JP2000510520A - 高有機含量のオルガノヒドリドシロキサン樹脂 - Google Patents

高有機含量のオルガノヒドリドシロキサン樹脂

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Abstract

(57)【要約】 かご形コンホメーション、少なくとも約40モルパーセントの炭素含有置換基及び約2.7未満の誘電率を有するオルガノヒドリドシロキサンポリマーを与える。かご形ポリマーのそれぞれのケイ素原子は、少なくとも3個の酸素原子に及び水素原子か又は有機置換基に結合している。ポリマー主鎖上にも末端ケイ素原子にもヒドロキシル又はアルコキシ置換基をほとんど含まないそのようなかご形構造を与えることにより、鎖伸長重合は溶液中でほとんど起こりえない。約400〜約200,000原子質量単位の範囲内の分子量を有するそのようなオルガノヒドリドシロキサン樹脂を、二相溶媒系、及び少なくとも1種類のオルガノトリハロシランとヒドロトリハロシランの縮合を助ける固相触媒か又は相間移動触媒を用いて形成した。

Description

【発明の詳細な説明】 高有機含量のオルガノヒドリドシロキサン樹脂関連出願のクロス・リファレンス 本出願の発明者による弁理士事件整理番号30−4304(4780)の“OR GAN0HYDRID0SIL0XANE RESINS WITH LOW ORGANIC CONTENT”と題する関連出願は 、これと一緒に出願されている。本出願は、本明細書中に援用される、1997年4 月21日出願の米国予備出願第60/044481号の恩典を請求の範囲に記載し ている。背景 発明の分野 本発明は、概して、シロキサンを基剤とした樹脂、より詳しくは、新規なシロ キサンを基剤とした樹脂の合成及びそれから形成される低誘電率フィルムに関す る。関連技術 半導体装置は、しばしば、一つ一つの回路素子を電気的に組み合わせて集積回 路(IC)を形成するのに役立つ一つ又はそれ以上のアレイのパターン化された 相互連絡レベルを有する。これら相互連絡レベルは、典型的に、絶縁又は誘電性 のフィルムによって隔てられている。従来、化学蒸着(CVD)又はプラズマ促 進CVD(PECVD)技術を用いて形成された酸化ケイ素フィルムは、このよ うな誘電性フィルムに最も一般的に用いられる材料であった。しかしながら、回 路素子のサイズ及びそのような素子間の空間が減少するにつれて、このような酸 化ケイ素フィルムの比較的高い誘電率が問題となった。 酸化ケイ素の誘電率より低い誘電率を与えるために、シロキサンを基剤とした 樹脂から形成される誘電性フィルムが広く用いられるようになってきた。シロキ サンを基剤とした樹脂から形成されるフィルムの一つのこのようなファミリーは 、シルセスキオキサン水素(HSQ)樹脂(米国特許第3,615,272号,19 71年10月19日,Collinsら;及び米国特許第4,756,977号,1988年7月12日 , Haluskaらを参照されたい)から得られたフィルムである。しかしながら、その ようなフィルムは、CVD又はPECVD酸化ケイ素フィルムより低い誘電率を 与え、そして、増加した填隙性及び表面平坦化などの他の利点も与えるとはいえ 、典型的にはそのようなフィルムの誘電率は約3.0又はそれ以上に制限される ことが判明している(米国特許第5,523,163号,1996年6月4日,Ballan ceらを参照されたい)。 知られているように、そのような絶縁性フィルムの誘電率は、消費電力、漏話 及び信号遅延が少ないICが必要とされる場合に重要な要因である。IC寸法が 縮小し続けるにつれて、この要因の重要性は増大する。結果として、3.0を下 回る誘電率の絶縁性フィルムを提供できるシロキサンを基剤とした樹脂材料及び そのような材料を製造する方法が大いに望まれる。更に、そのような低誘電率フ ィルムを提供し、しかも高い耐亀裂性も有するシロキサンを基剤とした樹脂及び それら樹脂を製造する方法を有することも望ましいであろう。そのようなフィル ムは、約1.0ミクロン(μm)又はそれ以上の厚さに形成されると、低応力を 有することも望ましいであろう。更に、そのようなシロキサンを基剤とした樹脂 及びそれら樹脂を製造する方法が、標準的な加工技術によって低誘電率フィルム を提供することも望ましいであろう。この方法で、アンモニア又はアンモニア誘 導体型の雰囲気(米国特許第5,145,723号,1992年9月8日,Ballanceら を参照されたい)、オゾン雰囲気(米国特許第5,336,532号,Haluskaら を参照されたい)を必要とする硬化法、又は他の非標準型の半導体加工が避けら れる。要旨 本発明によれば、オルガノヒドリドシロキサン樹脂及びそのような樹脂を製造 する方法を提供する。そのようなオルガノヒドリドシロキサン樹脂の溶液は、種 々のマイクロエレクトロニック装置、特に、半導体集積回路の製造において有用 なかご形シロキサンポリマーフィルムを形成するのに用いられる。 本発明のオルガノヒドリドシロキサン樹脂は、次の4種類の一般式: [HSiO1.5n[RSiO1.5m 式1 [H0.5-1.0SiO1.5-1.8n[R0.5-1.0SiO1.5-1.8m 式2 [H0-1.0SiO1.5-2.0n[RSiO1.5m 式3 (式中、n及びmの合計は約8〜約5000であり、そしてmは該有機置換基が 約40モルパーセント(モル%)又はそれ以上まで存在するように選択される) [HSiO1.5x[RSiO1.5y[SiO2z 式4 (式中、x、y及びzの合計は約8〜約5000であり、そしてyは該有機置換 基が約40モルパーセント(モル%)又はそれ以上まで存在するように選択され; そして Rは、直鎖及び分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びそれ らの混合物を含めた置換された基及び非置換の基より選択され; ここにおいて、有機又は炭素含有置換基の比モル%は、出発物質の量の比率の 関数である)の一つを有する。 本発明によるポリマーは、交互のケイ素原子及び酸素原子を有するポリマー主 鎖を有するかご形構造を有する。特に、それぞれの主鎖ケイ素原子は、少なくと も3個の主鎖酸素原子に結合している。従来知られているオルガノシロキサン樹 脂とは対照的に、本発明のポリマーは、主鎖ケイ素原子に結合したヒドロキシル 基又はアルコキシ基を本質的に有さない。むしろ、それぞれのケイ素原子は、前 述の主鎖酸素原子に加えて、水素原子及び/又は式1、2、3及び4で定義した 基“R”だけに結合している。ポリマー中の主鎖ケイ素原子に水素及び/又は基 “R”だけを直接結合させることにより、本発明によるオルガノヒドリドシロキ サン樹脂溶液の保存寿命は、従来知られているオルガノシロキサン樹脂の溶液と 比較して向上する。 本発明の方法により、本発明のオルガノヒドリドシロキサン組成物の合成は、 触媒を用いる二相溶媒系を含む。本発明の幾つかの態様において、出発物質は、 トリクロロシラン及び1種類又はそれ以上のオルガノトリクロロシラン、例えば 、アルキルか又はアリールで置換されたトリクロロシランを包含する。 幾つかの態様において、本発明の方法は、少なくとも1種類のオルガノトリハ ロシラン及びヒドリドトリハロシランの溶液を混合して混合物を形成し;該混合 物を、非極性溶媒及び極性溶媒両方を含む二相溶媒と一緒にし;該二相溶媒と該 トリハロシランの混合物に触媒を加えて二相反応混合物を提供し;該二相反応混 合物を反応させてオルガノヒドリドシロキサンを生成させ;そして該オルガノヒ ドリドシロキサンを該二相溶媒系の該非極性部分から回収することを含む。 幾つかの態様において、追加の工程には、回収されたオルガノヒドリドシロキ サンを洗浄してあらゆる低分子量種を除去し、そしてオルガノヒドリドシロキサ ン生成物を分別することによってその生成物を分子量に応じて分類することが含 まれる。 幾つかの態様において、触媒は、塩化テトラブチルアンモニウム及び塩化ベン ジルトリメチルアンモニウムが含まれるがこれらに制限されるわけではない相間 移動触媒である。他の態様において、触媒は、Amberjet 4200又はAmberliteI-67 66イオン交換樹脂(Rohm and Haas Company,フィラデルフィア,PA)などの 固相触媒である。 本発明の幾つかの態様において、存在するオルガノトリハロシランモノマーの 量は、少なくとも約40モル%の炭素含有置換基の有機含量を有する硬化したま まの誘電性フィルムを提供するのに充分な量である。本発明によって形成される そのような誘電性フィルムは、好都合に、典型的には2.7未満の低誘電率を与 える。更に、本発明のオルガノヒドリドシロキサン組成物による誘電性フィルム は、約425℃又はそれ以上の硬化温度を許容する熱安定性を示す。詳細な説明 本発明をその様々な態様に関して記載するが、これら態様が本発明の例として 示されており、限定として示されているのではないということは理解されるであ ろう。したがって、具体的な材料及び方法の様々な変更又は適合は、当業者に明 らかになりうる。本明細書中の態様によって示されているような本発明の技術に 頼るそのような変更、適合又は変化は全て、本発明の精神及び範囲内であると考 えられる。例えば、本明細書中の態様は、典型的に、塩素化シランモノマーを用 いるが、トリフルオロシラン、トリブロモシラン、オルガノトリフルオロシラン 及びオルガノトリブロモシランなどの他のモノマーも用いることができる。 本発明のオルガノヒドリドシロキサン樹脂は、次の4種類の一般式: [HSiO1.5n[RSiO1.5m 式1 [H0.5-1.0SiO1.5-1.8n[R0.5-1.0SiO1.5-1.8m 式2 [H0-1.0SiO1.5-2.0n[RSiO1.5m 式3 (式中、n及びmの合計は約8〜約5000であり、そしてmは該有機置換基が 約40モルパーセント(モル%)又はそれ以上まで存在するように選択される) [HSiO1.5x[RSiO1,5y[SiO2z 式4 (式中、x、y及びzの合計は約8〜約5000であり、そしてyは該有機置換 基が約40モルパーセント(モル%)又はそれ以上まで存在するように選択され ;そして Rは、直鎖及び分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びそれ らの混合物を含めた置換された基及び非置換の基より選択され; ここにおいて、有機又は炭素含有置換基の比モル%は、出発物質の量の比率の 関数である)の一つを有する。 本発明の幾つかの態様において、置換された及び非置換の直鎖及び分岐状のア ルキル基は、約1〜20個の炭素を有し;置換された及び非置換のシクロアルキ ル基は、約4〜10個の炭素を有し、そして置換された及び非置換のアリール基 は、約6〜20個の炭素を有する。例えば、“R”がアルキル基である場合、“ R”には、メチル、クロロメチル及びエチル基、及び直鎖及び分岐状のプロピル 、2−クロロプロピル、ブチル、ペンチル及びヘキシル基が含まれるが、これら に制限されるわけではない。“R”がシクロアルキル基である場合、“R”には 、シクロペンチル、シクロヘキシル、クロロシクロヘキシル及びシクロヘプチル 基が含まれるが、これらに制限されるわけではなく;“R”がアリール基である 場合、“R”には、フェニル、ナフチル、トリル及びベンジル基が含まれるが、 これらに制限されるわけではない。いずれかの具体的なオルガノヒドリドシロキ サン樹脂の具体的な炭素含量が、本発明によれば、用いられる出発物質であるオ ルガノトリハロシランのヒドリドトリハロシランに対するモル比の関数であるこ とは理解されるであろう。したがって、選択されるいずれの基“R”についても 、少なくとも40モル%の量で存在する炭素含有置換基を有する本発明による樹 脂が得られる。 好都合に、本発明による態様は、交互のケイ素原子と酸素原子を有するポリマ ー主鎖を有するかご形構造を有するポリマーである。特に、それぞれの主鎖ケイ 素原子は、少なくとも3個の主鎖酸素原子に結合して、前述のかご形構造を形成 している。ほとんど全部の追加のケイ素結合は、水素、及び式1、2、3及び4 で定義した有機置換基に対するだけである。したがって、本発明のポリマーは、 主鎖ケイ素原子に結合したヒドロキシル基又はアルコキシ基をほとんど含まない ので、架橋反応は抑制される。 対照的に、従来知られているオルガノシロキサン樹脂は、主鎖ケイ素原子に結 合した高レベルのアルコキシ基を有するので、シラノール基を形成するかなりの 加水分解が認められる。この加水分解は、これら従来知られている樹脂から形成 される硬化したままのポリマーフィルムに一層高い誘電率をもたらし、更には、 これら樹脂の溶液の保存寿命を減少させる。後者は、望ましくない鎖伸長及び架 橋のためである。 したがって、本発明の態様は、主鎖ケイ素原子に直接結合した水素及び有機基 のみを与えることにより、ヒドロキシル基又はシラノール基の縮合によって引起 こされる望ましくない鎖伸長及び架橋を回避する。結果として、本発明によるオ ルガノヒドリドシロキサン樹脂溶液の保存寿命は、従来知られている樹脂の類似 の溶液にまさって有意に延長される。 