JP2000516009A

JP2000516009A - 双結晶クラスタ磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2000516009A
Application number: JP09525995A
Authority: JP
Inventors: チェン，ガ―レーン; チェン，キクス
Original assignee: シーゲートテクノロジー，インコーポレイテッド
Priority date: 1996-01-16
Filing date: 1996-12-23
Publication date: 2000-11-28
Anticipated expiration: 2016-12-23
Also published as: HK1016322A1; WO1997026650A1; GB2323857A; KR100362257B1; CN1208491A; CN1167051C; GB9815151D0; US5830584A; GB2323857B; JP3298893B2; DE19681740T1; KR19990077288A

Abstract

(57)【要約】媒体ノイズが低く、高密度磁気記録に適した磁気記録媒体が、ガラスまたはガラス-セラミック材料の基板３０上に双結晶クラスタ磁性合金膜３３を有するように製造されている。（２００）結晶方位を有するように形成された下地膜３２が、下地膜上にエピタキシャル成長せしめられる磁性合金膜３３に双結晶クラスタ微細構造が形成されるように誘導する。

Description

【発明の詳細な説明】双結晶クラスタ磁気記録媒体技術分野本発明は、磁気記録媒体、例えば薄膜磁気記録ディスクに関するものである。本発明は、特に、低ノイズで高密度の磁気記録媒体に適用可能である。背景技術高い面積記録密度が要求されることから、薄膜磁気記録ディスクに対しては、保磁性、残留磁気角形度(remanent squareness)、低媒体ノイズ、狭幅トラック記録性能が次第に求められるようになった。その種の厳しい要求を満足させる磁気記録媒体、特に、長さ方向トラックでの記録のための高密度磁気ハードディスク媒体を製造することは、きわめて難しい。記録線密度は、磁気記録媒体の保磁性を増すことによって高めることができる。しかし、この目的は、例えばきわめて微細な、磁気結合されていない結晶粒を維持することにより、媒体のノイズを低減することでしか達成できない。媒体ノイズは、高密度磁気ハードディスクドライブの記録密度増大を阻む主要因である。薄膜の媒体ノイズは、主として不均一な結晶粒度と結晶粒間の取交し結合とに起因する。したがって、線密度を高めるためには、媒体ノイズを適当な微細構造制御によって最小化せねばならない。従来の長さ方向トラック記録ディスク媒体は、図１に示したように、アモルファスのニッケル-燐（ＮｉＰ）膜をめっきされた基板１０、すなわち通常はアルミニウム（Ａｌ）合金、例えばアルミニウム-マグネシウム（Ａｌ-Ｍｇ）合金の基板を含んでいる。基板１０には、概して、その上に順次にクロム(Ｃｒ)の下地膜１１、コバルト(Ｃｏ)基合金の磁性膜１２、炭素の保護膜１３、潤滑剤１４が堆積されている。クロム下地膜１１と、Ｃｏ基合金磁性膜１２と、炭素保護膜１３とは、通常、スパッタ法によって堆積せしめられる。Ｃｏ基合金の磁性膜は、通常、多結晶Ｃｒ下地膜上にエピタキシャル成長させた多結晶を含んでいる。アルミニウム合金基板上の従来のＮｉＰめっきは、主として、アルミニウム合金の硬度を増すために施され、それによって、研磨に適当な表面が得られ、必要な表面粗さまたは表面組織(texture)が与えられる。ＮｉＰめっきは、通常、無電解めっきによって約１５マイクロメータ厚に施される。ヴァーナ氏他による米国特許４９００３９７号では、無線周波数（ＲＦ）スパッタエッチングを利用して、アルミニウム合金基板の従来のＮｉＰ膜上の表面堆積を除去し、次いで酸化させて、クロム下地膜の付着力を改善することが、提案されている。またデルナー氏他の米国特許５３０２４３４号では、超研磨され表面組織なしの、ＮｉＰ被覆された基板上には高い保磁性を得ることが困難であるという認識から、空気中でアニールすることで、ＮｉＰ膜の表面に酸化ニッケル膜を形成し、保磁性を高めることが提案されている。研磨されたＮｉＰ膜の滑らかな表面は、続く複数の膜にわたって維持される。酸化ニッケル膜は、また下地膜および磁性膜の結晶方位を変えることで変調を低減するという。別の基板材料、例えばアモルファスガラス等のガラスや、アモルファス材料と結晶材料との混合材を含むガラス-セラミック材料も、用いられてきた。ガラス- セラミック材料は、普通は、結晶表面は示さない。ガラスとガラス-セラミックとは、概して、高い耐衝撃性を有している。