JP2000514592A - 電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス、このようなデバイスを実施する装置および方法 - Google Patents
電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス、このようなデバイスを実施する装置および方法Info
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Abstract
(57)【要約】
電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス(1)、およびこのようなデバイスを実施する装置および方法。前記デバイスは、圧下イオン化ガスを保持し、軸線(4)回りに延在し、放射線トランスミッタビームを画成するための端−端孔(3)を有するまっすぐな透過性石英電極管(2)と、前記孔の軸線面(10)に対して対称的な2つの縦方向側面ウィング(14)から成る放射線反射面(7)とを含み、前記反射面が少なくとも部分的に前記トランスミッタ管に固着される。
Description
【発明の詳細な説明】
電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス、
このようなデバイスを実施する装置および方法
本発明は圧下イオン化ガスを保持し、軸線回りに延在し、放射線トランスミッ
タビームを画成するための端−端孔を有するまっすぐな透過性石英電極管を含む
紫外線電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイスに関するものである。
また本発明はこのようなデバイスを実施する装置および方法に関するものであ
る。
本発明は、特に、非限定的に、高圧または中圧のイオン化ガスを収容するトラ
ンスミッタ管を使用して紫外線によって素材を光化学的に処理する分野に適用さ
れ、例えば、製紙工業、テキスタイル工業、プラスチック工業、食品工業、自動
車工業および印刷の分野において、例えば紙ロールまたはまたは厚紙ロールによ
って形成されたフィルム上のインクまたはワニスの重合のために使用される。
高圧または中圧とは、2kg/cm2と同等またはこれ以上、例えば中圧につ
いては3kg/cm2と同等またはこれ以上、高圧としては5kg/cm2と同等
またはこれ以上で、例えば100kg/cm2に達する事のできる絶対ガス圧を
意味する。
本発明は処理される製品の型には限定されない。例えば本発明は塗装された製
品の乾燥のために、ある種のワニスおよび接着剤の乾燥のために、軸線回りに延
在するワイヤ製品の乾燥のために、または液状製品の滅菌のために使用する事が
できる。
まっすぐなトランスミッタ管と放物線断面または楕円断面を有するまっすぐな
凹形リフレクタとを含む紫外線を発生し反射するデバイスは公知である。
これらのデバイスはいくつかの問題点を示す。これらのデバイスは実際上大型
であって、トランスミッタ管とリフレクタとの間の空気流によって効率的冷却を
実施するため、リフレクタから数ミリメートルの間隔で完全に離間したトランス
ミッタ管を必要とする。
実際に、紫外線トランスミッタ上には600℃乃至900℃の高温が観察され
、これに対してリフレクタの温度ははるかに低く、約50℃である。
また使用材料も相異なり、トランスミッタはガラスから成り、リフレクタは反
射性金属、特にアルミニウム型の金属、すなわちガラスと非常に異なる熱膨張係
数を示す金属から成る。
さらに先行技術の長尺管は時間と共に湾曲する傾向がある。
特に本発明の場合、すなわち紫外線放射の場合、公知のトランスミッタは無視
できない量のオゾンを形成する。
本発明の目的は、先行技術のデバイスよりも実際的要求に答えるデバイス、特
に嵩ばらず、オゾン発生を大幅に制限すると共に放射線のエネルギー効率を特に
最適化する事のできる構造設計の故に使用可能の光化学的エネルギーを最大限に
する事のできるコンパクトな放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス、およ
びこのようなデバイスを実施する装置および実施する方法を提供するにある。
そのため、本発明は、圧下イオン化ガスを保持し、軸線回りに延在し、放射線
トランスミッタビームを画成するための端−端孔を有するまっすぐな透過性石英
電極管と、前記孔の軸線面に対して対称的な2つの縦方向側面ウィングから成る
放射線反射面とを含み、前記反射面が少なくとも部分的に前記トランスミッタ管
に固着されまた少なくとも部分的に厳格にまたは近似的に放物線形または楕円形
の横方向断面を示すように成された電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバ
イスにおいて、前記側面ウィングに対応しまた少なくとも部分的に厳格にまたは
近似的に放物線形または楕円形の横方向断面を示す前記反射面の部分が、前記軸
方向対称面において前記孔の軸線から下記式に対応する距離dに配置された頂点
の母線を有する曲線(放物線または楕円)に属し、
d=f および 0<d<r+e+1mm,
ここに、
f:放物線または楕円の焦点と頂点における対応母線との距離、
r:前記孔の軸線と前記頂点母線を通る軸線面中の孔の内側面との距離、
e:前記頂点の母線と同一側における軸線面中の管の厚さとする事を特徴とす
る電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイスを提供する。
さらに望ましくは、側面ウィングの2つの端部は厳格に放物線部分または楕円
部分の形状または厳格にまっすぐな断面を示す。さらに他の実施態様において、
本発明は、対応のリフレクタの焦点と同一の幾何学的照射中心を有するまっすぐ
なトランスミッタ管を有し、前記リフレクタもまっすぐであって、(例えば平坦
面の処理のため)少なくとも部分的に放物線形状の断面または(例えば曲線面の
処理のため)少なくとも部分的に楕円形状の断面を有し、反射曲線の頂点におけ
る母線が焦点線と一致した軸線に対して平行であり、放物線部分または楕円部分
の末端縁部が頂点母線と反対側の孔の母線の下方にあるように成されたトランス
ミッタ/リフレクタデバイスを実施する。
さらに詳しくは、下記に詳細に説明する本発明の中圧または高圧紫外線トラン
スミッタは、「熱電極」と呼ばれる非常に高温の電極(1000℃以上の電極)
を含むいわゆる「放電管」である。
従ってトランスミッタは赤外線トランスミッタのフィラメント型のフィラメン
トを備えていない。
透明管の両側に備えられた2つの電極によって発生された電弧が、プラズマ状
態の1つまたは複数の金属ヨウ化物によってまたはキセノンまたは水銀/キセノ
ン混合物またはその他のガスまたは希土類元素によって形成される一定断面積の
光円筒体を発生し、この円筒体の各端部は光円錐体を成し、その頂点が電極と一
致する。
光円筒体は望ましくは切頭形とし、例えば平坦化され、2電極の間隔によって
形成される全長、例えば短アークトランスミッタの場合には数mm、一般に30
mm乃至2500mmの範囲内の長さを示し、またこれを収容する透明管の内側
断面と同一またはこれより小さい断面を示す。
金属ヨウ化物は純粋金属または合金とし、また例えば純粋水銀、純粋鉄、純粋
ガリウム、鉄/コバルト(混合物)、ガリウム/鉛(混合物)、水銀/ガリウム
(混合物)などを使用する。
さらに一般的に、使用ガスは純粋形とし(例えばキセノン)または混合形とす
る(例えば水銀/キセノン)。
前記の金属、希土類元素および/またはガスの混合物リストはもちろん制限的
なものではない。
さらにそれぞれの元素の割合はそれ自体公知のように所要の放射線波長によっ
て決定される。
好ましい実施態様として、さらに下記の要件のいずれかを採用する事ができる
。
−d=r+e;
−r≦d<r+e;
−d≦r;
−孔は円筒形とする;
−孔の断面は少なくとも部分的に切頭円形とし、従って放射線ビームが切頭横
断面を有する;
−孔の断面は孔の軸線面に対して垂直な1つまたは2つの屈折光学的面によっ
て切頭され、従ってビームは例えば円筒形の中に内接する近似的長方形を成す(
二重切頭の場合)。
−反射面が管に対して固着される;
−管の外側面がキューポラ形の突起部分(下記においてドームと呼ぶ)を含み
、このドームの外側面が孔の内側面に対応して配置され、例えば円筒形孔の場合
には円筒形の一部を成し、ドームに対して放射された一次放射線を一般に孔の軸
線と一致する焦点に送り返して、いわゆる逆放射の形で作動し、前記ドームは孔
の軸線面に対して対称的であり、孔に対してその頂点母線と同一側面に配置され
、反射物質層によって被覆され、
−前記管は側面ウィングの末端の間において連続し、側面ウィングの外側面は
少なくとも部分的に屈折光学的屈折によって前記の反射面を成し、
−前記反射面は全部、反射物質層によって被覆され、
−前記反射面は放物線または部分的放物線横断面図を有し、前記管は下側面と
呼ばれる外側面を有し、この外側面はウィングの両端を接続し、孔に対して頂点
母線の反対側に配置され、平坦であって、前記頂点母線を含む軸線面に対して垂
直であり、
−反射面は楕円形または部分的楕円形横断面を有し、前記管は外側面を有し、
この外側面はウィングの両端を接続し、孔に対して頂点母線の反対側に配置され
、凸形であって、頂点母線を含む軸線面に対して対称的な曲線に従い、前記外側
面は孔の軸線面に向かって放射された放射線を例えば楕円の第2焦点に向かって
送り、
−前記外側面の横断面はその一部においてまっすぐで軸線面に対して垂直に定
心し、その第2部分において湾曲し、
−管は頂点母線の反対側において、縦方向屈折光学的キャビティを成す部分的
凹形の連続ガラス部分を備え、
−前記キャビティは円筒形の一部の形の凹形上側面を含み、この上側面は孔の
軸線と同一の軸線を有し、また例えばr+eに等しい半径を有し、また前記キャ
ビティは中心角α2に内接する高さにわたって孔の軸線面に平行な側面を備え、
前記角度α2は、プラズマビームからの一次放射線がデバイスのウィングを相互
に接続する下側面の屈折光学的面によって全部屈折される角度である。
角度α2中の放射を避ける事により、放射線の損失を大幅に避ける事ができる
。
−屈折光学的キャビティは円筒形の一部の形の凸形下側面を有し、この下側面
の軸線は孔の軸線から反対側に配置され、またその曲率半径は放射線を1つまた
は複数の所定方向に指向するように配置され、例えば軸線面に対して平行にまた
は楕円の第2焦点面に向かって指向する。
−ドームは孔の軸線から下記の式の距離xに配置された反射性外側面を有し:
r<x<2y
ここに、
y:孔の内側面と、ウィングの反射面の傾斜のドームと放物線または楕円部分と
の間の不連続点との間隔;
−デバイスはさらに、軸線面に対して対称的にウィング末端の両側に配置され
た2つの反射性縦方向側面板を含み、
−孔はその内側面上に、軸線に対して頂点母線と反対側に、縦方向屈折光学的
凹部を備え、この屈折光学的凹部は半径r’>rの円筒形の一部の形状の底面と
、孔の軸線面に対して平行な側面とを有するが、r’はまたrと同等またはこれ
以下とする事ができる。
−前記管は頂点の母線を通る軸線面に対して対称的な2つの縦方向側面ラグを
備えた円筒形であって、前記側面ラグは照射面に向けられ、そのそれぞれの外側
面が放物線または楕円の一部の形のウィングを成す。
−ラグは管に対して固着されている、
−ラグは例えば円筒形の管から分離可能であって、凹形円筒形部分の形の接合
面を含み、この接合面はラグが接触しまたは接触しない管の外側面に対して補形
を成す。
−ラグの外側面は頂点母線を含む軸線面に対して垂直であり、
−ラグの端面は凹形であって、この端面に対する入射放射線を前記頂点母線を
含む孔の軸線面に向かって送るように配置され、
−円筒形孔は前記頂点母線の反対側のその内側面上に、前記前記頂点母線を含
む軸線面に関して対称的な三角形断面の2つの突起を含み、その一方の辺は前記
軸線面に対して平行であり、他方の辺は前記軸線面と同一側面に配置され、前記
突起は母線を含む軸線面に対して対称的であり、またこれらの突起が内接された
孔の中心角α2の辺が対応ラグの2つの末端頂点を通り、
−管の外側面の上部は孔軸線に対して例えば2α5の中心角にわたって反射材
によって被覆され、このα5については下記に説明するが、2つの側面ウィング