本発明の方法により、本発明のオルガノヒドリドシロキサン組成物の合成は、 触媒を用いる二相溶媒系を含む。本発明の幾つかの態様において、出発物質は、 トリクロロシラン及び1種類又はそれ以上のオルガノトリクロロシラン、例えば 、上の式1〜4に関して定義した置換された及び非置換の基を有するオルガノト リクロロシランを包含する。 幾つかの態様において、触媒は、塩化テトラブチルアンモニウム及び塩化ベン ジルトリメチルアンモニウムが含まれるがこれらに制限されるわけではない相間 移動触媒である。例えば、臭素、ヨウ素、フッ素又は水酸基イオンは、幾つかの 態様において前述の塩素イオンの代わりに用いられる。相間移動触媒を反応混合 物中に導入して、その反応を所望の重合度まで進行させる。 他の態様において、触媒は、Amberjet 4200又はAmberlite I-6766イオン交換 樹脂(Rohm and Haas Company,フィラデルフィア,PA)などの固相触媒であ る。Amberjet 4200及びAmberlite I-6766は、塩基性陰イオン交換樹脂であ る。説明のためであって制限のためではないが、この樹脂は、モノマーのSi− Cl結合のSi−OHへの加水分解を促進すると考えられる。その加水分解の後 、2個のSi−OH残基が縮合してSi−O−Si結合が生じる。 本発明の一つの側面によれば、二相溶媒系には、連続相の非極性溶媒及び極性 溶媒が含まれる。非極性溶媒には、あらゆる適当な脂肪族又は芳香族化合物、又 はそのような適当な化合物のいずれか又は全部の混合物が含まれるが、これらに 制限されるわけではない。本文脈中の“適当な”の定義には、次の機能的特性が 含まれる: (1)モノマーのトリハロシラン化合物を溶かすこと、 (2)形成され且つ分子量が増加するオルガノヒドリドシロキサン樹脂生成物 を溶かすこと、 (3)該オルガノヒドリドシロキサン樹脂生成物の該溶媒中で安定化させるこ と、及び (4)該非極性溶媒中に望ましくない反応生成物を溶かさないこと。 代表的な非極性溶媒には、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、 ベンゼン、トルエン、キシレン、四塩化炭素などのハロゲン化溶媒、及びそれら の混合物が含まれるが、これらに制限されるわけではない。 極性相は、非極性溶媒相と不混和性であり、水、アルコール、及びアルコール と水の混合物が含まれる。存在するアルコールの量は、オルガノトリハロシラン モノマーの充分な溶解を確保するのに充分な量である。 約5%w/w〜80%w/wの極性溶媒の非極性溶媒に対する比率が望ましく 、約9%w/w〜約40%w/wが好ましいことが判明した。 極性相で用いるのに適した例示的なアルコール及び他の極性溶媒には、水、メ タノール、エタノール、イソプロパノール、グリセロール、ジエチルエーテル、 テトラヒドロフラン、ジグライム及びそれらの混合物が含まれるが、これらに制 限されるわけではない。一つの態様において、極性溶媒には、水/アルコール混 合液が含まれる。その場合、水は、アルコール中で可溶性でないイオン性不純物 を優先的に可溶化し、そして/又はそれ以外の場合にアルコール中で可溶性であ りうる生成化合物の溶媒抽出を妨げるのに充分な量で存在する。極性溶媒相は、 存在しうる塩酸(HCl)縮合生成物及びあらゆる金属塩又は他のイオン性混入 物を保持するのが有利である。ほとんど全部のイオン性混入物が極性溶媒相中に 保持されるので、本発明のオルガノヒドリドシロキサン生成物は高純度であり、 イオン性混入物をほとんど含有しない。 HCl縮合生成物及び他のイオン性混入物を極性相中に保持することに加えて 、本発明の方法は、イオン性混入物の供給源を回避することによって高純度のオ ルガノヒドリドシロキサン生成物も提供するということは理解されるであろう。 かくして、従来知られているオルガノシロキサン樹脂を製造する方法とは対照的 に、本発明による方法は、金属触媒又は非常に強い無機酸、例えば、発煙硫酸を 用いない。この方法では、そのような強酸による金属混入物の抽出若しくは浸出 又は金属触媒残留物の混入が避けられるので、高純度のオルガノヒドリドシロキ サン生成物が得られる。 有機及びヒドリドシラン(例えば、トリクロロシラン及びメチルトリクロロシ ラン)の混合物を、触媒、炭化水素溶媒、アルコール及び水の混合物に加える。 その混合物を濾過し、水を分離し、その溶液を乾燥させた後、蒸発させて白色固 体を残す。この固体を炭化水素溶媒中でスラリーにしてモノマーを除去した後、 蒸発させて所望の生成物を残し、これは、スピンオン(spin-on)ポリマーとし て用いるのに適した溶媒中で配合することができる。生じた生成物の分子量(M w)は、反応条件に依存して400〜200,000原子質量単位(amu)で ありうる。約5,000〜60,000amuのMwの物質が望ましいことが判明 した。約10,000〜50,000amuのMwの物質が幾分より望ましく、約 20,000〜40,000amuのMwの物質が最も望ましいことが判明した。実験方法 次の特性は、本発明のオルガノヒドリドシロキサンポリマー樹脂の性状を示す 非制限測定値を包含する。用いられる測定方法は次の通りである。 (1)フィルムの厚さ(A):フィルムの厚さは、Nanometrics,Co.から入手 可能な検量されたNanospec0 AFT-Y CTS-102の010-180型Film Thickness Measure ment Systemを用いて測定する。ウェファー上の5か所の位置での測定値の平均 を各試料についてのフィルムの厚さとして示す。 (2)分子量(“MW”):分子量は、Waters 510ポンプ、Waters 410示差屈 折計及びWaters 717自動試料採取器を備えたWaters Corporation,ミルフォード ,MAからのゲル相クロマトグラフィーシステムを用いて測定する。用いられる 手順は、S.Rosenらによって“Fundamental Principles of Polymeric Materials ”,53-81頁(第2版,1993年)で示された通りであり、本明細書中に援用 される。 (3)誘電率:誘電率は、キャパシタンス−電圧(“CV”)測定技術を用い て決定し、Hewlett-Packard 4061A型半導体測定システムを1MHzの周波 数で用いる。この試験法は、各層の厚さが約0.5〜1ミクロン(μm)の金属 −絶縁体−金属(MIM)構造を用いる。製造方法 有機及びヒドリドシラン(例えば、トリクロロシラン及びメチルトリクロロシ ラン)の混合物を、触媒、非極性溶媒及び極性溶媒の混合物に加えて反応混合物 を形成する。重合反応を進行させる。重合反応が完了したら、その反応混合物を 濾過し、極性溶媒を分離し、その溶液を乾燥させた後、蒸発させて白色固体を残 す。この固体を炭化水素溶媒中でスラリーにして残留モノマーを除去し、最終的 に蒸発させて所望の生成物を残すことができる。本発明の幾つかの態様では、オ ルガノヒドリドシロキサンを、スピンオン誘電性フィルムとして用いるのに適し た溶媒中で製剤化する。実施例1〜6 実施例1〜6は、種々のメチルヒドリドシロキサンの合成を記載する。これら の説明は、生成物樹脂中に包含される有機すなわち炭素含有置換基のモルパーセ ントを、出発モノマーの相対量の比率を調整することによって調節する方法を例 示している。記載されたメチルヒドリドシロキサン中の有機すなわち炭素含有置 換基のモルパーセントを調節する同様の手段を、任意の他のオルガノヒドリドシ ロキサン種に用いることができるということは当業者に理解されるであろう。 実施例1 40モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン5000mL、エタノール720mL、水65mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム水和物溶液120gを入れた。そ の混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(3 77.4g,2.78モル)及びメチルトリクロロシラン(277.7g,1.86 モル)の混合物を、蠕動ポンプを用いて70分間にわたって反応器に加えた。シ ラン添加が完了したら、それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送っ た。その反応を2.3時間撹拌し、エタノール/H2O層を除去した後、残りのヘ キサン溶液を3ミクロン(μm)フィルターを介して、続いて1μmフィルター を介して濾過した。濾過された溶液を、4Åモレキュラーシーブ(800g)の カラムを介して2.5時間流すことによって乾燥させた後、0.05μmフィルタ ーを介して濾過した。ロータリーエバポレーターを用いてヘキサンを除去して、 白色固体生成物111gを生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に 関して、24,683amuのMwを示した。 実施例2 50モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 250mLのMortonフラスコに、冷却器及びArrow1750モーターに連結し た撹拌機を取付けた。フラスコをN2で一掃し、反応中にN2は冷却器の上部を越 えてNaOHスクラバー中へ送風された。Amberjet 4200(Cl)イオン交換樹 脂触媒18g、エタノール20mL、水6.3mL及びヘキサン250mLをフ ラスコに加え、撹拌を始めた。トリクロロシラン(6.7g,0.05モル)及び メチルトリクロロシラン(8.24g,0.05モル)をHDPEボトル中で一緒 にした。このシラン混合物を、蠕動ポンプによって0.65mL/分の速度でMor tonフラスコに加えた。添加を完了後、撹拌を120分間続けた後、溶液を30 分間沈降させた。その溶液を、Buchner漏斗中のWhatman#4フィルターを介して 真空濾過した。その溶液を分液漏斗に加え、下方の水性層を捨てた。上層を4Å モレキュラーシーブ40.23g上で3時間乾燥させた。溶液を、Buchner漏斗中 のWhatman#1濾紙を介して真空濾過した。溶液をBuchiロータリーエバポレータ ーにおいて60℃で蒸発させた。白色固体8.3gを集めた。この生成物のGP Cは、ポリスチレン標準に関して、12,146amuのMw を示した。 実施例3 60モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン5000mL、エタノール720mL、水50mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム水和物溶液120gを入れた。こ の混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(2 51.6g,1.85モル)及びメチルトリクロロシラン(416.5g,2.78 モル)の混合物を、嬬動ポンプを用いて70分間にわたって反応器に加えた。シ ラン添加が完了したら、それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送っ た。その反応を2.8時間撹拌し、分液漏斗を用いてエタノール/H2O層を除去 した。残りのヘキサン溶液を3μmフィルターを介して、続いて1μmフィルタ ーを介して濾過した。濾液を、4Åモレキュラーシーブ(800g)のカラムを 介して2.5時間流すことによって乾燥させた後、0.05μmフィルターを介し て濾過した。ロータリーエバポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体 生成物138gを生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、 11.44の多分散性で22,660のMwを示した。 実施例4 75モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 250mLのMortonフラスコに、冷却器及びArrow1750モーターに連結し た撹拌機を取付けた。フラスコをN2で一掃し、反応中にN2は冷却器の上部を越 えてNaOHスクラバー中へ送風された。Amberjet 4200(Cl)イオン交換樹 脂触媒18g、エタノール20mL、水6.3mL及びヘキサン250mLをフ ラスコに加え、撹拌を始めた。トリクロロシラン(3.8g,0.028モル)4 .5mL及びメチルトリクロロシラン(12.6g,0.084モル)16.0mL をHDPEボトル中で一緒にした。このシラン混合物を、蠕動ポンプによって0 .6mL/分の速度でMortonフラスコに加えた。添加を完了後、撹拌を120分 間続けた。溶液を、Buchner漏斗中のWhatman#4フィルターを介して真空濾過し た。溶液を分液漏斗に加え、下方の水性層を捨てた。上層を4Åモレキ ュラーシーブ30.7g上で2時間乾燥させた。溶液を、Buchner漏斗中のWhatma n#1濾紙を介して真空濾過した。