JP2001192013A - トレー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＣＰ型半導体装置の収容効率の高いトレー
の提供。リードを損傷させることなく電気特性試験が行
えるトレーの提供。 【解決手段】 表面に導電性のリードパターンを有する
とともに複数のガイド孔を有する絶縁性のテープと、前
記テープに固定される半導体チップと、前記テープに設
けた所定のリードと前記半導体チップの所定の電極を電
気的に接続する手段と、前記半導体チップを含む部分を
覆う絶縁性の樹脂体とを有するテープキャリアパッケー
ジ型半導体装置を収容するトレーであるとともに電気特
性試験用のトレーをも兼ねるトレーであって、前記ガイ
ド孔の少なくとも幾つかにそれぞれ挿入され、挿入によ
って前記半導体装置をトレーに固定することができる複
数のガイドピンと、前記電気特性試験用の測定端子が当
接される箇所のリード部分を支持するテープ部分を密着
状態で支持する支持部分を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、収容トレーおよび
電気特性試験用のトレーをも兼ねるトレーに係わり、特
に絶縁性テープに半導体装置を組み込んだテープキャリ
アパッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置の収容保管技術お
よび電気特性検査技術に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】トランジスタ等の能動素子や回路を組み
込んだ半導体チップや半導体装置は、一般にトレーと呼
称される容器に収容されて搬送される。例えば、工業調
査会発行「電子材料」1993年３月号、資料請求番号8022
には上面にパッケージ品を収容する窪んだ窪みを縦横に
整列配置したマトリックストレーが開示されている。ま
た、特願平9-2560号公報には同様のトレーが開示されて
いる。

【０００３】一方、半導体装置のパッケージ形態の一つ
として、絶縁性テープに半導体装置を組み込んだＴＣＰ
型半導体装置が知られている。このＴＣＰ型半導体装置
（テープキャリアパッケージＩＣ）は、表面にリードパ
ターンを有する絶縁性のテープ（フィルム）に半導体チ
ップを固定するとともに、前記リードと半導体チップの
各電極を電気的に接続し、さらに前記半導体チップを含
む部分を絶縁性の樹脂で覆った構造になっている。テー
プはその両側に沿って所定間隔に設けられたガイド孔
（スプロケットホール等）を有し、半導体装置の組み立
て等におけるテープの移送時使用される。半導体装置の
組み立て後、テープは半導体装置毎に切断されて単品化
されて出荷、またはリールにテープ毎巻かれて出荷され
る。

【０００４】単品化されたＴＣＰ型半導体装置は、柔軟
なフィルムを基に製造されたものであることから、その
ままの状態では扱い難いため専用のキャリアに収容され
て取り扱われる。例えば、特開平5-335786号公報には、
テープキャリアパッケージＩＣ用キャリア等の専用キャ
リアについて記載されている。単品化されたＴＣＰ型半
導体装置は、例えば、エージング処理,試験,測定を行っ
た後に切断,成形を行うが、前記テープキャリアパッケ
ージＩＣ用キャリアを用いることによってＴＣＰ型半導
体装置を安定した状態で保持できるため、前記各種の作
業を効率良く安定して行うことができる。また、ＴＣＰ
型半導体装置の着脱も容易である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ＴＣＰ型半導体装置
は、その製造においてテープ状態での組立の後、テープ
を各半導体装置毎に切断して単品化し、さらに個片にな
った製品（ＴＣＰ型半導体装置）を専用キャリアに収容
する。製品はキャリアに保護された状態でさらに搬送用
のトレーに収容される。ＴＣＰ型半導体装置のトレーへ
の着脱、または例えば選別工程の各設備（例えば、電気
特性試験用装置）へのＴＣＰ型半導体装置のローディン
グ・アンローディングは前記キャリアの状態で行われ
る。

【０００６】このようなキャリアを使用するＴＣＰ型半
導体装置の取扱いは、ＴＣＰ型半導体装置の外形寸法よ
りもキャリアの外形寸法が大きいため、トレーにおける
ＴＣＰ型半導体装置の収容効率が低下する。

