JP2000514246A

JP2000514246A - 低圧プラズマ反応装置内における透明電極のドライエッチング法

Info

Publication number: JP2000514246A
Application number: JP10504367A
Authority: JP
Inventors: ピー．ホランド、ジョン; ティ．デモス、アレックス
Original assignee: ラムリサーチコーポレイション
Priority date: 1996-06-28
Filing date: 1997-06-27
Publication date: 2000-10-24
Also published as: US5667631A; WO1998000874A1; AU3509997A

Abstract

(57)【要約】基板上に堆積されたインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層を低圧プラズマ反応装置内でドライエッチングする方法が開示される。当該方法は、ＩＴＯ層を有してなる基板を低圧プラズマ反応装置内へ載置する工程と、低圧プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程と、低圧プラズマ反応装置内でエッチング原料ガスからプラズマを励起させる工程と、プラズマでＩＴＯ層をエッチングする工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】低圧プラズマ反応装置内における透明電極のドライエッチング法発明の背景本発明は、プラズマ反応装置内におけるインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層のエッチングに関する。更に詳しくは、本発明は、例えば変成器結合プラズマ（ＴＣＰ；商標）反応装置のような低圧、高密度プラズマ反応装置内におけるＩＴＯ層部の改良ドライエッチング法に関する。光学素子及び集積回路（ＩＣ）の製造において、酸化錫にインジウムが添加されたインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）が好んで使用される理由は、その導電率の高さ、良好な光学的透過性に依るものと思われる。早くから、ＩＴＯ薄膜は航空機の窓用透明電熱器、計器板上の静電防止被膜として一般に使用されていた。以来、その用途は広がり、今日では、耐反射被膜、熱反射鏡、透明電磁遮蔽被膜、透明電極、例えばヘテロ接合太陽電池のような光電子工学装置及び光起電性装置、例えば受光素子のような各種電気的デバイス及び光導波路における透明電極等に使用されている。ＩＴＯの多様な用途に関しては、例えばＳ．Ａ．Ｋｎｉｃｋｅｒｂｏｃｋｅｒ及びＡ．Ｋ．Ｋｕｌｋａｒｎｉによる「ＣａｌｃｕｌａｔｉｏｎＯｆＴｈｅＦｉｇｕｒｅＯｆＭｅｒｉｔＦｏｒＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅＦｉｌｍｓＢａｓｅｄＯｎＢａｓｉｃＴｈｅｏｒｙ(基礎理論に基づくＩＴ０薄膜の良度指数に関する考察)」（１９９５年Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．発行、第１３巻第３号第１０４８乃至１０５２頁において更に詳しく記載されている。各種用途の中で最も注目されている分野は、例えば壁掛けテレビ又はラップトップ型コンピュータ等におけるフラットパネルディスプレイ、例えば高解像度モニタ、ビューファインダ、細密画素プロジェクタ（ｆｉｎｅ−ｐｉｘｅｌｐｒｏｊｅｃｔｏｒ）等のような薄膜トランジスタ−液晶ディスプレイ等の製造に関するものである。説明のために、ＩＴＯからなる層を有してなる代表的なパネル部１００の断面図を図１Ａに示す。フラットパネルディスプレイの一部であるパネル部１００は、ガラス基板１０６を有してなる。ガラス基板１０６としては、例えばミシガン州、ダウコーニング社（ＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇＣｏｒｐ．）製の３２０×３４０ｍｍ²ダウコーニング７０５９（ＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇ７０５９；登録商標）ガラス基板又はダウコーニング１７３９（ＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇ１７３９；登録商標）ガラス基板が代表的であり、またそのようなガラス基板は当業者には公知のものである。ガラス基板は、ＳｉＯ₂すなわち低温ガラス又は高温型石英を包含するものである。ガラス基板１０６上には、積層体が形成され、その一部が図１Ａにインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層１０４として示されている。ＩＴＯ層１０４上には、フォトレジスト層１０２が示されている。ここで図示したデバイス形状は、単に説明を目的として、単純化して描かれていることを特記する。図示の複数層の上、下、あるいは層間に他の付加的な層が存在していても良い。更に、図示の層全部が必ずしも必要という訳ではなく、一部又は全部が他の異なる層により置換されていても良い。ここで図示及び説明されるデバイスに係る各層は、当業者にとって容易に認識しうるものであり、また多数の好適且つ公知な任意薄膜形成法により形成することができるものである。そのような形成法としては、化学蒸着法(ＣＶＤ)、プラズマ励起（ｐｌａｓｍａ −ｅｔｃｈｅｄ）化学蒸着法(ＰＥＣＶＤ)、並びにスパッタリングのような物理蒸着法（ＰＶＤ）等を挙げることができる。典型的なＩＴＯエッチングプロセスにおいては、好適なフォトレジスト処理技術を用いてフォトレジスト層がまず初めにパターン形成される。そのようなフォトレジスト処理技術としては、例えば、コンタクト式又はステッパー式のリソグラフィー装置内でフォトレジスト材料を露光する工程と、続くエッチングプロセスを容易にするためのマスクを形成するためにフォトレジスト材料を現像する工程とからなるフォトレジスト層１０２のパターン形成法を挙げることができる。続いて、好適なエッチング剤を使用することにより、ＩＴＯ層１０４において前記マスクにより覆われていない領域をエッチング除去することができる。エッチングが行われる間、フォトレジスト層１０２の一部、ＩＴＯ層１０４、並びに、基板１０６の一部は（ＩＴＯ層１０４領域をエッチングするために）いずれも、ＩＴＯ層１０４のエッチングに使用されるべきエッチング剤であるプラズマに晒される。ＩＴＯエッチングプロセスにおいて、ＩＴＯとガラス及び／又はフォトレジストとの間で高度の選択性が得られない場合は、ＩＴＯを保護するフォトレジスト形状及び／又は下地層であるガラス基板の一部が不作為なエッチングを受け除去されてしまい、このことがＩＴＯ層に係るエッチング解像度に悪影響を与える。