JP2000509154A - シンチレータ装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
シンチレータ検出器装置は、別形態の放射線が繊維の間の開放部分を透過するのを可能にしつつ、一形態の放射線を検出し得るように隔たったパターンにて配置された繊維のサンドイッチ状部部分と、別形態の放射線を検出し得るように繊維に又は該繊維付近に取り付けられた薄膜とを備えている。該薄膜は、シンチレーションを薄膜から繊維内に向ける反射層を有するプラスチック基層上に配置されている。繊維は、例えば、繊維により光増倍管装置に伝送されるベータ粒子を捕獲したときにシンチレーションを発生する。また、該繊維は、膜からの紫外線シンチレーションも感知可能であり、該紫外線シンチレーションに応答して、同様に光増倍管に伝送されるシンチレーションを発生させる。サンドイッチ状部分の組み合わせ体を利用して、飛時間のシンチレーション検出器を形成することができ、また、該サンドイッチ状部分は、選択された繊維及び薄膜に対応して、種々の型式の放射線に応答可能である。
Description
【発明の詳細な説明】
シンチレータ装置
本発明は、全体として、シンチレータ装置に関し、より具体的には、商業的用
途に使用される複数の異なる型式の放射線/粒子を同時に検出することができる
薄く且つ迅速なシンチレータに関する。
シンチレーションは、高エネルギの粒子又は量子が結晶を透過するときに生じ
る。粒子は、結晶を透過するときエネルギを原子の電子に伝達することによりエ
ネルギを失う。一方、励起された原子及び励起子は、UV又は可視光の多数の光
子の付随する飛散により崩壊する。固体の結晶性物質は、粒子及びガンマ線が比
較的短い帯域を有する高い電子密度である。従って、比較的小さい容積又は薄い
厚さにて高エネルギ粒子及び量子の高い検出効率が得られる。光増倍管と組み合
わせて使用するとき、結晶性シンチレータは、エネルギの分解能が比較的良い出
力信号を提供する。
都合の悪いことに、公知のシンチレーチング材料の応答時間は、粒子のエネル
ギ及び方向に共に、粒子の型式及び質量に関するデータを同時に発生させること
のできる粒子検出器を提供するのに十分、迅速ではない。すなわち、現在、ナノ
秒の応答時間を有する明るい(>10陽子/KeV)シンチレータ結晶で利用可能
なものはない。かかる迅速な反応時間の結晶が現在、必要とされているが、かか
るシンチレータの現在の開発は、数年かかり、例えば、製造される新規な結晶の
各々に対して100万ドル以上もの極めて多額の費用が必要となる。
プラスチックシンチレータのZ値が低いことは、長い減衰長さを生じさせる。
このため、市販の迅速なプラスチックシンチレータは、特に、電子及びX線に対
して不正確な位置の測定値を提供することになる。更に、これらのシンチレータ
は、異なる型式の粒子、すなわち、陽子、アルファ、ベータ及び中間子を容易に
識別することができない。
現在の迅速な無機シンチレータBaF2、CaF2は、最も正確な飛時間の測定
を可能にするのに十分、迅速なナノ秒の崩壊時間を有する明るい構成要素を有し
ていない。本発明は、薄く(このため、入射する粒子の方向を感知可能である)
、明るく(>10陽子/KeV)且つ飛時間のデータを提供するのに十分、迅速で
あるシンチレータを利用する粒子検出器に関するものである。
発明の概要
本発明によるシンチレータ検出装置は、全体として、別形態の放射線が格子パ
ターンの開放部分を透過することを可能にしつつ、1つの形態の放射線を検出す
る手段を提供する、開放格子パターンにて配置された繊維を含んでいる。本発明
は、薄膜と組み合わせて、その一側部にて繊維付近に配置されたプラスチック基
層上に薄膜が蒸着された状態にて、別形態の放射線を検出する手段を提供する。
適当な電子機器と組み合わせた、このシンチレータの「サンドイッチ状部分」は
、異なる形態の放射線又は粒子の飛時間及び位置を同時に測定するために使用す
ることができる。
1つの実施の形態において、本発明は、交差パターンにて配置された個々の繊
維を備えている。本発明の別の実施の形態において、繊維手段は、互いに平行な
関係に配置された個々の繊維から成るようにすることができる。これらの実施の
形態の何れも別形態の放射線が透過するのを可能にし得るように、繊維の間に開
放領域を提供する。
より具体的には、本発明によれば、薄膜は、別形態の放射線の捕獲したときシ
ンチレーションを放出するシンチレーチング材料手段を備え、また、シンチレー
ションを薄膜手段から繊維手段内に向ける更なる反射層手段をプラスチック基層
の上に配置することができる。
更に、より具体的には、本発明による装置は、選択されたエネルギのベータ粒
子がプラスチック基層及び蒸着した膜を透過することを可能にする厚さを有する
個々の繊維を備えることができる。この膜は、選択されたエネルギのアルファ粒
子が該膜を透過するのを可能にする厚さを有する。
更に、シンチレーションを薄膜手段から繊維手段内に向ける追加的な手段を提
供するアルミ被覆したプラスチック膜を繊維手段の両側部付近に配置することが
できる。薄膜手段内のアルファ粒子によって発生されたシンチレーションは、紫
外線の形態をしており、このUV線は繊維内にシンチレーションを発生させる作
用可能である。ベータ粒子を捕獲したとき、薄い繊維手段によって紫外線が直接
、発生される。プラスチック膜基層を支持するためフレームを設けることができ
