JP2001237193A - Wafer boat for heat-treating device and heat-treating method - Google Patents

Wafer boat for heat-treating device and heat-treating method

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JP2001237193A
JP2001237193A JP2000340921A JP2000340921A JP2001237193A JP 2001237193 A JP2001237193 A JP 2001237193A JP 2000340921 A JP2000340921 A JP 2000340921A JP 2000340921 A JP2000340921 A JP 2000340921A JP 2001237193 A JP2001237193 A JP 2001237193A
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JP
Japan
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wafer boat
carrier
wafer
heat treatment
treatment apparatus
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JP2000340921A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Minami
眞嗣 南
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Semiconductor Leading Edge Technologies Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable low-cost and easy manufacture of a wafer boat even in the case where the diameter of semiconductor wafers to be housed in the wafer boat, which is used when the wafers are inserted in a heat-treating device, is long. SOLUTION: A carrier part 22 capable of housing a plurality of semiconductor wafers at prescribed intervals is provided. Supports 24 to support the carrier 22 are provided. The carrier 22 and the supports 24 are provided in such a way as to be able to split from each other. The supports 24 have a size to occupy a space wider than that of the carrier 22 within a reaction tube of a heat-treating device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置用ウェ
ハボートおよび熱処理方法に係り、特に、複数の半導体
ウェハを熱処理装置に挿入する際に用いられるウェハボ
ート、およびそのウェハボートを用いて行われる熱処理
方法に関する。
The present invention relates to a wafer boat for a heat treatment apparatus and a heat treatment method, and more particularly to a wafer boat used when a plurality of semiconductor wafers are inserted into a heat treatment apparatus and using the wafer boat. It relates to a heat treatment method.

【0002】[0002]

【従来の技術】MOS(Metal Oxide Semiconductor)
LSI(Large Scale Integration circuit)やバイポ
ーラLSIなどの半導体装置は、酸化工程やCVD(Ch
emical Vapor Deposition)工程、或いは拡散工程など
の多くの熱処理工程を経て製造される。これらの熱処理
工程では、縦型熱処理装置と、縦型熱処理装置用ウェハ
ボート(以下、単に「ウェハボート」と称す)とが用い
られることがある。
2. Description of the Related Art MOS (Metal Oxide Semiconductor)
Semiconductor devices such as LSIs (Large Scale Integration circuits) and bipolar LSIs require an oxidation process or CVD (Ch
It is manufactured through many heat treatment steps such as an emical vapor deposition (deposition) step or a diffusion step. In these heat treatment steps, a vertical heat treatment apparatus and a wafer boat for a vertical heat treatment apparatus (hereinafter simply referred to as “wafer boat”) may be used.

【0003】図6は、一般的な縦型熱処理装置の反応管
10と、従来のウェハボート12とを表す概念図であ
る。ウェハボート12は、複数の半導体ウェハ14と複
数のダミーウェハ16とを搭載した状態で、かつ、保温
塔17の上に搭載された状態で反応管10の内部に挿入
される。反応管10には、安定した熱処理が可能な均熱
ゾーン18が存在する。半導体ウェハ14は、均熱ゾー
ン18の中に収まるようにウェハボート12に搭載され
る。そして、均熱ゾーン18から外れる部分にダミーウ
ェハ16が搭載される。
FIG. 6 is a conceptual diagram showing a reaction tube 10 of a general vertical heat treatment apparatus and a conventional wafer boat 12. The wafer boat 12 is inserted into the reaction tube 10 with the plurality of semiconductor wafers 14 and the plurality of dummy wafers 16 mounted thereon and mounted on the heat retaining tower 17. The reaction tube 10 has a soaking zone 18 in which stable heat treatment can be performed. The semiconductor wafer 14 is mounted on the wafer boat 12 so as to fit in the soaking zone 18. Then, the dummy wafer 16 is mounted on a portion deviating from the soaking zone 18.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】近年では、半導体製造
技術の進歩に伴って半導体ウェハの大径化が進み、従来
は200mmであった直径が300mmに移行しつつある。
また、研究段階のものを含めると、直径400mmの半導
体ウェハが用いられることもある。半導体ウェハの厚さ
は、直径の拡大に応じて増大される。従って、ウェハボ
ートに形成すべき溝の幅や、所定の枚数を収納するため
の全高も、半導体ウェハの直径変更に対応して変更する
必要がある。
In recent years, the diameter of a semiconductor wafer has been increased with the progress of semiconductor manufacturing technology, and the diameter of the conventional semiconductor wafer has shifted from 200 mm to 300 mm.
In addition, a semiconductor wafer having a diameter of 400 mm may be used, including those at a research stage. The thickness of the semiconductor wafer increases as the diameter increases. Therefore, the width of the groove to be formed in the wafer boat and the total height for accommodating a predetermined number of wafers also need to be changed in accordance with the change in the diameter of the semiconductor wafer.

