JP2001127366A - 固体レーザ装置の出力制御方法、固体レーザ用電源装置及び固体レーザ装置 - Google Patents

固体レーザ装置の出力制御方法、固体レーザ用電源装置及び固体レーザ装置

Info

Publication number
JP2001127366A
JP2001127366A JP30212799A JP30212799A JP2001127366A JP 2001127366 A JP2001127366 A JP 2001127366A JP 30212799 A JP30212799 A JP 30212799A JP 30212799 A JP30212799 A JP 30212799A JP 2001127366 A JP2001127366 A JP 2001127366A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
state laser
laser
power supply
waveform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30212799A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiro Takase
智裕 高瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP30212799A priority Critical patent/JP2001127366A/ja
Priority to US09/694,351 priority patent/US6449297B1/en
Priority to DE10052899A priority patent/DE10052899A1/de
Publication of JP2001127366A publication Critical patent/JP2001127366A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/1022—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping
    • H01S3/1024—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping for pulse generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パルス幅が５００μｓ以内の領域でも、１パ
ルス波形の内部を任意の形状に制御する機能を実現する
技術を提供すること。 【解決手段】 半導体レーザ４への印加電圧又は注入電
流又は投入電力の少なくともいずれかを１μｓから１０
０μｓの時間分解能で変調制御することで、固体レーザ
の出力波形の形状を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザで励
起する固体レーザ装置のレーザパルス波形を任意の形状
に制御することが可能な、固体レーザ装置の出力制御技
術、固体レーザ用電源及びそれを用いた固体レーザ装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、固体レーザ装置で出力するパルス
波形を任意に制御するためには、Ｑスイッチ動作により
光学的にパルスを形成して出力する方法と、電源制御に
よってパルスを形成して出力する方法が用いられてい
る。
【０００３】Ｑスイッチ動作では、光共振器内に高速シ
ャッタを設置して、その動作により光学的にパルスを形
成している。すなわち、高速シヤッタを開けると、励起
媒質内部に蓄積されたエネルギを消費して、レーザ発振
器が発振を開始しする。レーザ発振器が蓄積されたエネ
ルギを完全に消費した段階で発振を停止する。つまり、
この発振している期間が出力するパルス幅に相当する。
通常、このパルス幅はｎｓオーダーで、そのパルス形状
はシングルピーク状となる。また、このＱスイッチ動作
は自励発振であるため、１パルス内を任意の形状に制御
することは困難である。
【０００４】一方、電源制御では、励起源であるフラッ
シュランプへの電気的な投入エネルギを制御してパルス
を励起している。この場合、電気的な制御なので、パル
ス幅がある程度の値以上の場合であれば、パルス幅やパ
ルス形状の制御も比較的容易に行うことができる。例え
ば、パルス幅が１〜２０ｍｓ程度の領域においては、１
パルス内を任意の形状に制御して加工点への入熱をコン
トロールする技術等が特開平４−４２９７９号公報に開
示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
電子部品の小型化が進み、極めて薄い材料をレーザで加
工する事例（例えば、板厚が０．１ｍｍ以内のＡｌ板の
溶接やプラスチック部品の溶着）が増えてきている。そ
れらに適応するためには、パルス幅が１０μｓ〜５００
μｓ程度を用いて、かつ、１パルス内を任意の形状に制
御したいという要望が高まっている。これについては、
上記した従来の固体レーザの制御方法ではいずれも対応
することは困難である。
【０００６】すなわち、Ｑスイッチ動作では、その原理
が、レーザ物質がポンピングされている間に、光共振器
の損失を大きくしておいて発振を抑えると、極めて大き
な反転分布が達成され、それを急激に光共振器の損失を
小さくして、発振に有利なようにＱを大きな値に導くこ
とにより、蓄えられたエネルギが数ｎｓから数十ｎｓの