ＩＴＯ層のエッチング解像度は、製品である表示装置の「品質」及び操作に直接影響するので、高い選択性を有するエッチングプロセスが望まれている。窒化ケイ素（ＳｉＮ_x）に対するＩＴＯの高選択性も同様に望まれる。説明のため、図１Ｂに薄膜アレイデバイス２００を示す。このデバイスは、例えば光スイッチとして機能するものである。このデバイスにおいて、ＩＴＯ層の一部は画素電極とのコンタクトとして利用される。ここで図１Ｂを参照すると、装置２００の構成要素として、第一電極層２０４が示されている。この電極層は、例えばクロムにより構成され、ガラス基板２０２上に堆積される。第一電極層２０４上には、ゲート誘電体層２１６が堆積されており、この層は、例えば窒化ケイ素及び／又は二酸化ケイ素により構成される。ゲート誘電体層２１６上には、活性層２０６が堆積されており、この層は、例えばアモルファスシリコンにより構成される。ゲート誘電体層２１６上にはオーミック接触層２０８が堆積されている。オーミック接触層２０８としては、例えば、リンを不純物として添加した（ｎ⁺）アモルファスシリコンを挙げることができる。またオーミック接触層２０８は、第二電極層２１０の下に形成されるものである。窒化ケイ素（ＳｉＮ_x）等からなる不活性化層２１２は、第二電極層２１０上に堆積されている。不活性化層２１２を貫通するコンタクトホール２１４は、画素電極２１８を、その下にある第二電極層２１０と電気的に接触させるものである。画素電極２１８はＩＴＯを含んでなり、ＩＴＯ材料をブランケット堆積法（ｂｌａｎｋｅｔｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により堆積させた後、エッチバック法により形成させるものである。画素電極２１８を形成するために、ブランケット堆積させたＩＴＯ層をエッチングすることにより、ＩＴＯ層の一部が除去される。しかしながら、画素電極コンタクトのエッチング中、ＩＴＯ層及び不活性化層２１２の一部は、エッチング剤であるプラズマに晒されるので、不活性化層２１２が若干除去される。所望していない窒化ケイ素除去を避けるために、窒化ケイ素に対するＩＴＯの選択性を高めることが一般に望まれている。従来のＩＴＯエッチングプロセスにおいては、ＩＴＯのエッチング生成物が容易に揮発しないことから、ドライエッチング法は一般に好ましいものとされていない。ドライエッチング法が採用される場合、該法は、例えば平行平板電極を使用する典型的に高圧(＞１００ｍＴｏｒｒ)、低束密度のプラズマ反応装置内で実施され、該反応装置内部にエッチング原料ガスが導入されエッチングが行われる。更に、従来の高圧、低密度のドライエッチングプロセスは、幾つかの欠点を有することが知られている。有機ガス、例えばメタン、アセトン、エタノール及びメタノール等を使用する従来の高圧、低密度のエッチングプロセスは、放電時の高濃度炭化水素ラジカルに起因するポリマー生成の影響を被る場合がある。従来のＩＴＯエッチングプロセスにおいては、揮発性の有機金属化合物が生じることとなり、この化合物が反応装置内部に付着し、反応室洗浄の際にこれら化合物を除去することが困難になる傾向がある。実際、これら化合物の除去は一般に、煩雑で時間のかかる作業であり、エッチング反応装置のスループットを低下させるものである。一方、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲンを高圧、低束密度下で使用する従来エッチングプロセスにおいては、エッチング速度が非常に低くなる傾向があり、また同様に除去が困難な固体状エッチング副産物が生じる傾向がある。エッチング原料ガスとしては臭化水素、ヨウ化水素等が使用されてきたが、従来技術においては、それらは高圧、低密度な条件の下に使用されており、このような条件のため、基板を予熱する付加的な工程が必要であった。基板の予熱は、一方ではＩＴＯ材料の揮発性を高め、エッチ加工を容易にさせるものであるが、他方では、エッチングプロセスに付加的な工程を発生させるものであるため、従来のドライエッチング技法における経済的利点を減少させるものであった。また予熱により保護フォトレジストの形状構造が、損傷又は網状化することも確認されている。上記幾つかの問題点により、従来ＩＴＯプロセスにおいては、ウェットエッチング法が一般に好適とされていた。しかしながら、周知の如く、ウェットエッチング法もまた、幾つかの問題を有するものである。例えば、該法に係るエッチング速度は低く、ＩＴＯのシート抵抗に対する依存性が高くなる傾向がある。更に、ウェットエッチングに係る条件は危険なものである場合が往々にしてあり、安全性に大きな問題があるエッチング溶液の処理に係る問題もある。更に、ウェットエッチング法によりＩＴＯ層の均一エッチングを達成することは困難である場合が多い。また、上載フォトレジスト及び／又は例えば窒化ケイ素のようなＩＴＯ層周囲の層に対するエッチング選択性は、ウェットエッチング技法においては低い。上記考察から、望まれることは、プラズマ処理室内においてＩＴＯ層を効率的にエッチングするための改良された方法及び装置である。発明の要旨前記目的を達成するために、本発明は低圧プラズマ反応装置を使用してＩＴＯのドライエッチングを行なう方法を提供するものである。一態様においては、本発明は、基板上に堆積されたインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層のドライエッチングを、低圧、誘電結合プラズマ反応装置内で実施する方法に関する。当該方法は、ＩＴＯ層が形成された基板を低圧プラズマ反応装置内へ載置する工程、エッチング原料ガスを低圧プラズマ反応装置内へ導入する工程、低圧プラズマ反応装置内でエッチング原料ガスからプラズマを励起する工程、並びに、プラズマでＩＴＯ層をエッチングする工程を含んでなる。他の態様において、本発明は、インジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層及びＩＴＯ層下の窒化ケイ素層が形成された基板のドライエッチングを、低圧、誘導結合プラズマ反応装置内で実施する方法に関する。当該方法は、ＩＴＯ層及び窒化ケイ素層を備えた基板を低圧プラズマ反応装置内へ載置する工程、前記低圧プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程、低圧プラズマ反応装置内でエッチング原料ガスからプラズマを励起する工程、並びに、プラズマでＩＴＯ層をエッチングする工程を含んでなる。本発明に係る上記及び他の特徴を、添付図面を参照しつつ、以下の発明の詳細な説明の項においてより詳細に説明する。図面の簡単な説明図１Ａは、説明のために、インジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）からなる層を含有するフラットパネルディスプレイのパネル部を示す側断面図である。