ガラス-セラミック材料等のガラス基の材料の使用は、フーヴァー氏他の米国特許５２７３８３４号に開示されている。双結晶クラスタ（集団）微細構造を示す磁性膜は、近年の研究テーマとなっているが、これは、高い保磁性、低ノイズ、高い残留磁気角形度が期待されるためである。しかし、双結晶クラスタ磁性膜が、商業的に実現可能なものかどうかは明らかではない。ウォン氏他（IEEE Trans.Magn.,MAG-27,p.4733,1991）、ミルザマーニ氏他（J.Appl.Phys.,69,p.5169,1991）、ミン氏およびジュー氏(J.Appl .Phys.,75,p.6129,1994)、ディン氏およびジュー氏(IEEE Trans.Magn.，MAG-30, P.3978,1994)、フタモト氏他(IEEE TRANS.MAG-30,P.3975,1994)らは、単結晶基板上に双結晶媒体を形成することに成功している。また、イェー氏およびジュー氏は、コンピュータを使用して、双結晶構造をシミュレートしている（J.Appl.P hys.,75,p.6135,1994)。しかし、イェー氏およびジュー氏のコンピュータで形成せしめられた理想微細構造に対応する実際の双結晶クラスタ媒体の製造は、明らかにされていない。ＮｉＰ被覆されたアルミニウム基板上に堆積させたＣｒ／Ｃｏ合金に双結晶クラスタ構造を形成することが、ノラン氏他（J.Appl.Phys.,73,p.5566,1993）、ペン氏他(JA-01,Intermag Conference,San Antonio,Texas,April 1995)、ホソエ氏他(JA-02,Intermag Conference,San Antonio,Texas,April 1995)により行われている。また、ディン氏他の『GaAs基板上の双結晶ディスクの製造および記録性能』(Jounal of The Magnetics Society of Japan,Vol.18,Supplement,No.S1, （1991）およびディン氏他の『双結晶薄膜媒体の記録およびトラックエッジ特性についての実験研究』(IEEE Trans.Magn.,MAG-31,p.2827,1995)も、参照のこと。しかし、双結晶クラスタ微細構造を含む磁性記録媒体は、市場での実際的な利益には結び付かなかった。これは、おそらく単結晶基板が高価なことと、製造上の要求が複雑なことによる。したがって、長さ方向トラックでの記録用の、媒体ノイズが低く保磁性が高い磁気ハードディスクを製造する必要が存在する。また、双結晶クラスタ媒体の理論的利点を、費用効果のよいやり方で、商業的に利用し得るようにする必要が存在する。発明の開示本発明の目的は、低ノイズで、高保磁性を有する磁気記録媒体を得ることである。本発明の別の目的は、双結晶クラスタ微細構造を有する磁気膜を含む磁気記録媒体を得ることである。本発明の付加的目的、利点、その他の特徴は、以下の説明で一部明らかになるであろうし、また、当業者には、一部は以下の検討から明らかになるか、または本発明の実際から知ることができよう。本発明の目的および利点は、特に請求の範囲に記載のように実現かつ達成することができる。本発明によれば、前記およびその他の目的は、一部、ガラスまたはガラス-セラミック材料からなる基板と、基板上の種膜と、種膜上の下地膜と、下地膜上の磁性膜、それも双結晶クラスタ微細構造を有する磁性膜とを含む磁気記録媒体により達成された。本発明の他の態様は、ガラスまたはガラス-セラミック材料からなる基板と、基板上の表面酸化種膜と、種膜上の、（２００）結晶方位の下地膜と、下地膜上の磁性膜とを含む磁気記録媒体であり、しかも、前記磁性膜は双結晶クラスタ微細構造を有し、前記磁気記録媒体は１２７ＫＦＣＩ(インチ当たり１０００磁束反転)で測定して約１５ｄＢを超える信号／ノイズ比を有してる。本発明の付加的な目的および利点は、当業者には、以下の詳細な説明により直ちに明らかになろう。以下の説明では、本発明の具体例が、本発明を実施するに当たって考えられる最良の態様を図示することにより、説明されている。本発明には、別の、異なる具体例も可能であり、また本発明のいくつかの細部は、本発明の範囲を逸脱することなしに、種々の明瞭な点で変更が可能である。したがって、図面および説明は、本発明を制限するものではなく、事実上説明と見なされれねばならない。図面の簡単な説明図１は従来の磁気記録媒体の構造を示す略示図。図２は本発明による双結晶クラスタ微細構造の略示図。図３は本発明の一実施例による磁気記録媒体の構造を示す略示図。図４は本発明による双結晶クラスタ微細構造を有するＣｒ／Ｃｏ合金膜のＸ線回折曲線を示す図。図５は双結晶クラスタ微細構造を有さないＣｒ／Ｃｏ合金膜のＸ線回折曲線を示す図。