間で爆発的に放出する自励発振であるため、１パルス内
を任意の形状に制御することはレーザ光の１パルス内を
１０μｓから５００μｓで任意の形状に制御することは
困難である。
【０００７】また、フラッシュランプを用いた場合は、
以下の理由で困難である。
【０００８】第１にフラッシュランプの立ち上がり応答
性能が１００μｓ〜５００μｓが必要であるため、パル
ス幅が１０μｓ〜５００μｓの領域では、１パルス波形
を任意の形状に制御することが、極めて難しい。
【０００９】第２にフラッシュランプのパルス立ち上が
り特性は、個体差が大きく、また、経時変化を起こしや
すい。例えば、パルス波形の先頭の１００μｓの部分に
急峻なピーク値を持つ任意波形を設定した場合、このピ
ーク値はフラッシュランプの個体差や経時変化の影響を
常に受け易く、それにより、それを用いた加工にも大き
な影響を及ぼす。
【００１０】このように、パルス幅が５００μｓ以内の
領域で、１パルス波形の内部を任意の形状に制御しよう
としても、フラッシュランプの特性の問題から、これを
実現することは極めて困難であった。
【００１１】本発明はこれらの事情に基づいてなされた
もので、パルス幅が５００μｓ以内の領域でも、１パル
ス波形の内部を任意の形状に制御する機能を実現する技
術を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による手
段によれば、励起光源に半導体レーザを用いた固体レー
ザ装置の出力制御方法において、前記半導体レーザへの
印加電圧又は注入電流又は投入電力の少なくともいずれ
かを１μｓから１００μｓの時間分解能で変調制御する
ことで、前記固体レーザの出力波形の形状を制御するこ
とを特徴とする固体レーザ装置の出力制御方法である。
【００１３】また請求項２の発明による手段によれば、
励起光源に半導体レーザを用いた固体レーザに用いる電
源装置において、前記半導体レーザの印加電圧又は注入
電流又は投入電力を１μｓから１００μｓの時間分解能
で変調制御することによって、前記固体レーザの出力波
形を制御することを特徴とした固体レーザ用電源装置で
ある。
【００１４】また請求項３の発明による手段によれば、
上記の固体レーザ用電源は、電源回路にスイッチング方
式を用いていることを特徴とする固体レーザ用電源装置
である。
【００１５】また請求項４の発明による手段によれば、
上記の固体レーザ用電源装置と、半導体レーザを用いた
励起光源と、レーザ光が励起される固体レーザ媒質と、
励起されたレーザ光を共振させる一対のミラーとを有す
ることを特徴とする固体レーザ装置である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の固体レーザ装置の
実施の形態の一例について図面を参照して説明する。
【００１７】図１は、本発明の固体レーザ装置の構成を
示す模式図である。固体レーザ媒質であるＹＡＧロッド
を用いたレーザ媒質１の光軸上の両端部側には、光共振
器を構成する反射鏡２と出力鏡３が設けられている。ま
た、レーザ媒質１の光軸に平行に励起用の半導体レーザ
アレイ４が冷却用のヒートシンク５と一体化され設けら
れている。この半導体レーザアレイ４は波形制御機能付
電源６に接続されて、それにより制御されている。
【００１８】波形制御機能付電源６は図２に回路構成図
を示すように、４回路が並列に接続した代表的なスイッ
チング回路の一種であるディザ回路（例えば、特開平８
−３１７６５５号公報に示されている）を用いた制御方
式を用いている。ディザ回路は、直流電圧源７に出力側
に向かって直列に、スイッチング素子８ａ…８ｄと、こ
のスイッチング素子８ａ…８ｄからの電流を平滑化する
出力インダクタンス９ａ…９ｄとを接続し、スイッチン
グ素子８ａ…８ｄと出力インダクタンス９ａ…９ｄとの
間にフライホイールダイオード１０ａ…１０ｄを接続し
て、制御回路１１でスイッチング素子８ａ…８ｄを制御
するものである。なお、本実施の形態では４つの回路を
並列に設けている。
【００１９】また、波形制御機能付電源６には、図１で
示した半導体レーザアレイ４への印加電圧又は注入電流
又は投入電力を、それぞれモニタするモニタ部（不図
示）も設けられている。
【００２０】したがって、各スイッチング素子８ａ…８
ｄがＯＮ状態になると、直流電圧源７から出力インダク
タンス９ａ…９ｄを介して出力は半導体レーザアレイ４
に供給される。また、各スイッチング素子８ａ…８ｄが
ＯＦＦ状態になると出力インダクタンス９ａ…９ｄの出
力がフライホイールダイオード１０ａ…１０ｄを介して
還流し、半導体レーザアレイ４に平滑化した直流電流が
供給される構成のスイッチング方式の一種であるディサ
方式の電源を形成している。
【００２１】なお、ディザ回路から出力されるディザ信
号Ｄａ〜Ｄｄは、図３に示すように波形制御機能付電源
６に設けられている発振回路（不図示）から出力される
クロックパルスの周期に同期して漸減する鋸歯状波信号
Ｄａ〜Ｄｄである。したがって、電源出力を時間関数波
形としてあらかじめ設定し、半導体レーザへの印加電圧
又は注入電流又は投入電力の何れを選択して用いるにし
ても、選択されて用いられたものに対して、波形制御機
能付電源６に設けられているモニタ部（不図示）でモニ
タして、電源出力をあらかじめ設定した波形に収束させ
ることで変調出力を得ることができる。
【００２２】また、４つの各ディザ回路から出力された
鋸歯状波信号Ｄａ〜Ｄｄを合成した信号ＤＡ〜ＤＤは、
図４に示すように、それぞれの鋸歯状波信号が少しずつ
時間的にずれて合成されるので、細かい制御の可能な平