【0005】例えば、300mmの半導体ウェハを搭載す
るためのウェハボートには、そのウェハを適当な間隔で
収納することのできる溝幅(例えば、8〜18mm程度)
を有し、かつ、熱処理装置の均熱ゾーンに到達する全高
(例えば、785mm〜945mm程度)を有することが要
求される。このようなウェハボートを新たに形成する場
合は、ウェハボートの形状や溝の仕上がり精度など、多
数の項目を実験により確認する必要がある。
For example, a wafer boat for mounting a 300 mm semiconductor wafer has a groove width (for example, about 8 to 18 mm) that can accommodate the wafer at an appropriate interval.
And a total height (for example, about 785 mm to 945 mm) reaching the soaking zone of the heat treatment apparatus is required. When newly forming such a wafer boat, it is necessary to confirm a number of items such as the shape of the wafer boat and the finishing accuracy of the groove by experiments.

【0006】ところで、200mm用のウェハボートを製
造或いは検査するための既存の設備は、より径の大きな
ウェハを収納するためのウェハボートに対応できない場
合がある。このため、300mm或いは400mm用のウェ
ハボートを製造するためには新たな投資が必要となる。
また、そのようなウェハボートの製造には、200mmに
対応するウェハボートを製造する場合に比して多くの材
料(石英やシリコンカーバイド(SiC))が必要とさ
れる。これらの理由により、径の大きな半導体ウェハを
収納するためのウェハボートの試作には、200mm用の
ウェハボートの試作と比較して、長期の試作期間と、3
乃至5倍の費用が必要である。
[0006] By the way, existing equipment for manufacturing or inspecting a 200 mm wafer boat may not be compatible with a wafer boat for accommodating larger diameter wafers. Therefore, a new investment is required to manufacture a wafer boat for 300 mm or 400 mm.
Further, the manufacture of such a wafer boat requires more materials (quartz and silicon carbide (SiC)) than in the case of manufacturing a wafer boat corresponding to 200 mm. For these reasons, the prototyping of a wafer boat for storing large diameter semiconductor wafers requires a longer prototyping time and a three-
Up to five times the cost is required.

【0007】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、新たなサイズの半導体ウェハに対
応するウェハボートを効率的に開発するための実験に適
した熱処理装置用ウェハボートを提供することを第1の
目的とする。また、本発明は、上記のようなウェハボー
トを用いて実行される熱処理方法を提供することを第2
の目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and is a wafer boat for a heat treatment apparatus suitable for an experiment for efficiently developing a wafer boat corresponding to a new size semiconductor wafer. The first object is to provide The present invention also provides a heat treatment method performed using a wafer boat as described above.
The purpose of.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るため、請求項1記載の発明は、半導体ウェハの熱処理
装置で用いられるウェハボートであって、複数の半導体
ウェハを所定間隔で収納することのできるキャリア部
と、前記キャリア部を支持する支持部とを備え、前記キ
ャリア部と前記支持部とは分割可能であり、かつ、前記
熱処理装置の反応管の内部において、前記支持部は、前
記キャリア部に比して大きな空間を占めることを特徴と
する。
In order to achieve the first object, an invention according to claim 1 is a wafer boat used in a semiconductor wafer heat treatment apparatus, wherein a plurality of semiconductor wafers are stored at predetermined intervals. And a support portion for supporting the carrier portion, the carrier portion and the support portion can be divided, and inside the reaction tube of the heat treatment apparatus, the support portion is Occupying a larger space than the carrier portion.

【0009】請求項2記載の発明は、半導体ウェハの熱
処理装置で用いられるウェハボートであって、複数の半
導体ウェハを所定間隔で収納する複数の収納溝を有する
キャリア部と、前記キャリア部を支持する支持部とを備
え、前記キャリア部と前記支持部とは分割可能であり、
前記キャリア部は、互いに構造の異なる複数種類の収納
溝を備えることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a wafer boat used in a semiconductor wafer heat treatment apparatus, the carrier having a plurality of storage grooves for storing a plurality of semiconductor wafers at predetermined intervals, and supporting the carrier. Comprising a supporting portion, the carrier portion and the supporting portion are divisible,
The carrier unit includes a plurality of types of storage grooves having different structures.

【0010】請求項3記載の発明は、請求項2記載の熱
処理装置用ウェハボートであって、前記キャリア部を複
数備えると共に、前記複数のキャリア部は、互いに分割
可能であり、かつ、互いに重ね合わせが可能であること
を特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the wafer boat for a heat treatment apparatus according to the second aspect, wherein the plurality of carrier portions are provided, and the plurality of carrier portions are separable from each other and overlap each other. It is characterized in that matching is possible.

【0011】請求項4記載の発明は、請求項2または3
記載の熱処理装置用ウェハボートであって、単一の前記
キャリア部に含まれる全ての収納溝は、互いに異なる構
造を有することを特徴とする。
The invention described in claim 4 is the invention according to claim 2 or 3.
2. The wafer boat for a heat treatment apparatus according to claim 1, wherein all of the storage grooves included in the single carrier unit have different structures.

【0012】請求項5記載の発明は、請求項3記載の熱
処理装置用ウェハボートであって、前記複数のキャリア
部に含まれる全ての収納溝は、互いに異なる構造を有す
ることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the wafer boat for a heat treatment apparatus according to the third aspect, wherein all the accommodating grooves included in the plurality of carrier portions have structures different from each other.