、個々の繊維をプラスチック基層に接着させる接着剤手段を提供することができ
る。更に、繊維手段によって発生されたシンチレーションを受け取るため、個々
の繊維に接続された光増倍管手段を提供することができる。
1つの実施の形態において、本発明の装置は、粒子を判別するための複合的な
シンチレータ「サンドイッチ」状手段を備えることができる。例えば、アルファ
粒子は、薄膜手段しか透過せず、このため、個々の繊維の間しか透過することが
できない一方、ベータ粒子は、個々の繊維手段を直接、透過することができる。
第二のシンチレーション手段は、アルファ粒子及びベータ粒子の双方を停止させ
るのに十分な厚さを有し、また、この第二のシンチレータ手段により発生された
シンチレーションを受け取るため第二の増倍管手段が提供される。第二のシンチ
レーション手段とシンチレーション「サンドイッチ」状部分との間の隔たった関
係は、飛時間、位置及び方向を測定することを可能にする。このようにして、こ
の装置は、2つの形態の粒子放射線、すなわち、アルファ粒子及びベータ粒子を
判別する。
本発明の別の実施の形態において、第一のプラスチック基層に蒸着される第一
の薄膜手段によりアルファ粒子が捕獲されたときに紫外線を発生させる第一の薄
膜手段が提供される。第一のフレームは、第一のプラスチック基層を支持する手
段を提供する。
個々の繊維を打撃するベータ粒子及び紫外線を検出すべく開放格子パターンに
て第一のプラスチック基層上に配置された個々の繊維を有する第一の繊維手段が
提供される。この開放格子パターンは、アルファ粒子が個々の繊維の間を透過す
ることを可能にする。
第二のプラスチック基層上に蒸着される第二の薄膜手段によりアルファ粒子を
捕獲したときに紫外線を発生させる第二の薄膜手段が提供される。
第二のフレーム手段が提供され且つ第二のプラスチック基層を支持し得るよう
に第一のフレーム手段と隔たった関係に配置される。
個々の繊維を有する第二の繊維手段が開放格子パターンにて第二のプラスチッ
ク基層上に配置され、個々の繊維を打撃するベータ粒子及び紫外線を検出し且つ
アルファ粒子が個々の繊維の間を透過することを可能にする。
より具体的には、この実施の形態において、第一のプラスチック基層は、第一
の薄膜手段により発生された紫外線を第一の繊維手段内に向ける反射層手段を備
えることができ、この第一のプラスチック基層は、第一の繊維手段の一側部付近
に配置され、また、第二のプラスチック基層は、第二の膜手段により発生された
紫外線を第二の繊維手段内に向ける反射層手段を備え、この第二のプラスチック
基層は、第二の繊維手段の一側部付近に配置されている。
この実施の形態において、第一の繊維手段は、選択されたエネルギのベータ粒
子が透過することを可能にする厚さを有する個々の繊維から成っており、また、
第二の繊維手段は、選択されたエネルギのベータ粒子が透過するのを防止する厚
さを有する個々の繊維から成っている。更に、第一の薄膜手段及び第一のプラス
チック基層は、選択されたエネルギのアルファ粒子が透過することを可能にする
厚さを有し、第二の薄膜手段及び第二のプラスチック基層は、選択されたエネル
ギのアルファ粒子が透過するのを防止する厚さを有する。従って、この実施の形
態において、第一の繊維手段を透過するベータ粒子は電気信号を発生させ、また
、第二の繊維手段により捕獲されたときに該第二の繊維手段内に電気信号を発生
させる。これらの2つの電気信号は、ベータ粒子の飛時間、方向及びエネルギを
判断するのに必要なデータを提供する。
同様に、第一の膜手段は、アルファ粒子を捕獲したときに信号を提供し、第二
の膜手段は、アルファ粒子を捕獲したときに電気信号を提供し、これらの信号は
組み合わさって、アルファ粒子の飛時間及び方向を計算するのに必要なデータを
提供する。このように、本発明による組合せ体は、多数の放射線、具体的には、
例えば、アルファ粒子及びベータ粒子をエネルギ及び方向に関する情報と同時に
検出することが可能である。
第一の繊維手段に接続され、ベータ粒子及び紫外線により発生された個々の繊
維からのシンチレーションに対応する電気出力を発生させる、第一の光増倍管手
段と、第二の繊維手段に接続され、ベータ粒子及び紫外線により発生された個々
の繊維からのシンチレーションに対応する電気出力を発生させる、第二の光増倍
管手段とにより電気信号が提供される。この紫外線は、第一及び第二の薄膜手段
を透過し且つ第一及び第二の繊維手段内にそれぞれ反射されるアルファ粒子に対
応する。
重要なことは、該第一の薄膜手段が、第一の薄膜手段と第二の薄膜手段との間
の距離をアルファ粒子が横断するのに必要な時間よりも速いシンチレーチング発
生/崩壊時間を有するシンチレーチング材料から成ることである。
従って、本発明のシンチレーチング薄膜手段は、ドープしたBaCl2、又は
ドープしたZnO膜の何れかから成るようにすることができる。BaCl2膜を
Ce又はSiでドープし、ZnO薄膜をSiO2、Ga2O3及びH又はOでドー
プすることができる。
図面の簡単な説明
本発明は、特に、添付図面と共に、以下の詳細な説明を読むことによりより容
易に理解することができる。添付図面において、
図1は、本発明の1つの実施の形態の斜視図的な分解図である。
図2は、図1に図示した実施の形態の側面図である。
図3は、図1及び図2に図示した実施の形態に対して使用することのできる関