滑度の高い信号になる。もちろん、ディザ回路の数を増
せば、より平滑度が増してより細かい制御が可能にな
る。
【００２３】このように、ＱＣＷ仕様（準ＣＷ仕様、ｑ
ｕａｓｉ−ＣＷとも称されている）の半導体レーザ励起
の固体レーザに対して、ディザ回路を用いて、出力する
１パルス内の波形を設定値に合わせて細かく制御する技
術が本発明の特徴である。
【００２４】従来、ＱＣＷ仕様の半導体レーザ励起の固
体レーザでは、矩形波動作が推奨されており、従って、
半導体レーザへの電力供給は安定化電源を用いた矩形波
動作に限定されていた。
【００２５】そのため、半導体レーザ励起の固体レーザ
で、従来から用いられていた矩形波パルス出力か、Ｑス
イッチを使用したシングルピーク出力に限定されていた
ものと比較すると、本発明の技術での制御の精密度が大
幅に向上し、１パルス内での波形の制御を行うことがで
きるようになっている。
【００２６】すなわち、上述の実施の形態では半導体レ
ーザの電源にディザ回路を用いた電流変調可能なスイッ
チング電源を使用して、ディザ制御方式による４つの回
路を並列に用いた結果、スイッチング周波数７５ｋＨｚ
×４回路で１００Ａでの応答時間が１０μｓを実現でき
た。
【００２７】図５（ａ）〜（ｆ）は本発明の半導体レー
ザによる励起での波形制御と、従来のランプ励起での波
形制御との比較を示す説明図である。
【００２８】すなわち設定波形は、（ａ）に示す本発明
の場合も、（ｄ）に示す従来の場合も同じで、パルス幅
が１００μｓ以内を２０μｓずつの階段状の５段階に設
定している。
【００２９】これに関しての電流波形は、（ｂ）に示す
本発明の場合は、階段状に対応して、変形した５段階と
なっているが、（ｅ）に示す従来の場合はパルス幅が１
００μｓでは全く対応できず、一つの曲線を示している
に過ぎない。また、レーザ波形も同様に、（ｃ）に示す
本発明の場合は、階段状に対応して変形した５段階とな
っているが、（ｆ）に示す従来の場合はパルス幅が１０
０μｓでは全く対応できず、設定波形とは何の相関性も
見出すことができない。つまり、単なる一つの曲線を示
しているに過ぎない。
【００３０】つまり、従来のフラシュランプ励起では応
答時間が短くても１００μｓなのでレーザパルス波形
は、２０μｓに設定された値に適応できず、設定波形か
ら大きくかけ離れた波形形状になる。一方、本発明の場
合は、応答時間が１０μｓなので、２０μｓに設定され
た値に十分に適応できるため、レーザパルス波形の設定
と近似した形状を得ることができる。
【００３１】このように、本発明によれば、パルス幅５
００μｓ以内の領域でも、１パルス内における波形を任
意の形状に制御することを実現できる。
【００３２】以上に述べたように本発明では、固体レー
ザ装置の励起光源に半導体レーザを使用し、この半導体
レーザへの印加電圧又は注入電流又は投入電力の何れか
を用いた際に、その用いた何れかを高い時間分解能で波
形制御する。励起光源として用いた半導体レーザはフラ
ッシユランプに比べて応答速度が極めて速く、１μｓ程
度での応答時間が期待できる。したがって、この半導体
レーザの高速応答性を利用して、固体レーザの出力を１
μｓ〜１００μｓの高い時間分解能で任意のレーザパル
ス形状に制御することができる。その結果、パルス幅５
００μｓ以内のレーザパルスでも、１パルス波形を高精
度かつ任意の形状に制御することが可能となった。
【００３３】なお、上述の実施の形態では、ディサ回路
によるスイッチング方式の電源回路を用いたが、それに
換えてドロッパ方式を用いてもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、固体レーザ装置におい
て、励起光源に半導体レーザを使用し、この半導体レー
ザへの印加電圧又は注入電流又は投入電力の何れかを１
〜１００μｓの時間分解能で制御することで、固体レー
ザの１パルスでのレーザパルス波形を高い時間分解能で
任意の形状に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の固体レーザ装置の構成を示す模式図。
【図２】波形制御機能付電源の回路構成図。
【図３】ディザ信号の波形説明図。
【図４】ディザ信号の合成波形説明図。
【図５】（ａ）から（ｆ）は、本発明のＬＤ励起波形制
御と従来のランプ波形制御との比較説明図。
【符号の説明】
１…レーザ媒質、４…半導体レーザアレイ、６…波形制
御機能付電源、８ａ…８ｄ…スイッチング素子、９ａ…
９ｄ…出力インダクタンス、１０ａ…１０ｄ…フライホ
イールダイオード

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 励起光源に半導体レーザを用いた固体レ
    ーザ装置の出力制御方法において、 前記半導体レーザへの印加電圧又は注入電流又は投入電
    力の少なくともいずれかを１μｓから１００μｓの時間
    分解能で変調制御することで、前記固体レーザの出力波
    形の形状を制御することを特徴とする固体レーザ装置の
    出力制御方法。
  2. 【請求項２】 励起光源に半導体レーザを用いた固体レ
    ーザに用いる電源装置において、 前記半導体レーザの印加電圧又は注入電流又は投入電力
    を１μｓから１００μｓの時間分解能で変調制御するこ
    とによって、前記固体レーザの出力波形を制御すること
    を特徴とした固体レーザ用電源装置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載した固体レーザ用電源
