JP2000502231A - 信号をフィルタリングする装置およびそれに関連する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は超電導誘電共振器（１１）と、この共振器が接続されたマイクロストリップラインを含む導波装置（１５）とを備えた超電導ノッチすなわちバンド除去フィルタ装置（１０）に関する。この共振器（１１）は超電導体（１３ａ、１３ｂ）が配置された非線形誘電材料（１２）から成るチップを備えたパラレルプレート共振器であり、導波装置は接触手段または結合手段（１８）を備え、共振器（１１）は電気的な接触が得られ、フィルタ装置の周波数を同調できるように導波装置の前記接触手段（１８）に接続されている。前記装置による挿入損失は少なくなっている。

Description

【発明の詳細な説明】 信号をフィルタリングする装置およびそれに関連する方法 技術分野 本発明は、超電導フィルタ装置に関し、特に超電導誘電共振器と導波装置、例 えばマイクロストリップラインとを備えたノッチフィルタまたはバンド除去フィ ルタに関する。 ノッチフィルタまたはバンド除去フィルタの用途の１つは通信システムにある 。かかる特定の用途は部品の大きさが極めて重要となる高周波バンドで作動する マルチチャンネルマイクロウェーブ通信システムに関する。 本発明はマルチチャンネル通信システムにおける受信装置への入進信号をフィ ルタリングするための方法にも関する。 技術の状態 例えば周波数マルチプレクサ、バンド除去フィルタ等は、特にマルチチャンネ ル通信システムにおけるキーとなる素子であるので、これら部品の挿入損失を少 なくし、寸法を小さくする方法を探す努力がこれまでなされてきた。１〜３ＧＨ ｚの周波数バンドで作動するマルチチャンネルマイクロウェーブ通信システムに おいて、現在使用されているデバイスの挿入損失はかなりの値となっている。 間欠的な妨害信号を消去するためにマイクロウェーブ受信機のフロントエンド でＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネット）ノッチフィルタを使用することが知られ ている。しかしながら挿入損失が大きい上に、かかるフィルタの寸法は大きい。 シェン氏著、「高温超電導マイクロウェーブデバイス」、アーテックハウス（１ ９９４年）には、マイクロウェーブ部品、例えばフィルタのサイズを小さくし、 性能を改善するための新しい可能性を提供するために高温超電導体を使用するこ とが検討されている。 欧州特許出願第EP-A-0567407号は主高温超電導マイクロストリップラインに並 列に半波長高温超電導マイクロストリップ共振器を結合する、周波数固定式超電 導ノッチフィルタを開示している。これら共振器の基板は１〜３ＧＨｚの間の周 波数で約１０〜２５の誘電率を有する。これらフィルタの間の長さは約２〜６ｃ ｍであり、よってこれらフィルタは極めて大きく、かつ高価である。 一部の通信システムでは、例えばシステムのフレキシビリティを大きくするた めに、周波数固定式ノッチフィルイタの代わりに同調可能な（切り換え可能な） ノッチフィルイタが必要とされる。米国特許第4,834,498号は簡単な誘電共振器 を示している。この共振器は受動的であり、それ自身では同調できない。同調で きるようにするには、例えばダイオードまたは同等デバイスのような同調手段を 増設しなければならない。換言すれば、別個のバイアス回路が必要である。この ため装置の寸法はかなり大きくなっている。またデバイスは複雑となり、その性 能は充分高いとは言えない。国際特許出願第WO93/00720号では、それ自信では同 調できないマイクロストリップ共振器を備えた超電導ノッチフィルイタが示され ている。このケースでは、同調するのに光学的手段が使用され、この光学的手段 は主超電導マイクロストリップに結合された超電導マイクロストリップリング内 で半導体結晶を使用している。