図６は双結晶クラスタ微細構造を有する見本と、有さない見本の、信号とＡＣ消磁ノイズのスペクトルを比較した図。発明の説明本発明により得られる磁気記録媒体は、高い保磁性、高い残留磁気角形度を有し、媒体ノイズが有意に低く、効率的かつ費用効果あるやり方で商業利用するのに適している。本発明により製造された磁気記録媒体は、１２７ＫＦＣＩで測定した約２０ｄＢを超える値を含めて約１５ｄＢを超える信号／ノイズ比を有している。この極めて望ましい磁気記録媒体は、双結晶クラスタ微細構造を有する磁性合金膜を堆積させ、エピタキシャル成長させることで実現される。重要な点は、本発明により、双結晶クラスタ微細構造を有する磁性合金膜が、きわめて効率的な、安価で簡単な仕方で、単結晶基板を必要とすることなしに実現される点である。また、本発明により、ガラスまたはガラス-セラミック材料製の基板上に双結晶クラスタ微細構造を有する磁性合金膜を含む磁気記録媒体が得られる。本発明により形成される双結晶クラスタ微細構造は、磁性多結晶粒クラスタが特徴であり、その場合、各クラスタ下地膜の単結晶粒上にエピタキシャル成長せしめられている。双結晶クラスタ膜内では、多結晶磁性合金膜が、好ましい方位を有している。Ｃｏ基合金を用いることで、複数の（１１．０）平面が、膜平面と平行に優先整合される。各クラスタでは、Ｃｏ基合金サブ結晶粒のＣ軸が２つの直交方向に沿って位置している。異なるクラスタのサブ結晶粒のＣ軸は、膜平面内にランダムに分配されている。先に挙げたディン氏他の刊行物参照。本発明により、双結晶クラスタ微細構造を有する磁性合金膜が、比較的安価なガラスまたはガラス-セラミック材料製の基板を使用して形成される。磁性合金膜に双結晶クラスタ微細構造を形成するには、下地膜の結晶方位を制御する。例えば、（２００）結晶方位で形成された下地膜、例えばＣｒ下地膜は、その上に堆積されエピタキシャル成長せしめられる磁性合金膜内に双結晶クラスタ微細構造を誘起することが判明した。しかし、下地膜は、Ｃｒには限定されず、クロムバナジウム合金（ＣｒＶ）製またはクロムチタニウム合金（ＣｒＴｉ）製でもよい。下地膜の表面組織が（１１０）対（２００）の場合、双結晶クラスタ微細構造は、その上に堆積されエピタキシャル成長せしめられる磁性合金膜内には形成されない。図２には、本発明により得られる双結晶クラスタ微細構造が示されている。この場合、Ｃｒ下地膜２０が、その上に形成されたＣｏ基合金膜２１と共に示されている。Ｃｏ基合金膜２１は、（２００）結晶表面組織または結晶方位を有するＣｒ下地膜上に形成されている。矢印２３は、堆積したＣｏ基合金微細構造のＣ軸を示している。（２００）結晶方位を有する下地膜を形成することによって、下地膜上にエピタキシャル成長せしめられる磁性合金膜内に双結晶クラスタ微細構造を形成できる。例えば、Ｃｒ下地膜に（２００）結晶方位を設けることによって、その上のエピタキシャル成長磁性Ｃｏ基合金膜は、優先方位を有することになる。すなわち、（１１．０）平面が、優先的に膜平面と平行になる。Ｃｒ（２００）平面も、優先的に膜平面と平行に整合せしめられる。したがって、多結晶粒から成るＣｏ基合金膜は、多結晶Ｃｒ下地膜上にエピタキシャル成長せしめられ、そのさい、異なるクラスタのサブ結晶粒のＣ軸は、膜平面内で２つの直交する方向に沿ってランダムに分配される。したがって、本発明は、単結晶基板を必要としない。むしろ、ガラスまたはガラス-セラミック材料を使用でき、その上に種膜を設け、この種膜によって、（２００）結晶方位を有する下地膜の堆積が可能になり、この下地膜上に、また双結晶クラスタ微細構造を有する磁性膜の形成が可能になる。本発明の一実施例では、（２００）結晶方位を有する下地膜が、ガラスまたはガラス-セラミック材料製基板上に種膜を設けることで堆積可能になる。該種膜は、下地膜内に（２００）結晶方位を誘起する。この種膜は、その上に堆積される下地膜内に（２００）結晶方位を誘起し得る材料であれば、どのような材料でもよい。例えば、種膜はＮｉ₃Ｐ、ＮｉＰ、タンタル（Ｔａ）のいずれかを含むことができる。種膜には表面粗さを与えることで、その上の下地膜内での（２００）結晶方位の誘起を容易にするのが好ましいことが判明した。種膜には、例えば酸エッチングまたは酸化によって適当に表面粗さが与えられる。例えば、本発明の一実施例では、種膜がガラスまたはガラス-セラミック材料製基板上に堆積され、同時継続出願０８／５８６５２９号に開示された技術により酸化される。該出願の全開示内容が、本明細書で参考にされている。例えば、酸化は、空気、酸素、不活性ガスと酸素との混合物のいずれかの環境内で行うことができる。図３に示した本発明の一実施例では、例えばガラス-セラミックの基板３０に、例えばＮｉ₃ＰまたはＮｉＰの酸化種膜を備えている。