周波数を調整する電
圧がこの外部端子に印加される。
【００１２】あるいは、発振周波数調整回路はＩＣペレ
ットに形成されており、発振周波数調整端子はこのＩＣ
ペレット内の接続ノードであることができる。この場合
は、ＩＣペレットの内部の他の回路から、発振用トラン
ジスタの接合容量の容量値をを変化させ発振周波数を調
整する電圧がＩＣペレットの内部端子であるこの接続ノ
ードに印加される。
ットに形成されており、発振周波数調整端子はこのＩＣ
ペレット内の接続ノードであることができる。この場合
は、ＩＣペレットの内部の他の回路から、発振用トラン
ジスタの接合容量の容量値をを変化させ発振周波数を調
整する電圧がＩＣペレットの内部端子であるこの接続ノ
ードに印加される。
【００１３】また、上記した発振用トランジスタに容量
素子及びインダクタを具備するタンク回路を結合するこ
とにより、発振用トランジスタの接合容量とこのタンク
回路とからＣＬ発振回路を構成することができる。ここ
で、発振用トランジスタはバイポーラトランジスタ、例
えばＮＰＮ型バイポーラトランジスタであり、そのベー
スとエミッタ間にこのタンク回路を接続することが好ま
しい。
素子及びインダクタを具備するタンク回路を結合するこ
とにより、発振用トランジスタの接合容量とこのタンク
回路とからＣＬ発振回路を構成することができる。ここ
で、発振用トランジスタはバイポーラトランジスタ、例
えばＮＰＮ型バイポーラトランジスタであり、そのベー
スとエミッタ間にこのタンク回路を接続することが好ま
しい。
【００１４】また、このタンク回路は、第１の容量素子
および第２の容量素子を直列接続した第１の直列体と、
第３の容量素子およびインダクタを直列接続しその一端
を前記第１の直列体の一端に接続した第２の直列体と、
前記第２の直列体に並列接続した第４の容量素子とを具
備して構成されていることができる。
および第２の容量素子を直列接続した第１の直列体と、
第３の容量素子およびインダクタを直列接続しその一端
を前記第１の直列体の一端に接続した第２の直列体と、
前記第２の直列体に並列接続した第４の容量素子とを具
備して構成されていることができる。
【００１５】また、上記した発振器はＩＣペレットに形
成されており、発振回路を構成する容量素子及びインダ
クタは外付け部品であることができる。
成されており、発振回路を構成する容量素子及びインダ
クタは外付け部品であることができる。
【００１６】このような本発明の発振器では、バラクタ
ダイオードを用いることなく発振周波数を可変調整する
ことができるから、集積度を向上させてＩＣ内に構成す
ることができ、外付けの部品としてのバラクタダイオー
ド等の周波数調整用部品の追加が不必要となる。
ダイオードを用いることなく発振周波数を可変調整する
ことができるから、集積度を向上させてＩＣ内に構成す
ることができ、外付けの部品としてのバラクタダイオー
ド等の周波数調整用部品の追加が不必要となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。図１は本発明の実施の形態を示す回路図である。
する。図１は本発明の実施の形態を示す回路図である。
【００１８】発振器１０は、ＮＰＮバイポーラトランジ
スタによる発振用トランジスタ１１のエミッタがＮＰＮ
バイポーラトランジスタによるバイアス電流調整用トラ
ンジスタ１２のコレクタに接続して直列体を構成してい
る。バイアス電流調整用トランジスタ１２のエミッタは
接地ラインに接続し、ベースは第１の抵抗１４を通して
発振周波数調整端子１３に接続している。
スタによる発振用トランジスタ１１のエミッタがＮＰＮ
バイポーラトランジスタによるバイアス電流調整用トラ
ンジスタ１２のコレクタに接続して直列体を構成してい
る。バイアス電流調整用トランジスタ１２のエミッタは
接地ラインに接続し、ベースは第１の抵抗１４を通して
発振周波数調整端子１３に接続している。
【００１９】この発振器１０はＩＣペレットに形成され
ており、発振周波数調整端子１３はこのＩＣペレットの
外部端子であり、ここに発振周波数調整の電圧が外部か
ら印加される。しかし発振周波数調整端子１３をＩＣペ
レットの内部端子、すなわち接続ノードとしてここに発
振周波数調整の電圧を同一ＩＣペレットの内部から印加
するようにすることもできる。
ており、発振周波数調整端子１３はこのＩＣペレットの
外部端子であり、ここに発振周波数調整の電圧が外部か
ら印加される。しかし発振周波数調整端子１３をＩＣペ