しかしながらこれら装置の寸法は大きい上に、周 波数同調レンジは過度に狭い。上記文献のいずれも、受動的な共振器およびデバ イスを示しており、これら同じように主マイクロストリップラインに結合された 別の同調手段および特殊なバイアスネットワークを必要とする。共振器は主マイ クロストリップラインと機械的または電気的に接触できない。もし結合しなけれ ばフィルタとはならない。 要約すればこれらデバイスのいずれも別個のバイア回路と共に増設される同調 手段を必要とし、これにより構造が大きくなるだけでなく、複雑でもある。更に フィルタの電気的性能は、これにより否定的な影響を受け、更に望ましい程度に 高い性能とは言えない。例えば約１〜３ＧＨｚの周波数に対し、これら文献に開 示されたデバイスは過度に大きく、例えば通信用には使用できない。 高誘電率の非線形誘電材料、例えばストロンチウムチタネート（ＳＴＯ）を超 電導体、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ（ＹＢＣＯ）でコーティングすると、マイク ロウェーブデバイスをより小さくできることも判っている。国際特許出願第WO94 /13028号は、高温超電導体と組み合わせて単結晶の誘電体の薄膜を使用すること を開示している。しかしながら高温超電導体は過度に大きいマイクロウェーブ損 失を生じさせると共に、更にかかるデバイスを充分小さくすることができない。 発明の概要 従って、求められているものは、挿入損失が少なく、寸法が小さく、同調可能 な超電導ノッチフィルタ装置である。特に広い周波数レンジ内で同調可能な装置 が必要とされている。更に製造が容易で、かつ安価な装置が求められている。更 に上記のように高性能であり、損失が少なく、特にマイクロウェーブ損失（マイ クロウェーブの場合）の損失が少なく、ミリ波に対しても使用できる装置が求め られている。 間欠的な妨害信号を効率的かつ信頼できる状態で消去できる、高周波で作動す る、例えばマルチチャンネルマイクロウェーブ通信システムにおける受信装置に 入進する信号をフィルタリングするための方法が望まれている。 従って、マイクロストリップライン上に配置された共振器を備えた、超電導ノ ッチフィルタ装置が提供される。この共振器は非線形の誘電材料から成るチップ を備えたパラレルプレート共振器であり、この共振器上に超電導体が配置される 。この共振器はオーミック接触が得られるようにマイクロストリップラインの接 続手段すなわちマイクロストリップラインのストリップに接続される。パラレル プレート共振器を使用することにより、この共振器をマイクロストリップライン の頂部に配置でき、結合を行い、寸法を縮小できる。特殊なバイアスネットワー クは不要であり、同調手段を増設する必要もない。この装置は特に誘電率を変え ることができる非線形の誘電体に直流バイアス電圧をかけることにより特に電子 的に同調可能である。特定の実施例では共振器の誘電体上に配置された超電導体 上に配置できる通常の導電体に直流電圧を印加する。共振器とマイクロストリッ プラインとの誘電接触をさせるように、結合手段とも称される接触手段を配置す ることが好ましい。有利な実施例ではマイクロストリップラインの中心ストリッ プにより、この接触手段が形成される。 特定の実施例では、共振器は長方形（またはその他の形状）のチップを備え、 このチップはマイクロストリップラインと共振器の磁力線がほぼ一致し、よって 最大の誘導結合が生じるように、マイクロストリップラインに対して配置される 。 この誘導結合は共振器とマイクロストリップラインとの間の関係により、特に 制御すなわち決定される。特にこの誘導結合の強度は中心マイクロストリップの 幅によって決定され、従って所望する強度の結合を得るように、所望する結合を 生じさせる値の幅とする。 