は、例えば管とこれらの反射性側面ウィングとの間に循環冷却ガス流が配置され
るように、トランスミッタ管から一定距離に配置される。
−ウィングは少なくとも部分的に放物線または楕円断面を示し、それぞれのウ
ィングの上部から孔と同心の円筒形部分が延在し、これらの円筒形部分はトラン
スミッタ管から完全に一定距離に配置される。
−2つの側面ウィングは平坦であり、
−2つの側面ウィングは平坦な反射性板から成り、
−管は、放射線トランスミッタビームの内側断面と同等またはこれ以上の、例
えばこの内側断面の≧1.5倍、例えば≧2倍、また例えば6倍の断面を有する
電極チャンバを含む。
−トランスミッタビームの断面は約45mm2と同等またはこれ以下、または
約30mm2、さらに正確には約10mm2、または3mm2である。
−ビームは、長さの半分以下の幅、例えば長さの1/5または1/10以下の
幅を有する正方形断面または特に長方形断面の縦方向スリットの形を成す。
−有効電弧長にわたる放射線トランスミッタビームの内側断面の最大直径また
は横方向サイズは9mmと同等またはこれ以下、≦約6mm,≦約4mmまたは
≦2mmまたは1mm、例えば0.5mmである。
本発明はさらに、前記の型の少なくとも1つのデバイスを含む平坦なまたは湾
曲シート状に配置された製品を処理、特に乾燥するための装置、およびこのよう
なデバイスを使用して連続的にまたは半連続的に走行する製品に対して放射線を
加える方法に関するものである。
また本発明は、シート状製品または平坦面あるいは湾曲面上に配置された製品
に対して放射線を加える方法において、約45mm2と同等またはこれ以下の一
定円形横断面または部分的に切頭断面を有しまた例えば約9mmと同等またはこ
れ以下の最大放射方向サイズを有する軸線回りに細長く延在する紫外線プラズマ
ビームをもって前記製品を照射する事を特徴とする方法に関するものである。
プラズマビームは実際上軸線回りに延在する細長いビームであって、その外側
形状はこのビームを閉じ込める孔の壁面の形状によって影響され、このビーム形
状は例えば実質的に円形断面を有し、従って実質的に円筒形を成す。
一定断面とは、ビームの有効アーク長にそった一定横断面を意味し、従って電
極チャンバを含まない。
望ましくは製品は、約30mm2、さらに正確には約10mm2の一定横断面、
例えば≦約4mmまたは≦2mmまたは1mmと同等またはこれ以下の最大限放
射方向サイズを有する軸線回りに延在する円筒形または実質的に円筒形の紫外線
プラズマビームによって照射され、ビーム断面に関してはガラスパイプの物理的
製造限度のみが考慮される。
望ましい実施態様においては、前記製品が、直接に前記プラズマビームから発
生する一次放射線と、同時に少なくとも部分的に楕円形または放物線形横断面を
有する反射面上の屈折光学的屈折によって前記一次放射線から発生する二次放射
線とによって照射される。
また望ましくは、製品は全部プラズマビームを閉じ込めた単一の管から来るま
たは反射される放射線によって照射され、前記管は前記プラズマビームのトラン
スミッタ管に対して固着された反射面を含み、フィラメントの不存在により逆光
像を画成する。
逆光像のコンセプトは下記に詳細に説明するが、プラズマビームによってビー
ム軸線のレベルで放射される一次放射線が二次放射線の形で反射され、この二次
放射線が前記ビームによって反対方向に放射される一次放射線と確実にまたは正
確に重ね合される事を意味する。
望ましくは照射は、両端においてまたは一端において切頭された円筒形断面の
プラズマ円筒体または軸線面に対して垂直な下部において凸形湾曲断面を含むプ
ラズマ円筒体によって実施される。
一定断面のプラズマビームの長さは望ましくは30センチメートル以上とし、
1メートル以上とし、望ましくは2メートル以上、さらには3メートル以上とす
る。
望ましくは実施態様においては、リニア電圧は50ボルト/cmと同等または
これ以上、望ましくは100ボルト/cmと同等またはこれ以上の値を有する。
さらに望ましくは、紫外線を放射するプラズマビームの長さが約1.50メー
トル以上であり、同時的にリニア電圧が20ボルト/cm以上、例えば80ボル
ト/cmである。
望ましくは実施態様においては、プラズマビームの横断面の半径rが、管の対
応直径dに対して下記の関係式の関係にある また望ましい実施態様によれば、前記の型の小直径ビームが放射線の反射面を
含むデバイスの中に組み込まれ、前記放射面はデバイスの孔の軸線面に対して対
称的な2つの縦方向側面ウィングを含み、前記反射面が少なくとも部分的に放物
線、楕円形または直線形であり、または少なくとも部分的に著しく放物線形、楕
円形または直線形であるように成されたデバイスにおいて、前記デバイスの上部
において冷却空気を供給するため、ウィングの上方母線の両側に延在する縦方向
中間スペースまたはスリットによって2つのウィングが相互に分離され、前記ス
ペースは一定間隔で平坦な水平板によってカバーされ、スリットを通過したビー
ムによって放射される放射線を反射する事を特徴とするデバイスが提供される。
望ましくは前記反射板は穿孔され、ウィングの支持体として作用し、この際に
0<d<r+e+1mmの条件が満たされる。
以下、本発明を図面に示す実施例について詳細に説明するが本発明はこれに限
定されない。付図において、
第1図乃至第5図は全部または部分的に放物線断面を有する反射面を含む本発
明によるモノブロックトランスミッタ/リフレクタデバイスの第1実施態様の種
々のバージョンを示す断面図である。
第6図乃至第10図は全部または部分的に楕円形断面を有する反射面を含む本
発明によるモノブロックトランスミッタ/リフレクタデバイスの第2実施態様の
種々のバージョンを示す断面図である。
第11図は相異なる厚さの上方円筒形ドームを有する本発明の第2実施態様の
他のバージョンの断面図である。
第12図および第12A図は本発明の第2実施態様のさらに他のバージョンの
断面図である。
第13図は本発明の第2実施態様のさらに他のバージョンの断面図である。
第14図乃至第16図はラグを備えた本発明の第1実施態様の他のバージョン
の断面図である。
第17図はラグと孔の内側面上の縦方向凹部とを備えた第1実施態様のさらに
他のバージョンの断面図である。
第18図、第18A図および第18B図はラグと孔の内側面の縦方向突起とを
備えた本発明の第1実施態様のさらに他のバージョンの断面図である。
第19図は実質的に長方形断面の孔と平坦な円筒形の形のドーム上側面とを有
する本発明の第1実施態様のさらに他のバージョンの断面図である。
第19A図はラグと丸い下側面とを有するさらに他のバージョンの断面図であ
る。
第19B図はラグと孔の内側面の凹部とを備えたさらに他のバージョンの断面
図である。
第20図乃至第24図はトランスミッタ管から完全に離間されて楕円断面の反
射面(第20図)または放物線断面の反射面(第21図乃至第24図)を備えた
側面ウィングを含む本発明のトランスミッタ/リフレクタデバイスの第3実施態
様の種々のバージョンを示す横断面図である。
第25図はトランスミッタ管から完全に離間されて楕円断面の反射面を備えた
側面ウィングを含む本発明のトランスミッタ/リフレクタデバイスの第4実施態
様の断面図である。
第26A図および第26B図は切頭孔または凹部を備えた孔を含む円筒形トラ
ンスミッタから完全に離間配置された3部分から成るリフレクタを有する本発明
の第5実施態様の断面図である。
第27A図、第27A’図、第27B図、第27C図および第27D図は切頭
孔を備えた本発明のデバイスの第6実施態様の部分的断面図である。
第28図は第10図に図示の型のトランスミッタ管の電極チャンバの実施態様
の縦方向断面図である。
第29図は第27図のトランスミッタ管の電極チャンバ実施態様の縦方向断面
図である。
第30図は電極を有しない第28図のバージョンの縦方向断面図である。
第31図および第31A図は本発明によるトランスミッタ管の電極末端の他の
実施態様を示すそれぞれ縦方向および横方向断面図である。
第32図は本発明の種々の実施態様によるトランスミッタ/リフレクタデバイ
スの横断面図(A,A’,B,C.D.D’およびE)である。
第33図は本発明によるトランスミッタ/リフレクタデバイスを含む装置の第
1実施態様の部分的断面図である。
第34図は本発明による装置の第2実施態様の部分的破断された斜視図である
。
第35図は相互に平行に配置された数個の本発明のデバイスを含む本発明の装
置の第3実施態様の断面図である。
第36図は逆方向に配置された本発明のデバイスを含む本発明の装置の第4実
施態様の断面図である。
第37図は角度的に配置された本発明のデバイスを含む本発明の装置の第5実
施態様の断面図である。
第38図A,B,Cは塗装製品の処理を実施するための本発明の装置の3実施
態様を示す概略平面図である。
第39図は3型のリニア電圧:10ボルト/cm、30ボルト/cmおよび1
00ボルト/cmにおける本発明による管の放射密度の分布を示す概略図である
。
第40A図は放物線形反射壁体と、小直径の管と、管の壁体から出た円筒形プ
ラズマビームとを有する本発明の他の実施態様によるデバイスの断面図である。
第40B図は相異なる3電圧におけるプラズマビームの3電圧を示す小直径の
円筒形管を含む本発明の他の実施態様の断面図である。また、
第41図は内部孔と比較して小直径のプラズマビームを有する本発明の実施態
様による方法を実施するデバイスの断面図である。
下記の説明においては、類似または同一型の素子を示すために同一参照数字が
使用される。
第1図乃至第4図は、例えば押出し石英から成るガラス直管2を含むデバイス
1の断面を示す。
管2は端から端まで押出形成された軸線4および半径rの円筒形孔3を穿孔さ
れている。
この孔は各端部において、下記に詳細に説明するような電極支持プラグ(図示
されていない)によって閉鎖され、中圧の、イオン化ガス、例えば3バールの圧
力の例えばヨウ化水銀を収容し、このガスはそれ自体公知のように、管に電力が
加えられて電極の間にプラズマアークを形成する時に紫外線放射光5を放射する
事ができる。
管2は少なくとも部分的に放物線断面の式y=x2/4fの外側面を有する壁
体6を含み、この式において、fは、孔の軸線4と一致する焦点8と孔4の対照
軸線面に位置する放物線の頂点9の母線との間の、孔の対照軸線面10の中に配
置された放物線の焦点距離である。
母線と同一側の壁面から頂点9までの軸線面10中に配置された管の厚さをe
とし、dを孔4の軸線4と頂点9における母線との間の距離とすれば、下記の関
係式が得られる。
d=f また d=r+e(第1図)
d<r+e(第2図)
d=r(第3図)
d<r(第4図)
第1図の本発明の実施態様によれば、表面7は完全に放物線である。表面7は
真空中においてスパッタリングを生じるカソード、または放射された紫外線(U
V)を反射する物質のフィルム11(第1図において破線で示す)、例えば10
0nm乃至1ミクロン、例えば360nmのUVに対して厚さ約1ミクロンのア
ルミニウム金属層を石英上に被着させる事のできる業界公知のその他任意の手段
によって被覆されている。
管2は孔3から頂点9の反対側において、中空壁体12によって閉鎖され、こ
の側壁12は、軸線面10に関して対照的な放物線部分から成る側面ウィング1
4の末端13の間に延在する。
壁体12は、直接に放射される放射光16または放物線によって反射される放
射光17を通過させる放射光透過性外側面15を含む。
ここで下記の点を注意しなければならない。
−放物線曲線または後述のように楕円曲線または結合「円弧および放物線」ま
たは結合「円弧および楕円」の焦点8から照射される放射光エネルギー(全部ま
たはほとんど全部)が下記の2つの放射光エネルギーによって形成される。すな
わち、
直接に閉じた円錐形スペース18(第1図において一点鎖線で示すスペース)
の中に照射されリフレクタの側面ウィングの末端13によって限定される一次放
射光エネルギー、
およびリフレクタの反射曲線上に開いた円錐スペースの中に直接に照射され、
このスペースの中で反射され、最もよければ被照射面19中に配置された製品に
対して垂直に(矢印17)戻り(放物線の場合)、または照射処理される湾曲製
品に対する接線に垂直に戻る(後述の楕円の場合)二次照射エネルギー、
−紫外線のエネルギー効率はその放射点からその受理点までをカバーする距離