図１Ｂは、説明のために、インジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層を用いた他のデバイスである、単一薄膜トランジスタアレイを示す側断面図である。図２は、本発明の一実施形態において、ＩＴＯ又は酸化錫のエッチングに好適な変成器結合プラズマ（ＴＣＰ；商標）反応装置の断面図である。図３は、本発明の一実施形態において、インジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）又は酸化錫を含有する基板のエッチングに利用されるＴＣＰ（商標）反応装置に係る各種操作パラメータを示す表である。図４は、本発明の一実施形態において、本発明に係るエッチングプロセスにより得られた結果の一部を示す表である。好適な実施形態の詳細な説明本発明は、低圧プラズマ反応装置内におけるインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層のエッチングに関して記載される。以下の説明において、本発明の内容を明確にするために、多数の具体的詳細が例示される。しかしながら、本発明は、これらの具体的詳細の一部又は全部を伴わずとも具現化しうるものであることは、当業者にとっては自明である。また、本発明を必要以上に不明確にさせないために、公知プロセス工程については詳細な説明は避けた。本発明によるインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層のエッチングは、この後説明するように、ＩＴＯ層を有する任意種の基板上で実施することが可能である。一例として、本発明により、少なくとも一のＩＴＯ層を有してなり、厚さ１．１ｍｍ、３２０×３４０ｍｍ²である方形ガラス基板のエッチングを行なうことが可能である。また別例としては、本発明の技法により、円形シリコン基板上に堆積されたＩＴＯ層のエッチングを行なうことが可能である。図２は、本発明の一態様を構成するＩＴＯエッチングに使用される低圧高密度プラズマ処理装置である変成器結合プラズマ（ＴＣＰ；商標）装置を示したものである。説明を容易にするため、カリフォルニア州フリーモント市のラムリサーチコーポレーシヨン（ＬａｍＲｅｓｅａｒｃｈＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）製のコンティニュアム（Ｃｏｎｔｉｎｕｕｍ；商標）として知られるＴＣＰ（商標）装置が使用され、ここで説明される。しかしながら、本発明は、この特定のＴＣＰ（商標）装置の構成に限定されないことに留意すべきである。例えば、本発明は、サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）装置、ヘリコン、ヘリカル共振器等を利用するものを含む、任意の高密度低圧プラズマ反応装置内において実施可能なものとして企図されるものである。図２において、ＴＣＰ（商標）装置２９８は反応室３００を有する。反応室３００上には誘電窓３０６及びコイル３０４が配置されている。誘電窓３０６は、任意の好適な誘電材料で構成することができる。しかしながら、一実施形態においては、誘電窓は石英で構成される。コイル３０４は平面形、もしくは反応装置形状に合わせて適宜成形されたものであって良く、例えば１３．５６ＭＨｚもしくは他の好適周波数でＲＦ発生器３０２により、典型的にはマッチングネットワーク（図面を単純化するために非図示）を介して印加される。反応室３００の内部には、プラズマ処理領域３４０があり、この領域は誘電窓３０６と基板３１０との間に存在するものである。チャック３１２上に基板３１０を固定するためにクランプ３４２が設けられている。クランプ３４２は機械的クランプであり、静電的な固定が行われろ場合には、省略されても良い。また、幾つかの態様においては、このような固定操作は必須のものではない。チャック３１２は典型的に、アルミニウム加工片であり、好ましくは無線周波数発生器３０８により（この場合もまた典型的にマッチングネットワークを介して）バイアス印加されるものである。一実施形態において、ＲＦ発生器３０８は周波数１３．５６ＭＨｚで動作して基板３１０上へＤＣバイアスを印加するものであり、このＤＣバイアスは基板方向へのイオン移動を促進するものである。チャック３１２はポート３２６を備えていても良く、このポートはチャック３１２下方から基板とチャックとの界面まで伸展しているものである。ポート３２６は、ヘリウム又は幾つかの他のガス等の伝熱ガスを基板とチャックとの界面へ供給するために利用され、その結果、プラズマ処理中、基板３１０の温度を所望のレベルに維持することが可能となる。反応室３００はガス導入口３２４を有しており、この導入口はチャック３１２の基台周囲のガス分配器３２０と連結していても良い。ガス分配器３２０は、エッチング原料ガスをプラズマ処理領域３４０内へ吐出するための開口３３０及び３３２を有するガスリングであって良い。また、ガス分配器３２０は、任意の好適な形状を採ることができ、例えばシャワーヘッドが採用されても良い。更に、ガス導入口３２４及びガス分配器３２０両者は、処理室に対して任意の好適位置へ設置可能なものである。本発明の一態様において、エッチング原料ガスとしては、例えばＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＩ、Ｂｒ₂、Ｉ₂及び／又はＣｌ₂、あるいはこれらの混合物を採用することができる。例えば酸素のような添加剤が導入されても良く、このような添加剤は例えばガラス、フォトレジスト又は窒化ケイ素等の他層に対するＩＴＯの選択性を向上させるものであると考えられる。入口３１６及び出口３１８が付設されたターボ分子ポンプ３１４は、プラズマ処理領域３４０内のガスを排気し、所望の反応装置圧を維持するものである。ターボ分子ポンプ３１４は、約２００乃至約５０００ｓｃｃｍの反応ガスの供給が続いている間、典型的にはコンティニュアム（Ｃｏｎｔｉｎｕｕｍ；商標）のような装置を０．１乃至１００ｍＴｏｒｒの圧力まで排気する能力を有するものである。本発明の一実施形態において、チャック３１２は、流体導入口３４６及び流体導出口３４８を有する温度制御ユニット（ＴＣＵ）３４４を備えている。これらの出入口を介して、グリコール又は脱イオン水のような流体が好適温度にてチャック３１２へ供給され、その結果、チャック３１２が所望の温度に維持されるものである。ＴＣＰ装置２９８における典型的なエッチングプロセスは、基板が例えば機械的又は静電的なクランプ３４２により反応室内部３４０のチャック３１２上へ固定されて開始される。エッチング原料ガスは、ガス導入口３２４を介して反応室３００内へ導入され、ガスリング３２０内を移動し、開口３３０及び３３２から放出される。