【0013】上記第2の目的を達成するため、請求項6
記載の発明は、半導体ウェハの熱処理方法であって、半
導体ウェハをウェハボートに収納するステップと、前記
ウェハボートを反応管に搬入するステップと、前記反応
管の中で前記半導体ウェハを加熱するステップとを含
み、前記ウェハボートは請求項1乃至5の何れか1項記
載の熱処理装置用ウェハボートであることを特徴とす
る。
[0013] In order to achieve the second object, the present invention is directed to claim 6.
The described invention is a method for heat-treating a semiconductor wafer, wherein the step of storing the semiconductor wafer in a wafer boat, the step of carrying the wafer boat into a reaction tube, and the step of heating the semiconductor wafer in the reaction tube Wherein the wafer boat is the wafer boat for a heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Elements common to the drawings are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0015】実施の形態1.図1は、本発明の実施の形
態1のウェハボート20を示す。ウェハボート20は、
複数の半導体ウェハを縦型熱処理装置に挿入するために
用いられる部材であり、キャリア部22と支持部24と
を備えている。キャリア部22は、天板26、底板2
8、および3本のウェハ支持柱30を備えている。ウェ
ハ支持柱30には、半導体ウェハを支持するためのフィ
ン32が複数設けられている。支持部24は、天板3
4、底板36、および3本の支柱38を備えている。キ
ャリア部22および支持部24は、それぞれ石英または
シリコンカーバイドSiCで構成されている。
Embodiment 1 FIG. 1 shows a wafer boat 20 according to the first embodiment of the present invention. The wafer boat 20
This member is used to insert a plurality of semiconductor wafers into a vertical heat treatment apparatus, and includes a carrier section 22 and a support section 24. The carrier section 22 includes a top plate 26 and a bottom plate 2.
8 and three wafer support columns 30. The wafer support column 30 is provided with a plurality of fins 32 for supporting a semiconductor wafer. The support part 24 includes the top plate 3
4, a bottom plate 36 and three columns 38. The carrier section 22 and the support section 24 are each made of quartz or silicon carbide SiC.

【0016】図2は、キャリア部22と支持部24とを
分割して表した図を示す。図2に示すように、キャリア
部22と支持部24とは分割することができる。支持部
24の天板34の上面には、嵌合用の凸部40が3個設
けられている。一方、キャリア部22の底板28には、
それらの凸部40と嵌合する凹部(図示せず)が設けら
れている。キャリア部22は、上述した凸部40が底面
28の凹部(図示せず)と嵌合するように支持部24の
上に搭載される。
FIG. 2 is a view showing the carrier section 22 and the support section 24 separately. As shown in FIG. 2, the carrier part 22 and the support part 24 can be divided. On the upper surface of the top plate 34 of the support portion 24, three fitting protrusions 40 are provided. On the other hand, the bottom plate 28 of the carrier portion 22 has
A concave portion (not shown) that fits with the convex portion 40 is provided. The carrier part 22 is mounted on the support part 24 so that the above-mentioned convex part 40 fits into a concave part (not shown) of the bottom surface 28.

【0017】図3は、本実施形態のウェハボート20
が、縦型熱処理装置の反応管10の中に挿入された状態
を示す。図3において、ウェハボート20は、キャリア
部22の中に複数の半導体ウェハ14を保持した状態
で、保温塔17の上に搭載されている。キャリア部22
の中に収納されている複数の半導体ウェハ14は、この
状態で、反応管10の均熱ゾーン18に収まっている。
図3に示すように、本実施形態のウェハボート20は、
反応管10の内部で、支持部24が、キャリア部22に
比して大きな空間を占めるように構成されている。
FIG. 3 shows a wafer boat 20 according to this embodiment.
Shows a state inserted into the reaction tube 10 of the vertical heat treatment apparatus. In FIG. 3, the wafer boat 20 is mounted on the heat retaining tower 17 with a plurality of semiconductor wafers 14 held in a carrier section 22. Carrier part 22
In this state, the plurality of semiconductor wafers 14 stored in the inside are accommodated in the soaking zone 18 of the reaction tube 10.
As shown in FIG. 3, the wafer boat 20 of the present embodiment
The support portion 24 is configured to occupy a larger space inside the reaction tube 10 than the carrier portion 22.

【0018】本実施形態において、ウェハボート20の
キャリア部22は、直径300mmの半導体ウェハ14を
複数枚収納することができるように、かつ、全高が10
0mmとなるように設けられている。全高が100mm程度
であれば、キャリア部20の製造および検査は、直径2
00mmの半導体ウェハ用のウェハボートを製造または検
査するための設備、すなわち、広く用いられている既存
の設備を使って、容易に行うことができる。このため、
キャリア部22は、比較的安価に、かつ、容易に製造す
ることができる。
In the present embodiment, the carrier portion 22 of the wafer boat 20 is capable of accommodating a plurality of semiconductor wafers 14 having a diameter of 300 mm and has a total height of 10 mm.
It is provided to be 0 mm. If the total height is about 100 mm, the manufacture and inspection of the carrier part 20 are performed with a diameter
It can be easily performed using equipment for manufacturing or inspecting a wafer boat for semiconductor wafers of 00 mm, that is, existing equipment widely used. For this reason,
The carrier section 22 can be manufactured relatively inexpensively and easily.

