JP2001069755A - スイッチング電源回路 - Google Patents
スイッチング電源回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 負荷、交流入力電圧変動に対して実使用条件
に対応できるだけの力率を維持する。また、リップル成
分の抑制を図る。 【解決手段】 複合共振形コンバータの力率改善回路1
0として磁気結合トランスMCTを備える。そして、こ
の磁気結合トランスMCTにより一次側スイッチング出
力を整流電流経路に電力帰還することで、高速リカバリ
型ダイオードD1により整流電流を断続させて力率改善
を図るようにするが、磁気結合トランスMCTにおいて
は、一次側インダクタンスよりも二次側インダクタンス
が大きくなるようにしていることで、直流入力電圧が上
昇される結果、負荷、交流入力電圧変動に対する力率の
変動と、リップル電圧レベルが抑制される。
に対応できるだけの力率を維持する。また、リップル成
分の抑制を図る。 【解決手段】 複合共振形コンバータの力率改善回路1
0として磁気結合トランスMCTを備える。そして、こ
の磁気結合トランスMCTにより一次側スイッチング出
力を整流電流経路に電力帰還することで、高速リカバリ
型ダイオードD1により整流電流を断続させて力率改善
を図るようにするが、磁気結合トランスMCTにおいて
は、一次側インダクタンスよりも二次側インダクタンス
が大きくなるようにしていることで、直流入力電圧が上
昇される結果、負荷、交流入力電圧変動に対する力率の
変動と、リップル電圧レベルが抑制される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、力率改善回路を備
えたスイッチング電源回路に関するものである。
えたスイッチング電源回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】先に本出願人は、一次側に共振形コンバ
ータを備えた電源回路を各種提案している。また、共振
形コンバータに対して力率改善を図るための力率改善回
路を備えて構成した電源回路も各種提案している。
ータを備えた電源回路を各種提案している。また、共振
形コンバータに対して力率改善を図るための力率改善回
路を備えて構成した電源回路も各種提案している。
【0003】図12は、先に本出願人により出願された
発明に基づいて構成されるスイッチング電源回路の一例
を示す回路図である。この電源回路は自励式による電流
共振形のスイッチングコンバータに対して力率改善のた
めの力率改善回路が設けられた構成とされている。
発明に基づいて構成されるスイッチング電源回路の一例
を示す回路図である。この電源回路は自励式による電流
共振形のスイッチングコンバータに対して力率改善のた
めの力率改善回路が設けられた構成とされている。
【0004】この図に示す電源回路においては、商用交
流電源ACを全波整流するブリッジ整流回路Diが備え
られている。この場合、ブリッジ整流回路Diにより整
流された整流出力は、力率改善回路20を介して平滑コ
ンデンサCiに充電され、平滑コンデンサCiの両端に
は、交流入力電圧VACの1倍のレベルに対応する整流平
滑電圧Eiが得られることになる。また、この整流平滑
回路(Di,Ci)に対しては、その整流電流経路に対
して突入電流制限抵抗Riが挿入されており、例えば電
源投入時に平滑コンデンサに流入する突入電流を抑制す
るようにしている。
流電源ACを全波整流するブリッジ整流回路Diが備え
られている。この場合、ブリッジ整流回路Diにより整
流された整流出力は、力率改善回路20を介して平滑コ
ンデンサCiに充電され、平滑コンデンサCiの両端に
は、交流入力電圧VACの1倍のレベルに対応する整流平
滑電圧Eiが得られることになる。また、この整流平滑
回路(Di,Ci)に対しては、その整流電流経路に対
して突入電流制限抵抗Riが挿入されており、例えば電
源投入時に平滑コンデンサに流入する突入電流を抑制す
るようにしている。
【0005】この図に示す力率改善回路20において
は、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデ
ンサCiの正極端子間に対して、フィルタチョークコイ
ルLN−高速リカバリ型ダイオードD1 −チョークコイ
ルLS が直列接続されて挿入される。フィルタコンデン
サCN は高速リカバリ型ダイオードD1 のアノード側と
平滑コンデンサCiの正極端子間に対して挿入されるこ
とで、フィルタチョークコイルLN と共にノーマルモー
ドのローパスフィルタを形成している。
は、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデ
ンサCiの正極端子間に対して、フィルタチョークコイ
ルLN−高速リカバリ型ダイオードD1 −チョークコイ
ルLS が直列接続されて挿入される。フィルタコンデン
サCN は高速リカバリ型ダイオードD1 のアノード側と
平滑コンデンサCiの正極端子間に対して挿入されるこ
とで、フィルタチョークコイルLN と共にノーマルモー
ドのローパスフィルタを形成している。
【0006】また、力率改善回路20に対しては、高速
リカバリ型ダイオードD1 のカソードとチョークコイル
LSの接続点に対して、後述する一次側の直列共振回路
の端部が接続されて、この直列共振回路に得られるスイ
ッチング出力が帰還されるようにしている。なお、力率
改善回路20による力率改善動作については後述する。
リカバリ型ダイオードD1 のカソードとチョークコイル
LSの接続点に対して、後述する一次側の直列共振回路
の端部が接続されて、この直列共振回路に得られるスイ
ッチング出力が帰還されるようにしている。なお、力率
改善回路20による力率改善動作については後述する。
【0007】この電源回路には、平滑コンデンサCiの
両端電圧である整流平滑電圧Eiを動作電源とする自励
式の電流共振形コンバータが備えられる。この電流共振
形コンバータにおいては、図のように2つのバイポーラ
トランジスタによるスイッチング素子Q1 、Q2 をハー
フブリッジ結合したうえで、平滑コンデンサCiの正極
側の接続点とアース間に対して挿入するようにして接続
されている。これらスイッチング素子Q1 、Q2 の各コ
レクタ−ベース間には、それぞれ起動抵抗RS1、RS2が
挿入されている。また、スイッチング素子Q1 、Q2 の
各ベースに対して接続される抵抗RB1、RB2は、スイッ
チング素子Q1 、Q2 のベース電流(ドライブ電流)を
設定する。また、スイッチング素子Q1 、Q2 の各ベー
ス−エミッタ間にはそれぞれクランプダイオードDD1,
DD2が挿入される。クランプダイオードDD1,DD2は、
それぞれスイッチング素子Q1,Q2がオフとされる期間
に、ベース−エミッタを介して流れるクランプ電流の電
流経路を形成する。そして、共振用コンデンサCB1,C
B2は次に説明するドライブトランスPRTの駆動巻線N
B1、NB2と共に、自励発振用の直列共振回路(自励発振
駆動回路)を形成しており、スイッチング素子Q1 、Q
2 のスイッチング周波数を決定する。
両端電圧である整流平滑電圧Eiを動作電源とする自励
式の電流共振形コンバータが備えられる。この電流共振
形コンバータにおいては、図のように2つのバイポーラ
トランジスタによるスイッチング素子Q1 、Q2 をハー
フブリッジ結合したうえで、平滑コンデンサCiの正極
側の接続点とアース間に対して挿入するようにして接続
されている。これらスイッチング素子Q1 、Q2 の各コ
レクタ−ベース間には、それぞれ起動抵抗RS1、RS2が
挿入されている。また、スイッチング素子Q1 、Q2 の
各ベースに対して接続される抵抗RB1、RB2は、スイッ
チング素子Q1 、Q2 のベース電流(ドライブ電流)を
設定する。また、スイッチング素子Q1 、Q2 の各ベー
ス−エミッタ間にはそれぞれクランプダイオードDD1,
DD2が挿入される。クランプダイオードDD1,DD2は、
それぞれスイッチング素子Q1,Q2がオフとされる期間
に、ベース−エミッタを介して流れるクランプ電流の電
流経路を形成する。そして、共振用コンデンサCB1,C
B2は次に説明するドライブトランスPRTの駆動巻線N
B1、NB2と共に、自励発振用の直列共振回路(自励発振
駆動回路)を形成しており、スイッチング素子Q1 、Q
2 のスイッチング周波数を決定する。
【0008】ドライブトランスPRT (Power Regulati
ng Transformer)はスイッチング素子Q1 、Q2 を駆動
すると共に、スイッチング周波数を可変制御することに
より定電圧制御を行うために設けられるもので、この図
の場合には駆動巻線NB1、NB2及び共振電流検出巻線N
D が巻回され、更にこれらの各巻線に対して制御巻線N
C が直交する方向に巻回された直交型の可飽和リアクト
ルとされている。このドライブトランスPRTの駆動巻
線NB1の一端は、抵抗RB1−共振用コンデンサCB1の直
列接続を介してスイッチング素子Q1 のベースに接続さ
れ、他端はスイッチング素子Q1 のエミッタに接続され
る。また、駆動巻線NB2の一端はアースに接地されると
共に、他端は抵抗RB2−共振用コンデンサCB2の直列接
続を介してスイッチング素子Q2 のベースと接続されて
いる。駆動巻線NB1と駆動巻線NB2は互いに逆極性の電
圧が発生するように巻装されている。
ng Transformer)はスイッチング素子Q1 、Q2 を駆動
すると共に、スイッチング周波数を可変制御することに
より定電圧制御を行うために設けられるもので、この図
の場合には駆動巻線NB1、NB2及び共振電流検出巻線N
D が巻回され、更にこれらの各巻線に対して制御巻線N
C が直交する方向に巻回された直交型の可飽和リアクト
ルとされている。このドライブトランスPRTの駆動巻
線NB1の一端は、抵抗RB1−共振用コンデンサCB1の直
列接続を介してスイッチング素子Q1 のベースに接続さ
れ、他端はスイッチング素子Q1 のエミッタに接続され
る。また、駆動巻線NB2の一端はアースに接地されると
共に、他端は抵抗RB2−共振用コンデンサCB2の直列接
続を介してスイッチング素子Q2 のベースと接続されて
いる。駆動巻線NB1と駆動巻線NB2は互いに逆極性の電
圧が発生するように巻装されている。
【0009】絶縁コンバータトランスPIT (Power Is
olation Transformer)は、スイッチング素子Q1 、Q2
のスイッチング出力を二次側に伝送する。この絶縁コン
バータトランスPITの一次巻線N1 の一端は、共振電
流検出巻線ND を介してスイッチング素子Q1 のエミッ
タとスイッチング素子Q2 のコレクタの接点(スイッチ
ング出力点)に接続されることで、スイッチング出力が
得られるようにされる。
olation Transformer)は、スイッチング素子Q1 、Q2
のスイッチング出力を二次側に伝送する。この絶縁コン
バータトランスPITの一次巻線N1 の一端は、共振電
流検出巻線ND を介してスイッチング素子Q1 のエミッ
タとスイッチング素子Q2 のコレクタの接点(スイッチ
ング出力点)に接続されることで、スイッチング出力が
得られるようにされる。
【0010】また、一次巻線N1 の他端は、直列共振コ
ンデンサC1 を介するようにして、力率改善回路20内
の高速リカバリ型ダイオードD1 のカソードとチョーク
コイルLS の接続点に対して接続されている。
ンデンサC1 を介するようにして、力率改善回路20内
の高速リカバリ型ダイオードD1 のカソードとチョーク
コイルLS の接続点に対して接続されている。
【0011】この場合、上記直列共振コンデンサC1 及
び一次巻線N1 は直列に接続されているが、この直列共
振コンデンサC1 のキャパシタンス及び一次巻線N1
(直列共振巻線)を含む絶縁コンバータトランスPIT
の漏洩インダクタンス(リーケージインダクタンス)成
分により、スイッチングコンバータの動作を電流共振形
とするための一次側直列共振回路を形成している。
び一次巻線N1 は直列に接続されているが、この直列共
振コンデンサC1 のキャパシタンス及び一次巻線N1
(直列共振巻線)を含む絶縁コンバータトランスPIT
の漏洩インダクタンス(リーケージインダクタンス)成
分により、スイッチングコンバータの動作を電流共振形
とするための一次側直列共振回路を形成している。
【0012】また、この図における絶縁コンバータトラ
ンスPITの二次側では、二次巻線N2に対してセンタ
ータップを設けた上で、整流ダイオードDO1,DO2,D
O3,DO4及び平滑コンデンサCO1,CO2を図のように接
続することで、[整流ダイオードDO1,DO2,平滑コン
デンサCO1]の組と、[整流ダイオードDO3,DO4,平
滑コンデンサCO2]の組とによる、2組の全波整流回路
が設けられる。[整流ダイオードDO1,DO2,平滑コン
デンサCO1]から成る全波整流回路は直流出力電圧EO1
を生成し、[整流ダイオードDO3,DO4,平滑コンデン
サCO2]から成る全波整流回路は直流出力電圧EO2を生
成する。なお、この場合には、直流出力電圧EO1及び直
流出力電圧EO2は制御回路1に対しても分岐して入力さ
れる。制御回路1においては、直流出力電圧EO1を検出
電圧として利用し、直流出力電圧EO2を制御回路1の動
作電源として利用する。
ンスPITの二次側では、二次巻線N2に対してセンタ
ータップを設けた上で、整流ダイオードDO1,DO2,D
O3,DO4及び平滑コンデンサCO1,CO2を図のように接
続することで、[整流ダイオードDO1,DO2,平滑コン
デンサCO1]の組と、[整流ダイオードDO3,DO4,平
滑コンデンサCO2]の組とによる、2組の全波整流回路
が設けられる。[整流ダイオードDO1,DO2,平滑コン
デンサCO1]から成る全波整流回路は直流出力電圧EO1
を生成し、[整流ダイオードDO3,DO4,平滑コンデン
サCO2]から成る全波整流回路は直流出力電圧EO2を生
成する。なお、この場合には、直流出力電圧EO1及び直