連する電子機器のブロック図である。
図4は、図1乃至図3に図示したシンチレータ・サンドイッチ状部分を支持す
るのに適したフレームの平面図である。
図5は、図4に図示したフレーム又はホルダの側面図である。
図6は、本発明に従って2つのシンチレータ・サンドイッチ状部分を利用する
、本発明の別の実施の形態のブロック/概略図である。
図7は、図6に図示した実施の形態にて使用することのできる本発明によるシ
ンチレータ・サンドイッチの平面図である。
図8は、図6及び図7に図示した実施の形態の側面図である。
図9は、図8に図示した実施の形態の側面/ブロック図である。
図10は、平行列の繊維を利用する本発明の別の実施の形態の平面図である。
図11は、ナノ秒時間目盛り(1つのナノ秒時間表)におけるZnO(Ga、
Si、H)粉末の時間遅れスペクトルのプロット図である。
図12は、ナノ秒時間目盛りにおける1μmBaCl2薄膜の時間遅れスペク
トルのプロット図である。詳細な説明
先ず、図1を参照すると、その間に開口部20を有する開放格子パターンにて
配置された個々の繊維14、16を含む、繊維手段12を全体として有するシン
チレータ検出器装置10が線図的に示してある。以下に更に詳細に説明するよう
に、繊維14、16は、例えばアルファ粒子のような別形態の放射線が格子パタ
ーンの開口部20すなわち開口部分を透過するのを可能にしつつ、例えばベータ
粒子のような1つの形態の放射線を検出する作用可能な繊維14、16が配置さ
れている。
該繊維と組合わさって、薄膜24は、例えばアルファ粒子のような別形態の放
射線を検出する手段を提供し、また、該薄膜手段24は、繊維手段12付近に配
置されたプラスチック基層26の上に配置されている。繊維手段12及び薄膜手
段24は組み合わさって、シンチレータ「サンドイッチ」状部分30を提供し、
該シンチレータ・サンドイッチ状部分30は、以下に更に詳細に説明するように
飛時間技術を使用して異なる種類の粒子のエネルギを正確に測定する機能を含む
多数の新規な特徴を提供する。
図示するように、シンチレータ・サンドイッチ状部分30は、アルファ粒子を
検出し得るようにミクロン薄膜24シンチレータが上にある、ベータ粒子を検出
する市販のプラスチック繊維の格子を備えている。更に、膜材料及び繊維14、
16並びに薄膜24は、弱いX線、アルファ、ベータ又は陽子放射線の組合せ体
を効果的に検出し且つ測定し得るように選択することができる。本発明を正確に
説明するため種々の実施の形態において2層のサンドイッチ状部分のみを説明し
たが、該サンドイッチ状部分は、多機能で且つ極めて多数の用途にて有用な検出
器を形成するため、繊維のその他の格子(図示せず)及び薄膜(図示せず)を含
むことができる。本発明による理想的な検出器は、UV、X線、ガンマ線、粒子
及び中性子を含むあらゆる形態の放射線の性質を特定し且つその放射線を空間的
に位置決めし、また苛酷な環境条件下にて劣化しないものである。
本発明に従ってベータ粒子を検出するのに適したシンチレーチング繊維14、
16は、オハイオ州、ソロン及びニューベリーのバイクロン・インコーポレーテ
ッド(Bicron,Inc.)から入手可能であるプラスチックDCF−10四角繊維であ
り、これらの繊維14、16の各々は約2mm2であり、その長さは約15cmで
ある。繊維14、16は、図1に図示する交差パターンにて配置することができ
、繊維間の開口部すなわち間隔は、アルファ粒子が透過することを可能にし得る
ように約5mmの寸法とする。
2mm2の繊維は、約0.4MeV以上のエネルギを有するベータ粒子が10繊維格
子を利用する繊維を透過することを可能にする。交差した繊維パターンの全体寸
法は約10cm×10cmである。このことは、例えば、ハママツ(HAMAMATSU)428
6位置感応型光増倍管のような市販の増倍管40、42と更なる繊維34、36
とをそれぞれ相互に接続することを可能にする。
繊維14、16を透過するベータ粒子(図1に図示せず)によりその内部にて
紫外線の形態のシンチレーションを発生させ、この紫外線は、繊維自体により光
増倍管40、42に光学的に伝達される。
本発明の実施の形態に関して以下に更に詳細に説明するように、同様にバイク
ロン・インコーポレーテッドから入手可能であるBCF−600のような光学用セ
メントを使用して繊維14、16をプラスチック基層26に接着することにより
、繊維14、16を所定位置に保持することができる。
薄膜24は、約1ミクロン乃至3ミクロンの範囲の厚さを有することができ、
以下に更に詳細に説明するBaCl2又はドープしたZnOのようなシンチレー
チング材料から成るものとすることができる。この薄膜は、約3ミクロン乃至約
30ミクロンの範囲の厚さを有するマイラー(MYLAR)(登録商標名)プラスチッ
ク基層26上に配置することができる。このことは、約3MeV乃至約10MeV
の範囲のエネルギを有するアルファ粒子が透過することを可能にする。
繊維手段12の開口部20を透過するアルファ粒子が薄膜24及び基層26を
透過する一方、繊維14、16を打撃するアルファ粒子は、その繊維内に取り込
まれ、その後、プラスチックシンチレータディスク42A上に配置された厚いシ
ンチレーチング膜40A(例えば、約3ミクロン)により捕獲される。このシン
チレータディスク42Aは、繊維14、16を透過するベータ粒子を停止させ、