【0019】支持部24は、キャリア部22を均熱ゾー
ン18に到達させるためだけに設けられる部材であり、
微妙な精度を必要としない。このため支持部24は安価
かつ容易に製造することができる。このように、本実施
形態のウェハボート20を構成するキャリア部22およ
び支持部24は何れも安価かつ容易に製造することがで
きる。従って、本実施形態の構造によれば、300mmの
直径を有する半導体ウェハ14を均熱ゾーン18に保持
することのできるウェハボート20を、安価かつ容易に
実現することができる。
The support portion 24 is a member provided only for allowing the carrier portion 22 to reach the soaking zone 18.
Does not require subtle precision. For this reason, the support part 24 can be manufactured cheaply and easily. As described above, both the carrier portion 22 and the support portion 24 constituting the wafer boat 20 of the present embodiment can be manufactured easily at low cost. Therefore, according to the structure of the present embodiment, a wafer boat 20 capable of holding the semiconductor wafer 14 having a diameter of 300 mm in the soaking zone 18 can be realized at low cost and easily.

【0020】実施の形態2.次に、図4および図5を参
照して本発明の実施の形態2のウェハボート50につい
て説明する。図4は、本発明の実施の形態2のウェハボ
ート50が縦型熱処理装置の反応管10の中に挿入され
た状態を示す。また、図5は、キャリア部22と支持部
24とを分割して表した図を示す。
Embodiment 2 Next, a wafer boat 50 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows a state where the wafer boat 50 according to the second embodiment of the present invention is inserted into the reaction tube 10 of the vertical heat treatment apparatus. FIG. 5 is a view showing the carrier section 22 and the support section 24 separately.

【0021】本実施形態において、ウェハボート50
は、分割が可能な3つのキャリア部52と一つの支持部
54とを備えている。キャリア部52は、天板26の上
面に嵌合用の凸部56を3個所に備えている点を除き、
実施の形態1におけるキャリア部22と同じ構成を有し
ている。また、支持部54は、支柱58が短い点を除き
実施の形態1における支持部24と同様の構成を有して
いる。本実施形態において、支持部54は、3つのキャ
リア部52の全てが縦型熱処理装置の均熱ゾーン18に
収まるように設けられている。
In this embodiment, the wafer boat 50
Has three carrier parts 52 and one support part 54 that can be divided. The carrier section 52 has three protrusions 56 for fitting on the upper surface of the top plate 26 except for three points.
It has the same configuration as carrier portion 22 in the first embodiment. The support 54 has the same configuration as the support 24 in the first embodiment, except that the support 58 is short. In the present embodiment, the support portion 54 is provided such that all of the three carrier portions 52 fit in the soaking zone 18 of the vertical heat treatment apparatus.

【0022】キャリア部52の底板28には、実施の形
態1の場合と同様に、支持部54が備える凸部40、或
いは他のキャリア部52が備える凸部56と嵌合する凹
部(図示せず)が設けられている。キャリア部52は、
上述した凸部40または56が底面28の凹部(図示せ
ず)と嵌合するように、互いに重ね合わされた状態で支
持部54の上に搭載される。
As in the first embodiment, the bottom plate 28 of the carrier portion 52 has a concave portion (not shown) fitted with the convex portion 40 provided on the support portion 54 or the convex portion 56 provided on another carrier portion 52. Z) is provided. The carrier section 52
The projections 40 or 56 described above are mounted on the support portion 54 in a state of being overlapped with each other such that the projections 40 or 56 are fitted into recesses (not shown) of the bottom surface 28.

【0023】本実施形態において、ウェハボート50の
キャリア部52は、直径300mmの半導体ウェハ14を
複数枚収納することができるように、かつ、全高が10
0mmとなるように設けられている。ウェハボート50に
おいては、半導体ウェハ14を収納する溝幅の精度が重
要である。半導体ウェハ14を不具合無く搬送するため
には、全ての溝の寸法誤差を例えば3/100程度に抑
制することが必要である。
In the present embodiment, the carrier portion 52 of the wafer boat 50 is designed to accommodate a plurality of semiconductor wafers 14 having a diameter of 300 mm and has a total height of 10 mm.
It is provided to be 0 mm. In the wafer boat 50, the accuracy of the groove width for accommodating the semiconductor wafer 14 is important. In order to transport the semiconductor wafer 14 without any trouble, it is necessary to suppress the dimensional error of all the grooves to, for example, about 3/100.

【0024】尚、上記の寸法誤差は、個々の溝に含まれ
ている誤差をウェハボート全体の誤差に換算し、その換
算値を、ウェハボートの全高を100として表した値で
ある。より具体的には、個々の溝の誤差に、ウェハボー
トに含まれている溝の数を乗算し、その乗算値をウェハ
ボートの全高で除算し、更に100を掛けた値である。
The above-mentioned dimensional error is a value obtained by converting an error contained in each groove into an error of the entire wafer boat, and expressing the converted value assuming that the total height of the wafer boat is 100. More specifically, the error is obtained by multiplying the error of each groove by the number of grooves included in the wafer boat, dividing the multiplied value by the total height of the wafer boat, and further multiplying by 100.

【0025】本実施形態のウェハボート50において、
キャリア部54の全高に対する溝の精度は、その全高が
低い(100mm)ため、1/100以下とすることがで
きた。このため、3つのキャリア部54を重ね合わせて
も、溝の寸法誤差は3/100以内に抑えられる。この
ため、ウェハボート50によれば、半導体ウェハ14を
不都合無く搬送することができる。
In the wafer boat 50 of the present embodiment,
The accuracy of the groove with respect to the total height of the carrier portion 54 could be reduced to 1/100 or less because the total height was low (100 mm). Therefore, even if the three carrier portions 54 are overlapped, the dimensional error of the groove can be suppressed to within 3/100. Therefore, according to the wafer boat 50, the semiconductor wafer 14 can be transported without any inconvenience.