流出力電圧EO2は制御回路1に対しても分岐して入力さ
れる。制御回路1においては、直流出力電圧EO1を検出
電圧として利用し、直流出力電圧EO2を制御回路1の動
作電源として利用する。
【0013】制御回路1は、例えば二次側の直流電圧出
力EO1のレベルに応じてそのレベルが可変される直流電
流を、制御電流としてドライブトランスPRTの制御巻
線NC に供給することにより後述するようにして定電圧
制御を行う。
力EO1のレベルに応じてそのレベルが可変される直流電
流を、制御電流としてドライブトランスPRTの制御巻
線NC に供給することにより後述するようにして定電圧
制御を行う。
【0014】上記構成による電源回路のスイッチング動
作としては、先ず商用交流電源が投入されると、例えば
起動抵抗RS1、RS2を介してスイッチング素子Q1 、Q
2 のベースに起動電流が供給されることになるが、例え
ばスイッチング素子Q1 が先にオンとなったとすれば、
スイッチング素子Q2 はオフとなるように制御される。
そしてスイッチング素子Q1 の出力として、共振電流検
出巻線ND →一次巻線N1 →直列共振コンデンサC1 に
共振電流が流れるが、この共振電流が0となる近傍でス
イッチング素子Q2 がオン、スイッチング素子Q1 がオ
フとなるように制御される。そして、スイッチング素子
Q2 を介して先とは逆方向の共振電流が流れる。以降、
スイッチング素子Q1 、Q2 が交互にオンとなる自励式
のスイッチング動作が開始される。このように、平滑コ
ンデンサCiの端子電圧を動作電源としてスイッチング
素子Q1 、Q2 が交互に開閉を繰り返すことによって、
絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1 に共振電
流波形に近いドライブ電流を供給し、二次巻線N2に交
番出力を得る。
作としては、先ず商用交流電源が投入されると、例えば
起動抵抗RS1、RS2を介してスイッチング素子Q1 、Q
2 のベースに起動電流が供給されることになるが、例え
ばスイッチング素子Q1 が先にオンとなったとすれば、
スイッチング素子Q2 はオフとなるように制御される。
そしてスイッチング素子Q1 の出力として、共振電流検
出巻線ND →一次巻線N1 →直列共振コンデンサC1 に
共振電流が流れるが、この共振電流が0となる近傍でス
イッチング素子Q2 がオン、スイッチング素子Q1 がオ
フとなるように制御される。そして、スイッチング素子
Q2 を介して先とは逆方向の共振電流が流れる。以降、
スイッチング素子Q1 、Q2 が交互にオンとなる自励式
のスイッチング動作が開始される。このように、平滑コ
ンデンサCiの端子電圧を動作電源としてスイッチング
素子Q1 、Q2 が交互に開閉を繰り返すことによって、
絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1 に共振電
流波形に近いドライブ電流を供給し、二次巻線N2に交
番出力を得る。
【0015】また、ドライブトランスPRTによる定電
圧制御は次のようにして行われる。例えば、交流入力電
圧レベルや負荷変動等に伴って二次側出力電圧EO1 が
上昇するように変動したとすると、前述のように制御巻
線NC に流れる制御電流のレベルも二次側出力電圧EO1
の上昇に応じて高くなるように制御される。この制御
電流によりドライブトランスPRTに発生する磁束の影
響で、ドライブトランスPRTにおいては飽和状態に近
付く傾向となって、駆動巻線NB1,NB2のインダクタン
スを低下させるように作用するが、これにより自励発振
回路の条件が変化してスイッチング周波数は高くなるよ
うに制御される。この電源回路では、直列共振コンデン
サC1 及び一次巻線N1 の直列共振回路の共振周波数よ
りも高い周波数領域でスイッチング周波数を設定してい
る(アッパーサイド制御)が、上記のようにしてスイッ
チング周波数が高くなると、直列共振回路の共振周波数
に対してスイッチング周波数が離れていくことになる。
これにより、スイッチング出力に対する直列共振回路の
共振インピーダンスは高くなる。
圧制御は次のようにして行われる。例えば、交流入力電
圧レベルや負荷変動等に伴って二次側出力電圧EO1 が
上昇するように変動したとすると、前述のように制御巻
線NC に流れる制御電流のレベルも二次側出力電圧EO1
の上昇に応じて高くなるように制御される。この制御
電流によりドライブトランスPRTに発生する磁束の影
響で、ドライブトランスPRTにおいては飽和状態に近
付く傾向となって、駆動巻線NB1,NB2のインダクタン
スを低下させるように作用するが、これにより自励発振
回路の条件が変化してスイッチング周波数は高くなるよ
うに制御される。この電源回路では、直列共振コンデン
サC1 及び一次巻線N1 の直列共振回路の共振周波数よ
りも高い周波数領域でスイッチング周波数を設定してい
る(アッパーサイド制御)が、上記のようにしてスイッ
チング周波数が高くなると、直列共振回路の共振周波数
に対してスイッチング周波数が離れていくことになる。
これにより、スイッチング出力に対する直列共振回路の
共振インピーダンスは高くなる。
【0016】このようにして共振インピーダンスが高く
なることで、一次側直列共振回路の一次巻線N1 に供給
されるドライブ電流が抑制される結果、二次側出力電圧
が抑制されることになって、定電圧制御が図られること
になる。なお、以降は上記のような方法による定電圧制
御方式を「スイッチング周波数制御方式」ということに
する。
なることで、一次側直列共振回路の一次巻線N1 に供給
されるドライブ電流が抑制される結果、二次側出力電圧
が抑制されることになって、定電圧制御が図られること
になる。なお、以降は上記のような方法による定電圧制
御方式を「スイッチング周波数制御方式」ということに
する。
【0017】また、力率改善回路20による力率改善動
作は次のようになる。この図に示す力率改善回路20の
構成では、直列共振回路(N1,C1)に供給されたスイ
ッチング出力をチョークコイルLS 自体が有するとされ
る誘導性リアクタンス(磁気結合)を介して整流電流経
路に帰還するようにされる。
作は次のようになる。この図に示す力率改善回路20の
構成では、直列共振回路(N1,C1)に供給されたスイ
ッチング出力をチョークコイルLS 自体が有するとされ
る誘導性リアクタンス(磁気結合)を介して整流電流経
路に帰還するようにされる。
【0018】上記のようにして帰還されたスイッチング
出力により、整流電流経路にはスイッチング周期の交番
電圧が重畳されることになるが、このスイッチング周期
の交番電圧の重畳分によって、高速リカバリ型ダイオー
ドD1 では整流電流をスイッチング周期で断続する動作
が得られることになり、この断続作用により見掛け上の
フィルタチョークコイルLN,チョークコイルLS のイ
ンダクタンスも上昇することになる。これにより、整流
出力電圧レベルが平滑コンデンサCiの両端電圧よりも
低いとされる期間にも平滑コンデンサCiへの充電電流
が流れるようにされる。この結果、交流入力電流の平均
的な波形が交流入力電圧の波形に近付くようにされて交
流入力電流の導通角が拡大される結果、力率改善が図ら
れることになる。
出力により、整流電流経路にはスイッチング周期の交番
電圧が重畳されることになるが、このスイッチング周期
の交番電圧の重畳分によって、高速リカバリ型ダイオー
ドD1 では整流電流をスイッチング周期で断続する動作
が得られることになり、この断続作用により見掛け上の
フィルタチョークコイルLN,チョークコイルLS のイ
ンダクタンスも上昇することになる。これにより、整流
出力電圧レベルが平滑コンデンサCiの両端電圧よりも
低いとされる期間にも平滑コンデンサCiへの充電電流
が流れるようにされる。この結果、交流入力電流の平均
的な波形が交流入力電圧の波形に近付くようにされて交
流入力電流の導通角が拡大される結果、力率改善が図ら
れることになる。
【0019】図13は、先に本出願人により提案された
発明に基づいて構成することのできるスイッチング電源
回路の他の構成例を示す回路図である。この電源回路も
2本のスイッチング素子がハーフブリッジ結合された電
流共振形コンバータが備えられるが、その駆動方式につ
いては他励式とされている。また、この場合にも力率改
善を図るための力率改善回路が備えられた構成とされて
いる。なお、図12と同一部分については同一符号を付
して説明を省略する。
発明に基づいて構成することのできるスイッチング電源
回路の他の構成例を示す回路図である。この電源回路も
2本のスイッチング素子がハーフブリッジ結合された電
流共振形コンバータが備えられるが、その駆動方式につ
いては他励式とされている。また、この場合にも力率改
善を図るための力率改善回路が備えられた構成とされて
いる。なお、図12と同一部分については同一符号を付
して説明を省略する。
【0020】この図に示す一次側の電流共振形コンバー
タとしては、例えばMOS−FETとされる2石のスイ
ッチング素子Q11、Q12が備えられている。ここでは、
スイッチング素子Q11のドレインを整流平滑電圧Eiの
ラインと接続し、スイッチング素子Q11のソースとスイ
ッチング素子Q12のドレインを接続し、スイッチング
素子Q12のソースを一次側アースに接続することで、他
励式に対応したハーフブリッジ結合を得ている。これら
スイッチング素子Q11、Q12は、発振ドライブ回路2に
よって交互にオン/オフ動作が繰り返されるようにスイ
ッチング駆動されて、整流平滑電圧Eiを断続してスイ
ッチング出力とする。また、この場合には、各スイッチ
ング素子Q11、Q12のドレイン−ソース間に対して、図
に示す方向によって接続されるクランプダイオードDD
1、DD2が設けられる。
タとしては、例えばMOS−FETとされる2石のスイ
ッチング素子Q11、Q12が備えられている。ここでは、
スイッチング素子Q11のドレインを整流平滑電圧Eiの
ラインと接続し、スイッチング素子Q11のソースとスイ
ッチング素子Q12のドレインを接続し、スイッチング
素子Q12のソースを一次側アースに接続することで、他
励式に対応したハーフブリッジ結合を得ている。これら
スイッチング素子Q11、Q12は、発振ドライブ回路2に
よって交互にオン/オフ動作が繰り返されるようにスイ
ッチング駆動されて、整流平滑電圧Eiを断続してスイ
ッチング出力とする。また、この場合には、各スイッチ
ング素子Q11、Q12のドレイン−ソース間に対して、図
に示す方向によって接続されるクランプダイオードDD
1、DD2が設けられる。
【0021】また、この場合には、スイッチング素子Q
11、Q12のソース−ドレインの接続点(スイッチング出
力点)に対して、絶縁コンバータトランスPITの一次
巻線N1 の一端を接続することで、一次巻線N1 に対し
てスイッチング出力を供給するようにされる。一次巻線
N1 の他端は、直列共振コンデンサC1を介して、次に
述べる力率改善回路21のフィルタチョークコイルLN
と高速リカバリ型ダイオードD1 のアノードとの接続点
に対して接続される。
11、Q12のソース−ドレインの接続点(スイッチング出
力点)に対して、絶縁コンバータトランスPITの一次
巻線N1 の一端を接続することで、一次巻線N1 に対し
てスイッチング出力を供給するようにされる。一次巻線
N1 の他端は、直列共振コンデンサC1を介して、次に
述べる力率改善回路21のフィルタチョークコイルLN
と高速リカバリ型ダイオードD1 のアノードとの接続点
に対して接続される。
【0022】この場合にも、直列共振コンデンサC1 の
キャパシタンス及び一次巻線N1 を含む絶縁コンバータ
トランスPITの漏洩インダクタンス成分により、スイ
ッチング電源回路を電流共振形とするための直列共振回
路を形成している。
キャパシタンス及び一次巻線N1 を含む絶縁コンバータ
トランスPITの漏洩インダクタンス成分により、スイ
ッチング電源回路を電流共振形とするための直列共振回
路を形成している。
【0023】この場合の制御回路1は、例えば直流出力
電圧EO1 の変動に対応したレベルの制御信号を発振ド
ライブ回路2に出力する。発振ドライブ回路2では制御
回路1から供給された制御信号に基づいて、発振ドライ
ブ回路2からスイッチング素子Q11,Q12の各ゲートに
供給するスイッチング駆動信号の周波数を変化させて、
スイッチング周波数を可変するようにしている。そし
て、この図に示す電源回路においても、図12に示した
電源回路と同様に、スイッチング周波数は直列共振周波
数よりも高い領域として設定されている。そして、例え
ば直流出力電圧EO1 が上昇すると、そのレベルに応じ
て、制御回路1はスイッチング周波数を高くするように
発振ドライブ回路2に対する制御を行う。これにより、
図12にて説明したのと同様にして定電圧制御が行われ
る。起動回路3は、電源投入直後に整流平滑ラインに得
られる電圧あるいは電流を検出して、発振ドライブ回路
2を起動させるために設けられるもので、絶縁コンバー
タトランスPITに追加的に巻装した巻線を整流して得
られる低レベルの直流電圧を動作電源として入力してい
る。
電圧EO1 の変動に対応したレベルの制御信号を発振ド
ライブ回路2に出力する。発振ドライブ回路2では制御
回路1から供給された制御信号に基づいて、発振ドライ
ブ回路2からスイッチング素子Q11,Q12の各ゲートに
供給するスイッチング駆動信号の周波数を変化させて、
スイッチング周波数を可変するようにしている。そし
て、この図に示す電源回路においても、図12に示した
電源回路と同様に、スイッチング周波数は直列共振周波
数よりも高い領域として設定されている。そして、例え
ば直流出力電圧EO1 が上昇すると、そのレベルに応じ
て、制御回路1はスイッチング周波数を高くするように
発振ドライブ回路2に対する制御を行う。これにより、
図12にて説明したのと同様にして定電圧制御が行われ
る。起動回路3は、電源投入直後に整流平滑ラインに得
られる電圧あるいは電流を検出して、発振ドライブ回路
2を起動させるために設けられるもので、絶縁コンバー
