JP2001237163A - 光学装置、不活性ガスの制御方法、密閉空間の雰囲気制御装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

光学装置、不活性ガスの制御方法、密閉空間の雰囲気制御装置およびデバイス製造方法

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JP2001237163A
JP2001237163A JP2000046165A JP2000046165A JP2001237163A JP 2001237163 A JP2001237163 A JP 2001237163A JP 2000046165 A JP2000046165 A JP 2000046165A JP 2000046165 A JP2000046165 A JP 2000046165A JP 2001237163 A JP2001237163 A JP 2001237163A
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inert gas
charging
charging chamber
gas
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Takashi Sudo
崇 須藤
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 投入室が不活性ガスで完全に置換されなくて
もチャンバに測定対象物を搬送できるようにする。ま
た、投入室に残存する不純物ガスがチャンバに拡散する
のをより完全に防止する。 【解決手段】 光学系の光路を包囲するチャンバ1と、
チャンバに設けられた開閉ゲート22と、チャンバに隣
接して設けられる投入室5と、チャンバと投入室の内部
の気体を不活性ガスで置換する置換手段2、23、1
8、29、34と、チャンバと投入室との間で開閉ゲー
トを介して対象物を搬入および搬出するための搬送手段
19とを備え、開閉ゲートが閉じているときに、チャン
バの圧力が投入室の圧力よりも大きくなるようにチャン
バまたは投入室に対する不活性ガスの供給量または排気
量を不活性ガス制御手段6、17、24、37によって
制御する。開閉ゲートが開いているときに、チャンバ側
から投入室側へ向けてシャワーヘッド25等により不活
性ガスを供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャンバ内の雰囲
気ガスを不活性ガスで置換し、チャンバ内を不活性ガス
で充填することにより、チャンバ内の光路や対象物に対
する不純物ガスの影響を防止できるようにした光学装
置、不活性ガスの制御方法および密閉空間の雰囲気制御
装置に関する。また、これらの装置または方法を用いた
デバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、真空紫外域の光学装置が広い分野
で利用されている。光の波長が200nm以下になると
空気中の酸素が光を吸収するため、光学系の光路を真空
にするか、光学系の光路中に存在している空気、汚染物
質または活性ガス(以下、「不純物ガス」という。)を
不活性ガスで置換する必要がある。
【0003】しかしながら、光学系の光路を真空にし
て、真空紫外域の光学評価を実施すると、真空排気系
からチャンバへの不純物ガスの拡散による光学素子の劣
化および測定および露光対象物の汚染、チャンバが真
空になることにより発生するチャンバの壁から脱離した
不純物ガスによる光学素子の劣化および測定および露光
対象物の汚染、さらに、真空になることにより発生す
るチャンバ中に置かれた部品および光学部品から脱離し
た不純物ガスによる光学素子の劣化および測定および露
光対象物の汚染といった問題が発生する。また、チャン
バが真空になることにより発生した不純物ガスが、20
0nm以下の波長の光を吸収して測定および露光精度を
悪化させ、正確な測定および露光値を評価することが困
難となる。
【0004】このため、光学系の光路を真空にする代わ
りに、光学系の光路中の不純物ガスを不活性ガスで置換
する方法が注目され、実施されている。光学系の光路中
の不純物ガスを不活性ガスで置換する方法によれば、光
学系の光路を真空にすることによって生じる不純物ガス
の問題を解決することができる。
【0005】光学系の光路中の不純物ガスを不活性ガス
で置換する方法においては、使用する不活性ガスの純度
が問題となる。純度の低い不活性ガスを使用すると、2
00nm以下の波長の光を吸収し、測定および露光精度
を低下させることが確認されている。特に、酸素原子を
有する不純物ガスが、200nm以下の波長の光を吸収
し、測定および露光精度を低下させることが確認されて
いる。
【0006】また、光学系の光路中の不純物ガスを不活
性ガスで置換する方法においては、チャンバの蓋を開け
て測定および露光対象物を直接チャンバに配置する方式
がある。この方式であると、チャンバ内に測定および露
光対象物を配置してからチャンバ中の不純物ガスを不活
性ガスで置換する時間が非常に長くなり、さらにチャン
バを開けた際、大気中の不純物ガスがチャンバ中の光学
部品に付着し、汚染を促進させ、光学部品の寿命を縮め
てしまう。
【0007】この問題を解決するため、チャンバに測定
および露光対象物を直接配置するのではなく、図2に示
すように、チャンバ1の他に、チャンバ1よりも小容積
の投入室5を設け、投入室5とチャンバ1の間にゲート
バルブ22を設ける方式がある。この方式であると、チ
ャンバ1はゲートバルブ22が開かない限り、常に不活
性ガスで置換された状態となり、チャンバ1に不純物ガ
スが拡散していくことを極力抑えることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、投入室5の不純物ガスが完全に不活性ガスで
置換されなければチャンバ1に測定および露光対象物を
搬送することができない。投入室5の雰囲気が完全に不
活性ガスで置換されていない状態でチャンバ1に測定お
よび露光対象物を搬送すると、投入室5に残存している
不純物ガスがチャンバ1に拡散してしまい、波長200
nm以下での測定および露光精度が低下してしまうから
である。さらに、不活性ガス供給の際、投入室5に残存
している不純物ガスがチャンバ1に拡散するという欠点
がある。
【0009】そこで本発明は、光学装置、不活性ガスの
制御方法、密閉空間の雰囲気制御装置およびデバイス製
造方法において、投入室が不活性ガスで完全に置換され
なくてもチャンバに測定および露光対象物を搬送できる
ようにすることを課題とする。また、投入室に残存する
不純物ガスがチャンバに拡散するのをより完全に防止す
ることを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ため、本発明の第1の光学装置は、光学系の光路を包囲
するチャンバと、該チャンバに設けられた開閉ゲート
と、該チャンバに隣接して設けられる投入室と、該チャ
ンバと該投入室の内部の気体を不活性ガスで置換する置
換手段と、該チャンバと該投入室との間で該開閉ゲート
を介して対象物を搬入および搬出するための搬送手段と
を備え、該開閉ゲートが閉じているときに、該チャンバ
の圧力が該投入室の圧力よりも大きくなるように該チャ
ンバまたは投入室に対する該不活性ガスの供給量または
排気量を制御する不活性ガス制御手段を具備することを
特徴とする。
【0011】第2の光学装置は、第1の光学装置におい
て、前記不活性ガス制御手段は、前記置換手段による前
記投入室およびチャンバのそれぞれに対する前記不活性
ガスの供給量を調整するための流量制御装置を有するこ
とを特徴とする。
【0012】第3の光学装置は、第1または第2の光学
装置において、前記不活性ガス制御手段は、前記投入室
およびチャンバに接続された排気配管に設けられた流量
制御バルブを、前記投入室およびチャンバに設けられた
圧力計の計測値に基づいて調整することにより前記排気
量の制御を行うものであることを特徴とする。
【0013】第4の光学装置は、第1〜第3のいずれか
の光学装置において、前記チャンバ内のガスを前記投入
室へ供給するための供給路を有することを特徴とする。
【0014】第5の光学装置は、第4の光学装置におい
て、前記不活性ガス制御手段は、前記供給路上に設けら
れた流量計の計測結果に基づき、前記供給路上に設けら
れた流量制御バルブを制御するものであることを特徴と
する。
【0015】第6の光学装置は、第1〜第5のいずれか
の光学装置において、前記チャンバ側から前記投入室側
へ向けて前記不活性ガスを供給するためのシャワーヘッ
ドを有し、前記不活性ガス制御手段は、前記開閉ゲート
が開いているときに前記シャワーヘッドから前記不活性
ガスの供給が行われるように前記シャワーヘッドに対す
る前記不活性ガスの供給を制御するものであることを特
徴とする。
【0016】第7の光学装置は、光学系の光路を包囲す
るチャンバと、該チャンバに設けられた開閉ゲートと、
該チャンバに隣接して設けられる投入室と、該チャンバ
と該投入室の内部の気体を不活性ガスで置換する置換手
段と、該チャンバと該投入室との間で該開閉ゲートを介
して対象物を搬入および搬出するための搬送手段とを備
え、該チャンバ内のガスを該投入室へ供給するための供
給路を有することを特徴とする。
【0017】第8の光学装置は、光学系の光路を包囲す
るチャンバと、該チャンバに設けられた開閉ゲートと、
該チャンバに隣接して設けられる投入室と、該チャンバ
と該投入室の内部の気体を不活性ガスで置換する置換手