【0026】また、本実施形態のウェハボート50を構
成するキャリア部52および支持部54は、実施の形態
1の場合と同様に、安価かつ容易に製造することができ
る。更に、本実施形態のウェハボート50によれば、キ
ャリア部52が重ね合わされているため、実施の形態1
の場合に比して多数の半導体ウェハ14を一度に処理す
ることができる。このため、ウェハボート50は、半導
体装置を量産したい場合にも使用することができる。
Further, the carrier portion 52 and the support portion 54 constituting the wafer boat 50 of the present embodiment can be manufactured inexpensively and easily as in the case of the first embodiment. Further, according to the wafer boat 50 of the present embodiment, since the carrier portions 52 are overlapped, the first embodiment
In this case, a larger number of semiconductor wafers 14 can be processed at one time. For this reason, the wafer boat 50 can be used even when mass production of semiconductor devices is desired.

【0027】また、本実施形態の構造では、キャリア部
52の一つに破損や変形が生じた場合に、そのキャリア
部52だけを修理或いは交換することができる。このた
め、本実施形態のウェハボート50は、全体が一体的に
設けられているウェハボートに比して、経済的に長期に
渡って使用することができる。
Further, in the structure of this embodiment, when one of the carrier portions 52 is damaged or deformed, only the carrier portion 52 can be repaired or replaced. For this reason, the wafer boat 50 of the present embodiment can be used economically for a long period of time as compared with a wafer boat in which the whole is integrally provided.

【0028】ところで、上述した実施の形態1および2
では、ウェハボート20または50に収納する半導体ウ
ェハ14の直径を300mmとしているが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、その直径は200mmであっ
ても、或いは400mmであってもよい。
By the way, in the first and second embodiments described above.
In the above, the diameter of the semiconductor wafer 14 stored in the wafer boat 20 or 50 is 300 mm, but the present invention is not limited to this, and the diameter may be 200 mm or 400 mm.

【0029】また、上述した実施の形態1および2で
は、支持部24,54とキャリア部22,52との連結
機構、およびキャリア部52相互の連結機構を、凸部4
0,56と、それらに嵌合する凹部とで実現している
が、連結機構の構成はこれに限定されるものではない。
すなわち、それらの連結機構は、支持部24,54やキ
ャリア部22,52の連結を安定に維持し得るものであ
れば良い。
In Embodiments 1 and 2 described above, the connecting mechanism between the support portions 24 and 54 and the carrier portions 22 and 52 and the connecting mechanism between the carrier portions 52 are different from the convex portion 4.
Although they are realized by 0, 56 and a concave portion fitted to them, the configuration of the coupling mechanism is not limited to this.
That is, the connection mechanism may be any mechanism that can stably maintain the connection between the support portions 24 and 54 and the carrier portions 22 and 52.

【0030】実施の形態3.次に、再び上記図1および
図2を参照して本発明の実施の形態3のウェハボートに
ついて説明する。上述の如く、実施の形態1のウェハボ
ート20が備えるキャリア部22は、半導体ウェハ14
を保持するためのフィン32を備えている。それらのフ
ィン32は、一つの半導体ウェハ14を支持するために
3つ設けられている。以下、それら3つのフィン32が
構成する支持部分を半導体ウェハ14の「収納溝」と称
す。
Embodiment 3 Next, a wafer boat according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 again. As described above, the carrier portion 22 provided in the wafer boat 20 according to the first embodiment
Are provided. Three fins 32 are provided to support one semiconductor wafer 14. Hereinafter, the supporting portion formed by the three fins 32 is referred to as a “storage groove” of the semiconductor wafer 14.

【0031】本実施形態のウェハボートは、同一のキャ
リア部22に設けられる複数の収納溝が、それぞれ異な
った構造を有している点を除き、実施の形態1のウェハ
ボート20と同じ構成を有している。具体的には、本実
施形態において、個々の収納溝を構成するフィン32
は、収納溝毎に、その形、表面状態、長さ、幅、面積、
および角度などが異なるように形成されている。つま
り、本実施形態において、キャリア部22は、その中に
備える全ての収納溝が互いに異なる構造となるように形
成されている。
The wafer boat of the present embodiment has the same configuration as the wafer boat 20 of the first embodiment except that a plurality of storage grooves provided in the same carrier portion 22 have different structures. Have. Specifically, in the present embodiment, the fins 32 forming the individual storage grooves are provided.
Is the shape, surface condition, length, width, area,
And the angles are different. That is, in the present embodiment, the carrier portion 22 is formed such that all the accommodating grooves provided therein have different structures.