タトランスPITに追加的に巻装した巻線を整流して得
られる低レベルの直流電圧を動作電源として入力してい
る。
【0024】この図に示す力率改善回路21では、ブリ
ッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデンサCi
の正極端子間に対して、フィルタチョークコイルLN −
高速リカバリ型ダイオードD1 が直列接続されて挿入さ
れる。ここで、フィルタコンデンサCN はフィルタチョ
ークコイルLN −高速リカバリ型ダイオードD1 の直列
接続回路に対して並列に設けられる。そして、このよう
な接続形態によっても、フィルタコンデンサCN はフィ
ルタチョークコイルLN と共にノーマルモードのローパ
スフィルタを形成している。また、共振コンデンサC3
は、高速リカバリ型ダイオードD1 に対して並列に設け
られる。ここでは詳しい説明は省略するが、例えば共振
コンデンサC3 は例えばフィルタチョークコイルLN 等
と共に並列共振回路を形成するようにされ、その共振周
波数は後述する直列共振回路の共振周波数とほぼ同等と
なるように設定される。これにより、負荷が軽くなった
ときの整流平滑電圧Eiの上昇を抑制する作用を有する
ものである。この力率改善回路21に対しては、先にも
述べたようにして、フィルタチョークコイルLN と高速
リカバリ型ダイオードD1 のアノードとの接続点に対し
て直列共振回路(N1,C1)の端部が接続される。
ッジ整流回路Diの正極出力端子と平滑コンデンサCi
の正極端子間に対して、フィルタチョークコイルLN −
高速リカバリ型ダイオードD1 が直列接続されて挿入さ
れる。ここで、フィルタコンデンサCN はフィルタチョ
ークコイルLN −高速リカバリ型ダイオードD1 の直列
接続回路に対して並列に設けられる。そして、このよう
な接続形態によっても、フィルタコンデンサCN はフィ
ルタチョークコイルLN と共にノーマルモードのローパ
スフィルタを形成している。また、共振コンデンサC3
は、高速リカバリ型ダイオードD1 に対して並列に設け
られる。ここでは詳しい説明は省略するが、例えば共振
コンデンサC3 は例えばフィルタチョークコイルLN 等
と共に並列共振回路を形成するようにされ、その共振周
波数は後述する直列共振回路の共振周波数とほぼ同等と
なるように設定される。これにより、負荷が軽くなった
ときの整流平滑電圧Eiの上昇を抑制する作用を有する
ものである。この力率改善回路21に対しては、先にも
述べたようにして、フィルタチョークコイルLN と高速
リカバリ型ダイオードD1 のアノードとの接続点に対し
て直列共振回路(N1,C1)の端部が接続される。
【0025】このような接続形態では、一次巻線N1 に
得られるスイッチング出力は、直列共振コンデンサC1
の静電容量結合を介して、スイッチング出力を整流電流
経路に帰還されることになる。この場合には、フィルタ
チョークコイルLN と高速リカバリ型ダイオードD1 の
アノードとの接続点に対して、一次巻線N1に得られた
共振電流が流れるように帰還されて、スイッチング出力
が印加されることになる。
得られるスイッチング出力は、直列共振コンデンサC1
の静電容量結合を介して、スイッチング出力を整流電流
経路に帰還されることになる。この場合には、フィルタ
チョークコイルLN と高速リカバリ型ダイオードD1 の
アノードとの接続点に対して、一次巻線N1に得られた
共振電流が流れるように帰還されて、スイッチング出力
が印加されることになる。
【0026】上記のようにしてスイッチング出力が帰還
されることで、整流電流経路にはスイッチング周期の交
番電圧が重畳されることになるが、このスイッチング周
期の交番電圧の重畳分によって、高速リカバリ型ダイオ
ードD1 では整流電流をスイッチング周期で断続する動
作が得られることになり、この断続作用により見掛け上
のフィルタチョークコイルLN のインダクタンスも上昇
することになる。また、共振コンデンサC3にはスイッ
チング周期の電流が流れることでその両端に電圧が発生
するが、整流平滑電圧Eiのレベルは、この共振コンデ
ンサC3の両端電圧だけ引き下げられることになる。こ
れにより、整流出力電圧レベルが平滑コンデンサCiの
両端電圧よりも低いとされる期間にも平滑コンデンサC
iへの充電電流が流れるようにされる。この結果、交流
入力電流の平均的な波形が交流入力電圧の波形に近付く
ようにされて交流入力電流の導通角が拡大され、やはり
力率改善が図られることになる。
されることで、整流電流経路にはスイッチング周期の交
番電圧が重畳されることになるが、このスイッチング周
期の交番電圧の重畳分によって、高速リカバリ型ダイオ
ードD1 では整流電流をスイッチング周期で断続する動
作が得られることになり、この断続作用により見掛け上
のフィルタチョークコイルLN のインダクタンスも上昇
することになる。また、共振コンデンサC3にはスイッ
チング周期の電流が流れることでその両端に電圧が発生
するが、整流平滑電圧Eiのレベルは、この共振コンデ
ンサC3の両端電圧だけ引き下げられることになる。こ
れにより、整流出力電圧レベルが平滑コンデンサCiの
両端電圧よりも低いとされる期間にも平滑コンデンサC
iへの充電電流が流れるようにされる。この結果、交流
入力電流の平均的な波形が交流入力電圧の波形に近付く
ようにされて交流入力電流の導通角が拡大され、やはり
力率改善が図られることになる。
【0027】このように、上記図12及び図13に示し
た電源回路では力率改善回路(20,21)を備えるこ
とで、力率改善を図ることが出来るが、これらの図に示
した力率改善回路は、少ない部品点数によって形成され
ているため、高効率、低ノイズ、小型軽量、低コストに
より、力率改善を図ることができるというメリットを有
している。
た電源回路では力率改善回路(20,21)を備えるこ
とで、力率改善を図ることが出来るが、これらの図に示
した力率改善回路は、少ない部品点数によって形成され
ているため、高効率、低ノイズ、小型軽量、低コストに
より、力率改善を図ることができるというメリットを有
している。
【0028】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図14に、上
記図12及び図13に示した電源回路についての、負荷
電力Poと力率PFとの関係を示す。なお、ここでは、
交流入力電圧VAC=100V時の条件が示されてい
る。この図によれば、力率PFは、負荷電力Poが減少
するのに応じて、低下していくという特性が得られてい
ることが分かる。
記図12及び図13に示した電源回路についての、負荷
電力Poと力率PFとの関係を示す。なお、ここでは、
交流入力電圧VAC=100V時の条件が示されてい
る。この図によれば、力率PFは、負荷電力Poが減少
するのに応じて、低下していくという特性が得られてい
ることが分かる。
【0029】また、図15には、交流入力電圧VACと力
率PFとの関係が示されている。ここでは、最大負荷電
力Pomax=120W時と、最小負荷電力Pomin=40
W時の各条件での下での特性が示されている。この図に
示されるように、力率PFは、交流入力電圧VACが上昇
するのに応じて、力率PFは比例的に低下していくこと
が分かる。また、最小負荷電力Pomin=40W時の条
件での力率PFとしては、最大負荷電力Pomax=12
0Wよりも低い力率となっている。つまり、上記図14
によっても述べたように、負荷電力が小さい場合のほう
が、力率PFとしては低くなるという特性がここでも得
られている。
率PFとの関係が示されている。ここでは、最大負荷電
力Pomax=120W時と、最小負荷電力Pomin=40
W時の各条件での下での特性が示されている。この図に
示されるように、力率PFは、交流入力電圧VACが上昇
するのに応じて、力率PFは比例的に低下していくこと
が分かる。また、最小負荷電力Pomin=40W時の条
件での力率PFとしては、最大負荷電力Pomax=12
0Wよりも低い力率となっている。つまり、上記図14
によっても述べたように、負荷電力が小さい場合のほう
が、力率PFとしては低くなるという特性がここでも得
られている。
【0030】また、上記図15に示した特性は、動作波
形図としては図16のようにして示される。ここで、図
16(a)(b)には、交流入力電圧VAC=100Vで
最大負荷電力Pomax=120W時の交流入力電圧VA
C、交流入力電流IACが示され、図16(c)(d)に
は、交流入力電圧VAC=100Vで最小負荷電力Pomi
n=40W時の交流入力電圧VAC、交流入力電流IACが
示されている。ここで、交流入力電圧VACの半周期が1
0msであるとして、最大負荷電力Pomax=120W
時には、交流入力電流IACの導通期間τは実際には5m
s程度とされて、力率としてはPF=0.85となる。
これに対して、最小負荷電力Pomin=40W時には、
交流入力電流IACの導通期間τは2.5ms程度にまで
短くなり、力率としてはPF=0.65程度にまで低下
する。この最小負荷電力Pomin=40W時に得られる
力率PFの値では、実用上要求される力率としての値を
満足しない場合がある。
形図としては図16のようにして示される。ここで、図
16(a)(b)には、交流入力電圧VAC=100Vで
最大負荷電力Pomax=120W時の交流入力電圧VA
C、交流入力電流IACが示され、図16(c)(d)に
は、交流入力電圧VAC=100Vで最小負荷電力Pomi
n=40W時の交流入力電圧VAC、交流入力電流IACが
示されている。ここで、交流入力電圧VACの半周期が1
0msであるとして、最大負荷電力Pomax=120W
時には、交流入力電流IACの導通期間τは実際には5m
s程度とされて、力率としてはPF=0.85となる。
これに対して、最小負荷電力Pomin=40W時には、
交流入力電流IACの導通期間τは2.5ms程度にまで
短くなり、力率としてはPF=0.65程度にまで低下
する。この最小負荷電力Pomin=40W時に得られる
力率PFの値では、実用上要求される力率としての値を
満足しない場合がある。
【0031】また、図12及び図13に示した力率改善
のための構成では、一次側の直列共振回路が商用交流電
源の整流電流経路と接続される形態を採るために、直列
共振回路に対して商用交流電源周期(50Hz/60H
z)のリップルが重畳することが分かっている。このリ
ップル成分の重畳レベルは、負荷電力の増加に従って大
きくなる。そして、例えば、実用性に対応する所定の測
定条件のもとでPF=0.8程度の力率が維持できるよ
うに所要の部品の選定を行って構成したとすると、力率
改善回路が備えられない場合と比較して、最大負荷電力
時の二次側直流出力電圧に表れるリップル電圧レベルと
しては約3倍〜4倍程度にまで増加してしまうことが分
かっている。
のための構成では、一次側の直列共振回路が商用交流電
源の整流電流経路と接続される形態を採るために、直列
共振回路に対して商用交流電源周期(50Hz/60H
z)のリップルが重畳することが分かっている。このリ
ップル成分の重畳レベルは、負荷電力の増加に従って大
きくなる。そして、例えば、実用性に対応する所定の測
定条件のもとでPF=0.8程度の力率が維持できるよ
うに所要の部品の選定を行って構成したとすると、力率
改善回路が備えられない場合と比較して、最大負荷電力
時の二次側直流出力電圧に表れるリップル電圧レベルと
しては約3倍〜4倍程度にまで増加してしまうことが分
かっている。
【0032】上記のようなリップル成分の増加を抑制す
るために、例えば図12及び図13に示した電源回路の
実際においては、制御回路1の利得の向上や、一次側の
平滑コンデンサCiのキャパシタンスの増加などの対策
をとることになるのであるが、この場合には、部品素子
のコストアップを招くと共に、スイッチング動作が異常
発振しやすくなるという問題を招く。
るために、例えば図12及び図13に示した電源回路の
実際においては、制御回路1の利得の向上や、一次側の
平滑コンデンサCiのキャパシタンスの増加などの対策
をとることになるのであるが、この場合には、部品素子
のコストアップを招くと共に、スイッチング動作が異常
発振しやすくなるという問題を招く。
【0033】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は上記課題
を考慮してスイッチング電源回路として次のように構成
する。つまり、商用交流電源を入力して整流平滑電圧を
生成し、直流入力電圧として出力する整流平滑手段と、
疎結合とされる所要の結合係数が得られるようにギャッ
プが形成され、一次側出力を二次側に伝送するために設
けられる絶縁コンバータトランスと、直流入力電圧をス
イッチング素子により断続して上記絶縁コンバータトラ
ンスの一次巻線に出力するようにされたスイッチング手
段と、少なくとも、絶縁コンバータトランスの一次巻線
を含む漏洩インダクタンス成分と並列共振コンデンサの
キャパシタンスとによって形成されて、スイッチング手
段の動作を電圧共振形とする一次側並列共振回路とを備
える。また、力率改善回路としては、一次巻線と接続さ
れて所定のインダクタンスを有する第1巻線と、整流電
流経路に挿入されて上記第1巻線のインダクタンスより
も大きな所定のインダクタンスを有する第2巻線とを磁
気結合する磁気結合トランスと、整流電流経路に挿入さ
れるスイッチング用素子とを少なくとも備えることとす
る。そして、上記絶縁コンバータトランスの二次巻線の
漏洩インダクタンス成分と、二次側共振コンデンサのキ
ャパシタンスとによって二次側において形成される二次
側共振回路と、この二次側共振回路を含んで形成され、
上記絶縁コンバータトランスの二次巻線に得られる交番
電圧を入力して、整流動作を行って二次側直流出力電圧
を生成するように構成された直流出力電圧生成手段と、
二次側直流出力電圧のレベルに応じて、二次側直流出力
電圧に対する定電圧制御を行うように構成された定電圧
制御手段と備えて構成することとした。
を考慮してスイッチング電源回路として次のように構成
する。つまり、商用交流電源を入力して整流平滑電圧を