レットの内部端子、すなわち接続ノードとしてここに発
振周波数調整の電圧を同一ＩＣペレットの内部から印加
するようにすることもできる。
【００２０】発振用トランジスタ１１のコレクタはＶｃ
ｃライン１７に接続しており、ベースは第２の抵抗１９
を通してＶｃｃライン１７に接続している。さらに、発
振用トランジスタ１１のベースは増幅器１５を通して出
力ライン１６に接続している。ここで、発振用トランジ
スタ１１のベース・エミッタ間にはベース・エミッタＰ
Ｎ接合容量（容量値Ｃｂｅ）１８が形成されている。
ｃライン１７に接続しており、ベースは第２の抵抗１９
を通してＶｃｃライン１７に接続している。さらに、発
振用トランジスタ１１のベースは増幅器１５を通して出
力ライン１６に接続している。ここで、発振用トランジ
スタ１１のベース・エミッタ間にはベース・エミッタＰ
Ｎ接合容量（容量値Ｃｂｅ）１８が形成されている。
【００２１】さらに発振用トランジスタ１１のエミッタ
とベース間にタンク回路２０が接続している。このタン
ク回路２０は外付けのインダクタ２５及び外付けの容量
素子２１〜２４を有して構成されている。すなわちタン
ク回路２０は、図１に示すように、第１の容量素子２１
および第２の容量素子２２を直列接続した第１の直列体
と、第３の容量素子２３およびインダクタ２５を直列接
続しその一端を第１の直列体の一端に接続した第２の直
列体と、第２の直列体に並列接続した第４の容量素子２
４とを具備して構成されている。そしてタンク回路２０
と発振用トランジスタ１１の接合容量１８とからＣＬ発
振器を構成している。
とベース間にタンク回路２０が接続している。このタン
ク回路２０は外付けのインダクタ２５及び外付けの容量
素子２１〜２４を有して構成されている。すなわちタン
ク回路２０は、図１に示すように、第１の容量素子２１
および第２の容量素子２２を直列接続した第１の直列体
と、第３の容量素子２３およびインダクタ２５を直列接
続しその一端を第１の直列体の一端に接続した第２の直
列体と、第２の直列体に並列接続した第４の容量素子２
４とを具備して構成されている。そしてタンク回路２０
と発振用トランジスタ１１の接合容量１８とからＣＬ発
振器を構成している。
【００２２】このような本発明の発振器によれば、発振
周波数調整端子１３に印加する電圧を変化させることに
よりバイアス電流調整用トランジスタ１２のベース電圧
が変化する。したがって、バイアス電流調整用トランジ
スタ１２の電流が変化し、また直列体の発振用トランジ
スタ１１のバイアス電流も変化し、これにより発振用ト
ランジスタ１１の接合容量１８の容量値Ｃｂｅが変化
し、発振周波数を可変することができる。
周波数調整端子１３に印加する電圧を変化させることに
よりバイアス電流調整用トランジスタ１２のベース電圧
が変化する。したがって、バイアス電流調整用トランジ
スタ１２の電流が変化し、また直列体の発振用トランジ
スタ１１のバイアス電流も変化し、これにより発振用ト
ランジスタ１１の接合容量１８の容量値Ｃｂｅが変化
し、発振周波数を可変することができる。
【００２３】次ぎに本発明の実施の形態の発振周波数調
整端子つき発振器の動作について説明する。Ｖｃｃライ
ン１７から＋１．５Ｖ程度の電圧を加え、発振周波数調
整端子１３にも＋０．７Ｖ程度の電圧を加えると、発振
用トランジスタ１１およびバイアス電流調整用トランジ
スタ１２がオンし、発振用トランジスタ１１とタンク回
路２０から構成されるＣＲ発振回路からの発振信号が出
力ライン１６に、増幅器１５により増幅されて出力され
る。
整端子つき発振器の動作について説明する。Ｖｃｃライ
ン１７から＋１．５Ｖ程度の電圧を加え、発振周波数調
整端子１３にも＋０．７Ｖ程度の電圧を加えると、発振
用トランジスタ１１およびバイアス電流調整用トランジ
スタ１２がオンし、発振用トランジスタ１１とタンク回
路２０から構成されるＣＲ発振回路からの発振信号が出
力ライン１６に、増幅器１５により増幅されて出力され
る。
【００２４】この時、発振周波数調整端子１３に印加す
る電圧を上げていくとバイアス電流調整用トランジスタ
１２のベース電位が上がり、バイアス電流調整用トラン
ジスタ１２と発振用トランジスタ１１の電流が増加す
る。これにより、発振用トランジスタ１１の接合容量１
８の容量値Ｃｂｅが変化する。
る電圧を上げていくとバイアス電流調整用トランジスタ
１２のベース電位が上がり、バイアス電流調整用トラン
ジスタ１２と発振用トランジスタ１１の電流が増加す
