JP2000507393A

JP2000507393A - 耐候性かつ耐腐食性を備えた層構造

Info

Publication number: JP2000507393A
Application number: JP9534021A
Authority: JP
Inventors: バルター、シュテッター; フォルカー、プロブシュト; ヘルマン、カルバー
Original assignee: シーメンス、アクチェンゲゼルシャフト; シーメンス、ソーラー、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング
Priority date: 1996-03-22
Filing date: 1997-03-21
Publication date: 2000-06-13
Also published as: EP0888641A1; CN1218577A; WO1997036334A1

Abstract

(57)【要約】耐候性および耐腐食性層構造。たとえば太陽電池の、少なくとも１つの感腐食性および／または感湿性層を備えた層構造の耐候性および耐腐食性カプセル化構成を形成するために、遮断層がこの層上に配置される。この遮断層には、窒化チタン、窒化モリブデン、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、および酸化窒化ケイ素製の薄膜が提案されている。遮断層は、太陽電池で周知の追加積層構造と結合することができる。

Description

【発明の詳細な説明】耐候性かつ耐腐食性を備えた層構造本発明は、少なくとも感湿性および／または感腐食性を備えた層を基板の上に形成した層構造に関し、具体的には、光学活性および／または電気活性薄層（薄膜）に関する。こうした層は、たとえば光学部品または電気部品に配置されている。その例としては、検出器、太陽電池または太陽モジュールなどの放射線感知部品や、表示装置などの光電部品、中でもＬＣＤ（液晶表示）画面がある。市場が要求している品質要件を満たすために、太陽モジュールは一連の様々な検査手順をうまく通過しなければならない。こうした検査の１つは、太陽モジュールの耐候性を検査するよう意図されているもので、湿度−熱気候検査である。周知の標準ＩＥＣ１２１４によると、この場合には、こうしたモジュールは、なかんずく、８５パーセントの相対空気湿度で８５℃の温度に１０００時間さらされる。ホウ素添加酸化亜鉛電極層を備えた積層型太陽モジュールは、この検査手順において著しく厳しい劣化を示している。言い換えれば、気候検査の後では許容できないほど効率が低下した。この主な原因は、温度が上がるとホウ素添加ＣＶＤ酸化亜鉛層の水蒸気に対する導電性が不安定になることである。複数の検査電極をもつ積層型酸化亜鉛層だけしか備えてない積層は検査で実証できたのだが、こうした層のシート抵抗は検査の後で１０³を越える値分上昇して、１ｋΩ／スクエアの値になる。しかし、太陽モジュールで高充填率を達成するには１０Ω／スクエア未満の値が必要である。これは、接着性膜および適切なら第２ガラス板の助けを借りた積層構造の単純なカプセル化では達成できない。銅−インジウム（ガリウム）２亜セレン化物（ＣＩＧＳ（Copper-Indium(Gall ium)Diselenide））からなる薄膜太陽モジュールには、別の感候性および感腐食性部品がある。この場合は、保護のない気候検査条件または従来の積層構造でしか保護されてない気候検査条件にさらされている表面で吸収材が劣化現象を示している。気候とは無関係の劣化がさらに、モリブデンから形成された背面電極、すなわち、ＣＩＧＳ吸収材層との境界面で発生する。積層体、なかでも太陽モジュールに湿気が拡散しないようにする１つの可能な方法は、湿気の拡散距離を長くすることである。ホウ素添加酸化亜鉛層の劣化は、１５ｃｍを越える十分に広い縁部をもつ積層体ではかなり遅くなる。しかし、こうした広い縁部は、非活性モジュール面の面積の比率が高くなるので太陽モジュールの場合には受け入れられない。ファサードや窓をつくる断熱性窓ガラスの場合には、ガラス版は感湿性薄層で被覆されるが、この薄層は、今までのところ、たとえば２重に積層されたガラス板に湿気吸収材を含有することで精巧な方法で保護される必要がある。