JP2000512608A - 合成多孔質結晶性物質、その合成および使用 - Google Patents

合成多孔質結晶性物質、その合成および使用

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、新しい合成多孔質結晶性物質ならびに吸着媒としておよび、有機および無機化合物の転化のための触媒としてのそれらの使用に関する。新しい結晶性物質は、50torrおよび25℃において、10gベンゼン/100gを越えるベンゼン吸着能ならびに、特に特有のX線回折パターンを示す。

Description

【発明の詳細な説明】 合成多孔質結晶性物質、その合成および使用 本発明は、合成多孔質結晶性物質、それの合成、およびそれの吸着剤または触 媒成分としての使用に関する。 多孔質無機固体には、工業的に適用できる触媒および分離媒体としての優れた 有用性が見出されている。これのミクロ構造における開口部が、この物質の触媒 的および収着的活性を増大する比較的大きな表面積領域に分子を接近させる。今 日使用されている多孔質物質は、ミクロ構造の細部を基準として3つの大きなカ テゴリーに分類することができる。そのカテゴリーとは、非晶質およびパラ結晶 性物質、結晶性分子ふるいおよび変性層状物質である。これらの物質のミクロ構 造における詳細な差異は、表面積、細孔の寸法と寸法の多様性、X線回折パター ンの有無とそのパターンの詳細、およびそのミクロ構造を透過電子顕微鏡および 電子回折で研究したときの物質の外観等のこれらの物質を特徴付けるのに用いら れる種々の観測特性の差異におけるのと同様に、物質の触媒的および収着的挙動 における重要な差異として現れている。 非晶質およびパラ結晶性の物質は、長年にわたって工業的用途に使用されてき た多孔質無機固体の重要なクラスを代表する。これらの物質の典型的な例は、触 媒の形成に通常に使用される非晶質シリカ、および固体酸触媒や石油の改質用触 媒サポートとして使用されるパラ結晶性遷移アルミナである。 「非晶質」という用語は、本明細書では長い範囲にわたる規則正しさを有さず 、細孔の寸法が広い範囲に分布する傾向がある物質について使用する。その代わ りにこの物質を表現するのに用いられる語は「X線中性(インディファレント)」 であり、これはX線回折パターンに通常特徴がなく、規則正しさがないことが現 れるためである。非晶質シリカ等の非晶質物質の多孔性は、一般に個々の粒子間 の隙間に起因する。 遷移アルミナ等のパラ結晶性物質もまた広い分布の寸法の細孔を有するが、通 常二、三の幅広いピークからなるX線回折パターンでよりよく定義することがで きる。これらの物質のミクロ構造は、アルミナ相が凝縮した小さい結晶領域から なり、物質の多孔性はこれら領域の間の不規則な隙間から生じている(ケイ・ウ ェファースおよびチャナキャ・ミスラ(K.Wefers and Chanakya Misura)の「オキ サイズ・アンド・ヒドロキサイズ・オブ・アルミニナム(Oxides and Hydroxides of Aluminum)」、テクニカル・ペーパー(Technical Paper)第19号再版、アル コア・リサーチ・ラボラトリーズ(Alcoa Reserch Laboratories)、第54〜59 頁、1987年)。 このような適用をするための非晶質物質およびパラ結晶性物質の細孔の寸法は 、メソポーラス範囲と総称される1.3〜20nmの範囲にある。 このような構造的に不明確な固体物質と正反対の物質が、その三次元骨格の結 晶単位を正確に繰り返すことによって細孔の寸法の分布が非常に狭い範囲に制御 された物質である。かかる物質は「分子ふるい」と称され、最も重要な例がゼオ ライトである。ほとんどのゼオライトの正確な結晶のミクロ構造は、多くのシャ ープな極大値を通常含み、物質を独自に決定するのに役立つ明瞭なX線回折パタ ーンに現れる。同様に、この物質の細孔の寸法は、結晶性のミクロ構造が正確に 繰り返していることによって非常に揃っている。今までに発見されている全ての 分子ふるいの細孔の寸法はミクロポーラス範囲にあり、これは通常0.2〜2nm であるとされ、報告された最大のものでも約1.2nmである。 層状物質において、結晶格子の2方向の原子間結合は第3の方向とは実質的に 異なっており、シート状の凝集ユニットを含む構造を生じている。通常、このシ ート内の原子間結合は強い共有結合であり、一方、隣接する層はイオン力または ファンデアワールス相互作用によって一体に保たれている。後者の力は比較的穏 やかな化学的手段によってしばしば中和することができるが、層内の原子間には たらく力は変化を受けずにそのまま残存する。 従って、ある種の層状物質では、隣接する層が膨潤剤により分離を促進され、 次いでこの離れた位置において柱状物質を挿入して多孔性の程度の高い物質を与 える。例えば、ある種のクレイは水で膨潤し、そのためクレイの層が水の分子に よって間隔を保つことがある。他の層状物質は水では膨潤せず、アミン類や4級 アンモニウム化合物等のある種の有機膨潤剤で膨潤することがある。そのような 非水系膨潤性の層状物質の例は、米国特許第4,859,648号に記載されてお り、層状シリケート、マガディアイト(magadiite)、ケニヤイト(kenyaite)、ト リチタネート(trititanates)およびペロブスカイトを含む。その他の特定の有機 膨潤剤で膨潤することができる非水系膨潤性の物質の例には、米国特許第4,8 31,006号に記載されているような空隙を有するチタノメタレート(titanome tallate)物質がある。 柱含有層状物質のX線回折パターンは、通常は良好な配列をなしている層状ミ クロ構造を膨潤および柱含有で破壊した程度によってかなりの変化をする。ある 柱含有層状物質においては、ミクロ構造の規則性がひどく破壊されているために 、X線回折パターンの低角度領域に柱含有物質の層間繰り返しに相当するd間隔 で、一本だけのピークが観察される。破壊の程度が小さい物質はこの領域に、こ の基本的な繰り返しの一般的なオーダーである数本のピークを示すことがある。 層の結晶構造からのX線反射もまた時々観察される。これらの柱含有層状物質に おける細孔の寸法分布は、非晶質物質およびパラ結晶性物質よりも狭いが、結晶 性骨格の物質よりは広い。 層状物質はしばしば、原子レベルで存在する結合の不均衡を反映したシート状 の形態をとる。この形態の特徴は透過電子顕微鏡で表示することができる。 本発明は、焼成後、以下の表1に掲載するX線回折パターンを示す無機質、多 孔質の結晶相物質に存する。 本発明の結晶性物質は、一般に空気中、540℃で少なくとも1時間焼成して 、合成に使用した有機物質を除去した後、極度に低い角度領域に明確な極大値を 有するX線回折パターンを示す。