そのベータ粒子に対応するシンチレーションを発生させる。厚い膜40A、及び
ディスク42Aからのシンチレーションは第三の光増倍管46により受け取られ
る。
図2に図示するように、作動中、入射するベータ粒子50は、繊維14、16
を透過し、その後、プラスチックシンチレータディスク42Aにより捕獲され且
つ停止される。以下に説明するように、繊維14、16からのシンチレーション
及びディスク46からのその後のシンチレーションは、図面に線50で示すよう
にベータ粒子のエネルギ及び移動方向の双方を判断するために使用することがで
きる。開口部20内で繊維14、16の間を透過する入射アルファ粒子54は、
薄膜24を通じて捕獲され且つ該薄膜を透過し、該薄膜24は、シンチレーショ
ンを発生し、光増倍管の管40、42を通じてアルファ粒子に対する最初の飛時
間の測定を開始する。厚い膜40Aはアルファ粒子を停止させ、そのアルファ粒
子に対応するシンチレーションを提供し、そのシンチレーションは、第三の光増
倍管46により受け取られ、その後の電気出力が図2に線54で示すアルファ粒
子のエネルギ及び位置を判断するのに必要な情報を提供する。
厚い膜40A及びシンチレータディスク42Aは、シンチレータ・サンドイッ
チ状部分30に対して例えば、約8cmの隔たった関係にて配置されている。以
下に説明するように、薄膜手段は、アルファ粒子が薄膜手段24と厚い膜40A
との間の距離を横断するのに必要な時間よりも速いシンチレーション発生/崩壊
時間を有するシンチレータ材料から成っている。このように、アルファ粒子が薄
膜24を透過し、厚い膜40Aにより停止されるとき、別個の電気的出力信号が
発生される。従って、この速い応答時間は、図1及び図2に図示したシンチレー
タ装置を使用することを通じて飛時間を測定することを可能にする。
図3には、検出器装置10を支援する電子機器が示してある。全体として、こ
の支援装置の全ては市販されており、従って、図3に線図として示してある。飛
時間を測定するとき、ベータ粒子が繊維14、16を打撃する時間と、隔たった
シンチレータ42Aを打撃する時間との差を測定するために時間遅れの補正器が
利用される。
光増倍管40、42は、飛時間の測定の開始時におけるベータ粒子のx、y座
標を決定する。この信号は、時間遅れ補正器60に送られる。アルファ粒子が繊
維を打撃する可能性があることを考慮して、ベータ粒子とアルファ粒子とを識別
し、ベータ粒子の情報のみを時間遅れ調和装置に伝達するため判別装置62が利
用される。
アルファ粒子が横断することに応答する薄膜からのシンチレーションは紫外線
帯域内にある。この紫外線エネルギは、繊維14、16により捕獲され、該繊維
は追加的なシンチレーションを発生させ、その追加的なシンチレーションも伝達
され且つ光増倍管40、42により受け取られる。また、薄膜24を横断するア
ルファ粒子に対応する電気的出力も一定成分判別装置62に入力され、その後、
時間遅れ補正器60に入力される。その結果、ベータ粒子及びアルファ粒子が繊
維14、16及び薄膜24をそれぞれ横断するとき、そのベータ粒子及びアルフ
ァ粒子の各々に対する別個の開始信号が発生される。
アルファ粒子及びベータ粒子は、厚い膜40A及びシンチレータディスク42
Aによりそれぞれ停止され、該粒子に起因する刺激の結果、光増倍管46から電
気的出力が発生する。アルファ粒子及びベータ粒子に関連する2つのシンチレー
ション事象に鑑みて、この出力は、アルファ一定成分判別装置64、時間ゲート
66を通って流れ、その後、時間遅れ調和装置に入る。更に、光増倍管40、4
2、46からの出力は、検出された粒子に関するエネルギの位置データを提供す
る時間遅れ補正器を利用する適当なコンピュータ68に供給される。
上述したように、シンチレーチング繊維14、16は、ベータ粒子のみならず
、シンチレーチング薄膜24により発生された紫外線にも応答可能である。
このように、薄膜を横断し且つその内部でシンチレーションを生じさせるアル
ファ粒子に対応する電気的出力を提供するため別個の光増倍管(図示せず)は不
要である。
反射層74のシンチレーションに起因した薄膜から放出された紫外線の結合を
向上させるため、薄膜24からの紫外線シンチレーションを繊維14、16内に
向ける、アルミニウム等とすることのできる反射層74が提供される。
上述したように、繊維14、16は、基層26に接着することができるが、基
層自体は、図4及び図5に図示するような、ステンレス鋼製フレーム78により
支持することができる。該フレームは、ロッド86、88及び第二の組みのバー
90、92により隔たった関係に保持された2本のバー80、82を含むことが
でき、バー90、92を貫通し且つバー80、82にそれぞれ螺着可能に係合す
るねじ94を通じて組みのバー82、90及び80、92の間にクランプ止め動
作が提供される。バー80、82及び90、92の相互境界面98、100は、
その間を伸びた膜26を把持し易くし得るように粗仕上げとすることができる。
次に、図6を参照すると、2つのシンチレータ・サンドイッチ状部分108、
110を利用する、本発明の別の実施の形態104が図示されている。これらシ
ンチレータ・サンドイッチ状部分108、110は、上述したサンドイッチ状部
分30と同等であり、これら2つのサンドイッチ状部分の利用により、上述した
シンチレータ・ディスク42A及び第三の光増倍管46が不要となる。電子的な