特定の実施例によれば、パラレルプレート共振器の下方プレートの少なくとも 一部および／またはマイクロストリップ接続手段、例えば中心ストリップは、誘 導結合を大きくするように第２の幅よりも狭い第１の幅を有する。 一実施例によれば、共振器はデュアルモード共振器、特にマルチモード共振器 である。 しかしながら共振器を非対称とすることによりデュアルモード作動を生じさせ ることが好ましい。このような非対称性は、例えば切り欠かれたコーナーまたは 突起その他の部分によって生じさせることができる。別の実施例によれば、共振 器は主マイクロストリップラインと所定の角度をなすように配置できる。この角 度は、例えば約４５度の値をとることができる。 更に別の実施例によれば、導波装置は共通平面導波管を含むことができる。こ の結合強度は中心ストリップの幅および共通平面導波スロットの幅によって制御 され、すなわち決定される。 共振器の上方プレートと結合手段、例えばマイクロストリップラインの中心ス トリップの間に直流バイアス電圧をかけることによって（すべての実施例に関連 する）同調を行うことが好ましい。 有利な実施例によれば、共振器の約１ｍｍ²〜１ｃｍ²の面積を有することがで きる。しかしながらこれらの値は単に例示のために示したにすぎないので、共振 器は、この値より小さいか、または多少大きい他の比率を有していてもよい。 更に、例えばマルチチャンネル通信システムまたは同様なシステムの受信装置 に入進する信号をフィルタリングするための方法が提供される。この方法は、導 波管、例えばマイクロストリップライン上に配置され、超電導プレートを支持す る非線形誘電体から成るパラレルプレート共振器を備えたフィルタを受信装置の 入力側に配置する工程を含む。この共振器および導波装置は結合手段を使用する ことにより電気的に直列に接続され、結合強度は共振器と結合手段とを互いにど のように配置するかによって決定される。周波数の同調をするために、共振器お よび結合手段に直流バイアス電圧がかけられる。これら工程は間欠的な妨害信号 を消去できるように実行される。 本発明の利点は、特にこれまで知られているフィルタよりもかなり小さく、よ りコンパクトな寸法を有するノッチすなわちバンド除去フィルタを製造できるこ とである。更に周波数同調レンジが広いことも利点となっている。更に共振器は 、それ自身で同調可能であるので、別個の同調手段を増設する必要がないことも 利点である。 更に、公知の装置よりも複雑でなく、かつ通信システムで使用するのに充分小 さく製造できることも利点である。 図面の簡単な説明 添付図面を参照し、本発明を限定することなく、次に本発明について更に説明 する。 図１は、パラレルプレート共振器の一例を示す。 図２は、同調可能なノッチマイクロストリップフィルタの第１実施例を略図で 示す。 図３は、図２のノッチフィルタの横断面図である。 図４は、図２のノッチフィルタの等価回路を示す。 図５は、特定のノッチフィルタの中心周波数の、温度依存性を示すグラフであ る。 図６ａは、ノッチフィルタの第２実施例の横断面を略図で示す。 図６ｂは、共振器の下方プレートの長手方向横断面図である。 図６ｃは、図６ａのフィルタの中心マイクロストリップラインの長手方向横断 面図である。 図７は、２極ノッチフィルタの実施例を示す。 図８は、２極ノッチフィルタに関連した別の実施例である。 図９は、共通平面導波ノッチフィルタを略図で示す。 発明の詳細な説明 本発明によれば、導波装置に共振器が配置される。図１は使用可能なパラレル −プレート共振器の第１例を示す。この共振器１１は非線形の誘電体からなる長 方形のチップ状をした誘電体１２を備え、その双方の表面には高温超電導ＨＴＳ 膜１３ａ、１３ｂが配置されている。共振器のプレーとの一方は直流（Ｒ＝０) 的にマイクロストリップラインに接続されており、フィルタの除去バンドおよび 中心周波数を電気的に制御できるように磁気結合手段またはＤＣ接触手段が配置 されている。