溶液をBuchiロータリーエバポレーターにおい て60℃で蒸発させた。透明な高粘性液体11.0gを集めた。この生成物のG PCは、ポリスチレン標準に関して、4746amuのMwを示した。 実施例5 80モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた1Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン1000mL、エタノール80mL、水25mL及びAmbe rjet 4200触媒61.3gを入れた。その混合物を25℃(循環浴)で撹拌しなが ら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(14.3mL,0.142モル)及 びメチルトリクロロシラン(66.7mL,0.568モル)の混合物を、蠕動ポ ンプを用いて35分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了したら、そ れらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を23時間撹 拌後、Whatman#4フィルターを介して濾過した。濾過された溶液を分液漏斗中 に入れ、水/エタノール層を除去した。残りのヘキサン溶液を4Åモレキュラー シーブ(170g)上で5時間乾燥させた後、1μmフィルターを介して濾過し た。ロータリーエバポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物( 23.1g),収率52%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準 に関して、6.5の多分散性で11,885のMwを示した。 実施例6 90モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた1Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン1000mLを入れた。ビーカー中で、エタノール160 mL、水50mL及び塩化テトラブチルアンモニウム4.0gを、固体が全て溶 解するまで混合した。この混合物を反応器中のヘキサンに加え、25℃で撹拌し ながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(14.4mL,0.142モル )及びメチルトリクロロシラン(150mL,1.278モル)の混合物を、蠕 動ポンプを用いて60分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了したら 、それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を21時 間 撹拌後、Whatman#4フィルターを介して濾過した。濾過された溶液を分液漏斗 中に入れ、水/エタノール層を除去した。残りのヘキサン溶液を4Åモレキュラ ーシーブ(220g)上で2時間乾燥させた後、1μmフィルターを介して濾過 した。ロータリーエバポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物 (70.4g),収率77%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標 準に関して、6.3の多分散性で11,971のMwを示した。実施例7〜11 実施例7〜11は、混合置換基オルガノヒドリドシロキサンの合成を記載する 。これらの説明は、2種類以上の有機置換基を、80モル%の有機含有置換基を 維持しながら生成物樹脂中に包含する方法を示している。他の混合置換基オルガ ノヒドリドシロキサンを、本明細書中で示された方法を用いて製造できるという ことは当業者に理解されるであろう。更に、実施例1〜6の方法を用いることに より、80モル%以外の有機モル含量を有する混合置換基オルガノヒドリドシロ キサンを製造することもできるということは理解されるであろう。 実施例7 50モルパーセントフェニル/30モルパーセントメチル ヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン2025mL、エタノール324mL、水28mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム水和物溶液81gを入れた。この 混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(75 g,0.55モル)及びメチルトリクロロシラン(135g,0.90モル)及び フェニルトリクロロシラン(300g,1.42モル)の混合物を、蠕動ポンプ を用いて53分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了したら、それら ラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を23時間撹拌し 、分液漏斗を用いてエタノール/H2O層を除去した。残りのヘキサン溶液を3 μmフィルターを介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾液を、 4Åモレキュラーシーブ(800g)のカラムを介して2.5時間流すことによ って乾燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロータリーエバ ポ レーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物(33g),収率12% を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、2500amu のMwを示した。 実施例8 15モルパーセントフェニル/65モルパーセントメチル ヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン4500mL、エタノール720mL、水63mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム水和物溶液180gを入れた。こ の混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(1 73g,1.27モル)及びメチルトリクロロシラン(606g,4.05モル )及びフェニルトリクロロシラン(222g,0.95モル)の混合物を、蠕動 ポンプを用いて80分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了したら、 それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を24時間 撹拌し、分液漏斗を用いてエタノール/H2O層を除去した。残りのヘキサン溶 液を3μmフィルターを介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾 液を、4Åモレキュラーシーブ(800g)のカラムを介して2.5時間流すこ とによって乾燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロータリ ーエバポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物(212g), 収率47%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、22 .5の多分散性で36,697のMwを示した。 実施例9 20モルパーセントt−ブチル/60モルパーセントメチル ヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン4500mL、エタノール750mL、水91mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム水和物溶液180gを入れた。こ の混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(1 73g,1.27モル)及びメチルトリクロロシラン(573g,3.83モル ) 及びt−ブチルトリクロロシラン(245g,1.27モル)の混合物を、蠕動 ポンプを用いて73分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了したら、 それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を22時間 撹拌し、分液漏斗を用いてエタノール/H2O層を除去した。残りのヘキサン溶 液を3μmフィルターを介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾 液を、4Åモレキュラーシーブ(800g)のカラムを介して2.5時間流すこ とによって乾燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロータリ ーエバポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物(188.5g) ,収率42%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、9 .6の多分散性で13,016のMwを示した。 実施例10 20モルパーセントベンジル/60モルパーセントメチル ヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン4500mL、エタノール720mL、水63mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム水和物溶液180gを入れた。こ の混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(1 73g,1.27モル)及びメチルトリクロロシラン(573g,3.83モル) 及びt−ブチルトリクロロシラン(288g,1.27モル)の混合物を、蠕動 ポンプを用いて70分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了したら、 それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を19.5 時間撹拌し、エタノール/H2O層を除去した後、ヘキサン溶液を3μmフィル ターを介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾過された溶液を、 4Åモレキュラーシーブ(800g)のカラムを介して2.5時間流すことによ って乾燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロータリーエバ ポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物(288g),収率5 8%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、22.9の 多分散性で30,565のMwを示した。実施例11 20モルパーセントクロロメチル/60モルパーセントメチル ヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン4500mL、エタノール720mL、水63mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム水和物溶液180gを入れた。こ の混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(1 73g,1.27モル)及びメチルトリクロロシラン(573g,3.83モル) 及びクロロメチルトリクロロシラン(236g,1.27モル)の混合物を、蠕 動ポンプを用いて70分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了したら 、それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を20. 5時間撹拌し、エタノール/H2O層を除去した後、ヘキサン溶液を3μmフィ ルターを介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾過された溶液を 、4Åモレキュラーシーブ(800g)のカラムを介して2.5時間流すことに よって乾燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロータリーエ バポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物(174g)を生じ た。