る。これにより、発振用トランジスタ１１の接合容量１
８の容量値Ｃｂｅが変化する。
【００２５】発振用トランジスタ１１のＰＮ接合容量１
８は外付けのタンク回路２０を構成する容量素子と並列
接続となっているため、発振用トランジスタ１１のＰＮ
接合容量１８の容量値Ｃｂｅを変化させる事は、タンク
回路２０の第１，第３及び第４の容量素子２１，２３，
２４の容量値を変える事と等価になり、発振周波数を調
整することができる。
８は外付けのタンク回路２０を構成する容量素子と並列
接続となっているため、発振用トランジスタ１１のＰＮ
接合容量１８の容量値Ｃｂｅを変化させる事は、タンク
回路２０の第１，第３及び第４の容量素子２１，２３，
２４の容量値を変える事と等価になり、発振周波数を調
整することができる。
【００２６】図２は、本発明の実施の形態として図１に
示した回路における発振周波数調整端子１３への印加電
圧（ＶＢ）と、発振用トランジスタ１１の接合容量１８
の容量値Ｃｂｅ（ｐＦ）、及び発振周波数（ＭＨｚ）を
シミュレーションしたものである。
示した回路における発振周波数調整端子１３への印加電
圧（ＶＢ）と、発振用トランジスタ１１の接合容量１８
の容量値Ｃｂｅ（ｐＦ）、及び発振周波数（ＭＨｚ）を
シミュレーションしたものである。
【００２７】これによれば、発振周波数調整端子１３へ
の印加電圧（ＶＢ）を０．７８Ｖ〜１．５Ｖに変化させ
た場合、発振用トランジスタ１１の接合容量１８の容量
値Ｃｂｅは０．６ｐＦ〜６．５ｐＦ変化し、発振周波数
は５４８ＭＨｚ〜５３４ＭＨｚ変化することがわかる。
の印加電圧（ＶＢ）を０．７８Ｖ〜１．５Ｖに変化させ
た場合、発振用トランジスタ１１の接合容量１８の容量
値Ｃｂｅは０．６ｐＦ〜６．５ｐＦ変化し、発振周波数
は５４８ＭＨｚ〜５３４ＭＨｚ変化することがわかる。
【００２８】尚、図１の実施の形態では発振用トランジ
スタ１１及びバイアス電流調整用トランジスタがＮＰＮ
バイポーラトランジスタの場合を示した。しかしこれら
のトランジスタをＰＮＰバイポーラトランジスタにする
こともできる。この場合は各電圧が図１と逆の極性にな
る。
スタ１１及びバイアス電流調整用トランジスタがＮＰＮ
バイポーラトランジスタの場合を示した。しかしこれら
のトランジスタをＰＮＰバイポーラトランジスタにする
こともできる。この場合は各電圧が図１と逆の極性にな
る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
ラクタダイオードを用いることなく発振周波数を可変調
整することができるから、集積度を向上させてＩＣ内に
構成することができる。あるいは、バラクタダイオード
等の周波数調整用の外付けの部品を使用しないため部品
点数の削減が可能であり、これによりセットの小型化、
費用の削減が可能になる。
ラクタダイオードを用いることなく発振周波数を可変調
整することができるから、集積度を向上させてＩＣ内に
構成することができる。あるいは、バラクタダイオード
等の周波数調整用の外付けの部品を使用しないため部品
点数の削減が可能であり、これによりセットの小型化、
費用の削減が可能になる。
【図１】本発明の実施の形態を示す回路図である。
【図２】図１に示した回路における発振周波数調整端子
への印加電圧（ＶＢ）と、発振用トランジスタの接合容
量の容量値Ｃｂｅ（ｐＦ）、及び発振周波数（ＭＨｚ）
をシミュレーションした結果を示す図である。
への印加電圧（ＶＢ）と、発振用トランジスタの接合容
量の容量値Ｃｂｅ（ｐＦ）、及び発振周波数（ＭＨｚ）
をシミュレーションした結果を示す図である。
【図３】従来技術を示す回路図である。
１０ 発振器 １１ 発振用トランジスタ １２ バイアス電流調整用トランジスタ １３ 発振周波数調整端子 １４ 第１の抵抗 １５ 増幅器 １６ 出力ライン １７ Ｖｃｃライン １８ 接合容量 １９ 第２の抵抗 ２０ タンク回路 ２１ 第１の容量素子 ２２ 第２の容量素子 ２３ 第３の容量素子 ２４ 第４の容量素子 ２５ インダクタ ３１Ａ，３１Ｂ 発振用ＧａＡｓＦＥＴ ３２Ａ，３２Ｂ 容量素子 ３３Ａ，３３Ｂ インダクタ ３４Ａ，３４Ｂ 発振周波数調整用バラクタダイオー
ド ３５ 基準バイアス電圧（ＶＲＥＦ）供給用端子 ３６ 制御電圧（ＶＣＯＮＴ）供給用端子 ３７Ａ，３７Ｂ 第２のバラクタダイオード ３８Ａ，３８Ｂ バイパスコンデンサ ３９Ａ，３９Ｂ，４０Ａ，４０Ｂ ブリーダ抵抗