    は、電源回路にスイッチング方式を用いていることを特
    徴とする固体レーザ用電源装置。
  4. 【請求項４】 請求項２又は請求項３に記載された固体
    レーザ用電源装置と、半導体レーザを用いた励起光源
    と、レーザ光が励起される固体レーザ媒質と、励起され
    たレーザ光を共振させる一対のミラーとを有することを
    特徴とする固体レーザ装置。
JP30212799A 1999-10-25 1999-10-25 固体レーザ装置の出力制御方法、固体レーザ用電源装置及び固体レーザ装置 Pending JP2001127366A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30212799A JP2001127366A (ja) 1999-10-25 1999-10-25 固体レーザ装置の出力制御方法、固体レーザ用電源装置及び固体レーザ装置
US09/694,351 US6449297B1 (en) 1999-10-25 2000-10-24 Power supply unit for solid-state laser, solid state laser, and laser beam generator
DE10052899A DE10052899A1 (de) 1999-10-25 2000-10-25 Stromversorgungseinheit für einen Festkörper-Laser, Festkörperlaser und Laserstrahlgenerator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30212799A JP2001127366A (ja) 1999-10-25 1999-10-25 固体レーザ装置の出力制御方法、固体レーザ用電源装置及び固体レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001127366A true JP2001127366A (ja) 2001-05-11

Family

ID=17905255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30212799A Pending JP2001127366A (ja) 1999-10-25 1999-10-25 固体レーザ装置の出力制御方法、固体レーザ用電源装置及び固体レーザ装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6449297B1 (ja)
JP (1) JP2001127366A (ja)
DE (1) DE10052899A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245608A (ja) * 2006-05-10 2006-09-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置
CN102427201A (zh) * 2011-11-11 2012-04-25 西安欧益光电科技有限公司 一种绿光脉冲激光开启出光延迟时间降低方法及激光电源
JP2013074019A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザアニール装置及びレーザアニール方法
CN114400507A (zh) * 2021-12-07 2022-04-26 杭州晟创激光科技有限公司 一种可调脉宽半导体蓝光激光器模块的实现方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003013779A1 (de) * 2001-08-07 2003-02-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum laserstrahlschweissen
US7352784B2 (en) * 2004-07-20 2008-04-01 Jds Uniphase Corporation Laser burst boosting method and apparatus
JP5105944B2 (ja) * 2007-04-16 2012-12-26 パナソニック株式会社 レーザ装置
CN108988122A (zh) * 2018-09-30 2018-12-11 无锡源清瑞光激光科技有限公司 一种适用于激光点焊的qcw准连续半导体激光控制系统

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02228084A (ja) 1989-03-01 1990-09-11 Fujitsu Ltd 半導体レーザの駆動回路
JPH0442979A (ja) 1990-06-07 1992-02-13 Asahi Glass Co Ltd レーザダイオード励起固体レーザ
DE4210022A1 (de) 1992-03-27 1993-09-30 Sel Alcatel Ag Ansteuerschaltung für einen Laser
IT1268070B1 (it) 1994-06-06 1997-02-20 Cselt Centro Studi Lab Telecom Circuito in tecnologia cmos per il pilotaggo ad alta velocita' di sorgenti ottiche.