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、13.11の多分散性 で32,408のMwを示した。実施例12〜16 実施例12〜16は、80モル%メチルヒドリドシロキサンの合成の別の方法 を示す。したがって、別の触媒、溶媒及び反応時間の使用は、本発明によるオル ガノヒドリドシロキサン樹脂を製造するのに当業者が容易に用いることができる 方法を代表するものである。これら方法が、他の置換基及び他のモルパーセント の有機置換基含量を有する他のオルガノヒドリドシロキサンの合成で用いること ができるということは理解されるであろう。 実施例12 80モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた1Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン1000mLを入れた。ビーカー中で、エタノール160 mL、水50mL及び塩化テトラブチルアンモニウム4.0gを、固体が全て溶 解するまで混合した。この混合物を反応器中のヘキサンに加え、25℃で撹拌し ながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(28.6mL,0.284モル )及びメチルトリクロロシラン(133mL,1.136モル)の混合物を、蠕 動ポンプを用いて75分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了したら 、それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を4時間 15分間撹拌後、Whatman#4フィルターを介して濾過した。濾過された溶液を 分液漏斗中に入れ、水/エタノール層を除去した。ヘキサン溶液を4Åモレキュ ラーシーブ(220g)上で2.5時間乾燥させた後、1μmフィルターを介し て濾過した。ロータリーエバポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体 生成物(64.4g),収率73%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチ レン標準に関して、9.6の多分散性で20,644のMwを示した。 実施例13 80モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 塩化ベンジルトリメチルアンモニウム相間移動触媒 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン4500mL、エタノール720mL、水63mL及び水 中の10重量%塩化ベンジルトリメチルアンモニウム溶液180gを入れた。こ の混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(9 6g,0.7モル)及びメチルトリクロロシラン(471g,3.15モル)の混 合物を、蠕動ポンプを用いて73分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が 完了したら、それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反 応を15.3時間撹拌し、エタノール/H2O層を除去した後、ヘキサン溶液を3 μmフィルターを介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾過され た溶液を、4Åモレキュラーシーブ(800g)のカラムを介して2.5時間流 すことによって乾燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロー タリーエバポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物(161g) ,収率52%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、1 1.27の多分散性で29,251のMwを示した。実施例14 80モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 塩化テトラブチルアンモニウム相間移動触媒 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン4500mL、エタノール720mL、水63mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム溶液180gを入れた。この混合 物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(96g, 0.7モル)及びメチルトリクロロシラン(471g,3.15モル)の混合物を 、蠕動ポンプを用いて73分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了し たら、それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を1 5.3時間撹拌し、エタノール/H2O層を除去した後、ヘキサン溶液を3μmフ ィルターを介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾過された溶液 を、4Åモレキュラーシーブ(800g)のカラムを介して2.5時間流すこと によって乾燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロータリー エバポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物(225g),収 率73%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、12. 84の多分散性で33,589のMwを示した。 実施例15 高分子量の80モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン4500mL、エタノール720mL、水63mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム水和物溶液180gを入れた。こ の混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(9 6g,0.7モル)及びメチルトリクロロシラン(471g,3.15モル)の混 合物を、蠕動ポンプを用いて105分間にわたって反応器に加えた。シラン添加 が完了したら、それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その 反応を22時間撹拌し、エタノール/H2O層を除去した後、ヘキサン溶液を3 μmフィルターを介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾過され た溶液を、4Åモレキュラーシーブ(800g)のカラムを介して2.5時間流 すことによって乾燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロー タリーエバポレーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物(268. 3g),収率87%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関し て、20.6の多分散性で60,251のMwを示した。 実施例16 低金属含量の80モルパーセントメチルヒドリドシロキサン 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン4500mL、エタノール720mL、水63mL及び水 中の10重量%塩化テトラブチルアンモニウム水和物溶液180gを入れた。こ の混合物を25℃で撹拌しながら0.5時間平衡させた。トリクロロシラン(9 6g,0.7モル)及びメチルトリクロロシラン(471g,3.15モル)の混 合物を、蠕動ポンプを用いて105分間にわたって反応器に加えた。シラン添加 が完了したら、それらラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その 反応を2時間撹拌後、撹拌機を一晩止めた。翌朝、その混合物を更に45分間撹 拌した。エタノール/H2O層を除去した後、ヘキサン溶液を3μmフィルター を介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾過された溶液を、4Å モレキュラーシーブ(800g)のカラムを介して2.5時間流すことによって 乾燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロータリーエバポレ ーターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物(263.2g),収率8 5%を生じた。この生成物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、13.6の 多分散性で32,001のMwを示した。 実施例17は、有機不含の対照ヒドリドシロキサンの合成を示す。この樹脂は 、比較誘電率測定値のみについて示されている。 実施例17 ヒドリドシロキサンポリマー 窒素入口、ドライアイス冷却器及び機械的撹拌機を備えた6Lのジャケット付 き反応器に、ヘキサン5500mL、エタノール440mL、水142mL及び Amberjet 4200触媒330gを入れた。この混合物を25℃で撹拌しながら0.5 時間平衡させた。トリクロロシラン(380g,2.80モル)を、蠕動ポン プを用いて55分間にわたって反応器に加えた。シラン添加が完了したら、それ らラインを介してヘキサンを10分間ポンプで送った。その反応を100分間撹 拌し、エタノール/H2O層を除去した後、ヘキサン溶液を3μmフィルターを 介して、続いて1μmフィルターを介して濾過した。濾過された溶液を、4Åモ レキュラーシーブ(400g)のカラムを介して2.5時間流すことによって乾 燥させた後、0.05μmフィルターを介して濾過した。ロータリーエバポレー ターを用いてヘキサンを除去して、白色固体生成物131gを生じた。この生成 物のGPCは、ポリスチレン標準に関して、7.39の多分散性で21,035の Mwを示した。 実施例5、6、8、9、12、14及び17のオルガノヒドリドシロキサン樹 脂をコーティング用溶液にし、ケイ素基体上にスピンコーティングして、400 0Åの名目厚みのフィルムを形成した。実施例5、6、8及び9のフィルムは4 00摂氏度(℃)で硬化させ、実施例12及び14のフィルムは380℃で硬化 させ、そして実施例14の追加のフィルム試料は425℃及び450℃で硬化さ せた。対照として用いられた実施例17のフィルムは、これら4種類の温度それ ぞれで硬化させたが、それぞれ対照#1〜#4と称する。それぞれの実施例のフ ィルムの誘電率を下の表1で示す。表1.誘電率測定値 メチルイソブチルケトン(MIBK)中の実施例12のポリマーの18重量% 溶液を、GPCによって15か月間にわたって監視した。2か月及び9か月おい て報告された溶液中のポリマーのMwは、本発明による樹脂の安定性を示してい る。実施例12の樹脂は、与えられた他の15種類の実施例で示された方法と一 致した方法で製造されたことに注目すべきである。したがって、表3の結果は、 典型的に、本発明による樹脂に関すると考えられる。(測定値の変動は、+/− 500amuである計器の誤差によることがありうる)。表2.溶液中のポリマー安定性 前述のことを考えると、本発明は、かご形コンホメーションポリマー主鎖及び 少なくとも約40モル%の炭素含有置換基含量を有するオルガノヒドリドシロキ サンポリマー組成物を提供するということが理解されるであろう。ヒドリド及び 有機置換基は、ポリマー中の主鎖ケイ素原子に直接的に結合していて、ヒドロキ シル基又はアルコキシ基の余地がほとんどないことによって加水分解及びシラノ ール残基形成を抑制している。この方法で、シラノール残基の縮合による引続き の鎖伸長が抑制される。もしあるとしても極めて低レベルのヒドロキシル及びア ルコキシ置換基、及び末端ケイ素アルコキシ又はヒドロキシ基の不存在が、安定 なオルガノヒドリドシロキサン溶液を与えるということは明らかである。本発明 による樹脂の最終フィルム中の、もしあるとしても極めて低レベルのシラノール 残基が、典型的に2.7又はそれ未満の誘電率を有するこれらフィルムで有意の 要因であるということも明らかである。更に、有機側基の存在が、組成物の熱安 定性を実質的に増加させて、より高い硬化温度、例えば、約425℃又はそれ以 上の温度まで許容するということも明らかである。表1に関して、この向上した 安定性は、約2.7未満の一貫して低い誘電率、及び様々な硬化温度でのこの値 の一貫性によって明らかである。比較すると、対照1〜4の有機不含樹脂は、硬 化温度の増加と共に誘電率の一貫した増加を示し、熱不安定性が示唆される。 本発明は、本発明のオルガノヒドリドシロキサンポリマー組成物の新規製造方 法を含み、二相溶媒系、無関与触媒、及びトリハロシラン及びオルガノトリハロ シランコモノマーを含む。組成物中の炭素の量が、これらコモノマーの相対比に よって調節可能であるということは明らかである。従来知られているHSQ樹脂 を形成するのに典型的に用いられる酸性又は金属触媒の完全な不存在及び二相溶 媒系の使用が、この方法の生成組成物を極めて純粋に且つ金属塩及び他のイオン 性混入物を不含にするということも明らかである。