これら超電導膜すなわちプレート１３ａ、１３ｂは、例えばＡｕか ら成る通常の電導性膜１４、１４により一部を、また全体を被覆し、よってＤＣ バイアスのためのオーミック接触を形成すると有利である。有利な実施例によれ ば、バルク材料に対するマイクロウェーブの損失が少なく、誘電率が例えば薄い 誘電膜に対するよりも高いので、誘電体材料は非線形の誘電体バルク材料を含む 。このような非線形の誘電材料を使用することにより電気的な制御が可能となっ ている。 例えばストロンチウムチタネート（以下、ＳＴＯと称す）のマイクロウェーブ の損失は液体窒素Ｎ_liqの温度で最小点近くとなる。このことは、ＩＥＥＥトラ ンザクションのマイクロウェーブ理論技術、１９９４年第４２巻、１８８６〜１ ８９０ページのクループカ外著論文「極低温におけるＡｌ₂Ｏ₃、ＬａＡｌＯ₃、 ＮｄＧａＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃およびＭｇＯの単結晶の誘電特性」に記載されている 。ＳＴＯの誘電率はＮ_liqの温度で約２０００であり、この誘電率は温度および 加えられる静電界に大きく依存する。このことはエレクトロンレターズ、１９９ ５年、第３１巻、第８号、６５４〜６５６ページのＯ．ベンディック著、「ＹＢ ａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-c膜でコーティングされたバルク単結晶ＳｒＴｉＯ₃上の１ＧＨｚに 同調可能な共振器」に記載されている。この誘電率は極めて大きいので周波数バ ンド１〜３ＧＨｚにおけるＮ_liqの温度におけるＳＴＯをベースとするマイクロ ウェーブ伝送ラインにおける波長は約０．２〜０．６ｃｍである。ＨＴＳ、例え ばＹＢＣＯの超電導過渡温度Ｔ_cは、Ｎ_liqの温度よりもかなり高く、ＳＴＯ基板 上で成長したＨＴＳ膜は表面抵抗が低いことは周知である。このことは、シェン による上記引用論文に記載されている。共振器は、例えばＳＴＯによる非線形の バルク誘電材料１２を有利に含むことができ、このＳＴＯは、例えばＹＢＣＯの ＨＴＳ膜で被覆されている。当然ながら他の方法で共振器を作成することも可能 であるが、このことは特に有利な実施例と関連している。例えばＳＴ Ｏおよび超電導体を使用する場合、マイクロウェーブの損失は極めて少ない。パ ラレルプレーと共振器の超電導膜すなわちプレート１３a、１３ｂは、機械的な 公差および共振周波数を制御する改良された能力を設けることを考慮するように 、誘電体チップ１２よりも若干小さく製造される。これら超電導プレート１３ａ 、１３ｂの厚みは電界が表面における値のｅ分の１まで減少する深さと定義され るロンドン透過深さを越えている。 図２は、本発明に係わる同調可能なノッチフィルタ１０の第１実施例を示す。 図１の共振器１１はマイクロストリップライン状をした導波装置１５に配置され る。この共振器１１は本実施例ではマイクロストリップライン１５の中心ストリ ップ１８に接続または取り付けられ、このラインでは中心ストリップ１８はパラ レルプレート共振器１１の下方プレート１３ｂとマイクロストリップライン１５ との間のオーミック接触をする接触手段または結合手段として働く。特殊なバイ アスネットワークの増設される同調手段も不要である。マイクロストリップライ ン１５はμｗ−ストリップのためのＡｌまたはその他公知の誘電体から成る基板 を含む。アース平面１７は、例えばＣｕ、Ａｕまたは通常の電導度を有する同様 な材料から成る。しかしながら極めて有利な実施例では、アース平面１７および 中心ストリップ１８はＨＴＳ膜を含む。パラレルプレートの共振チップ１１はマ イクロストリップ１８の磁力線および共振器１１の磁力線が実質的に一致（図３ 参照）し、よって高度の誘導結合、すなわちより正確には最大の誘導結合を保証 するよう、マイクロストリップライン１５に対して配置されている。中心マイク ロストリップ１８の幅は共振器１１とマイクロストリップライン１５との間の結 合強度を決定するので、適当な幅を選択することにより結合強度を制御できる。 