支援装置に対する共通の参照番号は、図3に関して上述した同様の電子構成要素
に対応する。
この場合にも、TAC60の開始信号と停止信号との時間差は、アルファ及びベ
ータ事象の各々に対する飛時間のデータ流を提供する。繊維シンチレータ14、
16及び関連した電子機器114内の位置感知型光増倍管40、42は、粒子事
象のとき、位置及び明るさの双方を提供し、このため、パルス高分析装置68を
備えるコンピュータは、図1に示した数式から粒子の方向、エネルギ、速度及び
質量を自動的に表示する。
表1
図2に図示した粒子検出器に対する性能の等式は次の通りである。
BCF10繊維がカバーする部分領域Afは、次のようにして求められる。
Af=fd×fl×Nf=10cm2 fd=0.2cm fl=5cm Nf=10
ホルダの面積Ahは、5cm×5cm=25cm2である。
1本のファイバを打撃する確率はAf/Ah−0.4であり、1本のファイバを外
れる確率は(Ah−Af)/Ah=0.6である。
これら点の設計変数は、図2の事例に対して示すものである。すなわち、
双方の繊維層をベータ粒子が打撃する確率はAf 2/Ah 2=0.16である。
アルファ粒子が双方の繊維層を外れる確率は(Ah−Aff)2/Ah 2=0.36で
ある。
飛時間ごとの粒子の運動エネルギは、
T=(ν−1)Mc2、この場合 ν 2=1/(1−β2)、但し、β=v/c
である。
この等式において、Mは粒子の静止質量、vは粒子の不適当な速度、cは真空
中の量子の速度である。
Lpの測定値(図7B参照)は、Xf、YfのPMT位置を感知する測定値から
直接、求められる。Lp 2=(Xf−Xc)2+(Yf−Yc)2+Lo 2であるから、こ
れらは、粒子のエネルギ及び位置を計算することを可能にする。運動エネルギT
に対し、T=(ν−1)Mc2、β=Lp/c tpとなり、従って、ν 2=(ctp
)2/[(c tp)−Lp 2]となる。
この事例において、定数Xc、Yc、Loは、粒子検出器の製造中に求められ、
また、走行時間tpの測定値も図3に図示したTAC60で求められた。
図2に図示した源の角度座標θ、φは次式から求められる。
ここで、源の象限を特定するためcosφ及びsinφの双方が必要である。
図7は、光増倍管の管40、42と相互に接続された交差列の繊維14、16
を示すシンチレータ・サンドイッチ状部分の平面図である。該光増倍管は、ハマ
マツから入手可能であり、立ち上がり時間が約300ピコ秒、遷移時間の拡がりが
約200ピコ秒、崩壊時間が約1200ピコ秒のモデルH6564及びR5900Uである。繊
維14、16と、光増倍管40、42との結合は、市販の光学的面板116、1
18に対して行うことができる。
次に、図8を参照すると、図6及び図7に図示した実施の形態104の側面図
が示してある。2つのシンチレータ・サンドイッチ状部分108、110は、互
いに約10cm離して配置することができる。サンドイッチ状部分110は、サン
ドイッチ状部分108と同様に、繊維120、122と、アルミ被覆膜124と
を有している。
薄膜24、124からそれぞれ繊維14、16及び120、122内への紫外
線シンチレーションの結合を促進するため、アルミ被覆したプラスチック膜12
6、128も提供されており、該アルミ被覆プラスチック膜は、薄膜手段24、
124から繊維14、16及び120、122内へそれぞれ紫外線シンチレーシ
ョンを向ける手段を提供する。源132からのアルファ粒子130も図8に示さ
れており、該アルファ粒子は、繊維14、16の間の開口部20内を該繊維の間
を通り且つ繊維120、122又は膜24により捕獲される。他方、ベータ源1
36からのベータ粒子134は、繊維14、16及び繊維120、122の1つ
以上と交差する。図8に図示した実施の形態の側面図は、図9にて共通の源14
0からのアルファ粒子130及びベータ粒子134を検出する状態が示されてい
る。
本発明の別の実施の形態が図10に図示されており、この図10において、繊
維144はそれぞれ光増倍管148、150と光学的面板150、152の間に
て平行状態に配置されている。繊維144、光増倍管148、150及び光学的
面板150、152は、本発明の実施の形態10、104に関して上述したもの
と同一である。
実施の形態142は、図10に線156として表示した周知の多線カウンタ装
置を具体化する。この実施の形態は、アルファ粒子の約50%が図2及び図8に図
示した交差線の実施の形態10、104と異なり、繊維144を透過するという
有利な点がある。多線カウンタ156は、0.1mmまで2つの光時間の位置にて
X、Y粒子の位置を測定し、十分に迅速な繊維146、膜シンチレータ160は
50ピコ秒の精度まで光の時間を測定する。
多線156は、枠164、166、168にて表示する3つの信号を発生させ
る。これらの信号は、図10に図示しない飛時間補正器60を始動させるため、
一定成分判別装置174、176に送られる。この配置の結果、より簡単な一元
的光ファイバの設計となるが、多少より複雑な電子機器を備えることになる。多
線電子機器及び形態の完全な説明は、1995年の物理的研究における核計測器及び
方法(Nuclear Instrumentation and Methods in Physics Research)」A36
6、129にて、ミゾガワ(Mizogawa)、M.サトー(Sato)及びY.アワヤ(Aw