これらのピークの位置は、物質の孔直径に従っ て多少変化するが、該ピークのd間隔の比は一定に保たれる。X線回折パターン における最強ピークのd間隔(相対強度=100)を示すのにd1を用いると、 本発明の焼成した物質のX線回折パターンは、d1を約18Åのd間隔より大き い位置に示し、d間隔d2に少なくとも1つd1のより弱い別のピークを示し、こ れらのd間隔のd1に対する比(即ち、dn/d1)が表1に与える範囲に相当す るようにする。表1 d間隔、dn、Å n/d1 相対強度1'≧18 1.0 100 d2 0.87±0.06 w-m 特に、本発明の焼成した物質のX線回折パターンが、少なくとも2つのこれよ り弱い別のピークをd間隔のd2およびd3に含み、これらのd間隔の(約18Å のd間隔を越える位置の)最強ピークd1に対する比が表2に示す範囲に対応す るようにする。 表2 d間隔、dn、Å n/d1 相対強度1'≧18 1.0 100 d2 0.87±0.06 w-m d3 0.52±0.04 w 更に、本発明の焼成物質のX線回折パターンは、少なくとも4つのこれより弱 い別のピークをd間隔のd2、d3、d4およびd5に含み、これらのd間隔の(約 18Åのd間隔を越える位置の)最強ピークd1に対する比が表3に示す範囲に 対応するようにする。 表3 d間隔、d1、Å n/d1 相対強度1'≧18 1.0 100 d2 0.87±0.06 w-m d3 0.55±0.02 w d4 0.52±0.01 w d5 0.50±0.01 w 1つの好ましい態様において、本発明の焼成物質は、表4に示すような少なく とも2つのピーク: 表4 d間隔、dn、Å 相対強度 33.0±2.0 100 28.7±1.5 w または、より好ましくは、表5に示すような少なくとも3つのピーク: 表5 d間隔、dn、Å 相対強度 33.0±2.0 100 28.7±1.5 w 17.2±1.2 w そして、最も好ましくは、表6に示すような少なくとも5つのピーク: 表6 d間隔、dn、Å 相対強度 33.0±2.0 100 28.7±1.5 w 18.2±0.5 w 17.2±1.2 w 16.5±0.3 w を含むX線回折パターンを有する。 X線回折データは、θ-θ幾何分析、Cu Kα線、およびエネルギー分散型X 線検出器を使用するシンターグ・ピー・エー・ディー・エックス(Scintag PA DX)自動回折装置で集めた。エネルギー分散型X線検出器を使用すると、入射 ビームおよび回折ビーム用のモノクロメーターを使用する必要がなくなる。入射 X線および回折X線の両方のビームをダブルスリットの入射および回折コリメー ション系でコリメーションする。使用したスリットのサイズは、X線管源から始 めて、それぞれ0.5、1.0、0.3、そして0.2mmであった。異なるスリット 系によるとピーク強度が異なる。本発明の物質で最大の細孔寸法を有するものに は、透過した入射X線ビームから低角度のピークを分解するために、より高度に コリメーションした入射X線ビームが必要である。 回折データは2θを0.04度ずつ10秒毎の計数時間で段階的にスキャンし て記録した(θはブラッグ(Bragg)角)。層間間隔dはÅ単位で計算し、バックグ ラウンドを差し引いたラインの相対強度I/I0(I0は最強ラインの100分の 1の強度)はプロファイル・フィッティング・ルーチン(profile fitting routin e)を使用して導いた。ピーク間のオーバーラップがある場合には、多くの場合に デコンボリューション(deconvolution)技術を使用してピーク位置を決定する必 要があった。強度は、ローレンツ効果および分極効果のため補正をしなかった。 相対強度は次の記号で表わす。 vs 非常に強い (75〜100) s 強 (50〜74) m 中 (25〜49) w 弱 (0〜24) シングルラインとして掲載してある回折データは、実験用の高分解能や結晶学上 の交換等のような特定の条件において分解できるように見えるかまたは部分的に 分解できるラインである多くの重なりあったラインからなると解すべきである。 一般に、結晶学上の変化は構造上の実質的な変化を伴わずに、ユニットセルパラ メーター(unit cell parameter)の軽度の変化および/または結晶の対称性の変 化を含み得る。相対強度の変化を含むこれらの軽度の効果は、カチオン含量、骨 格構造、細孔の充填の状態および程度、熱および/または水熱履歴、そして粒子 寸法/形の影響、構造の不規則性、またはX線回折の従来技術で知られるその他 の要因によるピークの幅/形状の変動における差異の結果としても生じうる。 焼成した形態において、本発明の結晶性物質は更に、50torrおよび25℃で 結晶100gあたり約10g以上の平衡ベンゼン吸収能を示す。平衡ベンゼン吸 収能は、付随する不純物による細孔の封鎖がないことを基礎として測定される。 例えば、収着試験は、全ての孔封鎖不純物および水を通常の方法で除去した結晶 性物質相について行うものである。水は、例えば熱処理等の脱水方法で除去する ことができる。孔を封鎖するシリカ等の無機非晶質物質や有機物は、本発明の結 晶に不有益な影響を及ぼさずに粉々になった(障害)物を除去するように酸や塩基 或いは他の化学薬品に接触させて除去できる。 平衡ベンゼン吸着能力は、本発明の物質を、例えば約540℃で少なくとも約 1時間、例えば6時間、脱水または焼成し、要すれば、全ての孔封鎖不純物を除 去する目的で他の処理をした後、25℃および50torrでベンゼンを、平衡に達 するまで接触させて測定する。その後、収着したベンゼンの重量を以下詳細に述 べるようにして測定する。 本発明の結晶性物質は、一般にメソポーラス(mesoporous)であり、これは孔 寸法が13〜200Å、更に通常は15〜100Åの直径の範囲の孔を有するこ とを意味する。 本発明にて使用する無機質、非層状のメソポーラス結晶物質は、一般的には Mn/q(Wa Xb Yc Zd Oh) [式中、Wは例えばマンガン、コバルトおよび鉄のような遷移金属第1列の2価 の元素ならびに/またはマグネシウム、好ましくはコバルトであり、Xはアルミ ニウム、ホウ素、鉄および/またはガリウム等の3価の元素、好ましくはアルミ ニウムであり、Yはケイ素および/またはゲルマニウム等の4価の元素、好まし くはケイ素であり、Zはリン等の5価の元素であり、Mは例えば、アンモニウム 、IA族、IIA族およびVIIB族のイオン、通常は水素、ナトリウムおよび/または フッ素イオン等の一種またはそれ以上のイオンであり、nは酸化物として表わさ れるMを除いた成分の電荷であり、qはMの重み付けモル平均原子価であり、n /qはMのモル数またはモル分率、a、b、cおよびdはそれぞれW、X、Yお よびZのモル分率、hは1〜2.5の数、そして、(a+b+c+d)=1である 。] で示される組成を有する。 