【0032】直径300mmの半導体ウェハ14をウェハ
ボート内に保持する場合は、ウェハの直径が200mmの
場合に比して、自重による欠陥等がウェハに生じ易い。
更に、300mmの半導体ウェハ14では、200mmのウ
ェハに比して、フィン32で支持される部位の近傍に熱
応力ないし熱変形に起因する欠陥(スリップ)も生じ易
い。このため、200mmのウェハを収納するための収納
溝をそのまま大きくしただけでは300mmの半導体ウェ
ハ14に対応するウェハボートを実現することはできな
い。
When a semiconductor wafer 14 having a diameter of 300 mm is held in a wafer boat, defects due to its own weight are more likely to occur on the wafer than when the diameter of the wafer is 200 mm.
Further, in the case of the 300 mm semiconductor wafer 14, a defect (slip) due to thermal stress or thermal deformation is more likely to occur in the vicinity of the portion supported by the fins 32 than the 200 mm wafer. For this reason, a wafer boat corresponding to the 300 mm semiconductor wafer 14 cannot be realized by simply increasing the storage groove for storing the 200 mm wafer.

【0033】従って、300mmの半導体ウェハ14に対
応するウェハボートを開発する過程では、フィン32の
形や表面状態を変えて実験的に最適な収納溝の構造を探
し出す必要がある。この場合、フィン32の角度、厚
さ、間隔、幅、表面の仕上げ、収納溝の深さなど、最適
化のために考慮する項目は多数存在し、それらの項目の
それぞれを例えば3水準に変化させて実験を行おうとす
れば、かなりの数の収納溝につき実験を行う必要が生ず
る。
Therefore, in the process of developing a wafer boat corresponding to the semiconductor wafer 14 of 300 mm, it is necessary to experimentally find the optimum storage groove structure by changing the shape and surface condition of the fin 32. In this case, there are many items to be considered for optimization, such as the angle, thickness, interval, width, surface finish, and depth of the storage groove of the fin 32, and each of those items is changed to, for example, three levels. If an experiment is to be performed, it is necessary to perform an experiment on a considerable number of storage grooves.

【0034】上述の如く、本実施形態のウェハボート
は、一つのキャリア部22の中に、構造の異なる複数の
収納溝を備えている。従って、そのウェハボートによれ
ば、構造の異なる複数の収納溝についての実験データ
を、一度の熱処理で収集することができる。このため、
本実施形態のウェハボートを用いることによれば、新た
なサイズの半導体ウェハ14を収納するウェハボートの
開発を効率的に進めて、その開発期間の大幅な短縮と、
その開発費用の大幅な低減とを実現することができる。
As described above, the wafer boat of this embodiment is provided with a plurality of storage grooves having different structures in one carrier section 22. Therefore, according to the wafer boat, experimental data on a plurality of storage grooves having different structures can be collected by one heat treatment. For this reason,
According to the use of the wafer boat of the present embodiment, the development of a wafer boat accommodating a semiconductor wafer 14 of a new size is efficiently advanced, and the development period is significantly shortened.
The development cost can be significantly reduced.

【0035】実施の形態4.次に、再び上記図4および
図5を参照して本発明の実施の形態4のウェハボートに
ついて説明する。上述の如く、実施の形態2のウェハボ
ート20は、3つのキャリア部52を備えている。ま
た、個々のキャリア部52は、それぞれ、半導体ウェハ
14を保持するための収納溝(3つのフィン32で構成
される)を複数備えている。
Embodiment 4 FIG. Next, a wafer boat according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5 again. As described above, the wafer boat 20 according to the second embodiment includes the three carrier units 52. Each of the carrier portions 52 includes a plurality of storage grooves (constituted by three fins 32) for holding the semiconductor wafer 14.

【0036】本実施形態のウェハボートは、実施の形態
3の場合と同様に、同一のキャリア部52に設けられる
複数の収納溝がそれぞれ異なった構造を有する点、およ
び、3つのキャリア52が備える全ての収納溝が、その
構造において重複していない点を除き、上述した実施の
形態2のウェハボート50と同じ構造を有している。す
なわち、本実施形態において、個々の収納溝を構成する
フィン32は、ウェハボートに含まれる全ての収納溝の
構造が重ならないように、収納溝毎に、その形、表面状
態、長さ、幅、面積、および角度などが異なるように形
成されている。
As in the case of the third embodiment, the wafer boat of the present embodiment is different from the third embodiment in that a plurality of storage grooves provided in the same carrier portion 52 have different structures, and three wafer carriers 52 are provided. All the storage grooves have the same structure as the wafer boat 50 of the above-described second embodiment except that the storage grooves do not overlap. That is, in the present embodiment, the fins 32 constituting the individual storage grooves are provided in the form, surface condition, length, and width of each storage groove so that the structures of all the storage grooves included in the wafer boat do not overlap. , Area, angle, and the like.

【0037】 本実施形態のウェハボートによれば、互
いに重ねられた3つのキャリア部52を備えていること
から、実施の形態3のウェハボートに比して、一度の実
験で多数の収納溝につき実験データを得ることができ
る。このため、本実施形態のウェハボートによれば、新
たなサイズの半導体ウェハ14を収納するためのウェハ
ボートの開発を、実施の形態3のウェハボートに比して
更に効率的に進めることができる。
According to the wafer boat of the present embodiment, since three carrier portions 52 are provided so as to overlap with each other, compared with the wafer boat of the third embodiment, a large number of storage grooves can be formed in one experiment. Experimental data can be obtained. For this reason, according to the wafer boat of the present embodiment, the development of a wafer boat for accommodating a semiconductor wafer 14 of a new size can be advanced more efficiently than the wafer boat of the third embodiment. .