生成し、直流入力電圧として出力する整流平滑手段と、
疎結合とされる所要の結合係数が得られるようにギャッ
プが形成され、一次側出力を二次側に伝送するために設
けられる絶縁コンバータトランスと、直流入力電圧をス
イッチング素子により断続して上記絶縁コンバータトラ
ンスの一次巻線に出力するようにされたスイッチング手
段と、少なくとも、絶縁コンバータトランスの一次巻線
を含む漏洩インダクタンス成分と並列共振コンデンサの
キャパシタンスとによって形成されて、スイッチング手
段の動作を電圧共振形とする一次側並列共振回路とを備
える。また、力率改善回路としては、一次巻線と接続さ
れて所定のインダクタンスを有する第1巻線と、整流電
流経路に挿入されて上記第1巻線のインダクタンスより
も大きな所定のインダクタンスを有する第2巻線とを磁
気結合する磁気結合トランスと、整流電流経路に挿入さ
れるスイッチング用素子とを少なくとも備えることとす
る。そして、上記絶縁コンバータトランスの二次巻線の
漏洩インダクタンス成分と、二次側共振コンデンサのキ
ャパシタンスとによって二次側において形成される二次
側共振回路と、この二次側共振回路を含んで形成され、
上記絶縁コンバータトランスの二次巻線に得られる交番
電圧を入力して、整流動作を行って二次側直流出力電圧
を生成するように構成された直流出力電圧生成手段と、
二次側直流出力電圧のレベルに応じて、二次側直流出力
電圧に対する定電圧制御を行うように構成された定電圧
制御手段と備えて構成することとした。
【0034】上記構成によれば、複合共振形コンバータ
といわれる電源回路に備えられる力率改善回路として
は、磁気結合トランスによって絶縁コンバータトランス
の一次巻線に得られるスイッチング出力を整流電流経路
に帰還する構成を採るのであるが、ここで、ここで、磁
気結合トランスの第1巻線(一次巻線と接続される)よ
りも第2巻線(整流電流経路内に挿入される)のインダ
クタンスを大きくすることで、整流電流経路への帰還量
が増幅されるものである。
といわれる電源回路に備えられる力率改善回路として
は、磁気結合トランスによって絶縁コンバータトランス
の一次巻線に得られるスイッチング出力を整流電流経路
に帰還する構成を採るのであるが、ここで、ここで、磁
気結合トランスの第1巻線(一次巻線と接続される)よ
りも第2巻線(整流電流経路内に挿入される)のインダ
クタンスを大きくすることで、整流電流経路への帰還量
が増幅されるものである。
【0035】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態とし
てのスイッチング電源回路の構成を示す回路図である。
なお、この図において図12又は図13と同一部分には
同一符号を付して説明を省略する。
てのスイッチング電源回路の構成を示す回路図である。
なお、この図において図12又は図13と同一部分には
同一符号を付して説明を省略する。
【0036】この図に示す電源回路の一次側には、電圧
共振形のスイッチングコンバータ(電圧共振型コンバー
タ)が設けられる。そして、この電圧共振型コンバータ
に対して力率改善回路が備えられるものである。
共振形のスイッチングコンバータ(電圧共振型コンバー
タ)が設けられる。そして、この電圧共振型コンバータ
に対して力率改善回路が備えられるものである。
【0037】そこで、力率改善回路10の構成について
は後述し、先ず電圧共振形コンバータの構成について説
明する。ここでの電圧共振形コンバータは、1石のスイ
ッチング素子Q1 を備えた自励式の構成を採っている。
この場合、スイッチング素子Q1には、高耐圧のバイポ
ーラトランジスタ(BJT;接合型トランジスタ)が採
用されている。
は後述し、先ず電圧共振形コンバータの構成について説
明する。ここでの電圧共振形コンバータは、1石のスイ
ッチング素子Q1 を備えた自励式の構成を採っている。
この場合、スイッチング素子Q1には、高耐圧のバイポ
ーラトランジスタ(BJT;接合型トランジスタ)が採
用されている。
【0038】スイッチング素子Q1 のベースは、起動抵
抗RS を介して平滑コンデンサCi(整流平滑電圧E
i)の正極側に接続されて、起動時のベース電流が整流
平滑ラインから得られるようにしている。また、スイッ
チング素子Q1 のベースと一次側アース間には駆動巻線
NB,共振コンデンサCB ,ベース電流制限抵抗RB の
直列接続回路よりなる自励発振駆動用の共振回路(自励
発振駆動回路)が接続される。また、スイッチング素子
Q1 のベースと平滑コンデンサCiの負極(1次側アー
ス)間に挿入されるクランプダイオードDD により、ス
イッチング素子Q1 のオフ時に流れるクランプ電流の経
路を形成するようにされている。スイッチング素子Q1
のコレクタは、検出巻線ND−一次巻線N1−ブースト巻
線N3の直列接続を介して平滑コンデンサCiの正極端
子と接続される。エミッタは一次側アースに接地され
る。
抗RS を介して平滑コンデンサCi(整流平滑電圧E
i)の正極側に接続されて、起動時のベース電流が整流
平滑ラインから得られるようにしている。また、スイッ
チング素子Q1 のベースと一次側アース間には駆動巻線
NB,共振コンデンサCB ,ベース電流制限抵抗RB の
直列接続回路よりなる自励発振駆動用の共振回路(自励
発振駆動回路)が接続される。また、スイッチング素子
Q1 のベースと平滑コンデンサCiの負極(1次側アー
ス)間に挿入されるクランプダイオードDD により、ス
イッチング素子Q1 のオフ時に流れるクランプ電流の経
路を形成するようにされている。スイッチング素子Q1
のコレクタは、検出巻線ND−一次巻線N1−ブースト巻
線N3の直列接続を介して平滑コンデンサCiの正極端
子と接続される。エミッタは一次側アースに接地され
る。
【0039】また、上記スイッチング素子Q1 のコレク
タ−エミッタ間に対しては、並列共振コンデンサCrが
並列に接続されている。この並列共振コンデンサCr
は、自身のキャパシタンスと、後述する絶縁コンバータ
トランスPITの一次巻線N1側のリーケージインダク
タンスL1とにより電圧共振形コンバータの一次側並列
共振回路を形成する。そして、ここでは詳しい説明を省
略するが、スイッチング素子Q1 のオフ時には、この並
列共振回路の作用によって共振コンデンサCrの両端電
圧は、実際には正弦波状のパルス波形となって電圧共振
形の動作が得られるようになっている。
タ−エミッタ間に対しては、並列共振コンデンサCrが
並列に接続されている。この並列共振コンデンサCr
は、自身のキャパシタンスと、後述する絶縁コンバータ
トランスPITの一次巻線N1側のリーケージインダク
タンスL1とにより電圧共振形コンバータの一次側並列
共振回路を形成する。そして、ここでは詳しい説明を省
略するが、スイッチング素子Q1 のオフ時には、この並
列共振回路の作用によって共振コンデンサCrの両端電
圧は、実際には正弦波状のパルス波形となって電圧共振
形の動作が得られるようになっている。
【0040】この図に示す直交型制御トランスPRT
は、検出巻線ND,駆動巻線NB,及び制御巻線NCが巻
装された可飽和リアクトルである。この直交型トランス
PRTは、スイッチング素子Q1を駆動すると共に、定
電圧制御のために設けられる。この直交型制御トランス
PRTの構造としては、図示は省略するが、4本の磁脚
を有する2つのダブルコの字型コアの互いの磁脚の端部
を接合するようにして立体型コアを形成する。そして、
この立体型コアの所定の2本の磁脚に対して、同じ巻回
方向に検出巻線ND,駆動巻線NBを巻装し、更に制御巻
線NCを、上記検出巻線ND,駆動巻線NBに対して直交
する方向に巻装して構成される。
は、検出巻線ND,駆動巻線NB,及び制御巻線NCが巻
装された可飽和リアクトルである。この直交型トランス
PRTは、スイッチング素子Q1を駆動すると共に、定
電圧制御のために設けられる。この直交型制御トランス
PRTの構造としては、図示は省略するが、4本の磁脚
を有する2つのダブルコの字型コアの互いの磁脚の端部
を接合するようにして立体型コアを形成する。そして、
この立体型コアの所定の2本の磁脚に対して、同じ巻回
方向に検出巻線ND,駆動巻線NBを巻装し、更に制御巻
線NCを、上記検出巻線ND,駆動巻線NBに対して直交
する方向に巻装して構成される。
【0041】この場合、直交型制御トランスPRT(周
波数可変手段)の検出巻線NDは、後述する磁気結合ト
ランスMCTの一次巻線Npを介して、絶縁コンバータ
トランスPITの一次巻線N1と直列に接続されている
ことで、スイッチング素子Q1のスイッチング出力は、
一次巻線N1、一次巻線Npを介して検出巻線NDに伝達
される。直交型制御トランスPRTにおいては、検出巻
線NDに得られたスイッチング出力がトランス結合を介
して駆動巻線NBに励起されることで、駆動巻線NBには
ドライブ電圧としての交番電圧が発生する。このドライ
ブ電圧は、自励発振駆動回路を形成する直列共振回路
(NB,CB)からベース電流制限抵抗RBを介して、ド
ライブ電流としてスイッチング素子Q1のベースに出力
される。これにより、スイッチング素子Q1は、直列共
振回路(NB,CB)の共振周波数により決定されるスイ
ッチング周波数でスイッチング動作を行うことになる。
波数可変手段)の検出巻線NDは、後述する磁気結合ト
ランスMCTの一次巻線Npを介して、絶縁コンバータ
トランスPITの一次巻線N1と直列に接続されている
ことで、スイッチング素子Q1のスイッチング出力は、
一次巻線N1、一次巻線Npを介して検出巻線NDに伝達
される。直交型制御トランスPRTにおいては、検出巻
線NDに得られたスイッチング出力がトランス結合を介
して駆動巻線NBに励起されることで、駆動巻線NBには
ドライブ電圧としての交番電圧が発生する。このドライ
ブ電圧は、自励発振駆動回路を形成する直列共振回路
(NB,CB)からベース電流制限抵抗RBを介して、ド
ライブ電流としてスイッチング素子Q1のベースに出力
される。これにより、スイッチング素子Q1は、直列共
振回路(NB,CB)の共振周波数により決定されるスイ
ッチング周波数でスイッチング動作を行うことになる。
【0042】本実施の形態の絶縁コンバータトランスP
ITは、図2に示すように、例えばフェライト材による
E型コアCR1、CR2を互いの磁脚が対向するように
組み合わせたEE型コアが備えられ、このEE型コアの
中央磁脚に対して、分割ボビンBを利用して一次巻線N
1,ブースト巻線N3 と、二次巻線N2をそれぞれ分割し
た状態で巻装している。そして、中央磁脚に対しては図
のようにギャップGを形成するようにしている。これに
よって、所要の結合係数による疎結合が得られるように
している。ギャップGは、E型コアCR1,CR2の中
央磁脚を、2本の外磁脚よりも短く形成することで形成
することが出来る。また、結合係数kとしては、例えば
k≒0.85という疎結合の状態を得るようにしてお
り、その分、飽和状態が得られにくいようにしている。
ITは、図2に示すように、例えばフェライト材による
E型コアCR1、CR2を互いの磁脚が対向するように
組み合わせたEE型コアが備えられ、このEE型コアの
中央磁脚に対して、分割ボビンBを利用して一次巻線N
1,ブースト巻線N3 と、二次巻線N2をそれぞれ分割し
た状態で巻装している。そして、中央磁脚に対しては図
のようにギャップGを形成するようにしている。これに
よって、所要の結合係数による疎結合が得られるように
している。ギャップGは、E型コアCR1,CR2の中
央磁脚を、2本の外磁脚よりも短く形成することで形成
することが出来る。また、結合係数kとしては、例えば
k≒0.85という疎結合の状態を得るようにしてお
り、その分、飽和状態が得られにくいようにしている。
【0043】上記絶縁コンバ−タトランスPITの一次
巻線N1の一端は、検出巻線NDの直列接続を介してスイ
ッチング素子Q1 のコレクタと接続され、他端側はブー
スト巻線N3を介して平滑コンデンサCiの正極(整流
平滑電圧Ei)と接続されている。
巻線N1の一端は、検出巻線NDの直列接続を介してスイ
ッチング素子Q1 のコレクタと接続され、他端側はブー
スト巻線N3を介して平滑コンデンサCiの正極(整流
平滑電圧Ei)と接続されている。
【0044】絶縁コンバ−タトランスPITの二次側で
は、一次巻線N1 により誘起された交番電圧が二次巻線
N2に発生する。この場合、二次巻線N2に対しては、二
次側並列共振コンデンサC2 が並列に接続されること
で、二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2と二次
側並列共振コンデンサC2のキャパシタンスとによって
並列共振回路が形成される。この並列共振回路により、
二次巻線N2に励起される交番電圧は共振電圧となる。
つまり二次側において電圧共振動作が得られる。
は、一次巻線N1 により誘起された交番電圧が二次巻線
N2に発生する。この場合、二次巻線N2に対しては、二
次側並列共振コンデンサC2 が並列に接続されること
で、二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2と二次
側並列共振コンデンサC2のキャパシタンスとによって
並列共振回路が形成される。この並列共振回路により、
二次巻線N2に励起される交番電圧は共振電圧となる。
つまり二次側において電圧共振動作が得られる。
【0045】即ち、この電源回路では、一次側にはスイ
ッチング動作を電圧共振形とするための並列共振回路が
備えられ、二次側にも、電圧共振動作を得るための並列
共振回路が備えられる。なお、本明細書では、このよう
に一次側及び二次側に対して共振回路が備えられて動作
する構成のスイッチングコンバータについては、「複合
共振形スイッチングコンバータ」ともいうことにする。
ッチング動作を電圧共振形とするための並列共振回路が
備えられ、二次側にも、電圧共振動作を得るための並列
共振回路が備えられる。なお、本明細書では、このよう
に一次側及び二次側に対して共振回路が備えられて動作
する構成のスイッチングコンバータについては、「複合