少なくともＲＦ発生器３０２が動作することにより、電極として機能するコイル３０４が附勢される。更に、ＲＦ発生器３０８が動作することにより、第二電極として機能するチャック３１２が附勢される。ＲＦエネルギーはコイル３０４から誘電窓３０６を介して伝搬され、プラズマ処理領域３４０へ到達し、この領域で反応室３００内のガスをプラズマ状態へ転換することによりプラズマを発生させるものである。チャック３１２が附勢されている場合、このチャック／電極からのエネルギーは、基板方向へ向かう付加的な運動量をプラズマ内のイオンへ更に与えるものである。チャック３１２及び基板３１０が、プラズマと共に一種のダイオードとして機能することは明らかである。チャック３１２がＲＦ発生器３０８により附勢されるとき、基板上面において、負電荷ＤＣ電圧からなるシースを発生させるようにＲＦがチャック３１２によって整流される。かようにして基板表面が負にバイアスされる結果、基板表面へイオンが引き寄せられ、主としてバイアス電圧により決定されるエネルギーを持ってイオンが基板表面を衝撃するものである。この作用により、ＩＴＯエッチングが強化され、エッチング剤であるプラズマと接触する任意の他層もある程度エッチングされるものである。ＩＴＯ層のエッチングは、停止点に到達するまで継続される。一実施形態において、好適な波長領域に感応するフォトダイオードを備えた狭帯域光フィルター（又はモノクロメータ；ｍｏｎｏｃｈｒｏｍｅｔｅｒ）が、例えば、プラズマ中のインジウムからの光放出を観測するために利用される。ＩＴＯエッチングの完了は、４１０ｎｍにおける放出の顕著な減少が確認された時点で決定される。図３は、本発明の一実施形態において、３２０×３４０ｍｍ²のガラス基板上に堆積されたＩＴＯ薄膜をエッチングする際に採用される近似パラメータを示す表である。図３に示されるＩＴＯエッチングプロセスパラメータは、圧力、プラズマ密度、ＲＦバイアス電力（すなわちチャック電極への電力）及び流量を包含している。また図３は、より好ましいＩＴＯエッチングを達成するべく制御される付随的パラメータであるチャック温度も包含している。他の基板サイズ及び／又は反応室容積にも対応できるように、例えばｂｉａｓ／ｃｍ²及び／又はｆｌｏｗ／ｃｍ²等へのパラメータの近似換算も可能であり、このことは当業者にとっては自明である。圧力とは、エッチング工程中、プラズマ反応装置３００内部で測定された圧力である。圧力が低すぎる場合は、基板をエッチングするための反応物が十分に供給されないため、結果としてエッチング速度が低くなる。一方、圧力が高い場合は、必要なイオン束及びイオンエネルギーを得ることが難しく、結果として、例えばＩＴＯ層とエッチング剤であるプラズマと接触するその近傍層との間におけるような層間選択性が往々にして低いものとなる。従って、最適圧力とは、高いＩＴＯエッチング速度と、近傍層に対するＩＴＯ高選択性との最良の組み合わせを与えるものである。しかしながら、一般に、本発明においては従来技術における場合よりも相当に低い圧力を採用するものである。一実施形態において、エッチング原料ガスの圧力は、約０．１ｍＴｏｒｒ乃至約１００ｍＴｏｒｒ、好ましくは約３乃至約１５ｍＴｏｒｒ、より好ましくは約５ｍＴｏｒｒである。プラズマ密度とは、プラズマ処理領域３４０における陽イオン密度である。プラズマ密度は、ＲＦ発生器３０２出力（すなわちＴＣＰ（商標）電力）の関数である。ＴＣＰ電力を大きくすると、高密度プラズマが発生する傾向にあり、他のパラメータにも依存するこの高密度プラズマにより、基板へ向かう大きなイオン束が発生し、その結果ＩＴＯのエッチング速度が増大する。しかしながら、一実施形態においては、本発明は従来技術よりも相当に高い密度のプラズマを扱うものである。本発明の一態様によれば、プラズマ密度は概して約１Ｅ１０乃至約１Ｅ１２ｃｍ^-3、好ましくは約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3、より好ましくは約１Ｅ１１ｃｍ^-3である。一方、従来のＩＴＯドライエッチングは、典型的に、１Ｅ１０ｃｍ^-3より小さいプラズマ密度で実施されるものである。ＲＦバイアス電力は、ＲＦ発生器３０８の出力として定義される。表３において、ＲＦバイアス電力は、Ｗ（ワット）及びＷ／ｃｍ²基板（ワット／平方センチメートル基板）の単位で示されている。ＲＦバイアス電力は、陽イオン束が基板表面へ衝突する際のエネルギーを決定する。好適レベルのＲＦバイアス電力により、他層との選択性を損なわずに基板からＩＴＯを除去するに十分なイオンエネルギーが与えられる。３２０×３４０ｍｍ²基板のエッチングに適合するＲＦバイアス電力は、概して約１００乃至４０００ワット、好ましくは約５００乃至２５００ワット、より好ましくは約１２５０ワットである。ワット／平方センチメートル基板の場合は、ＲＦバイアス電力は、概して約０．０９乃至約３．７Ｗ／ｃｍ²基板、好ましくは約０．４６乃至約２．３０Ｗ／ｃｍ²、より好ましくは約１．１５Ｗ／ｃｍ²である。より大きな基板が用いられる場合は、ＲＦバイアス電力は、所望のエッチング結果を得ることができるように適宜換算される。前記コンティニュアム（Ｃｏｎｔｉｎｕｕｍ；商標）プラズマ処理反応装置において、プラズマ密度はＴＣＰ電力により制御され、基板へのバイアスは底部電力により制御される。二つの電力源が相互に影響を及ぼし合う間は、一方が調整されるとき他方は一定に保たれる。本発明において、基板３１０へのイオンの衝突は、ＲＦ発生器３０８の電力を変化させ、ＲＦ発生器３０２の電力を一定に維持することによりしかるべく制御される。この方法において、本発明は、基板上のＩＴＯを含む積層体を、他の反応パラメータ、例えばエッチング特性に不利な影響を与えうる圧力又は束密度へ影響を及ぼすことなくイオン衝撃が制御された条件下でエッチングすることができるものである。ＲＦ発生器３０８の周波数は約１００ＫＨｚ乃至約４０ＭＨｚであり、典型的に約１００乃至約４００ボルトの範囲にある所望レベルのイオン衝撃エネルギーを与えるものである。一実施形態において、前述の如く、ＲＦ発生器３０８の周波数は概して１３．５６ＭＨｚである。例えば、圧力又は束密度のようなエッチング特性に不利な影響を及ぼしうる他の反応パラメータに影響を及ぼすことなく、イオン衝撃を独立に制御しうるこの独特の特徴により、本発明は従来法とは一線を画す利点を有するものである。流量とは、反応室３００内へ流入するエッチング原料ガスの流量であり、また調整可能なものである。３２０×３４０ｍｍ²基板のエッチングに関して、流量は、概して約４０乃至約２０００ｓｃｃｍ、好ましくは約１００乃至約１０００ｓｃｃｍ、より好ましくは約２００ｓｃｃｍである。ｓｃｃｍ／平方センチメートル基板の場合は、概して約０．０４乃至約１．８４ｓｃｃｍ／ｃｍ²、より好ましくは約０．０９２乃至約０．９２ｓｃｃｍ／ｃｍ²、更に好ましくは約０．１８ｓｃｃｍ／ｃｍ²である。