【０００７】図１３は従来のトレー２０の斜視図であ
る。トレー２０の表面（上面）には縦横に矩形状の収容
窪み２１が整列配置形成されている。この収容窪み２１
には、図１４に示すように、キャリア（専用キャリア）
１５が収容される。このキャリア１５は特開平5-335786
号公報に開示されるキャリアであり、ＴＣＰ型半導体装
置１０を載置収容する。ＴＣＰ型半導体装置１０は、可
撓性の絶縁性フィルムからなるテープ５と、この絶縁性
のテープ５の表面に形成されたリードパターン（複数の
リード４）と、前記リード４に電極部分が電気的に接続
された図示しない半導体チップと、前記半導体チップを
含む部分を覆う樹脂体７とを有する構造となっている。
前記樹脂体７の周囲からリード４の外端部分が突出延在
し、外部電極端子を構成している。前記テープ５の両側
には、縁に沿って一定間隔でガイド孔５Ａが設けられて
いる。このガイド孔５Ａはスプロケットホールまたはパ
ーフォレーション孔と呼称される孔である。

【０００８】従来のキャリア１５を用いてＴＣＰ型半導
体装置１０をトレー２０に収容する形態は、図１４から
も分かるように、ＴＣＰ型半導体装置１０の両側からキ
ャリア１５の両端がそれぞれ突出するため、ＴＣＰ型半
導体装置１０の収容効率が低下する。

【０００９】また、キャリア１５はＴＣＰ型半導体装置
の電気特性試験の際、そのまま使用されるため、ＴＣＰ
型半導体装置１０のリード部分の保護ができ難くコンタ
クトプローブ（測定端子）の接触によってリードが変形
するおそれがある。

【００１０】本発明の目的は、ＴＣＰ型半導体装置の収
容効率の高いトレーを提供することにある。

【００１１】本発明の他の目的は、ＴＣＰ型半導体装置
のリードを損傷させることなく電気特性試験が行えるト
レーを提供することにある。

【００１２】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００１４】（１）表面に導電性のリードパターンを有
するとともに複数のガイド孔を有する絶縁性のテープ
と、前記テープに固定される半導体チップと、前記テー
プに設けた所定のリードと前記半導体チップの所定の電
極を電気的に接続する手段と、前記半導体チップを含む
部分を覆う絶縁性の樹脂体とを有するテープキャリアパ
ッケージ型半導体装置を収容するトレーであるとともに
電気特性試験用のトレーをも兼ねるトレーであって、前
記ガイド孔の少なくとも幾つかにそれぞれ挿入され、挿
入によって前記半導体装置をトレーに固定することがで
きる複数のガイドピンと、前記電気特性試験用の測定端
子が当接される箇所のリード部分を支持するテープ部分
を密着状態で支持する支持部分を有する。

【００１５】前記（１）の手段によれば、（ａ）トレー
に設けたガイドピンにＴＣＰ型半導体装置のテープに設
けたガイド孔を挿入するようにしてＴＣＰ型半導体装置
をトレーに収容する構造であることから、従来のように
専用キャリアを使用しないため、収容のための面積が小
さくなり、収容効率が向上する。

【００１６】（ｂ）従って、一つのトレーより多くのＴ
ＣＰ型半導体装置を収容することができるので、搬送効
率や保管効率が向上する。

【００１７】（ｃ）また、電気特性試験装置のローディ
ング箇所により多くのＴＣＰ型半導体装置を設定するこ
とができるとともに、アンローディング箇所ではより多
くのＴＣＰ型半導体装置を収容できるトレーを設定する
ことができる。

【００１８】（ｄ）トレーには、電気特性試験用の測定
端子が当接される箇所のリード部分を支持するテープ部
分を密着状態で支持する支持部分を有することから、測
定端子をリードに当接した際、リードはテープを介して
支持部分に支持されるため、変形することもなく損傷を
免れることになり、品質低下を起こさなくなる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００２０】（実施形態１）図１乃至図８は本発明の一
実施形態（実施形態１）であるトレーとそのトレーに収
容されるＴＣＰ型半導体装置等に係わる図である。図１
はトレーとトレーに収容されるＴＣＰ型半導体装置を示
す模式的平面図、図２はトレーの斜視図、図３は一部に
ＴＣＰ型半導体装置を収容したトレーの模式的平面図、
図４はトレーにＴＣＰ型半導体装置を載置収容する状態
を示す断面図である。

【００２１】本実施形態１のトレー２０は、図２に示す
ように、表面（上面）の周縁に突出するガイド突条２５
を有するとともに、その内側のトレー内底面２６に２列
に亘ってテーパ構造のガイドピン２７が設けられてい
る。この２列のガイドピン２７によって構成されるガイ
ドピン列は複数列設けられている。