【手続補正書】 【提出日】平成11年10月21日(1999.10.21) 【補正内容】 請求の範囲 1.高有機含量を有するオルガノヒドリドシロキサン樹脂であって、一般式: [HSiO1.5n[RSiO1.5m;又は [H0.5-1.0SiO1.5-1.8n[R0.5-1.0SiO1.5-1.8m;又は [H0-1.0SiO1.5-2.0n[RSiO1.5m (式中、n及びmの合計は約8〜約5000であり、そしてmは該有機置換基が 約40モルパーセント又はそれ以上まで存在するように選択される);又は [HSiO1.5x[RSiO1.5y[SiO2z (式中、x、y及びzの合計は約8〜約5000であり、そしてyは該有機置換 基が約40モルパーセント又はそれ以上まで存在するように選択され;そして Rは、いずれの一般式においても、置換された及び非置換の直鎖及び分岐状の アルキル基、シクロアルキル基、置換された及び非置換のアリール基、及びそれ らの混合物より選択される) を有するポリマーを含んでなる樹脂。 2.オルガノヒドリドシロキサンを製造する方法であって、 反応容器に二相溶媒を入れ; ヒドリドトリハロシランとオルガノトリハロシランの混合物であって、前記オ ルガノトリハロシランの前記ヒドリドトリハロシランに対する予め決められた比 率を有する混合物を、前記反応容器に加え; 触媒を前記反応容器に加えて反応混合物を形成し;そして 前記オルガノトリハロシランと前記ヒドリドトリハロシランを反応させて、少 なくとも40モルパーセントの炭素含有置換基を有するオルガノヒドリドシロキ サンを形成する ことを含む方法。 3.オルガノヒドリドシロキサン組成物であって、 反応容器に、二相溶媒系を形成する非極性溶媒及び極性溶媒、少なくとも1種 類のオルガノトリハロシラン、及びヒドリドトリハロシランを含む反応混合物を 入れ、この際、前記少なくとも1種類のオルガノトリハロシランと前記ヒドリド トリハロシランの相対量は、少なくとも40モルパーセントの炭素含有置換基を 有するオルガノヒドリドシロキサンポリマー生成物を与えるように予め決められ ており; 触媒を前記反応混合物に入れ;そして 該オルガノトリハロシラン及びヒドリドトリハロシランを反応させて、ポリマ ー主鎖ケイ素原子に直接結合した有機置換基及び水素を有するオルガノヒドリド シロキサンポリマー生成物を生成させる ことを含む方法によって製造されたオルガノヒドリドシロキサン組成物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR, NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,KE,L S,MW,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL ,AU,BA,BB,BG,BR,CA,CN,CU, CZ,EE,GE,GH,HU,ID,IL,IS,J P,KP,KR,LK,LR,LS,LT,LV,MG ,MK,MN,MW,MX,NZ,PL,RO,RU, SD,SG,SI,SK,SL,TR,TT,UA,U Z,VN,YU,ZW (72)発明者 フィッジ,リサ アメリカ合衆国カリフォルニア州94025, メンロ・パーク,オーク・グローブ・アベ ニュー 706

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.高有機含量を有するオルガノヒドリドシロキサン樹脂であって、一般式: [HSiO1.5n[RSiO1.5m;又は [H0.5-1.0SiO1.5-1.8n[R0.5-1.0SiO1.5-1.8m;又は [H0-1.0SiO1.5-2.0n[RSiO1.5m (式中、n及びmの合計は約8〜約5000であり、そしてmは該有機置換基が 約40モルパーセント又はそれ以上まで存在するように選択される);又は [HSiO1.5x[RSiO1.5y[SiO2z (式中、x、y及びzの合計は約8〜約5000であり、そしてyは該有機置換 基が約40モルパーセント又はそれ以上まで存在するように選択され;そして Rは、いずれの一般式においても、置換された及び非置換の直鎖及び分岐状の アルキル基、シクロアルキル基、置換された及び非置換のアリール基、及びそれ らの混合物より選択される) を有するポリマーを含んでなる樹脂。 2.オルガノヒドリドシロキサン樹脂のコンホメーションがかご形である、請 求項1に記載のポリマー。 3.オルガノヒドリドシロキサン樹脂が、約400〜約200,000原子質 量単位の分子量を有する、請求項1に記載のポリマー。 4.オルガノヒドリドシロキサン樹脂が、約20,000〜約40,000原子 質量単位の分子量を有する、請求項1に記載のポリマー。 5.Rが、1〜20の炭素を有する置換された及び非置換の直鎖及び分岐状の アルキル基、4〜10の炭素を有する置換された及び非置換のシクロアルキル基 、6〜20の炭素を有する置換された及び非置換のアリール基、及びそれらの混 合物から成る群より選択される有機置換基である、請求項1に記載のポリマー。 6.Rが、メチル、t−ブチル、フェニル、ベンジル、クロロメチル及びそれ らの混合物から成る群より選択される有機置換基である、請求項1に記載のポリ マー。 7.オルガノヒドリドシロキサンを製造する方法であって、 反応容器に二相溶媒を入れ; ヒドリドトリハロシランとオルガノトリハロシランの混合物であって、前記オ ルガノトリハロシランの前記ヒドリドトリハロシランに対する予め決められた比 率を有する混合物を、前記反応容器に加え; 触媒を前記反応容器に加えて反応混合物を形成し;そして 前記オルガノトリハロシランと前記ヒドリドトリハロシランを反応させて、少 なくとも40モルパーセントの炭素含有置換基を有するオルガノヒドリドシロキ サンを形成する ことを含む方法。 8.オルガノヒドリドシロキサンを反応混合物から回収することを更に含む、 請求項7に記載の方法。 9.触媒を加えることが、前記触媒を固相触媒か又は相間移動触媒溶液のいず れかより選択することを含む、請求項7に記載の方法。 10.触媒を加えることが、前記触媒を、塩化テトラブチルアンモニウム、塩 化ベンジルトリメチルアンモニウム、Amberjet 4200イオン交換樹脂及びAmberli te I-6766イオン交換樹脂を含む群より選択することを含む、請求項9に記載の 方法。 11.触媒を加えることが、Amberjet 4200イオン交換樹脂を加えることを含 む、請求項7に記載の方法。 12.触媒を加えることが、塩化テトラブチルアンモニウムを加えることを含 む、請求項7に記載の方法。 13.触媒を加えることが、塩化ベンジルトリメチルアンモニウムを加えるこ とを含む、請求項7に記載の方法。 14.ヒドリドトリハロシランとオルガノトリハロシランの混合物を加えるこ とが、トリクロロシランを加えることを含み、選択される1種類又はそれ以上の オルガノトリハロシランが、メチルトリクロロシラン、t−ブチルトリクロロシ ラン、フェニルトリクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、クロロメチルト リクロロシラン及びそれらの混合物から成る群より選択される、請求項7に記載 の方法。 15.触媒を加えることが、前記触媒を、塩化テトラブチルアンモニウム、塩 化ベンジルトリメチルアンモニウム及びAmberjet 4200イオン交換樹脂を含む群 より選択することを含む、請求項14に記載の方法。 16.反応容器に二相溶媒を入れることが、前記反応容器に、ペンタン、ヘキ サン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、四塩化炭素 及びそれらの混合物から成る群より選択される非極性溶媒を入れることを含む、 請求項15に記載の方法。 17.反応容器に二相溶媒を入れることが、前記反応容器に、水、メタノール 、エタノール、イソプロパノール、グリセロール、ジエチルエーテル、テトラヒ ドロフラン、ジグリム及びそれらの混合物から成る群より選択される極性溶媒を 入れることを含む、請求項16に記載の方法。 18.反応容器に二相溶媒を入れることが、 前記反応容器に、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、グリセロ ール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジグリム及びそれらの混合物か ら成る群より選択される極性溶媒を入れ;そして 前記反応容器に、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン 、トルエン、キシレン、四塩化炭素及びそれらの混合物から成る群より選択され る非極性溶媒を入れることを含む、請求項7に記載の方法。 19.反応容器に二相溶媒を入れることが、前記反応容器に、エタノール/水 及びヘキサンの混合物を入れることを含む、請求項7に記載の方法。 20.オルガノヒドリドシロキサン組成物であって、 反応容器に、二相溶媒系を形成する非極性溶媒及び極性溶媒、少なくとも1種 類のオルガノトリハロシラン、及びヒドリドトリハロシランを含む反応混合物を 入れ、この際、前記少なくとも1種類のオルガノトリハロシランと前記ヒドリド トリハロシランの相対量は、少なくとも40モルパーセントの炭素含有置換基を 有するオルガノヒドリドシロキサンポリマー生成物を与えるように予め決められ ており; 触媒を前記反応混合物に入れ;そして 該オルガノトリハロシラン及びヒドリドトリハロシランを反応させて、ポリマ ー主鎖ケイ素原子に直接結合した有機置換基及び水素を有するオルガノヒドリド シロキサンポリマー生成物を生成させる ことを含む方法によって製造されたオルガノヒドリドシロキサン組成物。 21.オルガノヒドリドシロキサンを反応混合物から回収することを更に含む 請求項20に記載の方法によって製造されたオルガノヒドリドシロキサン組成物 。 22.前記触媒が、固相触媒及び相間移動触媒溶液より選択される請求項20 に記載の方法によって製造されたオルガノヒドリドシロキサン組成物。 23.前記触媒が、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチル アンモニウム、Amberjet 4200イオン交換樹脂及びAmberlite I-6766イオン交換 樹脂より選択される請求項22に記載の方法によって製造されたオルガノヒドリ ドシロキサン組成物。 24.前記触媒がAmberjet 4200イオン交換樹脂である請求項23に記載の方 法によって製造されたオルガノヒドリドシロキサン組成物。 25.前記触媒が塩化テトラブチルアンモニウムである請求項23に記載の方 法によって製造されたオルガノヒドリドシロキサン組成物。 26.前記触媒が塩化ベンジルトリメチルアンモニウムである請求項23に記 載の方法によって製造されたオルガノヒドリドシロキサン組成物。 27.ヒドリドトリハロシランがトリクロロシランであり、オルガノトリハロ シランが、メチルトリクロロシラン、t−ブチルトリクロロシラン、フェニルト リクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、クロロメチルトリクロロシラン及 びそれらの混合物から成る群より選択される請求項20に記載の方法によって製 造されたオルガノヒドリドシロキサン組成物。 28.前記触媒がAmberjet 4200イオン交換樹脂である請求項27に記載のオ ルガノヒドリドシロキサンを製造する方法。 29.前記非極性溶媒が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、 ベンゼン、トルエン、キシレン、四塩化炭素及びそれらの混合物から成る群より 選択される請求項20に記載の方法によって製造されたオルガノヒドリドシロキ サン組成物。 30.前記極性溶媒が、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、グ リセロール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジグリム及びそれらの混 合物から成る群より選択される請求項20に記載の方法によって製造されたオル ガノヒドリドシロキサン組成物。 31.前記非極性溶媒がヘキサンであり、前記極性溶媒が水及びエタノール混 合物である請求項20に記載の方法によって製造されたオルガノヒドリドシロキ サン組成物。 32.高有機含量のオルガノヒドリドシロキサン樹脂であって、次の一般式を 有するポリマーを含むオルガノヒドリドシロキサン樹脂。 [H0.5-1.0SiO1.5-1.8n[R0.5-1.0SiO1.5-1.8m (式中、n及びmの合計は約8〜約5000であり、mは、有機置換基が約40 モルパーセント(モル%)又はそれ以上まで存在するように選択され;そして Rは、いずれの一般式においても、置換された及び非置換の直鎖及び分岐状の アルキル基、シクロアルキル基、置換された及び非置換のアリール基、及びそれ らの混合物より選択される) 33.“R”が、メチル、t−ブチル、フェニル、ベンジル、クロロメチル及 びそれらの混合物から成る群より選択される有機置換基である、請求項32に記 載のポリマー。 34.“R”がメチル有機置換基である、請求項32に記載のポリマー。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10330486A (ja) * 1997-05-28 1998-12-15 Nippon Steel Corp 低誘電率材料