前述の如く、エッチング原料ガスは、例えばＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＩ、Ｂｒ₂、Ｉ₂及び／又はＣｌ₂を包含する。一実施形態において、酸素のような添加剤がエッチング原料ガスに添加される場合は、添加剤の総流量は、エッチング原料の総流量に対して約５％乃至約１０％である。ＩＴＯのプラズマ（すなわちドライ）エッチングに係る従来法においては、ＩＴＯエッチングによる副産物（例えばハロゲン化インジウム；ｉｎｄｉｕｍｈａｌｌｉｄｅ）は一般に低温では揮発しないので、エッチングを容易にするためにプラズマ又はヒーターにより例えば２００℃又はそれ以上に基板を予熱する必要があった。予熱工程はより揮発性のエッチング生成物を得る点においては功を奏するが、ＩＴＯと共にフォトレジストも、所望されない侵食を受けることとなる。従って、ＩＴＯ層のエッチング速度を増大させることは、フォトレジスト形状の維持を犠牲にすることであった。本発明の一態様よれば、低圧、高密度プラズマ処理室内において、約１５０℃ 以下、特に８０℃以下の基板温度でＩＴＯ層のエッチングを行なうことにより、予測を超えて驚異的に、フォトレジストの過度の浸食が防止され、その間もＩＴＯエッチング速度が高い状態に維持されることが発見された。一実施形態において、チャック温度は、例えばＴＣＵユニット３４４を介して、約４０℃乃至約８０℃に維持され、基板温度も同一範囲内となるものである。他の実施形態において、チャック温度は、約４０℃に維持され、従って基板温度も同様に約４０℃となるものである。本発明は、パネル全体の加熱を必要とせずに、パネル表面からＩＴＯの副産物を除去するために高イオン束を利用する。高イオン束は、ＩＴＯエッチング生成物を表面から遊離させるものであり、低圧、高コンダクタンス（ｈｉｇｈｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ）運転により生成物が基板上へ再堆積することなく処理室から排出される。本発明に係る低圧、高密度な条件下においては、約１５００乃至約４０００オングストローム／分のＩＴＯエッチング速度を達成可能であることが確認されている。これらのＩＴＯエッチング速度は、従来のＩＴＯエッチング法により達成される速度よりも約一桁大きいという利点がある。更に重要な点は、従来のＩＴＯエッチング法とは異なり、本発明エッチング法により得られる高エッチング速度は、ガラス及び／又は窒化ケイ素及び／又はフォトレジストに対するＩＴＯの選択性を低下させることなく得られる点にある。更に本発明のＩＴＯエッチング法は、均一なイオン束の利用及び（チャック温度の制御を介する）基板温度制御に起因して、従来ＩＴＯに係る技法に比べて優れたエッチング均一性をもたらすものである。一実施形態において、エッチング均一性は、平均エッチング速度に関して約５％乃至約１０％である。エッチング均一性は、（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）×１００％として定義され、ここでＭａｘはエッチングされる表面全域にわたる最高エッチング速度であり、Ｍｉｎはエッチングされる表面全域にわたる最低エッチング速度である。高均一エッチングは一般に望ましいものであるので、上記結果は、本発明に係る低圧、高密度なエッチング法の更なる利点を殊更際立たせるものである。ＩＴＯ側壁に関して所望のエッチング断面を更に徹底して得ることができる点も、本発明のもう一つの利点である。一実施形態において、ＩＴＯエッチング断面は、約４５°乃至約９０°のテーパ角を有するものである。テーパ角はフォトレジストの関数と考えられ、フォトレジスト自体も一般に約７０°のエッチング前テーパ角を有するものである。更に重要な点は、ＩＴＯ層のアンダーカットが生じないことが確認されている点にある。ＩＴＯ層のアンダーカットが発生しないことは、より等方性を呈する方法で（従来のドライエッチング又は湿式化学作用の）高圧条件のもとに一般に実施されていた従来ＩＴＯエッチング法を凌駕する本発明の利点を更に示すものである。図４は、ＩＴＯを堆積した各種基板試料を本発明に係る低圧、高密度エッチング法によりエッチングして得られた測定結果の幾つかを示すものである。幾つかの試料においては、例えば約４０００オングストローム／分のＩＴＯエッチング速度を達成することが可能である。フォトレジストに対するＩＴＯのエッチング選択性は、幾つかに試料において、約３：１であり、ガラスに対するＩＴＯ層の選択性は、幾つかの試料において、約１０：１である。窒化ケイ素に対するＩＴＯのエッチング選択性もまた、幾つかの試料において、１０：１であり、エッチング断面は、幾つかの試料において、約４５°乃至約９０°であり、ＩＴＯ層において観測可能なアンダーカットは殆ど発生しない。エッチング速度均一性は、幾つかの試料において、平均エッチング速度に関して約５％である。以下の実施例において、３２０×３４０ｍｍ²のＩＴＯ堆積基板のエッチングを実施している間、（頂部電極及び底部電極各々に供給される電力に対応する）ＴＣＰ（商標）電力及びＲＦバイアス電力を変化させた場合、幾つかのエッチング結果が得られた。これらの実施例は、最適なエッチング結果を得るためにどの程度の電力を好適に変化させうるものであるかを単に例示するのみであり、如何なる場合においても、本発明の範囲を限定することを意図したものではない。実施例１表１においては、１４５×１４５ｍｍ²試料をＣｌ²及びＨＢｒで処理した場合のＩＴＯエッチング特性を、「ＴＣＰ電力」に相当するＲＦ発生器３０２電力と、ＲＦバイアス電力に相当するＲＦ発生器３０８電力との関数として評価した。以下のパラメータ、すなわちエッチング原料ガス圧力(約５ｍＴｏｒｒ)、エッチング原料ガス流量(約１００ｓｃｃｍ)、チャック温度（約４０℃）は一定とした。これらのプロセスに関する選択性も評価した。前述の如く、表１に係るエッチングは、ラムリサーチ社のＴＣＰ（商標）９４００プラズマエッチング装置を使用して１４５ｍｍ×１４５ｍｍの基板試料上で実施した。前記のエッチング装置は、３２０ｍｍ×３４０ｍｍ基板のエッチングに使用される典型的な装置における反応室容積の約２０％の反応室容積を持つものである。異なる反応装置及び異なる基板におけるエッチングに適合するように、反応装置容積及び／又は基板サイズに対して幾つかのパラメータを換算することができろ。例えば、表１に記載のＴＣＰ電力は、異なる反応装置間でほぼ同一のイオン密度の値を維持するように、反応装置容積に対して、ある態様においては線形的に換算することが可能である。表１においては、二つの化学特性に関してＩＴＯエッチング速度はほぼ同様であるが、フォトレジストに対するＩＴＯの選択性は、幾つかの電カ条件下では、ＨＢｒによる化学特性を利用するプロセスの方が、ほぼ一桁大きい。