に依存する。従って、一方では放射点から反射面(放物線面または楕円曲線)ま
での距離を短縮し、他方では反射面から被照射製品までの距離を短縮する事によ
り本発明は紫外線効率を最適化する。
−輝度が方向に依存しない照射源はランベルトの法則に従う。
−高い透過は高い出力密度に依存する。
従って任意方向に放射される強度は、被放射面に対する垂直方向に放射される
強度と、この方向が垂線と成す角度の余弦との積に等しい。
従って第1図乃至第4図の面15は平坦であって、軸線面10に対して垂直で
ある。下記に詳細に説明する実施態様においては、トランスミッタ/リフレクタ
デバイスはモノブロック・エンティティであって、180nm乃至2000nm
の通過帯域の非常に高い透過性を有しまた非常に低い蛍光レベルを有する押出成
形された石英ガラス材料から成り、その中においてトランスミッタとそのリフレ
クタが密接にリンクされ、接合され、また不可分であって、放物線または楕円形
状、または円弧+放物線または円弧+楕円などの数学的結合形状を示す突起部分
が反射部分を成す。
被照射製品に対向する他の部分は透明であって、製品に対して被放射放射光の
全部を指向するように配置され、一次放射光および二次放射光の全部または大部
分が放物線の場合にはランベルトの法則に従って被照射製品に対して垂直に平行
なまたは実質的に平行な流束を成して到着し、または楕円の場合には軸線面10
の方向に楕円の第2焦点に向かって集中する。
本発明の実施態様の主旨の範囲内において構成され生成される屈折光学的面、
特に孔の下部の幾何学的形状は本発明による管を含むデバイスの幾何学的焦点を
中心として設計され、この焦点は孔の軸線とだいたいに一致するので、この孔の
軸線を下記において焦点軸線と呼ぶ。
従って、焦点軸線から出る任意のビームの光点は付図に図示のように放射方向
に照射される。
他方、焦点軸線の外部に位置するビームの任意の光点は屈折光学的面の設計に
対応するこの放射方向照射モードと部分的にしか一致しない。焦点軸線を通る面
から出た放射光のみがこの設計に対応する。
従って第1図の場合、まっすぐなトランスミッタの曲率半径Pはまた放物線曲
線の頂点の曲率半径である。
従ってR=r+e’が得られ、ここにrは前述のように、紫外線トランスミッ
タの光ディスクを画成する円筒形孔3の半径であり、e’は対応の軸線面中の壁
体の厚さeと最大厚さとの間を変動する同一トランスミッタの石英ガラス壁体1
1の厚さである。
言い替えれば、トランスミッタの曲率半径とリフレクタの頂点の曲率半径は同
等であって同一となる。
さらに本発明によれば、これらの曲率半径は望ましくは小サイズであって、す
なわち≦15mm、望ましくは≦10mm、または≦5mm,または≦2mmと
し、例えば=1.5mmとする。
第2図、第3図および第4図について述べれば、曲率半径Rは、軸線面10に
対して対称的なまた孔3の軸線4と同一の軸線を有する円筒形の一部の形を成す
ドーム20の円弧の外径である。本発明によるドームはさらにその外側面におい
て反射材11(実線で示す)、例えばアルミニウムで被覆されている。付図に見
られるように、放物線ウィングの外側面14の他の部分は反射材によって全部被
覆され、または限界入射角αLに対応する一定の中心角α5以外は被覆されない事
ができる。後者の場合、管によって放射される光の反射は本発明の特に望ましい
実施態様として、屈折光学的屈折によって生じる。
放物線曲線の頂点におけるアークは第2図乃至第4図において鎖線21で図示
されている(仮想的状態)。
第5図に図示の本発明の他の実施態様は屈折光学的凹部22を含み、この凹部
は縦方向スリットによって形成され、r+eの外径を有する軸線4の円筒形の一
部を成す凹形上側面23を含む。
キャビティ22は軸線面10に対して平行な2側面23’および23”を有し
、これらの側面は角度α2の2面角の中に内接し、この角度の中において、キャ
ビティがなければ放射光は屈折光学的壁体15によって完全に反射されるであろ
う。
さらにキャビティは曲線の形の下側面24を含み、この下側面の式は、乾燥さ
れる製品のできるだけ平行な支承搬送面19に放射される放射光ビーム25を得
るように、光学法則に従って決定される。
このキャビティ下側面の曲線は半径R’=R(R=r+e)の円筒形の一部で
ある。
部分的円筒形ドームが存在しない場合(第1図)またはドーム頂点の円弧が2
×α5以下である場合、角度α5の中に内接する放射光は全部または少なくとも部
分的に放物線曲線上で反射されて(これは楕円曲線の場合も同様)、再び光ディ
スクの内部を通過して円形ジオプター26(第5図)とその位置によって変動す
る角度を画成する。
これらの放射光は放射焦点以外の光ディスク27の表面上で屈折され、次に再
び可変的入射角および屈折角に従って他の方向に円形ジオプター28を通過し、
放物線(または後述の楕円)曲線によって正常に反射された放射光以外の方向に
放射を分布する。
従って、本発明が角度α5の中に内接した放物線曲線または楕円曲線(第2図
乃至第5図および第7図乃至第18B図)の代わりに、トランスミッタ/リフレ
クタの焦点に幾何学的中心を有する円筒形の一部の形の円弧断面のドーム20を
提案するのは、この放射分散を最小限にするためである。
孔の軸線から内接角α5(これは常に90°以下)の中に放射されるすべての
放射光は、反射材で被覆された円筒形ドーム20の背面上で反射され、内接角(
α12+α3)によって限定されたトランスミッタ/リフレクタの前面に向かって
放射するように方向変換された光像として挙動し、これらの放射光が焦点または
孔の軸線から来てドーム20の背面に被着された反射材の反射係数のみによって
そのエネルギー値を影響されるかのように逆光像を画成する。
このようにして、すべての放射光がトランスミッタ/リフレクタの正面に位置
する面19に向けられる角度(α12+α3)の中に内接する一次放射光エネルギ
ーに対して、内接角α5から放射される二次放射光エネルギーが追加される。従
ってこのレベルにおいて、原則的に360°の中に内接したすべての放射光エネ
ルギーが角度(α12+α3)の中に含まれ、次に2部分、すなわち内接角α3に内
接した放射光と、内接角α12に内接した放射光とに分割される。
次に少なくとも部分的に楕円反射面31を有する第6図乃至第13図に図示の
本発明のトランスミッタ/リフレクタの実施態様を下記に説明するが、これらの
図において、d=r+e(第6図);r<d<r+e(第7図);d=r(第8
図)およびd<r(第9図)。
この場合にも、トランスミッタ/リフレクタデバイスは望ましくは、反射材(
破線)、例えばアルミニウムの薄層33で被覆された円筒形ドーム32の一部を
備える。
さらに詳しくは、デバイス30は円筒形孔34と中実石英ガラス壁体35とを
含み、この壁体35は、楕円断面の反射面を有しまたは楕円部分の形を有し、例
えば下記式の半楕円状のウィング36を相互に接合している。ここに、FとF’はそれぞれの楕円の焦点を示す。
第6図は第1図と同様に上ドームを有せず、反射金属材料層によって完全に被
覆された反射面を有する。この反射面が管によって放射される放射光を第2焦点
F’にむかって集中する。第7図、第8図および第9図の場合、第2図、第3図
および第4図の場合と同様に、円筒形ドーム32と、このドームに隣接する楕円
面部分36(第7図)のみが反射材によって被覆されている。
従ってドーム壁体が焦点Fに対して逆放射像を送り、焦点Fは楕円壁体に対し
て反射放射光をこの焦点そのものから出るかのように、エネルギーEで放射され
る一次放射光と同一波長で、放射するが、そのエネルギーE’はドームの背面に
堆積された反射材の反射係数に関連する吸収により、E’<Eである。
壁体35は、光学業者に公知のように、デバイス内部から出る放射光の大部分
に対して垂直に配置された湾曲断面の面38によって、被処理湾曲製品37に向
けて限定されている。
αLの計算例を下記に示す。
本明細書に記載の本発明の実施態様においては、下記に説明する中心角α5の
特定中心角を有する上方反射ドーム以外の放物線または楕円反射面の部分は反射
材によって被覆されず、この部分に対するプラズマディスクによって放射される
放射光反射、すなわち中心角α3の円錐中の反射は、石英および周囲ガスから成
る2つの屈折媒体の相異なる屈折指数により屈折光学的屈折によって実施される
。
しかし、放射される放射光の波長と、反射湾曲14または31に遭遇する入射
放射光が完全に反射される限度を成す各媒体の屈折指数の正確な値とに依存する
限度αLが存在する。
この限度角αLに従って、前記のドームまたは円筒形部分20または32の中
心角α5をデバイスの屈折光学的反射を最大限利用するように決定する事ができ
る。
実際に、このようにして一次放射光に関連して放射される二次放射光エネルギ
ーの損失がなくなり、これは大きな利点を成す。
従って、この屈折光学的反射は、通常は乾燥される製品上に使用される光開始
剤によって完全に吸収される250ナノメータ以下の波長のエネルギーを完全に
回復させる。
従ってこれらの波長エネルギーの最適回復は例えば処理されるインクの重合プ
ロセスを著しく加速し、従って単なるエネルギー比率よりはるかに高い倍率をも
って乾燥速度を加速する。
他方、250nm以下の波長のエネルギーを吸収するアルミニウムから成る反
射面は望ましくないが、本発明によって排除する事ができない。
従って本発明は、トランスミッタ/リフレクタデバイスにおいて、
−円筒体の一部を成すドームと放物線または楕円反射面を有するウィングの形
状、
−使用される石英とその周囲ガスの屈折指数、
−また使用される反射材が、
特定波長およびエネルギーの放射光の全部または実質的に全部が単一の制御さ
れた均質な流束に結束されて、前記デバイスのサイズによる光化学的処理パラメ
ータに対応して、実質的に単一方向に、被処理製品に向かって放射されるように
配備されたデバイスを提供する。
放物線トランスミッタ/リフレクタデバイスの場合、一次および二次放射光は
ランベルトの法則により、1に等しい余弦をもって被照射面に対して垂直でなけ
ればならない。
楕円形トランスミッタ/リフレクタデバイスの場合、これらの放射光は楕円の
焦点F’に向かって指向される。
また本発明は第5図に対して第10図に図示の型のデバイスを提案する。この
デバイスは光ディスクの光学平衡をさらに改良するため、第5図のキャビティ2
2と同様にして計算された形状を有する屈折光学的キャビティ39を含む。
第10図のデバイスの放射光の挙動を下記に詳細に説明する。
このデバイスは、放射エネルギー全部が第5図について述べたように、角度(
α12+α3)の中に収容されるように配置された組立体を成す。角度α3の中に内
接された面31が、放射光30と41の限界間に含まれたすべての放射光を受け
る。
これらの放射光がそのエネルギーを屈折媒体としての石英中を搬送し、この媒
体の屈折係数は通過放射光の波長に依存する。
次にこの放射光は屈折光学的湾曲面に遭遇し、この面の第2屈折媒体は空気ま
たはガス(例えば中性ガス)である。
次に、使用波長を選択し第2媒体を成すガスを決定した後に、(湾曲屈折光学
的反射面31に遭遇する任意の入射放射光が完全に反射されるような)限界入射
角αLが計算され、孔の軸線と合致する軸線の中心角α5が前記の限界入射角から
、反射面の式および光学法則に従って誘導される。
角度αLの計算例を下記に示す。
第5図の場合に楕円曲線と同様に放物線曲線を構築する事により、限度入射角
αLが円弧としての曲線20または42と放物線または楕円としての曲線14ま
たは31との遭遇点であるような曲線が数学的に構築される。この場合にも得ら
れる性能は下記から明かである。
−インクまたはワニスの重合率はこの製品の中に使用される光開始剤の反応性
に密接に関連している。
−光開始剤に対する影響は本質的に、250nm以下の波長によって加えられ
るエネルギーによる。
−処理されたアルミニウムが紫外線反射性となるための金属反射係数は、18
0乃至270nmの範囲内の波長については約0.4であり、水銀スペクトル、
すなわち360nmの波長では約0.85である。
従って、同一の反応性レベルを得るため、「オゾンなし」と呼ばれる先行技術
の公知のトランスミッタについては、「オゾンつき」と呼ばれるトランスミッタ
の場合よりも3倍の電力が必要とされる。
他方、放射される波長がどのようであれ、固体透過媒体からガス透過媒体の境