DE19515963A1 (de) 1995-05-02 1996-11-07 Bandemer Adalbert Dr Ing Modularer Aufbau von Stromversorgungen für Hochleistungs-Laserdioden
JP2958744B2 (ja) 1995-05-15 1999-10-06 東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社 電力供給装置
EP0798618B1 (en) 1996-03-29 2002-02-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Array device having functional circuits and constant current generating circuits for a plurality of channels
IT1285852B1 (it) 1996-04-24 1998-06-24 Cselt Centro Studi Lab Telecom Circuito di pilotaggio ad alta velocita' di sorgenti ottiche realizzato in tecnologia cmos.
US6091749A (en) 1998-02-26 2000-07-18 Trw Inc. Laser system controller

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245608A (ja) * 2006-05-10 2006-09-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2013074019A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザアニール装置及びレーザアニール方法
CN102427201A (zh) * 2011-11-11 2012-04-25 西安欧益光电科技有限公司 一种绿光脉冲激光开启出光延迟时间降低方法及激光电源
CN114400507A (zh) * 2021-12-07 2022-04-26 杭州晟创激光科技有限公司 一种可调脉宽半导体蓝光激光器模块的实现方法
CN114400507B (zh) * 2021-12-07 2023-06-30 杭州晟创激光科技有限公司 一种可调脉宽半导体蓝光激光器模块的实现方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE10052899A1 (de) 2001-06-07
US6449297B1 (en) 2002-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5719372A (en) Laser marking system and method using controlled pulse width of Q-switch
US7599407B2 (en) Laser control method, laser apparatus, laser treatment method used for the same, laser treatment apparatus
CN101442178B (zh) 激光振荡装置及其控制方法
US6038240A (en) Method and solid-state laser system for generating laser pulses with a variable pulse repetition frequency and constant beam characteristics
CA2243176C (en) Control method of exciting a pulse laser and power supply unit for exciting a pulse laser
CN113904211A (zh) 脉冲生成器电路、相关系统和方法
JP2001127366A (ja) 固体レーザ装置の出力制御方法、固体レーザ用電源装置及び固体レーザ装置
US7058094B2 (en) Q-switch laser device
JP2002359422A (ja) Ｑスイッチレーザ制御装置およびレーザ装置
JP5320616B2 (ja) レーザ、およびパルス・レーザ放射を発生させる方法
JP2002151773A (ja) レーザー及び材料処理方法
EP1026795A2 (en) Semiconductor laser-excitation solid-state laser oscillating device
JP4352871B2 (ja) パルス駆動レーザダイオード励起ｑスイッチ固体レーザ発振器並びにその発振制御方法
JPH05110179A (ja) 短波長短パルス光源
JP3131079B2 (ja) Ｑスイッチｃｏ２レーザ装置
JP3487404B2 (ja) 半導体レーザ励起ｑスイッチ発振固体レーザ装置
JP2003347636A (ja) Ｑスイッチレーザ装置及びｑスイッチ制御方法
JPH01192183A (ja) パルスガスレーザ装置
WO1997045901A1 (en) Pulsed laser with passive stabilization
JP2002076479A (ja) 固体レーザ発振器および固体レーザの発振方法
JP2002246675A (ja) レーザ発振装置とその制御方法
JP2000252571A (ja) レーザマーキング装置
JPH05327078A (ja) 固体レーザ装置
JPH08204262A (ja) 閃光燈励起形連続発振レーザーにおいて電流合成による高尖頭出力パルス発生法
JPH11354876A (ja) 超音波ｑスイッチ装置及びｑスイッチレーザ出力装置