ド ３５ 基準バイアス電圧（ＶＲＥＦ）供給用端子 ３６ 制御電圧（ＶＣＯＮＴ）供給用端子 ３７Ａ，３７Ｂ 第２のバラクタダイオード ３８Ａ，３８Ｂ バイパスコンデンサ ３９Ａ，３９Ｂ，４０Ａ，４０Ｂ ブリーダ抵抗
Claims (13)
- 【請求項１】 発振周波数調整端子を有し、そこへ印加
する電圧を可変することにより、発振用トランジスタの
接合容量の容量値を変化させて、発振周波数を調整する
ことを特徴とする発振器。 - 【請求項２】 前記発振用トランジスタにバイアス電流
調整用トランジスタを直列接続して直列体を構成し、前
記発振周波数調整端子からの電圧を前記バイアス電流調
整用トランジスタに印加することにより前記直列体に流
れる電流を制御し、これにより発振用トランジスタの接
合容量の容量値を変化させることを特徴とする請求項１
に記載の発振器。 - 【請求項３】 バイアス電流調整用トランジスタはバイ
ポーラトランジスタであり、そのベースに前記発振周波
数調整端子からの電圧を印加することを特徴とする請求
項１に記載の発振器。 - 【請求項４】 前記発振用トランジスタはバイポーラト
ランジスタであり、前記接合容量はこのバイポーラトラ
ンジスタのベース・エミッタ間の接合容量であることを
特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発
振器。 - 【請求項５】 前記発振用トランジスタのベースから発
振出力が取り出されれることを特徴とする請求項４に記
載の発振器。 - 【請求項６】 前記バイポーラトランジスタはＮＰＮバ
イポーラトランジスタであることを特徴とする請求項３
乃至請求項５のいずれかに記載の発振器。 - 【請求項７】 前記発振器はＩＣペレットに形成されて
おり、前記発振周波数調整端子は該ＩＣペレットの外部
端子であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のい
ずれかに記載の発振器。 - 【請求項８】 前記発振器はＩＣペレットに形成されて
おり、前記発振周波数調整端子は該ＩＣペレット内にお
ける接続ノードであることを特徴とする請求項１乃至請
求項６のいずれかに記載の発振器。 - 【請求項９】 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載
の発振器を構成する前記発振用トランジスタに容量素子
及びインダクタを具備するタンク回路を結合することに
より、前記接合容量と前記タンク回路とからＣＬ発振器
回路を構成することを特徴とする発振器。 - 【請求項１０】 前記発振用トランジスタはバイポーラ
トランジスタであり、そのベースとエミッタ間に前記タ
ンク回路を接続することを特徴とする請求項９に記載の
発振器。 - 【請求項１１】 前記バイポーラトランジスタはＮＰＮ
バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項
１０に記載の発振器。 - 【請求項１２】 前記タンク回路は、第１の容量素子お
よび第２の容量素子を直列接続した第１の直列体と、第
３の容量素子およびインダクタを直列接続しその一端を
前記第１の直列体の一端に接続した第２の直列体と、前
記第２の直列体に並列接続した第４の容量素子とを具備
して構成されていることを特徴とする請求項９乃至請求
項１１のいずれかに記載の発振器。 - 【請求項１３】 前記発振器はＩＣペレットに形成され
ており、前記タンク回路を構成する容量素子及びインダ
クタは外付け部品であることを特徴とする請求項９乃至
請求項１２のいずれかに記載の発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11169530A JP2000357944A (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11169530A JP2000357944A (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357944A true JP2000357944A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=15888215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11169530A Pending JP2000357944A (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000357944A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011058836A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Alps Electric Co Ltd | 無線センサ装置 |