界に移動する放射光の拡散方向において、屈折光学的表面上の反射係数は常に1
に等しい。
下記に詳細に説明する実施態様においては、角度αLのもとの放物線または楕
円曲線の背面は反射被覆で被覆されていないので、この利点が見られる。
第7A図は屈折光学的反射を使用するさらに他の本発明によるデバイスの改良
実施態様を示す。
実際に、角度α2の中に内接するすべての放射光について、曲線38は曲線3
1と同様に機能する事を注意しなければならない。
事実、放射光43と放射光44との間の角度α2中の放射光は、2つの屈折媒
体の限界角度より大きな入射角度をもって曲線38に到達する。
従って反射は完全であり、反射係数は1に等しい。
例えば楕円の軸線45の方向にこの角度α2を越えると、放射光46は外部に
向かって斜方向に出ていく。
しかし全反射の場合には、放射光エネルギーは全部、放物線14または楕円ウ
ィング(この実施態様の場合)によって形成される曲線部分の上に送り返され、
そこで新しい入射角が0に近づく。
下記の状態が見られる。すなわち、曲線部分47が角度α3の中で放射される
すべての放射光に対して反射作用し、同時に角度α2の中で放射されるすべての
放射光に対して透明となる。
角度α2の中で放射される放射光はトランスミッタ/リフレクタから曲線部分
47において透明で出てゆき、次に平坦なまたは湾曲した傾斜縦方向板の形の例
えば金属の反射障害物48によって、反射放射光49の方向に反射される。
同様に反射障害物について屈折光学的キャビティを使用しまたは使用しない事
ができる。
もちろん、前述の説明および補足的要素は放物線構造にも適用される。
本発明によるデバイスの他の実施態様を第11図に図示する。この実施態様は
相異なる厚さeの円筒体部分の形のドームを有し、ここに混合線51で図示のよ
うにe<R(Rは孔円筒体の外径)、破線52で示すようにe=R、また実線5
3で示すようにe>R、例えばe=2Rである。
第12図に図示のデバイス30の孔34の内側面54は2つの縦方向グルーブ
55を備え、これらのグルーブの断面は三角形であって、その高さは孔の直径の
例えば≦1/5、例えば1/10に等しく、角度α2の中に内接し、その外側側
面55’は軸線面に平行である。従ってこの角度α2を限定する放射光43、4
4とグルーブ55の曲線は、一方において紫外線ディスク(n=1の第1屈折媒
体)によって石英ガラス(n=1.5の第2屈折媒体)上に形成される第1円形
ジオプター56を照射し、他方においてグルーブの側面によって側壁31にむか
って反らされるエネルギー部分を限定する。
さらに詳しくはグルーブ55は軸線面10に対して平行な側面を含みまた角度
α2の中に内接されて2面体を成し、この2面体の中において放射光は全部、放
物線曲線デバイスの場合には屈折光学的反射曲線24上に、また楕円曲線デバイ
ス(第12図)の場合には屈折光学的反射曲線31上に屈折によって反らされる
。
第13図に図示の他の実施態様のデバイス30は部分的凹部を有する下部60
を備え、この下部において角度α12に対応する内側面61上に突起62を形成さ
れ、この突起62の曲率半径R’はRと相違して、屈折光学的曲線62上に屈折
される放射光が例えば収束するように成されている。
第1ジオプター56を照射するエネルギー部分を限定する角度α1+α2=α12
の中に内接する放射光全部が凹部60の曲線部分62を限定し、このようにして
屈折された一次放射光全部が楕円の場合には仮想焦点F’に向けられ、放物線の
場合には被照射面に対して垂直に方向づけられる。
角度α2中に内接された放射光全部が凹部60の軸線に対して平行な第1垂直
ジオプターを照射するエネルギー部分を限定し、このようにして屈折された一次
放射光全部が放物線の場合ジオプター反射曲線14上に、楕円の場合ジオプター
反射曲線31上に向けられるように再配向され、この場合、前記ジオプター曲線
上の反射に際して、これらの放射光は角度α3から出る被反射放射光と実質的に
同一の行程を通る。
従って、トランスミッタとリフレクタが物理的に分離されまた2種類の配向放
射光、すなわち一次放射光と二次放射光が相互に区別される先行技術のデバイス
と相違し、本発明は一次放射光と二次放射光の全部を実質的に単一の同等方向の
単一の均質な統一され制御された流束に融合させる事のできるデバイスを提供す
る。
望ましくは、角度α5の側に配置される光半断面が角度α1、α2およびα3の側
に配置された光半断面と同等または実質的に同等となるように、ビームの光断面
の形状が選択される。
また前述のように(第5図または第10図)、屈折光学的曲線15または38
を変更して、変更された屈折光学的透過曲線から出る屈折放射光が相互にさらに
平行となりランベルトの法則によって被放射面に対してさらに垂直となるように
放射光を再配向し、または逆に仮想焦点F’に向かって収束する放射光流束を得
るように再配向し、または逆に業界公知のように屈折光学的キャビティ22また
は39を加える事によって拡散放射光流束を得るように再配向する事ができる。
円形屈折光学的曲線65は円形金属反射曲線11または42の幾何学的延長で
あって、このようにして(さらに詳細には第11図参照)焦点から出る放射光は
(同一軌道上の任意の放射光と同様に)第1円形屈折光学的曲線65と第2円形
屈折光学的曲線66とを通過して、軸線面に配置された仮想焦点にむかって反ら
される。
すべての放射光が内接角α1の限界内の面15または38に到達し、従って一
次放射光全部が第2ジオプター67(第11図)に対して垂直に到達する。
楕円の場合、さらに屈折光学的透過曲線(第11図における鎖線68)を変更
してα2およびα3から出る二次放射光を再配向して、変更された屈折光学的透過
曲線68上で屈折されるすべてのの放射光がランベルトの法則による余弦1をも
って被放射面に対して垂直に放射する平行流束を成すようにする事ができる。ま
た、業界公知のように、光学法則を使用して放物線トランスミッタ/リフレクタ
(第5図)の屈折光学的透過曲線15を変更して屈折放射光全部を修正された屈
折光学的透過曲線(図示されていない)上に再配向し、例えば仮想焦点F’にむ
かって収束する放射流束または拡散放射流束を再構成する事ができる。
また本発明は、端部から端部まで円筒体孔72を穿孔された円筒体管71を含
むデバイス70(第14図乃至第18B図)を提案する。
この管71は内側面74と外側面75とを有する2つの縦方向側面ラグ73を
備え、これらのラグは平行放物線の一部の形状の断面を示し、外側面75が本発
明によるウィングの放物線反射面部分を成す。
ラグ73は例えば孔72の半径に等しい幅を有する。
これらのラグ73は、頂点77における母線と孔72の軸線と一致する焦点
78とを通る軸線面76に対して対称的である。
放物線形状を有するこれらのラグ73の下側面79は軸線面76に対して垂直
であり、また例えば孔72の半径の半分に等しい厚さを有する管71の円筒体の
下部に接する面80(鎖線)の中に配置される。
管71の上部は、第2図と第4図について前述したように、上方ドーム81を
成し、放物線の頂点の円弧は円筒体壁体の厚さの中に完全に含まれ(r<d<r
+e)(第14図)、または孔72に接し(d=r)(第15図)、または孔特
に交差する(d<r)(第16図)。
下記に詳細に説明する実施態様においては、e=rであり、またラグ73の両
端間の距離は7.4rに等しい。
前述の場合と同様に、孔72は二等辺三角形または正三角形断面の縦方向グル
ーブ82を含み、角度α2の放射光を一次放射光として内側にまたは二次放射光
として外側にむかって屈折光学的または金属反射によって再配向する事ができる
。グルーブ断面の高さは例えば孔半径の約1/10とする事ができる。
他方、第18図、第18A図および第18B図の実施態様においては、直角三
角形断面の縦方向突起83が備えられ、その外側側壁は軸線面76に対して平行
であって、光学法則により軸線面76に向かう放射光または軸線面76に平行な
放射光の撤回を改良する。
一例として、第18図に関連して、光ディスク半径r=2mm、石英ガラス厚
さe=2mmおよび使用される波長に依存する屈折指数を有する反射面84の放
物線を構築するための計算法を下記に示す。
λ=200nm、n200=1.551に対して、
またλ=360nm、n360=1.475に対して、
従って計算のため、波長λ≦360nmに対する反射限界角度としてαL=4
2°をとる。
放物線曲線に対する接線は下記である。
またこれは放物線方程式:y’=0.9の導関数である。
放物線の方程式を下記のように置く。
これは下記を与える。
これは下記式を与える。前述の定義:R=r+e=4mmに従って、
次に点Tにおける座標を計算する事ができる。すなわち、
XT=R sin 84°
=4X0.9945=3.978mm
これは、放物線の係数“a”に対して下記式を与える。
点Tにおいて
また
従って放物線の方程式は下記の形をとる:
この場合、曲線の有意点は下記である。
−屈折光学的接線の点85(XT;YT),ここに
XT=3.978mm→YT=1.7909mm
−頂点における母線の点86(Xf=0;Yf)。
放物線の焦点から放物線の頂点(従ってx=0)までの距離は下記である。その結果、Yf=2.209mmとなる。
−軸線面88と放物線との交点87(X1,Y1)、
Y1=2.209mmなら、X1=4.418mm、
−ラグ73の末端点(X2;Y2)、
Y2=(2.209+4)mmなら、X2=7.4mm。
第19図に図示のデバイス90は、前述の図面について記載した側面ラグ93
を有する型の放物線反射面91を備える。
この場合、孔93の断面は円形ではなく、切頭円形の形を成し、その断面の半
月形の上部94と下部95は中実で、ガラスから成り、また放物線の頂点98の
母線を含む軸線面97に垂直な面96に関して対称的である。
このような構造は、円形断面99(第19図における鎖線)に対して、下記の
型の法則によって、光断面積の変化率に関して大きな効率増大を与える事が観察
された。
ここに、S2は円の断面積、またS1は切頭円形の断面積とする。
この実施態様において、角度α3=α’3+α”3は下記の式で表わされる(半
径と厚さは第18図について取られた値とする)。
上方に反射される放射光の分布平衡を再構築するため、デバイス90のドーム
101の壁体100は円筒形ドーム103(付図において鎖線で示す)と比較し
て平坦な面102を示す。
その方程式は、孔93から放射された放射光104の正確に逆方向の戻りを可
能とするように計算され、従って入射放射光は反射面102に対して垂直に衝突
しなければならない。
第19A図は円筒形孔を有する他のモノブロックデバイス105を示し、この
デバイスは放物線面106’の2つのラグ106を含む。デバイスの下側面10
7は円筒形であって、孔の軸線と同一の軸線を有し、ラグの内端107’を相互
に接合する。
第19B図は、ラグと円筒形孔を有する前記の型のモノブロックデバイス10
8を示し、その下側内側面に凹部109を含み、この凹部は軸線面に平行な側面
109’とキャップの外径に等しい半径の円筒形下側面109”とを備える。
この場合、ラグは楕円面を有し、ラグの下側面は円筒形の一部として形成され
ている。
本発明によるデバイス110の他の実施態様を第20図乃至第25図に図示す
るが、このデバイス110は管状石英から成る放射管11を含み、この放射管は
、金属反射材から成る反射ウィング112、113から分離されている。
しかしこのトランスミッタ/リフレクタ組立体は、リフレクタとトランスミッ
タが相互に連結された前述のトランスミッタ/リフレクタ組立体と同一の機械的
構造から出発している。
従って、2つのウィング112と113とから成るリフレクタは反射性幾何学
形状を有し、円弧を放物線曲線または楕円曲線と結合している。
例えばトランスミッタ管114は円筒形であって、図示のように反射材115
によって被覆され、ウィングと角度的に少し重なり合っている。
トランスミッタ管114は下記のような種々の形状をとる事ができる。
−本発明による電極チャンバを備えた円形トランスミッタ、
−通常のトランスミッタ、および/または
−マイクロ波によって励磁されるトランスミッタ。
第21図乃至第24図は、例えばアルミニウムから成るウィングを部分的に形
成する放物線の頂点116における母線に対する管114のそれぞれの位置を概
略図示するが、これは楕円形の場合も同様である。トランスミッタとリフレクタ