その上には、例えばＣｒの下地膜３２が堆積され、下地膜３２上には、例えばＣｏ基合金等の磁性合金膜３３が、エピタキシャル成長せしめられ、双結晶クラスタ微細構造を有している。図１に示された従来形式の磁気記録媒体同様、例えば炭素の保護膜３４が、磁性合金膜３３上に設けられ、保護膜３４上には潤滑膜３５が施されている。ガラスまたはガラス-セラミック材料製基板と一緒に種膜３１を用いることは、Ａｌ合金基板上に従来のＮｉＰめっきを行うこととは全く異なる。ＮｉＰめっきは、第一に、硬度を増し、かつ表面組織を与えやすい表面を得るために、Ａｌ合金基板上に施され、その場合、続いて堆積される相似する各膜が所望の外表面粗さを生じる。しかし、本発明では、種膜が、基板の放射率(emissivity)を低減するために備えられ、下地膜の構造に影響を与えることによって、下地膜が（２００）結晶方位を得ることになる。このように、本発明の種膜は、約２００Å〜約２０００Åの厚さ、例えば５００Å（０．０５マイクロメータ）の厚さを有していさえすればよく、物理気相堆積法によって成膜させることができる。本発明で採用された基板は、種々のガラスまたはガラス-セラミック材料のいずれか、例えば磁気記録媒体用基板として用いられる材料を含むのが好ましい。ガラス-セラミック材料は、通常、表面の熱処理によって形成され、その上にセラミックの薄い結晶膜が形成される。従来のガラス-セラミック材料のいくつかの形態は、「オハラ（Ohara）・ガラス」と呼ばれる。基板は、約２Å〜約１００Å、例えば約５Å〜約２０Åの平均表面粗さＲａを有することができる。本発明で用いられる下地膜は、磁気記録媒体製造に従来用いられてきた種々の材料のいずれか、例えばＣｒ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉのいずれかを含むことができる。下地膜は、適当な方法、例えば化学気相堆積法、物理気相堆積法、スパッタ法のいずれかで堆積できる。下地膜の厚さは、その上に堆積される磁性合金膜の結晶方位に十分に影響するようにすべきであり、特定の条件向きに最適化できる。下地膜の厚さは、約１００Å〜約２０００Å、例えば約５５０Åで十分であることが判明した。本発明の磁性膜は、従来、磁気記録媒体の製造に用いられた何らかの磁性合金を含むことができる。その種の合金には、コバルト-クロム(ＣｏＣｒ)などのＣｏ基合金、コバルト-クロム-タンタル(ＣｏＣｒＴａ)、コバルト-ニッケル-クロム(ＣｏＮｉＣｒ)、コバルト-クロム-プラチナ-タンタル（ＣｏＣｒＰｔＴａ）、コバルト-クロム-プラチナ(ＣｏＣｒＰｔ)、コバルト-ニッケル-プラチナ（ＣｏＮｉＰｔ）、コバルト-ニッケル-クロム-プラチナ（ＣｏＮｉＣｒＰｔ）、コバルト-クロム-プラチナ-ボロン（ＣｏＣｒＰｔＢ）が含まれている。しかし、これらに限定されるものではない。磁性膜の厚さは、磁気記録媒体を製造するさいの従来の慣例に従う。Ｃｏ基合金の場合、適当と判明した膜厚は、約１００Å〜約１０００Å、例えば２００Å 〜５００Åである。本発明により製造された磁気記録媒体は、保磁性が高く、媒体ノイズが著しく低い。本発明によれば、保磁性は１０００〜１００００エルステッド（Ｏｅ）（１Ｏｅ＝１０³／４πＡ／ｍ）、例えば１７００〜３０００エルステッドの範囲に達することが可能である。加えて、磁気記録媒体は、残留磁化と膜厚との積（Ｍｒｔ）が、磁気抵抗媒体の場合は、約０．４〜約３．０ｍｅｍｕ／ｃｍ²、例えば０．６〜１．２ｍｅｍｕ／ｃｍ²であり、誘導性媒体の場合は、約１．８〜約２．８ｍｅｍｕ／ｃｍ²である。従来の磁気記録媒体同様、保護膜は、磁性膜上に適当な方法、例えばスパッタ法により堆積できる。保護膜は、水素化炭素をふくむ炭素、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、窒化炭素（ＣＮ）のいずれかを含むことができる。保護膜は、また下地膜の保護に適当な厚さで設けられている。適当と判明したのは、約５０Å〜約３００Å、例えば１００Å〜２００Åの厚さの保護膜である。従来の磁気記録媒体同様、潤滑剤は、保護膜上に付加できる。潤滑剤の厚さは適当でよい。潤滑剤の厚さとして適当と判明したのは、約５Å〜５０Å、例えば約１０Å〜２０Åである。例本発明の効果を示すために、比較テストを、２つの異なる磁気記録媒体について実施した。これら記録媒体は、同一条件下で、改めて指示するもの以外は、同一の設備を用いて製造されたものである。用いたガラス-セラミック製基板は、平均表面粗さＲａが１０Åであり、この基板上には、順次にＮｉ₃Ｐの種膜、Ｃｒ下地膜、磁性Ｃｏ基合金、炭素保護膜を、スパッタ法によって堆積されている。磁性Ｃｏ基合金は、１５ａｔ．％のＣｒ、１１ａｔ．％のＰｔ、４ａｔ．％のＴａ、残部のＣｏから成っている。