共振形スイッチングコンバータ」ともいうことにする。
【0046】この場合、上記ようにして形成される二次
側の並列共振回路に対しては、二次巻線N2に対してタ
ップを設けた上で、整流ダイオードDO1,DO2、及び平
滑コンデンサCO1,CO2を図のように接続することで、
[整流ダイオードDO1、平滑コンデンサCO1]の組と、
[整流ダイオードDO2,平滑コンデンサCO2]の組とに
よる、2組の半波整流回路が設けられる。[整流ダイオ
ードDO1、平滑コンデンサCO1]から成る半波整流回路
は二次側並列共振回路から供給される共振電圧を入力し
て直流出力電圧EO1を生成し、[整流ダイオードDO2,
平滑コンデンサCO2]から成る半波整流回路も同様に、
二次側並列共振回路から供給される共振電圧を入力して
直流出力電圧EO2を生成する。なお、この場合には、直
流出力電圧EO1及び直流出力電圧EO2は制御回路1に対
しても分岐して入力される。制御回路1においては、直
流出力電圧EO1を検出電圧として利用し、直流出力電圧
EO2を制御回路1の動作電源として利用する。
側の並列共振回路に対しては、二次巻線N2に対してタ
ップを設けた上で、整流ダイオードDO1,DO2、及び平
滑コンデンサCO1,CO2を図のように接続することで、
[整流ダイオードDO1、平滑コンデンサCO1]の組と、
[整流ダイオードDO2,平滑コンデンサCO2]の組とに
よる、2組の半波整流回路が設けられる。[整流ダイオ
ードDO1、平滑コンデンサCO1]から成る半波整流回路
は二次側並列共振回路から供給される共振電圧を入力し
て直流出力電圧EO1を生成し、[整流ダイオードDO2,
平滑コンデンサCO2]から成る半波整流回路も同様に、
二次側並列共振回路から供給される共振電圧を入力して
直流出力電圧EO2を生成する。なお、この場合には、直
流出力電圧EO1及び直流出力電圧EO2は制御回路1に対
しても分岐して入力される。制御回路1においては、直
流出力電圧EO1を検出電圧として利用し、直流出力電圧
EO2を制御回路1の動作電源として利用する。
【0047】ところで、絶縁コンバータトランスPIT
においては、一次巻線N1 、二次巻線N2 の極性(巻方
向)と整流ダイオードDO (DO1/DO2)の接続との関
係によって、一次巻線N1 のインダクタンスL1と二次
巻線N2 のインダクタンスL2との相互インダクタンス
Mについて、+Mとなる場合と−Mとなる場合とがあ
る。例えば、図3(a)に示す接続形態を採る場合に相
互インダクタンスは+M(加極性:フォワード方式)と
なり、図3(b)に示す接続形態を採る場合に相互イン
ダクタンスは−M(減極性:フライバック方式)とな
る。これを、図1に示す電源回路の二次側の動作に対応
させてみると、例えば二次巻線N2に得られる交番電圧
が正極性のときに整流ダイオードDO1(DO2)に整流電
流が流れるようにされることから、この電源回路の二次
側は、動作は+Mの動作モード(フォワード方式)とみ
ることができる。
においては、一次巻線N1 、二次巻線N2 の極性(巻方
向)と整流ダイオードDO (DO1/DO2)の接続との関
係によって、一次巻線N1 のインダクタンスL1と二次
巻線N2 のインダクタンスL2との相互インダクタンス
Mについて、+Mとなる場合と−Mとなる場合とがあ
る。例えば、図3(a)に示す接続形態を採る場合に相
互インダクタンスは+M(加極性:フォワード方式)と
なり、図3(b)に示す接続形態を採る場合に相互イン
ダクタンスは−M(減極性:フライバック方式)とな
る。これを、図1に示す電源回路の二次側の動作に対応
させてみると、例えば二次巻線N2に得られる交番電圧
が正極性のときに整流ダイオードDO1(DO2)に整流電
流が流れるようにされることから、この電源回路の二次
側は、動作は+Mの動作モード(フォワード方式)とみ
ることができる。
【0048】制御回路1では、二次側直流出力電圧レベ
ル(EO1)の変化に応じて、制御巻線NCに流す制御電
流(直流電流)レベルを可変することで、直交型制御ト
ランスPRTに巻装された駆動巻線NBのインダクタン
スLBを可変制御する。これにより、駆動巻線NBのイン
ダクタンスLBを含んで形成されるスイッチング素子Q1
のための自励発振駆動回路内の直列共振回路の共振条件
が変化する。これは、スイッチング素子Q1のスイッチ
ング周波数を可変する動作となるが、この動作によって
二次側直流出力電圧を安定化する作用を有する。
ル(EO1)の変化に応じて、制御巻線NCに流す制御電
流(直流電流)レベルを可変することで、直交型制御ト
ランスPRTに巻装された駆動巻線NBのインダクタン
スLBを可変制御する。これにより、駆動巻線NBのイン
ダクタンスLBを含んで形成されるスイッチング素子Q1
のための自励発振駆動回路内の直列共振回路の共振条件
が変化する。これは、スイッチング素子Q1のスイッチ
ング周波数を可変する動作となるが、この動作によって
二次側直流出力電圧を安定化する作用を有する。
【0049】そしてこの図に示す回路においては、スイ
ッチング周波数を可変するのにあたり、スイッチング素
子Q1がオフとなる期間は一定としたうえで、オンとな
る期間を可変制御するようにしている。つまり、この電
源回路では、定電圧制御動作として、スイッチング周波
数を可変制御するように動作することで、スイッチング
出力に対する共振インピーダンス制御を行い、これと同
時に、スイッチング周期におけるスイッチング素子の導
通角制御(PWM制御)も行っているものと見ることが
出来る。そして、この複合的な制御動作を1組の制御回
路系によって実現している。ここで、スイッチング周波
数制御としては、例えば軽負荷の傾向になるなどして二
次側出力電圧が上昇したときに、スイッチング周波数を
高くすることで、二次側出力を抑制するように制御が行
われるものとされる。
ッチング周波数を可変するのにあたり、スイッチング素
子Q1がオフとなる期間は一定としたうえで、オンとな
る期間を可変制御するようにしている。つまり、この電
源回路では、定電圧制御動作として、スイッチング周波
数を可変制御するように動作することで、スイッチング
出力に対する共振インピーダンス制御を行い、これと同
時に、スイッチング周期におけるスイッチング素子の導
通角制御(PWM制御)も行っているものと見ることが
出来る。そして、この複合的な制御動作を1組の制御回
路系によって実現している。ここで、スイッチング周波
数制御としては、例えば軽負荷の傾向になるなどして二
次側出力電圧が上昇したときに、スイッチング周波数を
高くすることで、二次側出力を抑制するように制御が行
われるものとされる。
【0050】続いて、力率改善回路10の構成について
説明する。この図に示す力率改善回路10は、フィルタ
コンデンサCN、高速リカバリ型ダイオードD1、及び磁
気結合トランスMCTを備えて成る。ここで、磁気結合
トランスMCTは一次巻線(第1巻線)Npと二次巻線
(第2巻線)Nsを例えば密結合の状態となるようにし
て巻装して構成される。また、本実施の形態にあって
は、一次巻線NpのインダクタンスLpと二次巻線Nsの
インダクタンスLsとについて、インダクタンスLpに対
してインダクタンスLsのほうが大きい値を取ることを
前提として、それぞれ、所定のインダクタンス値が選定
される。このためには、例えば一次巻線Npと二次巻線
Nsの巻数(巻線比)を実際に選定すべきインダクタン
ス値に応じて設定することになる。
説明する。この図に示す力率改善回路10は、フィルタ
コンデンサCN、高速リカバリ型ダイオードD1、及び磁
気結合トランスMCTを備えて成る。ここで、磁気結合
トランスMCTは一次巻線(第1巻線)Npと二次巻線
(第2巻線)Nsを例えば密結合の状態となるようにし
て巻装して構成される。また、本実施の形態にあって
は、一次巻線NpのインダクタンスLpと二次巻線Nsの
インダクタンスLsとについて、インダクタンスLpに対
してインダクタンスLsのほうが大きい値を取ることを
前提として、それぞれ、所定のインダクタンス値が選定
される。このためには、例えば一次巻線Npと二次巻線
Nsの巻数(巻線比)を実際に選定すべきインダクタン
ス値に応じて設定することになる。
【0051】磁気結合トランスMCTの一次巻線Npの
巻始め端部は、絶縁コンバータトランスPITの一次巻
線N1と接続され、巻終わり端部は検出巻線NDの直列接
続を介して平滑コンデンサCiの正極端子に対して接続
される。つまり、一次巻線N1と直列に接続される。こ
れにより、磁気結合トランスMCTの一次巻線Npに対
しては、スイッチング素子Q1のスイッチング出力が、
一次巻線N1を介して伝達されることになる。
巻始め端部は、絶縁コンバータトランスPITの一次巻
線N1と接続され、巻終わり端部は検出巻線NDの直列接
続を介して平滑コンデンサCiの正極端子に対して接続
される。つまり、一次巻線N1と直列に接続される。こ
れにより、磁気結合トランスMCTの一次巻線Npに対
しては、スイッチング素子Q1のスイッチング出力が、
一次巻線N1を介して伝達されることになる。
【0052】磁気結合トランスMCTの二次巻線Nsの
巻始め端部は、高速リカバリ型ダイオードD1のカソー
ドに対して接続される。ここで、高速リカバリ型ダイオ
ードD1のアノードはブリッジ整流回路Diの正極出力
端子に接続される。また、二次巻線Nsの巻終わり端部
は、平滑コンデンサCiの正極端子に対して接続され
る。つまり、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平
滑コンデンサCiの正極端子間(即ち整流電流経路)に
対して、高速リカバリ型ダイオードD1−二次巻線Nsの
直列接続回路が挿入される。また、この図に示す磁気結
合トランスMCT一次巻線Npと二次巻線Nsの巻方向の
関係を見た場合には、図3と同様となり、従ってその動
作は、加極性(+M)モードとされることになる。
巻始め端部は、高速リカバリ型ダイオードD1のカソー
ドに対して接続される。ここで、高速リカバリ型ダイオ
ードD1のアノードはブリッジ整流回路Diの正極出力
端子に接続される。また、二次巻線Nsの巻終わり端部
は、平滑コンデンサCiの正極端子に対して接続され
る。つまり、ブリッジ整流回路Diの正極出力端子と平
滑コンデンサCiの正極端子間(即ち整流電流経路)に
対して、高速リカバリ型ダイオードD1−二次巻線Nsの
直列接続回路が挿入される。また、この図に示す磁気結
合トランスMCT一次巻線Npと二次巻線Nsの巻方向の
関係を見た場合には、図3と同様となり、従ってその動
作は、加極性(+M)モードとされることになる。
【0053】また、この場合のフィルタコンデンサCN
は、高速リカバリ型ダイオードD1のアノード側と一次
側アース間に対して挿入されることで、例えば磁気結合
トランスMCTの二次巻線Nsと共にノーマルモードの
ローパスフィルタを形成している。
は、高速リカバリ型ダイオードD1のアノード側と一次
側アース間に対して挿入されることで、例えば磁気結合
トランスMCTの二次巻線Nsと共にノーマルモードの
ローパスフィルタを形成している。
【0054】このような構成の力率改善回路10をよる
力率改善動作としては、基本的に、次のようになる。力
率改善回路10では、先ず、絶縁コンバータトランスP
ITの一次巻線N1に得られるスイッチング素子Q1のス
イッチング出力が、磁気結合トランスMCTの一次巻線
Npに伝達されることになる。そして、磁気結合トラン
スMCTにおける磁気結合を介して、一次巻線Npに得
られたスイッチング出力は、二次巻線Nsに対して励起
される。つまり、磁気結合トランスMCTの磁気結合に
よってスイッチング出力が整流電流経路に帰還される。
力率改善動作としては、基本的に、次のようになる。力
率改善回路10では、先ず、絶縁コンバータトランスP
ITの一次巻線N1に得られるスイッチング素子Q1のス
イッチング出力が、磁気結合トランスMCTの一次巻線
Npに伝達されることになる。そして、磁気結合トラン
スMCTにおける磁気結合を介して、一次巻線Npに得
られたスイッチング出力は、二次巻線Nsに対して励起
される。つまり、磁気結合トランスMCTの磁気結合に
よってスイッチング出力が整流電流経路に帰還される。
【0055】このようにして帰還されたスイッチング出
力により、高速リカバリ型ダイオードD1 では整流電流
をスイッチング周期で断続するように動作する。この断
続動作により、チョークコイルとして機能する二次巻線
NsのインダクタンスLSも上昇し、整流出力電圧レベル
が平滑コンデンサCiの両端電圧よりも低いとされる期
間にも平滑コンデンサCiへの充電電流が流れる。従っ
て、この場合にも、結果的に、交流入力電流の導通角が
拡大されて力率改善が図られる。
力により、高速リカバリ型ダイオードD1 では整流電流
をスイッチング周期で断続するように動作する。この断
続動作により、チョークコイルとして機能する二次巻線
NsのインダクタンスLSも上昇し、整流出力電圧レベル
が平滑コンデンサCiの両端電圧よりも低いとされる期
間にも平滑コンデンサCiへの充電電流が流れる。従っ
て、この場合にも、結果的に、交流入力電流の導通角が
拡大されて力率改善が図られる。
【0056】図4に、上記図1に示す電源回路の動作波
形を示す。ここで、図4(a)〜(e)は、各部の商用
電源周期での動作が示され、図4(f)〜(j)は、各
部のスイッチング周期での動作が示される。また、この
動作は、交流入力電圧VAC=100V、最大負荷電力2
00W時の動作となる。
形を示す。ここで、図4(a)〜(e)は、各部の商用
電源周期での動作が示され、図4(f)〜(j)は、各
部のスイッチング周期での動作が示される。また、この
動作は、交流入力電圧VAC=100V、最大負荷電力2
00W時の動作となる。
【0057】ここでは、商用電源の周波数は50Hzと
され、交流入力電圧VACは図4(a)に示すように、半
周期が10msとなる正弦波状の波形が得られている。
そして、ブリッジ整流回路Diに流れる整流電流として
は、交流入力電流IACが図4(b)に示すようにして流
れると、高速リカバリ型ダイオードD1ではこれを断続