上記の結晶性物質の好ましい態様は、(a+b+c)がdより大きく、h=2 の場合である。他の態様では、a=0およびd=0)かつh=2の場合である。 合成型において本発明に使用する物質は、無水物を基礎として、経験的に、 rRMn/q(Wa Xb Yc Zd Oh) [式中、RはイオンとしてMに含まれない全有機物、rはRの係数、即ちRのモ ル数またはモル分率である。] で示される組成を有する。 MとRの成分は結晶化の際にそれらが存在する結果として物質に取り込まれて おり、容易に除去することができ、あるいはMについては、以下更に詳細に説明 する後結晶化法により交換することができる。 例えば、本発明の合成形態の物質の初めのM、例えばナトリウムまたは塩素の イオンは、当該技術分野において既知の技術に従って、他のイオンとイオン交換 することにより、所望する程度まで他のイオンに交換できる。好ましい交換イオ ンは、金属イオン、水素イオン、水素前駆体、例えば、アンモニウム、のイオン 、およびこれらの混合物である。特に好ましいイオンは、炭化水素転化反応のた めに触媒活性を与えるものである。これらは、元素周期表[サージェント・ウェ ルチ・サイエンティフィック・コ・キャット(Sargent-Welch Scientific Co.Cat .)、No.S−18806、1979]のIA族(例えば、K)、IIA族(例えば、C a)、VIIA族(例えば、Mn)、VIIIA族(例えば、Ni)、IB族(例えば、Cu)、II B族(例えば、Zn)、IIIB族(例えば、In)、IVB族(例えば、Sn)およびVIIB族 (例えば、F)の金属、希土類金属、および水素、ならびにこれらの混合物を包 含する。 収着剤または触媒成分として使用する場合に、本発明の物質は、いずれかの有 機成分の一部分または全部を除去する処理に付される。本発明の物質は、水素化 /脱水素機能を行う場合に、タングステン、バナジウム、モリブデン、レニウム 、ニッケル、コバルト、クロム、マンガン、または白金もしくはパラジウムなど の貴金属、あるいはこれらの混合物のような水素化成分とともに組み合わせて触 媒成分としても使用することができる。そのような成分は、共結晶化によって組 成中にあり得、IIIB族元素、例えばアルミニウムがその中に含浸されたまたはそ れと物理的に混合された構造にある程度で組成中に交換され得る。そのような成 分は、そのままそれに含浸でき、例えば、プラチナの場合には、プラチナ金属含 有イオンを含有する溶液でシリケートを処理すればよい。従って、この目的のた めの好適なプラチナ化合物は、クロロ白金酸、塩化第一白金、および白金アミン 錯体を包含する種々の化合物を包含する。 本発明の物質は、以下の方法により調製することができる。: (1)以下更に詳細に説明する第1の有機誘導剤(R')、以下更に詳細に説明す る所望の追加の有機誘導剤(R'')、所望のアルカリまたはアルカリ土類金属(M) 、例えばナトリウムもしくはカリウムの供給源(source)、カチオンならびに、例 えばC1−C6アルコール、C1−C6ジオールおよび/または水、特に水などの溶 媒も しくは溶媒剤混合物を、 溶媒/(R'2O+M2O) のモル比が45〜100、好ましくは45〜92であるように混合する。この比 が92〜100の範囲にある場合、所望する結晶性物質により不純物成分が生成 する。 (2)4価元素Y、例えばケイ素の酸化物の一つまたはその組合せならびに、所 望により、例えばコバルトなどの2価元素W、例えばアルミニウムなどの3価元 素Xおよび例えばリンなどの5価元素Zからなる群から選ばれる酸化物の一つま たはその組合せを、ステップ(1)の混合物に、 R2O/(YO2+X23+Z25+WO) [式中、Rは全有機誘導剤、即ちR'+R''である。] のモル比が0.3〜1、好ましくは0.3〜0.6となるように添加する。 (3)ステップ(2)から得られた混合物を、0〜50℃の温度およびpH7〜1 4で、10分間〜6時間、好ましくは30分〜2時間攪拌する。 (4)ステップ(3)からの生成物を温度50〜200℃、好ましくは95〜15 0℃で、4〜72時間、好ましくは16〜60時間結晶化させる。 本結晶性物質のバッチ式結晶化は、静置またはかき混ぜ、例えば撹拌などを行 い、例えばポリプロピレンジャーまたはテフロン内張りもしくはステンレス鋼オ ートクレーブなどの適当な反応容器中における条件で行うことができる。結晶化 は適当な装置内で連続的に行うこともできる。結晶化に続いて、結晶性生成物を 液体から分離し、回収する。 合成法においてケイ素の供給源を使用する場合は、例えば4級アンモニウムシ リケートのような有機シリケートを少なくとも部分的に使用することが好ましい 。この例としてテトラメチルアンモニウムシリケートとテトラエチルオルトシリ ケート等があるが、これに限らない。 合成反応の条件、例えば反応の温度、pHおよび時間などを、上記限定範囲内 で調整することにより、所望する孔寸法を有する本発明の態様の非層状結晶性物 質を調製することができる。特に、pH、温度または反応時間を変化させること により、異なる平均孔寸法を有する結晶生成物の形成を促進することができる。 本発明の手順のためのW、X、YおよびZの種々の組合せの例に、 W X Y Z − Al Si − − A1 Si P Co Al Si P − − Si − があり、ここでWはMgまたは、例えばMn、CoおよびFe等の2価の遷移金 属第一横列から選ばれる元素であり、XはB、GaまたはFeであり、YはGe である組合せを含むが、これに限定されない。 反応混合物から本発明の物質を合成するための上記の方法において使用する第 1の有機誘導剤R'は、式: R1234+、 [式中、Qは窒素またはリンであり、R1、R2、R3およびR4の少なくとも一つ は例えば-C613、-C1021、-C1633および-C1837等の炭素数8〜36 のアリール基もしくはアルキル基またはその組合せであり、R1、R2、R3およ びR4の残りは水素および炭素数1〜7のアルキル基ならびにそれらの組合せか らなる群から選ばれる。] で示されるアンモニウムイオンまたはホスホニウムイオンである。上記のアンモ ニウムイオンまたはホスホニウムイオンが誘導される化合物は、例えば、水酸化 物、ハロゲン化物、シリケートまたはそれらの混合物であってよい。 第1の有機誘導剤R'の例は、セチルトリメチルアンモニウム、セチルトリメ チルホスホニウム、オクタデシルトリメチルホスホニウム、セチルピリジニウム 、ミリスチルトリメチルアンモニウム、デシルトリメチルアンモニウム、ドデシ ルトリメチルアンモニウムおよびジメチルジドデシルアンモニウム等の化合物が 含まれるが、これに限定されるものではない。 