JP2006291160A (ja) * 2005-03-14 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス
JP2010043030A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Az Electronic Materials Kk アルカリ可溶性シルセスキオキサン及び感光性組成物
JP4881396B2 (ja) * 2006-02-13 2012-02-22 ダウ・コーニング・コーポレイション 反射防止膜材料
JPWO2016052413A1 (ja) * 2014-09-30 2017-07-13 株式会社カネカ シロキサン樹脂の製造方法

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6962727B2 (en) * 1998-03-20 2005-11-08 Honeywell International Inc. Organosiloxanes
US6218020B1 (en) * 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6177199B1 (en) * 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
JP2000143810A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Dow Corning Asia Ltd 水素シルセスキオキサン樹脂の製造方法
EP1149412B9 (en) * 1999-01-07 2007-09-12 Alliedsignal, Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins
US6509259B1 (en) 1999-06-09 2003-01-21 Alliedsignal Inc. Process of using siloxane dielectric films in the integration of organic dielectric films in electronic devices
US6318124B1 (en) * 1999-08-23 2001-11-20 Alliedsignal Inc. Nanoporous silica treated with siloxane polymers for ULSI applications
KR100683428B1 (ko) * 1999-10-25 2007-02-20 다우 코닝 코포레이션 용액 용해도와 안정성이 우수한 실리콘 수지 조성물
US6143360A (en) 1999-12-13 2000-11-07 Dow Corning Corporation Method for making nanoporous silicone resins from alkylydridosiloxane resins
US20050003215A1 (en) * 2000-02-16 2005-01-06 Nigel Hacker Synthesis of siloxane resins
US20030176614A1 (en) * 2000-06-30 2003-09-18 Nigel Hacker Organohydridosiloxane resins with high organic content
KR100795714B1 (ko) * 2000-08-21 2008-01-21 다우 글로벌 테크놀로지스 인크. 마이크로일렉트로닉 장치의 제조에 있어서 유기 중합체유전체용 하드마스크로서의 유기 규산염 수지
US6399210B1 (en) * 2000-11-27 2002-06-04 Dow Corning Corporation Alkoxyhydridosiloxane resins
US6576345B1 (en) * 2000-11-30 2003-06-10 Novellus Systems Inc Dielectric films with low dielectric constants
GB2372996A (en) * 2001-03-10 2002-09-11 Dow Corning Preparation of silicone resins
KR20040011494A (ko) * 2001-04-06 2004-02-05 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 저유전율 재료 및 이의 제조 방법
US6596834B2 (en) * 2001-09-12 2003-07-22 Dow Corning Corporation Silicone resins and porous materials produced therefrom
DE10162443A1 (de) * 2001-12-19 2003-07-03 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von dielektrischen Schichten unter Verwendung multifunktioneller Carbosilane
US20040247896A1 (en) * 2001-12-31 2004-12-09 Paul Apen Organic compositions
US6737117B2 (en) 2002-04-05 2004-05-18 Dow Corning Corporation Hydrosilsesquioxane resin compositions having improved thin film properties
JP2004161876A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
JP3884699B2 (ja) * 2002-11-13 2007-02-21 信越化学工業株式会社 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
JP2004161877A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
JP2004161875A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁間膜及び半導体装置
JP4139710B2 (ja) * 2003-03-10 2008-08-27 信越化学工業株式会社 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置
JP2004269693A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物及びその製造方法、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置
JP2004292641A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置
JP2004307692A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置
JP2004307694A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置。
JP2004307693A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置
KR100507967B1 (ko) * 2003-07-01 2005-08-10 삼성전자주식회사 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막
WO2005097883A2 (en) * 2004-03-26 2005-10-20 King Industries, Inc. Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits
US8901268B2 (en) 2004-08-03 2014-12-02 Ahila Krishnamoorthy Compositions, layers and films for optoelectronic devices, methods of production and uses thereof
US20060071300A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Haverty Michael G Dielectric material having carborane derivatives
US20060128163A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 International Business Machines Corporation Surface treatment of post-rie-damaged p-osg and other damaged materials
WO2006065310A2 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Dow Corning Corporation Siloxane resin coating
CN100379801C (zh) * 2005-01-13 2008-04-09 南京大学 笼型多聚物制孔超低介电氧化硅薄膜及其制备方法
US20070212886A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Dong Seon Uh Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions
US20080173541A1 (en) * 2007-01-22 2008-07-24 Eal Lee Target designs and related methods for reduced eddy currents, increased resistance and resistivity, and enhanced cooling
US8702919B2 (en) 2007-08-13 2014-04-22 Honeywell International Inc. Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof
US20090111925A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Burnham Kikue S Thermal interface materials, methods of production and uses thereof
US8318258B2 (en) 2008-01-08 2012-11-27 Dow Corning Toray Co., Ltd. Silsesquioxane resins
JP2011510133A (ja) * 2008-01-15 2011-03-31 ダウ・コーニング・コーポレイション シルセスキオキサン樹脂
WO2009111122A2 (en) * 2008-03-04 2009-09-11 Dow Corning Corporation Silsesquioxane resins
JP5581224B2 (ja) * 2008-03-05 2014-08-27 ダウ・コーニング・コーポレイション シルセスキオキサン樹脂