段と、該チャンバと該投入室との間で該開閉ゲートを介
して対象物を搬入および搬出するための搬送手段とを備
え、該チャンバ側から該投入室側へ向けて不活性ガスを
供給する手段を有することを特徴とする。
【0018】第9の光学装置は、第8の光学装置におい
て、前記投入室側へ向けて不活性ガスを供給する手段
は、前記開閉ゲートが開いているときに、不活性ガスを
供給することを特徴とする。
【0019】第10の光学装置は、第8または第9の光
学装置において、前記投入室側へ向けて不活性ガスを供
給する手段は、シャワーヘッドであることを特徴とす
る。
【0020】第11の光学装置は、第1〜第8のいずれ
かの光学装置において、前記チャンバは、前記光学系に
よる測定のために測定対象物が配置されている測定室で
あることを特徴とする。
【0021】そして、第12の光学装置は、第1〜第8
のいずれかの光学装置において、前記チャンバは、前記
光学系により基板を露光する露光光を不活性ガス雰囲気
中に包囲するものであることを特徴とする。
【0022】また、本発明の第1の不活性ガスの制御方
法は、光学系の光路を包囲するチャンバを不活性ガスに
置換する工程と、該チャンバに隣接して設けられた投入
室の内部を不活性ガスに置換する工程と、該チャンバの
圧力が該投入室の圧力よりも大きくなるように該不活性
ガスの供給量または排気量を制御する工程を有すること
を特徴とする。
【0023】第2の不活性ガスの制御方法は、第1の不
活性ガスの制御方法において、前記チャンバと前記投入
室との間に設けられている開閉ゲートが閉じているとき
に、前記チャンバ内のガスを、供給路を経て前記投入室
に供給する工程を有することを特徴とする。
【0024】第3の不活性ガスの制御方法は、第2の不
活性ガスの制御方法において、前記チャンバ内のガスの
前記投入室への供給量を、前記チャンバまたは投入室の
圧力が所定の圧力となるようにまたは所定の供給量とな
るように制御することを特徴とする。
【0025】第4の不活性ガスの制御方法は、第1〜第
3のいずれかの不活性ガスの制御方法において、前記チ
ャンバと前記投入室との間に設けられている開閉ゲート
が開いているときに、前記不活性ガスをシャワーヘッド
により前記チャンバ側から前記投入室側へ向けて供給す
る工程を有することを特徴とする。
【0026】第5の不活性ガスの制御方法は、光学系の
光路を包囲するチャンバを不活性ガスに置換する工程
と、該チャンバに隣接して設けられた投入室の内部を不
活性ガスに置換する工程と、該チャンバと該投入室との
間に設けられた開閉ゲートが閉じているときに、該チャ
ンバ内のガスを供給路を経て該投入室に供給する工程と
を有することを特徴とする。
【0027】第6の不活性ガスの制御方法は、第5の不
活性ガスの制御方法において、前記チャンバ内のガスの
前記投入室への供給量を、前記チャンバまたは投入室の
圧力が所定の圧力となるようにまたは所定の供給量とな
るように制御することを特徴とする。
【0028】第7の不活性ガスの制御方法は、光学系の
光路を包囲するチャンバを不活性ガスに置換する工程
と、該チャンバに隣接して設けられた投入室の内部を不
活性ガスに置換する工程と、該チャンバと該投入室との
間に設けられた開閉ゲートが開いているときに、該不活
性ガスを該チャンバ側から該投入室側に向けて供給する
工程とを有することを特徴とする。
【0029】第8の不活性ガスの制御方法は、第1〜第
7のいずれかの不活性ガスの制御方法において、前記チ
ャンバは、前記光学系による測定のために測定対象物が
配置される測定室であることを特徴とする。
【0030】そして、第9の不活性ガスの制御方法は、
第1〜第7のいずれかの不活性ガスの制御方法におい
て、前記チャンバは、前記光学系により基板を露光する
露光光を不活性ガス雰囲気中に包囲するものであること
を特徴とする。
【0031】また、本発明の第1の密閉空間の雰囲気制
御装置は、所定の空間を密閉するチャンバと、該チャン
バに設けられた開閉ゲートと、該チャンバに隣接して設
けられる投入室と、該チャンバと該投入室の内部の気体
を不活性ガスで置換する置換手段と、該チャンバと該投
入室との間で該開閉ゲートを介して対象物を搬入および
搬出するための搬送手段とを備え、該開閉ゲートが閉じ
ているときに、該チャンバの圧力が該投入室の圧力より
も大きくなるように該チャンバまたは投入室に対する該
不活性ガスの供給量または排気量を制御する不活性ガス
制御手段を具備することを特徴とする。
【0032】第2の密閉空間の雰囲気制御装置は、第1
の密閉空間の雰囲気制御装置において、前記不活性ガス
制御手段は、前記置換手段による前記投入室およびチャ
ンバのそれぞれに対する前記不活性ガスの供給量を調整
するための流量制御装置を有することを特徴とする。
【0033】第3の密閉空間の雰囲気制御装置は、第1
または第2の密閉空間の雰囲気制御装置において、前記
不活性ガス制御手段は、前記投入室およびチャンバに接
続された排気配管に設けられた流量制御バルブを、前記
投入室およびチャンバに設けられた圧力計の計測値に基
づいて調整することにより前記排気量の制御を行うもの
であることを特徴とする。
【0034】第4の密閉空間の雰囲気制御装置は、第1
〜第3のいずれかの密閉空間の雰囲気制御装置におい
て、前記チャンバ内のガスを前記投入室へ供給するため
の供給路を有することを特徴とする。
【0035】第5の密閉空間の雰囲気制御装置は、第4
の密閉空間の雰囲気制御装置において、前記不活性ガス
制御手段は、前記供給路上に設けられた流量計の計測結
果に基づき、前記供給路上に設けられた流量制御バルブ
を制御するものであることを特徴とする。
【0036】第6の密閉空間の雰囲気制御装置は、第1
〜第5のいずれかの密閉空間の雰囲気制御装置におい
て、前記チャンバ側から前記投入室側へ向けて前記不活
性ガスを供給するためのシャワーヘッドを有し、前記不
活性ガス制御手段は、前記開閉ゲートが開いているとき
に前記シャワーヘッドから前記不活性ガスの供給が行わ
れるように前記シャワーヘッドに対する前記不活性ガス
の供給を制御するものであることを特徴とする。
【0037】第7の密閉空間の雰囲気制御装置は、所定
の空間を密閉するチャンバと、該チャンバに設けられた
開閉ゲートと、該チャンバに隣接して設けられる投入室
と、該チャンバと該投入室の内部の気体を不活性ガスで
置換する置換手段と、該チャンバと該投入室との間で該
開閉ゲートを介して対象物を搬入および搬出するための
搬送手段とを備え、該チャンバ内のガスを該投入室へ供
給するための供給路を有することを特徴とする。
【0038】第8の密閉空間の雰囲気制御装置は、所定
の空間を密閉するチャンバと、該チャンバに設けられた
開閉ゲートと、該チャンバに隣接して設けられる投入室
と、該チャンバと該投入室の内部の気体を不活性ガスで
置換する置換手段と、該チャンバと該投入室との間で該
開閉ゲートを介して対象物を搬入および搬出するための
搬送手段とを備え、該チャンバ側から該投入室側へ向け
て不活性ガスを供給する手段を有することを特徴とす
る。
【0039】第9の密閉空間の雰囲気制御装置は、第8
の密閉空間の雰囲気制御装置において、前記投入室側へ
向けて不活性ガスを供給する手段は、前記開閉ゲートが
開いているときに、不活性ガスを供給することを特徴と
する。
【0040】第10の密閉空間の雰囲気制御装置は、第
8または第9の密閉空間の雰囲気制御装置において、前
記投入室側へ向けて不活性ガスを供給する手段は、シャ
ワーヘッドであることを特徴とする。
【0041】第11の密閉空間の雰囲気制御装置は、第
1〜8のいずれかの密閉空間の雰囲気制御装置におい
て、前記チャンバは、前記光学系による測定のために測
定対象物が配置されている測定室であることを特徴とす
る。
【0042】そして、第12の密閉空間の雰囲気制御装
置は、第1〜第8のいずれかの密閉空間の雰囲気制御装
置において、前記チャンバは、前記光学系により基板を
露光する露光光を不活性ガス雰囲気中に包囲するもので
あることを特徴とする。
【0043】また、本発明の第1 のデバイス製造方法
は、第1〜第12のいずれかの光学装置を用いて露光装
置の光学系の光路を包囲し、該光路上の雰囲気を制御す
る工程と、該露光装置を用いて露光を行う工程とを有す
ることを特徴とする。
【0044】第2のデバイス製造方法は、露光装置の光
学系の光路を包囲するチャンバ内の雰囲気を第1〜第9
のいずれかの不活性ガスの制御方法により制御する工程
と、前記露光装置によって露光を行う工程とを有するこ
とを特徴とする。
【0045】第3のデバイス製造方法は、第1〜第12
のいずれかの密閉空間の雰囲気制御装置を用いて露光装
置の光学系の光路上の空間を密閉し、該光路上の雰囲気
を制御する工程と、前記露光装置によって露光を行う工
程とを有することを特徴とする。
【0046】本発明の第1〜第6、第11、第12の光
学装置および密閉空間の雰囲気制御装置ならびに第1〜
第4、第8、第9の不活性ガスの制御方法においては、
チャンバの圧力が投入室の圧力よりも大きくなるように
チャンバまたは投入室に対する不活性ガスの供給量また
は排気量を制御するようにしたため、開閉ゲートを開い
た場合でも、投入室内の残存不純物ガスのチャンバ内へ
の拡散が防止される。したがって、投入室が不活性ガス
で完全に置換されておらず、投入室内に不純物ガスが多
少残存していても、そのチャンバ内への拡散を生じるこ
となく、チャンバに測定対象物を搬送できるようにな
る。
【0047】また、本発明の第7の光学装置および密閉
空間の雰囲気制御装置ならびに第5および第6の不活性
ガスの制御方法においては、チャンバ内のガスを投入室