aya)により「MBWC二次元的位置読み取り技術の多線比例式カウンタへの応
用(Application of the MBWC Two-Dimensional Positional Readout Technique
s to a Nulti-wire Proportional Counter)」に記載されている。この論文は、
本発明の装置に適した電子機器を説明すべく本明細書に含めてある。
本発明によるシンチレータ装置は、正確な飛時間の測定を行うため、重無機薄
膜を必要とする。これらの重無機シンチレータは、明るく且つナノ秒の崩壊速度
を有していなければならない。
重無機シンチレータを選択するための理論的背景を説明するべく引用して本明
細書に含めた、1972年、ニューヨークのアメリカン・エルズビュアのアベルス(
Abels)、F.による「固体の光学的性質(Optical Properties of Solids)」に
記載されたような結晶中の励起子の理論的な説明を利用することで、適正な材料
を選択することができる。この理論は、ZnO(Ga)のようなドープしたZn
OにおけるBaCl2の選択に利用される。
プラスチック基層に蒸着した薄膜は、本発明にて有用であり、ウィスコン州、
ミルウォーキーのアルドリッヒ・ケミカル・カンパニー(Aldrich Chemical Com
pany)から入手可能である、BaCl2、ZnOの超純粋粉末、及びそのドーパ
ントにて形成することができる。これらの粉末は、混合し且つ約180,000psi
の圧力で低温加圧成形して抵抗スパッタリング又は電子ビーム溶着に適した小さ
いペレットにする。本発明にて利用される膜の各々は、電子ビーム法に対して5
つのペレットが必要であった。該ペレットの直径は18mm、厚さは1.25mmであ
る。
蒸着させた基層上にBaCl2及びZnO(Ga)を蒸着した後、電子ビーム
蒸着を行う前に、バリウムハロゲン化物ペレットを真空中で約300℃にて4時間
、加熱して、残留水又は水和物を除去し、また、蒸着の前に、全てのプラスチッ
ク基層を従来の技術で洗浄した。
更に、蒸着前に、そのフレーム中のプラスチック基層は2時間、80℃まで加熱
して残留水を除去した。この蒸着は、電子ビーム銃、光学的モニタ装置及び厚さ
モニタ装置、<10-5トールの能力の真空装置、ブローバー及び電源を利用し、こ
れらは全て従来の装置である。蒸着は<2×10-5トールの圧力にて行った。バリ
ウム・ハロゲン化物を蒸着した後、膜の一部は二酸化ケイ素の層で上被覆し、結
晶の水和作用を防止した。基層中の膜を1時間、露出させた後、二酸化ケイ素の
被覆は水和作用を遅らせないことが分かった。
図11には、1ナノ秒時間及び分解能におけるZnO(Ga)リン酸粉末のシ
ンチレーションの時間遅れが示してある。この粉末は、有効透過厚さが30ミクロ
ンであり、標準明るさは15光子/KeVである。図12には、本発明に従ってミ
クロン厚さのBaCl2膜のイルミネセンスの時間遅れが示してある。理解し得
るように、2つのシンチレータは、明るさ及び速度の点で比較可能である。上述
した方法は、シンチレータに適した、光学的に透明な第一のBaCl2と、Zn
O膜とを生じさせた。
図11及び図12を比較すると、乾燥し、透明で且つ均一なBaCl2の結晶
膜は、水和化したBaCl2粉末と同一の明るさのとき、同一の遅延時間速度に
て蛍光を生することが分かる。更に、該崩壊時間及び明るさは、飛時間の測定を
行うために本発明にて使用するのに適している。
本発明によるシンチレータ検出器装置には多くの用途がある。例えば、油田掘
削及び鉱山の開発において、種々の計測のため中性子の発生源を知るべくD(T
、アルファ)n事象の正確なタイミングを判断するため、アルファ粒子を検出す
る迅速な薄膜シンチレータが必要とされる。アルゴン・ナショナル・ラボラトリ
ー(Argon National Laboratory)は、中性子の発生源と標的との間の距離を測
定する新規な方法を開発した。この方法において、D(T)融合により発生され
たアルファ線の時間をシンチレータ及び光増倍管(PMT)により記録する。パ
ルス・ポストアルファ・シンチレータ/PMTが計測器の時間/振幅の補正器(
TAC)を始動させ、中性子/標的の捕獲によるガンマ線を受けることによりT
ACを停止させることができる。現在、アルファ・シンチレータの崩壊速度がT
AC停止/始動の正確な測定に適合するものはない。かかる中性子の標的の距離
により、油田掘削のため及びある種の微量の鉱物を検出するため、三次元的な同
位元素マップが得られる。本発明によるシンチレータ検出器は、この必要性に適
合するものである。
本発明により提供されるような経済的なシンチレータは、医療用としてX線を
検出する適用例における改良となる。
本発明に従って形成された更に経済的な検出器は、学生及び研究者による利用
をより容易にし、同様に、安全目的のための済的なシンチレータも更に提供する
ものである。
化学分野及びエレクトロニック産業にて本発明によるシンチレータの無限の用
途を見い出すことができる。
本発明を有利に使用することのできる方法を示す目的のため、本発明によるシ
ンチレータ装置に関して上述したが、本発明は、これにのみ限定されるものでは
ないことを理解すべきである。従って、当業者に案出される任意の且つ全ての改
変例、変更又は均等な配置は、請求の範囲に記載した本発明の範囲に属すると見