【００２２】前記ガイドピン列によってそれぞれＴＣＰ
型半導体装置１０が並列に複数並んで支持収容されるよ
うになっている。図１ではガイドピン列は３列設けら
れ、１列のガイドピン列は１２個のＴＣＰ型半導体装置
１０を支持（ガイド）する。即ち、２列の隣り合う２本
のガイドピン２７（合計４本のガイドピン２７）に、Ｔ
ＣＰ型半導体装置１０のテープ５のガイド孔５Ａ（図５
参照）が入るように挿入させることによって、ガイドピ
ン２７がテーパ構造であることもあって、ＴＣＰ型半導
体装置１０はその位置をふらつかせることなく確実にト
レー２０に収容されることになる。

【００２３】また、ガイドピン列の間には、逃げ窪み２
８が設けられている。この逃げ窪み２８は、後述するＴ
ＣＰ型半導体装置１０の突出した樹脂体７（図６参照）
が接触しないように設けられる逃げ用の窪みである。

【００２４】トレー２０は、例えば、ポリフェニレンエ
ーテル（ＰＦＥ）やポリカーボネート（ＰＣ）等の絶縁
性樹脂で形成されている。特性的には表面抵抗値は１０
⁶Ω以下であり、１２５℃の耐熱性を備えるものであ
る。

【００２５】本実施形態１のトレー２０では図１４に示
す従来のトレー２０の場合に比べてより多くのＴＣＰ型
半導体装置１０を収容することができる。これは収容す
るＴＣＰ型半導体装置の寸法の違いによっては変わるも
のであるが、例えば、トレーの外形寸法を従来と同じに
した場合、図１４のトレー２０では２０個のＴＣＰ型半
導体装置１０が収容できるとした場合、本実施形態１の
トレー２０では３６個のＴＣＰ型半導体装置１０を収容
することができ収容効率が格段に向上する。

【００２６】ここでＴＣＰ型半導体装置１０について、
図５乃至図７を参照しながら説明する。図５はＴＣＰ型
半導体装置１０の模式的平面図、図６は模式的断面図、
図７は図６の一部を拡大した模式的断面図である。

【００２７】図５及び図６に示すように、ＴＣＰ型半導
体装置１０は、可撓性の絶縁性フィルムからなるテープ
５と、このテープ５の表面に形成されたリードパターン
（複数のリード４）と、前記リード４に電極部分が電気
的に接続された半導体チップ１と、前記半導体チップ１
を含む部分を覆い半導体チップ１の回路形成面１Ｘを保
護する樹脂体７とを有する構造となっている。前記樹脂
体７の周囲からリード４の外端部分が突出延在し、外部
電極端子を構成している。前記テープ５の両側には、縁
に沿って一定間隔でガイド孔５Ａが設けられている。こ
のガイド孔５Ａはスプロケットホールまたはパーフォレ
ーション孔と呼称される孔である。

【００２８】また、ＴＣＰ型半導体装置１０の製造に用
いられるテープとしては、テープに張り付けた銅箔等の
金属箔をエッチングしてリードを形成したものが使用さ
れるが、テープ５にリード４を形成したテープはテープ
キャリア６とも呼称されている。なお、図５は単一のＴ
ＣＰ型半導体装置１０を示すものである。従って、リー
ドパターンは単位リードパターンになっている。テープ
５としては、例えば厚さ３５μｍのポリイミド系樹脂フ
ィルムが用いられ、金属箔としては、例えば厚さ３５μ
ｍの銅箔が用いられている。

【００２９】前記絶縁性テープ５の両側には、テープキ
ャリア６を移動操作するために使用されるガイド孔５Ａ
が一定間隔に設けられている。また、絶縁性テープ５の
両側には、製造工程において絶縁性テープ５を位置決め
するために使用される位置決め孔５Ｂが設けられてい
る。

【００３０】前記半導体チップ１の平面形状は方形状で
形成され、例えば８．４ｍｍ×１３．４ｍｍの長方形で
形成されている。半導体チップ１には、記憶回路システ
ムとして、例えば６４メガビットのＤＲＡＭ（Ｄynamic
Ｒandom Ａccess Ｍemory）が内蔵されている。

【００３１】前記複数本のリード４のそれぞれは二つの
リード群に分割されている。一方のリード群のリード４
は半導体チップ１の互いに対向する二つの長辺のうちの
一方の長辺に沿って配列され、他方のリード群のリード
４は半導体チップ１の互いに対向する二つの長辺のうち
の一方の長辺に沿って配列されている。複数本のリード
４のそれぞれの一端側は絶縁性テープ５を介して半導体
チップ１の回路形成面１Ｘ上を延在し、複数本のリード
４のそれぞれの他端側は半導体チップ１の外周囲の外側
に引き出されている。複数本のリード４のそれぞれの他
端側は半導体チップ１の外側において絶縁性テープ５に
設けられた長孔５Ｃを横切るようにして延在し、それぞ
れの他端側の先端部分は絶縁性テープ５に支持されてい
る。