へ供給するようにしたため、不活性ガスの使用量が低減
することになる。
【0048】また、本発明の第8〜第10の光学装置お
よび密閉空間の雰囲気制御装置ならびに第7の不活性ガ
スの制御方法においては、不活性ガスをチャンバ側から
投入室側へ向けて供給するようにしたため、投入室内の
残存不純物ガスのチャンバ内への拡散が防止されること
になる。
【0049】さらに、これら本発明の構成において、投
入室とチャンバは、真空排気系を一切使用せずに高純度
の不活性ガスで内部を置換して不純物ガスを制御するこ
とができるものであり、開閉ゲートは投入室からチャン
バへの不純物ガスの拡散を完全に抑える。したがって、
光学装置による真空紫外域の光学測定に悪影響を及ぼす
不純物ガスを高純度の不活性ガスで置換することによ
り、波長200nm以下での測定を精度良く実施するこ
とができるようになる。
【0050】さらに、真空排気系を一切使用しないこと
から、真空中で発生する不純物ガスの影響を無視するこ
とができる。また、不活性ガスの供給手段としてシャワ
ーヘッドを使用することにより、投入室とチャンバに残
存する不純物ガスを効率良く不活性ガスで置換すること
ができる。また、投入室とチャンバに酸素濃度計を設け
ることにより、投入室とチャンバの酸素濃度を確認する
ことができる。また、投入室とチャンバへ不活性ガスを
供給する各配管に流量制御計を設けることにより、投入
室とチャンバへ流れる不活性ガスの拡散を防止すること
ができ、また、短時間で不純物ガスを不活性ガスで置換
し、排出することができる。また、チャンバで使用した
不活性ガスを投入室へ供給する配管に流量制御計を設け
ることにより、投入室からチャンバへの不純物ガスの拡
散を防止することができる。また、投入室とチャンバの
それぞれにリリーフバルブを設けることにより、不活性
ガス過剰供給による各室内の圧力上昇を回避することが
できる。
【0051】
【実施例】図1は、本発明の一実施例に係る不活性ガス
制御装置の要部概略図であり、本発明の特徴を最も良く
表している。図中、1は、所定の空間を密閉するチャン
バであって、測定対象物の測定を実施するための測定室
である。測定室1には、その内部に不活性ガスを供給す
るための不活性ガス供給手段2と、測定室1内の圧力を
測定するための圧力計3と、測定室1内の酸素濃度を測
定するための酸素濃度計4と、測定室1内の圧力上昇を
防止するためのリリーフバルブ9と、測定室1内の不純
物ガスおよび不活性ガスを排気しまたは投入室5へ供給
する切替バルブ6と、測定室1内で測定対象物を保持す
るステージ7が設けられている。測定室1の内部には、
測定室1内の不活性ガスの供給を促進するため、シャワ
ーヘッド8〜11が配置されている。
【0052】5は測定対象物を測定室1に投入する際、
不純物ガスを予め不活性ガスで置換するための投入室で
ある。投入室5の広さは測定対象物が収まる程度でよ
い。投入室5には、その内部に不活性ガスを供給するた
めの不活性ガス供給手段2と、切替バルブ6、流量制御
バルブ12、流量計13およびチェックバルブ14を介
して測定室1から投入室5へ不活性ガスを供給する配管
と、投入室5内の圧力を測定するための圧力計15と、
投入室5内の酸素濃度を測定するための酸素濃度計16
と、投入室5内の圧力上昇を防止するためのリリーフバ
ルブ27と、投入室5内および測定室1内の不純物ガス
および不活性ガスを排気する流量制御バルブ17および
33を介した排気配管18および34と、測定対象物を
投入室5から測定室1まで搬送し、また逆に測定室1か
ら投入室5まで搬送する搬送アーム19が設けられてい
る。投入室5の内部には、投入室5内の不活性ガスの供
給を促進するためシャワーヘッド20および21が配置
されている。22は測定室1と投入室5とを隔離するた
めに設けられたゲートバルブである。
【0053】不活性ガス供給手段2には、不活性ガス供
給配管23から各供給配管へ任意の不活性ガスを供給す
るための流量制御装置24が設置されている。不活性ガ
スとしては、希ガスであるヘリウム(He)、ネオン
(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)およ
びキセノン(Xe)の他、窒素(N2 )等が挙げられ
る。測定室1および投入室5に供給する不活性ガスの純
度はできるだけ高いことが望ましい。不活性ガスに含ま
れる不純物ガスの濃度、特に酸素(O2 )濃度と水(H
2 O)濃度を10ppm以下に制御する必要がある。さ
らに、評価波長が160nm以下の場合には、1ppm
以下にまで制御する必要がある。不活性ガス供給手段2
は、流量制御装置24により、測定室1と投入室5に設
置されたシャワーヘッド8〜11、20、21および2
5に流す不活性ガスの流量を制御する。
【0054】測定室1に設置する不活性ガスを供給する
シャワーヘッド8〜11の形状は、測定室1内に不活性
ガスが最も効率良く充填できる形状にすることが望まし
い。投入室5に設置する不活性ガスを供給するシャワー
ヘッド20の形状は、投入室5内に不活性ガスが最も効
率良く充填できる形状にすることが望ましい。測定室1
とゲートバルブ22の間に設置する不活性ガスを供給す
るシャワーヘッド25の形状は、投入口26の形状に合
わせる。さらに、シャワーヘッド25の不活性ガスの吹
き出し口は投入室5の中央に向けていることが望まし
い。投入室5の搬送アーム19側に設置しているシャワ
ーヘッド21の形状は、搬送アームカバー28の内壁に
沿ったものとする。さらに、シャワーヘッド21の不活
性ガスの吹き出し口は投入室5の中央に向けていること
が望ましい。なお、図5( a) 〜(e)はそれぞれシャ
ワーヘッドの例を示す上面図、側面図および下面図であ
る。図から分かるように、シャワーヘッド25の不活性
ガスの噴出し口は、複数個所に設けられている。
【0055】測定室1の圧力は、投入室5の圧力より高
く設定されている。測定室1の圧力は、投入室5の圧力
より常に1kPa〜10kPa程度高くなるように、ま
たは投入室5の圧力の1.5〜3倍となるように、不活
性ガスの供給流量および排気流量を調整することが望ま
しい。測定室1の圧力は、2kPa〜200kPaとな
るように不活性ガスの供給流量および排気流量を調整す
る。投入室5の圧力は、1kPa〜190kPaとなる
ように不活性ガスの供給流量および排気流量を調整す
る。測定室1および投入室5に設置する圧力計3および
15の圧力表示範囲は、0kPa〜300kPaが望ま
しい。測定室1および投入室5に設置するリリーフバル
ブ9および27の設定圧力は、測定室1および投入室5
の設定圧力よりも0.1kPa〜0.5kPa高くす
る。
【0056】測定室1に供給していた不活性ガスを、切
替バルブ6を介して投入室5に供給する際、流量計13
が常に正の値を示すように流量制御バルブ12で流量を
制御することが重要となる。さらに、流量計13と投入
室5の間の配管にチェックバルブ14を設置することに
よって、投入室5から測定室1への不純物ガスおよび不
活性ガスの拡散を防止することができる。また、切替バ
ルブ6で流路を切り替えることによって、測定室1から
排出された不純物ガスおよび不活性ガスを、排気配管2
9を通して室外へ排気することもできる。
【0057】切替バルブ30は、ゲートバルブ22の開
閉により自動的に切り替わるように設定する。ただし、
この設定は、測定器立上げ時の測定室1への不活性ガス
供給時およびメンテナンス等の発生した場合には設定を
解除できるシステムにする必要がある。測定室1に設置
する酸素濃度計4は、測定室1の大きさにもよるが、複
数個設けることが望ましく、3個程度設置することが好
ましい。例えば、ゲートバルブ22の近傍に1個、ステ
ージ7近傍に1個、切替バルブ6近傍に1個設置するよ
うにする。なお、測定室1 に設置する酸素濃度計4の数
を1つにしてもよいことは言うまでもない。投入室5に
設置する酸素濃度計16の数は、投入室5の大きさが測
定室1の大きさと比較して小さいことから2個ないし3
個設置する。例えば、不純物ガスが排気されにくい箇所
に1個、そして流量制御バルブ17および33の近傍に
1個ずつ設置するようにする。なお、投入室5に設置す
る酸素濃度計16の数を1つにしてもよい。
【0058】搬送アーム19は、ゲートバルブ22との
衝突を防止するために、ゲートバルブ22が開いている
状態でなければ投入室5から測定室1に動かすことがで
きないようにインターロック機構を備え付けることが望
ましい。ただし、このインターロック機構は、測定器の
メンテナンス等が発生した場合にはインターロックを解
除できるシステムにする必要がある。また、投入室5の
蓋が開いているときにはゲートバルブ22を開くことが
できないようにインターロック機構を備え付けることが
望ましい。ただし、このインターロック機構は、測定器
のメンテナンス等が発生した場合にはインターロックを
解除できるシステムにする必要がある。
【0059】以下、この真空紫外域の光学装置における
不活性ガスの制御方法について説明する。まず、測定室
1と投入室5に不活性ガスを供給する前に、リリーフバ
ルブ9および27の設定を250kPaとし、流量制御
バルブ17および33を全開にする。ゲートバルブ22
は開いた状態にしておく。切替バルブ30をシャワーヘ
ッド21に不活性ガスが供給されるよう切り替える。そ
して、切替バルブ6を不純物ガスおよび供給している不
活性ガスが排気配管29へ排出されるように切り替え
る。次に、不活性ガスを供給し、測定室1内および投入
室5内の不純物ガスを不活性ガスで置換し排出する。こ
のとき、各室内の不純物ガスを不活性ガスで置換する時
間ができるだけ短くなるように、流量制御装置24によ