なすべきである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE,
DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L
U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF
,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,
SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S
D,SZ,UG),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ
,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AT,AU
,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,CH,
CN,CU,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,G
B,GE,HU,IL,IS,JP,KE,KG,KP
,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU,
LV,MD,MG,MK,MN,MW,MX,NO,N
Z,PL,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI
,SK,TJ,TM,TR,TT,UA,UG,UZ,
VN
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.シンチレータ検出器装置において、 別形態の放射線が格子パターンの開放部分を透過するのを可能にしつつ、一形 態の放射線を検出し得るように、開放格子パターンにて配置された繊維手段と、 別形態の放射線を検出する薄膜手段であって、その一側部にて前記繊維手段付 近に配置されたプラスチック基層上に蒸着された薄膜手段とを備える、シンチレ ータ検出器装置。 2.請求項1に記載の装置において、前記繊維手段が、交差パターンにて配置 された個々の繊維をから成る、装置。 3.請求項1に記載の装置において、前記薄膜手段が、別形態の放射線を捕獲 したとき、シンチレータを放出させるシンチレータ材料手段を備える、装置。 4.請求項3に記載の装置において、前記薄膜手段から前記繊維手段内にシン チレーションを向け得るように、前記プラスチック基層上に配置された反射層手 段を更に備える、装置。 5.請求項1に記載の装置において、前記繊維手段が、選択されたエネルギの ベータ粒子が透過するのを可能にする厚さを有する個々の繊維から成る、装置。 6、請求項5に記載の装置において、前記プラスチック基層及び蒸着された膜 手段が、選択されたエネルギのアルファ粒子が透過するのを可能にする厚さを有 する、装置。 7.請求項4に記載の装置において、前記薄膜手段から前記繊維手段内にシン チレーションを向け得るように、前記繊維手段のもう一方の側部付近に配置され た、アルミ被覆したプラスチック膜手段を更に備える、装置。 8.請求項7に記載の装置において、前記薄い繊維手段により発生されたシン チレーションが、紫外線を含み、前記繊維手段が、ベータ粒子を捕獲したときに 第一のシンチレーションを発生させ、前記薄いフィルタ手段により発生された紫 外線を捕獲したときに第二のシンチレーションを発生させる作用可能である、装 置。 9.アルファ粒子を捕獲したときに紫外線を発生させる薄膜手段を備え、該薄 膜手段がプラスチック基層上に蒸着される、シンチレータ検出器装置において、 前記プラスチック基層を支持するフレーム手段と、 ベータ粒子及び個々の繊維を打撃する紫外線を検出し、アルファ粒子が前記個 々の繊維の間を透過するのを可能にし得るように開放格子パターンにて前記プラ スチック基層上に配置された個々の繊維を有する繊維手段とを備える、シンチレ ータ検出器装置。 10.請求項9に記載の装置において、前記個々の繊維が交差する格子パター ンにて蒸着される、装置。 11.請求項9に記載の装置において、前記個々の繊維が互いに対して平行な 関係に配置される、装置。 12.請求項9に記載の装置において、前記プラスチック基層が、前記薄膜手 段により発生された紫外線を前記繊維手段内に向ける反射層手段を備え、前記プ ラスチック基層が前記繊維手段の一側部付近に配置される、装置。 13.請求項12に記載の装置において、前記薄膜手段から前記繊維手段内に 紫外線を向け得るように前記繊維手段のもう一方の側部付近に配置された、アル ミ被覆したプラスチック膜手段を更に備える、装置。 14.シンチレータ検出器において、 別形態の放射線が個々の繊維の間を透過するのを可能にしつつ、一形態の放射 線を捕獲したときにシンチレーションを発生させ得るように、開放列にて配置さ れた前記個々の繊維を有する繊維手段と、 別形態の放射線を捕獲したときにシンチレーションを発生させる薄膜手段であ って、プラスチック基層上に配置された薄膜手段と、 前記プラスチック基層を支持するフレーム手段と、 前記繊維手段により発生されたシンチレーションを受け取り得るように、前記 個々の繊維に接続された光増倍管手段と、 その内部にて更なるシンチレーションを発生させ得るように前記薄膜手段から 前記繊維手段内にシンチレーションを向けるべく、前記プラスチック基層上に配 置された反射手段とを備える、シンチレーション検出器。 