【００３２】前記半導体チップ１の回路形成面１Ｘの中
央部には電極１Ｃ（図６・図７参照）が形成されてい
る。この電極１Ｃは、半導体チップ１の長辺方向に沿っ
て複数個配列されている。

【００３３】複数本のリード４のそれぞれの一端側の先
端部分は、半導体チップ１の各電極１Ｃにバンプ３を介
して電気的にかつ機械的に接続されている。バンプ３と
しては、これに限定されないが、例えば半導体チップ１
の電極１Ｃ上にボールボンディング法で形成したＡｕバ
ンプが用いられている。複数本のリード４のそれぞれの
一端側の先端部分と各電極１Ｃとの接続は熱圧着にて行
なわれている。

【００３４】前記半導体チップ１は、図７に示すように
例えば単結晶シリコンから成る半導体基板１Ａと、この
半導体基板１Ａの回路形成面上において絶縁層、配線層
のそれぞれを複数段積み重ねた多層配線層１Ｂと、この
多層配線層１Ｂを覆うようにして形成された表面保護膜
１Ｄを主体とする構成になっている。表面保護膜１Ｄ
は、例えば、メモリにおける耐α線強度の向上を図るこ
とができ、また、樹脂７との接着性の向上を図ることが
できるポリイミド系の樹脂で形成されている。

【００３５】前記電極１Ｃは、半導体チップ１の多層配
線層１Ｂのうちの最上層の配線層に形成され、例えばア
ルミニウム（Ａｌ）膜又はアルミニウム合金膜等の金属
膜で形成されている。前記バンプ３は、表面保護膜１Ｄ
に形成されたボンディング開口を通して電極１Ｃに接続
されている。

【００３６】前記樹脂体７は、例えばエポキシ系樹脂に
有機溶剤が添加された熱硬化性樹脂を半導体チップ１の
回路形成面１Ｘにポッテング法で塗布し、その後、熱処
理を施して熱硬化性樹脂を硬化させることによって形成
される。即ち、樹脂体７はエポキシ系の熱硬化性樹脂で
形成されている。樹脂体７の厚さは、半導体チップ１の
電極１Ｃ上において例えば０．１〜０．２５ｍｍ程度に
なっている。

【００３７】前記半導体チップ１の回路形成面１Ｘと対
向する裏面１Ｙには、その裏面１Ｙを覆うようにして樹
脂フィルム２が接着されている。このように、半導体チ
ップ１の裏面１Ｙに、その裏面１Ｙを覆うようにして樹
脂フィルム２を接着することにより、半導体チップ１の
裏面１Ｙは樹脂フィルム２によって保護されるので、半
導体チップ１の裏面１Ｙに傷が付くことはない。この結
果、半導体チップ１の回路形成面１Ｘを覆う樹脂体７の
硬化収縮によって半導体チップ１の回路形成面１Ｘに収
縮力が作用し、半導体チップ１に反りが生じていても、
傷を起点にして発生する半導体チップ１の亀裂を防止す
ることができる。特に、ＴＣＰ型半導体装置１０の薄型
化を図るために半導体基板１Ａの厚さを薄くした場合
や、半導体チップ１の平面形状を長方形で形成した場合
や、樹脂体７との接着性の向上を図るために表面保護膜
１Ｄをポリイミド系の樹脂で形成した場合や、メモリの
耐α線強度の向上を図るために表面保護膜１Ｄの厚さを
厚くした場合においては半導体チップ１に反りが更に生
じ易くなるので、半導体チップ１の裏面１Ｙに傷が付か
ないようにすることは重要である。前記樹脂フィルム２
は例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂で形成されている。
樹脂フィルム２をエポキシ系の熱硬化性樹脂で形成する
ことにより、エポキシ系の熱硬化性樹脂はシリコンとの
接着性が高いので、樹脂フィルム２が剥がれ難くなる。