り、測定室1および投入室5に不活性ガスを最大流量で
流すように設定する。
【0060】測定室1および投入室5の酸素濃度計4お
よび16による酸素濃度が、光学測定ができる濃度にま
で減少した後、ゲートバルブ22を閉じる。切替バルブ
30は引き続きシャワーヘッド21に不活性ガスを供給
するように設定する。そして切替バルブ6を流量制御バ
ルブ12側に切り替えて、測定室1に残存している不純
物ガスおよび供給している不活性ガスが投入室5側へ流
れるようにする。
【0061】次に、測定室1および投入室5に設置して
いる圧力計3および15が所定の圧力を計測するよう
に、また、流量計13が不純物ガスおよび不活性ガスの
流れを計測しているように流量制御装置24および流量
制御バルブ12、17および33を調整する。このと
き、流量制御装置24および流量制御バルブ12、17
および33を調整した調整設定値を初期条件として記憶
しておく。
【0062】次に、投入室5の蓋を開け、投入室5の搬
送アーム19に測定対象物を設置する。投入室5の蓋を
開ける際、流量制御装置24の投入室5側の不活性ガス
供給流量は予め抑える必要がある。次に、投入室5の蓋
を閉じて、流量制御装置24を初期条件に戻し、投入室
5内の不純物ガスを不活性ガスで置換し排出する。
【0063】投入室5の酸素濃度計16の濃度が測定室
1の酸素濃度計4の濃度と同等またはその差が60pp
m以下になったら、測定対象物を投入室5から測定室1
に搬送することができるように設定する。ただし、この
時の酸素濃度の条件は、測定波長範囲、測定室1の大き
さ、および投入室5の大きさにより異なるので注意を要
する。
【0064】次に、測定対象物を測定室1へ搬送する。
この際、搬送アーム19が動き出す前に、ゲートバルブ
22が開き、切替バルブ30がシャワーヘッド21への
供給からシャワーヘッド25への供給に切り替わる。す
なわち、切替バルブ30は、ゲートバルブ22が開いて
いるときには不活性ガスをシャワーヘッド25に供給
し、ゲートバルブ22が閉じているときには不活性ガス
をシャワーヘッド21に供給するように設定されてい
る。この設定を実施することにより、測定室1と投入室
5の圧力差で防ぎきれなかった、投入室5内に存在する
不純物ガスの測定室1内への拡散を完全に防止すること
ができる。
【0065】ゲートバルブ22が開き、切替バルブ30
がシャワーヘッド21への供給からシャワーヘッド25
への供給に切り替わった後、搬送アーム19が測定対象
物をステージ7まで搬送し、ステージ7に設置する。そ
の後、搬送アーム19はすぐさま投入室5側の投入口2
6の手前まで戻り、ゲートバルブ22が閉ざされ、切替
バルブ30がシャワーヘッド25への供給からシャワー
ヘッド21への供給に切り替わる。
【0066】この操作が完了した後、測定室1内で測定
対象物の測定を実施する。測定終了後、測定対象物を測
定室1から投入室5へ移動させる。この際、ゲートバル
ブ22が開き、切替バルブ30がシャワーヘッド21へ
の供給からシャワーヘッド25への供給に切り替わり、
搬送アーム19がステージ7まで移動し、測定対象物を
測定室1内のステージ7から投入室5の測定対象物交換
位置まで移動し、ゲートバルブ22が閉じ、そして切替
バルブ30がシャワーヘッド25への供給からシャワー
ヘッド21への供給に切り替わる。最後に、流量制御装
置24によって投入室5内への不活性ガス供給流量を抑
え、投入室5の蓋を開け、測定対象物を取り出す。
【0067】新たな測定対象物があるのであれば、投入
室5の搬送アーム19に新たな測定対象物を設置し、投
入室5の蓋を閉じて、流量制御装置24を初期条件に戻
し、投入室5内の不純物ガスを不活性ガスで置換して排
出する。新たな測定対象物がない場合には、投入室5の
蓋を閉じて、流量制御装置24を初期条件に戻し、投入
室5内の不純物ガスを不活性ガスで置換して排出する。
【0068】次に、この不活性ガス制御装置を、真空紫
外分光光度計に搭載した例について説明する。不活性ガ
ス制御装置の酸素濃度計4および16としては、ジルコ
ニア電気化学式酸素分析計を使用した。このジルコニア
電気化学式酸素分析計は、酸素濃度を起電力に変換する
センサ、検出セルを加熱するヒータの温度制御手段、な
らびに酸素濃度を指示および外部伝送するコントロール
ユニットからなっており、酸素濃度を連続指示させるこ
とができる。
【0069】不活性ガスとしては窒素(N2 )を採用し
た。また、窒素に存在する不純物ガス濃度を低減させる
ために超高純度窒素を使用した。使用した超高純度窒素
の純度は99.99999%以上である。通常市販され
ているボンベ窒素の純度は99.99%以上で、酸素お
よび水分がそれぞれ60ppmおよび14ppm程度存
在している。測定に使用した超高純度窒素と通常のボン
ベ窒素の純度を表1に示す。
【0070】
【表1】
【0071】この不活性ガス制御装置を搭載した真空紫
外分光光度計を用いて測定を実施した。その結果、不活
性ガス制御装置を搭載していない真空紫外分光光度計と
比較し、本実施例の不活性ガス制御装置を搭載した真空
紫外分光光度計では、投入室5での不純物ガスの不活性
ガスによる置換時間が半分以下であった。さらに、測定
対象物を投入室5から測定室1に搬送する一連の過程
で、不活性ガス制御装置を搭載していない真空紫外分光
光度計では、投入室5の酸素濃度計16の値が60pp
mのとき、測定室1の酸素濃度計4の値が0ppmから
10ppmまで変化したのに対し、本実施例の不活性ガ
ス制御装置を搭載した真空紫外分光光度計では、投入室
5の酸素濃度計16の値が60ppmのとき、測定室1
の酸素濃度計4の値は0ppmから2ppmまでの変化
で収まった。
【0072】次に、本実施例の不活性ガス制御装置を搭
載した真空紫外分光光度計を用いて測定室1内の酸素濃
度を強制的に変化させ、測定対象物の透過率が測定室1
の酸素濃度によって変化することを確認した。その際、
測定対象物としては石英を使用し、測定波長範囲は17
0nm〜200nmに設定した。この結果を図3および
図4に示す。
【0073】図3は、測定室1内の酸素濃度が0ppm
および135ppmの場合の透過率の測定結果を示す。
酸素濃度が135ppmの場合には、酸素濃度が0pp
mの場合と比較すると、測定波長が190nmの前後で
透過率が上昇してしまうという傾向が確認された。この
結果から、193nm近傍で評価を実施するためには測
定室1内の酸素濃度を135ppm未満に設定しなけれ
ばならないことがわかった。
【0074】図4は測定室1内の酸素濃度が0ppmお
よび30ppmの場合の透過率の測定結果を示す。酸素
濃度が30ppmの場合には、酸素濃度が0ppmの場
合と比較すると、測定波長が185nm付近で透過率が
上昇しはじめる傾向が確認され、170nm付近では完
全に透過率が上昇してしまう傾向が確認された。この結
果から、185nm以下で評価を実施するには、測定室
1内の酸素濃度を30ppm未満に設定しなければなら
ないことがわかった。
【0075】本実施例によれば、真空排気系を一切使用
せず、高純度の不活性ガスを使用することによって不純
物ガスの影響を受けることなく、光学部品および測定対
象物の劣化を防ぎ、安定な状態で真空紫外領域での評価
を実施することができる。また、投入室5内に存在する
不純物ガスを不活性ガスにより置換する時間を、従来の
装置に比べ半分以下に短縮し、投入室5から測定室1へ
の不純物ガスの拡散を防止することができ、かつ安定な
状態で真空紫外領域での評価を短時間で実施することが
できる。さらに、測定室1および投入室5における不活
性ガス供給および排気手順を自動化することにより、測
定室1と投入室5内に存在する不純物ガスを不活性ガス
により置換する時間を、従来の装置に比べ10分の1以
下に短縮することができると予想される。
【0076】図6は、本発明の他の実施例に係る不活性
ガス制御装置の要部概略図であり、本発明の特徴を最も
良く表している。図中、61は、所定の空間を密閉する
チャンバであって、露光対象物であるウエハの露光を実
施するための露光室である。露光室61には、その内部
に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給手段2
と、露光室61内の圧力を測定するための圧力計3と、
露光室61内の酸素濃度を測定するための酸素濃度計4
と、露光室61内の圧力上昇を防止するためのリリーフ
バルブ9と、露光室61内の不純物ガスおよび不活性ガ
スを排気しまたは投入室5へ供給する切替バルブ6と、
露光室61内で露光対象物を保持するステージ7が設け
られている。露光室61の内部には、露光室61内の不
活性ガスの供給を促進するため、シャワーヘッド8〜1
1が配置されている。
【0077】5は露光対象物を露光室61に投入する
際、不純物ガスを予め不活性ガスで置換するための投入
室である。投入室5の広さは露光対象物が収まる程度で
よい。投入室5には、その内部に不活性ガスを供給する
ための不活性ガス供給手段2と、切替バルブ6、流量制
御バルブ12、流量計13およびチェックバルブ14を
介して露光室61から投入室5へ不活性ガスを供給する
配管と、投入室5内の圧力を測定するための圧力計15
と、投入室5内の酸素濃度を測定するための酸素濃度計
16と、投入室5内の圧力上昇を防止するためのリリー
フバルブ27と、投入室5内および露光室61内の不純
物ガスおよび不活性ガスを排気する流量制御バルブ17
および33を介した排気配管18および34と、露光対
象物を投入室5から露光室61まで搬送し、また逆に露
光室61から投入室5まで搬送する搬送アーム19が設