Ｎｉ₃Ｐ種膜は約５００Å、Ｃｒ下地膜は約５５Å、磁性Ｃｏ基合金は約２４０Å、炭素の保護膜は約１９０Åの厚さを、それぞれ有している。種膜、下地膜、磁性合金膜は、約１０ｍトルのアルゴン圧下で、スパッタ法により堆積される。Ｎｉ₃Ｐのスパッタ電力密度は１０．３ワット／ｃｍ²、Ｃｒ下地膜のスパッタ電力密度は７．３ワット／ｃｍ²、磁性Ｃｏ基合金のスパッタ電力密度は１３．２ワット／ｃｍ²である。いずれの場合にも、基板のバイアスは使用しなかった。本発明の例である見本１の場合、種膜は酸化させた。他方、（比較）見本２では、種膜を酸化させなかった。この点が、見本１と（比較）見本２との間の、事実上唯一の相違である。高解像度透過電子顕微鏡（ＨＲＴＥＭ）を用いて、見本ｌおよび（比較）見本２の磁性Ｃｏ基合金膜の写真と電子回折パターンが得られた。本発明による見本１の磁性Ｃｏ基合金膜は、双結晶クラスタ微細構造を有しており、他方、（比較）見本２の磁性Ｃｏ基合金は、双結晶クラスタ微細構造を有していない。見本１の双結晶クラスタの平面像の直径は、約１５０Å〜３００Åで測定された。平面像の形状は完全な円形ではないが、クラスタやサブ結晶粒の「直径」という用語は、クラスタやサブ結晶粒の平面像の境界上の最も隔たった２点を結ぶ直線の長さを示すのに用いる。サブ結晶粒の平面像の直径は、約５０Å〜約２００Åである。このような双結晶クラスタは、（比較）見本２には見られない。図４および図５は、見本１および（比較）見本２のＸ線回折曲線である。図４から明らかになる点は、本発明の磁気記録媒体は、（２００）結晶方位を有するＣｒ下地膜と、その上の、双結晶クラスタ微細構造を有する磁性Ｃｏ基合金膜とを含む点である。図４に示された双結晶クラスタ媒体のＸ線回折パターンに見られるＣｒピークのみが、（２００）である。（１１０）Ｃｒピークは視認できない。しかし、図５から明らかなように、磁性Ｃｏ基合金膜が双結晶クラスタ微細構造を有していない（比較）見本２の場合、Ｃｒ下地膜は、（１１０）の結晶方位を示している。本発明の利点は、図６から明らかである。図６は、見本１および（比較）見本２の、信号および交流（ＡＣ）消磁されたノイズスペクトルの比較を示したものである。この測定は、ＨＰ３５８８Ａスペクトル分析器とグジック（Ｇｕｚｉｋ）３１２スピンスタンドを使用し、誘導書込みヘッドと磁気抵抗（ＭＲ）プレイバックヘッドを用いて、３０．４ＭＨｚで行った。見本１は、双結晶クラスタ微細構造を有するが、（比較）見本２は、双結晶クラスタ微細構造を有していない。双方の見本の、基板の表面組織に起因する狭帯域ノイズと、信号出力とは、基本的に等しい。だが、媒体過渡（transition）ノイズは、著しく異なっている。見本１と見本２との信号／媒体ノイズ比（ＳＮＲ）は、それぞれ２０．２ｄＢと１５．２ｄＢである。このように、本発明による見本lでは、ＳＮＲが５ｄＢだけ改善され、この改善が、性能面での７８％の改善に反映されている。比較テストを行う場合、見本１のＮｉ₃Ｐ種膜、Ｃｒ下地膜、磁性Ｃｏ基合金膜、炭素保護膜の堆積条件、例えばターゲットの出力、アルゴン圧、パレット移動速度は、堆積温度を除いて、（比較）見本２の場合とそれぞれ同じである。双方の見本は、類似の保磁性（Ｈｃ）および残留磁化と膜厚との積（Ｍｒｔ）を有している。基板温度は、各見本に類似の保磁性が得られるように調節されていることから、差は僅かである。（比較）見本２のＣｒ下地膜は、新たに堆積されたＮｉ₃Ｐ種膜上に成長させた。他方、本発明の例である見本１では、Ｎｉ₃Ｐ種膜の表面が酸化されている。酸化は、約１００℃の温度で、約１分間、約１０ｍトルのアルゴン約８０％および酸素約２０％の雰囲気内で行った。表１は、残留磁気モーメント磁力計（ＲＭＭ）を用いて測定した、見本１および（比較）見本２の磁気特性を示したものである。表１見本Ｈｃｒ（エルステッド）Ｍｒｔ（ｍｅｍｕ／ｃｍ²）見本１２３９５０．８０見本２２４４００．７９両見本とも、同じ磁性Ｃｏ基合金膜を含み、類似の保磁性およびＭｒｔを有しているが、見本１は、（比較）見本２に対し、信号／媒体ノイズ比が５ｄＢ改善されている。これら両媒体の媒体ノイズの差は、磁性Ｃｏ基合金膜の微細構造に帰し得るものである。双結晶クラスタ微細構造を有する磁性Ｃｏ基合金膜の媒体ノイズは、双結晶クラスタ微細構造を有さない同じ磁性Ｃｏ基合金膜に比して、有意に低減されている。本発明は、以上に開示した具体例または使用された特定材料に限定されるものではない。本発明の磁気記録媒体は、異なる種類のガラスまたはガラス-セラミック製基板のいずれか、異なる磁性Ｃｏ基合金膜を含む異なる種類の磁性合金膜のいずれかを含むことができる。本発明の磁気記録媒体の下地膜は、Ｃｒに限定されるものではなく、立方多結晶構造を有する金属を含む他の種々の材料、例えばＣｒＶまたはＣｒＴｉを含むことができる。