との分離は冷媒液の循環117を可能とする。
第25図は楕円面を有するデバイス118を示し、このデバイスは放物線形状
にも同様に適用される。
第25図は2つの対称ウィング120を有し、これらの各ウィングは上端にお
いて円筒形ドーム121に終わり、また相互に縦方向スリット122によって分
離され、スリット122を通して冷媒123が導入される。
円筒形トランスミッタ管125の上端124は放射線の脱出角を残さないよう
に金属層126によって被覆され、円筒形ドーム121の末端部分と前記の同様
に円筒形の金属層126との間に重なり合が生じる。
第26A図、第26B図および第26C図は上部を本発明の反射層によって被
覆された円筒形管の3実施態様を示す。
第26A図は孔128を有する管127を示し、前記の孔128は軸線面13
0に対して垂直な下側面129によって切頭された円筒形の形状を有し、前記下
側面は例えば軸線131から半径の半分の距離に配置される。
第26B図は他のトランスミッタ管132を示し、この管は円筒形孔の下側面
134に凹部133を有する。この凹部133は、軸線面135に対して平行な
側壁と、下側面136とを有し、この下側面136は例えば管の外径に等しい半
径の円筒形の一部の形状を成す。
本発明による他のトランスミッタ管140を第27A図、第27A’図、第2
7B図および第27C図に示す。このトランスミッタ管140は部分的に分離さ
れた放物線断面形状のリフレクタを備える。
さらに詳しくは管140(第27A図)は多少とも円筒形を成し、その上部1
41とその孔142は平坦に成されまたは第19図に図示のように切頭型である
。
上部141は反射層143によって被覆されている。
管(第27A’図)は下部141’を含み、この下部の外側面141”は、孔
の切頭キャビティによって屈折された放射線を例えば平行流束に偏向させ、また
は同様の凸形がさらに強調されている場合(小曲率半径を有する場合)、光学法
則に従って収束流束が第2焦点F’に向かって偏向される。
ウィング144がトランスミッタ管から一定距離において、数学的位置に保持
されるようにピンネジ145によって少し予応力をかけられて機械的に固定され
ている(第27B図)。
このネジ145は、押出アルミニウム形材から成る乾燥支持構造のグルーブ1
46の中に固定されている。例えば第27C図には、仮設的冷却掃引流148が
図示されている。
第27D図は本発明の他の好ましいバージョンを示し、管にそって管から一定
間隔でまたは間隔なしで延在する平坦な長方形ウィング149の一部を示し、こ
の部分は前述の図面のウィングの平行部分または楕円形部分に接しまた/あるい
は実質的に同形である。
従って本発明によるこれらの部分は放物線または楕円と実質的に類似であるが
、製造容易である。
本発明は特に電極を備えた紫外線トランスミッタに応用可能であるが、電極を
備えず、水銀またはその他の金属のヨウ化物がマイクロ波効果によって生かされ
るトランスミッタ技術にも容易に適用される。
本発明において使用可能のトランスミッタの二、三の実施態様150、151
、152、153を図示した(第28図乃至第31A図)。
これらの実施態様についてさらに詳細に説明すれば、約4mm(望ましくはこ
れ以下)の内径「ID」の光ディスクが全放射線波長「Luv」に対して備えら
れる。
各末端に、電極(使用される場合)のハウジングに対応してまた汚染および失
透の可能性のある区域に対応してチャンバ154、155、156が配備されて
いる。
第28図と第29図においてチャンバ「Dce」の直径が通常値11mmまで
拡大され、この値は経験上、電極の正確な動作と、石英囲障の機械的強度にとっ
て十分であるとみなされる。
第30図において、例えばマイクロ波による外部刺激の場合、電極を有しない
構造が備えられている。
公知のトランスミッタの動作に際して、電極の回りにミルク状区域が観察され
、この区域が一定長「Lce」にわたって徐々に不透明となり、これが伝統的に
電極チャンバの長さである。
この長さは電極の脚部分において始まり、本発明においては内径「ID」の縮
小区域で終わる。
従ってこの問題点を解決するため、本発明によれば、チャンバの全外周にわた
って、電極に対して一定放射温度を保持するように設計された反射材157の被
覆が備えられる。この被覆は第28図乃至第31A図において破線で示されてい
る。
本発明はインクまたはワニスを紫外線トランスミッタによって乾燥する事がで
き、このトランスミッタは線形出力の増大よりはむしろ光ディスクの形状の変動
および/またはその断面の縮小に依存し、その結果、前記の線形出力を低下させ
4る事ができ、これは低出力(≦30W/cm)において、低直径の電極チャン
バさえも必要としない事を意味する(第31図)。
トランスミッタ/リフレクタデバイスの製造の容易な事を示すため、その製造
例を第28図について説明する。トランスミッタ/リフレクタデバイス150は
第10図の型のものであって、本体160を含む。
まず本体の末端161を加熱し、次に通常の手法で電極プラグ162の直径ま
で縮小させる。
電極プラグ162は、例えばフイリップ社によって製造に際して使用されるよ
うなセラミック端部163を含む。
実際に組立ては下記の3段階で生じる。
−屈折光学的キャビティのレベルで切削する事により長さ「Lce」のトラン
スミッタ/リフレクタデバイスの末端を製造する。これは、トランスミッタの囲
障を成す管がネジ込に際して実際上円筒形形状に完成されているので実施容易で
ある。次に石英ガラスをその軟化点まで加熱する。次に直径を拡大して電極プラ
グの外径を与える。
−次に電極プラグ162を加熱しながらトランスミッタ/リフレクタデバイス
の本体160上に取付ける。次にガラスメーカと同一方法で両部材を完全に融合
してトランスミッタの末端を閉じる。
−最後に、溶接によって電気接続を成した後に電極プラグ上にセラミック端部
163を取付ける。
水銀は通常の製造法によって挿入される。
次に反射層をトランスミッタに対してまたトランスミッタ/リフレクタの端部
に対して、また/あるいは部分的にまたは全面的にウィング上に被着する。
低線出力(≦30ワット/cm)のため、またエネルギー効率の増大の故に、
1メートルより少し長い可変放射線波長「Luv」のトランスミッタについて、
30ボルト/cmの値まで(すなわち供給電圧3000ボルト、職業的に使用さ
れる値)までリニア電圧を増大させる事ができる。これは約1Aの最大強度の電
流を保持しながら紫外線アークの品質を改良する事ができる。
必要に応じて適当に冷却用通風を変更する事により、80ワット/cmのさら
に一般的な出力を採用する事ができる。
第32図は本発明のトランスミッタ/リフレクタの孔の断面の種々の実施態様
を示し、その透過面は所望の用途に従って相異なる形を示す。
第32A図は半月形の断面を示す。
第32A’図は同一型の断面を示すが、第19A図について述べた型の下方円
筒形キャップを有する。
第32B図は凸形の下側面を有する目の形の横断面の孔を示す。
第32C図は大きな厚さの下壁体と放物線反射面とを有する第1図の型のデバ
イスの実施態様を示す。
第32D図はブーメラン型孔とこの孔に対して平行な反射壁体とを有するバー
ジョンを示す。
第32D’図は3孔を有し、1つの中心孔は円筒形孔であり、2つの側面孔は
軸線面に対して対称的であり、実質的に三角形断面を有し、その壁体は一方にお
いてデバイスの外壁に平行、他方において中心孔の壁体に対して平行な他のバー
ジョンを示す。
第32E図は軸線面に対して対称的であり2つの対向する放物線部分または楕
円部分と円筒形孔とを備えたデバイスの他の実施態様を示す。
第33図または第37図は前記の1つまたは複数の型に対応する1つまたは複
数のデバイスを含む装置を示す。
第33図はサポート構造202の対向側壁上に配置された2つの同形のデバイ
スを含む事のできる本発明による装置200の概略断面図である。
第34図について述べれば、本発明は紫外線乾燥装置200を提案し、そのサ
ポート構造202は押出アルミニウムから成る正方形断面または長方形断面、円
形または長円形断面の形材パイプ203から成り、そのy−軸線上に1つまたは
2つのデバイス201を対向配置されている。さらに詳しくは、第33図のトラ
ンスミッタ/リフレクタデバイス201はアルミニウム形材構造203の中に取
付けられ、この構造の「クレードル」と呼ばれる凹形部分204の輪郭はデバイ
スの凸形部分205の輪郭と同一である。
約1mmの通気スペース206がこれらの2つの形材の間に残されている。
デバイス201の底部において顕著な圧力損失を生じ従って空気流207を放
射デバイスの両側の背後において均一に成すように、前記の通気スペース206
は形材の断面より小である。
「クレードル」形材はその頂点において、縦方向スリット208を備え、この
スリットの幅は、デバイスの背後を掃気する空気流がその全長にわたって一定で
あるように通気方向に従って可変である。
さらにトランスミッタ/リフレクタデバイス201は、その両端に固着された
固定部品209によって、アルミニウム形材に対して幾何学的に定心されている
。
デバイスが組立てられる時、固定部品209は同時的に形材203中の2つの
内側グルーブ210とデバイスのセラミック円筒形端部211との中を滑動する
。
固定部品209は例えば3個の浮動部品によって形成されて、トランスミッタ
/リフレクタデバイスを製造公差の範囲内でアルミニウム形材の中心に配置保持
されるようにする事を注意しよう。
固定部品209は,形材の底部内側グルーブ210の中に収容され締付けられ
た2つのボルト212によって固定される。
さらにカバー213がデバイスの両端に備えられて、形材の中を空気カーテン
のように搬送される縦方向通気を、前記のデバイスの背後214から一定距離で
流れる横方向層流を成す横方向通気から分離させる。
このカバー213の組立てと機械的固定は固定部品209と同一原理で実施さ
れる。
デバイスの両端に、その上端グルーブと下端グルーブ215の中にカバー21
6が滑り込まされ、設定されるとデバイスを形材中において縦方向に配置する。
最後に熱ブリッジを防止するため、例えばデバイスの横方向に、デバイスの各
側面の2つの底部グルーブの中に、2つの小さい先の尖った離間ウェッジ217
が配置されている。
これらの小ウェッジは通気スペースを保持し、デバイス201を形材の中に2
軸線方向に定心させるように設計されている。
電極脚部分のセラミック端部の温度を300℃までグラジエントに従って下降
させるため、外側カバーはデバイスの末端長さのレベルにおいて縦方向スリット
(図示されていない)を備え、このスリットの長さは「LE」(末端部分の長さ
)より小でありまた約3mmの幅を有する。
形材の幅側面上に、複数の小グルーブ218が備えられ、これらのグルーブは
拡散された反射放射線の無制御な排出を防止するように設計された傾斜面を成す
。
放射部分と反対側の幅側面は狭いハウジング219(第35図)を備え、この
ハウジングはトランスミッタのウィングおよびサーモスタット、光電制御素子な
どのドライヤに必要な電気装備を受けるように設計されている。
この同一の幅側面は第2トランスミッション/リフレクタデバイス201を受
けるように考案される事ができる。
そのクレードル形状をハウジングとして利用して単一のトランスミッション/
リフレクタに使用される電気結線を収容する事ができる。
長方形形材の両側の長さ側面において、外側壁体上に長方形グルーブ220が
配置され、これらのグルーブによって数個のドライヤをスペーサ221によって
同時に組立てる事ができ、このスペーサ221の可変幅と形状によって相互に接
合された別々のドライヤから成るドライヤセットを構成する事ができ、このドラ
イヤセットの構成はまっすぐまたは円形(第37図)とし、または正方形、長方
形または多角形とする事ができる。
この場合、スペーサ221は処理囲障の外側壁体または内側壁体となる。さら
に形材の均一形状の故に、ドライヤセットを「頭−尾」(第36図)に容易に組
立てて、2枚のシートを「往復」手法(矢印222)で処理する最小限の占有ス
ペースが達成される。
最後に、ドライヤの縦方向両端に(第34図)、一端には通気ダクトの接続部
品223が配置され、他端にはトランスミッタ、サーモスタットリレーおよび光
電管の接続部品224が配置される。
本発明は非蛍光低圧トランスミッタおよび可視光線放射ランプに適用される。