上記の方法において、追加の有機誘導剤R''を使用する場合、該有機誘導剤は 上記の有機誘導剤の式のアンモニウムまたはホスホニウムイオンであって、式中 、 R1、R2、R3およびR4は共にもしくは別々に、水素および炭素数1〜7のアル キル基ならびにそれらの組合せからなる群から選ばれる。追加の有機誘導剤の例 は、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルア ンモニウムおよびピリジニウム化合物を含む。第1の有機誘導剤R'と追加の有 機誘導剤R''とのモル比は、100/1〜0.01/1の範囲で変わり得る。 本発明の物質は、酸触媒反応によって、酸素化物または炭化水素などの有機化 合物の転化に触媒作用を与える触媒成分として有用である。孔の寸法は、遷移状 態種に関する空間的(spatiospecific)選択性がクラッキングなどの反応において 最小になる寸法である[チェン(Chen)ら、「シェイプ・セレクティブ・キャタリ シス・イン・インダルトリアル・アプリケーションズ(Shape Selective Catalys is in Industrial Applications)」、36、ケミカル・インダストリーズ(Chemi cal Industries)、41〜61頁(1989)参照]。拡散限定(diffusional Ii mitation)も、本発明の物質における非常に大きい細孔の結果として最小になる 。これら理由から、本発明の物質は、触媒の表面上の酸性サイトの存在下で生じ る反応であって、ゼオライトX、Y、L、ZSM−4、ZSM−18およびZS M−20などの細孔大寸法ゼオライトのような従来の細孔大寸法固形触媒で同様 の反応を行うにはあまり大きすぎる大分子寸法を有する反応体、生成物または遷 移状態種を有する反応に触媒作用を与えるのに特に好適である。 従って、本触媒組成物は、クラッキングおよびハイドロクラッキングなどの反 応ならびに種々の分子寸法の炭化水素供給原料を使用する他の転化反応の触媒と して作用するが、例えば大きな分子寸法を有する有機化合物、具体的には、置換 または非置換の多環式芳香族成分を有する芳香族炭化水素、かさばったナフテン 化合物、またはかさばった立体配置を有する高度置換化合物、例えば、分子寸法 約13Å以上の化合物の供給原料に対して特に有用である。本発明の触媒物質は 、供給原料の分子量がさらに低い値に減少される反応、即ち、クラッキングまた はハイドロクラッキングなどの分解を含む反応に特に有用である。クラッキング は、温度200〜800℃、圧力100〜800kPa(常圧〜100psig)で0. 1〜60分の接触時間にわたって行ってよい。ハイドロクラッキングは、温度1 50 〜550℃、圧力800〜21000kPa(100〜3000psig)で、0.1〜 100hr-1の重量空間速度で、水素/炭化水素モル比0.1〜100で行ってよ い。 本発明の触媒物質は、窒素酸化物NOx)を含有するガス、例えば工業排気ガ ス、および炭化水素の加工、特に接触クラッキングにおいて触媒の酸化的再生時 に形成するガスからなる混合物において窒素酸化物などの無機化合物の選択的転 化のために使用してもよい。多孔質結晶性物質は、このために、マトリックス化 または非マトリックス化形態で使用してよく、押出物、ペレットまたは他の形状 に形成され、最小圧力低下で触媒でのガスの通過を可能にする。結晶性物質は、 少なくとも部分的に水素形態にあることが好ましいが、触媒成分として少量の貴 金属成分、特に周期表のVIIIA族の周期5および6の金属、特別には白金、パラ ジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムおよびこれらの混合物を含有するこ とが好都合である。貴金属の量は典型的には約1重量%までであり、0.1また は0.5重量%までの量が好ましい。 NOx還元は、高温、典型的には少なくとも200℃、通常は200〜600 ℃で、窒素酸化物を含有するガスを触媒に通過させることによって行うことが適 切である。ガス混合物はアンモニアと混合でき、窒素酸化物の還元を促進する。 予備混合は、約200℃までの温度で行ってよい。ガス混合物と混合されるアン モニアの量は、典型的には理論量の0.75〜1.25倍量である。理論量は、以 下の式に示すように、ガス混合物における異なった窒素酸化物の比に応じて変化 する: 6NO2+8NH3=7N2+12H2O 6NO+4NH3=5N2+6H2O 本発明の結晶性触媒組成物は、他の還元剤、例えば、炭素または一酸化炭素の 存在下で、ガス混合物における窒素酸化物の還元のために使用してもよい。この ような窒素酸化物の還元は、流動接触クラッキング(FCC)触媒の再生におい て特に有用である。適切な条件での再生が、必要濃度の一酸化炭素を生成し、一 酸化炭素が、触媒の存在下での再生ガスにおけるNOxの割合を低減するように 使用されるからである。 本触媒組成物は安定であることが判明しているので、これらを、残留供給原料 についてのクラッキング触媒として、例えば流動接触クラッキングなどに使用す ると、とくに好ましい利用の形態を表すことになる。更に、これら触媒組成物は 、例えば、シリカ−アルミナおよび/またはUSYなどのゼオライトYを含んで なるクラッキング触媒などの一種またはそれ以上の触媒成分と組合わせて使用す ることができる。 本発明の触媒組成物は、高分子量、高沸点または非蒸留性の供給原料、特に残 留供給原料、即ち、本質的に非蒸留性である供給原料または約565℃(105 0°F)以上の初期沸点(5%ポイント)を有する供給原料を使用した反応に特 に有用である。本発明の触媒物質とともに使用できる残留供給原料は、少なくと も1重量%、より通常には少なくとも5%(例えば、5〜10%)のコンラドセ ン(Conradsen)炭素含量(CCR)とともに20未満、より通常には15未満、最も通 常には5〜10のAPI比重を有する供給原料を包含する。幾つかの残油分画に おいて、CCRは約20重量%またはそれ以上程度に高くてもよい。これらの供 給原料の芳香族成分含量は、硫黄および窒素などのヘテロ原子ならびに金属の含 量と同様に、高くてよい。これら供給原料の芳香族成分含量は通常、少なくとも 50重量%であり、典型的にはもっと多く、例えば、少なくとも70または80 重量%であり、残りは主としてナフテンまたは複素環式化合物である。この種の 代表的な石油精製供給原料は、常圧および真空塔残油、アスファルト、例えば、 フェノールまたはフルフラール抽出などの溶媒抽出からの芳香族抽出物、脱アス ファルト化油、スロップ油、潤滑油製造、コーキングなどの種々の方法から得ら れる残留分画などを包含する。