KR20110096155A (ko) * 2008-12-10 2011-08-29 다우 코닝 코포레이션 습식 에칭가능한 반사방지 코팅
CN102245674B (zh) 2008-12-10 2014-12-10 陶氏康宁公司 倍半硅氧烷树脂
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
JP2013541623A (ja) 2010-11-02 2013-11-14 ヘンケル・チャイナ・カンパニー・リミテッド ヒドロシリコーン樹脂およびその製造方法
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
JP6803842B2 (ja) 2015-04-13 2020-12-23 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング
JP6875063B2 (ja) 2015-10-16 2021-05-19 信越化学工業株式会社 ヒドロシリル基含有有機ケイ素樹脂の製造方法
CN109880583B (zh) * 2019-01-10 2021-06-22 北京康美特科技股份有限公司 一种导热有机硅粘合剂及其固化物和led元件

Family Cites Families (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2637718A (en) * 1948-04-16 1953-05-05 Montclair Res Corp Copolymers containing hydrogen bonded directly to silicon
US3615272A (en) * 1968-11-04 1971-10-26 Dow Corning Condensed soluble hydrogensilsesquioxane resin
JPS5231854A (en) * 1975-09-05 1977-03-10 Jiyunji Nishihira Production of rough rice being capable of boiling together with cleaned rice
US4026868A (en) * 1975-11-10 1977-05-31 General Electric Company Process for producing a low viscosity silicone resin
JPS6017214B2 (ja) * 1977-01-14 1985-05-01 ジェイエスアール株式会社 可溶性メチルポリシロキサンおよびその製造法
JPS55111148A (en) * 1979-02-21 1980-08-27 Hitachi Ltd Semiconductor device
EP0046695B1 (en) * 1980-08-26 1986-01-08 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Ladder-like lower alkylpolysilsesquioxanes and process for their preparation
DE3278567D1 (en) * 1981-10-03 1988-07-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same
JPS5898367A (ja) * 1981-12-07 1983-06-11 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki シリコ−ン系被膜形成用組成物及びその製造方法
US4609751A (en) * 1981-12-14 1986-09-02 General Electric Company Method of hydrolyzing chlorosilanes
US4670299A (en) * 1984-11-01 1987-06-02 Fujitsu Limited Preparation of lower alkyl polysilsesquioxane and formation of insulating layer of silylated polymer on electronic circuit board
US4624870A (en) 1984-11-14 1986-11-25 General Electric Company Sodium free silicone resin coating compositions
US4723978A (en) * 1985-10-31 1988-02-09 International Business Machines Corporation Method for a plasma-treated polysiloxane coating
JPS63108082A (ja) 1986-10-24 1988-05-12 Hitachi Chem Co Ltd 酸化ケイ素被膜形成用塗布液
US4756977A (en) * 1986-12-03 1988-07-12 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane
US4822697A (en) * 1986-12-03 1989-04-18 Dow Corning Corporation Platinum and rhodium catalysis of low temperature formation multilayer ceramics
US4898907A (en) * 1986-12-03 1990-02-06 Dow Corning Corporation Compositions of platinum and rhodium catalyst in combination with hydrogen silsesquioxane resin
US4749631B1 (en) * 1986-12-04 1993-03-23 Multilayer ceramics from silicate esters
US5008320A (en) * 1986-12-04 1991-04-16 Dow Corning Corporation Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides
US4911992A (en) * 1986-12-04 1990-03-27 Dow Corning Corporation Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides
US4753855A (en) * 1986-12-04 1988-06-28 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices
US4808653A (en) * 1986-12-04 1989-02-28 Dow Corning Corporation Coating composition containing hydrogen silsesquioxane resin and other metal oxide precursors
US4847162A (en) * 1987-12-28 1989-07-11 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsequioxane resin in the presence of ammonia
US4849296A (en) * 1987-12-28 1989-07-18 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides and hydrogen silsesquioxane resin ceramified in ammonia
JPH01185367A (ja) * 1988-01-18 1989-07-24 Toshiba Silicone Co Ltd 表面処理されたポリメチルシルセスキオキサン粉末の製造方法
US5336532A (en) * 1989-02-21 1994-08-09 Dow Corning Corporation Low temperature process for the formation of ceramic coatings
US5085893A (en) * 1989-07-28 1992-02-04 Dow Corning Corporation Process for forming a coating on a substrate using a silsesquioxane resin
US5045592A (en) * 1989-07-28 1991-09-03 Dow Corning Corporation Metastable silane hydrolyzates
US4999397A (en) * 1989-07-28 1991-03-12 Dow Corning Corporation Metastable silane hydrolyzates and process for their preparation
US5010159A (en) * 1989-09-01 1991-04-23 Dow Corning Corporation Process for the synthesis of soluble, condensed hydridosilicon resins containing low levels of silanol
CA2027031A1 (en) * 1989-10-18 1991-04-19 Loren A. Haluska Hermetic substrate coatings in an inert gas atmosphere
US5183684A (en) * 1989-11-20 1993-02-02 Dow Corning Corporation Single and multilayer coatings containing aluminum nitride
JP2977218B2 (ja) * 1990-02-01 1999-11-15 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シルセスキオキサンの製造方法
US4973526A (en) * 1990-02-15 1990-11-27 Dow Corning Corporation Method of forming ceramic coatings and resulting articles
US5262201A (en) * 1990-06-04 1993-11-16 Dow Corning Corporation Low temperature process for converting silica precursor coatings to ceramic silica coatings by exposure to ammonium hydroxide or an environment to which water vapor and ammonia vapor have been added
US5116637A (en) * 1990-06-04 1992-05-26 Dow Corning Corporation Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica
US5059448A (en) * 1990-06-18 1991-10-22 Dow Corning Corporation Rapid thermal process for obtaining silica coatings
US5091162A (en) * 1990-10-01 1992-02-25 Dow Corning Corporation Perhydrosiloxane copolymers and their use as coating materials
US5118530A (en) * 1990-11-28 1992-06-02 Dow Corning Corporation Use of hydrogen silsesquioxane resin fractions as coating materials
US5063267A (en) * 1990-11-28 1991-11-05 Dow Corning Corporation Hydrogen silsesquioxane resin fractions and their use as coating materials
US5106604A (en) * 1991-03-12 1992-04-21 Pradyot Agaskar Use of metal salts in the synthesis of oligomeric hydrogensilsesquioxanes via hydrolysis/condensation reactions