【0038】ところで、上述した実施の形態3では、単
一のキャリア部22に含まれる全ての収納溝が異なる構
造を有することとされている。また、上述した実施の形
態4では、ウェハボートに含まれる全ての収納溝、すな
わち、3つのキャリア部52に含まれる全ての収納溝が
異なる構造を有することとされている。しかし、本発明
はこれに限定されるものではなく、単一のウェハボート
内に構造の異なる複数種類の収納溝が準備されていれば
足り、必ずしも全ての収納溝が互いに構造を異にしてい
ることは要しない。単一のウェハボート内に構造の同じ
収納溝が重複して設けられている場合は、一度の熱処理
で、その収納溝について実験の繰り返し数を確保するこ
とができ、その点において実験の効率を高めることがで
きる。
In the above-described third embodiment, all the storage grooves included in the single carrier portion 22 have different structures. In the above-described fourth embodiment, all the storage grooves included in the wafer boat, that is, all the storage grooves included in the three carrier portions 52 have different structures. However, the present invention is not limited to this, and it is sufficient that a plurality of storage grooves having different structures are prepared in a single wafer boat, and all the storage grooves have different structures from each other. You don't have to. In the case where the same storage groove having the same structure is provided in a single wafer boat, a single heat treatment can secure the number of repetitions of the experiment with respect to the storage groove. Can be enhanced.

【0039】また、上述した実施の形態3および4で
は、キャリア部22,52に含まれる収納溝が、それぞ
れ3つのフィン32で構成されているが、収納溝を構成
するフィン32の数はこれに限定されるものではない。
更に、収納溝を構成するフィン32の数は、同一のキャ
リア部22,52の中で統一されている必要はなく、同
一のキャリア部22,52の中に、フィン32の数の異
なる収納溝を併存させてもよい。
In Embodiments 3 and 4 described above, the storage grooves included in the carrier portions 22 and 52 are each formed by three fins 32. However, the number of the fins 32 forming the storage grooves is However, the present invention is not limited to this.
Further, the number of the fins 32 constituting the storage grooves does not need to be uniform in the same carrier portions 22 and 52, and the storage grooves having different numbers of the fins 32 are provided in the same carrier portions 22 and 52. May coexist.

【0040】[0040]

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に示すような効果を奏する。請求項1
記載の発明によれば、キャリア部と支持部とが分割され
ているため、それぞれを安価かつ容易に製造することが
できる。また、キャリア部が十分に小さいため、その価
格が抑制できると共に、キャリア部を確実に反応管の均
熱層内に位置させることができる。従って、本発明によ
れば、収納すべき半導体ウェハが大きな径を有する場合
でも、ウェハボートを安価かつ容易に実現することがで
きる。
Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. Claim 1
According to the described invention, since the carrier portion and the support portion are divided, each can be manufactured at low cost and easily. In addition, since the carrier portion is sufficiently small, the cost can be suppressed, and the carrier portion can be reliably located in the soaking layer of the reaction tube. Therefore, according to the present invention, even when the semiconductor wafer to be stored has a large diameter, a wafer boat can be realized at low cost and easily.

【0041】請求項2記載の発明によれば、支持部から
分割可能なキャリア部内に、複数種類の収納溝を準備す
ることができる。この場合、1度の熱処理で多数の収納
溝に関する実験データを得ることができる。従って、本
発明によれば、新たなサイズの半導体ウェハを収納する
ウェハボートの開発を効率的に進めることができる。
According to the second aspect of the present invention, a plurality of types of storage grooves can be prepared in the carrier portion that can be divided from the support portion. In this case, experimental data on a large number of storage grooves can be obtained by one heat treatment. Therefore, according to the present invention, the development of a wafer boat for storing a semiconductor wafer of a new size can be efficiently advanced.

【0042】請求項3記載の発明によれば、複数のキャ
リア部を備えているため、収納溝に関する実験データ
を、一度の熱処理で、キャリア部が単数である場合に比
して数多く得ることができる。このため、本発明によれ
ば、新たなサイズの半導体ウェハを収納するウェハボー
トの開発を効率的に進めることができる。
According to the third aspect of the present invention, since a plurality of carrier portions are provided, it is possible to obtain a larger number of experimental data on the storage grooves by a single heat treatment than in the case where only one carrier portion is provided. it can. Therefore, according to the present invention, the development of a wafer boat for accommodating a semiconductor wafer of a new size can be efficiently advanced.

【0043】請求項4記載の発明によれば、単一のキャ
リア部内に準備される全ての収納溝が異なる構造を有す
るため、1度の熱処理で、効率良く多数の収納溝の実験
データを得ることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since all the storage grooves prepared in a single carrier portion have different structures, experimental data of a large number of storage grooves can be efficiently obtained by one heat treatment. be able to.

【0044】請求項5記載の発明によれば、複数のキャ
リア部に含まれる全ての収納溝が互いに異なる構造を有
しているため、1度の熱処理で、極めて効率的に多数の
収納溝に関する実験データを取得することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, all of the storage grooves included in the plurality of carrier portions have different structures from each other. Experimental data can be obtained.