本発明の触媒物質を用いる高沸点分画は、軽油、 例えば、常圧軽油;真空軽油;サイクルオイル、特に重質サイクルオイル;脱ア スファルト化油;溶媒抽出液、例えば、ブライトストック;および重質軽油、例 えば、コーカー重質軽油を包含する。本発明の触媒物質は、石油起源でない供給 原料、例えば、石炭液化によって製造された合成油、フィッシャー・トロプシュ (Fischer-Tropsch)ワックス、重質分画、および他の類似物質とともに使用して よい。 本発明の組成物は、医薬およびファインケミカル用途において吸収剤および分 離ビヒクルとしても使用できる。例えば、これらの多孔質組成物は、インスリン のような薬剤の精製において使用してよく、あるいは薬剤の制御されたディリバ リのための固形ビヒクルとして使用してよい。これら多孔質組成物の他の用途は 、異常な細孔容積が利用される廃棄物処理を包含する。従って、少なくとも1種 の成分が、混合物を物質と接触させ、1つの成分を選択的に収着させることによ って、本発明の多孔質組成物に関して異なった収着特性を有する成分の混合物か ら部分的にまたは実質的に全体的に分離することができる。これの例は、水およ び少なくとも1種の炭化水素成分を含んでなる混合物を接触させることを包含し 、これにより少なくとも1種の炭化水素成分を選択的に収着させることができる 。他の例は、少なくとも1種の炭化水素成分および少なくとも1種の追加的な炭 化水素成分を含んでなる混合物から該少なくとも1種の炭化水素成分を選択的に 収着することを包含する。 多くの触媒の場合と同様に、新規な結晶性組成物を、有機物転化プロセスにお いて使用される温度および他の条件に対して耐性を有する他の物質と組み合わせ ることが好ましい。そのような物質は、活性および不活性物質、合成または天然 ゼオライト、ならびに無機物質、例示すれば、クレー、シリカおよび/または金 属酸化物、例えば、アルミナ、チタニアおよび/またはジルコニアを包含する。 後者は、天然のものであってよく、あるいはシリカおよび金属酸化物の混合物を 含有するゲルまたはゼラチン状沈降物の形態であってよい。活性である新規結晶 と共に物質を使用することによって、即ち、新規物質の合成時に存在するまたは それと組み合わせることによって、幾つかの有機物転化プロセスにおいて触媒の 転化および/または選択性を変えることができる。不活性物質は、希釈剤として 働くのに好適であり、所定プロセスにおいて転化量を制御するので、反応速度を 制御する他の手段を用いることなく、経済的にかつ規則的に生成物を得ることが できる。これら物質は、天然クレー、例えば、ベントナイトおよびカオリンと組 み合わせてよく、工業的操作条件下で触媒の圧潰強さを改良する。該物質、即ち 、 クレー、酸化物などは、触媒用のバインダーとして機能する。良好な圧潰強さを 有する触媒を準備することが好ましい。工業的使用において、触媒が破壊して粉 末状物質になるのを防止するが望ましいからである。これらクレーバインダーは 、触媒の圧潰強さを改良するためにのみ、通常は使用される。 新規結晶に配合することができる天然産クレーは、モンモリロナイトおよびカ オリン族を含み、該族はサブベントナイトおよび主鉱物成分がハロイサイト、カ オリナイト、デイカイト(dickite)、ナクライト又はアノーキサイト(anauxite) である通常ディキシー(Dixie)クレー、マクナミー(McNamee)クレー、ジョージア クレーおよびフロリダクレー等として知られるカオリンを含む。このようなクレ ーは、採掘した原料状態で、または最初に焼成、酸処理若しくは化学的変性をし て使用することができる。 新規結晶は、前記物質に加えて、シリカ−アルミナ、シリカ−マグネシア、シ リカ−ジルコニア、シリカ−トリア、シリカ−ベリリア、シリカ−チタニアなら びにシリカ−アルミナ−トリア、シリカ−アルミナ−ジルコニア、シリカ−アル ミナ−マグネシアおよびシリカ−マグネシア−ジルコニア等のような三元組成物 等の多孔質マトリックス物質と配合することができる。 前記マトリックス物質は、結合した触媒成分の押出しを促進するために、少な くとも一部がコロイド状であるように供給することができる。 細く分割した結晶性物質と無機酸化物マトリックスの相対的割合は、結晶含量 が1〜90重量%の範囲で、特に複合物をビーズ状に調製する場合には複合物の 2〜80重量%の範囲で広く変化させることができる。 以下の実施例および添付図面を参照して、本発明を更に説明する。 図1、2、3、4および5は、実施例1、2、3、4および5の生成物のX線 回折パターンである。 実施例において、水、シクロヘキサン、ベンゼンおよび/またはn−ヘキサン の収着能を比較して収着データーを記載する場合には、これらは、以下のように して求めた平衡吸着値である: 約540℃で少なくとも1時間焼成し、必要ならば細孔を詰める汚染物質を除 去するための他の処理を行った後、重量を測定した吸着剤試料を吸着チャンバー の中で所望の純粋な吸着質蒸気と接触させる。吸着剤の重量増加を、約540℃ で焼成した後の吸着剤重量を基準にした100グラムの吸着剤あたりのグラムで 表示して、試料の吸着能として計算した。本発明の物質は、約10g/100g 以上の、特に約17.5g/100g以上の、さらに特に20g/100g以上 の、50torrおよび25℃での平衡ベンゼン吸着能を示す。 吸着を測定する好ましい方法は、25℃、1.6kPa(12torr)の水蒸気、5 .3kPa(40torr)のn−ヘキサンもしくはシクロヘキサン蒸気、または6.7 〜8.0kPa(50〜60torr)のベンゼン蒸気の条件において、1mm以下に脱気 した吸着チャンバーの中で、所望の純粋な吸着質蒸気と接触させることである。 圧力は吸着時間中、マノスタットによりコントロールされた吸着質蒸気を加える ことにより一定に保つ(約±0.5mm以内)。吸着質は新規結晶により吸着され るので、圧力が減少するとマノスタットがバルブを開き、吸着質蒸気をチャンバ ーに入れ、上記のコントロール圧力を回復させる。吸着は圧力変化がマノスタッ トを活動させるのに十分でない時に完了する。 ベンゼン吸着を測定するための他の方法は、コンピューターでコントロールし た990/951デュポンTGAシステムのような、適当な熱重量分析システム によることである。吸着剤試料を、流れているヘリウム中で例えば約350℃ま たは500℃で恒量になるまで加熱することにより脱水する(物理的に吸着した 水を除去する)。試料が合成したままの形、例えば有機誘導剤を含んでいるなら 、前に述べた350℃または500℃での処理ではなくそれを空気中で約540 ℃で焼成し、恒量まで保つ。ベンゼンで飽和したヘリウムガス流を純粋なヘリウ ムガス流と、所望のベンゼン分圧を得るのに適当な割合で混合することにより、 ベンゼン吸着等温線を25℃で測定する。