15.請求項14に記載のシンチレーション検出器において、開放列にて前記 プラスチック基層内に入る個々の繊維を更に備える、シンチレーション検出器。 16.請求項14に記載のシンチレーション検出器において、前記個々の繊維 が交差する格子パターンにて配置される、シンチレーション検出器。 17.請求項14に記載のシンチレーション検出器において、前記個々の繊維 が互いに対して平行な関係に配置される、シンチレーション検出器。 18.請求項14に記載のシンチレーション検出器において、前記繊維手段が 、選択されたエネルギのベータ放射線を捕獲した後、該ベータ放射線が透過する のを可能にする厚さを有する個々の繊維から成る、シンチレーション検出器。 19.請求項18に記載のシンチレーション検出器において、前記プラスチッ ク基層及び蒸着した膜手段が、選択されたエネルギのアルファ放射線を捕獲した 後、該アルファ放射線が透過することを可能にする厚さを有する、シンチレーシ ョン検出器。 20.請求項19に記載のシンチレーション検出器において、前記膜手段を透 過し且つ前記個々の繊維の間を透過する粒子と、前記繊維手段を透過するベータ 粒子とを発生させるシンチレータ手段であって、アルファ粒子及びベータ粒子の 双方を停止させるのに十分な厚さを有するシンチレータ手段と、前記シンチレー タ手段内で発生されたシンチレーションを受け取る第二の光増倍管手段とを更に 備える、シンチレーション検出器。 21.請求項20に記載のシンチレータ検出器において、前記第二の光増倍管 手段が、前記繊維手段及び前記薄膜手段からある距離の位置に配置され、前記薄 膜手段が、前記アルファ粒子が前記第二の光増倍管と前記繊維及び薄膜手段との 間の距離を横断するのに必要な時間よりも速いシンチレーション発生/遅れ時間 を有するシンチレーション材料から成る、シンチレータ検出器。 22.請求項21に記載のシンチレータ検出器において、前記シンチレーショ ン材料がBaCl2から成る、シンチレータ検出器。 23.請求項21に記載のシンチレータ検出器において、前記シンチレータ材 料がドープしたZnOから成る、シンチレータ検出器。 24.飛時間のシンチレータ検出装置において、 アルファ粒子を捕獲したときに紫外線を発生させる第一の薄膜手段であって、 第一のプラスチック基層上に蒸着された第一の薄膜手段と、 前記第一のプラスチック基層を支持する第一のフレーム手段と、 個々の繊維を打撃するベータ粒子及び紫外線を検出し且つアルファ粒子が前記 個々の繊維の間を透過するのを可能にし得るように、前記第一のプラスチック基 層上に開放格子パターンにて配置された個々の繊維を有する第一の繊維手段と、 アルファ粒子を捕獲したときに紫外線を発生させる第二の薄膜手段であって、 第二のプラスチック基層上に蒸着された第二の薄膜手段と、 前記第二のプラスチック基層を支持し得るように、前記第一のフレーム手段に 対して隔たった関係に配置された第二のフレーム手段と、 個々の繊維を打撃するベータ粒子及び紫外線を検出し且つアルファ粒子が前記 個々の繊維の間を透過するのを可能にし得るように、開放格子部分内にて前記第 二のプラスチック基層上に配置された個々の繊維を有する第二の繊維手段とを備 える、シンチレータ検出装置。 25.請求項24に記載の装置において、前記第一のプラスチック基層が、前 記第一の薄膜手段により発生された紫外線を前記第一の繊維手段内に向ける反射 層手段を備え、前記第一のプラスチック基層が前記第一の繊維手段の一側部付近 に配置され、 前記第二のプラスチック基層が、前記第二の薄膜手段により発生された紫外線 を前記第二の膜手段内に向ける反射層手段を備え、前記第二のプラスチック基層 が前記第二の繊維手段の一側部付近に配置される、装置。 26.請求項25に記載の装置において、前記第一の繊維手段が、選択された エネルギのベータ粒子が透過するのを可能にする厚さを有する個々の繊維から成 り、前記第二の繊維手段が、反射されたエネルギのベータ粒子が透過するのを防 止する厚さを有する個々の繊維から成るようにする、装置。 27.請求項25に記載の装置において、前記第一の薄膜手段及び第一のプラ スチック基層が、選択されたエネルギのアルファ粒子が透過するのを可能にする 厚さを有し、前記第二の薄膜手段及び第二のプラスチック基層が、反射されたエ ネルギのアルファ粒子が透過するのを防止する厚さを有する、装置。 28.請求項27に記載の装置において、ベータ粒子及び紫外線により発生さ れた、個々の繊維からのシンチレーションに対応する電気的出力を発生させ得る ように、前記第一の繊維手段に接続された第一の光増倍管手段と、ベータ粒子及 び紫外線により発生された、個々の繊維からのシンチレーションに対応する電気 的出力を発生させ得るように、前記第二の繊維手段に接続された第二の光増倍管 手段とを更に備える、装置。 29.請求項28に記載の装置において、前記第一の薄膜手段が、前記アルフ ァ粒子が前記第一の薄膜手段と第二の薄膜手段との間の距離を横断するのに必要 な時間よりも速いシンチレータ発生/崩壊時間を有するシンチレーション材料か ら成る、装置。
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