本発明の目的は、単純で過度に高い製造コストをかけることなく製造可能で、指定された検査条件では従来通りに使用されても一層堅牢になる湿気および／または腐食に反応しない層構造を特定することである。この目的は、請求項１による層構造により本発明により達成される。本発明の好ましい改善ならびに層構造を製造する方法が以下の請求項に見いだされる。驚くべきことであるが、感湿性および／または感腐食性層は、気候誘導、なかでも湿気または腐食誘導劣化からは、層上に直接付加された追加遮断層により単純に保護することができることが判明している。こうした追加遮断層を用いると、たとえば、性能がそれほど低下することなく視認できる腐食損傷もない、導入部で述べられた湿気−熱の気候検査に耐える薄膜太陽モジュールを獲得することが可能である。本発明の好ましい改良では、層構造は、電気または光学部品の一部である。こうした部品の遮断層は、水蒸気遮断層および／または耐食性光学反応構成部品および／または絶縁遮断層で覆われた電位差で動作する構成部品を備え、他方で、電位差のない層は導電遮断層で覆われている。本発明の意味での感湿性および／または感腐食性層は、薄膜または厚膜として付加可能な基板接着層であり、アモルファス性、多結晶性または金属性である。本発明の好ましい実施例では、追加遮断層は、酸化アルミニウムＡｌ₂Ｏ₃、窒化ケイ素Ｓｉ₃Ｎ₄、窒化チタンＴｉＮ、窒化モリブデンＭｏＮおよび酸化窒化ケイ素ＳｉＯ_xＮ_yから選択された薄膜である。こうした薄膜は、単純で製造の費用効果がよく、感湿性または感腐食性層またはこの層を含む部品または層構造の製造工程で単純に統合可能である。層または層構造そのものが薄膜構造のときは特にそうである。結果として、本発明による層構造を製造するには追加装置は不必要である。遮断層は被覆層の機能に一致し、たとえば、光透過性、電導性または絶縁性なので、層構造には悪影響を及ぼさない。この遮断層は、層構造を含む光学部品または電気部品の動作を損なうこともなく、前記の部品の特性を損なうこともない。前記薄膜遮断層は、周知の方法により、緊密な、すなわち、無孔性で光透過性かつ縁部被覆層として積層可能である。こうした層をつくる際の緊密性または無孔性に応じて、湿気および／または腐食性に対する完全な保護を保証するためには遮断層の厚みは１００ｎｍであれば十分である。もちろん、遮断層を厚くするのも可能であるが不必要である。完全に無孔性ではなく、完全に均質ではなく、縁部を十分被覆しているわけではない遮断層を形成する積層工程の場合には、層を厚くすることもできる。極めて局所の製造工程が層構造になされる場合には、遮断層による良好な縁部被覆のために最高で約２μｍの層の厚みが選択される。良好な縁部被覆は、ＣＶＤ方法により達成される。プラズマ支援ＣＶＤ方法は、可能な最低の積層温度に関しては、緊密なだけでなく縁部を良好に被覆する厚みの薄い遮断層を製造するのが特に好ましい。遮断層は、電気または光学機能層として使用される大半の材料に対して良好に接着する。適切なら、接着促進層をさらに追加する必要がある。本発明による層構造は、従来の層構造に対する追加層として、１つまたは希望されただけの数の層からなる遮断層を備えているので、前記の遮断層は、たとえば、積層構造による従来の被覆方法で被覆することもできる。太陽モジュールでは、この層構造は、特に、少なくとも１つのプラスチック層ならびに、適切なら、保護膜および／または被覆ガラス板から成る積層体である。プラスチック層は、被覆膜および、適切なら、ガラス板も積層されるホットメルト接着層であるのが好ましい。遮断層上では、他の構成部分を、注型用樹脂層または他の注封材料などの他の被覆で追加的または代替的に覆ったり包装したりすることができる。宇宙空間に適切であったり、そこでのみ使用可能な太陽電池に本発明を適用する場合には、遮断層は、太陽電池の保護のための最頂部の被覆層としては十分である。本発明による遮断層は、積層構造に特に適切である、というのはこの目的のために使用された従来のホットメルト接着層上またはその下への接着性が良好なためである。