ベンゼンの6.7kPa(50torr)また は8.0kPa(60torr)での吸着値を吸着等温線のプロットから得る。 実施例において、特に断らない限り、%表示は重量%である。 実施例1 塩化N,N,N−トリメチル−1−ヘキサデカンアミニウム29重量%溶液を水 酸化物−ハロゲン化物交換樹脂に接触させて調製した水酸化セチルトリメチルア ンモニウム(CTMA)溶液100gを、テトラエチルオルトシリケート(TEO S)17.5gと撹拌しながら混合した。撹拌を1時間続けた。混合物をポリプ ロピレンの瓶に入れ、蒸気箱(〜100℃)内に48時間置いた。混合物の組成 は、界面活性剤が完全に交換されたとすると、SiO2lモルに対して以下のと おりであった。: (CTMA)2O 0.57モル H2O 47 モル 溶剤/(R'2O+M2O)の比は82であった。 得られた生成物を濾過し、水洗し、風乾し、そして焼成した(540℃にて窒 素中で1時間、続いて空気中で6時間)。焼成した生成物のX線回折パターンを 図1に示す。この調製についてのこのパターンのデコンボリューションにより得 られるX線回折パターンピーク位置の表を以下に掲載する。:面間d間隔 相対強度 n/d1 32.6 100.0 1.00 28.2 17.4 0.87 21.4 1.7 0.66 20.0 1.3 0.61 17.9 5.1 0.55 17.1 7.1 0.52 16.2 1.9 0.50 15.7 1.4 0.48 ベンゼン吸着能はほぼ55重量%であると測定された。 実施例2 実施例1と同様に調製した水酸化セチルトリメチルアンモニウム(CTMA) 溶液100gを、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)20gと撹拌しな がら混合した。撹拌を1時間続けた。混合物をポリプロピレンの瓶に入れ、蒸気 箱(〜100℃)内に48時間置いた。混合物の組成は、界面活性剤が完全に交 換されたとすると、SiO2lモルに対して以下のとおりであった。: (CTMA)2O 0.59モル H2O 41 モル 溶剤/(R'2O+M2O)の比は82であった。 得られた生成物を濾過し、水洗し、風乾し、そして焼成した(540℃にて窒 素中で1時間、続いて空気中で6時間)。焼成した生成物のX線回折パターンを 図2に示す。この調製についてのこのパターンのデコンボリューションにより得 られるX線回折パターンピーク位置の表を以下に掲載する。:面間d間隔 相対強度 dn/d1 33.1 100.0 1.00 28.6 12.3 0.86 21.7 1.2 0.66 20.3 1.1 0.61 18.1 3.8 0.55 17.3 6.0 0.52 16.5 2.3 0.50 15.9 1.6 0.48 ベンゼン吸着能はほぼ12.1重量%であると測定された。 実施例3 実施例1と同様に調製した水酸化セチルトリメチルアンモニウム(CTMA) 溶液100gを、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)17.5gおよび チタニウムエトキシド2.75gと撹拌しながら混合した。撹拌を1時間続けた 。混合物をポリプロピレンの瓶に入れ、蒸気箱(〜100℃)内に7時間置いた 。混合物の組成は、界面活性剤が完全に交換されたとすると、SiO2lモルに 対して以下のとおりであった。: (CTMA)2O 0.57モル H2O 47 モル TiO2 0.14モル (CTMA)2O(モル)/(SiO2+TiO2)(モル)0.48 溶剤/(R'2O+M2O)の比は82であった。 得られた生成物を濾過し、水洗し、風乾し、そして焼成した(540℃にて窒 素中で1時間、続いて空気中で6時間)。焼成した生成物のX線回折パターンを 図3に示す。この調製物についてのこのパターンのデコンボリューションにより 得られるX線回折パターンピーク位置の表を以下に掲載する。:面間d間隔 相対強度 dn/d1 33.6 100.0 1.00 29.0 15.8 0.86 21.8 1.4 0.65 20.5 1.8 0.61 18.3 4.8 0.54 17.5 6.4 0.52 16.7 2.2 0.50 16.1 1.1 0.48 ベンゼン吸着能はほぼ32重量%であると測定された。 実施例1、2および3の生成物の元素分析結果を以下の表に示す。: 元素分析(重量%) 実施例 Ti Al Si 灰分(1000℃) 1 33.44 1.88 -- 0.039 11.73 25.89 2 40.43 2.33 -- 0.075 16.86 37.13 3 35.38 2.08 2.18 -- 14.56 32.35 実施例4 実施例1と同様に調製した水酸化セチルトリメチルアンモニウム(CTMA) 溶液100gをテトラエチルオルトシリケート(TEOS)30gと撹拌しなが ら混合した。撹拌を1時間続けた。続いて、1N NaOH溶液11.2gを添加 した。混合物をポリプロピレンの瓶に入れ、蒸気箱(〜100℃)内に48時間 置いた。混合物の組成は、界面活性剤が完全に交換されたとすると、SiO2l モルに対して以下のとおりであった。: (CTMA)2O 0.33 モル NaOH 0.025モル H2O 32 モル 溶剤/(R'2O+M2O)の比は90であった。 得られた固体生成物を濾過し、水洗し、風乾し、そして焼成した(540℃に て窒素中で1時間、続いて空気中で6時間)。ベンゼン吸着能はほぼ37重量% であると測定された。焼成した生成物のX線回折パターンを図4に示す。この調 製についてのこのパターンのデコンボリューションにより得られるX線回折パタ ーンピーク位置の表を以下に掲載する。:面間d間隔 相対強度 dn/d1 32.3 100.0 1.00 28.2 16 0.87 21.3 1 0.66 20.1 1 0.62 17.7 13 0.55 17.0 8 0.53 16.5 3 0.51 16.0 7 0.50 実施例5 実施例1と同様に調製した水酸化セチルトリメチルアンモニウム(CTMA) 溶液100gを、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)30gと撹拌しな がら混合した。撹拌を1時間続けた。続いて、水酸化テトラメチルアンモニウム 25重量%水溶液2.3gを添加した。混合物をポリプロピレンの瓶に入れ、蒸 気箱(〜100℃)内に48時間置いた。混合物の組成は、界面活性剤が完全に 交換されたとすると、SiO2lモルに対して以下のとおりであった。: (CTMA)2O 0.33 モル (TMA)2O 0.025モル H2O 28 モル 溶剤/(R'2O+M2O)の比は84.8であった。 得られた生成物を濾過し、水洗し、風乾し、そして焼成した(540℃にて窒 素中で1時間、続いて空気中で6時間)。