けられている。投入室5の内部には、投入室5内の不活
性ガスの供給を促進するためシャワーヘッド20および
21が配置されている。22は露光室61と投入室5と
を隔離するために設けられたゲートバルブである。
【0078】不活性ガス供給手段2には、不活性ガス供
給配管23から各供給配管へ任意の不活性ガスを供給す
るための流量制御装置24が設置されている。不活性ガ
スとしては、希ガスであるヘリウム(He)、ネオン
(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)およ
びキセノン(Xe)の他、窒素(N2 )等が挙げられ
る。露光室61および投入室5に供給する不活性ガスの
純度はできるだけ高いことが望ましい。不活性ガスに含
まれる不純物ガスの濃度、特に酸素(O2 )濃度と水
(H2 O)濃度を10ppm以下に制御する必要があ
る。さらに、露光波長が160nm以下の場合には、1
ppm以下にまで制御する必要がある。不活性ガス供給
手段2は、流量制御装置24により、露光室61と投入
室5に設置されたシャワーヘッド8〜11、20、21
および25に流す不活性ガスの流量を制御する。
【0079】露光室61に設置する不活性ガスを供給す
るシャワーヘッド8〜11の形状は、露光室61内に不
活性ガスが最も効率良く充填できる形状にすることが望
ましい。投入室5に設置する不活性ガスを供給するシャ
ワーヘッド20の形状は、投入室5内に不活性ガスが最
も効率良く充填できる形状にすることが望ましい。露光
室61とゲートバルブ22の間に設置する不活性ガスを
供給するシャワーヘッド25の形状は、投入口26の形
状に合わせる。さらに、シャワーヘッド25の不活性ガ
スの吹き出し口は投入室5の中央に向けていることが望
ましい。投入室5の搬送アーム19側に設置しているシ
ャワーヘッド21の形状は、搬送アームカバー28の内
壁に沿ったものとする。さらに、シャワーヘッド21の
不活性ガスの吹き出し口は投入室5の中央に向けている
ことが望ましい。なお、図5( a) 〜(e)はそれぞれ
シャワーヘッドの例を示す上面図、側面図および下面図
である。図から分かるように、シャワーヘッド25の不
活性ガスの噴出し口は、複数個所に設けられている。
【0080】露光室61の圧力は、投入室5の圧力より
高く設定されている。露光室61の圧力は、投入室5の
圧力より常に1kPa〜10kPa程度高くなるよう
に、または投入室5の圧力の1.5〜3倍となるよう
に、不活性ガスの供給流量および排気流量を調整するこ
とが望ましい。露光室61の圧力は、2kPa〜200
kPaとなるように不活性ガスの供給流量および排気流
量を調整する。投入室5の圧力は、1kPa〜190k
Paとなるように不活性ガスの供給流量および排気流量
を調整する。露光室61および投入室5に設置する圧力
計3および15の圧力表示範囲は、0kPa〜300k
Paが望ましい。露光室61および投入室5に設置する
リリーフバルブ9および27の設定圧力は、露光室61
および投入室5の設定圧力よりも0.1kPa〜0.5
kPa高くする。
【0081】露光室61に供給していた不活性ガスを、
切替バルブ6を介して投入室5に供給する際、流量計1
3が常に正の値を示すように流量制御バルブ12で流量
を制御することが重要となる。さらに、流量計13と投
入室5の間の配管にチェックバルブ14を設置すること
によって、投入室5から露光室61への不純物ガスおよ
び不活性ガスの拡散を防止することができる。また、切
替バルブ6で流路を切り替えることによって、露光室6
1から排出された不純物ガスおよび不活性ガスを、排気
配管29を通して室外へ排気することもできる。
【0082】切替バルブ30は、ゲートバルブ22の開
閉により自動的に切り替わるように設定する。ただし、
この設定は、露光装置立上げ時の露光室61への不活性
ガス供給時およびメンテナンス等の発生した場合には設
定を解除できるシステムにする必要がある。露光室61
に設置する酸素濃度計4は、露光室61の大きさにもよ
るが、複数個設けることが望ましく、3個程度設置する
ことが好ましい。例えば、ゲートバルブ22の近傍に1
個、ステージ7近傍に1個、切替バルブ6近傍に1個設
置するようにする。なお、露光室61に設置する酸素濃
度計4の数を1つにしてもよいことは言うまでもない。
投入室5に設置する酸素濃度計16の数は、投入室5の
大きさが露光室61の大きさと比較して小さいことから
2個ないし3個設置する。例えば、不純物ガスが排気さ
れにくい箇所に1個、そして流量制御バルブ17および
33の近傍に1個ずつ設置するようにする。なお、投入
室5に設置する酸素濃度計16の数を1つにしてもよ
い。
【0083】搬送アーム19は、ゲートバルブ22との
衝突を防止するために、ゲートバルブ22が開いている
状態でなければ投入室5から露光室61に動かすことが
できないようにインターロック機構を備え付けることが
望ましい。ただし、このインターロック機構は、露光装
置のメンテナンス等が発生した場合にはインターロック
を解除できるシステムにする必要がある。また、投入室
5の蓋が開いているときにはゲートバルブ22を開くこ
とができないようにインターロック機構を備え付けるこ
とが望ましい。ただし、このインターロック機構は、露
光装置のメンテナンス等が発生した場合にはインターロ
ックを解除できるシステムにする必要がある。
【0084】以下、この真空紫外域の光学装置における
不活性ガスの制御方法について説明する。まず、露光室
61と投入室5に不活性ガスを供給する前に、リリーフ
バルブ9および27の設定を250kPaとし、流量制
御バルブ17および33を全開にする。ゲートバルブ2
2は開いた状態にしておく。切替バルブ30をシャワー
ヘッド21に不活性ガスが供給されるよう切り替える。
そして、切替バルブ6を不純物ガスおよび供給している
不活性ガスが排気配管29へ排出されるように切り替え
る。次に、不活性ガスを供給し、露光室61内および投
入室5内の不純物ガスを不活性ガスで置換し排出する。
このとき、各室内の不純物ガスを不活性ガスで置換する
時間ができるだけ短くなるように、流量制御装置24に
より、露光室61および投入室5に不活性ガスを最大流
量で流すように設定する。
【0085】露光室61および投入室5の酸素濃度計4
および16による酸素濃度が、ウエハの露光ができる濃
度にまで減少した後、ゲートバルブ22を閉じる。切替
バルブ30は引き続きシャワーヘッド21に不活性ガス
を供給するように設定する。そして切替バルブ6を流量
制御バルブ12側に切り替えて、露光室61に残存して
いる不純物ガスおよび供給している不活性ガスが投入室
5側へ流れるようにする。
【0086】次に、露光室61および投入室5に設置し
ている圧力計3および15が所定の圧力を計測するよう
に、また、流量計13が不純物ガスおよび不活性ガスの
流れを計測しているように流量制御装置24および流量
制御バルブ12、17および33を調整する。このと
き、流量制御装置24および流量制御バルブ12、17
および33を調整した調整設定値を初期条件として記憶
しておく。
【0087】次に、投入室5の蓋を開け、投入室5の搬
送アーム19に露光対象物を設置する。投入室5の蓋を
開ける際、流量制御装置24の投入室5側の不活性ガス
供給流量は予め抑える必要がある。次に、投入室5の蓋
を閉じて、流量制御装置24を初期条件に戻し、投入室
5内の不純物ガスを不活性ガスで置換し排出する。
【0088】投入室5の酸素濃度計16の濃度が露光室
61の酸素濃度計4の濃度と同等またはその差が60p
pm以下になったら、露光対象物を投入室5から露光室
61に搬送することができるように設定する。ただし、
この時の酸素濃度の条件は、露光波長範囲、露光室61
の大きさ、および投入室5の大きさにより異なるので注
意を要する。
【0089】次に、露光対象物を露光室61へ搬送す
る。この際、搬送アーム19が動き出す前に、ゲートバ
ルブ22が開き、切替バルブ30がシャワーヘッド21
への供給からシャワーヘッド25への供給に切り替わ
る。すなわち、切替バルブ30は、ゲートバルブ22が
開いているときには不活性ガスをシャワーヘッド25に
供給し、ゲートバルブ22が閉じているときには不活性
ガスをシャワーヘッド21に供給するように設定されて
いる。この設定を実施することにより、露光室61と投
入室5の圧力差で防ぎきれなかった、投入室5内に存在
する不純物ガスの露光室61内への拡散を完全に防止す
ることができる。
【0090】ゲートバルブ22が開き、切替バルブ30
がシャワーヘッド21への供給からシャワーヘッド25
への供給に切り替わった後、搬送アーム19が露光対象
物をステージ7まで搬送し、ステージ7に設置する。そ
の後、搬送アーム19はすぐさま投入室5側の投入口2
6の手前まで戻り、ゲートバルブ22が閉ざされ、切替
バルブ30がシャワーヘッド25への供給からシャワー
ヘッド21への供給に切り替わる。
【0091】この操作が完了した後、露光室61内で露
光対象物の露光を実施する。露光終了後、露光対象物を
露光室61から投入室5へ移動させる。この際、ゲート
バルブ22が開き、切替バルブ30がシャワーヘッド2
1への供給からシャワーヘッド25への供給に切り替わ
り、搬送アーム19がステージ7まで移動し、露光対象
物を露光室61内のステージ7から投入室5の露光対象
物交換位置まで移動し、ゲートバルブ22が閉じ、そし
て切替バルブ30がシャワーヘッド25への供給からシ
ャワーヘッド21への供給に切り替わる。最後に、流量
制御装置24によって投入室5内への不活性ガス供給流
量を抑え、投入室5の蓋を開け、露光対象物を取り出
す。