ホットメルト接着層、したがって、積層構造全体の良好な接着性は、密封性を一層改良することになる。このため湿気が層構造と積層体の間の境界および／または遮断層および積層体の間の境界に沿って拡散するのが防げる。本発明による層構造では、遮断層は、保護される層の上に、側壁を含む後者の層の全面が覆われるように縁部被覆方式で配置される。感知層の側部に向けて、遮断層は耐候性層で終端する。これらの層は、湿気および／または高温多湿環境に関し保護性を備え、後者の層に比較的長くさらされた後でさえ、全く腐食性を示すこともなければ、他に不利益になる変化が発生するわけでもない。遮断層は、上部および側部から感湿性の薄膜を囲み、下縁部においてガラスから構成される基板、たとえば、金属層またはパッシベーション層で終端する。パッシベーション層は遮断層と同様である。遮断層に対してすでに参照された材料に加えて、酸化ケイ素も特定の用途には適切である。チタンや窒化モリブデンは導電性をもち、さらに、特に固く傷がつきにくい。したがって、それらは電極層のパッシベーション層にふさわしい。この電極層は、特に、金属製なので、原則として、なかでも薄膜構成要素の下方電極として使用されたものの腐食に反応する。上記の層すべての上で、遮断層は良好な接着性を示しているので、湿気から保護され、これらの層との湿密で化学耐性のある境界面を形成する。本発明の実施例では、層構造は、少なくとも２つの電極を備えた電気部品である。１方の電極は基板のすぐ上に配置された電極層から形成されている。この電極層は、前記電極を作成するために構成されるので、統合された直列相互接続薄膜太陽モジュールに特に適切な種類の電極構造を形成する。必要な電極構造に加えて、少なくとも２つの電極の電気接続は、この下方電極層からも形成でき、構成部品の領域から横方向に出る。こうした構成の利点は、たとえば半田付けされた電気接続部を備えた従来の構成と比較して、追加構造工程なしに特に平たんに形成できる。このため本発明による遮断層による縁部被覆が容易になる。遮断層の下の構成要索の層構造から出て第１電極層から形成された電気接続部は、この場合、耐腐食金属から構成される。しかし、これらの接続部は、前記導電性パッシベーション層、中でも窒化チタンまたはモリブデン層で被覆されるのが好ましい。パッシベーション層は下方電極層を完全に覆い、後者の層に応じて構造化できる。電気接続部の領域でのみ、特に、接続部が遮断層の下から出ている領域でのみ、パッシベーション層で下方電極層を覆うこともできる。本発明の他の有益な改良点は、上記のＣＩＧＳ薄膜太陽モジュールに関する。たとえばドイツ特許DE44 42 824 C1で開示されたように、太陽電池の最大の効率を引きだすためには規定のアルカリ量がＣＩＧＳ吸収層に必要となる。ガラス基板が使用されている場合、ガラス基板または背部電極層のすぐ上のアルカリ遮断層によってしかＣＩＧＳ吸収層の規定のアルカリ量は達成できないので、こうした遮断層に対しては、基部または背部電極上のパッシベーション層として設計された本発明による遮断層を使用することが有益である。窒化チタンまたはモリブデンからなる遮断層は、外部に導出している電気接続部のパッシベーション層または下方電極全体の遮断層としての役割も同時に果たす。遮断層は、太陽電池上の追加遮断層に特に良好な接着性を備えており、したがって、その追加遮断層と特に良好で緊密な境界面を形成することになる。耐候性の層構造−−本件では薄膜構成−−を製造する本発明による方法を、例示実施例を用いるとともに関連する８つの図を参照しながら以下により詳細に説明する。図１は、感候性薄膜を備えた検査構成の概略横断面である。図２ないし図５は、耐候性層構成の概略横断面である。図６は、概略横断面を用いて、遮断層を付加する前に複数の分離溝を形成した層構成を示す。図７および図８は、直接に接続された薄膜太陽電池の概略横断面を用いて本発明の特定の適用分野を示す。図１は、検査構造の役割をもつ周知のようにカプセル封じされた薄膜構成を示す。厚みが１．５μｍのホウ素添加酸化亜鉛層２が、厚みが２ｍｍの窓ガラス板（ソーダ石灰ガラス）を含む担体１に塗布される。これは担体１が周辺縁部領域で自由になるようにＣＶＤ方法で実行される。