-
1999
- 1999-06-16 JP JP11169530A patent/JP2000357944A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011058836A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Alps Electric Co Ltd | 無線センサ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7852164B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
| KR0134914B1 (ko) | 아날로그 방식의 발진회로 | |
| US4949054A (en) | Temperature stable oscillator | |
| US6411171B2 (en) | Voltage controlled oscillator | |
| JPH09260974A (ja) | 増幅回路 | |
| JP3760100B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US4518930A (en) | Negative resistance circuit for VCO | |
| US6211744B1 (en) | Ring oscillator having an externally adjustable variable frequency | |
| JP2000357944A (ja) | 発振器 | |
| US6836190B2 (en) | Oscillator device and electronic apparatus using the same | |
| KR100412002B1 (ko) | Ｆｍ 신호 발진 회로 및 변조 레벨 보정 방법 | |
| US6392454B1 (en) | Shunt regulated push-pull circuit having wide frequency range | |
| JPH0645826A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP2602727B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| US6492879B2 (en) | Voltage-controlled oscillator | |
| US5030927A (en) | Reactance control circuit with a DC amplifier for minimizing a variation of a reference reactance value | |
| EP0665638B1 (en) | Voltage controlled oscillator with low operating supply voltage | |
| JP2003218634A (ja) | 発振回路 | |
| KR20060042200A (ko) | 레귤레이터 회로 | |
| US6515537B2 (en) | Integrated circuit current source with switched capacitor feedback | |
| JP3325732B2 (ja) | 電圧制御圧電発振器 | |
| US5012205A (en) | Balanced spurious free oscillator | |
| US5815044A (en) | Variable-reactance circuit | |
| JPH1197928A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP2008211768A (ja) | 発振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030630 |