トランスミッタの両端の通気に関する限り、全長「Lce」にわたって、構造
の空気に対する開口は、温度降下を300℃またはこれ以下の値まで促進するよ
うにはるかに大となる。
デバイス(第2図)の円形曲線20の中に放射源が配置され、ここで温度が最
高となるが、ウィング14の形の両端部においては膨張係数の差を考慮しまた内
部張力を最小限にするため、これより少ない外部通気によって掃気される事を注
意しなければならない。
「トランスミッタ」の管状部分の円形容器中の温度と「リフレクタ」の楕円部
分または放物線部分の末端中の温度との温度差を無視するために石英の低膨張係
数を利用する。
また放射素子の作動温度を保持するように設計された通気分布設計は、エアカ
ーテンを放射素子の熱機械的要求に基づいて設計するためファンの穴のサイズ、
その位置、ファンの選択および特性(流量/圧力)を扱う当業者には公知である
事を注意しよう。
放射素子の回りに循環する空気流の本発明による制御により、熱平衡をえるた
めに必要な流量が50m3/h/kW以下となる。
本発明によるトランスミッタ/リフレクタデバイスによって与えられる5利点
を下記に列挙しよう。
−公知の乾燥システムの同一の重合能力において、放射素子の冷却に必要な送
風量は印刷機の空スペースの中に容易に合体できる程度まで大幅に縮小される。
−本発明のトランスミッタ/リフレクタデバイスは通気によって掃引される機
械的反射面または放射面を有しないので、空気の濾過が不必要である。
−第2の利点の結果、放射素子は空気中の機械的反射面を有しないので、反射
係数の経時劣化が不可能であり、またその反射性が損なわれない。
−従って、走行するシートのベンチュリ効果による以外には放射部分の下方に
空気流がほとんどまったく存在しないので、オゾン量が測定素子にも検知されず
、また吸引の必要がないので、機械の金属部品の酸化の危険が無視可能である。
−通気量が少ないので、製品上の必要があれば、例えば空気の代わりに窒素を
使用して酸化防止性エアカーテンをを備える事ができる。
本発明の多くの利点は特に下記の7パラメータによる。
−放射光線の断面の縮小、
−光ディスクの非円形性、
−光通路の短縮、
−オゾンの発生皆無、
−反射係数1の屈折光学的反射曲線、
−約1の余弦の屈折光学的透過曲線、
−高い出力密度。
要約すれば、また非限定的に、本発明の前記の利点は、同等の光化学的結果を
得るための非常に低い線出力、従って同一割合での迷走熱エネルギーの減少、一
定出力密度に対して平行な均質流束の方向性、反射面の非損傷性、および従って
濾過装置の不使用、測定可能のオゾンの不存在、エアカーテン設備を不要にする
程度の低冷却通気、電気装備およびキャビネットサイズの大幅な縮小、ドライヤ
製造工程の極度の簡単化、先行技術と比較してドライヤのサイズの大幅な縮小、
インクおよびワニス製造現場に直接に紫外線ドライヤの設置、長寿命の単一の部
品を有するトランスミッタ/リフレクタデバイス、「バナナ」効果と呼ばれるね
じれ作用の除去などである。
第38図A、BおよびCは製品シート225を乾燥するように配置された数個
のデバイス200を含む本発明による装置の平面図である。
第38図Aは、製品の走行方向226に対して垂直に、左右交互に、製品の中
心と少し重なり合うように配置された複数のデバイス200を示す。
第38図BおよびCは、放射線を均質に分布するように製品の走行方向に対し
て5°乃至20°、望ましくは15°の角度をもって斜方向に配置された複数の
デバイス200を示す。
第39図は円筒形管300中の光密度の3種の分布曲線を示す。
小直径(例えば<10mm)の円筒形管300が反射放物線302の焦点30
1に配置される(第40A図)。
曲線303は実質的に均質な分布を示し、プラズマ303’(第40B図参照
)が例えば長さ数センチメートルの管の場合、5ボルト/cmのリニア電圧をも
って管容積全部を占める。
曲線304は、30ボルト/cmの電極間電圧について密度分布304’を示
し、曲線305は100ボルト/cmの電圧に対するプラズマ305’の分布を
示す。
この場合、プラズマビームはほとんど線形であって、ピンポイントに近い断面
を示し、壁体306から離間している。
第40B図の場合、反射壁体307は双曲線横断面を有し、ビームによって放
射された放射線308はビーム305’と干渉する事なく、焦点309に戻され
る。
第41図に図示のデバイス110は例えば9mm以下の小直径の一定断面円筒
形管111を含み、この管は楕円部分の形状の横断面を有する2つのウィング1
12を備え、これらのウィングは反射材によって被覆されまたその頂点において
、例えば1−5cmの幅のスリット113によって相互に分離されている。
このデバイスは、ウィングから一定距離において管111に対向する水平平坦
板114を含む。
楕円の軸線と頂上母線との距離dは、d=fまたd≦r+e+1mm(f=焦点
までの距離、r=管の半径、e=管の厚さ)であり、前記板114は管の内部孔
の直径より小さい直径のプラズマビーム115によって放射される放射線を反射
する。板(金属板)はトランスミッタ/リフレクタデバイス全体の支持体として
作用する。
この金属板は例えば10mm乃至3cmの距離hに配置され、例えばスペーサ
(図示されていない)によって固定され、このスペーサ上にウィングの上端の平
坦縁部116が載置されている。
スリット113に対向するように配置された板114の下側面117は反射性
物質の付着、堆積またはフィルムによって反射性に成され、また板の両側面に冷
却空気119を通すオリフィス118が備えられている。
もちろん、本発明は前記の説明のみに限定されるものでなく、その主旨の範囲
内において任意に変更実施できる。例えば、光ディスクの断面をさらに平坦とし
または横方向に切頭形とする事ができる。
また本発明は軸線回りの水の滅菌装置、および電線、ケーブル、ゴムホース、
PVC管などのマーク付けなど、軸線回りに円形の製品上で重合されるインクお
よびワニスの乾燥装置に関するものである。
従って本発明による紫外線トランスミッタ/リフレクタ装置は例えば滅菌チャ
ンバまたは重合チャンバとして作用する透過性円筒形の回りに対向して取付ける
事ができる。
軸方向製品の処理装置は、滅菌チャンバとして作用する透過性円筒形の回りに
星形に規則的に配置された数個の放射デバイス、例えば3個、5個または7個の
デバイスを含む事ができる。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項
【提出日】平成10年10月12日(1998.10.12)
【補正内容】
請求の範囲
1. 圧下イオン化ガスを保持し、軸線(4)回りに延在し、放射線トランス
ミッタビームを画成するための端−端孔(3、34、72、93、111、12
8、142)を有するまっすぐな透過性石英電極管(2、35、114、141
)と、前記孔の軸線面(10)に対して対称的な2つの縦方向側面ウィング(1
4、75、112、113、120、128)から成る放射線反射面(7)とを
含み、前記反射面が少なくとも部分的に前記トランスミッタ管に固着されまた少
なくとも部分的に厳格にまたは近似的に放物線形または楕円形の横方向断面を示
すように成された電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス(1、30、
70、90、110、118、132、140)において、前記管の孔の内側面
の直径または最大内径が9mmと同等またはこれより小である事を特徴とする電
磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス。
2. 前記側面ウィングに対応しまた少なくとも部分的に厳格にまたは近似的
に放物線形または楕円形の横方向断面を示す前記反射面の部分が、前記軸方向対
称面において前記孔の軸線から下記式に対応する距離dに配置された頂点の母線
を有する曲線に属し、
d=f および 0<d<r+e+1mm,
ここに、
f:放物線(8)または楕円(F)の焦点と頂点(9)における対応母線との
距離、
r:前記頂点の母線と同一側において、前記孔の軸線(4)と軸線面中の孔の
内側面との距離、
e:前記頂点(9)の母線と同一側における軸線面(10)中の管の厚さとす
る事を特徴とする電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス。
3. d=r+eである事を特徴とする請求項2に記載のデバイス。
4. r≦d<r+eである事を特徴とする請求項2に記載のデバイス。
5. d≦rである事を特徴とする請求項2に記載のデバイス。
6. 前記孔が円筒形である事を特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載
のデバイス。
7. 孔(93)の横断面が少なくとも部分的に切頭円形である事を特徴とす
る請求項1乃至5のいずれかに記載のデバイス。
8. 前記反射面が前記管に対して全部固着されている事を特徴とする請求項
1乃至7のいずれかに記載のデバイス。
9. 前記管の外壁は前記孔に対してその頂点の母線と同一側面に配置された
ドーム(20)を含み、前記ドームは孔の内側面に対応するように設計された外
側面を有しまた放射線をドームに送り返して孔の中心に戻すように成され、前記
ドームは反射材(11)によって被覆されている事を特徴とする請求項9に記載
のデバイス。
10. 前記管が前記側面ウィング(13、14)の間において連続し、前記
ウィングの内側面が少なくとも部分的に屈折光学的反射によって前記反射面を成
す事を特徴とする請求項8または9のいずれかに記載のデバイス。
11. 前記反射面が反射性物質の被覆によって全部被覆されている事を特徴
とする請求項8または9のいずれかに記載のデバイス。
12. 前記反射面が放物線または部分的に放物線形の断面を有し、また前記
管が前記ウィングの末端を結ぶ外側面(15)を有し、前記外側面は孔に対して
前記頂点の母線の反対側に配置され、平坦で、前記頂点母線を含む軸線面に対し
て垂直である事を特徴とする請求項8乃至11のいずれかに記載のデバイス。
13. 前記反射面が楕円形または部分的楕円形の断面を有し、また前記管が
前記ウィングの末端を結ぶ外側面(38)を有し、前記外側面は孔に対して前記
頂点の母線から反対側に配置され、凹形であって、前記頂点母線を含む軸線面に
対して対称的曲線に従い、前記外側面が放射線を少なくとも部分的に孔の軸線面
に向かって指向するように成された事を特徴とする請求項8乃至11のいずれか
に記載のデバイス。
14. 前記管が前記頂点の母線と反対側に、縦方向屈折光学的キャビティを
成す部分的凹形の連続的石英部分を含み、前記凹部は円筒形の一部として形成さ
れた凹形面を含み、この凹形面は前記管の軸線の配置された側に向かって配向さ
れまた前記管軸線から距離r+eに配置されている事を特徴とする請求項8乃至
13のいずれかに記載のデバイス。
15. 前記外側面は軸線面に定心した第1部分において平坦であり、第2部
分において湾曲している事を特徴とする請求項14に記載のデバイス。
16. ドーム(20、32)は孔軸線から下記の式の距離xに配置された外
側反射面(51、52、53)を含み、
r<x≦2y、
ここに、yは孔の内側面とウィングの反射面の傾斜の不連続点との距離とする事
を特徴とする請求項8に従属する請求項1乃至15のいずれかに記載のデバイス
。
17. さらに、軸線面(10)に対して対称的に、ウィングの端部の両側
に配置された縦方向反射側面板(48)を含む事を特徴とする請求項10に従属
する請求項1乃至16のいずれかに記載のデバイス。
18. 前記管は頂点の母線を通る軸線面に対して対称的な2つの縦方向側面
ラグ(73)を備えた円筒形であって、前記側面ラグは照射面に向けられそのそ
れぞれの外側面が放物線または楕円の一部の形のウィングを成す事を特徴とする
請求項9に記載のデバイス。
19. 前記ラグの端面(79)が前記頂点母線を含む前記軸線面に対して直
交する事を特徴とする請求項18に記載のデバイス。
20. ラグの端面が凹形であって、この端面に対する入射放射線を前記頂点
母線を含む孔の軸線面に向かって送るように配置されている事を特徴とする請求
項18に記載のデバイス。
21. 円筒形孔は前記頂点母線の反対側のその内側面上に、前記前記頂点母