本発明の磁気記録媒体は、種々の用途に利用でき、特に長さ方向トラックでの記録用の磁気ハードディスク等の、高密度が要求される用途に利用できる。以上、本発明の一実施例および本発明の多くの面の少数例のみを説明した。本発明は、種々の他の組合わせ及び環境において使用可能であり、かつまた本明細書に記載された発明概念の枠内で変形や変更態様が可能であることを理解すべきである。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】平成９年１２月１２日（１９９７．１２．１２）【補正内容】請求の範囲１．磁気記録媒体において、ガラスまたはガラス-セラミック材料を含む基板と、該基板上の種膜と、該種膜上の（２００）結晶方位を有する下地膜と、該下地膜上の磁性膜とを含み、しかも、該磁性膜が双結晶クラスタ微細構造を含んでいる磁気記録媒体。２．下地膜に隣接する種膜の表面に粗さが与えられている請求項１に記載された磁気記録媒体。３．下地膜に隣接する種膜の表面が酸化されている請求項２に記載された磁気記録媒体。４．下地膜に隣接する種膜の表面に、エッチングによって粗さが与えられている請求項２に記載された磁気記録媒体。５．Ｃｒ（２００）ピークのピーク強度とＣｒ（１１０）ピークのピーク強度との比が、Ｘ線回折計（ＸＲＤ）を用いシータ-２シータモードで測定して、１０より小さい値である請求項１に記載された磁気記録媒体。６．種膜が、Ｎｉ₃Ｐ、ＮｉＰ、Ｔａから成る群から選択された材料を含んでいる請求項１に記載された磁気記録媒体。７．種膜が、約２００Å〜約２０００Åの膜厚を有している請求項６に記載された磁気記録媒体。８．種膜の膜厚が約５００Åである請求項７に記載された記録媒体。９．基板が、約２Å〜約１００Åの平均表面粗さＲａを有している請求項１に記載された磁気記録媒体。１０．平均表面粗さＲａが約５Å〜約２０Åである請求項９に記載された磁気記録媒体。１１．下地膜がＣｒ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉのいずれかを含んでいる請求項１に記載された磁気記録媒体。１２．下地膜の膜厚が約１００Å〜約２０００Åである請求項１１に記載された磁気記録媒体。１３．下地膜の膜厚が約５５０Åである請求項１２に記載された磁気記録媒体。１４．磁性膜がＣｏ基合金を含んでいる請求項１に記載された磁気記録媒体。１５．Ｃｏ基合金が、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢから成る群から選択されている請求項１４に記載された磁気記録媒体。１６．磁性膜の膜厚が、約１００Å〜約１０００Åである請求項１４に記載された磁気記録媒体。１７．磁性膜の膜厚が、約２００Å〜約５００Åである請求項１６に記載された磁気記録媒体。１８．磁性膜が、約１０００エルステッド（Ｏｅ）〜約１００００エルステッドの保磁性を有している請求項１に記載された磁気記録媒体。１９．保磁性が、約１７００エルステッド〜約３０００エルステッドである請求項１８に記載された磁気記録媒体。２０．残留磁化と膜厚との積（Ｍｒｔ）が約０．４〜３．０ｍｅｍｕ／ｃｍ² である請求項１に記載された磁気記録媒体。２１．媒体が磁気抵抗媒体であり、残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔが、約０．６〜約１．２ｍｅｍｕ／ｃｍ²である請求項２０に記載された磁気記録媒体。２２．媒体が、誘導媒体であり、残留磁気と膜厚Ｍｒｔとの積が約１．８〜２．８ｍｅｍｕ／ｃｍ²である請求項２０に記載された磁気記録媒体。２３．さらに磁性膜上に保護膜を有している請求項１に記載された磁気記録媒体。２４．保護膜がスパッタ法により堆積されている請求項２３に記載された磁気記録媒体。２５．保護膜が、炭素、ＳｉＣ、ＺｒＯ₂、ＣＮから成る群から選択された材料を含んでいる請求項２３に記載された磁気記録媒体。２６．保護膜の膜厚が約５０Å〜約３００Åである請求項２３に記載された磁気記録媒体。２７．保護膜の膜厚が約１００Å〜約２００Åである請求項２６に記載された磁気記録媒体。２８．さらに、保護膜上に約５Å〜約５０Åの厚さの潤滑膜を含んでいる請求項２３に記載された磁気記録媒体。２９．潤滑膜の膜厚が約１０Å〜約２０Åである請求項２８に記載された磁気記録媒体。３０．媒体が薄膜磁気記録ディスクである請求項１に記載された磁気記録媒体。３１．長さ方向での記録用である請求項３０に記載された磁気記録媒体。３２．種膜がスパッタ法により堆積されている請求項１に記載された磁気記録媒体。３３．磁性膜がスパッタ法により堆積されている請求項１に記載された磁気記録媒体。３４．１２７ＫＦＣＩで測定して約１５ｄＢを超える信号／ノイズ比を有する請求項１に記載された磁気記録媒体。３５．