次いで、酸化亜鉛層２の表面導電性が確実に定められるように、金属接触片３を両側にハンダ付けされる。次に、従来の積層構造５が、約０．５ｍｍの厚みのＥＶＡ膜を援用して、約１６０℃で、被覆上に積層することで層２や金属片３上に形成される。積層構造には、薄膜構成の両側までの基板と１ｃｍ重なる領域がある。次に、この検査構造を、８５℃で、１０００時間の間、空気湿度８５パーセントの大気にさらす。この場合には、ホウ素添加酸化亜鉛層のシート抵抗は、気候検査の後で２、３桁上昇することが判明した。この理由はこれまで知られてなかった。図２は、本発明による第１構造を示す。この構造では、基板１上に配置され電極細片３が付加されているホウ素添加酸化亜鉛層２が再び検査構造として使用される。本発明によると、遮断層４がこの構成上に付加される。例示実施例では、たとえば２００ないし３００℃の低処理温度で実行可能なプラズマＣＶＤ方法がこの適用分野に使用される。この例では、厚みが約０．５ないし２μｍ、中でも０．８μｍの窒化ケイ素からなる遮断層４は２００℃で積層される。薄膜２が遮断層４で完全に被覆されるように実行される。同様の方法を用いると、遮断層として同様に電気絶縁性のＡｌ₂Ｏ₃およびＳｉＯ_xＮ_y層を代替層として積層することもできる。積層構造５は、図１の場合にすでに記載されたようにこの層の上に塗布される。本発明による薄膜構成を気候検査しても、検出可能な劣化は発生しない。言い換えれば、薄膜の初期表面導電性は低下しない。説明したように、このパラメータは、湿気の変化を検出する良好な探針となるので、この検査の結果は、本発明によるカプセル化構成の効率が高くなることを示している。図３は、感湿性層、具体的には、薄膜２が基板１上の下方電極３ａと上方電極３ｂの間に配置されている層構造の概略横断面である。局所形態の追加工程を回避しできるだけ平坦な構成に到達するためには、下方電極層３ａの構造化により基板のすぐ上に電気接続部６が形成される。電気接続部６を介して下方電極３ａと接触している間に、上方電極３ｂは電気接続部６’に接続され、この電気接続部６’は構造線により下方電極３ａから電気絶縁されている。次に、遮断層４は上記の構成上に付加され、上方電極３ｂと薄膜２を完全に覆う。遮断層のマスク式塗布または以後の構造化の結果として、電気接続部６と６’は露呈し、遮断層４により覆われることはなくなる。例示された構成要素の耐候性カプセル化構成は、図１または図２に応じて積層構造５を塗布することにより補強することができる。例示実施例では、電気接続部６および６’はこの場合積層から自由である。薄膜構成部品は、たとえば、太陽電池である。図４は、本発明の他の実施例を示す。構造化されるまえに下方電極層３ａが金属性導電パッシベーション層７で完全に被覆されることが、図３による実施例とは異なる。別の構造は図３を参照した例示実施例に相当する。この方法で達成すると、たとえば感腐食性金属から構成できる下方電極層は、湿気や他の外的腐食促進効果に対して導電性パッシベーション層７により同様に保護される。この構成は、たとえばＣＩＧＳ太陽電池で実現される。この太陽電池は、ガラス基板１と、モリブデン背部電極３ａと、窒化チタンまたは窒化モリブデンパッシベーション層７と、半導体接合部をもつＣＩＧＳ吸収層を備えた薄膜２、ならびにホウ素添加酸化亜鉛電極のような上方電極３ｂから構成される。遮断層４は、ＣＶＤまたはプラズマＣＶＤにより塗布された酸化アルミニウム、窒化ケイ素または酸化窒化ケイ素から成る薄膜である。下方電極層３ａが電気接続部６と６’の領域でのみ導電性パッシベーション層７と７’で被覆されているとことが、図５による例示実施例は図４を参照して説明された例示実施例とは異なる。この目的のため、下方電極層３ａの構造化の直前に、マスクをかけてパッシベーション層を塗布するか、または全領域にその層を塗布して、その後その層を構造化することが可能である。しかし、薄膜２を塗布し、上方電極層３ｂを塗布した後でパッシベーション層７と７’を形成することもできる。どの場合にも、パッシベーション層は、反応性スパッタ法またはプラズマ支援ＣＶＤ法などの薄膜法を用いて積層またはスパッタされる。