【0045】請求項6記載の発明によれば、請求項1乃
至の何れか1項記載のウェハボートを用いることで、効
率的に半導体ウェハの熱処理を行うことができる。従っ
て、本発明によれば、半導体装置の開発費を大きく削減
し、その開発の促進を図ることができる。
According to the sixth aspect of the present invention, by using the wafer boat according to any one of the first to fifth aspects, the heat treatment of the semiconductor wafer can be efficiently performed. Therefore, according to the present invention, the development cost of a semiconductor device can be significantly reduced, and the development can be promoted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1または3のウェハボー
トの正面図である。
FIG. 1 is a front view of a wafer boat according to a first or third embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示すウェハボートを構成するキャリア
部と支持部とを分割して表した図である。
FIG. 2 is a diagram showing a carrier section and a support section constituting the wafer boat shown in FIG. 1 separately.

【図3】 図1に示すウェハボートが縦型熱処理装置の
反応管の中に収納された状態を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a state in which the wafer boat shown in FIG. 1 is housed in a reaction tube of a vertical heat treatment apparatus.

【図4】 本発明の実施の形態2または4のウェハボー
トが縦型熱処理装置の反応管の中に収納された状態を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a state where the wafer boat according to the second or fourth embodiment of the present invention is accommodated in a reaction tube of a vertical heat treatment apparatus.

【図5】 図4に示すウェハボートを構成するキャリア
部と支持部とを分割して表した図である。
FIG. 5 is a view showing a carrier part and a support part constituting the wafer boat shown in FIG. 4 in a divided manner.

【図6】 従来のウェハボートが縦型熱処理装置の反応
管の中に収納された状態を示す図である。
FIG. 6 is a view showing a state in which a conventional wafer boat is housed in a reaction tube of a vertical heat treatment apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 反応管 14 半導体ウェハ 18 均熱ゾーン 20;50 ウェハボート 22;52 キャリア部 24;54 支持部 40;56 凸部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Reaction tube 14 Semiconductor wafer 18 Heat equalization zone 20; 50 Wafer boat 22; 52 Carrier part 24; 54 Support part 40; 56 Convex part

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハの熱処理装置で用いられる
ウェハボートであって、 複数の半導体ウェハを所定間隔で収納することのできる
キャリア部と、 前記キャリア部を支持する支持部とを備え、 前記キャリア部と前記支持部とは分割可能であり、か
つ、 前記熱処理装置の反応管の内部において、前記支持部
は、前記キャリア部に比して大きな空間を占めることを
特徴とする熱処理装置用ウェハボート。
1. A wafer boat used in a semiconductor wafer heat treatment apparatus, comprising: a carrier unit capable of accommodating a plurality of semiconductor wafers at predetermined intervals; and a support unit supporting the carrier unit. The support part is divideable, and inside the reaction tube of the heat treatment apparatus, the support part occupies a larger space than the carrier part. .
【請求項2】 半導体ウェハの熱処理装置で用いられる
ウェハボートであって、 複数の半導体ウェハを所定間隔で収納する複数の収納溝
を有するキャリア部と、 前記キャリア部を支持する支持部とを備え、 前記キャリア部と前記支持部とは分割可能であり、 前記キャリア部は、互いに構造の異なる複数種類の収納
溝を備えることを特徴とする熱処理装置用ウェハボー
ト。
2. A wafer boat used in a semiconductor wafer heat treatment apparatus, comprising: a carrier section having a plurality of storage grooves for storing a plurality of semiconductor wafers at predetermined intervals; and a support section supporting the carrier section. The wafer boat for a heat treatment apparatus, wherein the carrier section and the support section are dividable, and the carrier section includes a plurality of types of storage grooves having different structures.
【請求項3】 前記キャリア部を複数備えると共に、 前記複数のキャリア部は、互いに分割可能であり、か
つ、互いに重ね合わせが可能であることを特徴とする請
求項2記載の熱処理装置用ウェハボート。
3. The wafer boat for a heat treatment apparatus according to claim 2, wherein a plurality of the carrier portions are provided, and the plurality of carrier portions are separable from each other and overlap with each other. .
【請求項4】 単一の前記キャリア部に含まれる全ての
収納溝は、互いに異なる構造を有することを特徴とする
請求項2または3記載の熱処理装置用ウェハボート。
4. The wafer boat for a heat treatment apparatus according to claim 2, wherein all the storage grooves included in the single carrier portion have different structures.
【請求項5】 前記複数のキャリア部に含まれる全ての
収納溝は、互いに異なる構造を有することを特徴とする
請求項3記載の熱処理装置用ウェハボート。
5. The wafer boat for a heat treatment apparatus according to claim 3, wherein all storage grooves included in the plurality of carrier parts have different structures from each other.
【請求項6】 半導体ウェハの熱処理方法であって、 半導体ウェハをウェハボートに収納するステップと、 前記ウェハボートを反応管に搬入するステップと、 前記反応管の中で前記半導体ウェハを加熱するステップ
とを含み、 前記ウェハボートは請求項1乃至5の何れか1項記載の
熱処理装置用ウェハボートであることを特徴とする熱処
理方法。
6. A method for heat-treating a semiconductor wafer, comprising: storing a semiconductor wafer in a wafer boat; loading the wafer boat into a reaction tube; and heating the semiconductor wafer in the reaction tube. 6. The heat treatment method according to claim 1, wherein the wafer boat is the wafer boat for a heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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