最も高い電カ条件、すなわちＴＣＰ電力６００Ｗ及びＲＦバイアス電力３００Ｗの条件下においては、ＨＢｒ処理の場合、２５００オングストローム／分（Å／ｍｉｎ）を越えるＩＴＯエッチング速度を得ることができ、同時にフォトレジストに対するＩＴＯ選択性は０．９：１となる。前述の記載から明らかなように、頂部電力と底部電力との割合と同様に、総電力量を適宜調整することにより、エッチング速度及び／又は選択性を向上させることができる。例えば、底部電力／ｃｍ²基板に関する以下の値、すなわち０．２４、０．４８、０．９５、１．４３は、異なる基板サイズ及び／又は反応室容積に対応するように、一実施形態においては線形的に換算することが可能である。ＨＢｒを使用するプロセスにおけるエッチング断面は、約５５°乃至約６０° のテーパ角を有する(エッチング前のフォトレジスト角７０°の場合)。実施例２３２０ｍｍ×３４０ｍｍの基板用に設計されたＴＣＰ（商標）源を利用する低圧エッチング反応装置内で、ＩＴＯ層を含有する基板のエッチングを実施した。エッチング原料ガスとしてＨＢｒ及びＣｌ₂を以下の条件下、すなわちエッチング原料ガス圧力＝８ｍＴｏｒｒ、ＴＣＰ電力＝３０００ワット、ＲＦバイアス電力１０００ワット(０．９２Ｗ／ｃｍ²)、ＨＢｒ流量＝２００ｓｃｃｍ、Ｃｌ₂流量＝２００ｓｃｃｍ、チャック電極温度＝４０℃、ヘリウムポート３２６におけるヘリウム圧力＝６Ｔｏｒｒからなる条件下で使用した。本プロセスにおいて光学的終点は、４１０ｎｍのインジウム放出強度を利用して検出した。以下の結果、すなわち２３３０Å／ｍｉｎのエッチング速度、平均値に関して約６．１％以内のエッチング均一性、テーパ角約７０°のエッチング断面、約２．５：１のガラスに対するＩＴＯ選択性が得られた。前記範囲近傍にある操作パラメータに関して、ＲＦバイアス電力を低下させた場合、ガラスに対する選択性が向上することが確認された。例えば、ＲＦバイアス電力を約１０００ワットから約３００ワットに減少することにより、ＩＴＯエッチング速度を約１３００Å／ｍｉｎに維持したまま、ガラスに対するＩＴＯ選択性を約２．５：１から約３．６：１に向上させることができる。従って、ＲＦバイアス電力を減少させることは、ＩＴＯエッチング速度を過度に低下させることなく、ガラスに対するＩＴＯ選択性を向上させる好適な方法の一つであると考えることができる。また、ガラスに対するＩＴＯ選択性は、添加剤として酸素をエッチング原料ガスに添加するか、又は、その添加量を増加させることにより向上させることができる。例えば、１０ｓｃｃｍの酸素ガスを添加剤としてエッチング原料ガスに添加することにより、ＩＴＯエッチング速度が約１７１０Å／ｍｉｎに維持されたまま、ガラスに対するＩＴＯ選択性は、約４：１まで向上する。以上、本発明を幾つかの好適な実施形態により説明してきたが、本発明においては、その範囲に包含される代替、置換及び等価物が存在する。例えば、本発明の教示により当に容易にＩＴＯの代わりに酸化錫をエッチングすることも可能である。本発明の方法及び装置の具現化に関しては多くの代替的手段が存在することも特記する。従って、以下に添付の請求の範囲は、本発明の本質的な精神及び範囲内に属する当該全ての代替、置換及び等価物を包含するものとして解釈されることを意図するものである。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】平成１０年７月２１日（１９９８．７．２１）【補正内容】請求の範囲１．基板上に堆積されたインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層をドライエッチングする方法であって、前記ＩＴＯ層を有してなる前記基板を低圧プラズマ反応装置内へ載置する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において前記エッチング原料ガスからプラズマを励起させる工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において約１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力でかつ約１５０℃以下の前記基板の温度で前記プラズマにより前記ＩＴＯ層をエッチングする工程とを含む方法。２．前記低圧プラズマ反応装置が、低圧高密度プラズマ反応装置である請求項１の方法。３．前記低圧高密度プラズマ反応装置が、変成器結合プラズマ反応装置である請求項２の方法。４．前記低圧プラズマ反応装置が、低圧誘導結合プラズマ反応装置である請求項１の方法。５．前記基板の温度が約８０℃以下である請求項１の方法。６．前記基板の温度が約４０℃乃至約８０℃である請求項１の方法。７．前記基板の温度が約４０℃である請求項１の方法。８．前記基板が前記ＩＴＯ層の下に窒化ケイ素層を有してなる請求項１の方法。９．前記基板が前記ＩＴＯ層の上にフォトレジスト層を有してなる請求項１の方法。１０．前記基板が前記ＩＴＯ層の下に更にガラス層を有してなる請求項９の方法。１１．前記エッチング工程が、約０．１乃至約１００ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項１の方法。１２．前記エッチング工程が、約３乃至約１５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項１１の方法。１３．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項１２の方法。１４．前記エッチング工程が、約５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項１の方法。１５．前記エッチング工程が、約Ｅ１０乃至約Ｅ１２ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項１の方法。１６．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項１５の方法。１７．前記エッチング原料ガスが、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＩ、Ｂｒ₂、Ｉ₂及びＣｌ₂ からなる群より選択された一又はそれ以上のものを含んでなる請求項１の方法。１８．前記エッチング原料ガスが、添加剤酸素を更に含んでなる請求項１の方法。１９．インジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層を堆積させてなるガラス基板をドライエッチングする方法であって、前記ＩＴＯ層を具備する前記ガラス基板を低圧プラズマ反応装置内へ載置する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において前記エッチング原料ガスからプラズマを励起させる工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において約１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力でかつ約１５０℃以下の前記基板の温度で前記プラズマにより前記ＩＴＯ層をエッチングする工程とを含む方法。