１２７ＫＦＣＩで測定して約２０ｄＢを超える信号／ノイズ比を有する請求項３４に記載された磁気記録媒体。３６．磁気記録媒体において、ガラスまたはガラス-セラミック材料を含む基板と、該基板上の、表面を酸化された種膜と、該種膜上に（２００）結晶方位を有する下地膜と該下地膜上の磁性膜とを含んでおり、しかも、該磁性膜が双結晶クラスタ微細構造を含み、かつまた磁気記録媒体が、１２７ＫＦＣＩで測定して約１５ｄＢを超える信号／ノイズ比を有している磁気記録媒体。３７．下地膜がＣｒ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉのいずれかを含む請求項３６に記載された磁気記録媒体。３８．種膜がＮｉ₃Ｐ、ＮｉＰ、Ｔａから成る群から選択された材料を含んでいる請求項３６に記載された磁気記録媒体。３９．１２７ＫＦＣＩで測定して約２０ｄＢを超える信号／ノイズ比を有している請求項３６に記載された磁気記録媒体。４０．磁気記録媒体において、ガラスまたはガラス-セラミック材料を含む基板と、該基板上の表面が酸化された種膜と、該種膜上の（２００）結晶方位を有する下地膜と、該下地膜上の磁性膜とを含み、しかも、該磁性膜が双結晶クラスタ微細構造を含み、種膜が、Ｎｉ₃Ｐ、ＮｉＰ、Ｔａから成る群から選択された材料を含んでいる磁気記録媒体。【手続補正書】【提出日】平成１２年２月２９日（２０００．２．２９）【補正内容】請求の範囲１．磁気記録媒体において、ガラスまたはガラス-セラミック材料を含む基板と、該基板上の種膜と、該種膜上の（２００）結晶方位を有する下地膜と、該下地膜上の磁性膜とを含み、しかも、該磁性膜が双結晶クラスタ微細構造を含んでいる磁気記録媒体。２．下地膜に隣接する種膜の表面に粗さが与えられている請求項１に記載された磁気記録媒体。３．下地膜に隣接する種膜の表面が酸化されている請求項２に記載された磁気記録媒体。４．下地膜に隣接する種膜の表面に、エッチングによって粗さが与えられている請求項２に記載された磁気記録媒体。５．種膜が、Ｎｉ₃Ｐ、ＮｉＰ、Ｔａから成る群から選択された材料を含んでいる請求項１に記載された磁気記録媒体。６．種膜が、約２００Å〜約２０００Åの膜厚を有している請求項５に記載された磁気記録媒体。７．種膜の膜厚が約５００Åである請求項６に記載された記録媒体。８．基板が、約２Å〜約１００Åの平均表面粗さＲａを有している請求項１に記載された磁気記録媒体。９．平均表面粗さＲａが約５Å〜約２０Åである請求項８に記載された磁気記録媒体。１０．下地膜がＣｒ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉのいずれかを含んでいる請求項１に記載された磁気記録媒体。１１．下地膜の膜厚が約１００Å〜約２０００Åである請求項１０に記載された磁気記録媒体。１２．残留磁化と膜厚との積（Ｍｒｔ）が約０．４〜３．０ｍｅｍｕ／ｃｍ² である請求項１に記載された磁気記録媒体。１３．媒体が磁気抵抗媒体であり、残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔが、約０．６〜約１．２ｍｅｍｕ／ｃｍ²である請求項１２に記載された磁気記録媒体。１４．媒体が、誘導媒体であり、残留磁気と膜厚Ｍｒｔとの積が約１．８〜２．８ｍｅｍｕ／ｃｍ²である請求項１２に記載された磁気記録媒体。１５．１２７ＫＦＣＩで測定して約１５ｄＢを超える信号／ノイズ比を有する請求項１に記載された磁気記録媒体。１６．１２７ＫＦＣＩで測定して約２０ｄＢを超える信号／ノイズ比を有する請求項１５に記載された磁気記録媒体。１７．磁気記録媒体において、ガラスまたはガラス-セラミック材料を含む基板と、該基板上の、表面を酸化された種膜と、該種膜上の（２００）結晶方位を有する下地膜と該下地膜上の磁性膜とを含んでおり、しかも、該磁性膜が双結晶クラスタ微細構造を含み、かつまた磁気記録媒体が、１２７ＫＦＣＩで測定して約１５ｄＢを超える信号／ノイズ比を有している磁気記録媒体。１８．下地膜がＣｒ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉのいずれかを含む請求項１７に記載された磁気記録媒体。１９．種膜がＮｉ₃Ｐ、ＮｉＰ、Ｔａから成る群から選択された材料を含んでいる請求項１７に記載された磁気記録媒体。２０．１２７ＫＦＣＩで測定して約２０ｄＢを超える信号／ノイズ比を有している請求項１７に記載された磁気記録媒体。

Claims