窒化チタン層の場合は、たとえば厚みが１００ないし１５０ｎｍであれば十分である。図６は、概略横断面を用いて、耐候性層まで到達する２つの分離溝８により２つの電極３ａと３ｂの間に配置された薄膜２を構造化する可能な方法が示されており、分離溝８に遮断層４（図示せず）を塗布して、遮断層とその下の耐候性層の耐候性密封または接着が達成されている。図６による例では、下方電極３ａ上のパッシベーション層７は耐候性層としての役割を果たす。しかし、分離溝８中では、たとえばガラスから構成されている基板１や耐腐食性電極層３ａを露呈させることが可能である。これらの場合では、パッシベーション層７の全領域塗布が処置される。図７と図８は、薄膜設計の統合型連続接続太陽電池を備えた太陽モジュールの概略横断面図で本発明の他の改良構成を示している。太陽電池は、たとえば、基板１に塗布されており、下方電極３ａと、半導体構造を備えた薄膜２と、上方電極３ｂとから構成されている。太陽電池は、たとえば、細片形状で構造化され、細片の形状で隣接太陽電池との連続相互接続が細片形状で上方電極３ｂを下方電極３ａの隣接片まで導くことにより確保される。３つの構造化工程は、図７に示す薄膜太陽電池構成を製造するのに必要である。第１構造化工程は、下方電極３ａを構造化し、第２工程は半導体層（薄膜）２を構造化し、第３工程は上方電極３ｂを分離する。後者の構造化工程では、半導体層（薄膜２）または下方電極層３ａが露呈される。下方電極３ａまで到達する構造化溝Ｐ３は図７に図示されている。次いで、図８は、構造化溝Ｐ３が縁部被覆遮断層を塗布することで充填され、過形成させて平準化される方法を示す。遮断層４は、この場合、層構造上に突出する領域に塗布され、電気接続部６と６’にも重なる。次に、遮断層４は、電気接続部６と６’上で再び部分的に除去可能であり、この方法では、例えば金属細片９に半田付けすることで外部電気接続が可能になる。半田点が損傷しないように、積層温度に応じて遮断層４の積層条件が選択されている場合には、本発明の他の設計では、半田点が遮断層４によっても被覆されるように、金属細片９が半田付けされた後で、遮断層を塗布することも可能である。この方法では、下方電極３ａのパッシベーション層（７）が処置できる。本発明は、望ましい層構造、中でも、感候性および感腐食性層を備えた広領域薄膜構成の耐候性および耐腐食性カプセル化構造を提供できる。本発明は、太陽電池の耐候性カプセル化構造に特にふさわしいが、当然のことながら、それに制限されるわけではない。本発明は、高温および／または多湿の環境にさらされる薄膜構成にとくに適している。当然のことながら、これは、こうした腐食促進環境条件に通常は露呈されることがない層構造にも適用される。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】１９９８年２月５日（１９９８．２．５）【補正内容】請求の範囲１．光学および／または電気的に活性化しかつ基板（１）上に配置された層構造であって、少なくとも１つの感腐食および／または感湿性層（２）と、前記感腐食および／または感湿性層（２）上に配置された少なくとも１つの遮断層（４）とを備え、前記遮断層（４）は薄膜でありかつＡｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＮ、ＭｏＮおよびＳｉＯ_xＮ_yから選択され、遮断層（４）は、感腐食性および／または感湿性層（２）を含む構造の側部に至る前記基板（１）、金属層またはパッシベーション層（７）で終端することを特徴とする層構造。２．少なくとも１つのプラスチック層を備えた積層構造（５）が遮断層（４）上に配置されている請求項１に記載の層構造。３．気密に縁部を被覆するように遮断層（４）が形成されている請求項１または２に記載の層構造。４．電気または光学構成部品の一部であり、光で活性化する構成部品および／または電位差で動作する構成部品が絶縁性水蒸気遮断または耐腐食層で被覆され、電位差のない層が導電性水蒸気遮断または耐腐食層により被覆されている請求項１ないし３のいずれかに記載の層構造。５．下方電極層（３ａ）が、少なくとも電気接続部（６、６’）の領域の導電性遮断またはパッシベーション層（７）で被覆される請求項１ないし４のいずれかに記載の層構造。