【0092】新たな露光対象物があるのであれば、投入
室5の搬送アーム19に新たな露光対象物を設置し、投
入室5の蓋を閉じて、流量制御装置24を初期条件に戻
し、投入室5内の不純物ガスを不活性ガスで置換して排
出する。新たな露光対象物がない場合には、投入室5の
蓋を閉じて、流量制御装置24を初期条件に戻し、投入
室5内の不純物ガスを不活性ガスで置換して排出する。
【0093】次に、この不活性ガス制御装置を、露光装
置に搭載した例について説明する。露光光としては、A
rF、F2の紫外線領域の光およびX線や軟X線等の光
の吸収の大きな波長領域が用いられる。
【0094】不活性ガス制御装置の酸素濃度計4および
16としては、ジルコニア電気化学式酸素分析計を使用
した。このジルコニア電気化学式酸素分析計は、酸素濃
度を起電力に変換するセンサ、検出セルを加熱するヒー
タの温度制御手段、ならびに酸素濃度を指示および外部
伝送するコントロールユニットからなっており、酸素濃
度を連続指示させることができる。
【0095】不活性ガスとしては窒素(N2 )を採用し
た。また、窒素に存在する不純物ガス濃度を低減させる
ために超高純度窒素を使用した。使用した超高純度窒素
の純度は99.99999%以上である。通常市販され
ているボンベ窒素の純度は99.99%以上で、酸素お
よび水分がそれぞれ60ppmおよび14ppm程度存
在している。ウエハの露光に使用した超高純度窒素と通
常のボンベ窒素の純度を表2に示す。
【0096】
【表2】
【0097】この不活性ガス制御装置を搭載した露光装
置を用いてウエハの露光を実施した。その結果、不活性
ガス制御装置を搭載していない露光装置と比較し、本実
施例の不活性ガス制御装置を搭載した露光装置では、投
入室5での不純物ガスの不活性ガスによる置換時間が半
分以下であった。さらに、露光対象物を投入室5から露
光室61に搬送する一連の過程で、不活性ガス制御装置
を搭載していない露光装置では、投入室5の酸素濃度計
16の値が60ppmのとき、露光室61の酸素濃度計
4の値が0ppmから10ppmまで変化したのに対
し、本実施例の不活性ガス制御装置を搭載した露光装置
では、投入室5の酸素濃度計16の値が60ppmのと
き、露光室61の酸素濃度計4の値は0ppmから2p
pmまでの変化で収まった。
【0098】本実施例によれば、真空排気系を一切使用
せず、高純度の不活性ガスを使用することによって不純
物ガスの影響を受けることなく、光学部品および露光対
象物の劣化を防ぎ、安定な状態で真空紫外領域での露光
を実施することができる。また、投入室5内に存在する
不純物ガスを不活性ガスにより置換する時間を、従来の
装置に比べ半分以下に短縮し、投入室5から露光室61
への不純物ガスの拡散を防止することができ、かつ安定
な状態で真空紫外領域での露光を短時間で実施すること
ができる。さらに、露光室61および投入室5における
不活性ガス供給および排気手順を自動化することによ
り、露光室61と投入室5内に存在する不純物ガスを不
活性ガスにより置換する時間を、従来の装置に比べ10
分の1以下に短縮することができると予想される。
【0099】なお、上述の不活性ガスの制御装置は、測
定室や露光室に限られるものではなく、所定の空間を不
活性ガスに置換する必要があるチャンバに広く用いても
よい。
【0100】<露光装置の実施例>図7は上述の不活性
ガスの制御装置を適用することができる半導体露光装置
の外観を示す斜視図である。同図に示すように、この半
導体露光装置は、装置本体の環境温度制御を行なう温調
チャンバ101、その内部に配置され、装置本体の制御
を行うCPUを有するEWS本体106、ならびに、装
置における所定の情報を表示するEWS用ディスプレイ
装置102、装置本体において撮像手段を介して得られ
る画像情報を表示するモニタTV105、装置に対し所
定の入力を行うための操作パネル103、EWS用キー
ボードl04等を含むコンソール部を備えている。図
中、107はON−OFFスイッチ、108は非常停止
スイッチ、109は各種スイッチ、マウス等、110は
LAN通信ケーブル、111はコンソール機能からの発
熱の排気ダクト、そして112はチャンバの排気装置で
ある。半導体露光装置本体はチャンバ101の内部に設
置される。
【0101】EWS用ディスプレイ102は、EL、プ
ラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チ
ャンバ101前面に納められ、LANケーブル110に
よりEWS本体l06と接続される。操作パネル10
3、キーボード104、モニタTV105等もチャンバ
101前面に設置し、チャンバ101前面から従来と同
様のコンソール操作が行えるようにしてある。
【0102】図8は、図7の装置の内部構造を示す図で
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、202はレチクル、203は
ウエハであり、光源装置204から出た光束が照明光学
系205を通ってレチクル202を照明するとき、投影
レンズ206によりレチクル202上のパターンをウエ
ハ203上の感光層に転写することができる。レチクル
202はレチクル202を保持、移動するためのレチク
ルステージ207により支持されている。ウエハ203
はウエハチャック291により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック291はウエハステージ20
9により各軸方向に移動可能である。レチクル202の
上側にはレチクルの位置ずれ量を検出するためのレチク
ル光学系281が配置される。ウエハステージ209の
上方に、投影レンズ206に隣接してオフアクシス顕微
鏡282が配置されている。オフアクシス顕微鏡282
は内部の基準マークとウエハ203上のアライメントマ
ークとの相対位置検出を行うのが主たる役割である。ま
た、これらステッパ本体に隣接して周辺装置であるレチ
クルライブラリ220やウエハキャリアエレベータ23
0が配置され、必要なレチクルやウエハはレチクル搬送
装置221およびウエハ搬送装置231によってステッ
パ本体に搬送される。
【0103】チャンバ101は、主に空気の温度調節を
行う空調機室210、微小異物を濾過し清浄空気の均一
な流れを形成するフィルタボックス213、および装置
環境を外部と遮断するブース214で構成されている。
チャンバ101内では、空調機室210内にある冷却器
215および再熱ヒータ216により温度調節された空
気が、送風機217によりエアフィルタgを介してブー
ス214内に供給される。ブース214に供給された空
気はリターン口raより再度空調機室210に取り込ま
れチャンバ101内を循環する。通常、チャンバ101
は、厳密には完全な循環系ではなく、ブース214内を
常時陽圧に保つために、循環空気量の約1割のブース2
14外の空気を、空調機室210に設けられた外気導入
口oaより送風機を介して導入している。このようにし
てチャンバ101は装置本体が置かれる環境温度を一定
に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にしている。
また、光源装置204には超高圧水銀灯の冷却やレーザ
異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口saと排気口ea
が設けられ、ブース214内の空気の一部が光源装置2
04を経由し、空調機室210に備えられた専用の排気
ファンを介して工場設備に強制排気されている。また、
空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィルタc
fを、空調機室210の外気導入口oaおよびリターン
口raにそれぞれ接続して備えている。
【0104】図9は、図7の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。同図において、321は装置全体の
制御を司る、前記EWS本体106に内蔵された本体C
PUであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。322はウエハス
テージ駆動装置、323は前記オフアクシス顕微鏡28
2等のアライメント検出系、324はレチクルステージ
駆動装置、325は前記光源装置204等の照明系、3
26はシャッタ駆動装置、327はフォーカス検出系、
328はZ駆動装置であり、これらは、本体CPU32
1により制御される。329は前記レチクル搬送装置2
21、ウエハ搬送装置231等の搬送系である。330
は前記ディスプレイ102、キーボード104等を有す
るコンソールユニットであり、本体CPU321にこの
露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを
与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間
で情報の授受を行うためのものである。331はコンソ
ールCPU、332は各種ジョブのパラメータ等を記憶
する外部メモリである。ジョブパラメータには、使用す
るマスク、マスキングブレードの開口、露光量、レイア
ウトデータ等が含まれる。
【0105】<デバイス製造方法の実施例>次に上記説
明した露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法の
実施例を説明する。図10は半導体デバイス(IC、L
SI等の半導体チップや、液晶パネル、CCD等)の製
造フローを示す。ステップ31(回路設計)では半導体
デバイスの回路設計を行う。ステップ32(マスク製