するようにスイッチングすることで、図4(c)に示す
波形によるスイッチング電流IDが流れることになる。
され、交流入力電圧VACは図4(a)に示すように、半
周期が10msとなる正弦波状の波形が得られている。
そして、ブリッジ整流回路Diに流れる整流電流として
は、交流入力電流IACが図4(b)に示すようにして流
れると、高速リカバリ型ダイオードD1ではこれを断続
するようにスイッチングすることで、図4(c)に示す
波形によるスイッチング電流IDが流れることになる。
【0058】ここで、交流入力電圧VACが高いとされて
交流入力電流IACが流れる期間におけるスイッチング周
期の動作としては次のようになる。例えば、この期間に
おいてスイッチング素子Q1がスイッチング動作を行っ
たとすると、並列共振コンデンサCrの両端には、図4
(f)に示すようにして、スイッチング素子Q1がオフ
となる期間Toff(3μs)において正弦波状のパルス
となる並列共振電圧Vcpが発生する。そして、スイッ
チング素子Q1がオンとなる期間Ton(7μs)には、
スイッチング素子Q1のコレクタ−エミッタ間に、図4
(g)に示すようにしてスイッチング出力電流Icpが
流れるが、このスイッチング出力電流Icpは、力率改
善回路10内のフィルタコンデンサCNから、高速リカ
バリ型ダイオードD1→二次巻線Nsを介して平滑コンデ
ンサCiに流れる。このとき、高速リカバリ型ダイオー
ドD1を流れるスイッチング電流IDは、図4(h)に示
すように、略正弦波上で11Apのレベルを有する波形
となる。
交流入力電流IACが流れる期間におけるスイッチング周
期の動作としては次のようになる。例えば、この期間に
おいてスイッチング素子Q1がスイッチング動作を行っ
たとすると、並列共振コンデンサCrの両端には、図4
(f)に示すようにして、スイッチング素子Q1がオフ
となる期間Toff(3μs)において正弦波状のパルス
となる並列共振電圧Vcpが発生する。そして、スイッ
チング素子Q1がオンとなる期間Ton(7μs)には、
スイッチング素子Q1のコレクタ−エミッタ間に、図4
(g)に示すようにしてスイッチング出力電流Icpが
流れるが、このスイッチング出力電流Icpは、力率改
善回路10内のフィルタコンデンサCNから、高速リカ
バリ型ダイオードD1→二次巻線Nsを介して平滑コンデ
ンサCiに流れる。このとき、高速リカバリ型ダイオー
ドD1を流れるスイッチング電流IDは、図4(h)に示
すように、略正弦波上で11Apのレベルを有する波形
となる。
【0059】また、スイッチング周期における二次巻線
Nsの両端電圧VLは、図4(i)に示すようにして、期
間Toffにおいては、正方向に100Vpとなる正弦波
状の波形となり、期間Tonにおいてはその開始期間にお
いて負方向に60Vpとなる波形が得られる。また、図
4(j)は、スイッチング周期における、二次巻線Ns
−平滑コンデンサCiの直列接続回路の両端電圧V1を
示しているが、この電圧V1は、期間Toffにおいては、
260Vpとなる正弦波状の波形となり、期間Tonにお
いては、その開始期間において100Vpとなる逆方向
の正弦波状の波形が得られ、この後、150Vが維持さ
れる。図1に示す構成では、この電圧V1が直流入力電
圧として一次側スイッチングコンバータの動作電源とし
て供給される。
Nsの両端電圧VLは、図4(i)に示すようにして、期
間Toffにおいては、正方向に100Vpとなる正弦波
状の波形となり、期間Tonにおいてはその開始期間にお
いて負方向に60Vpとなる波形が得られる。また、図
4(j)は、スイッチング周期における、二次巻線Ns
−平滑コンデンサCiの直列接続回路の両端電圧V1を
示しているが、この電圧V1は、期間Toffにおいては、
260Vpとなる正弦波状の波形となり、期間Tonにお
いては、その開始期間において100Vpとなる逆方向
の正弦波状の波形が得られ、この後、150Vが維持さ
れる。図1に示す構成では、この電圧V1が直流入力電
圧として一次側スイッチングコンバータの動作電源とし
て供給される。
【0060】そして、商用電源周期による動作として、
交流入力電圧VACが低いとされて、交流入力電流IACが
流れない期間(高速リカバリ型ダイオードD1がスイッ
チング動作を行わない期間)においては、磁気結合トラ
ンスの一次巻線Npに対して、絶縁コンバータトランス
PITの一次巻線N1に流れる一次側スイッチング電流
I1が流れ、これによって磁気結合トランスMCTの二
次巻線Nsには、励起電圧が発生する。これにより、商
用電源周期で見た場合の二次巻線Nsの両端電圧VLは、
図4(d)に示すものとなり、ほぼ定常的に電圧レベル
が得られていることになる。そして、この二次巻線Ns
の両端電圧VLが整流平滑電圧Ei(平滑コンデンサC
iの両端電圧)に重畳されることで、二次巻線Ns−平
滑コンデンサCiの直列接続回路の両端電圧V1は、商
用電源周期において図4(e)に示す波形が得られる。
この図4(e)に示す波形から分かるように、本実施の
形態では、磁気結合トランスMCTの二次巻線Nsに励
起される電圧により、整流平滑電圧Ei(直流入力電
圧)のレベルを増加させるように動作しているものであ
る。そして、この動作は、前述したようにして、磁気結
合トランスMCTの一次巻線NpのインダクタンスLp
と、二次巻線NsのインダクタンスLsについて、インダ
クタンスLsのほうがインダクタンスLpよりも大きくな
るように設定されていることによって得られるものであ
る。
交流入力電圧VACが低いとされて、交流入力電流IACが
流れない期間(高速リカバリ型ダイオードD1がスイッ
チング動作を行わない期間)においては、磁気結合トラ
ンスの一次巻線Npに対して、絶縁コンバータトランス
PITの一次巻線N1に流れる一次側スイッチング電流
I1が流れ、これによって磁気結合トランスMCTの二
次巻線Nsには、励起電圧が発生する。これにより、商
用電源周期で見た場合の二次巻線Nsの両端電圧VLは、
図4(d)に示すものとなり、ほぼ定常的に電圧レベル
が得られていることになる。そして、この二次巻線Ns
の両端電圧VLが整流平滑電圧Ei(平滑コンデンサC
iの両端電圧)に重畳されることで、二次巻線Ns−平
滑コンデンサCiの直列接続回路の両端電圧V1は、商
用電源周期において図4(e)に示す波形が得られる。
この図4(e)に示す波形から分かるように、本実施の
形態では、磁気結合トランスMCTの二次巻線Nsに励
起される電圧により、整流平滑電圧Ei(直流入力電
圧)のレベルを増加させるように動作しているものであ
る。そして、この動作は、前述したようにして、磁気結
合トランスMCTの一次巻線NpのインダクタンスLp
と、二次巻線NsのインダクタンスLsについて、インダ
クタンスLsのほうがインダクタンスLpよりも大きくな
るように設定されていることによって得られるものであ
る。
【0061】上記のようにして、直流入力電圧のレベル
を増加させていることで、例えば、高速リカバリ型ダイ
オードD1のカソード電位V1が、力率改善回路への入力
電圧(高速リカバリ型ダイオードD1のアノード側電
位)よりも低いとされる期間においても、高速リカバリ
型ダイオードD1のスイッチング動作を継続するように
動作する。つまり、商用電源周期の半周期ごとにおい
て、高速リカバリ型ダイオードD1がスイッチングを行
う期間が延長されるものである。このような動作によっ
て、10msの商用電源の半周期に対して、例えば図4
(b)に示すように交流入力電流IACの導通角は6ms
程度にまで拡大されることになり、図9及び図10に示
した回路と比較して、より高い力率が得られるようにさ
れる。
を増加させていることで、例えば、高速リカバリ型ダイ
オードD1のカソード電位V1が、力率改善回路への入力
電圧(高速リカバリ型ダイオードD1のアノード側電
位)よりも低いとされる期間においても、高速リカバリ
型ダイオードD1のスイッチング動作を継続するように
動作する。つまり、商用電源周期の半周期ごとにおい
て、高速リカバリ型ダイオードD1がスイッチングを行
う期間が延長されるものである。このような動作によっ
て、10msの商用電源の半周期に対して、例えば図4
(b)に示すように交流入力電流IACの導通角は6ms
程度にまで拡大されることになり、図9及び図10に示
した回路と比較して、より高い力率が得られるようにさ
れる。
【0062】ここで、図5、図6、及び図7に、上記図
1に示した電源回路についての実験結果を示す。なお、
これらの図に示す実験結果を得るのにあたっては、磁気
結合トランスMCTについてはEI−25のEI型コア
を用い、一次巻線NpについてはインダクタンスLp=1
3μH、二次巻線NsについてはインダクタンスLp=1
05μHとしている。そして、フィルタコンデンサCN
=1μF、並列共振コンデンサCr=4700pFを選
定している。また、動作条件としては、負荷電力Po=
200W〜0W、交流入力電圧VAC=80V〜144V
時とされる。
1に示した電源回路についての実験結果を示す。なお、
これらの図に示す実験結果を得るのにあたっては、磁気
結合トランスMCTについてはEI−25のEI型コア
を用い、一次巻線NpについてはインダクタンスLp=1
3μH、二次巻線NsについてはインダクタンスLp=1
05μHとしている。そして、フィルタコンデンサCN
=1μF、並列共振コンデンサCr=4700pFを選
定している。また、動作条件としては、負荷電力Po=
200W〜0W、交流入力電圧VAC=80V〜144V
時とされる。
【0063】まず図5には、交流入力電圧VAC=100
Vで一定とした条件の下での、負荷と力率との関係を示
している。この図に示されるように、本実施の形態で
は、負荷電力Po=40W程度以上から、力率PFにつ
いて0.75程度以上が維持される。そして、負荷電力
Po=200Wにおいて力率PF=0.8程度となるま
で、力率が緩やかに上昇する特性が得られている。この
ようにして、本実施の形態では、広範囲の負荷条件にわ
たって高力率が得られるものである。
Vで一定とした条件の下での、負荷と力率との関係を示
している。この図に示されるように、本実施の形態で
は、負荷電力Po=40W程度以上から、力率PFにつ
いて0.75程度以上が維持される。そして、負荷電力
Po=200Wにおいて力率PF=0.8程度となるま
で、力率が緩やかに上昇する特性が得られている。この
ようにして、本実施の形態では、広範囲の負荷条件にわ
たって高力率が得られるものである。
【0064】また、図6には、負荷電力Po=200W
で一定とした条件の下での、交流入力電圧VACと力率と
の関係が示されている。この図から分かるように、力率
PFとしては、交流入力電圧VAC=80V付近において
既にPF=0.9程度以上の高力率が得られており、交
流入力電圧VACが上昇するように変動していくのに従っ
て、力率PFが低くはなっていくものの、そして、交流
入力電圧VAC=140Vにあっても、PF=0.8に近
い値を維持しているものである。
で一定とした条件の下での、交流入力電圧VACと力率と
の関係が示されている。この図から分かるように、力率
PFとしては、交流入力電圧VAC=80V付近において
既にPF=0.9程度以上の高力率が得られており、交
流入力電圧VACが上昇するように変動していくのに従っ
て、力率PFが低くはなっていくものの、そして、交流
入力電圧VAC=140Vにあっても、PF=0.8に近
い値を維持しているものである。
【0065】このように、本実施の形態の電源回路で
は、交流入力電圧、負荷の変動に対しても高力率を維持
できる。このために、交流入力電圧や負荷条件が指定さ
れるテレビジョン受像機などに限定されず、例えば負荷
条件が変動する事務機器やパーソナルコンピュータなど
の事務機器に対して本実施の形態の電源回路を搭載する
ことが実用上充分に可能となるものである。
は、交流入力電圧、負荷の変動に対しても高力率を維持
できる。このために、交流入力電圧や負荷条件が指定さ
れるテレビジョン受像機などに限定されず、例えば負荷
条件が変動する事務機器やパーソナルコンピュータなど
の事務機器に対して本実施の形態の電源回路を搭載する
ことが実用上充分に可能となるものである。
【0066】また、本実施の形態の電源回路では、交流
入力電圧VAC=100V、負荷電力Po=200W時に
おいて直流入力電圧(図1の場合では、実際には電圧V
1となる)として、156V程度が得られるのである
が、これは、図1の回路において力率改善回路10を備
えない場合の直流入力電圧が131Vであるのに対し
て、25V程度増加しているものである。これにより、
本実施の形態では電力変換効率が上昇し、例えば力率改
善回路10を備えない場合が90.1%であるのに対し
て、本実施の形態では、91.2%にまで向上してい
る。また、交流入力電力としては、力率改善回路10を
備えない場合よりも3.3W低減している。
入力電圧VAC=100V、負荷電力Po=200W時に
おいて直流入力電圧(図1の場合では、実際には電圧V
1となる)として、156V程度が得られるのである
が、これは、図1の回路において力率改善回路10を備
えない場合の直流入力電圧が131Vであるのに対し
て、25V程度増加しているものである。これにより、
本実施の形態では電力変換効率が上昇し、例えば力率改
善回路10を備えない場合が90.1%であるのに対し
て、本実施の形態では、91.2%にまで向上してい
る。また、交流入力電力としては、力率改善回路10を
備えない場合よりも3.3W低減している。
【0067】また、実験結果として、磁気結合トランス
MCTの巻線(Np,Ns)間のインダクタンス値の比を
変更して、一次巻線Npから二次巻線Ns側へのスイッチ
ング電流I1の帰還量を変更することで、力率特性を変
えられることが確認されている。つまり、本実施の形態
としては、磁気結合トランスMCTにおける巻線(N
p,Ns)のインダクタンス値を変更してやることで、実
使用に適った条件の力率特性が得られるように調整を行
うことができるものである。このように磁気結合トラン