ベンゼン吸着能はほぼ35重量%であ ると測定された。焼成した生成物のX線回折パターンを図5に示す。この調製に ついてのこのパターンのデコンボリューションにより得られるX線回折パターン ピーク位置の表を以下に掲載する。: 面間d間隔 相対強度 dn/d1 31.2 100.0 1.00 27.2 8 0.87 16.7 5 0.54 実施例6(A) 直径約60Åまでの細孔構造のアルゴン物理吸着 実施例1〜5の生成物の孔直径を測定するために、生成物の試料0.2gをガ ラス製試験管に入れ、米国特許第4,762,010号に記載の物理吸着装置に装 着した。 試料は、吸着した水分を除去するために、真空中で300℃まで3時間加熱し た。その後、試験管を液体アルゴンに浸して87°Kまで冷却した。次いで、米 国特許第4,762,010号の第20欄に記載のように、供給量を計量した気体 アルゴンを試料に対して段階的に入れた。試料に加えた入れたアルゴンの量と試 料上の気体空間に残存するアルゴンの量とから吸着されたアルゴンの量が計算で きる。この計算のために、理想気体法則および検量した試料体積を使用した(S.J .グレッグ(Gregg)等、「アドソープション、サーフェス・エリア・アンド・ポー ロシティ(Adosorption,Surface Area and Porosity)、第2版、アカデミック・ プレス(Academic Press)、1982年)」も参照)。いずれの例においても、平衡 において、吸着量に対する試料上の相対圧力のグラフが吸着等温線を構成する。 等温線を測定する温度における吸着物質の蒸気圧POと平衡圧力との比をとるこ とによって得られる相対圧力を使用することが通常行われている。十分少量ずつ のアルゴンを各ステップで入れて、0〜0.6の相対圧力範囲の範囲で168個 のデータ点を設ける。充分詳細な等温線を作成するためには、少なくとも100 個の点が必要である。 等温線のステップ(屈曲)が細孔構造(system)の充填を示す。P/POの項のス テップの位置が吸着の起こっている細孔の寸法を反映しているのに対して、ステ ップの大きさは吸着量を示す。大きな細孔は、より高いP/POの領域で充填さ れる。等温線におけるステップの位置をより適切に位置決めするために、log(P /PO)についての関数を導出する。この変換は、以下の式: [式中、dはナノメートル単位の細孔寸法、K=32.17、S=0.2446、 L=d+0.19、そしてD=0.57である。] を使用して得られる。 この式は、ホーヴァス(Horvath)およびカワゾエ(Kawazoe)の方法(G.ホーヴァ ス等、ジャーナル・オブ・ケミカル・エンジニアリング・オブ・ジャパン(J.Che m.Eng.Japan)、第16巻(6)、1983年第470ページ)より導くことができ る。この式を実行するために必要な定数は、AlPO4−5の測定等温線とその 既知の孔寸法から決定した。この方法は、直径が約60Åまでの孔を有する微孔 性物質に特に有用である。 実施例1〜5の試料についてのこの方法の結果を、次の表にした。 実施例 孔直径(Å) 1 28 2 29 3 30 4 29 5 27
【手続補正書】 【提出日】平成11年7月22日(1999.7.22) 【補正内容】 請求の範囲 1.焼成後、表1に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す無機 質、多孔質の結晶相物質。 2.焼成後、表2に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す請求 の範囲1記載の物質。 3.焼成後、表3に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す請求 の範囲1記載の物質。 4.焼成後、表4に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す無機 質、多孔質の結晶相物質。 5.焼成後、表5に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す請求 の範囲4記載の物質。 6.焼成後、表6に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す請求 の範囲4記載の物質。 7.6.7kPa(50torr)および25℃において100gあたりベンゼンが10 gを越えるベンゼン吸着容量を示す請求の範囲1記載の物質。 8.アルゴン物理収着測定法により測定して、少なくとも13Åの直径を有す る均一な寸法の孔の規則正しい配列を有する請求の範囲1記載の物質。 9.式: Mn/q(Wa Xb Yc Zd Oh) [式中、Mは一種またはそれ以上のイオンであり、nは酸化物として表わされる Mを除いた成分の電荷であり、qはMの重み付けモル平均原子価であり、n/q はMのモル数またはモル分率、wは一種またはそれ以上の2価の元素であり、X は一種またはそれ以上の3価の元素であり、Yは一種またはそれ以上の4価の元 素であり、Zは一種またはそれ以上の5価の元素であり、a、b、cおよびdは それぞれW、X、YおよびZのモル分率、hは1〜2.5の数、そして、(a+b +c+d)=1である。] で示される組成を有する請求の範囲1記載の物質。 10.Wが遷移金属第1列の2価の元素またはマグネシウムを含み、Xがアル ミニウム、ホウ素、ガリウムまたは鉄を含み、Yがケイ素またはゲルマニウムを 含み、そしてZがリンを含んでなる請求の範囲9記載の方法。 11.有機化合物含有供給原料を、触媒転化条件下において、請求の範囲1記 載の組成物の活性型を含んでなる触媒に接触させることを含んで成る有機化合物 含有供給原料を触媒により転化する方法。 12.(1)第1の有機誘導剤(R')を単独であるいは追加の有機誘導剤(R'') と組み合わせて、アルカリ金属またはアルカリ土類金属(M)イオンの供給源なら びに溶媒もしくは溶媒混合物と、 溶媒/(R'2O+M2O) のモル比が45〜100となるように混合し、 (2)4価元素Yの酸化物を単独であるいは2価元素W、3価元素Xおよび5価 元素Zの一つまたはそれ以上と組合せて、ステップ(1)の混合物に、 R2O/(YO2+X23+Z25+WO) [式中、RはR'+R''の和である。] のモル比が0.3〜1となるように添加し、 (3)ステップ(2)から得られ混合物を、0〜50℃の温度およびpH7〜1 4で撹拌し、 (4)ステップ(3)からの生成物を温度50〜200℃で結晶化させることを含 んでなる請求の範囲1記載の物質の合成方法。 