作)では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。ステップ33(ウエハ製造)ではシリコン等の材
料を用いてウエハを製造する。ステップ34(ウエハプ
ロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエ
ハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際
の回路を形成する。ステップ35(組み立て)は後工程
と呼ばれ、ステップ34において作製されたウエハを用
いて半導体チップ化を行う工程であり、アッセンブリ工
程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップ36(検査)
ではステップ35で作製された半導体デバイスの動作確
認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ
37)される。
【0106】図11は上記ウエハプロセス(スッテップ
34)の詳細なフローを示す。ステップ41(酸化)で
はウエハの表面を酸化させる。ステップ42(CVD)
ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ43(電
極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。
ステップ44(イオン打込み)ではウエハにイオンを打
ち込む。ステップ45(レジスト処理)ではウエハに感
光剤を塗布する。ステップ46(露光)では上記説明し
た露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼
付露光する。ステップ47(現像)では露光したウエハ
を現像する。ステップ48(エッチング)では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ49(レジ
スト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【0107】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、開
閉ゲートが閉じているときに、チャンバの圧力が投入室
の圧力よりも大きくなるようにチャンバまたは投入室に
対する不活性ガスの供給量または排気量を制御するよう
にしたため、開閉ゲートを開いた場合でも、投入室内の
残存不純物ガスのチャンバ内への拡散を防止することが
できる。したがって、投入室が不活性ガスで完全に置換
されておらず、投入室内に不純物ガスが多少残存してい
ても、そのチャンバ内への拡散を生じることなく、チャ
ンバに測定対象物を搬送することができる。
【0108】また、チャンバ内のガスを投入室へ供給す
るようにしたため、不活性ガスの使用量を低減させるこ
とができる。
【0109】また、開閉ゲートが開いているときに、不
活性ガスをシャワーヘッドによりチャンバ側から投入室
側へ向けて供給するようにしたため、投入室内の残存不
純物ガスのチャンバ内への拡散を防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る不活性ガス制御装置
を搭載した真空紫外域の光学装置の要部を示す図であ
る。
【図2】 投入室を有する、不活性ガスを供給する、従
来の真空紫外域の光学装置の要部を示す図である。
【図3】 図1の装置を石英の透過率測定に適用した結
果(酸素濃度0ppmおよび135ppmでの比較)を
示すグラフである。
【図4】 図1の装置を石英の透過率測定に適用した結
果(酸素濃度0ppmおよび30ppmでの比較)を示
すグラフである。
【図5】 図1の装置におけるシャワーヘッドの形状例
を示す図である。
【図6】 本発明の他の実施例に係る不活性ガス制御装
置の要部概略図である。
【図7】 本発明が適用できる半導体露光装置の外観を
示す斜視図である。
【図8】 図7の装置の内部構造を示す図である。
【図9】 図7の装置の電気回路構成を示すブロック図
である。
【図10】 本発明の露光装置を利用した半導体デバイ
スの製造方法の実施例を示すフローチャートである。
【図11】 図10中のウエハプロセスの詳細なフロー
を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1:測定室、2:不活性ガス導入手段、3,15:圧力
計、4,16:酸素濃度計、5:投入室、6,30:切
替バルブ、7:ステージ、8〜11,20,21,2
5:シャワーヘッド、12,17,33:流量制御バル
ブ、13:流量計、14:チェックバルブ、18,2
9,34:排気配管、19:搬送アーム、22:ゲート
バルブ、23:不活性ガス供給配管、24:流量制御装
置、9,27:リリーフバルブ、28:搬送アームカバ
ー、31,32:バルブ,61:露光室、101:温調
チャンバ、102:EWS用ディスプレイ装置、10
3:操作パネル、104:EWS用キーボード、10
5:モニタTV、106:EWS本体、107:ON−
OFFスイッチ、108:非常停止スイッチ、109:
各種スイッチ、マウス等、110:LAN通信ケーブ
ル、111:排気ダクト、112:排気装置、202:
レチクル、203:ウエハ、204:光源装置、20
5:照明光学系、206:投影レンズ、207;レチク
ルステージ、209:ウエハステージ、281:レチク
ル顕微鏡、282:オフアクシス顕微鏡、210:空調
機室、213:フィルタボックス、214:ブース、2
17:送風機、321:本体CPU、330:コンソー
ル、331:コンソールCPU、332:外部メモリ、
g:エアフィルタ、cf:化学吸着フィルタ、oa:外
気導入口、ra:リターン口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/302 B Fターム(参考) 2G004 BL19 BM04 5F004 AA14 AA15 BB02 BB18 BB28 BC03 BC06 BD07 CA02 DA22 DA23 DA25 5F045 AC16 AC17 BB14 DP01 EB08 EB11 EE14 EN02 5F046 AA22 BA03 CD01 CD04 DA27 GA07

Claims (36)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光学系の光路を包囲するチャンバと、該
    チャンバに設けられた開閉ゲートと、該チャンバに隣接
    して設けられる投入室と、該チャンバと該投入室の内部
    の気体を不活性ガスで置換する置換手段と、該チャンバ
    と該投入室との間で該開閉ゲートを介して対象物を搬入
    および搬出するための搬送手段とを備え、 該開閉ゲートが閉じているときに、該チャンバの圧力が
    該投入室の圧力よりも大きくなるように該チャンバまた
    は投入室に対する該不活性ガスの供給量または排気量を
    制御する不活性ガス制御手段を具備することを特徴とす
    る光学装置。
  2. 【請求項2】 前記不活性ガス制御手段は、前記置換手
    段による前記投入室およびチャンバのそれぞれに対する
    前記不活性ガスの供給量を調整するための流量制御装置
    を有することを特徴とする請求項1に記載の光学装置。
  3. 【請求項3】 前記不活性ガス制御手段は、前記投入室
    およびチャンバに接続された排気配管に設けられた流量
    制御バルブを、前記投入室およびチャンバに設けられた
    圧力計の計測値に基づいて調整することにより前記排気
    量の制御を行うものであることを特徴とする請求項1ま
    たは2に記載の光学装置。
  4. 【請求項4】 前記チャンバ内のガスを前記投入室へ供
    給するための供給路を有することを特徴とする請求項1
    〜3のいずれか1項に記載の光学装置。
  5. 【請求項5】 前記不活性ガス制御手段は、前記供給路
    上に設けられた流量計の計測結果に基づき、前記供給路
    上に設けられた流量制御バルブを制御するものであるこ
    とを特徴とする請求項4に記載の光学装置。
  6. 【請求項6】 前記チャンバ側から前記投入室側へ向け
    て前記不活性ガスを供給するためのシャワーヘッドを有
    し、前記不活性ガス制御手段は、前記開閉ゲートが開い
    ているときに前記シャワーヘッドから前記不活性ガスの
    供給が行われるように前記シャワーヘッドに対する前記
    不活性ガスの供給を制御するものであることを特徴とす
    る請求項1〜5のいずれか1項に記載の光学装置。
  7. 【請求項7】 光学系の光路を包囲するチャンバと、該
    チャンバに設けられた開閉ゲートと、該チャンバに隣接
    して設けられる投入室と、該チャンバと該投入室の内部
    の気体を不活性ガスで置換する置換手段と、該チャンバ
    と該投入室との間で該開閉ゲートを介して対象物を搬入
    および搬出するための搬送手段とを備え、 該チャンバ内のガスを該投入室へ供給するための供給路
    を有することを特徴とする光学装置。
  8. 【請求項8】 光学系の光路を包囲するチャンバと、該
    チャンバに設けられた開閉ゲートと、該チャンバに隣接
    して設けられる投入室と、該チャンバと該投入室の内部
    の気体を不活性ガスで置換する置換手段と、該チャンバ
    と該投入室との間で該開閉ゲートを介して対象物を搬入
    および搬出するための搬送手段とを備え、 該チャンバ側から該投入室側へ向けて不活性ガスを供給