この幅は、有利な実施例ではほぼ０．５〜１ｍｍの範囲内とすることができるが 、これよりも狭い幅または広い幅でもよい。従って、このようにマイクロストリ ップライン１５内に一連の共振回路を導入すると、マイクロストリップラインは バンド除去フィルタ、すなわち入力マイクロウェーブ信号に対するノッチフィル タとして作動する。接続手段１９、１９が設けられ、この接続手段を介し、マイ クロストリップとパラレルプレート共振器１１の上方プレート１３ａとの間にＤ Ｃバイアス電圧を加えることができる。このように電気的な同調を行い、非線形 の 誘電体１２に加えられるＤＣバイアス電圧により誘電体の誘電率を変え、よって パラレルプレート共振器１１の共振周波数を変える。 共振器のプレートの一方は主マイクロストリップラインと機械的または電気的 に接触することが好ましい。この主マイクロストリップはＤＣバイアスのための バイアスターミナルとして使用することが好ましい。このことは、共振器が主マ イクロストリップラインと接触できないようになっている、例えば米国特許第4, 835,498 号および国際特許出願第93/00720号と対照的である。 別の実施例（以下、説明せず）によれば、電気同調に加えて、または別の手段 として温度制御同調を実施することもできる。当然ながら光学的または機械的（ 例えばピエゾ電気手段による）同調も使用できる。 図３は図２に示されたノッチフィルタ１０の横断面図である。この図はマイク ロストリップライン１５の中心マイクロストリップ１８にどのように共振器１１ を配置するかを示している。Ｈは共振器およびマイクロストリップラインの磁力 線を示している。上記のように、これら磁力線は実質的に一致するので、共振器 １１とマイクロストリップライン１５を高度に結合している。 図４は、上記図２および３に示されたノッチフィルタ１０の等価的回路を略図 で示す。Ｚ₀はマイクロストリップのインピーダンスを示し、一方、点線は共振 器１１の回路を表示している。特定の実施例では、共振器は上記のようにＹＢＣ Ｏ膜でコーテイングされたＳＴＯ共振器であり、この特定の実施例における誘電 体は、２．５×２．５×０．５ｍｍ³の寸法を有する。本実施例では導波装置は ０．５ｍｍのアルミニウム基板上に設けられた５０オームの銅マイクロストリッ プを含む。当然、このような構造は一例にすぎず、他の材料を使用したり、寸法 を変えることもできる。更にパラレルプレート共振器は長方形でなくてもよく、 他の形状、例えば正方形、楕円形等でもよい。しかしながら図５は上記寸法を有 するノッチフィルタの中心周波数の温度依存性を示すグラフを示し、ここではバ イアス電圧はかけられていない。 図６ａには、ノッチフィルタ２０での別の実施例が示されている。本例では、 超電導薄膜２３ａ、２３ｂによりコーティングされた非線形の絶縁バルク材料２ ２をも含む共振器２１が、マイクロストリップライン２５上に配置されており、 超電導薄膜２３ａ、２３ｂは、例えばＡｕから成る通常の電導層２４ａ、２４ｂ によって被覆されている。このマイクロストリップライン２５は、例えばＡｌか ら成る基板を含む。この基板の表面の一方において、例えば銅製のマイクロスト リップ２７が配置されているが、基板の反対側には中心マイクロストリップ２８ が配置されている。この中心マイクロストリップ２８は、接触手段、すなわち共 振器２１とマイクロストリップライン２５との間の接続手段を形成している。本 実施例では第１部分２３ｂ₁よりも幅の狭い下方共振プレート２３ｂの第２部分 ２３ｂ₂を介して誘導負荷が加えられ、更にマイクロストリップ２８には第１部 分２８ａよりも幅の狭い第２部分２８ｂが設けられている。マイクロストリップ ２８には第２部分２８ｂも設けられ、この第２部分の幅は第１部分２８ｂよりも 狭くなっている。