US5445894A (en) * 1991-04-22 1995-08-29 Dow Corning Corporation Ceramic coatings
US5238787A (en) * 1991-04-22 1993-08-24 Dow Corning Corporation Photodelineable coatings from hydrogen silsesquioxane resin
US5312684A (en) * 1991-05-02 1994-05-17 Dow Corning Corporation Threshold switching device
US5165955A (en) * 1991-05-28 1992-11-24 Dow Corning Corporation Method of depositing a coating containing silicon and oxygen
JPH04353521A (ja) * 1991-05-30 1992-12-08 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd オルガノポリシルセスキオキサンおよびその製造方法
US5145723A (en) * 1991-06-05 1992-09-08 Dow Corning Corporation Process for coating a substrate with silica
CA2088107A1 (en) * 1992-02-24 1993-08-25 Ronald Howard Baney Silicone infiltrated ceramic nanocomposite coatings
US5210168A (en) * 1992-04-02 1993-05-11 Dow Corning Corporation Process for forming siloxane bonds
EP0576166A2 (en) 1992-06-08 1993-12-29 General Electric Company Heat curable silicone hardcoat compositions
US5436029A (en) * 1992-07-13 1995-07-25 Dow Corning Corporation Curing silicon hydride containing materials by exposure to nitrous oxide
US5310583A (en) * 1992-11-02 1994-05-10 Dow Corning Corporation Vapor phase deposition of hydrogen silsesquioxane resin in the presence of nitrous oxide
JP3153367B2 (ja) * 1992-11-24 2001-04-09 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法
JP3174416B2 (ja) * 1992-12-10 2001-06-11 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 酸化ケイ素膜の形成方法
JP3174417B2 (ja) * 1992-12-11 2001-06-11 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 酸化ケイ素膜の形成方法
JP3210457B2 (ja) * 1992-12-14 2001-09-17 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 酸化ケイ素膜の形成方法
US5258334A (en) * 1993-01-15 1993-11-02 The U.S. Government As Represented By The Director, National Security Agency Process of preventing visual access to a semiconductor device by applying an opaque ceramic coating to integrated circuit devices
US5387480A (en) * 1993-03-08 1995-02-07 Dow Corning Corporation High dielectric constant coatings
TW492989B (en) * 1993-03-19 2002-07-01 Dow Corning Stabilization of hydrogen silsesquioxane resin solutions
TW257785B (ja) * 1993-05-17 1995-09-21 Dow Corning
US5510441A (en) 1993-07-15 1996-04-23 General Electric Company Process for producing octamethyltrisiloxane
US5320868A (en) * 1993-09-13 1994-06-14 Dow Corning Corporation Method of forming SI-O containing coatings
US5441765A (en) * 1993-09-22 1995-08-15 Dow Corning Corporation Method of forming Si-O containing coatings
DE4337695A1 (de) 1993-11-04 1995-05-11 Wacker Chemie Gmbh Basenkatalysiertes Verfahren zur Herstellung von wasserstoffhaltigen Organopolysiloxanen
US6423651B1 (en) * 1993-12-27 2002-07-23 Kawasaki Steel Corporation Insulating film of semiconductor device and coating solution for forming insulating film and method of manufacturing insulating film
US5547703A (en) * 1994-04-11 1996-08-20 Dow Corning Corporation Method of forming si-o containing coatings
JP3227321B2 (ja) 1994-12-01 2001-11-12 ブラザー工業株式会社 インク噴射装置
JP3542185B2 (ja) * 1995-02-02 2004-07-14 ダウ コーニング アジア株式会社 シリコーンレジン、これを含む組成物およびその硬化方法
JPH08245792A (ja) * 1995-03-10 1996-09-24 Mitsubishi Electric Corp シリコーンラダーポリマー、シリコーンラダープレポリマーおよびそれらの製造方法
US5618878A (en) * 1995-04-07 1997-04-08 Dow Corning Corporation Hydrogen silsesquioxane resin coating composition
US5635240A (en) * 1995-06-19 1997-06-03 Dow Corning Corporation Electronic coating materials using mixed polymers
AU6973296A (en) * 1995-09-12 1997-04-01 Gelest, Inc. Beta-substituted organosilsesquioxanes and use thereof
US6001949A (en) 1995-12-13 1999-12-14 Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd. Novolak type phenolic resins and methods of manufacturing thereof
US5609925A (en) * 1995-12-04 1997-03-11 Dow Corning Corporation Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam
US5858544A (en) * 1995-12-15 1999-01-12 Univ Michigan Spherosiloxane coatings
US5707683A (en) * 1996-02-22 1998-01-13 Dow Corning Corporation Electronic coating composition method of coating an electronic substrate, composition and article
US5707681A (en) * 1997-02-07 1998-01-13 Dow Corning Corporation Method of producing coatings on electronic substrates
US5973095A (en) * 1997-04-21 1999-10-26 Alliedsignal, Inc. Synthesis of hydrogensilsesquioxane and organohydridosiloxane resins
US6043330A (en) * 1997-04-21 2000-03-28 Alliedsignal Inc. Synthesis of siloxane resins
US6218497B1 (en) * 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US6177143B1 (en) * 1999-01-06 2001-01-23 Allied Signal Inc Electron beam treatment of siloxane resins
US6281285B1 (en) * 1999-06-09 2001-08-28 Dow Corning Corporation Silicone resins and process for synthesis

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10330486A (ja) * 1997-05-28 1998-12-15 Nippon Steel Corp 低誘電率材料
JP2006291160A (ja) * 2005-03-14 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス
JP4881396B2 (ja) * 2006-02-13 2012-02-22 ダウ・コーニング・コーポレイション 反射防止膜材料
KR101324052B1 (ko) * 2006-02-13 2013-11-01 다우 코닝 코포레이션 반사방지 코팅 재료
JP2010043030A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Az Electronic Materials Kk アルカリ可溶性シルセスキオキサン及び感光性組成物
JPWO2016052413A1 (ja) * 2014-09-30 2017-07-13 株式会社カネカ シロキサン樹脂の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6143855A (en) 2000-11-07
WO1998047944A1 (en) 1998-10-29
AU6794098A (en) 1998-11-13
TWI276651B (en) 2007-03-21
KR20010020179A (ko) 2001-03-15
TW577906B (en) 2004-03-01
TW200407357A (en) 2004-05-16
KR100586370B1 (ko) 2006-06-08
DE69835512T2 (de) 2007-04-05
DE69835512D1 (de) 2006-09-21
EP0977797A1 (en) 2000-02-09
EP0977797B1 (en) 2006-08-09
CN1261384A (zh) 2000-07-26
CN1252140C (zh) 2006-04-19
US6512071B1 (en) 2003-01-28

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