【００３８】個片にされたＴＣＰ型半導体装置１０は、
図１，図３及び図４に示すように、ＴＣＰ型半導体装置
１０のテープ５の所定のガイド孔５Ａがトレー２０のガ
イドピン２７に挿入されるようにしてトレー内底面２６
上に載置される。ＴＣＰ型半導体装置１０のテープ５に
設けられた２列のガイド孔（スプロケットホール）５Ａ
のピッチや隣りの列との間の間隔に対して、所定の位置
関係になるようにガイドピン２７が配置され、かつガイ
ドピン２７は先端に向かうに従って徐々に細くなるテー
パ構造になっていることから、このＴＣＰ型半導体装置
１０のトレー内底面２６への載置操作によって、ＴＣＰ
型半導体装置１０は所定の位置に確実に保持収容される
ことになる。

【００３９】本実施形態１のトレー２０は、ＴＣＰ型半
導体装置１０を直接トレー２０のガイドピン２７を利用
して位置決め収容する構造であり、従来のように専用キ
ャリアを使用しないため、収容のための面積が小さくな
り、収容効率が向上する。即ち前述のように、ＴＣＰ型
半導体装置１０の寸法の違いによっては変わるものであ
るが、例えば、従来とトレー２０の外形寸法を同じにし
た場合、図１４のトレー２０では２０個のＴＣＰ型半導
体装置１０が収容できるとした場合、本実施形態１のト
レー２０では３６個のＴＣＰ型半導体装置１０を収容す
ることができ、収容効率が格段に向上する。

【００４０】本実施形態１のトレー２０はＴＣＰ型半導
体装置１０の下方に突出する樹脂体７部分が接触しない
ようにトレー内底面２６の所定箇所には逃げ窪み２８が
設けられている。そして、ＴＣＰ型半導体装置１０のリ
ード４の一部はテープ５を介してトレー内底面２６に支
持される構造になっている。即ち、逃げ窪み２８の周囲
のトレー内底面２６部分は、電気特性試験用の測定端子
を当接させるリード部分をテープ部分を介して支持する
部分（支持部分２９：図８参照）になる。この支持部分
はテープ５に密着しリード４部分を支持することにな
る。また、トレー２０は前述のように、表面抵抗値は１
０⁶Ω以下であり電気絶縁性が高い。さらに耐熱性も１
２５℃と高い、従って図８に示すように、前記リード４
に電気特性試験用の測定端子３０、例えばプローブを当
接（接触）させてＴＣＰ型半導体装置１０の電気特性を
測定することができる。従って、本実施形態１のトレー
２０はバーンインテスト等の電気特性試験において使用
することができる。

【００４１】本実施形態１のトレー２０によれば以下の
効果を奏する。

【００４２】（１）トレー２０に設けたガイドピン２７
にＴＣＰ型半導体装置１０のテープ５に設けたガイド孔
５Ａを挿入するようにしてＴＣＰ型半導体装置１０をト
レー２０に収容する構造であることから、従来のように
専用キャリアを使用しないため、収容のための面積が小
さくなり、収容効率が向上する。

【００４３】（２）本実施形態１のトレー２０は、従来
品に比較してより多くのＴＣＰ型半導体装置１０を収容
することができるので、搬送効率や保管効率が向上す
る。

【００４４】（３）本実施形態１のトレー２０は、電気
特性試験装置のローディング箇所により多くのＴＣＰ型
半導体装置を設定することができるとともに、アンロー
ディング箇所ではより多くのＴＣＰ型半導体装置を収容
できるトレーを設定することができる。

【００４５】（４）本実施形態１のトレー２０において
は、電気特性試験用の測定端子が当接される箇所のリー
ド４部分を支持するテープ５部分を密着状態で支持する
支持部分２９を有することから、測定端子３０をリード
４に当接した際、リード４はテープ５を介して支持部分
２９に支持されるため、変形することもなく損傷を免れ
ることになり、品質低下を起こさなくなる。

【００４６】（実施形態２）図９は本発明の他の実施形
態（実施形態２）であるトレーの模式的斜視図、図１０
は一部にＴＣＰ型半導体装置を収容したトレーの平面
図、図１１はＴＣＰ型半導体装置の特性検査状態を示す
一部の模式的断面図である。

【００４７】本実施形態２のトレー２０は前記実施形態
１のトレー２０において、逃げ窪み２８を設けない構造
である。即ち、本実施形態２のトレー２０は図１１に示
すように、ＴＣＰ型半導体装置１０がテープ５の一面側
にしか突出しない構造であり、ＴＣＰ型半導体装置１０
の他の面は平坦になっている。このようなＴＣＰ型半導
体装置１０を収容するトレー２０は、図９及び図１１に
示すように、トレー２０のトレー内底面２６は平坦のま
までよく、製造コストが安価になる特長がある。本実施
形態２のトレー２０においても、図１１に示すように、
トレーの状態で収容したＴＣＰ型半導体装置１０の電気
特性試験が行える。リード４はテープ５を介して支持部
分２９に支持されることになり、測定端子３０のリード
４への当接によってリード４が折れたりすることなくリ
ード４の損傷を防止できる。