線を含む軸線面に関して対称的な三角形断面の2つの突起(83)を含み、前記
突起はそれぞれ軸線面に対して平行な側面を含みまた前記突起の内接する孔の中
心角が対応のラグの2つの尖端を通る事を特徴とする請求項18乃至20のいず
れかに記載のデバイス。
22. 孔(34)はその内側面上に、軸線に対して頂点母線と反対側に、縦
方向屈折光学的凹部(60)を備え、この屈折光学的凹部は半径rと同等または
相異なる半径r’の円筒形の一部の形状の底面と、孔の軸線面に対して平行な側
面とを有する事を特徴とする請求項1乃至21のいずれかに記載のデバイス。
23. 管の外側面の上部が反射材によって被覆され、また2つの側面ウィン
グ(112、113、120)がトランスミッタ管から完全に離間して一定距離
に配置されている事を特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のデバイス(
110)。
24. 管から完全に一定距離を置いて配置され少なくとも部分的に放物線ま
たは楕円断面を示す側面ウィング(120)の上部から孔と同軸の円筒形部分(
121)が延在する事を特徴とする請求項23に記載のデバイス。
25. 2つの側面ウィングが縦方向反射板によって形成される事を特徴とす
る請求項1に依存する請求項23に記載のデバイス。
26. 管が、この管の放射線トランスミッタビームの内側断面と同等または
これ以上の内側断面を有する電極チャンバ(154)を含む事を特徴とする請求
項1乃至25のいずれかに記載のデバイス。
27. 前記トランスミッタビームの最大断面積が約45mm2、約30mm2
または約10mm2と同等またはこれ以下である事を特徴とする請求項1乃至2
6のいずれかに記載のデバイス。
28. 平坦シート、ワイヤまたは円筒体として配置された製品を紫外線によ
って処理するための装置(200)において、請求項1乃至27のいずれかに記
載の少なくとも1つのデバイス(201)を含む事を特徴とする装置。
29. 前記デバイスの反射面の少なくとも一部の外側に冷却ガスを流すよう
に配置された冷却手段を含む事を特徴とする請求項28に記載の乾燥装置。
30. 相互に逆方向に配置された少なくとも2つのデバイス(201)を含
む事を特徴とする請求項28または29のいずれかに記載の装置。
31. 被処理製品の走行方向に対して斜方向に配置された数個のデバイス(
201)を含む事を特徴とする請求項28乃至30のいずれかに記載の装置。
32. 相互に一定角度を成して配置された数個のデバイスを含む事を特徴と
する請求項28乃至31のいずれかに記載の装置。
33. シート状製品または平坦面あるいは湾曲面上に配置された製品に対し
て放射線を加える方法において、約45mm2と同等またはこれ以下の一定横断
面の軸線の回りに細長く延在するように電極管の中で発生された紫外線プラズマ
ビームをもって前記製品を照射する事を特徴とする方法。
34. 前記製品が約30mm2と同等またはこれ以下の一定横断面の軸線の
回りに細長く延在する紫外線プラズマビームをもって照射される事を特徴とする
請求項33に記載の方法。
35. 前記製品が約10mm2と同等またはこれ以下の一定横断面の軸線の
回りに細長く延在する紫外線プラズマビームをもって照射される事を特徴とする
請求項34に記載の方法。
36. 前記製品が、直接に前記プラズマビームから発生する一次放射線と、
同時に少なくとも部分的に楕円形横断面を有する反射面上の屈折光学的屈折によ
って前記一次放射線から発生する二次放射線とによって照射される事を特徴とす
る請求項33乃至35のいずれかに記載の方法。
37. 前記製品が、直接に前記プラズマビームから発生する一次放射線と、
同時に少なくとも部分的に放物線形横断面を有する反射面上の屈折光学的屈折に
よって前記一次放射線から発生する二次放射線とによって照射される事を特徴と
する請求項35に記載の方法。
38. 前記プラズマビームのトランスミッタ管に固着された反射面を含む単
一のプラズマビーム閉じ込め管によって全部発生され反射される放射線によって
製品を照射する事を特徴とする請求項33乃至37のいずれかに記載の方法。
39. 前記一定断面の円筒形プラズマビームの長さが30センチメートルよ
り大である事を特徴とする請求項33乃至38のいずれかに記載の方法。
40. 前記一定断面の円筒形プラズマビームの長さが1メートルより大であ
る事を特徴とする請求項39に記載の方法。
41. プラズマビームのリニア電圧が約30ボルト/cm以上の値を有する
事を特徴とする請求項33乃至40のいずれかに記載の方法。
42. プラズマビームのリニア電圧が50ボルト/cmと同等またはこれ以
上、望ましくは100ボルト/cmの値を有する事を特徴とする請求項41に記
載の方法。
43. 紫外線を放射するプラズマビームの長さが約1.50メートル以上で
あり、リニア電圧が20ボルト/cm以上である事を特徴とする請求項33に記
載の方法。
44. プラズマビームの横断面の半径rが、管のdに等しい直径に対して下
記の関係式の関係にある
事を特徴とする請求項1乃至43のいずれかに記載の方法。
45. 照射が切頭円筒形の紫外線を放射するプラズマビームによって実施さ
れる事を特徴とする請求項33乃至44のいずれかに記載の方法。
46. 請求項33乃至45のいずれかに記載の方法を実施するデバイス。
47. 縦方向中央スリット(113)によって相互に分離された2つの反射
ウィング(112)を含み、前記ウィングが少なくとも部分的に顕著な放物線形
部分または顕著な楕円形部分を有する横断面を示し、前記の部分が、孔の軸線か
ら距離dにある頂点母線を有する曲線に属し、ここに、d=f また 0<d<
r+e+1mmとし、
またここに、
f:焦点までの距離、
r:管の半径、
e:管の厚さとし、
またさらに前記スリット(113)に対向して、ウィングの頂点から完全にh
の距離にある平坦な反射板(114)を含む事を特徴とする請求項46に記載の
方法。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE,
DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L
U,MC,NL,PT,SE),AU,BG,BR,C
A,CN,CZ,HU,IL,JP,KP,KR,MX
,NZ,PL,RO,RU,SG,SI,SK,TR,
UA,US,VN,YU
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. 圧下イオン化ガスを保持し、軸線(4)回りに延在し、放射線トランス ミッタビームを画成するための端−端孔(3、34、72、93、111、12 8、142)を有するまっすぐな透過性石英電極管(2、35、114、141 )と、前記孔の軸線面(10)に対して対称的な2つの縦方向側面ウィング(1 4、75、112、113、120、128)から成る放射線反射面(7)とを 含み、前記反射面が少なくとも部分的に前記トランスミッタ管に固着されまた少 なくとも部分的に厳格にまたは近似的に放物線形または楕円形の横方向断面を示 すように成された電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス(1、30、 70、90、110、118、132、140)において、前記側面ウィングに 対応しまた少なくとも部分的に厳格にまたは近似的に放物線形または楕円形の横 方向断面を示す前記反射面の部分が、前記軸方向対称面において前記孔の軸線か ら下記式に対応する距離dに配置された頂点の母線を有する曲線に属し、 d=f および 0<d<r+e+1mm, ここに、 f:放物線(8)または楕円(F)の焦点と頂点(9)における対応母線との 距離、 r:前記頂点の母線と同一側において、前記孔の軸線(4)と軸線面中の孔の 内側面との距離、 e:前記頂点(9)の母線と同一側における軸線面(10)中の管の厚さとす る事を特徴とする電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス。 2. d=r+eである事を特徴とする請求項1に記載のデバイス。 3. r≦d<r+eである事を特徴とする請求項1に記載のデバイス。 4. d≦rである事を特徴とする請求項1に記載のデバイス。 5. 前記孔が円筒形である事を特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載 のデバイス。 6. 孔(93)の横断面が少なくとも部分的に切頭円形である事を特徴とす る請求項1乃至4のいずれかに記載のデバイス。 7. 前記反射面が前記管に対して全部固着されている事を特徴とする請求項 1乃至6のいずれかに記載のデバイス。 8. 前記管の外壁は前記孔に対してその頂点の母線と同一側面に配置された ドーム(20)を含み、前記ドームは孔の内側面に対応するように設計された外 側面を有しまた放射線をドームに送り返して孔の中心に戻すように成され、前記 ドームは反射材(11)によって被覆されている事を特徴とする請求項7に記載 のデバイス。 9. 前記管が前記側面ウィング(13、14)の間において連続し、前記ウ ィングの内側面が少なくとも部分的に屈折光学的反射によって前記反射面を成す 事を特徴とする請求項7または8のいずれかに記載のデバイス。 10. 前記反射面が反射性物質の被覆によって全部被覆されている事を特徴 とする請求項7または8のいずれかに記載のデバイス。 11. 前記反射面が放物線または部分的に放物線形の断面を有し、また前記 管が前記ウィングの末端を結ぶ外側面(15)を有し、前記外側面は孔に対して 前記頂点の母線の反対側に配置され、平坦で、前記頂点母線を含む軸線面に対し て垂直である事を特徴とする請求項7乃至10のいずれかに記載のデバイス。 12. 前記反射面が楕円形または部分的楕円形の断面を有し、また前記管が 前記ウィングの末端を結ぶ外側面(38)を有し、前記外側面は孔に対して前記 頂点の母線から反対側に配置され、凹形であって、前記頂点母線を含む軸線面に 対して対称的曲線に従い、前記外側面が放射線を少なくとも部分的に孔の軸線面 に向かって指向するように成された事を特徴とする請求項7乃至10のいずれか に記載のデバイス。 13. 前記管が前記頂点の母線と反対側に、縦方向屈折光学的キャビティを 成す部分的凹形の連続的石英部分を含み、前記凹部は円筒形の一部として形成さ れた凹形面を含み、この凹形面は前記管の軸線の配置された側に向かって配向さ れまた前記管軸線から距離r+eに配置されている事を特徴とする請求項7乃至 12のいずれかに記載のデバイス。 14. 前記外側面は軸線面に定心した第1部分において平坦であり、第2部 分において湾曲している事を特徴とする請求項13に記載のデバイス。 15. ドーム(20、32)は孔軸線から下記の式の距離xに配置された外 側反射面(51、52、53)を含み、 r<x≦2y、 ここに、yは孔の内側面とウィングの反射面の傾斜の不連続点との距離とする事 を特徴とする請求項8に従属する請求項1乃至14のいずれかに記載のデバイス 。 16. さらに、軸線面(10)に対して対称的に、ウィングの端部の両側に 配置された縦方向反射側面板(48)を含む事を特徴とする請求項9に従属する 請求項1乃至15のいずれかに記載のデバイス。 17. 前記管は頂点の母線を通る軸線面に対して対称的な2つの縦方向側面 ラグ(73)を備えた円筒形であって、前記側面ラグは照射面に向けられそのそ れぞれの外側面が放物線または楕円の一部の形のウィングを成す事を特徴とする 請求項10に記載のデバイス。 18. 前記ラグの端面(79)が前記頂点母線を含む前記軸線面に対して直 交する事を特徴とする請求項17に記載のデバイス。 19. ラグの端面が凹形であって、この端面に対する入射放射線を前記頂点 母線を含む孔の軸線面に向かって送るように配置されている事を特徴とする請求 項17に記載のデバイス。 20. 円筒形孔は前記頂点母線の反対側のその内側面上に、前記前記頂点母 線を含む軸線面に関して対称的な三角形断面の2つの突起(83)を含み、前記 突起はそれぞれ軸線面に対して平行な側面を含みまた前記突起の内接する孔の中 心角が対応のラグの2つの尖端を通る事を特徴とする請求項17乃至19のいず れかに記載のデバイス。 21. 