    する手段を有することを特徴とする光学装置。
  9. 【請求項9】 前記投入室側へ向けて不活性ガスを供給
    する手段は、前記開閉ゲートが開いているときに、不活
    性ガスを供給することを特徴とする請求項8に記載の光
    学装置。
  10. 【請求項10】 前記投入室側へ向けて不活性ガスを供
    給する手段は、シャワーヘッドであることを特徴とする
    請求項8または9に記載の光学装置。
  11. 【請求項11】 前記チャンバは、前記光学系による測
    定のために測定対象物が配置されている測定室であるこ
    とを特徴とする請求項1〜8いずれかに記載の光学装
    置。
  12. 【請求項12】 前記チャンバは、前記光学系により基
    板を露光する露光光を不活性ガス雰囲気中に包囲するも
    のであることを特徴とする請求項1〜8いずれかに記載
    の光学装置。
  13. 【請求項13】 光学系の光路を包囲するチャンバを不
    活性ガスに置換する工程と、 該チャンバに隣接して設けられた投入室の内部を不活性
    ガスに置換する工程と、 該チャンバの圧力が該投入室の圧力よりも大きくなるよ
    うに該不活性ガスの供給量または排気量を制御する工程
    を有することを特徴とする不活性ガスの制御方法。
  14. 【請求項14】 前記チャンバと前記投入室との間に設
    けられている開閉ゲートが閉じているときに、前記チャ
    ンバ内のガスを、供給路を経て前記投入室に供給する工
    程を有することを特徴とする請求項13に記載の不活性
    ガスの制御方法。
  15. 【請求項15】 前記チャンバ内のガスの前記投入室へ
    の供給量を、前記チャンバまたは投入室の圧力が所定の
    圧力となるようにまたは所定の供給量となるように制御
    することを特徴とする請求項14に記載の不活性ガスの
    制御方法。
  16. 【請求項16】 前記チャンバと前記投入室との間に設
    けられている開閉ゲートが開いているときに、前記不活
    性ガスをシャワーヘッドにより前記チャンバ側から前記
    投入室側へ向けて供給する工程を有することを特徴とす
    る請求項13〜15のいずれか1項に記載の不活性ガス
    の制御方法。
  17. 【請求項17】 光学系の光路を包囲するチャンバを不
    活性ガスに置換する工程と、 該チャンバに隣接して設けられた投入室の内部を不活性
    ガスに置換する工程と、 該チャンバと該投入室との間に設けられた開閉ゲートが
    閉じているときに、該チャンバ内のガスを供給路を経て
    該投入室に供給する工程とを有することを特徴とする不
    活性ガスの制御方法。
  18. 【請求項18】 前記チャンバ内のガスの前記投入室へ
    の供給量を、前記チャンバまたは投入室の圧力が所定の
    圧力となるようにまたは所定の供給量となるように制御
    することを特徴とする請求項17に記載の不活性ガスの
    制御方法。
  19. 【請求項19】 光学系の光路を包囲するチャンバを不
    活性ガスに置換する工程と、 該チャンバに隣接して設けられた投入室の内部を不活性
    ガスに置換する工程と、 該チャンバと該投入室との間に設けられた開閉ゲートが
    開いているときに、該不活性ガスを該チャンバ側から該
    投入室側に向けて供給する工程とを有することを特徴と
    する不活性ガスの制御方法。
  20. 【請求項20】 前記チャンバは、前記光学系による測
    定のために測定対象物が配置される測定室であることを
    特徴とする請求項13〜19いずれかに記載の不活性ガ
    スの制御方法。
  21. 【請求項21】 前記チャンバは、前記光学系により基
    板を露光する露光光を不活性ガス雰囲気中に包囲するも
    のであることを特徴とする請求項13〜19いずれかに
    記載の不活性ガスの制御方法。
  22. 【請求項22】 所定の空間を密閉するチャンバと、該
    チャンバに設けられた開閉ゲートと、該チャンバに隣接
    して設けられる投入室と、該チャンバと該投入室の内部
    の気体を不活性ガスで置換する置換手段と、該チャンバ
    と該投入室との間で該開閉ゲートを介して対象物を搬入
    および搬出するための搬送手段とを備え、 該開閉ゲートが閉じているときに、該チャンバの圧力が
    該投入室の圧力よりも大きくなるように該チャンバまた
    は投入室に対する該不活性ガスの供給量または排気量を
    制御する不活性ガス制御手段を具備することを特徴とす
    る密閉空間の雰囲気制御装置。
  23. 【請求項23】 前記不活性ガス制御手段は、前記置換
    手段による前記投入室およびチャンバのそれぞれに対す
    る前記不活性ガスの供給量を調整するための流量制御装
    置を有することを特徴とする請求項22に記載の密閉空
    間の雰囲気制御装置。
  24. 【請求項24】 前記不活性ガス制御手段は、前記投入
    室およびチャンバに接続された排気配管に設けられた流
    量制御バルブを、前記投入室およびチャンバに設けられ
    た圧力計の計測値に基づいて調整することにより前記排
    気量の制御を行うものであることを特徴とする請求項2
    2または23に記載の密閉空間の雰囲気制御装置。
  25. 【請求項25】 前記チャンバ内のガスを前記投入室へ
    供給するための供給路を有することを特徴とする請求項
    22〜24のいずれか1項に記載の密閉空間の雰囲気制
    御装置。
  26. 【請求項26】 前記不活性ガス制御手段は、前記供給
    路上に設けられた流量計の計測結果に基づき、前記供給
    路上に設けられた流量制御バルブを制御するものである
    ことを特徴とする請求項25に記載の密閉空間の雰囲気
    制御装置。
  27. 【請求項27】 前記チャンバ側から前記投入室側へ向
    けて前記不活性ガスを供給するためのシャワーヘッドを
    有し、前記不活性ガス制御手段は、前記開閉ゲートが開
    いているときに前記シャワーヘッドから前記不活性ガス
    の供給が行われるように前記シャワーヘッドに対する前
    記不活性ガスの供給を制御するものであることを特徴と
    する請求項22〜26のいずれか1項に記載の密閉空間
    の雰囲気制御装置。
  28. 【請求項28】 所定の空間を密閉するチャンバと、該
    チャンバに設けられた開閉ゲートと、該チャンバに隣接
    して設けられる投入室と、該チャンバと該投入室の内部
    の気体を不活性ガスで置換する置換手段と、該チャンバ
    と該投入室との間で該開閉ゲートを介して対象物を搬入
    および搬出するための搬送手段とを備え、 該チャンバ
    内のガスを該投入室へ供給するための供給路を有するこ
    とを特徴とする密閉空間の雰囲気制御装置。
  29. 【請求項29】 所定の空間を密閉するチャンバと、該
    チャンバに設けられた開閉ゲートと、該チャンバに隣接
    して設けられる投入室と、該チャンバと該投入室の内部
    の気体を不活性ガスで置換する置換手段と、該チャンバ
    と該投入室との間で該開閉ゲートを介して対象物を搬入
    および搬出するための搬送手段とを備え、 該チャンバ
    側から該投入室側へ向けて不活性ガスを供給する手段を
    有することを特徴とする密閉空間の雰囲気制御装置。
  30. 【請求項30】 前記投入室側へ向けて不活性ガスを供
    給する手段は、前記開閉ゲートが開いているときに、不
    活性ガスを供給することを特徴とする請求項29に記載
    の密閉空間の雰囲気制御装置。
  31. 【請求項31】 前記投入室側へ向けて不活性ガスを供
    給する手段は、シャワーヘッドであることを特徴とする
    請求項29または30に記載の密閉空間の雰囲気制御装
    置。
  32. 【請求項32】 前記チャンバは、前記光学系による測
    定のために測定対象物が配置されている測定室であるこ
    とを特徴とする請求項22〜29いずれかに記載の密閉
    空間の雰囲気制御装置。
  33. 【請求項33】 前記チャンバは、前記光学系により基
    板を露光する露光光を不活性ガス雰囲気中に包囲するも
    のであることを特徴とする請求項22〜29いずれかに
    記載の密閉空間の雰囲気制御装置。
  34. 【請求項34】 請求項1〜12のいずれかの光学装置
    を用いて露光装置の光学系の光路を包囲し、該光路上の
    雰囲気を制御する工程と、該露光装置を用いて露光を行
    う工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
  35. 【請求項35】 露光装置の光学系の光路を包囲するチ
    ャンバ内の雰囲気を請求項13〜21のいずれかの不活
    性ガスの制御方法により制御する工程と、前記露光装置
    によって露光を行う工程とを有することを特徴とするデ
    バイス製造方法。
  36. 【請求項36】 請求項22〜33のいずれかの密閉空
    間の雰囲気制御装置を用いて露光装置の光学系の光路上
    の空間を密閉し、該光路上の雰囲気を制御する工程と、
    前記露光装置によって露光を行う工程とを有することを
    特徴とするデバイス製造方法。
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