２０．前記エッチング工程が、約３乃至約１５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項１９の方法。２１．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項１９の方法。２２．前記ガラス基板の温度が、前記エッチング工程の間、約［１５０］８０℃ 以下である請求項１９の方法。２３．基板上に堆積された窒化ケイ素層と、前記窒化ケイ素層の上に堆積された酸化錫含有層とを有してなる基板から電子デバイスを作製する方法であって、前記酸化錫含有電極層及び前記窒化ケイ素層を具備する前記基板を低圧誘導結合プラズマ反応装置内へ載置する工程と、前記低圧誘導結合プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程と、前記低圧誘導結合プラズマ反応装置内において前記エッチング原料ガスからプラズマを励起させる工程と、約１５０℃以下の前記基板の温度で前記プラズマにより前記酸化錫含有透明電極層をエッチングする工程とを含む方法。２４．前記酸化錫含有層がインジウムを更に含んでなる請求項２３の方法。２５．前記酸化錫含有層が透明電極層である請求項２３の方法。２６．前記エッチング工程が、約３乃至約１５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項２３の方法。２７．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項２３の方法。２８．前記基板の温度が、前記エッチング工程の聞、約８０℃以下である請求項２３の方法。２９．前記エッチング原料ガスがＨＢｒからなる請求項２３の方法。３０．前記エッチング原料ガスがＣｌ₂からなる請求項２３の方法。３１．前記エッチング原料ガスがＯ₂及びエッチング原料からなり、前記エッチング原料がＨＢｒ及びＣｌ₂のいずれか一である請求項２３の方法。３２．基板上に堆積されたインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層をドライエッチングする方法であって、前記ＩＴＯ層を有してなる前記基板を低圧プラズマ反応装置内へ載置する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において前記エッチング原料ガスからプラズマを励起させる工程と、約３乃至約１５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下でかつ約１５０℃以下の前記基板の温度で前記プラズマにより前記ＩＴＯ層をエッチングする工程とを含む方法。３３．前記低圧プラズマ反応装置が変成器結合プラズマ反応装置である請求項３２の方法。３４．前記低圧プラズマ反応装置が低圧誘導結合プラズマ反応装置である請求項３２の方法。３５．（補正）前記基板の温度が、前記エッチング工程の間、約８０℃以下である請求項３２の方法。３６．前記基板の温度が、前記エッチング工程の間、約４０℃乃至約８０℃である請求項３５の方法。３７．前記基板の温度が、前記エッチング工程の間、約４０℃である請求項３６の方法。３８．前記基板が、前記ＩＴＯ層の下にガラス層を更に含んでなる請求項３６の方法。３９．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項３６の方法。４０．前記エッチング工程が、約０．１乃至約１００ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項３６の方法。４１．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項４０の方法。４２．前記基板が前記ＩＴＯ層の下に窒化ケイ素層を有してなる請求項３２の方法。４３．前記基板が前記ＩＴＯ層の上にフォトレジスト層を有してなる請求項３２の方法。４４．前記エッチング工程が、約５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項３２の方法。４５．前記エッチング工程が、約Ｅ１０乃至約Ｅ１２ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項３２の方法。４６．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項４５の方法。４７．前記エッチング原料ガスが、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＩ、Ｂｒ₂、Ｉ₂及びＣｌ₂ からなる群より選択された一又はそれ以上のものを含んでなる請求項３２の方法。４８．前記エッチング原料ガスが添加剤酸素を更に含んでなる請求項３２の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims

【特許請求の範囲】１．基板上に堆積されたインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層をドライエッチングする方法であって、前記ＩＴＯ層を有してなる前記基板を低圧プラズマ反応装置内へ載置する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において前記エッチング原料ガスからプラズマを励起させる工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において約１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力で前記プラズマにより前記ＩＴＯ層をエッチングする工程とを含む方法。２．前記低圧プラズマ反応装置が、低圧高密度プラズマ反応装置である請求項１の方法。３．前記低圧高密度プラズマ反応装置が、変成器結合プラズマ反応装置である請求項２の方法。４．前記低圧プラズマ反応装置が、低圧誘導結合プラズマ反応装置である請求項１の方法。５．前記基板の温度が約１５０℃以下である請求項１の方法。６．前記基板の温度が約４０℃乃至約８０℃である請求項１の方法。７．前記基板の温度が約４０℃である請求項１の方法。８．前記基板が前記ＩＴＯ層の下に窒化ケイ素層を有してなる請求項１の方法。９．前記基板が前記ＩＴＯ層の上にフォトレジスト層を有してなる請求項１の方法。１０.前記基板が前記ＩＴＯ層の下に更にガラス層を有してなる請求項９の方法。１１．前記エッチング工程が、約０．