孔(34)はその内側面上に、軸線に対して頂点母線と反対側に、縦 方向屈折光学的凹部(60)を備え、この屈折光学的凹部は半径rと同等または 相異なる半径r’の円筒形の一部の形状の底面と、孔の軸線面に対して平行な側 面とを有する事を特徴とする請求項1乃至20のいずれかに記載のデバイス。 22. 管の外側面の上部が反射材によって被覆され、また2つの側面ウィン グ(112、113、120)がトランスミッタ管から完全に離間して一定距離 に配置されている事を特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のデバイス( 110)。 23. 管から完全に一定距離を置いて配置され少なくとも部分的に放物線ま たは楕円断面を示す側面ウィング(120)の上部から孔と同軸の円筒形部分( 121)が延在する事を特徴とする請求項22に記載のデバイス。 24. 2つの側面ウィングが縦方向反射板によって形成される事を特徴とす る請求項1に依存する請求項22に記載のデバイス。 25. 管が、この管の放射線トランスミッタビームの内側断面と同等または これ以上の内側断面を有する電極チャンバ(154)を含む事を特徴とする請求 項1乃至24のいずれかに記載のデバイス。 26. 前記トランスミッタビームの最大断面積が約45mm2、約30mm2 または約10mm2と同等またはこれ以下である事を特徴とする請求項1乃至2 5のいずれかに記載のデバイス。 27. 平坦シート、ワイヤまたは円筒体として配置された製品を紫外線によ って処理するための装置(200)において、請求項1乃至26のいずれかに記 載の少なくとも1つのデバイス(201)を含む事を特徴とする装置。 28. 前記デバイスの反射面の少なくとも一部の外側に冷却ガスを流すよう に配置された冷却手段を含む事を特徴とする請求項27に記載の乾燥装置。 29. 相互に逆方向に配置された少なくとも2つのデバイス(201)を含 む事を特徴とする請求項27または28のいずれかに記載の装置。 30. 被処理製品の走行方向に対して斜方向に配置された数個のデバイス( 201)を含む事を特徴とする請求項27乃至29のいずれかに記載の装置。 31. 相互に一定角度を成して配置された数個のデバイスを含む事を特徴と する請求項27乃至30のいずれかに記載の装置。 32. シート状製品または平坦面あるいは湾曲面上に配置された製品に対し て放射線を加える方法において、約45mm2と同等またはこれ以下の一定横断 面の軸線の回りに細長く延在するように電極管の中で発生された紫外線プラズマ ビームをもって前記製品を照射する事を特徴とする方法。 33. 前記製品が約30mm2と同等またはこれ以下の一定横断面の軸線の 回りに細長く延在する紫外線プラズマビームをもって照射される事を特徴とする 請求項32に記載の方法。 34. 前記製品が約10mm2と同等またはこれ以下の一定横断面の軸線の 回りに細長く延在する紫外線プラズマビームをもって照射される事を特徴とする 請求項33に記載の方法。 35. 前記製品が、直接に前記プラズマビームから発生する一次放射線と、 同時に少なくとも部分的に楕円形横断面を有する反射面上の屈折光学的屈折によ って前記一次放射線から発生する二次放射線とによって照射される事を特徴とす る請求項32または34のいずれかに記載の方法。 36. 前記製品が、直接に前記プラズマビームから発生する一次放射線と、 同時に少なくとも部分的に放物線形横断面を有する反射面上の屈折光学的屈折に よって前記一次放射線から発生する二次放射線とによって照射される事を特徴と する請求項34に記載の方法。 37. 前記プラズマビームのトランスミッタ管に固着された反射面を含む単 一のプラズマビーム閉じ込め管によって全部発生され反射される放射線によって 製品を照射する事を特徴とする請求項32乃至36のいずれかに記載の方法。 38. 前記一定断面の円筒形プラズマビームの長さが30センチメートルよ り大である事を特徴とする請求項1乃至37のいずれかに記載の方法。 39. 前記一定断面の円筒形プラズマビームの長さが1メートルより大であ る事を特徴とする請求項38に記載の方法。 40. プラズマビームのリニア電圧が約30ボルト/cm以上の値を有する 事を特徴とする請求項1乃至39のいずれかに記載の方法。 41. プラズマビームのリニア電圧が50ボルト/cmと同等またはこれ以 上、望ましくは100ボルト/cmの値を有する事を特徴とする請求項40に記 載の方法。 42. 紫外線を放射するプラズマビームの長さが約1.50メートル以上で あり、リニア電圧が20ボルト/cm以上である事を特徴とする請求項32に記 載の方法。 43. プラズマビームの横断面の半径rが、管のdに等しい直径に対して下 記の関係式の関係にある 事を特徴とする請求項1乃至42のいずれかに記載の方法。 44. 照射が切頭円筒形の紫外線を放射するプラズマビームによって実施さ れる事を特徴とする請求項32乃至43のいずれかに記載の方法。 45. 請求項32乃至44のいずれかに記載の方法を実施するデバイス。 46. 縦方向中央スリット(113)によって相互に分離された2つの反射 ウィング(112)を含み、前記ウィングが少なくとも部分的に顕著な放物線形 部分または顕著な楕円形部分を有する横断面を示し、前記の部分が、孔の軸線か ら距離dにある頂点母線を有する曲線に属し、ここに、d=f また 0<d< r+e+1mmとし、 またここに、 f:焦点までの距離、 r:管の半径、 e:管の厚さとし、 またさらに前記スリット(113)に対向して、ウィングの頂点から完全にh の距離にある平坦な反射板(114)を含む事を特徴とする請求項45に記載の 方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9608556A FR2751093B1 (fr) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | Dispositif emetteur/reflecteur de rayonnements electromagnetiques, appareil et procede mettant en oeuvre un tel dispositif |
| FR96/08556 | 1996-07-09 | ||
| FR9616139A FR2750892B1 (fr) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Procede et appareil d'application de rayonnements electromagnetiques a un produit en nappe ou courbe |
| FR96/16139 | 1996-12-27 | ||
| PCT/FR1997/001251 WO1998001700A2 (fr) | 1996-07-09 | 1997-07-09 | Dispositif emetteur/reflecteur de rayonnements electromagnetiques |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000514592A true JP2000514592A (ja) | 2000-10-31 |
Family
ID=26232824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10504882A Pending JP2000514592A (ja) | 1996-07-09 | 1997-07-09 | 電磁放射線トランスミッタ/リフレクタデバイス、このようなデバイスを実施する装置および方法 |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6333509B1 (ja) |
| EP (1) | EP0910772B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000514592A (ja) |
| KR (1) | KR20000022392A (ja) |
| CN (1) | CN1103896C (ja) |
| AT (1) | ATE196679T1 (ja) |
| AU (1) | AU720653B2 (ja) |
| CA (1) | CA2259521A1 (ja) |
| DE (1) | DE69703212T2 (ja) |
| DK (1) | DK0910772T3 (ja) |
| ES (1) | ES2152690T3 (ja) |
| IL (1) | IL127587A (ja) |
| WO (1) | WO1998001700A2 (ja) |
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- 1997-07-09 CA CA002259521A patent/CA2259521A1/en not_active Abandoned
- 1997-07-09 US US09/202,154 patent/US6333509B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-09 DE DE69703212T patent/DE69703212T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-09 ES ES97932874T patent/ES2152690T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-09 KR KR1019980710823A patent/KR20000022392A/ko not_active Abandoned
- 1997-07-09 IL IL12758797A patent/IL127587A/en not_active IP Right Cessation
- 1997-07-09 AU AU36254/97A patent/AU720653B2/en not_active Ceased
- 1997-07-09 EP EP97932874A patent/EP0910772B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-09 JP JP10504882A patent/JP2000514592A/ja active Pending
- 1997-07-09 DK DK97932874T patent/DK0910772T3/da active
- 1997-07-09 WO PCT/FR1997/001251 patent/WO1998001700A2/fr not_active Ceased
- 1997-07-09 CN CN97196278A patent/CN1103896C/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| DE69703212T2 (de) | 2001-04-26 |
| ATE196679T1 (de) | 2000-10-15 |
| DE69703212D1 (de) | 2000-11-02 |
| DK0910772T3 (da) | 2001-02-05 |
| ES2152690T3 (es) | 2001-02-01 |
| CA2259521A1 (en) | 1998-01-15 |
| IL127587A0 (en) | 1999-10-28 |
| EP0910772A2 (fr) | 1999-04-28 |
| KR20000022392A (ko) | 2000-04-25 |
| EP0910772B1 (fr) | 2000-09-27 |
| AU3625497A (en) | 1998-02-02 |
| US6333509B1 (en) | 2001-12-25 |
| AU720653B2 (en) | 2000-06-08 |
| IL127587A (en) | 2001-06-14 |
| WO1998001700A2 (fr) | 1998-01-15 |
| CN1225164A (zh) | 1999-08-04 |
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