【００４８】（実施形態３）図１２は本発明の他の実施
形態（実施形態３）であるトレーの模式的斜視図であ
る。本実施形態３のトレー２０は、ガイドピン列の中央
に沿って逃げ窪み２８を設けた構造である。この構造で
はリード４の延在方向はガイドピン列と直交する方向に
なり、電気特性試験装における測定端子のリードに対す
る当接時、当接箇所のリードはテープを介して逃げ窪み
２８の外側のトレー内底面２６に支持されることから、
リードの損傷がなく電気特性試験が行えることになる。

【００４９】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００５１】（１）従来のように専用キャリアを使用せ
ず、トレーに設けたガイドピンでＴＣＰ型半導体装置を
直接支持収容する構造であることから収容効率が高くな
る。 （２）従って、搬送効率や保管効率が向上する。

【００５２】（３）また、１台のトレーにより、電気特
性試験装置のローディング箇所により多くのＴＣＰ型半
導体装置を設定することができるとともに、アンローデ
ィング箇所ではより多くのＴＣＰ型半導体装置を収容で
きることができる。

【００５３】（４）トレーに収容したＴＣＰ型半導体装
置に対してリードを損傷させることなく電気特性試験用
の測定端子を当接することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）であるトレ
ーとトレーに収容されるＴＣＰ型半導体装置を示す模式
的平面図である。

【図２】本実施形態１のトレーの斜視図である。

【図３】一部にＴＣＰ型半導体装置を収容した本実施形
態１のトレーを示す模式的平面図である。

【図４】本実施形態１のトレーにＴＣＰ型半導体装置を
載置収容する状態を示す断面図であり、図３のＡ−Ａ線
に沿う断面図である。

【図５】本実施形態１のトレーに収容するＴＣＰ型半導
体装置の拡大平面図である。

【図６】前記ＴＣＰ型半導体装置の一部を示す断面図で
ある。

【図７】前記断面図の一部の拡大断面図である。

【図８】本実施形態１のトレーにおいてＴＣＰ型半導体
装置の特性検査状態を示す一部の模式的断面図である。

【図９】本発明の他の実施形態（実施形態２）であるト
レーの模式的斜視図である。

【図１０】一部にＴＣＰ型半導体装置を収容した本実施
形態２のトレーの平面図である。

【図１１】本実施形態２のトレーにおいてＴＣＰ型半導
体装置の特性検査状態を示す一部の模式的断面図であ
る。

【図１２】本発明の他の実施形態（実施形態３）である
トレーの模式的斜視図である。

【図１３】従来のトレーを示す斜視図である。

【図１４】従来のトレーにＴＣＰ型半導体装置を収容す
る状態を示す模式図である。

【符号の説明】

１…半導体チップ、１Ａ…半導体基板、１Ｃ…電極、２
…樹脂フィルム、３…バンプ、４…リード、５…テー
プ、５Ａ…ガイド孔（スプロケットホール）、６…テー
プキャリア、７…樹脂体、１０…ＴＣＰ型半導体装置、
１５…キャリア（専用キャリア）、２０…トレー、２１
…収容窪み、２５…ガイド突条、２６…トレー内底面、
２７…ガイドピン、２８…逃げ窪み、２９…支持部分、
３０…測定端子。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に導電性のリードパターンを有する
   とともに複数のガイド孔を有する絶縁性のテープと、前
   記テープに固定される半導体チップと、前記テープに設
   けた所定のリードと前記半導体チップの所定の電極を電
   気的に接続する手段と、前記半導体チップを含む部分を
   覆う絶縁性の樹脂体とを有するテープキャリアパッケー
   ジ型半導体装置を収容するトレーであるとともに電気特
   性試験用のトレーをも兼ねるトレーであって、前記ガイ
   ド孔の少なくとも幾つかにそれぞれ挿入され、挿入によ
   って前記半導体装置をトレーに固定することができる複
   数のガイドピンと、前記電気特性試験用の測定端子が当
   接される箇所のリード部分を支持するテープ部分を密着
   状態で支持する支持部分を有することを特徴とするトレ
   ー。