スMCTの一次巻線Np/二次巻線Nsのインダクタンス
値の比を変更するのには、例えば一次巻線Np/二次巻
線Nsの巻数比を変更してやればよいものである。
MCTの巻線(Np,Ns)間のインダクタンス値の比を
変更して、一次巻線Npから二次巻線Ns側へのスイッチ
ング電流I1の帰還量を変更することで、力率特性を変
えられることが確認されている。つまり、本実施の形態
としては、磁気結合トランスMCTにおける巻線(N
p,Ns)のインダクタンス値を変更してやることで、実
使用に適った条件の力率特性が得られるように調整を行
うことができるものである。このように磁気結合トラン
スMCTの一次巻線Np/二次巻線Nsのインダクタンス
値の比を変更するのには、例えば一次巻線Np/二次巻
線Nsの巻数比を変更してやればよいものである。
【0068】ここで、磁気結合トランスMCTにおける
一次巻線Np/二次巻線Nsのインダクタンス値として、
一次巻線NpについてはインダクタンスLp=13μH、
二次巻線NsについてはインダクタンスLp=90μHと
なるように、その巻数比を設定した場合に得られた各部
の動作波形を図7に示す。
一次巻線Np/二次巻線Nsのインダクタンス値として、
一次巻線NpについてはインダクタンスLp=13μH、
二次巻線NsについてはインダクタンスLp=90μHと
なるように、その巻数比を設定した場合に得られた各部
の動作波形を図7に示す。
【0069】図7(a)に示すように、例えば50Hの
商用電源周期により交流入力電圧VACが入力されている
として、高速リカバリ型ダイオードD1では、図7
(c)のスイッチング電流IDに示されるようにしてス
イッチング動作を行う。また、このときの磁気結合トラ
ンスMCTの二次巻線Nsの両端電圧VLは、図7(d)
に示すようにして、交流入力電圧VACが低いとされるτ
期間以外の期間にほぼ対応して、スイッチング周期に応
じた交番波形が得られるものとなり、二次巻線Ns−平
滑コンデンサCiの直列接続回路に得られる両端電圧
(直流入力電圧)V1は、交流入力電圧VACが高いとさ
れるτ期間に130Vpで、τ期間以外の期間において
は40Vとなる電圧レベルに対して、電圧VLとほぼ同
一の波形が重畳されるものとなる。
商用電源周期により交流入力電圧VACが入力されている
として、高速リカバリ型ダイオードD1では、図7
(c)のスイッチング電流IDに示されるようにしてス
イッチング動作を行う。また、このときの磁気結合トラ
ンスMCTの二次巻線Nsの両端電圧VLは、図7(d)
に示すようにして、交流入力電圧VACが低いとされるτ
期間以外の期間にほぼ対応して、スイッチング周期に応
じた交番波形が得られるものとなり、二次巻線Ns−平
滑コンデンサCiの直列接続回路に得られる両端電圧
(直流入力電圧)V1は、交流入力電圧VACが高いとさ
れるτ期間に130Vpで、τ期間以外の期間において
は40Vとなる電圧レベルに対して、電圧VLとほぼ同
一の波形が重畳されるものとなる。
【0070】また、上記のようにして磁気結合トランス
MCTの巻線比を変更した場合の、交流入力電圧VAC=
100Vで一定とした条件の下での、負荷と力率との関
係を図8に示す。例えば図5と比較すると、図8の場合
には、負荷電力Po=50W以上では、力率PFの値は
低くはなるものの、負荷電力の変動に関わらずほぼPF
=0.75程度で一定に維持され、負荷電力Po=25
W程度以下では、逆に力率が上昇するという特性が得ら
れる。
MCTの巻線比を変更した場合の、交流入力電圧VAC=
100Vで一定とした条件の下での、負荷と力率との関
係を図8に示す。例えば図5と比較すると、図8の場合
には、負荷電力Po=50W以上では、力率PFの値は
低くはなるものの、負荷電力の変動に関わらずほぼPF
=0.75程度で一定に維持され、負荷電力Po=25
W程度以下では、逆に力率が上昇するという特性が得ら
れる。
【0071】図9は、同じく磁気結合トランスMCTの
巻線比を変更した構成における、負荷電力Po=200
Wで一定とした条件の下での、交流入力電圧VACと力率
との関係が示されている。この場合にも、力率PFとし
ては、交流入力電圧VAC=100V程度以上では、力率
PF=0.75程度でほぼ一定となり、VAC=100V
程度以下で力率PFが高くなるという特性が得られる。
巻線比を変更した構成における、負荷電力Po=200
Wで一定とした条件の下での、交流入力電圧VACと力率
との関係が示されている。この場合にも、力率PFとし
ては、交流入力電圧VAC=100V程度以上では、力率
PF=0.75程度でほぼ一定となり、VAC=100V
程度以下で力率PFが高くなるという特性が得られる。
【0072】続いて、本発明の他の実施の形態としての
電源回路の構成について図10を参照して説明する。な
お、この図において図1と同一部分には同一符号を付し
て説明を省略する。この図に示す電源回路の一次側にあ
っては、力率改善回路10内の磁気結合トランスMCT
の構成が、図1の場合と異なっている。つまり、この場
合には、磁気結合トランスMCTの一次巻線Np、二次
巻線Nsの巻方向の関係として、図3(b)に示した関
係が得られているものである。つまり、この場合の磁気
結合トランスMCTは、減極性(−M:フライバック方
式)で動作する。
電源回路の構成について図10を参照して説明する。な
お、この図において図1と同一部分には同一符号を付し
て説明を省略する。この図に示す電源回路の一次側にあ
っては、力率改善回路10内の磁気結合トランスMCT
の構成が、図1の場合と異なっている。つまり、この場
合には、磁気結合トランスMCTの一次巻線Np、二次
巻線Nsの巻方向の関係として、図3(b)に示した関
係が得られているものである。つまり、この場合の磁気
結合トランスMCTは、減極性(−M:フライバック方
式)で動作する。
【0073】また、この図に示す電源回路の二次側にお
いては、二次巻線N2の一端は二次側アースに接続さ
れ、他端は直列共振コンデンサCs1の直列接続を介し
て整流ダイオードDO1のアノードと整流ダイオードDO2
のカソードの接続点に対して接続される。整流ダイオー
ドDO1のカソードは平滑コンデンサCO1の正極と接続さ
れ、整流ダイオードDO2のアノードは二次側アースに対
して接続される。平滑コンデンサCO1の負極側は二次側
アースに対して接続される。
いては、二次巻線N2の一端は二次側アースに接続さ
れ、他端は直列共振コンデンサCs1の直列接続を介し
て整流ダイオードDO1のアノードと整流ダイオードDO2
のカソードの接続点に対して接続される。整流ダイオー
ドDO1のカソードは平滑コンデンサCO1の正極と接続さ
れ、整流ダイオードDO2のアノードは二次側アースに対
して接続される。平滑コンデンサCO1の負極側は二次側
アースに対して接続される。
【0074】このような接続形態では結果的に、[直列
共振コンデンサCs1,整流ダイオードDO1,DO2、平
滑コンデンサCO1]の組から成る倍電圧全波整流回路が
設けられることになる。ここで、直列共振コンデンサC
s1は、自身のキャパシタンスと二次巻線N2の漏洩イン
ダクタンス成分とによって、整流ダイオードDO1,DO2
のオン/オフ動作に対応する直列共振回路を形成する。
即ち、本実施の形態の電源回路は、一次側にはスイッチ
ング動作を電流共振形とするための直列共振回路が備え
られ、二次側には、倍電圧全波整流動作を得るための直
列共振回路が備えられた複合共振形スイッチングコンバ
ータの構成を採る。
共振コンデンサCs1,整流ダイオードDO1,DO2、平
滑コンデンサCO1]の組から成る倍電圧全波整流回路が
設けられることになる。ここで、直列共振コンデンサC
s1は、自身のキャパシタンスと二次巻線N2の漏洩イン
ダクタンス成分とによって、整流ダイオードDO1,DO2
のオン/オフ動作に対応する直列共振回路を形成する。
即ち、本実施の形態の電源回路は、一次側にはスイッチ
ング動作を電流共振形とするための直列共振回路が備え
られ、二次側には、倍電圧全波整流動作を得るための直
列共振回路が備えられた複合共振形スイッチングコンバ
ータの構成を採る。
【0075】ここで、上記[直列共振コンデンサCs
1,整流ダイオードDO1,DO2、平滑コンデンサCO1]
の組による倍電圧全波整流動作としては次のようにな
る。一次側のスイッチング動作により一次巻線N1にス
イッチング出力が得られると、このスイッチング出力は
二次巻線N2に励起される。そして、整流ダイオードDO
1がオフとなり、整流ダイオードDO2がオンとなる期間
においては、一次巻線N1と二次巻線N2との極性(相互
インダクタンスM)が−Mとなる減極性モードで動作し
て、二次巻線N2の漏洩インダクタンスと直列共振コン
デンサCs1による直列共振作用によって、整流ダイオ
ードDO2により整流した整流電流を直列共振コンデンサ
Cs1に対して充電する動作が得られる。そして、整流
ダイオードDO2がオフとなり、整流ダイオードDO1がオ
ンとなって整流動作を行う期間においては、一次巻線N
1と二次巻線N2との極性(相互インダクタンスM)が+
Mとなる加極性モードとなり、二次巻線N2に誘起され
た電圧に直列共振コンデンサCs1の電位が加わるとい
う直列共振が生じる状態で平滑コンデンサCO1に対して
充電が行われる動作となる。上記のようにして、加極性
モード(+M;フォワード動作)と減極性モード(−
M;フライバック動作)との両者のモードを利用して整
流動作が行われることで、平滑コンデンサCO1において
は、二次巻線N2の誘起電圧のほぼ2倍に対応する直流
出力電圧EO1が得られる。
1,整流ダイオードDO1,DO2、平滑コンデンサCO1]
の組による倍電圧全波整流動作としては次のようにな
る。一次側のスイッチング動作により一次巻線N1にス
イッチング出力が得られると、このスイッチング出力は
二次巻線N2に励起される。そして、整流ダイオードDO
1がオフとなり、整流ダイオードDO2がオンとなる期間
においては、一次巻線N1と二次巻線N2との極性(相互
インダクタンスM)が−Mとなる減極性モードで動作し
て、二次巻線N2の漏洩インダクタンスと直列共振コン
デンサCs1による直列共振作用によって、整流ダイオ
ードDO2により整流した整流電流を直列共振コンデンサ
Cs1に対して充電する動作が得られる。そして、整流
ダイオードDO2がオフとなり、整流ダイオードDO1がオ
ンとなって整流動作を行う期間においては、一次巻線N
1と二次巻線N2との極性(相互インダクタンスM)が+
Mとなる加極性モードとなり、二次巻線N2に誘起され
た電圧に直列共振コンデンサCs1の電位が加わるとい
う直列共振が生じる状態で平滑コンデンサCO1に対して
充電が行われる動作となる。上記のようにして、加極性
モード(+M;フォワード動作)と減極性モード(−
M;フライバック動作)との両者のモードを利用して整
流動作が行われることで、平滑コンデンサCO1において
は、二次巻線N2の誘起電圧のほぼ2倍に対応する直流
出力電圧EO1が得られる。
【0076】上記構成によると、図8に示す回路の二次
側では相互インダクタンスが+Mと−Mの動作モードと
なる状態を利用して、倍電圧全波整流を行うことで二次
側直流出力電圧を得るようにしている。つまり、一次側
の電流共振作用と二次側の電流共振作用とによる電磁エ
ネルギーが同時に負荷側に供給されるようにしているた
め、それだけ負荷側に供給される電力も更に増加して、
最大負荷電力の大幅な増加が図られることになる。
側では相互インダクタンスが+Mと−Mの動作モードと
なる状態を利用して、倍電圧全波整流を行うことで二次
側直流出力電圧を得るようにしている。つまり、一次側
の電流共振作用と二次側の電流共振作用とによる電磁エ
ネルギーが同時に負荷側に供給されるようにしているた
め、それだけ負荷側に供給される電力も更に増加して、
最大負荷電力の大幅な増加が図られることになる。
【0077】また、倍電圧全波整流回路によって二次側
直流出力電圧を得るようにしていることで、例えば等倍
電圧整流回路によって得られる二次側直流出力電圧と同
等のレベルを得ようとすれば、本実施の形態の二次巻線
N2としては、従来の1/2の巻数で済むことになる。
この巻数の削減は、絶縁コンバータトランスPITの小
型軽量化、及び低コスト化につながる。なお、この場合
には、二次巻線N2とは独立して二次巻線N2Aを巻装
し、この二次巻線N2Aに対して、整流ダイオードDO3及
び平滑コンデンサCO2からなる半波整流回路が接続され
ることで、直流出力電圧EO2を生成するようにしてい
る。
直流出力電圧を得るようにしていることで、例えば等倍
電圧整流回路によって得られる二次側直流出力電圧と同
等のレベルを得ようとすれば、本実施の形態の二次巻線
N2としては、従来の1/2の巻数で済むことになる。
この巻数の削減は、絶縁コンバータトランスPITの小
型軽量化、及び低コスト化につながる。なお、この場合
には、二次巻線N2とは独立して二次巻線N2Aを巻装
し、この二次巻線N2Aに対して、整流ダイオードDO3及
び平滑コンデンサCO2からなる半波整流回路が接続され
ることで、直流出力電圧EO2を生成するようにしてい
る。
【0078】図11は、上記図10に示した構成による
電源回路の要部の動作を示す波形図である。この図にお
いても、図11(a)〜(e)は、商用電源周期での動
作を示しているものとされ、それぞれ、先の実施の形態
に対応する図4(a)〜(e)と同一部の動作が示され
ている。また、図11(f)〜(i)は要部のスイッチ
ング周期での動作が示されており、ここでは、それぞ
れ、一次側の並列共振電圧Vcp、スイッチング電流I
D、磁気結合トランスMCTの二次巻線Nsの両端電圧V
L、交流入力電圧V1が示されている。
電源回路の要部の動作を示す波形図である。この図にお
いても、図11(a)〜(e)は、商用電源周期での動
作を示しているものとされ、それぞれ、先の実施の形態
に対応する図4(a)〜(e)と同一部の動作が示され
ている。また、図11(f)〜(i)は要部のスイッチ
ング周期での動作が示されており、ここでは、それぞ
れ、一次側の並列共振電圧Vcp、スイッチング電流I