13.R'が、式: R1234+ [式中、Qは窒素またはリンであり、R1、R2、R3およびR4の少なくとも一つ は炭素数8〜36のアリール基もしくはアルキル基またはその組合せであり、R1 、R2、R3およびR4の残りは水素および炭素数1〜7のアルキル基ならびにそ れらの組合せからなる群から選ばれる。] で示されるイオンを含んでなる請求の範囲12記載の方法。 14.R'が、セチルトリメチルアンモニウム、オクタデシルトリメチルアン ニウム、セチルピリジニウム、ミリスチルトリメチルアンモニウム、デシルト リメチルアンモニウム、ドデシルトリメチルアンモニウムまたはジメチルジドデ シ ルアンモニウムを含んでなる請求の範囲12記載の方法。 15.追加の有機誘導剤R''がステップ(1)の混合物中に存在しており、該R ''が式: R1234+ [式中、Qは窒素またはリンであり、R1、R2、R3およびR4の少なくとも一つ は水素および炭素数1〜7のアルキル基ならびにそれらの組合せからなる群から 選ばれる。] で示されるイオンを含んでなる請求の範囲12記載の方法。 16.R''が、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テト ラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウムまたはピリジニウム化合物 である請求の範囲15記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロス、ウィーズロー・ジャージー アメリカ合衆国 08080 ニュージャージ ー、シウェル、バウンド・ブルック 123 番 (72)発明者 シュミット、カーク・ダグラス アメリカ合衆国 08534 ニュージャージ ー、ペニントン、エヌ・メイン・ストリー ト 217番 (72)発明者 ヴァートゥリ、ジェイムズ・クラーク アメリカ合衆国 19380 ペンシルバニア、 ウェスト・チェスター、モースタイン・ロ ード 1346番

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.焼成後、表1に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す無機 質、多孔質の結晶相物質。 2.焼成後、表2に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す請求 の範囲1記載の物質。 3.焼成後、表3に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す請求 の範囲1記載の物質。 4.焼成後、表4に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す無機 質、多孔質の結晶相物質。 5.焼成後、表5に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す請求 の範囲4記載の物質。 6.焼成後、表6に示すような値を実質的に含むX線回折パターンを示す請求 の範囲4記載の物質。 7.6.7kPa(50torr)および25℃において100gあたりベンゼンが10 gを越えるベンゼン吸着容量を示す請求の範囲1記載の物質。 8.アルゴン物理収着測定法により測定して、少なくとも13Åの直径を有す る均一な寸法の孔の規則正しい配列を有する請求の範囲1記載の物質。 9.式: Mn/q(Wa Xb Yc Zd Oh) [式中、Mは一種またはそれ以上のイオンであり、nは酸化物として表わされる Mを除いた成分の電荷であり、qはMの重み付けモル平均原子価であり、n/q はMのモル数またはモル分率、Wは一種またはそれ以上の2価の元素であり、X は一種またはそれ以上の3価の元素であり、Yは一種またはそれ以上の4価の元 素であり、Zは一種またはそれ以上の5価の元素であり、a、b、cおよびdは それぞれW、X、YおよびZのモル分率、hは1〜2.5の数、そして、(a+b +c+d)=1である。] で示される組成を有する請求の範囲1記載の物質。 10.Wが遷移金属第1列の2価の元素またはマグネシウムを含み、Xがアル ミニウム、ホウ素、ガリウムまたは鉄を含み、Yがケイ素またはゲルマニウムを 含み、そしてZがリンを含んでなる請求の範囲9記載の方法。 11.有機化合物含有供給原料を、触媒転化条件下において、請求の範囲1記 載の組成物の活性型を含んでなる触媒に接触させることを含んで成る有機化合物 含有供給原料を触媒により転化する方法。 12.(1)第1の有機誘導剤(R')を単独であるいは追加の有機誘導剤(R'') と組み合わせて、アルカリまたはアルカリ土類金属(M)イオンの供給源ならびに 溶媒もしくは溶媒混合物と、 溶媒/(R'2O+M2O) のモル比が45〜100となるように混合し、 (2)4価元素Yの酸化物を単独であるいは2価元素W、3価元素Xおよび5価 元素Zの一つまたはそれ以上と組合せて、ステップ(1)の混合物に、 R2O/(YO2+X23+Z25+WO) [式中、RはR'+R''の和である。] のモル比が0.3〜1となるように添加し、 (3)ステップ(2)から得られた混合物を、0〜50℃の温度およびpH7〜1 4で攪拌し、 (4)ステップ(3)からの生成物を温度50〜200℃で結晶化させる ことを含んでなる請求の範囲1記載の物質の合成方法。 13.R'が、式: R1234+ [式中、Qは窒素またはリンであり、R1、R2、R3およびR4の少なくとも一つ は炭素数8〜36のアリール基もしくはアルキル基またはその組合せであり、R1 、R2、R3およびR4の残りは水素および炭素数1〜7のアルキル基ならびにそ れらの組合せからなる群から選ばれる。] で示されるイオンを含んでなる請求の範囲12記載の方法。 14.R'が、セチルトリメチルアンモニウム、オクタデシルトリメチルホス ホニウム、セチルピリジニウム、ミリスチルトリメチルアンモニウム、デシルト リメチルアンモニウム、ドデシルトリメチルアンモニウムまたはジメチルジドデ シルアンモニウムを含んでなる請求の範囲12記載の方法。 15.追加の有機誘導剤R''がステップ(1)の混合物中に存在しており、該R ''が式: R1234+ [式中、Qは窒素またはリンであり、R1、R2、R3およびR4の少なくとも一つ は水素および炭素数1〜7のアルキル基ならびにそれらの組合せからなる群から 選ばれる。] で示されるイオンを含んでなる請求の範囲12記載の方法。 16.R''が、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テト ラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウムまたはピリジニウム化合物 である請求の範囲15記載の方法。
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