６．太陽電池または太陽モジュールとして設計される請求項５に記載の層構造。７．遮断層（４）が基板（１）上に配置された感熱性および／または感腐食性層（２）上に縁部を被覆するように積層され、遮断層はＭｏＮ、ＴｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄およびＳｉＯ_xＮ_yから選択され、遮断層は１００ｎｍないし２μｍの厚みまで積層され、周辺連続分離溝（８）は最初に薄膜（２）に作成され、溝では、薄膜構造の耐候層の表面が露呈しており、前記薄膜（２）は、前記遮断層が分離溝の中で耐候層の表面で終端するように、遮断層（４）により表面上および全側縁部上が被覆される、耐候性および耐腐食性層構造を製造する方法。８．遮断層（４）は選択的プラズマ支援ＣＶＤ方法により積層されている請求項７に記載の方法。９．少なくとも１つのプラスチック層を備えた積層構造（５）は遮断層（４）上に追加塗布される請求項７または８のいずれかに記載の方法。１０．太陽電池および太陽モジュールの耐候性カプセル化のための請求項７ないし９のいずれかに記載の方法の使用。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＮ，ＪＰ，ＵＳ (72)発明者フォルカー、プロブシュトドイツ連邦共和国ミュンヘン、エリーラントシュトラーセ、13 (72)発明者ヘルマン、カルバードイツ連邦共和国ミュンヘン、シュールシュトラーセ、37

Claims

【特許請求の範囲】１．光学および／または電気的に活性化しかつ基板（１）上に配置された層構造であって、少なくとも１つの感腐食および／または感湿性層（２）と、前記感腐食および／または感湿性層（２）上に配置された少なくとも１つの遮断層（４）とを備え、前記遮断層（４）は薄膜でありかつＡｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＮ、ＭｏＮおよびＳｉＯ_xＮ_yから選択されることを特徴とする層構造。２．少なくとも１つのプラスチック層を備えた積層構造（５）が遮断層（４）上に配置されている請求項１に記載の層構造。３．遮断層（４）は気密に縁部を被覆するように形成されている請求項１または２に記載の層構造。４．遮断層（４）は、感腐食性および／または感湿性層（２）を含む構造の側部に至る前記基板（１）、金属層またはパッシベーション層（７）で終端する請求項１ないし３のいずれかに記載の層構造。５．電気または光学構成部品の一部であり、光で活性化する構成部品および／または電位差で動作する構成部品が絶縁性水蒸気遮断または耐腐食層で被覆され、電位差のない層が導電性水蒸気遮断または耐腐食層により被覆されている請求項１ないし４のいずれかに記載の層構造。６．下方電極層（３ａ）が、少なくとも電気接続部（６、６’）の領域の導電性遮断またはパッシベーション層（７）で被覆される請求項１ないし５のいずれかに記載の層構造。７．太陽電池または太陽モジュールとして設計される請求項６に記載の層構造。８．遮断層（４）が基板（１）上に配置された感熱性および／または感腐食性層（２）上に縁部を被覆するように積層され、遮断層はＭｏＮ、ＴｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄およびＳｉＯ_xＮ_yから選択され、遮断層は１００ｎｍないし２μｍの厚みまで積層された、耐候性および耐腐食性層構造を製造する方法。９．遮断層（４）は選択的プラズマ支援ＣＶＤ方法により積層されている請求項８に記載の方法。１０．周辺連続分離溝（８）は最初に薄膜（２）に作成され、溝では、薄膜構造の耐候層の表面が露呈しており、前記薄膜（２）は、前記遮断層が分離溝の中で耐候層の表面で終端するように、遮断層（４）により表面上および全側縁部上が被覆される請求項８および９のいずれか一方に記載の方法。１１．少なくとも１つのプラスチック層を備えた積層構造（５）は遮断層（４）上に追加塗布される請求項８ないし１０のいずれかに記載の方法。１２．太陽電池および太陽モジュールの耐候性カプセル化構成の請求項８ないし１１のいずれかに記載の方法の使用。