D、磁気結合トランスMCTの二次巻線Nsの両端電圧V
L、交流入力電圧V1が示されている。
【0079】ここで、図11(a)〜(e)に示す各部
の動作としては、図4(a)〜(e)に示した動作と同
様となっている。但し、スイッチング周期で見た場合に
は、磁気結合トランスMCTが減極性で動作すること
で、図4(g)のスイッチング電流IDに示すようにし
て、高速リカバリ型ダイオードD1は、スイッチング素
子Q1がオフとなる期間Toffにおいてオンとなり、スイ
ッチング素子Q1がオンとなる期間Tonにおいてオフと
なるように動作する。つまり、スイッチング電流ID
は、図4(f)に示す並列共振電圧Vcpのパルスと同
じタイミングで流れることになる。また、図4(h)に
示す二次巻線Nsの両端電圧VLは、期間Toffにおいて
は、正方向に90Vpとなる正弦波状の波形となり、期
間Tonにおいてはその開始期間において負方向に40V
pとなる波形が得られる。また、図4(i)に示す直流
入力電圧V1は、期間Toffにおいては、220Vpとな
る正弦波状の波形となり、期間Tonにおいては、その開
始期間において70Vpとなる逆方向の正弦波状の波形
が得られ、この後、130Vが維持される。
の動作としては、図4(a)〜(e)に示した動作と同
様となっている。但し、スイッチング周期で見た場合に
は、磁気結合トランスMCTが減極性で動作すること
で、図4(g)のスイッチング電流IDに示すようにし
て、高速リカバリ型ダイオードD1は、スイッチング素
子Q1がオフとなる期間Toffにおいてオンとなり、スイ
ッチング素子Q1がオンとなる期間Tonにおいてオフと
なるように動作する。つまり、スイッチング電流ID
は、図4(f)に示す並列共振電圧Vcpのパルスと同
じタイミングで流れることになる。また、図4(h)に
示す二次巻線Nsの両端電圧VLは、期間Toffにおいて
は、正方向に90Vpとなる正弦波状の波形となり、期
間Tonにおいてはその開始期間において負方向に40V
pとなる波形が得られる。また、図4(i)に示す直流
入力電圧V1は、期間Toffにおいては、220Vpとな
る正弦波状の波形となり、期間Tonにおいては、その開
始期間において70Vpとなる逆方向の正弦波状の波形
が得られ、この後、130Vが維持される。
【0080】そして、このような構成であっても、その
特性としては、先の実施の形態と同様に、図5及び図6
に示したような特性が得られるものである。また、磁気
結合トランスMCTの一次巻線と二次巻線の巻数比を変
更すれば、例えば図8、図9に示したような特性が得ら
れるものである。
特性としては、先の実施の形態と同様に、図5及び図6
に示したような特性が得られるものである。また、磁気
結合トランスMCTの一次巻線と二次巻線の巻数比を変
更すれば、例えば図8、図9に示したような特性が得ら
れるものである。
【0081】なお、本出願人は、複合共振形スイッチン
グコンバータとして、二次側直列共振回路を利用した4
倍電圧整流回路を備えた構成も既に提案しているが、こ
のような構成も本実施の形態の変形例として成立し得
る。つまり、本実施の形態としては二次側の共振回路及
び整流回路の構成として特に限定されるものではない。
グコンバータとして、二次側直列共振回路を利用した4
倍電圧整流回路を備えた構成も既に提案しているが、こ
のような構成も本実施の形態の変形例として成立し得
る。つまり、本実施の形態としては二次側の共振回路及
び整流回路の構成として特に限定されるものではない。
【0082】また、上記各実施の形態にあっては、一次
側の電圧共振形コンバータとして、1石のスイッチング
素子を備えたいわゆるシングルエンド方式の構成が採ら
れているが、2石のスイッチング素子を交互にスイッチ
ングさせるいわゆるプッシュプル方式にも本発明が適用
できるものである。また、上記各実施の形態としては、
自励式のスイッチングコンバータを例に挙げたが他励式
の構成に対しても本発明の摘要は可能である。
側の電圧共振形コンバータとして、1石のスイッチング
素子を備えたいわゆるシングルエンド方式の構成が採ら
れているが、2石のスイッチング素子を交互にスイッチ
ングさせるいわゆるプッシュプル方式にも本発明が適用
できるものである。また、上記各実施の形態としては、
自励式のスイッチングコンバータを例に挙げたが他励式
の構成に対しても本発明の摘要は可能である。
【0083】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、複合共
振形コンバータに対して力率改善回路を備えたスイッチ
ング電源回路として、力率改善回路においては、磁気結
合トランスを設けて、磁気結合トランスの一次巻線(第
1巻線)に供給されるスイッチング出力を、磁気結合ト
ランスの二次巻線(第2巻線)に伝達することで、スイ
ッチング出力を整流電流経路に電力帰還するようにして
いる。そして、この整流電流経路に帰還されたスイッチ
ング出力によって、高速リカバリ型ダイオード(スイッ
チング用素子)が整流電流を断続するスイッチング動作
を行うことで、力率の改善を図るようにされる。
振形コンバータに対して力率改善回路を備えたスイッチ
ング電源回路として、力率改善回路においては、磁気結
合トランスを設けて、磁気結合トランスの一次巻線(第
1巻線)に供給されるスイッチング出力を、磁気結合ト
ランスの二次巻線(第2巻線)に伝達することで、スイ
ッチング出力を整流電流経路に電力帰還するようにして
いる。そして、この整流電流経路に帰還されたスイッチ
ング出力によって、高速リカバリ型ダイオード(スイッ
チング用素子)が整流電流を断続するスイッチング動作
を行うことで、力率の改善を図るようにされる。
【0084】ここで、磁気結合トランスにおいては、第
1巻線のインダクタンスよりも二次第2巻線のインダク
タンスが大きくなるように設定されていることで、直流
入力電圧が増加するのであるが、これにより、結果的に
は、交流入力電圧、及び負荷電力の変動に対しても、実
用性に足るだけの力率が得られるように維持されるもの
である。また、力率の特性としては、例えば第1巻線の
インダクタンスと第2巻線のインダクタンスとの比を調
整することで、交流入力電圧、負荷電力の変動に対して
ほぼ一定とすることもできるために、リップル成分の抑
制を図ることも可能となる。また、直流入力電圧の増加
によって、電力変換効率の向上が図られるものである。
1巻線のインダクタンスよりも二次第2巻線のインダク
タンスが大きくなるように設定されていることで、直流
入力電圧が増加するのであるが、これにより、結果的に
は、交流入力電圧、及び負荷電力の変動に対しても、実
用性に足るだけの力率が得られるように維持されるもの
である。また、力率の特性としては、例えば第1巻線の
インダクタンスと第2巻線のインダクタンスとの比を調
整することで、交流入力電圧、負荷電力の変動に対して
ほぼ一定とすることもできるために、リップル成分の抑
制を図ることも可能となる。また、直流入力電圧の増加
によって、電力変換効率の向上が図られるものである。
【図1】本発明の第1の実施の形態としてのスイッチン
グ電源回路の構成を示す回路図である。
グ電源回路の構成を示す回路図である。
【図2】本実施の形態の電源回路に採用される絶縁コン
バータトランスの構造を示す側断面図である。
バータトランスの構造を示す側断面図である。
【図3】相互インダクタンスが+M/−Mの場合の各動
作を示す説明図である。
作を示す説明図である。
【図4】図1に示すスイッチング電源回路の動作を示す
波形図である。
波形図である。
【図5】図1に示すスイッチング電源回路について、負
荷電力と力率との関係を示す特性図である。
荷電力と力率との関係を示す特性図である。
【図6】図1に示すスイッチング電源回路について、交
流入力電圧と力率との関係を示す特性図である。
流入力電圧と力率との関係を示す特性図である。
【図7】磁気結合トランスの巻線比を変更した場合の図
1に示すスイッチング電源回路の動作を示す波形図であ
る。
1に示すスイッチング電源回路の動作を示す波形図であ
る。
【図8】磁気結合トランスの巻線比を変更した場合の図
1に示すスイッチング電源回路の負荷電力と力率との関
係を示す特性図である。
1に示すスイッチング電源回路の負荷電力と力率との関
係を示す特性図である。
【図9】磁気結合トランスの巻線比を変更した場合の図
1に示すスイッチング電源回路の交流入力電圧と力率と
の関係を示す特性図である。
1に示すスイッチング電源回路の交流入力電圧と力率と
の関係を示す特性図である。
【図10】他の実施の形態としてのスイッチング電源回
路の構成を示す回路図である。
路の構成を示す回路図である。
【図11】図10に示すスイッチング電源回路の動作を
示す波形図である。
示す波形図である。
【図12】先行技術としての電源回路の構成を示す回路
図である。
図である。
【図13】先行技術としての電源回路の構成を示す回路
図である。
図である。
【図14】先行技術の電源回路について、負荷電力と力
率との関係を示す特性図である。
率との関係を示す特性図である。
【図15】先行技術の電源回路について、交流入力電圧
と力率との関係を示す特性図である。
と力率との関係を示す特性図である。
【図16】先行技術の電源回路について、負荷電力に応
じた商用交流電源の入力に対する動作を示す波形図であ
る。
じた商用交流電源の入力に対する動作を示す波形図であ
る。
1 制御回路、10 力率改善回路、Di ブリッジ整
流回路、Ci 平滑コンデンサ、D1 高速リカバリ型
ダイオード、C2 二次側並列共振コンデンサ、Cs1
二次側直列共振コンデンサ、PRT 直交型制御トラン
ス、PIT 絶縁コンバータトランス、MCT 磁気結
合トランス、Q1 スイッチング素子
流回路、Ci 平滑コンデンサ、D1 高速リカバリ型
ダイオード、C2 二次側並列共振コンデンサ、Cs1
二次側直列共振コンデンサ、PRT 直交型制御トラン
ス、PIT 絶縁コンバータトランス、MCT 磁気結
合トランス、Q1 スイッチング素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5H006 AA02 AA07 CA01 CA07 CA12 CB01 CB03 CC02 CC08 DB01 DC05 5H730 AA18 AS01 BB23 BB52 BB72 CC04 DD02 DD23 DD27 EE02 EE07 EE30 EE59 EE73 FD01 FG05 XC09 ZZ16
Claims (2)
- 【請求項1】 商用交流電源を入力して整流平滑電圧を
生成し、直流入力電圧として出力する整流平滑手段と、 疎結合とされる所要の結合係数が得られるようにギャッ
プが形成され、一次側出力を二次側に伝送するために設
けられる絶縁コンバータトランスと、 上記直流入力電圧をスイッチング素子により断続して上
記絶縁コンバータトランスの一次巻線に出力するように
されたスイッチング手段と、 少なくとも、上記絶縁コンバータトランスの一次巻線を
含む漏洩インダクタンス成分と並列共振コンデンサのキ
ャパシタンスとによって形成されて、上記スイッチング
手段の動作を電圧共振形とする一次側並列共振回路と、 上記一次巻線と接続されて所定のインダクタンスを有す
る第1巻線と、整流電流経路に挿入されて上記第1巻線
のインダクタンスよりも大きな所定のインダクタンスを
有する第2巻線とを磁気結合する磁気結合トランスと、
整流電流経路に挿入されるスイッチング用素子とを少な
くとも備えた力率改善手段と、 上記絶縁コンバータトランスの二次巻線の漏洩インダク
タンス成分と、二次側共振コンデンサのキャパシタンス
とによって二次側において形成される二次側共振回路
と、 上記二次側共振回路を含んで形成され、上記絶縁コンバ
ータトランスの二次巻線に得られる交番電圧を入力し
て、整流動作を行って二次側直流出力電圧を生成するよ
うに構成された直流出力電圧生成手段と、 上記二次側直流出力電圧のレベルに応じて、二次側直流
出力電圧に対する定電圧制御を行うように構成された定
電圧制御手段と、 を備えていることを特徴とするスイッチング電源回路。 - 【請求項2】 上記磁気結合トランスの上記第1巻線と
上記第2巻線のインダクタンス値の各々について所要の
値が得られるように、上記第1巻線と上記第2巻線の巻
数比が変更設定可能とされていることを特徴とする請求
項1に記載のスイッチング電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23679599A JP2001069755A (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | スイッチング電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23679599A JP2001069755A (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | スイッチング電源回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001069755A true JP2001069755A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17005913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23679599A Withdrawn JP2001069755A (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | スイッチング電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001069755A (ja) |
-
1999
- 1999-08-24 JP JP23679599A patent/JP2001069755A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061107 |