【特許請求の範囲】１．磁気記録媒体において、ガラスまたはガラス-セラミック材料を含む基板と、該基板上の種膜と、該種膜上の下地膜と、該下地膜上の磁性膜とを含み、しかも、該磁性膜が双結晶クラスタ微細構造を含んでいる磁気記録媒体。２．下地膜に隣接する種膜の表面に粗さが与えられている請求項１に記載された磁気記録媒体。３．下地膜に隣接する種膜の表面が酸化されている請求項２に記載された磁気記録媒体。４．下地膜に隣接する種膜の表面に、エッチングによって粗さが与えられている請求項２に記載された磁気記録媒体。５．下地膜が（２００）結晶方位を有している請求項１に記載された磁気記録媒体。６．Ｃｒ（２００）ピークのピーク強度とＣｒ（１１０）ピークのピーク強度との比が、Ｘ線回折計（ＸＲＤ）を用いシータ-２シータモードで測定して、１０より小さい値である請求項５に記載された磁気記録媒体。７．種膜が、Ｎｉ₃Ｐ、ＮｉＰ、Ｔａから成る群から選択された材料を含んでいる請求項１に記載された磁気記録媒体。８．種膜が、約２００Å〜約２０００Åの膜厚を有している請求項７に記載された磁気記録媒体。９．種膜の膜厚が約５００Åである請求項８に記載された記録媒体。１０．基板が、約２Å〜約１００Åの平均表面粗さＲａを有している請求項１に記載された磁気記録媒体。１１．平均表面粗さＲａが約５Å〜約２０Åである請求項１０に記載された磁気記録媒体。１２．下地膜がＣｒ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉのいずれかを含んでいる請求項１に記載された磁気記録媒体。１３．下地膜の膜厚が約１００Å〜約２０００Åである請求項１２に記載された磁気記録媒体。１４．下地膜の膜厚が約５５０Åである請求項１３に記載された磁気記録媒体。１５．磁性膜がＣｏ基合金を含んでいる請求項１に記載された磁気記録媒体。１６．Ｃｏ基合金が、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢから成る群から選択されている請求項１５に記載された磁気記録媒体。１７．磁性膜の膜厚が、約１００Å〜約１０００Åである請求項１５に記載された磁気記録媒体。１８．磁性膜の膜厚が、約２００Å〜約５００Åである請求項１７に記載された磁気記録媒体。１９．磁性膜が、約１０００エルステッド（Ｏｅ）〜約１００００エルステッドの保磁性を有している請求項１に記載された磁気記録媒体。２０．保磁性が、約１７００エルステッド〜約３０００エルステッドである請求項１９に記載された磁気記録媒体。２１．残留磁化と膜厚との積（Ｍｒｔ）が約０．４〜３．０ｍｅｍｕ／ｃｍ² である請求項１に記載された磁気記録媒体。２２．媒体が磁気抵抗媒体であり、残留磁化と膜厚との積Ｍｒｔが、約０. ６〜約１．２ｍｅｍｕ／ｃｍ²である請求項２１に記載された磁気記録媒体。２３．媒体が、誘導媒体であり、残留磁気と膜厚Ｍｒｔとの積が約１．８〜２．８ｍｅｍｕ／ｃｍ²である請求項２１に記載された磁気記録媒体。２４．さらに磁性膜上に保護膜を有している請求項１に記載された磁気記録媒体。２５．保護膜がスパッタ法により堆積されている請求項２４に記載された磁気記録媒体。２６．保護膜が、炭素、ＳｉＣ、ＺｒＯ₂、ＣＮから成る群から選択された材料を含んでいる請求項２４に記載された磁気記録媒体。２７．保護膜の膜厚が約５０Å〜約３００Åである請求項２４に記載された磁気記録媒体。２８．保護膜の膜厚が約１００Å〜約２００Åである請求項２７に記載された磁気記録媒体。２９．さらに、保護膜上に約５Å〜約５０Åの厚さの潤滑膜を含んでいる請求項２４に記載された磁気記録媒体。３０．潤滑膜の膜厚が約１０Å〜約２０Åである請求項２９に記載された磁気記録媒体。３１．媒体が薄膜磁気記録ディスクである請求項１に記載された磁気記録媒体。３２．長さ方向での記録用である請求項３１に記載された磁気記録媒体。３３．種膜がスパッタ法により堆積されている請求項１に記載された磁気記録媒体。３４．磁性膜がスパッタ法により堆積されている請求項１に記載された磁気記録媒体。３５．１２７ＫＦＣＩで測定して約１５ｄＢを超える信号／ノイズ比を有する請求項１に記載された磁気記録媒体。３６．１２７ＫＦＣＩで測定して約２０ｄＢを超える信号／ノイズ比を有する請求項３５に記載された磁気記録媒体。３７．磁気記録媒体において、ガラスまたはガラス-セラミック材料を含む基板と、該基板上の、表面を酸化された種膜と、該種膜上に（２００）結晶方位を有する下地膜と該下地膜上の磁性膜とを含んでおり、しかも、該磁性膜が双結晶クラスタ微細構造を含み、かつまた磁気記録媒体が、１２７ＫＦＣＩで測定して約１５ｄＢを超える信号／ノイズ比を有している磁気記録媒体。３８．下地膜がＣｒ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉのいずれかを含む請求項３７に記載された磁気記録媒体。３９．種膜がＮｉ₃Ｐ、ＮｉＰ、Ｔａから成る群から選択された材料を含んでいる請求項３７に記載された磁気記録媒体。４０．１２７ＫＦＣＩで測定して約２０ｄＢを超える信号／ノイズ比を有している請求項３７に記載された磁気記録媒体。