図６ｂおよび６ｃは共振器の下方プレートおよびマイクロスト リップをそれぞれ上から見た長手方向図であり、図６ａに示された構造はそれぞ れ幅の狭い部分２３ｂ₂および２８ｂを示す。 図７は、２極ノッチフィルタを極めて略した状態で示している。マイクロスト リップライン３５には（例えば先の実施例を参照して説明したような）共振器3 １が配置されている。上方超電導膜３３ａのコーナーの１つは切り欠かれており 、共振器を非対称にしている。番号３２は誘電体を示す。上方超電導膜３３ａの コーナーの１つはカットオフされているので、共振器３１はデュアルモードで作 動できるようになっている。リジェクションバンドの幅およびそのスカートを現 在の要求量に合わせることができる。 図８は２極ノッチフィルタ４０の別の実施例を更に示す。この場合、共振器４ １（上記参照）がマイクロストリップライン４５と所定の角度をなすように、マ イクロストリップライン４５上に共振器４１が配置されている。この特定のケー スではパラレルプレート共振器４１はメインマイクロストリップと３４度の角度 をなす。非対称となっているので、このケースの共振器もデュアルモードで作動 する。当然ながら角度は４５度にする必要はないが、これよりも大きい角度また は小さい角度とすることができるが、基本的には９０度を除く任意の角度にでき る。 本発明は基本的には例えば３モードで作動するマルチモードフィルタにも適用 できる。かかる構造は本願出願人と同じ出願人により同時に出願された「多重化 ／スイッチングに関する装置および方法」を発明の名称とするスウェーデン特許 出願に示されており、このスウェーデン特許出願の要旨をここで参考例として引 用する。 図９は、共通平面導波（ＣＰＷ）同調可能なノッチフィルタ５０を含む更に別 の実施例を略図で示し、このノッチフィルタ５０はデュアルモード動作すること もできる。設計上高度のフレキシビリティを与えるように、共通平面導波管（Ｃ ＰＷ）５５の中心ストリップ５８に超電導パラレルプレート共振器５１が取り付 けられている。この共通平面導波管５５の結合強度および波インピーダンスは、 中心ストリップ５８の幅およびＣＰＷのスロット５９によって決まる一般的に中 心ストリップの幅は図２を参照して先に説明したような値（この値は他の実施例 にも適用される）をとることができるが、このケースではフレキシビリティさえ もより大きくなっている。ストリップの幅は一般に基板の厚みに応じて選択され る。 本発明は図示した実施例のみに限定されるものでなく、他の材料も使用できる 。例えばこの材料はバルク誘電材料でなくてもよく、あるケースでは薄い誘電材 料を使用することもできる。更に共振器の形態は別の種類でもよく、導波手段は 別の多数の形状でもよく、必ずしも結合手段を形成するようなマイクロストリッ プラインの中心ストリップとする必要はない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リンネル，ペテル スウェーデン国 エス―431 38 モルン ダル，クロクスラッツ パルクガタ 23 (72)発明者 カールソン，エリック スウェーデン国 エス―431 39 モルン ダル，トルトルプスガタン 39シー (72)発明者 ウィクボルグ，エルランド スウェーデン国 エス―182 33 ダンデ リド，ルンドブラドス ベーグ ３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．超電導誘電共振器（１１；２１；３１；４１；５１）と、この共振器が接 続されたマイクロストリップラインを含む導波装置（１５；２５；３５；４５； ５５）とを備えた超電導ノッチまたはバンド除去フィルタ装置（１０；２０；３ ０；４０；５０）において、 共振器（１１；２１；３１；４１；５１）が非線形の誘電材料製のパラレルプ レート共振器（１２；２２；３２）であり、この共振器の上に超電導プレート（ １３ａ、１３ｂ；２３ａ、２３ｂ；３３ａ）が配置されており、接触手段または 結合手段（１８；２８；５８）を介して共振器のプレートの一方が接続されたマ イクロストリップラインを導波装置が備え、電気的な接触が得られるように導波 装置の前記接触手段（１８；２８；５８）に共振器（１１；２１；３１；４１； ５１）が接続されており、フィルタ装置の周波数が同調可能であることを特徴と する、超電導ノッチまたはバンド除去フィルタ装置。 ２．電気的に同調可能であることを特徴とする、請求項１記載の超電導フィル タ装置（１０；２０；３０；４０；５０）。 ３．非線形誘電体の誘電率を変えるように、非線形誘電率から成るプレートに 接続手段（１９、１９）を介して間接的または直接的にＤＣバイアス電圧がかけ られていることをを特徴とする、請求項２記載の超電導フィルタ装置。 ４．共振器の外側、すなわち超電導体に通常の導電体が配置されており、この 超電導体にＤＣバイアス電圧がかけられていることを特徴とする、請求項３記載 の超電導フィルタ装置。 ５．マイクロストリップラインに共振器のプレートの１つが電気的に接続され ているか、または磁気的に結合されていることを特徴とする、前記請求項のいず れかに記載の超電導ノッチフィルタ。 ６．接触手段（１８；２８：５８）がマイクロストリップラインの中心ストリ ップを備え、該中心ストリップに共振器を接続したことを特徴とする、先の請求 項のいずれかに記載の超電導フィルタ装置。 ７．パラレルプレート共振器（１１；２１；３１；４１；５１）が実質的に矩 形のチップを含むことを特徴とする、先の請求項のいずれかに記載の、超電導ノ ッチフィルタ装置。 ８．最大の誘導結合が得られるようにマイクロストリップラインに対して共振 器チップを配置したことを特徴とする、請求項７記載の超電導ノッチフィルタ装 置。 ９．マイクロストリップおよび共振器の磁力線が実質的に一致するように、マ イクロストリップライン（１５；２５）に対して共振器チップを配置したことを 特徴とする、請求項８記載の超電導ノッチフィルタ装置。 １０．共振器とマイクロストリップとの間の関係により、共振器とマイクロス トリップラインとの間の誘導結合が決まり、更に共振器およびマイクロストリッ プの物理的な寸法の関係により誘導結合が決定されることを特徴とする、先の請 求項のいずれかに記載の、超電導ノッチフィルタ装置。 １１．誘導結合の強度が接触手段、例えば中心ストリップライン（１８；２８ ；５８）の幅によって決定されることを特徴とする、請求項１０記載の超電導ノ ッチフィルタ装置。 １２．共振器（２１）とマイクロストリップライン（２５）との間の誘導結合 を高めるために、パラレルプレート共振器の下方プレート（２３ｂ）および／ま たはマイクロストリップ接続手段の各々がそれぞれ第１幅部分（２３ｂ₁；２８ ａ）の幅より狭い幅を有する第２部分（２３ｂ₂；２８ｂ）を含むことを特徴と する、先の請求項のいずれかに記載の超電導ノッチフィルタ装置。 １３．共振器（３１；４１）がデュアルモードで作動する共振器であり、フィ ルタ装置が２極フィルタを含むことを特徴とする、先の請求項のいずれかに記載 の、超電導ノッチフィルタ装置（３０；４０）。 １４．共振器（３１；４１）がデュアルモード作動するように非対称性を有す ることを特徴とする、請求項１３記載の超電導ノッチフィルタ装置（３０；４０ ）。 １５．非対称性が共振器のプレート（３２ａ）の切り欠きコーナー、突出部分 または同様な部分から得られることを特徴とする、請求項１４記載の超電導ノッ チフィルタ装置（３０）。 １６．共振器（４１）が、主マイクロストリップライン（４５）と所定の角度 をなすように配置されたことを特徴とする、請求項１３記載の超電導ノッチフィ ルタ装置（４０）。 １７．共振器（４１）が主マイクロストリップライン（４５）と約４５度の角 度をなすことを特徴とする、請求項１６記載の超電導ノッチフィルタ装置。 １８．導波装置が共通平面導波管（５５）であることを特徴とする、請求項１ 〜１７のいずれかに記載の超電導ノッチフィルタ装置（５０）。 １９．共振器（５１）と共通平面導波管（５５）との間の結合強度が中心スト リップ（５８）の幅および共通平面導波管（５５）のスロット（５９、５９）の 幅によって決定されることを特徴とする、請求項１８記載の超電導フィルタ装置 。 ２０．共振器（１１）の上方プレート（１４）と結合手段（１８）、例えば中 心ストリップとの間に接続手段（１９、１９）を介して直流バイアス電圧がかけ られていることを特徴とする、先の請求項のいずれかに記載の超電導フィルタ装 置。 ２１．導波装置（１５；２５；３５；４５；５５）と、少なくとも１つの共振 器（１１；２１；３１；４１；５１）とを備え、例えば高周波バンドで作動する マルチチャンネル通信システムで使用するための超電導バンド除去すなわちノッ チフィルタ（１０；２０；３０；４０；５０）において、 共振器（１１；２１；３１；４１；５１）が超電導プレートの配置された非線 形誘電材料から成るパラレルプレート共振器（１２；２２；３２）であり、導波 装置（１５；２５；３５；４５；５５）が接触手段すなわち結合手段（１８；２ ８；５８）を備えたマイクロストリップラインを含み、フィルタを形成する一連 の共振回路が設けられるように、共振器が導波装置に対して配置され、フィルタ の周波数を同調できる接続手段（１９）が設けられたことを特徴とする、超電導 バンド除去すなわちノッチフィルタ。 ２２．接続手段（１９）を介して直流バイアス電圧をかけることを特徴とする 、請求項２１記載のフィルタ。 ２３．マイクロストリップラインが主マイクロストリップラインと前記結合手 段を形成する中心マイクロストリップ（１８；２８；５８）とを備えたことを特 徴とする、請求項２１または２２記載のフィルタ。 ２４．共振器（１１；２１；３１；４１；５１）が、好ましくは高温超電導体 から成る超電導プレート（１４；２４ａ、２４ｂ）でコーティングされた非線形 の誘電バルク材料から成ることを特徴とする、請求項２１〜２３のいずれかに記 載のフィルタ。 ２５．共振器（３１；４１）がデュアルモードまたはマルチモード共振器であ ることを特徴とする、請求項２１〜２４のいずれかに記載のフィルタ（３０；４ ０）。 ２６．２極ノッチフィルタを備えたことを特徴とする、請求項２１〜２５のい ずれかに記載のフィルタ（３１；４１）。 ２７．共振器（１１；２１；３１；４１；５１）が約０．１〜２ＧＨｚの周波 数で約１ｍｍ²〜１ｃｍ²の間の面積を有するチップを備えたことを特徴とする、 請求項２１〜２６のいずれかに記載のフィルタ（１０；２０；３０；４０；５０ ）。 ２８．例えばマルチチャンネル通信システムにおける受信装置に入進する信号 をフィルタリングするための方法において、 導波装置上に配置され、更に超電導プレートを支持する非線形誘電材料からな るパラレルプレート共振器を備え、該共振器と導波装置、例えばマイクロストリ ップラインとの間に接触手段を設け、一連の共振器とマイクロストリップライン を結合するフィルタを受信装置の入力側に配置する工程と、 必要な結合強度が得られるように共振器と結合手段とを互いに配置する工程と 、 周波数の同調をするように共振器と接触手段との間に直流バイアス電圧をかけ る工程とを備え、よって妨害信号を消去すなわち受信装置で受信しないようにす る、入進信号をフィルタリングするための方法。 ２９．所望する結合強度が得られるような共振器に対する寸法を、例えば中心 マイクロストリップ状の接触手段または結合手段に与えることにより、所望の結 合強度をフィルタに与える工程を含み、共振器が高温超電導（ＨＴＳ）膜でコー ティングされた非線形の誘電バルク材料を含む、請求項２８記載の方法。 ３０．受信装置において、妨害信号を受信しないようにマルチチャンネル通信 システムにおける受信装置に入進する信号をフィルタリングするための、請求項 １〜２７のいずれかに記載の超電導ノッチすなわちバンド除去フィルタ装置の使 用方法。