１乃至約１００ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項１の方法。１２．前記エッチング工程が、約３乃至約１５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項１１の方法。１３．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項１２の方法。１４．前記エッチング工程が、約５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項１の方法。１５．前記エッチング工程が、約Ｅ１０乃至約Ｅ１２ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項１の方法。１６．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項１５の方法。１７．前記エッチング原料ガスが、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＩ、Ｂｒ₂、Ｉ₂及びＣｌ₂ からなる群より選択された一又はそれ以上のものを含んでなる請求項１の方法。１８．前記エッチング原料ガスが、添加剤酸素を更に含んでなる請求項１の方法。１９．インジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層を堆積させてなるガラス基板をドライエッチングする方法であって、前記ＩＴＯ層を具備する前記ガラス基板を低圧プラズマ反応装置内へ載置する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において前記エッチング原料ガスからプラズマを励起させる工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において約１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力で前記プラズマにより前記ＩＴＯ層をエッチングする工程とを含む方法。２０．前記エッチング工程が、約３乃至約１５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項１９の方法。２１．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項１９の方法。２２．前記ガラス基板の温度が、前記エッチング工程の間、約１５０℃以下である請求項１９の方法。２３．基板上に堆積された窒化ケイ素層と、前記窒化ケイ素層の上に堆積された酸化錫含有層とを有してなる基板から電子デバイスを作製する方法であって、前記酸化錫含有電極層及び前記窒化ケイ素層を具備する前記基板を低圧誘導結合プラズマ反応装置内へ載置する工程と、前記低圧誘導結合プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程と、前記低圧誘導結合プラズマ反応装置内において前記エッチング原料ガスからプラズマを励起させる工程と、前記プラズマにより前記酸化錫含有透明電極層をエッチングする工程とを含む方法。２４．前記酸化錫含有層がインジウムを更に含んでなる請求項２３の方法。２５．前記酸化錫含有層が透明電極層である請求項２３の方法。２６．前記エッチング工程が、約３乃至約１５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項２３の方法。２７．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項２３の方法。２８．前記基板の温度が、前記エッチング工程の間、約８０℃以下である請求項２３の方法。２９．前記エッチング原料ガスがＨＢｒからなる請求項２３の方法。３０．前記エッチング原料ガスがＣｌ₂からなる請求項２３の方法。３１．前記エッチング原料ガスがＯ₂及びエッチング原料からなり、前記エッチング原料がＨＢｒ及びＣｌ₂のいずれか−である請求項２３の方法。３２．基板上に堆積されたインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）層をドライエッチングする方法であって、前記ＩＴＯ層を有してなる前記基板を低圧プラズマ反応装置内へ載置する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内へエッチング原料ガスを導入する工程と、前記低圧プラズマ反応装置内において前記エッチング原料ガスからプラズマを励起させる工程と、約３乃至約１５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で前記プラズマにより前記ＩＴＯ層をエッチングする工程とを含む方法。３３．前記低圧プラズマ反応装置が変成器結合プラズマ反応装置である請求項３２の方法。３４．前記低圧プラズマ反応装置が低圧誘導結合プラズマ反応装置である請求項３２の方法。３５．前記基板の温度が、前記エッチング工程の間、約１５０℃以下である請求項３２の方法。３６．前記基板の温度が、前記エッチング工程の間、約４０℃乃至約８０℃である請求項３５の方法。３７．前記基板の温度が、前記エッチング工程の間、約４０℃である請求項３６の方法。３８．前記基板が、前記ＩＴＯ層の下にガラス層を更に含んでなる請求項３６の方法。３９．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項３６の方法。４０．前記エッチング工程が、約０．１乃至約１００ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項３６の方法。４１．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項４０の方法。４２．前記基板が前記ＩＴＯ層の下に窒化ケイ素層を有してなる請求項３２の方法。４３．前記基板が前記ＩＴＯ層の上にフォトレジスト層を有してなる請求項３２の方法。４４．前記エッチング工程が、約５ｍＴｏｒｒの反応室圧力下で実施される請求項３２の方法。４５．前記エッチング工程が、約Ｅ１０乃至約Ｅ１２ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項３２の方法。４６．前記エッチング工程が、約５Ｅ１０乃至約５Ｅ１１ｃｍ^-3のプラズマ密度下で実施される請求項４５の方法。４７．前記エッチング原料ガスが、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＩ、Ｂｒ₂、Ｉ₂及びＣｌ₂ からなる群より選択された一又はそれ以上のものを含んでなる請求項３２の方法。４８．前記エッチング原料ガスが添加剤酸素を更に含んでなる請求項３２の方法。